專利名稱：襯底臺(tái)、光刻設(shè)備和使用光刻設(shè)備制造器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種襯底臺(tái)、一種光刻設(shè)備以及一種使用光刻設(shè)備制造器件的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過(guò)把圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂的步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過(guò)將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。已經(jīng)提出將光刻投影設(shè)備中的襯底浸入到具有相對(duì)高折射率的液體(例如水) 中，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。在一實(shí)施例中，液體是蒸餾水，但是可以使用其他液體。本發(fā)明的實(shí)施例將參考液體進(jìn)行描述。然而，其它流體也可能是適合的，尤其是潤(rùn)濕性流體、不可壓縮的流體和/或具有比空氣高的折射率的流體，期望地，其為具有比水高的折射率的流體。不包括氣體的流體尤其是希望的。這是為了實(shí)現(xiàn)更小特征的成像，因?yàn)樵谝后w中曝光輻射將會(huì)具有更短的波長(zhǎng)。(液體的影響也可以被看成提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(NA)，并且也增加焦深)。還提出了其他浸沒(méi)液體，包括其中懸浮有固體顆粒(例如石英)的水，或具有納米顆粒懸浮物(例如最大尺寸達(dá)IOnm的顆粒)的液體。 這種懸浮的顆?？梢跃哂谢虿痪哂信c它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴，諸如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。將襯底或襯底與襯底臺(tái)浸入液體浴器(參見(jiàn)，例如美國(guó)專利US4，509，852)意味著在掃描曝光過(guò)程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動(dòng)機(jī)，并且液體中的湍流可能會(huì)導(dǎo)致不希望的或不能預(yù)期的效果。在浸沒(méi)設(shè)備中，浸沒(méi)流體由流體處理系統(tǒng)、裝置結(jié)構(gòu)或設(shè)備來(lái)處理。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以供給浸沒(méi)流體，因此可以是流體供給系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以至少部分地限定浸沒(méi)流體，并因此是流體限制系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以為浸沒(méi)流體提供阻擋件，并因此是阻擋構(gòu)件，諸如流體限制結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以產(chǎn)生或使用氣流，例如用于幫助控制浸沒(méi)流體的流動(dòng)和/或位置。氣流可以形成密封、以限制浸沒(méi)流體，因此流體處理結(jié)構(gòu)可以稱為密封構(gòu)件；這種密封構(gòu)件可以是流體限制結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，浸沒(méi)液體用作浸沒(méi)流體。在這種情況下，流體處理系統(tǒng)可以是液體處理系統(tǒng)。參考以上的描述，在該段落中對(duì)相對(duì)于流體限定的特征的引述可以理解為包括相對(duì)于液體限定的特征。

發(fā)明內(nèi)容
在光刻術(shù)中，位置的測(cè)量可以通過(guò)編碼器實(shí)施，所述編碼器將光束照射到編碼器板上并感測(cè)所反射的光束。投影束會(huì)被其路徑中的任何物體干擾。這會(huì)導(dǎo)致誤差被引入讀數(shù)中、或者不能形成讀數(shù)、或者讀數(shù)完全是錯(cuò)誤的。期望例如提供一種設(shè)備，其中在傳感器讀數(shù)中產(chǎn)生誤差的可能性至少被減小。根據(jù)一個(gè)方面，提供一種用于光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)包括位于襯底臺(tái)上的編碼器板；在編碼器板與襯底臺(tái)的頂部表面之間的間隙，所述間隙相對(duì)于襯底臺(tái)的外周位于編碼器板的徑向向內(nèi)的位置處；以及流體抽取系統(tǒng)，所述流體抽取系統(tǒng)在所述間隙的表面中并且具有一個(gè)或更多個(gè)開(kāi)口，用于從所述間隙抽取流體。根據(jù)一個(gè)方面，提供一種用于光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)包括位于襯底臺(tái)上的編碼器板；在編碼器板與襯底臺(tái)的頂部表面之間的間隙，所述間隙相對(duì)于襯底臺(tái)的外周位于編碼器板的徑向向內(nèi)的位置處；以及氣刀開(kāi)口，用于提供氣流以防止液體液滴到達(dá)所述編碼器板。根據(jù)一個(gè)方面，提供一種光刻設(shè)備，包括襯底臺(tái)；編碼器板；以及用于使氣體通過(guò)其中的開(kāi)口，所述開(kāi)口布置和定位成引導(dǎo)氣體離開(kāi)所述開(kāi)口，以阻止液體液滴相對(duì)于投影系統(tǒng)沿徑向向外到達(dá)編碼器板上，或者沿徑向向內(nèi)將液滴吹離編碼器板。根據(jù)一個(gè)方面，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中通過(guò)使用發(fā)射器、沿傳感器束路徑將輻射束投影到編碼器板來(lái)測(cè)量屬性，其中氣體被引導(dǎo)離開(kāi)開(kāi)口，以阻止液體液滴相對(duì)于投影系統(tǒng)沿徑向向外到達(dá)編碼器板上，或者沿徑向向內(nèi)將液滴吹離編碼器板。


下面僅通過(guò)示例的方式，參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中示意性附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2和圖3示出用于光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)；圖4示出用于光刻投影設(shè)備中的另一液體供給系統(tǒng)；圖5示出用于光刻投影設(shè)備中的還一液體供給系統(tǒng)；圖6示出襯底臺(tái)以及第一和第二位置檢測(cè)系統(tǒng)的平面圖；圖7示意地示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的橫截面圖；圖8示出沿圖9中V -V取的襯底臺(tái)的實(shí)施例的橫截面?zhèn)纫晥D，其中圖7的氣刀 310未示出；圖9示出襯底臺(tái)的實(shí)施例的俯視圖，所述襯底臺(tái)具有圍繞襯底臺(tái)的外周設(shè)置的一個(gè)或更多個(gè)編碼器板；圖10-21示出內(nèi)部或外部間隙的各種實(shí)施例的細(xì)節(jié)的橫截面視圖；圖22示出具有氣流的布置的橫截面，其中用剪切流阻止液體；以及圖23示出具有朝向編碼器板的氣流的布置的剖視圖。
