專利名稱：光調(diào)制器和其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備對光進行調(diào)制的調(diào)制區(qū)域、和與調(diào)制區(qū)域鄰接的無源(passive) 區(qū)域的光調(diào)制器和其制造方法。
背景技術(shù)：
作為光調(diào)制器的一個例子，對半導(dǎo)體馬赫曾德爾調(diào)制器進行說明。半導(dǎo)體馬赫曾德爾調(diào)制器的代表性的層構(gòu)造是p-i-n構(gòu)造。p-i-n構(gòu)造是在InP等的半導(dǎo)體襯底上將η 型包層、無摻雜的核心層、以及P型包層按該順序進行層疊的構(gòu)造。(例如，參照非專利文獻(xiàn) 1)。當(dāng)使用p-i-n構(gòu)造時，會發(fā)生光損失，其原因為在ρ型包層中的價帶間吸收。為了使光損失減少，可以考慮使核心層的層厚變厚、在核心層和P型包層之間形成無摻雜包層。 例如在專利文獻(xiàn)1中公開了一種在核心層和ρ型包層之間插入有厚度IOOnm的無摻雜包層 (i-InP包層)的結(jié)構(gòu)。當(dāng)像這樣使P-i-n構(gòu)造中的無摻雜的層(P-i-n構(gòu)造的i部分)變厚時，能減少P型包層的光損失。此外，為了減少光損失也提出了一種將光調(diào)制器的層構(gòu)造設(shè)為n-i-n構(gòu)造的方案 (例如，參照非專利文獻(xiàn)2)。由于在該構(gòu)造中沒有ρ型包層，所以能消除在ρ型包層中的光損失。專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1 日本特開平7-191290號公報。非專利文獻(xiàn)
非專利文獻(xiàn) 1 :N. Yoshimoto et al. , Journal of Lightwave Technology, vol. 17, no. 9, pp. 1662-1669，1999.
非專利文獻(xiàn) 2 :K. Tsuzuki et al. , Electronics Letters, vol. 39, no. 20, pp. 1464-1466， 2003。對光調(diào)制器不僅要求光損失的減少也要求驅(qū)動電壓的減少。即，從光調(diào)制器使用的驅(qū)動IC (驅(qū)動器)的輸出振幅的限制、低功耗化的觀點出發(fā)，希望為低驅(qū)動電壓?？墒?，如上所述在使p-i-n構(gòu)造中的無摻雜的層變厚的情況下，難以滿足低驅(qū)動電壓的要求。即，由于當(dāng)無摻雜的層變厚時無摻雜的層的電場變?nèi)?，所以在核心層發(fā)生的量子限制斯塔克效應(yīng)(Quantum Confined Stark Effect: QCSE，量子限制斯塔克效應(yīng))導(dǎo)致的折射率變化變小。在該情況下，必須提高光調(diào)制時的驅(qū)動電壓來引起期望的折射率變化。 因此，在具有P-i-n構(gòu)造的光調(diào)制器中存在無法減少光損失且成為低驅(qū)動電壓的問題。此外，在將光調(diào)制器設(shè)為n-i-n構(gòu)造的情況下存在以下的問題。即，在將光調(diào)制器和半導(dǎo)體激光器單片地集成的情況下，由于半導(dǎo)體激光器使用p-i-n構(gòu)造的情況較多，所以在光調(diào)制器為n-i-n構(gòu)造的情況下制造方法會復(fù)雜化。因此在將光調(diào)制器設(shè)為n-i-n構(gòu)造的情況下，存在難以將光調(diào)制器和半導(dǎo)體激光器單片地進行集成的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決如上所述的課題而完成的，其目的在于提供一種能減少光損失以及驅(qū)動電壓、且容易與半導(dǎo)體激光器單片地進行集成的光調(diào)制器和其制造方法。