具體實(shí)施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置成用于調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo)(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造成用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；-支撐臺(tái)(例如用于支撐一個(gè)或多個(gè)傳感器的傳感器臺(tái)或者構(gòu)造用于保持襯底 (例如涂覆有抗蝕劑的襯底)W的襯底臺(tái)WT)，其與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位所述臺(tái)的表面(例如襯底W的表面)的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置成用于將由圖案形成裝置MA 賦予輻射束B(niǎo)的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)IL可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置MA。支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA 的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來(lái)保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng)PS)。在這里任何使用的術(shù)語(yǔ)“掩模版”或“掩模”都可以認(rèn)為與更上位的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，投影系統(tǒng)的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒(méi)液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。
所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)或更多個(gè)臺(tái)(或平臺(tái)或支撐結(jié)構(gòu))的類型，例如具有兩個(gè)或更多個(gè)襯底臺(tái)、或者一個(gè)或更多個(gè)襯底臺(tái)和一個(gè)或更多個(gè)傳感器臺(tái)或測(cè)量臺(tái)的組合。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用多個(gè)臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。光刻設(shè)備可以具有兩個(gè)或更多個(gè)圖案形成裝置臺(tái)(或平臺(tái)或支撐結(jié)構(gòu))，這些圖案形成裝置臺(tái)可以以與襯底、傳感器和測(cè)量臺(tái)類似的方式并行地被使用。參照?qǐng)D1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源SO為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源 SO考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源 SO可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對(duì)所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件， 例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦鱅L用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。類似于所述源S0，照射器IL可以被認(rèn)為形成光刻設(shè)備的一部分或者也可以不作為光刻設(shè)備的一部分。例如，照射器IL可以是光刻設(shè)備的組成部分或者可以是與光刻設(shè)備分立的實(shí)體。在后一種情況中，光刻設(shè)備可以被配置允許照射器IL安裝在其上?？蛇x地，照射器IL是可分離的，可以單獨(dú)地設(shè)置(例如，通過(guò)光刻設(shè)備制造商或者其他供應(yīng)商)。所述輻射束B(niǎo)入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模)MA上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置MA來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)圖案形成裝置MA 之后，所述輻射束B(niǎo)通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束B(niǎo)聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B(niǎo)的路徑中。類似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對(duì)于所述輻射束B(niǎo)的路徑精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)。類似地， 可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分C之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束B(niǎo)的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束B(niǎo)的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。 在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、 或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無(wú)掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造ICs (集成電路)，但是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以有諸如制造具有微米尺度、甚至納米尺度的特征的部件的其他應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(IXDs)、薄膜磁頭等。用于在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底之間提供液體的布置可以分成三種主要類別。它們是浴器型布置、所謂的局部浸沒(méi)系統(tǒng)和全浸濕浸沒(méi)系統(tǒng)。在浴器型布置中，基本上整個(gè)襯底W和(任選地)一部分襯底臺(tái)WT浸入到液體浴器中。局部浸沒(méi)系統(tǒng)采用僅將液體提供到襯底的局部區(qū)域的液體供給系統(tǒng)。液體所填充的空間在平面視圖中小于襯底的頂部表面，并且填充有液體的區(qū)域在襯底W在所述區(qū)域下面移動(dòng)時(shí)相對(duì)于投影系統(tǒng)PS基本上保持靜止。圖2-5示出可以用在這種系統(tǒng)中的不同的供給裝置。存在密封特征來(lái)將液體密封至局部區(qū)域。已經(jīng)提出的為此而布置的一種方式在 PCT專利申請(qǐng)公開(kāi)出版物No. W099/49504中公開(kāi)。在全浸濕布置中，液體是不受限制的。襯底的整個(gè)頂部表面和襯底臺(tái)的全部或一部分被浸沒(méi)液體覆蓋。至少覆蓋襯底的液體的深度小。所述液體可以是位于襯底上的液體膜，例如位于襯底上的液體薄膜。浸沒(méi)液體可以被供給至投影系統(tǒng)和面對(duì)投影系統(tǒng)的正對(duì)表面(這種正對(duì)表面可以是襯底和/或襯底臺(tái)的表面)的區(qū)域或供給至該區(qū)域中。圖2-5 中的任何液體供給裝置都可以用于這種系統(tǒng)。然而，密封特征并不存在，不起作用，不如正常狀態(tài)有效，或者是不能有效地僅將液體密封在所述局部區(qū)域。如圖2和圖3所示，液體優(yōu)選地沿著襯底相對(duì)于最終元件移動(dòng)的方向，通過(guò)至少一個(gè)入口供給到襯底上。在已經(jīng)通過(guò)投影系統(tǒng)下面后，液體通過(guò)至少一個(gè)出口去除。當(dāng)襯底在所述元件下方沿著-X方向被掃描時(shí)，液體在元件的+X —側(cè)供給并且在-X —側(cè)去除。圖 2示意地示出所述布置，其中液體通過(guò)入口供給，并在元件的另一側(cè)通過(guò)與低壓源相連的出口去除。如圖2所示，雖然液體被沿著襯底相對(duì)于最終元件的移動(dòng)方向供給，但這并不是必須的?？梢栽谧罱K元件周圍設(shè)置各種方向和數(shù)目的入口和出口，圖3示出了一個(gè)實(shí)例，其中在最終元件的周圍在每側(cè)上以規(guī)則的重復(fù)方式設(shè)置了四組入口和出口。應(yīng)該注意的是，液體的流動(dòng)方向由圖2和3中的箭頭示出。在圖4中示出了另一個(gè)采用液體局部供給系統(tǒng)的浸沒(méi)式光刻方案。液體由位于投影系統(tǒng)PS每一側(cè)上的兩個(gè)槽狀入口供給，由設(shè)置在入口的沿徑向向外的位置上的多個(gè)離散的出口去除。所述入口可以設(shè)置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通過(guò)該孔投影。液體由位于投影系統(tǒng)PS的一側(cè)上的一個(gè)槽狀入口提供，而由位于投影系統(tǒng)PS的另一側(cè)上的多個(gè)離散的出口去除，這造成投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口和出口組合可以依賴于襯底W的移動(dòng)方向(另外的入口和出口組合是不起作用的)。應(yīng)該指出的是，襯底和流體流動(dòng)的方向由圖4中的箭頭示出。在歐洲專利申請(qǐng)公開(kāi)出版物No. EP 1420300和美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)出版物No. US 2004-0136494中，公開(kāi)了一種成對(duì)的或雙平臺(tái)浸沒(méi)式光刻設(shè)備的方案，這里通過(guò)參考將其全文引入。這種設(shè)備設(shè)置有用于支撐襯底的兩個(gè)臺(tái)。調(diào)平測(cè)量在沒(méi)有浸沒(méi)液體的工作臺(tái)的第一位置進(jìn)行，曝光在存在浸沒(méi)液體的工作臺(tái)的第二位置進(jìn)行?？蛇x的是，設(shè)備僅具有一個(gè)臺(tái)。已經(jīng)提出的另一種布置是提供具有液體限制結(jié)構(gòu)的液體供給系統(tǒng)，所述液體限制結(jié)構(gòu)沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺(tái)之間的空間的邊界的至少一部分延伸。圖5中示出了這種布置。圖5示意地示出具有液體限制結(jié)構(gòu)12的液體局部供給系統(tǒng)或流體處理系統(tǒng)，液體限制結(jié)構(gòu)12沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺(tái)WT或襯底W之間的空間的邊界的至少一部分延伸。(需要說(shuō)明的是，下文中提到的襯底W的表面，如果沒(méi)有其他說(shuō)明，還附加地或可替代地表示襯底臺(tái)的表面。)盡管可以在Z方向上(在光軸的方向上)存在一些相對(duì)移動(dòng)，但是液體限制結(jié)構(gòu)12相對(duì)于投影系統(tǒng)在XY平面內(nèi)基本上是靜止的。在一實(shí)施例中，在襯底W 的表面和液體限制結(jié)構(gòu)12之間形成密封，并且所述密封可以是非接觸密封，例如氣體密封 (在歐洲專利申請(qǐng)公開(kāi)出版物No. EP-A-1, 420，298中公開(kāi)了具有氣體密封的這種系統(tǒng))或液體密封。液體限制結(jié)構(gòu)12至少部分地將液體保持在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之間的空間11內(nèi)。在投影系統(tǒng)PS的像場(chǎng)周圍可以形成對(duì)襯底W的非接觸密封16，使得液體被限制在襯底W的表面和投影系統(tǒng)PS的最終元件之間的空間11內(nèi)。所述空間11至少部分地由位于投影系統(tǒng)PS的最終元件下方并圍繞投影系統(tǒng)PS的所述最終元件的液體限制結(jié)構(gòu) 12所形成。液體通過(guò)液體入口 13被引入到投影系統(tǒng)PS下方的所述空間中和液體限制結(jié)構(gòu)12內(nèi)。液體可以通過(guò)液體出口 13去除。液體限制結(jié)構(gòu)12可以延伸略微超過(guò)投影系統(tǒng)的最終元件上方。該液面高于最終元件，使得提供液體的緩沖。在一實(shí)施例中，液體限制結(jié)構(gòu)12具有內(nèi)周，所述內(nèi)周在上端處與投影系統(tǒng)或其最終元件的形狀緊密地一致，并且可以是例如圓形的。在底端，所述內(nèi)周與像場(chǎng)的形狀緊密地一致，例如矩形，但這不是必需的。液體可以通過(guò)在使用過(guò)程中形成在阻擋構(gòu)件12的底部和襯底W的表面之間的氣體密封16而被限制在空間11中。氣體密封通過(guò)氣體形成。氣體密封中的氣體在壓力下通過(guò)入口 15提供到在阻擋構(gòu)件12和襯底W之間的間隙。氣體通過(guò)出口 14被抽取。在氣體入口 15上的過(guò)壓、出口 14上的真空水平和間隙的幾何形狀布置成使得存在向內(nèi)的、限制所述液體的高速氣流16。氣體作用在阻擋構(gòu)件12和襯底W之間的液體上的力將液體限制在空間11中。入口 /出口可以是圍繞空間11的環(huán)形槽。所述環(huán)形槽可以是連續(xù)的或非連續(xù)的。氣流16有效地將液體限制在空間11中。這樣的系統(tǒng)在美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)出版物No. US 2004-02078 中公開(kāi)，這里通過(guò)參考使其全文并入。在一實(shí)施例中，液體限制結(jié)構(gòu)12不具有氣體密封。圖5的例子是所謂的局部區(qū)域布置，其中在任一時(shí)刻，液體僅供給至襯底W的頂部表面的局部區(qū)域。其它布置也是可以的，包括使用單相抽取器或兩相抽取器的流體處理系統(tǒng)，如例如在美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)出版物No. US2006-0038968中所公開(kāi)的。在一個(gè)實(shí)施例中， 單相或兩相抽取器可以包括被覆蓋在多孔材料中的入口。在單相抽取器的實(shí)施例中，多孔材料用于使液體與氣體分離，以能夠?qū)崿F(xiàn)單液相液體抽取。多孔材料下游的腔保持在輕微的負(fù)壓下，并且填充有液體。在所述腔中的負(fù)壓使得形成在多孔材料的孔中的彎液面能夠防止周圍氣體被吸入所述腔中。然而，當(dāng)多孔材料的表面與液體接觸時(shí)，沒(méi)有用于限制流動(dòng)的彎液面，并且液體可以自由地流入所述腔中。多孔材料具有大量的直徑在5至300 μ m范圍(期望在5至50μπι范圍)內(nèi)的小孔。在一實(shí)施例中，多孔材料至少是略微親液的(例如，親水的)，即，具有相對(duì)于浸沒(méi)液體(例如，水)的小于90°的接觸角。也可以使用許多其他類型的液體供給系統(tǒng)。本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)于與將液體限制在投影系統(tǒng)的最終元件與襯底之間的限制浸沒(méi)系統(tǒng)一起使用來(lái)說(shuō)，例如在優(yōu)化使用方面， 是有優(yōu)勢(shì)的。然而，本發(fā)明的實(shí)施例可以但不限于與任何特定類型的液體供給系統(tǒng)一起使用。如圖1所示，光刻設(shè)備的臺(tái)，例如襯底臺(tái)WT，設(shè)置有第一和第二位置檢測(cè)系統(tǒng)。第一位置檢測(cè)系統(tǒng)是編碼器型系統(tǒng)，例如在US2007/(^88121中所描述的，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)參考并入本文中。第一位置檢測(cè)系統(tǒng)包括目標(biāo)或編碼器板100和多個(gè)編碼器或者檢測(cè)器110(有時(shí)稱作編碼器頭)，所述多個(gè)編碼器或檢測(cè)器110包括發(fā)射器/接收器組合(Y1-Y10和 X1-X5)。所述目標(biāo)或編碼器板100和編碼器110中的一個(gè)安裝至襯底臺(tái)WT。如圖1所示， 所述多個(gè)編碼器110安裝在襯底臺(tái)WT上，并且所述目標(biāo)或編碼器板100相對(duì)于投影系統(tǒng)安裝在固定位置中。在可選實(shí)施例中，如圖6所示，所述目標(biāo)或編碼器板100安裝至襯底臺(tái) WT，所述多個(gè)編碼器110安裝在襯底臺(tái)WT上方并且相對(duì)于投影系統(tǒng)安裝在固定位置中。所述目標(biāo)或編碼器板100包括(例如1維或2維)格柵。位置檢測(cè)系統(tǒng)被構(gòu)造和布置成使得至少三個(gè)編碼器110能夠在任一時(shí)刻將輻射束傳送到所述目標(biāo)或編碼器板100 上和接收被反射的和/或折射的輻射束。第二位置檢測(cè)系統(tǒng)IF包括干涉儀，所述干涉儀包括三個(gè)發(fā)射器/接收器組合120 以及基本上正交地安裝在襯底臺(tái)WT的邊緣上的至少兩個(gè)反射鏡130、140。來(lái)自發(fā)射器/接收器組合120的輻射束被引導(dǎo)至反射鏡130、140，并且被反射回來(lái)。對(duì)于每條軸線設(shè)置一個(gè)或兩個(gè)發(fā)射器/接收器組合120。所確定的位置(位置信息)可以是X、Y和Rz自由度。在一個(gè)實(shí)施例中，所確定的位置附加地包括Rx和Ry自由度。第一位置檢測(cè)系統(tǒng)是非常精確的，可以用于鄰近第一位置檢測(cè)系統(tǒng)的固定部件的精細(xì)位置測(cè)量。例如，所述目標(biāo)或編碼器板100的固定部件以及多個(gè)編碼器110可以處于圍繞投影系統(tǒng)PS的軸線的固定位置處。