本發(fā)明是光調(diào)制器，其特征在于，具有調(diào)制區(qū)域，對光進行調(diào)制；以及無源區(qū)域， 與該調(diào)制區(qū)域鄰接，在該調(diào)制區(qū)域以及該無源區(qū)域中，形成有半導(dǎo)體襯底；該半導(dǎo)體襯底上的η型包層；該η型包層上的核心層；以及該核心層上的P型包層，在該調(diào)制區(qū)域中，形成有該P型包層；該P型包層上的接觸層；以及該接觸層上的P側(cè)電極，在該無源區(qū)域中，在該核心層和該P型包層之間形成有無摻雜包層。本發(fā)明是光調(diào)制器的制造方法，該光調(diào)制器具有調(diào)制區(qū)域，對光進行調(diào)制；以及無源區(qū)域，與該調(diào)制區(qū)域鄰接，該光調(diào)制器的制造方法的特征在于，具備在半導(dǎo)體襯底上將η型包層、核心層、下部無摻雜包層、蝕刻停止層、以及上部無摻雜包層按該順序形成的工序；在該無源區(qū)域形成掩模，對該調(diào)制區(qū)域的該上部無摻雜包層進行蝕刻的工序；對該調(diào)制區(qū)域的該蝕刻停止層進行蝕刻的工序；除去該掩模，在該調(diào)制區(qū)域中在該下部無摻雜包層上，在該無源區(qū)域中在該上部無摻雜包層上，將P型包層以及接觸層按該順序形成的工序；除去該無源區(qū)域的該接觸層的工序；以及在該調(diào)制區(qū)域的該接觸層上形成P側(cè)電極的工序。根據(jù)本發(fā)明，可得到一種能夠減少光損失以及驅(qū)動電壓、且能夠容易地與半導(dǎo)體激光器單片地進行集成的光調(diào)制器。


圖1是本發(fā)明的實施方式1的光調(diào)制器的平面圖。圖2是圖1的虛線Χ-Χ，的剖面圖。圖3是對本發(fā)明的實施方式1的光調(diào)制器的制造方法進行說明的流程圖。圖4是本發(fā)明的實施方式1的光調(diào)制器的制造過程的剖面圖。圖5是對在本發(fā)明的實施方式1的光調(diào)制器的無源區(qū)域中的光損失進行模擬的結(jié)果。圖6是表示本發(fā)明的實施方式1的光調(diào)制器的其它的制造方法的剖面圖。圖7是本發(fā)明的實施方式2的光調(diào)制器的剖面圖。圖8是本發(fā)明的實施方式3的光調(diào)制器的剖面圖。圖9是對本發(fā)明的實施方式3的光調(diào)制器的制造方法進行說明的流程圖。圖10是本發(fā)明的實施方式3的光調(diào)制器的制造過程的剖面圖。
具體實施例方式實施方式1
參照圖廣圖6對本發(fā)明的實施方式1進行說明。再有，存在對同一或者對應(yīng)的結(jié)構(gòu)要素附加同一符號而省略重復(fù)的說明的情況。圖1是本發(fā)明的實施方式1的光調(diào)制器10的平面圖。在圖1中表示的光調(diào)制器 10是例如將光分離成2束之后再合波的半導(dǎo)體馬赫曾德爾調(diào)制器。光調(diào)制器10具有對光進行調(diào)制的調(diào)制區(qū)域、和與調(diào)制區(qū)域鄰接的無源區(qū)域。在調(diào)制區(qū)域形成有2根P側(cè)電極12。此外，在無源區(qū)域形成有分支的形狀的S^2保護膜H。P側(cè)電極12和S^2保護膜H以連接的方式形成。P側(cè)電極12和S^2保護膜14在高臺(high mesa)型波導(dǎo)16的表面形成。 調(diào)制區(qū)域的長尺寸方向的距離例如是1mm。在調(diào)制區(qū)域的前后鄰接的無源區(qū)域的長尺寸方向的距離例如分別是1mm。因此，光調(diào)制器10的長尺寸方向的距離為3mm。此外，高臺型波導(dǎo)16的波導(dǎo)寬度例如是1. 8 μ m。圖2是圖1的虛線X-X’的剖面圖。如圖2所示，在調(diào)制區(qū)域以及無源區(qū)域，在半導(dǎo)體襯底20上形成有η型包層22。半導(dǎo)體襯底20以η型InP襯底形成。此外η型包層 22以η型InP層形成。η型包層22的層厚例如是200nm。在該η型包層22上形成有核心層24。核心層M以i-hGaAsP/InGaAsP多量子阱(MQW)形成。核心層M具有將厚度7nm 的 InGaAsP 作為阱層、將厚度 7nm 組分波長(composition wavelength) 1. 