然而，由于平面視圖中襯底臺(tái)WT的尺寸限制，該系統(tǒng)或者需要用于固定部件的大的覆蓋區(qū)(這通常是不可實(shí)現(xiàn)的)，或者僅能夠用于局部區(qū)域中的定位。在編碼器系統(tǒng)的布置中，一個(gè)或更多個(gè)編碼器板(例如，編碼器格柵板)100安裝在襯底臺(tái)WT上，使用安裝在例如獨(dú)立的框架上的相關(guān)聯(lián)的檢測(cè)器110(有時(shí)稱作編碼器頭) 來(lái)檢測(cè)。所述獨(dú)立的框架例如可以保持投影系統(tǒng)PL和/或浸沒(méi)液體供給系統(tǒng)IH的結(jié)構(gòu)。 由于浸沒(méi)液體的存在，編碼器系統(tǒng)可能在操作上遇到困難。在編碼器系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，一個(gè)或更多個(gè)編碼器板100安裝在襯底臺(tái)WT的表面上。 然而，這是使得液體液滴或薄膜易于落在編碼器板100上的暴露位置(以下涉及液體的情況包括涉及薄膜的情況)。所述液滴可能源自局部浸沒(méi)系統(tǒng)IH的液體的液體(例如，水) 損失，諸如限定在浸沒(méi)液體限制結(jié)構(gòu)(有時(shí)稱為浸沒(méi)罩)中的液體的液體損失。落在編碼器板100上的液體液滴能夠引發(fā)蒸發(fā)冷卻、編碼器板100的局部冷卻、和 /或編碼器板100的變形。在編碼器板100上存在液滴或者污染物(可能由液滴承載)的情況下，可能不能進(jìn)行正確的編碼器測(cè)量。當(dāng)液滴干時(shí)，會(huì)留下干燥印跡。這種液滴、污染物和/或干燥印跡通常被認(rèn)為是污染。編碼器板100上的污染部位不應(yīng)該被用于進(jìn)行編碼器測(cè)量，因此應(yīng)該被清潔。清潔可能導(dǎo)致停機(jī)和生產(chǎn)率損失。在這種變形或者污染的位置上使用編碼器板100進(jìn)行測(cè)量可能會(huì)妨礙編碼器系統(tǒng)進(jìn)行充分精確的測(cè)量。編碼器系統(tǒng)的重疊精度可能會(huì)變差。一種解決方案是除了如圖1和6所示的上述編碼器系統(tǒng)之外還設(shè)置備用干涉儀系統(tǒng)。在這種系統(tǒng)中，如果由于編碼器板100的變形和/或編碼器板100上的污染而不能使用編碼器測(cè)量，則使定位和/或測(cè)量系統(tǒng)退后(fallback)，而使用干涉儀測(cè)量。使用干涉儀測(cè)量會(huì)導(dǎo)致重疊精度降低，并且增加復(fù)雜度。在浸沒(méi)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，用于(利用氣體)去除液體的襯底流體抽取系統(tǒng)可以位于襯底W(當(dāng)位于襯底臺(tái)WT上時(shí))的邊緣與圍繞襯底W的襯底臺(tái)WT的表面210之間的內(nèi)部間隙200中。(表面210可能部分來(lái)自所述臺(tái)WT中的凹陷，在曝光過(guò)程中所述襯底位于所述凹陷中。)在編碼器板100處于襯底W和圍繞襯底W的襯底臺(tái)WT的表面210之外的情況下，附加的流體抽取系統(tǒng)可以位于編碼器板100和圍繞襯底W的襯底臺(tái)WT的表面210之間的外部間隙300(或者凹槽)中。在一實(shí)施例中，編碼器板100圍繞臺(tái)WT的表面210。任選地，襯底臺(tái)WT的另一表面可以在編碼器板100之外。在外部間隙300中，可以有氣刀開(kāi)口(例如，空氣刀開(kāi)口)310，其位置設(shè)置成使得來(lái)自氣刀開(kāi)口 310的氣流(例如，空氣流)320用作阻擋件，以幫助防止液體液滴到達(dá)編碼器板100。如果液滴移向編碼器板100，它將被來(lái)自氣刀的氣流320阻擋并且被附加的流體抽取系統(tǒng)330和/或與內(nèi)部間隙200相關(guān)聯(lián)的襯底流體抽取系統(tǒng)所捕獲。在一實(shí)施例中，與內(nèi)部間隙200相關(guān)聯(lián)的襯底流體抽取系統(tǒng)和附加的流體抽取系統(tǒng)330可以相連并共享一個(gè)或多個(gè)液體去除能力(例如，低壓源)。這種布置示出在圖7 中。參考圖8，突節(jié)卡盤或襯底支撐結(jié)構(gòu)400通過(guò)例如真空(源410)支撐并保持襯底 W。圍繞襯底支撐結(jié)構(gòu)400的襯底臺(tái)蓋(例如，蓋板)500也可以以類似的方式被真空保持， 盡管在一實(shí)施例中它可以與襯底支撐結(jié)構(gòu)400整體形成。可去除形式的蓋500，在其涂層劣化時(shí)能夠在維修期間容易地被替換。蓋500可以提供在襯底W和編碼器板100之間的襯底臺(tái)WT的表面210。這種布置示出在圖8中。在一實(shí)施例中，在蓋500與編碼器板100之間的外部間隙300中具有凹槽305和包括引液槽307的流體抽取系統(tǒng)(氣泡抽取系統(tǒng)，BES) 3300外部間隙300可以沿著襯底臺(tái)WT上的一個(gè)或多個(gè)編碼器板100的內(nèi)部邊界或者圍繞所述內(nèi)部邊界。襯底臺(tái)WT可以具有在襯底W周圍且位于襯底W和蓋500之間的內(nèi)部間隙200 (見(jiàn)圖6-8)。與內(nèi)部間隙200、 外部間隙300或者這兩者相關(guān)聯(lián)的流體抽取系統(tǒng)去除各個(gè)凹槽205、305中的任何殘余的液體。所述液體可以以單相流或者兩相流被去除。在外部引液槽307中的流體抽取系統(tǒng)，結(jié)合襯底臺(tái)WT上的氣刀310(見(jiàn)圖6)，幫助防止液體液滴落在編碼器板100上。如果液滴移動(dòng)，例如朝向編碼器板100滾動(dòng)，則液滴將被氣刀310阻擋而不會(huì)到達(dá)編碼器板100。所述液滴將被外部間隙300中的流體抽取系統(tǒng)和/或內(nèi)部間隙200中的流體抽取系統(tǒng)捕獲。來(lái)自氣刀310的氣體中的至少一些可以由外部間隙300中的流體抽取系統(tǒng)抽取。在圖9的設(shè)計(jì)中，存在在襯底臺(tái)蓋500與編碼器板100之間的編碼器板BES或引液槽307 (即，與外部間隙300相關(guān)聯(lián)的流體抽取系統(tǒng)330)。襯底臺(tái)WT具有位于編碼器板 BES的徑向向外位置處的一個(gè)或更多個(gè)氣刀310。來(lái)自氣刀的氣流可能促進(jìn)蒸發(fā)冷卻，這可能會(huì)使編碼器板100變形。編碼器板100 的變形可能導(dǎo)致重疊性能變差。冷卻效應(yīng)可能被吹送氣體的氣刀補(bǔ)償，所述氣刀吹送的氣體比周圍氣體熱(或者比周圍環(huán)境溫度高)?？蛇x地或者附加地，來(lái)自氣刀310的氣流可以包括濕氣，以便減小蒸發(fā)冷卻率。在所述設(shè)備中的氣體環(huán)境優(yōu)選具有恒定的濕度。具有不同濕度的氣體的混合是不穩(wěn)定性的來(lái)源。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，在工具中釋放到圍繞襯底臺(tái)WT的氣體環(huán)境中的所有氣體具有基本上相同的濕度。優(yōu)選潮濕的氣體環(huán)境。編碼器格柵板100可能由石英制成或者被石英覆蓋，石英在熱負(fù)載下極易變形。因此，在石英上蒸發(fā)是不期望，應(yīng)該被防止。因此，液滴對(duì)于編碼器系統(tǒng)可能是個(gè)問(wèn)題。大的液滴可以保持遠(yuǎn)離格柵板。到達(dá)編碼器格柵的小液滴能夠通過(guò)使用潮濕的氣體環(huán)境而被抑制發(fā)生蒸發(fā)，防止它們對(duì)編碼器板100施加蒸發(fā)熱負(fù)載。與編碼器格柵100相關(guān)聯(lián)的流體抽取系統(tǒng)330可以使用兩相和/或單相抽取。如果使用單相，氣體環(huán)境的濕度不重要。然而，如果流體抽取系統(tǒng)330使用兩相抽取，則編碼器周圍的氣體環(huán)境應(yīng)該優(yōu)選具有高的濕度。在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)編碼器板100與來(lái)自氣刀310和/或內(nèi)部和/或外部間隙200、300中的流體抽取系統(tǒng)或者由氣刀310和/或內(nèi)部和/或外部間隙200、300中的流體抽取系統(tǒng)引入的氣流320是熱絕緣的。在一個(gè)實(shí)施例中，光刻設(shè)備的控制器50可以控制氣刀310，使得僅氣流320設(shè)置在編碼器板100的位于液體限制結(jié)構(gòu)IH附近的部分處。 例如，如果浸沒(méi)液體限制結(jié)構(gòu)IH位于襯底臺(tái)WT的一半的上方，則在該一半的襯底臺(tái)WT范圍內(nèi)的氣刀310是起作用的，而在另一半中的氣刀310是不起作用的。類似地，如果浸沒(méi)液體限制結(jié)構(gòu)IH位于襯底臺(tái)WT的四分之一的上方，則在該四分之一范圍內(nèi)的氣刀310是起作用的，而在另幾個(gè)四分之一范圍中的一個(gè)或多個(gè)中的氣刀310是不起作用的。在一實(shí)施例中，在離浸沒(méi)液體限制結(jié)構(gòu)IH—定距離內(nèi)的氣刀310(的部分)是起作用的，而如果在該距離之外則是不起作用的。所述距離可以小于或等于1厘米，小于或等于2厘米，小于或等于3厘米，小于或等于4厘米，小于或等于5厘米，小于或等于6厘米， 小于或等于10厘米，小于或等于15厘米，或者小于或等于20厘米。如果浸沒(méi)液體限制結(jié)構(gòu)IH與來(lái)自氣刀310的氣流320的路徑相交，則氣刀310可以將氣泡引入浸沒(méi)液體中。當(dāng)受限制的浸沒(méi)液體被轉(zhuǎn)移至例如另一平臺(tái)(諸如襯底平臺(tái)或測(cè)量平臺(tái)(其不被配置用于支撐襯底))時(shí)，在例如襯底交換期間可能發(fā)生氣泡夾雜。為了防止這個(gè)問(wèn)題，圖9示出了一種布置，其中在襯底交換期間在例如浸沒(méi)液體限制結(jié)構(gòu)IH中的受限制的浸沒(méi)液體之下經(jīng)過(guò)的襯底臺(tái)WT表面的區(qū)域312不具有氣刀310開(kāi)口。在一實(shí)施例中，透射圖像傳感器(TIS)600可以位于這種不具有氣刀310的區(qū)域中。在使用TIS600的通過(guò)液體的測(cè)量否則將在編碼器板100的氣刀310上或附近進(jìn)行的情況下，這是有益的。在一實(shí)施例中，TIS600和用于轉(zhuǎn)移至另一平臺(tái)的路徑可以在不具有氣刀310的大致相同的位置處。在一實(shí)施例中，編碼器板100的不具有氣刀310的部分可能不用于測(cè)量；另一編碼器板100或者編碼器板100的其他部分可能用在該情況中(例如， 通過(guò)另一編碼器110)。在一實(shí)施例中，代替不具有氣刀310的情況，光刻設(shè)備的控制器50 可以控制氣刀310，使其在受限制的液體到達(dá)或者接近與上述實(shí)施例類似的區(qū)域312時(shí)不起作用，例如用于減小來(lái)自氣刀310的冷卻效果。圖10-21示出外部間隙300/氣刀310的不同的可能的布置。氣刀310開(kāi)口、蓋 500和編碼器板100的相對(duì)位置相對(duì)于外部間隙300是變化的。圖10-21是以圖7-9所示實(shí)施例的實(shí)施例為基礎(chǔ)的。圖10_21的實(shí)施例不同于圖 7-9所示的實(shí)施例，如下所述。如圖10所示，在圖7中的外部間隙300的布置可以應(yīng)用于內(nèi)部間隙200。在圖11的實(shí)施例中，來(lái)自氣刀310的氣流朝向外部間隙300或者襯底W傾斜。終止于氣刀310的開(kāi)口中的通道被傾斜使得氣體離開(kāi)開(kāi)口且具有沿離開(kāi)所述編碼器板100的方向的水平分量。這在阻止液滴移動(dòng)到編碼器板100上的方面可能是更有效的。在圖12中，氣刀310具有低于襯底臺(tái)WT的頂部表面的開(kāi)口。頂部表面可以與編碼器板100、蓋500和襯底W的頂部表面共面。氣刀310的開(kāi)口處于凹槽305的側(cè)壁中并且在形成有引液槽307的底部處。氣刀310的開(kāi)口所在的側(cè)壁是面對(duì)并且離開(kāi)編碼器板100 的側(cè)壁(即，最靠近編碼器板100的側(cè)壁)。所述側(cè)壁相比于襯底支撐結(jié)構(gòu)400可以更靠近編碼器板100。在圖13的實(shí)施例中，氣刀310的開(kāi)口大致平行于由襯底W、蓋500和/或編碼器板 100形成的襯底臺(tái)WT的頂部表面和/或與該頂部表面平齊。來(lái)自氣刀310的開(kāi)口的氣流 320的路徑遠(yuǎn)離編碼器板100(例如，朝向外部間隙300和/或襯底W)。氣刀310的開(kāi)口可以形成在凸起脊315中，所述凸起脊315在襯底臺(tái)WT的頂部表面的平面上方。凸起脊315 可以用作對(duì)液滴到達(dá)編碼器板100上的通道的物理阻擋件。在圖14中，氣體抽取開(kāi)口 317形成在氣刀310的開(kāi)口與流體抽取系統(tǒng)330的凹槽 305之間。開(kāi)口 317連接至用于通過(guò)抽取開(kāi)口 317從氣刀310抽取氣體的負(fù)壓源。太多的氣流320可能會(huì)破壞編碼器的功能以及它們的狀態(tài)。如果氣體被通過(guò)氣刀310供給而沒(méi)有抽取，則局部壓力會(huì)改變，而影響性能。因此，圖14的實(shí)施例是希望的，因?yàn)樗槿?lái)自氣刀310的任何多余氣體，從而穩(wěn)定局部壓力。圖15的實(shí)施例與圖13的實(shí)施例類似，除了編碼器板100相對(duì)于襯底臺(tái)WT的其余部分的頂部表面抬升距離h。這減小了液滴到達(dá)編碼器板100的機(jī)會(huì)。氣流320的路徑沿徑向被向內(nèi)引導(dǎo)(相對(duì)于襯底W)。被抬升的編碼器板的細(xì)節(jié)可以與2009年9月11日遞交的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 61/M1，724中所披露的布置大致類似，其全文通過(guò)參考并入本文中。圖16-18的實(shí)施例產(chǎn)生從編碼器板(相對(duì)于襯底)的最外部邊緣的徑向向內(nèi)的氣流。所述氣流可以由氣刀310提供。氣流320被引導(dǎo)用于將液滴沿徑向向內(nèi)吹離編碼器板 100。在圖16和17的實(shí)施例中，氣刀310開(kāi)口位于襯底臺(tái)WT的突起315中并且在編碼器板100的徑向向外的位置處。離開(kāi)氣刀310的氣體的流動(dòng)路徑320在編碼器板100上方沿徑向向內(nèi)的方向。氣流阻止液滴朝向編碼器板的移動(dòng)，并且如果液滴落在編碼器板上，則它被吹回到外部間隙300中，即，被夾帶到來(lái)自氣刀310的氣流320中，以被移至外部間隙 300。如圖16所示，氣刀310可以替代地或者附加地被定位在液體供給系統(tǒng)(諸如液體限制結(jié)構(gòu)IH)的側(cè)表面中。在這個(gè)實(shí)施例中，氣流320沿徑向向外在編碼器板100上經(jīng)過(guò)并且能夠有效地沿徑向向外移動(dòng)任何到達(dá)編碼器板上的液滴。系統(tǒng)可以設(shè)置在適當(dāng)?shù)奈恢茫?用于回收液體限制結(jié)構(gòu)IH上被氣刀310吹動(dòng)的液滴。控制器50可以被使用，使得氣體僅在氣體離開(kāi)所通過(guò)的開(kāi)口部分處于編碼器板100的預(yù)定距離內(nèi)時(shí)離開(kāi)氣刀310。圖17的實(shí)施例與圖16的實(shí)施例相同，除了抽取出口開(kāi)口 700形成在面對(duì)襯底臺(tái) WT并且在襯底臺(tái)WT上方的表面中，用于在氣體沿徑向向內(nèi)在編碼器板100的頂部表面經(jīng)過(guò)之后將氣體抽吸入其表面中形成有開(kāi)口 700的主體中。開(kāi)口 700可以例如是氣體調(diào)整系統(tǒng)的開(kāi)口，使得氣流被襯底臺(tái)WT上方的氣體調(diào)整系統(tǒng)回收。氣體調(diào)整系統(tǒng)可以與支撐一個(gè)或多個(gè)編碼器110的編碼器頭支撐結(jié)構(gòu)800相關(guān)聯(lián)。一個(gè)或多個(gè)抽取出口開(kāi)口 700可以被設(shè)置成使得在編碼器定位設(shè)備能夠操作的所有位置處，可以產(chǎn)生在編碼器板100上經(jīng)過(guò)的氣流320。