1 μ m 的 MGaAsP 作為勢壘層(barrier layer)的30周期的多量子阱(MQW)構(gòu)造。阱層的組分波長以MQW的光致發(fā)光(PL)波長為1.4μπι的方式設(shè)定。在核心層M上形成有ρ型包層28。再有，在無源區(qū)域中在核心層M和ρ型包層 28之間形成有無摻雜包層沈，對此在后面敘述。ρ型包層觀以ρ型InP層形成。ρ型包層的層厚例如是1500nm左右。此外，ρ型包層觀的載流子(carrier)濃度例如是1 X 1018CnT3。 進而，在半導(dǎo)體襯底20的下表面形成有N側(cè)電極30。在調(diào)制區(qū)域和無源區(qū)域共同地形成的部分如上所述。進而，在調(diào)制區(qū)域中，在ρ型包層28上形成有接觸層32。接觸層32以ρ型InGaAsP 層形成。接觸層32的層厚例如是500nm。在接觸層32上形成有P側(cè)電極12。在無源區(qū)域中，在核心層M和ρ型包層28之間形成有無摻雜包層26。無摻雜包層沈以無摻雜的InP層形成。無摻雜包層沈的層厚例如是200nm。進而，在無源區(qū)域中， 在P型包層觀上形成有SW2保護膜H。本發(fā)明的實施方式1的光調(diào)制器10具備上述的結(jié)構(gòu)。接著，參照圖3和圖4對光調(diào)制器10的制造方法進行說明。圖3是對本發(fā)明的實施方式1的光調(diào)制器10的制造方法進行說明的流程圖。圖4是本發(fā)明的實施方式1的光調(diào)制器10的制造過程的剖面圖。之后，按照圖3的流程圖進行說明。首先，使用MOCVD法在半導(dǎo)體襯底20上形成η型包層22、核心層24、以及ρ型包層觀。之后，在調(diào)制區(qū)域形成 SiO2掩模60 (步驟50)。在圖4Α中表示在結(jié)束步驟50的階段的剖面圖。當(dāng)結(jié)束步驟50的處理時，使處理向步驟51前進。在步驟51通過蝕刻除去無源區(qū)域的P型包層觀。當(dāng)結(jié)束步驟51的處理時，使處理向步驟52前進。在步驟52，在無源區(qū)域形成無摻雜包層26。無摻雜包層沈利用MOCVD法通過對接生長(butt joint growth) 來形成。在圖4B中表示在結(jié)束步驟52的階段的剖面圖。當(dāng)結(jié)束步驟52的處理時，使處理向步驟53前進。在步驟53中在除去SW2掩模 60之后，進而使ρ型包層觀生長。然后，在ρ型包層觀上形成接觸層32。ρ型包層觀以及接觸層32的形成使用MOCVD法。在圖4C中表示在結(jié)束步驟53的階段的剖面圖。當(dāng)結(jié)束步驟53的處理時，使處理向步驟M前進。在步驟M用酒石酸水溶液和過氧化氫水溶液的混合液除去無源區(qū)域的接觸層32。當(dāng)結(jié)束步驟M的處理時，使處理向步驟55前進。在步驟55用干法蝕刻形成高臺型波導(dǎo)16。接著，在無源區(qū)域形成SiO2保護膜14。之后，在調(diào)制區(qū)域的接觸層32上形成P側(cè)電極12。進而，通過研磨使半導(dǎo)體襯底20的下表面變薄，在半導(dǎo)體襯底的下表面形成N 側(cè)電極30，由此完成圖1及圖2中所示的光調(diào)制器10。本 發(fā)明的實施方式1的光調(diào)制器10的特征在于，在無源區(qū)域具備無摻雜包層26， 但在調(diào)制區(qū)域不具備無摻雜包層26。無源區(qū)域的ρ型包層28的光分布通過無摻雜包層26 而被減少。也就是說，從核心層24到達(dá)ρ型包層28的光的量減少。結(jié)果，由于ρ型包層28 的價帶間吸收減少，所以能減少光調(diào)制器10的光損失。另一方面，由于在調(diào)制區(qū)域不形成無摻雜包層26，所以p-i-n構(gòu)造中的i層的層厚不會增加。結(jié)果，能防止光調(diào)制所需要的驅(qū)動電壓的增加。即，能減少光調(diào)制器10的驅(qū)動電壓。圖5表示對本發(fā)明的實施方式1的光調(diào)制器10的無源區(qū)域的光損失進行模擬的結(jié)果。