即，抽取出口開(kāi)口 700被設(shè)置成使得在所有可操作位置中，至少一個(gè)抽取出口開(kāi)口 700位于編碼器板100的徑向向內(nèi)的位置處(相對(duì)于襯底W)?？刂破?0可以被使用，使得抽取僅在開(kāi)口 700位于編碼器板100的徑向向內(nèi)的位置處時(shí)和/或開(kāi)口 700是編碼器板100的徑向向內(nèi)位置處的開(kāi)口中最靠近編碼器板100的開(kāi)口時(shí)通過(guò)該開(kāi)口 700發(fā)生。盡管圖17的實(shí)施例示出具有圖16的氣刀布置310，然而使用在襯底臺(tái)WT上方的開(kāi)口 700可以與文中所描述的任何其他氣刀布置結(jié)合使用。尤其地，開(kāi)口 700可以與圖18 所示的布置使用或者圖16所示的實(shí)施例使用，其中氣刀310設(shè)置在液體供給系統(tǒng)IH中。在圖18的實(shí)施例中，氣刀310的開(kāi)口位于與襯底臺(tái)WT分離開(kāi)的部件或主體中。氣流320流經(jīng)與圖16和17所示的路徑類似的路徑。這具有高度臺(tái)階不出現(xiàn)在襯底臺(tái)WT上的優(yōu)點(diǎn)，可能不期望在襯底臺(tái)WT上出現(xiàn)高度臺(tái)階。高度臺(tái)階可能會(huì)通過(guò)釘扎液體的彎液面來(lái)影響液體流。設(shè)置氣刀310的開(kāi)口所在的其它部件可以是編碼器支撐結(jié)構(gòu)800，諸如示出在圖17中的支撐結(jié)構(gòu)或者例如安裝在設(shè)備的框架上的支撐結(jié)構(gòu)或者例如安裝在編碼器自身上的支撐結(jié)構(gòu)。圖16-18的實(shí)施例(和圖19的實(shí)施例)尤其適合于使用離開(kāi)氣刀310的潮濕氣體的情形。這是因?yàn)榫幋a器板100上的氣流也可以用作調(diào)整氣體。調(diào)整氣體是具有恒定組分和/或溫度和/或濕度的均勻流體，用于避免折射率的改變，從而避免將誤差或不精確性引入傳感器的讀數(shù)中。在圖19的實(shí)施例中，氣刀310開(kāi)口位于襯底臺(tái)WT上方的表面中，例如在位于襯底臺(tái)WT上方的框架的表面中?？蚣芾缈梢允蔷幋a器頭支撐結(jié)構(gòu)800。氣刀310可以向下吹氣體，將氣體吹向襯底臺(tái)表面WT，如圖所示。多個(gè)氣刀310可以設(shè)置成使得液滴能夠被阻擋而不會(huì)移動(dòng)到編碼器板100上和/或設(shè)置用于調(diào)整編碼器板100與任一個(gè)用于確定任一給定時(shí)刻襯底臺(tái)WT的位置的編碼器110之間的氣體。圖16-19中的每一個(gè)示出位于編碼器板100的徑向向內(nèi)位置處的附加的流體抽取系統(tǒng)330 (與圖7-15中所示的相同)。這是有益的，因?yàn)樗軌虼_保來(lái)自氣刀310的氣體被收集而不會(huì)到達(dá)襯底W。這些布置可以具有連接至框架(諸如量測(cè)框架)的氣體供給，使得氣體供給相對(duì)于浸沒(méi)液體限制結(jié)構(gòu)IH是穩(wěn)定的。在編碼器板100的徑向向內(nèi)位置處以及襯底W的徑向向外位置處的抽取將防止大的液滴到達(dá)編碼器板100并且防止編碼器板100 上的調(diào)整氣體影響襯底W。在圖20中，附加的流體抽取系統(tǒng)330和氣刀310的位置與圖9所示的實(shí)施例中的情形是相反的。圖21的實(shí)施例示出在附加的流體抽取系統(tǒng)330的任一側(cè)上的氣刀310A、310B。圖22示出與圖19所示的實(shí)施例類似的實(shí)施例，其中在編碼器110周圍的編碼器格柵100/襯底臺(tái)WT的表面上產(chǎn)生水平流320。在編碼器板100和氣刀310的開(kāi)口形成所在的表面之間形成的間隙導(dǎo)致氣體大致平行于編碼器板100流動(dòng)。這導(dǎo)致從編碼器110沿徑向向外的流動(dòng)。因此在編碼器板100上的任何液滴沿徑向向內(nèi)或沿徑向向外被吹動(dòng)(或吹至側(cè)邊)，這依賴于它們相對(duì)于編碼器110的起始位置。所述水平流是施加剪切力至到達(dá)編碼器板100的任何液滴的剪切流。在圖22的實(shí)施例中，剪切壓力防止液滴到達(dá)來(lái)自編碼器110的輻射入射到格柵板100上所在的位置點(diǎn)。氣刀310的開(kāi)口形成所在的表面的底部與格柵板100的頂部表面之間的間隙優(yōu)選為0.1-1毫米，而在平行于編碼器板100的頂部表面的平面中的間隙的長(zhǎng)度希望為2-20毫米長(zhǎng)。該幾何形狀是希望的，因?yàn)樗a(chǎn)生離開(kāi)編碼器110的強(qiáng)的徑向向外氣流320。在與2010年8月M日遞交的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 61/376，653(其全文通過(guò)參考并入本文中)中披露的實(shí)施例類似的可選實(shí)施例中，用于提供具有第一流320a特性的流體 (即，湍流)的第一出口 310a設(shè)置在第二出口 310b的徑向向內(nèi)的位置處。第二出口 310b 提供具有不同于第一流320a特性的第二流320b特性的流體(即層流)。內(nèi)部流320a是為了調(diào)整編碼器110周圍的氣體環(huán)境，外部流320b是層狀的，用于保持液體離開(kāi)編碼器110 并且離開(kāi)編碼器格柵100。內(nèi)部高速湍動(dòng)射流也可以用作氣刀，用于保持液滴遠(yuǎn)離編碼器 110。第二徑向向內(nèi)的氣體供給是較良性的層流。該氣體用作緩沖器，用于使周圍隔室氣體保持與內(nèi)部流分開(kāi)，使得僅僅被良好控制的外部流320b與湍動(dòng)的內(nèi)部流320a混合。氣流320可以在大致平行于流體抽取系統(tǒng)330或BES的開(kāi)口(例如外部間隙300) 的平面內(nèi)(見(jiàn)圖16至18)，或者在大致垂直于外部間隙300的平面內(nèi)(圖19，22和23)。在一實(shí)施例中，氣刀310可以被供給而沒(méi)有例如與在編碼器板100和襯底臺(tái)WT的徑向向內(nèi)表面(例如，蓋板500)之間的外部間隙300相關(guān)聯(lián)的流體抽取系統(tǒng)330。氣刀310可以是多個(gè)圓形孔形式的開(kāi)口、一系列細(xì)長(zhǎng)孔(例如，狹縫)形式的開(kāi)口、連續(xù)槽形式的開(kāi)口、二維陣列形式的開(kāi)口、或者多孔板(諸如，微型篩)形式的開(kāi)口。所述開(kāi)口可以設(shè)置在所述一個(gè)或更多個(gè)編碼器板100的內(nèi)周周圍。所述開(kāi)口可以是一條直的或彎曲的線和/或多個(gè)直的或彎曲的線。在所描述的布置中，具有其流體抽取系統(tǒng)330和氣刀310開(kāi)口的外部間隙300鄰近于編碼器板100和蓋500(并且在兩者之間)。這些特征可以例如鄰近于襯底支撐結(jié)構(gòu) 400和蓋500(并且在兩者之間)(如圖9所示)，位于編碼器板100的外周邊緣周圍，和/ 或沿著橫穿通路(參見(jiàn)2009年9月11日遞交的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 61/M1，724)。氣刀310開(kāi)口周圍的表面可以具有疏液的(例如，疏水的)表面，例如采用涂層的形式。氣刀310開(kāi)口周圍的表面可以與例如襯底臺(tái)、編碼器板或兩者的周圍表面平齊、比所述周圍表面高或者低于所述周圍表面。在一個(gè)實(shí)施例中，外部間隙300可以是被動(dòng)性的。例如，外部間隙300可以具有海綿以吸收液體。與具有流體抽取系統(tǒng)和/或氣刀的主動(dòng)外部間隙相比，優(yōu)勢(shì)在于蒸發(fā)冷卻較少。在一個(gè)實(shí)施例中，0形環(huán)密封件和/或粘結(jié)件可以設(shè)置在蓋500與編碼器板100之間。0形環(huán)密封件和/或粘結(jié)件可以具有親液屬性。本發(fā)明的實(shí)施例可以幫助防止浸沒(méi)液體液滴落在編碼器板100上，從而提高重疊精確度。減少液滴落在編碼器板100上(如果不是“沒(méi)有液滴落在編碼器板100上”)可以幫助減少編碼器板100的污染。結(jié)果，用于清潔編碼器板100的停機(jī)時(shí)間可以減少?？梢岳斫獾氖?，上述特征中的任一特征可以與其他特征一起使用(例如，組合圖 10至23中的任何實(shí)施例)，并且不僅僅是覆蓋在本申請(qǐng)中的被詳細(xì)描述的那些組合。例如， 本發(fā)明的實(shí)施例可以應(yīng)用到圖2至4中的實(shí)施例。通過(guò)以上公開(kāi)內(nèi)容可以理解，在本發(fā)明的第一方面中，公開(kāi)了一種用于光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)包括位于所述襯底臺(tái)上的編碼器板；所述編碼器板與所述襯底臺(tái)的頂部表面之間的間隙，所述間隙相對(duì)于所述襯底臺(tái)的外周位于所述編碼器板的徑向向內(nèi)的位置處；以及在所述間隙的表面中具有一個(gè)或更多個(gè)開(kāi)口的流體抽取系統(tǒng)，用于從所述間隙抽取液體。在根據(jù)本發(fā)明第一方面的第二方面中，氣刀開(kāi)口與所述間隙相關(guān)聯(lián)，所述氣刀提供氣流，以有助于防止液體液滴到達(dá)所述編碼器板。 在根據(jù)本發(fā)明第二方面的第三方面中，所述氣刀開(kāi)口配置使得來(lái)自所述氣刀開(kāi)口的氣流流入所述間隙。在本發(fā)明的第四方面中，公開(kāi)了一種用于光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)包括位于所述襯底臺(tái)上的編碼器板；在所述編碼器板與所述襯底臺(tái)的頂部表面之間的間隙，所述間隙相對(duì)于所述襯底臺(tái)的外周位于所述編碼器板的徑向向內(nèi)的位置處；以及氣刀開(kāi)口，所述氣刀開(kāi)口用于提供氣流，以防止液體液滴到達(dá)編碼器板。在根據(jù)前述任一方面的第五方面中，所述襯底臺(tái)還包括用于支撐襯底的襯底支撐結(jié)構(gòu)和位于所述襯底支撐結(jié)構(gòu)的徑向向外位置處且位于所述襯底臺(tái)的所述頂部表面的徑向向內(nèi)位置處的間隙。在根據(jù)前述任一方面的第六方面中，所述襯底臺(tái)還包括蓋板，其中所述襯底臺(tái)的所述頂部表面的至少一部分是所述蓋板的表面。在根據(jù)前述任一方面的第七方面中，所述編碼器板位于所述襯底臺(tái)的外周處。在根據(jù)前述任一方面的第八方面中，所述編碼器板位于所述襯底臺(tái)的外周周圍。在本發(fā)明的第九方面中，公開(kāi)了一種光刻設(shè)備，包括如前述任一方面所述的襯底臺(tái)。在根據(jù)本發(fā)明第九方面的第十方面中，所述光刻設(shè)備還包括液體限制結(jié)構(gòu)，所述液體限制結(jié)構(gòu)配置用于供給浸沒(méi)液體并且將浸沒(méi)液體限制在投影系統(tǒng)與正對(duì)表面之間，所述正對(duì)表面包括所述襯底臺(tái)的表面、由所述襯底臺(tái)支撐的襯底的表面、或者這兩者兼具。在本發(fā)明的第十一方面中，公開(kāi)了一種光刻設(shè)備，包括襯底臺(tái)；編碼器板；以及用于使氣體通過(guò)其中的開(kāi)口，所述開(kāi)口布置并且定位成引導(dǎo)所述氣體離開(kāi)所述開(kāi)口，以阻止液體液滴相對(duì)于投影系統(tǒng)沿徑向向外到達(dá)所述編碼器板上，或者沿徑向向內(nèi)吹動(dòng)液滴離開(kāi)所述編碼器板，或者這兩者兼具。在根據(jù)本發(fā)明第十一方面的第十二方面中，所述編碼器板位于所述襯底臺(tái)的頂部表面上。在根據(jù)本發(fā)明第十一或第十二方面的第十三方面中，所述開(kāi)口位于所述編碼器板的徑向向外的位置處。在根據(jù)本發(fā)明第十一方面、第十二方面或第十三方面的第十四方面中，所述開(kāi)口在所述襯底臺(tái)中。在根據(jù)本發(fā)明第十一方面、第十二方面或第十三方面的第十四方面中，所述開(kāi)口在與所述襯底臺(tái)分離的部件中。在根據(jù)本發(fā)明第十五方面的第十六方面中，所述開(kāi)口在處于所述編碼器板上方且面對(duì)所述編碼器板的表面中。在根據(jù)本發(fā)明第十五或十六方面的第十七方面中，在使用時(shí)，所述開(kāi)口引導(dǎo)所述氣體朝向所述編碼器板。在根據(jù)本發(fā)明第十七方面的第十八方面中，形成在所述編碼器板與所述開(kāi)口形成所在的所述表面之間的間隙導(dǎo)致所述氣體大致平行于所述編碼器板流動(dòng)。在根據(jù)本發(fā)明第十一方面至第十八方面中任一方面的第十九方面中，所述開(kāi)口是氣刀的所述開(kāi)口。在根據(jù)本發(fā)明第十一方面至第十九方面中任一方面的第二十方面中，所述光刻設(shè)備還包括在主體的表面中具有一個(gè)或更多個(gè)開(kāi)口的流體抽取系統(tǒng)，用于將流體抽取進(jìn)入所述主體。在根據(jù)本發(fā)明第二十方面的第二十一方面中，所述主體是所述襯底臺(tái)。在根據(jù)本發(fā)明第二十方面的第二十二方面中，所述主體是除了所述襯底臺(tái)之外的主體。在根據(jù)本發(fā)明第二十二方面的第二十三方面中，所述表面在使用中是在所述編碼器板上方且面對(duì)所述編碼器板的表面。在根據(jù)本發(fā)明第十一方面至第二十三方面中任一方面的第二十四方面中，所述氣體沿離開(kāi)所述編碼器板的方向離開(kāi)所述開(kāi)口，或者所述氣流位于跨經(jīng)所述編碼器板的徑向?qū)挾鹊姆较蛏?。在本發(fā)明的第二十五方面中，公開(kāi)了一種器件制造方法，包括將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中通過(guò)使用發(fā)射器沿傳感器束路徑將輻射束投影至編碼器板來(lái)測(cè)量屬性，其中氣體被引導(dǎo)出開(kāi)口以阻止液體液滴相對(duì)于投影系統(tǒng)沿徑向向外到達(dá)所述編碼器板上，或者沿徑向向內(nèi)吹動(dòng)液滴離開(kāi)所述編碼器板，或者這兩者兼具。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造ICs (集成電路)，但是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以有其他應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、 平板顯示器、液晶顯示器(IXDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這里使用的任何術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/ 或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有約365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))。在允許的情況下，術(shù)語(yǔ)“透鏡”可以表示不同類型的光學(xué)構(gòu)件中的任何一種或其組合，包括折射式的和反射式的光學(xué)構(gòu)件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可以以與上述不同的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明的實(shí)施例可以采用包含用于描述一種如上面公開(kāi)的方法的一個(gè)或更多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或具有存儲(chǔ)其中的所述計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)的形式。此外，所述機(jī)器可讀指令可以在兩個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序中實(shí)施。所述兩個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序可以存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)不同存儲(chǔ)器和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)上。這里描述的任何控制器中的每一個(gè)或其組合在所述一個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序被位于光刻設(shè)備的至少一個(gè)部件中的一個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)處理器讀取時(shí)是可操作的。控制器中的每一個(gè)或其組合具有用于接收、處理和發(fā)送信號(hào)的任何適當(dāng)?shù)呐渲?。一個(gè)或更多個(gè)處理器被配置用于與控制器中的至少一個(gè)通信。