如圖5所示，當(dāng)無摻雜包層26的層厚變大時光損失減少。特別在無摻雜包層26的層厚為IOOnm以上的情況下，能實現(xiàn)-ldB/mm左右以上的光損失的減少。另一方面，當(dāng)無摻雜包層26的層厚變得過厚時，會產(chǎn)生結(jié)晶生長時的異常生長、光刻(photolithographic) 的焦點異常等的問題。因此，在本發(fā)明的實施方式1中將無摻雜包層26的層厚設(shè)為 200nm。根據(jù)具有200nm的層厚的無摻雜包層26，無源區(qū)域的長尺寸方向的每距離Imm能實現(xiàn)-1. 44dB的損失減少。由于本發(fā)明的實施方式1的無源區(qū)域的長尺寸方向的距離為2mm， 所以在光調(diào)制器10中能實現(xiàn)-2. 88dB的光損失的減少。像這樣，根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的光調(diào)制器10的結(jié)構(gòu)，能減少光損失以及驅(qū)動電壓。進而，由于光調(diào)制器10為p-i-n構(gòu)造，所以能容易實現(xiàn)與半導(dǎo)體激光器的單片的集成。本發(fā)明的實施方式1涉及光調(diào)制器，但是本發(fā)明也能對其它的裝置應(yīng)用。例如，對具有施加電壓的有源區(qū)域(active region)、和與有源區(qū)域鄰接的無源區(qū)域的半導(dǎo)體波長可變激光器也能應(yīng)用本發(fā)明。在該情況下，如果在無源區(qū)域中在核心層和P型包層之間形成層厚為IOOnm以上的無摻雜包層的話，能得到本發(fā)明的效果。例如，對具有施加電壓的有源區(qū)域、和與有源區(qū)域鄰接的無源區(qū)域的集成半導(dǎo)體光元件也能應(yīng)用本發(fā)明。在該情況下，如果在無源區(qū)域中在核心層和P型包層之間形成層厚為IOOnm以上的無摻雜包層的話，能得到本發(fā)明的效果。再有，關(guān)于光調(diào)制器10的制造方法并不限定于上述的制造方法。針對其它的制造方法參照圖6進行說明。圖6是表示本發(fā)明的實施方式1的光調(diào)制器10的其它的制造方法的剖面圖。在該制造方法中，首先，在半導(dǎo)體襯底20上以MOCVD法將η型包層22、核心層24、ρ型包層28、以及接觸層32按該順序形成(圖6Α)。之后，在調(diào)制區(qū)域形成SiO2掩模 70，通過蝕刻除去無源區(qū)域的接觸層32以及ρ型包層28 (圖6Β)。之后，在無源區(qū)域采用 MOCVD方法以對接生長的方式形成無摻雜包層26以及ρ型包層28。之后除去SiO2掩模70 (圖6C)。之后，形成高臺型波導(dǎo)16以及P側(cè)電極12。然后，通過研磨使半導(dǎo)體襯底20變薄，形成N側(cè)電極30，由此完成光調(diào)制器10。除此之外，只要不脫離本發(fā)明的范圍，能夠有各種各樣的變形。實施方式2
參照圖7對本發(fā)明的實施方式2進行說明。圖7是本發(fā)明的實施方式2的光調(diào)制器80 的剖面圖。如圖7所示，在光調(diào)制器80的無源區(qū)域的核心層24和ρ型包層28之間形成有無摻雜包層82。無摻雜包層82的層厚例如是200nm。此外，在調(diào)制區(qū)域的核心層24和ρ型包層觀之間，形成有比無摻雜包層82較薄地形成的薄無摻雜包層84。薄無摻雜包層84 的層厚例如是lOnm。無摻雜包層82以及薄無摻雜包層84都以無摻雜的InP層形成。再有，光調(diào)制器80的平面圖如圖1所示。通常，為了減少光損失優(yōu)選無摻雜包層厚，為了減少驅(qū)動電壓優(yōu)選調(diào)制區(qū)域的無摻雜包層薄。但是，當(dāng)在調(diào)制區(qū)域不形成無摻雜包層時，可能產(chǎn)生不能充分減少光損失的情況。因此，在光調(diào)制器80中，在調(diào)制區(qū)域形成比無源區(qū)域的無摻雜包層82薄的無摻雜包層 84。根據(jù)該結(jié)構(gòu)能減少光損失。此外，由于上述的無摻雜包層84的層厚薄至lOnm，所以能將驅(qū)動電壓的上升抑制在輕微的程度。再有，由于在薄的無摻雜包層84的層厚不足IOnm的情況下難以得到光損失的減少效果，所以優(yōu)選薄的無摻雜包層84的層厚為IOnm以上。實施方式3