例如，每個(gè)控制器可以包括一個(gè)或更多個(gè)處理器，用于執(zhí)行包括用于上述方法的機(jī)器可讀指令的計(jì)算機(jī)程序?？刂破骺梢园ㄓ糜诖鎯?chǔ)這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，和/或用于容納這種介質(zhì)的硬件。因此，控制器可以根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序的機(jī)器可讀指令操作。本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用到任何浸沒(méi)式光刻設(shè)備，尤其是但不限于上面提到的那些類型的光刻設(shè)備，而且不論浸沒(méi)液體是否以浴器的形式提供，或僅在襯底的局部表面區(qū)域上提供，或是非限制的。在非限制的布置中，浸沒(méi)液體可以在所述襯底臺(tái)和 /或襯底的表面上流動(dòng)，使得基本上襯底臺(tái)和/或襯底的整個(gè)未覆蓋的表面都被浸濕。在這種非限制浸沒(méi)系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng)可以不限制浸沒(méi)流體，或者其可以提供一定比例的浸沒(méi)液體限制，但不是基本上完全地對(duì)浸沒(méi)液體進(jìn)行限制。
這里提到的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該被廣義地解釋。在某些實(shí)施例中，液體供給系統(tǒng)可以是一種機(jī)構(gòu)或多個(gè)結(jié)構(gòu)的組合，其將液體提供到投影系統(tǒng)與襯底和/或襯底臺(tái)之間的空間。液體供給系統(tǒng)可以包括一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)、一個(gè)或更多個(gè)流體開(kāi)口(包括一個(gè)或更多個(gè)液體開(kāi)口、一個(gè)或更多個(gè)氣體開(kāi)口)、或用于兩相流的一個(gè)或多個(gè)開(kāi)口的組合。每一個(gè)開(kāi)口可以是通入浸沒(méi)空間的入口(或者從流體處理結(jié)構(gòu)離開(kāi)的出口)或者是通至浸沒(méi)空間之外的出口(或者通入流體處理結(jié)構(gòu)的入口)。在一實(shí)施例中，所述空間的表面可以是襯底和 /或襯底臺(tái)的一部分，或者所述空間的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺(tái)的表面，或者所述空間可以包圍襯底和/或襯底臺(tái)。所述液體供給系統(tǒng)可以可選地進(jìn)一步包括用于控制液體的位置、數(shù)量、品質(zhì)、形狀、流量或其它任何特征的一個(gè)或更多個(gè)元件。以上描述旨在進(jìn)行解釋，而不是限制性的。因而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解， 在不脫離所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍的前提下可以對(duì)所描述的發(fā)明進(jìn)行變更。
權(quán)利要求
1.一種用于光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)包括 位于所述襯底臺(tái)上的編碼器板；所述編碼器板與所述襯底臺(tái)的頂部表面之間的間隙，所述間隙相對(duì)于所述襯底臺(tái)的外周位于所述編碼器板的徑向向內(nèi)的位置處；以及在所述間隙的表面中具有一個(gè)或更多個(gè)開(kāi)口的流體抽取系統(tǒng)，用于從所述間隙抽取液體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底臺(tái)，其中，氣刀開(kāi)口與所述間隙相關(guān)聯(lián)，所述氣刀提供氣流，以有助于防止液體液滴到達(dá)所述編碼器板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底臺(tái)，其中，所述氣刀開(kāi)口配置使得來(lái)自所述氣刀開(kāi)口的氣流流入所述間隙。
4.一種用于光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)包括 位于所述襯底臺(tái)上的編碼器板；在所述編碼器板與所述襯底臺(tái)的頂部表面之間的間隙，所述間隙相對(duì)于所述襯底臺(tái)的外周位于所述編碼器板的徑向向內(nèi)的位置處；以及氣刀開(kāi)口，所述氣刀開(kāi)口用于提供氣流，以防止液體液滴到達(dá)編碼器板。
5.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的襯底臺(tái)，還包括用于支撐襯底的襯底支撐結(jié)構(gòu)和位于所述襯底支撐結(jié)構(gòu)的徑向向外位置處且位于所述襯底臺(tái)的所述頂部表面的徑向向內(nèi)位置處的間隙。
6.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的襯底臺(tái)，還包括蓋板，其中所述襯底臺(tái)的所述頂部表面的至少一部分是所述蓋板的表面。
7.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的襯底臺(tái)，其中，所述編碼器板位于所述襯底臺(tái)的外周處。
8.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的襯底臺(tái)，其中，所述編碼器板位于所述襯底臺(tái)的外周周圍。
9.一種光刻設(shè)備，包括如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的襯底臺(tái)。
10.一種光刻設(shè)備，包括 襯底臺(tái)；編碼器板；以及用于使氣體通過(guò)其中的開(kāi)口，所述開(kāi)口布置并且定位成引導(dǎo)所述氣體離開(kāi)所述開(kāi)口， 以阻止液體液滴相對(duì)于投影系統(tǒng)沿徑向向外到達(dá)所述編碼器板上，或者沿徑向向內(nèi)吹動(dòng)液滴離開(kāi)所述編碼器板，或者這兩者兼具。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻設(shè)備，其中，所述編碼器板位于所述襯底臺(tái)的頂部表面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的光刻設(shè)備，其中，所述開(kāi)口位于所述編碼器板的徑向向外的位置處。
13.根據(jù)權(quán)利要求10、11或12所述的光刻設(shè)備，其中，所述開(kāi)口在所述襯底臺(tái)中。
14.根據(jù)權(quán)利要求10、11或12所述的光刻設(shè)備，其中，所述開(kāi)口在與所述襯底臺(tái)分離的部件中。
15.一種器件制造方法，包括將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中通過(guò)使用發(fā)射器沿傳感器束路徑將輻射束投影至編碼器板來(lái)測(cè)量屬性，其中氣體被引導(dǎo)出開(kāi)口以阻止液體液滴相對(duì)于投影系統(tǒng)沿徑向向外到達(dá)所述編碼器板上，或者沿徑向向內(nèi)吹動(dòng)液滴離開(kāi)所述編碼器板，或者這兩者兼具。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種襯底臺(tái)、光刻設(shè)備和使用光刻設(shè)備制造器件的方法。所述襯底臺(tái)包括位于所述襯底臺(tái)上的編碼器板；在所述編碼器板與所述襯底臺(tái)的頂部表面之間的間隙，所述間隙相對(duì)于所述襯底臺(tái)的外周位于所述編碼器板的徑向向內(nèi)的位置處；以及在所述間隙的所述表面中的具有一個(gè)或更多個(gè)開(kāi)口的流體抽取系統(tǒng)，用于從所述間隙抽取液體。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102162999SQ20111004216
公開(kāi)日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2011年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月17日
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