參照圖8 圖10對本發(fā)明的實施方式3進行說明。圖8是本發(fā)明的實施方式3的光調(diào)制器90的剖面圖。如圖8所示，在光調(diào)制器90的無源區(qū)域形成有上部無摻雜包層96，與 P型包層觀相接；以及下部無摻雜包層92，與核心層M相接。上部無摻雜包層96以及下部無摻雜包層92以無摻雜的InP層形成。上部無摻雜包層96的層厚例如是200nm。此外， 下部無摻雜包層92的層厚例如是lOnm。下部無摻雜包層92延伸到調(diào)制區(qū)域的核心層M 和P型包層觀之間。但是上部無摻雜包層96不在調(diào)制區(qū)域中形成。而且，在上部無摻雜包層96和下部無摻雜包層92之間形成有作為無摻雜層的蝕刻停止層94。蝕刻停止層94以無摻雜的InGaAsP層形成。蝕刻停止層94的層厚例如是 20nm。此外，蝕刻停止層94的組分波長是1. 2 μ m。蝕刻停止層94是能對無摻雜的包層(上部無摻雜包層96以及下部無摻雜包層92)選擇性地進行蝕刻的層。本發(fā)明的實施方式3 的光調(diào)制器90具備上述的結(jié)構(gòu)。再有，光調(diào)制器90的平面圖如圖1所示。接著，參照圖9和圖10對光調(diào)制器90的制造方法進行說明。圖9是對本發(fā)明的實施方式3的光調(diào)制器90的制造方法進行說明的流程圖。圖10是本發(fā)明的實施方式3的光調(diào)制器90的制造過程的剖面圖。之后，按照圖9的流程圖進行說明。首先，在半導(dǎo)體襯底20上將η型包層22、核心層對、下部無摻雜包層92、蝕刻停止層94、以及上部無摻雜包層96按該順序形成(步驟100)。各層以MOCVD法形成。在圖IOA中表示在結(jié)束步驟100的階段的剖面圖。當(dāng)結(jié)束步驟100的處理時，使處理向步驟101前進。在步驟101，在無源區(qū)域形成 SiO2掩模98，用鹽酸和磷酸水溶液的混合液對調(diào)制區(qū)域的上部無摻雜包層96進行蝕刻。此時，由于鹽酸和磷酸水溶液的混合液相對于蝕刻停止層94的蝕刻速率極其小，所以能使蝕刻在蝕刻停止層94的上表面停止。接著，對調(diào)制區(qū)域的蝕刻停止層94也進行蝕刻。該蝕刻使用酒石酸水溶液和過氧化氫水溶液的混合液。在圖IOB中表示在結(jié)束步驟101的階段的剖面圖。當(dāng)結(jié)束步驟101的處理時，使處理向步驟102前進。在步驟102首先除去SW2掩模98。然后，在調(diào)制區(qū)域中在下部無摻雜包層92上，在無源區(qū)域中在上部無摻雜包層96 上，將P型包層觀和接觸層32按該順序形成。這些層以MOCVD法形成。在圖IOC中表示在結(jié)束步驟102的階段的剖面圖。當(dāng)結(jié)束步驟102的處理時，使處理向步驟103前進。在步驟103以酒石酸水溶液和過氧化氫水溶液的混合液除去無源區(qū)域的接觸層32。當(dāng)結(jié)束步驟103的處理時，使處理向步驟104前進。在步驟104以干法蝕刻形成高臺型波導(dǎo)16。接著，在無源區(qū)域形成SiO2保護膜14。之后，在調(diào)制區(qū)域的接觸層32上形成P側(cè)電極12。進而， 通過研磨使半導(dǎo)體襯底20的下表面變薄，在半導(dǎo)體襯底20的下表面形成N側(cè)電極30，由此完成在圖8中表示的光調(diào)制器90。在本發(fā)明的實施方式3的光調(diào)制器90的制造方法中，由于蝕刻停止層94覆蓋下部無摻雜包層92，所以在上部無摻雜包層96蝕刻時下部無摻雜包層92不被蝕刻。因此，在調(diào)制區(qū)域能形成期望的層厚的下部無摻雜包層92。附圖標(biāo)記的說明
10光調(diào)制器；12 P側(cè)電極；14 SiO2保護膜；16高臺型波導(dǎo)；20半導(dǎo)體襯底；22 η型包層；24核心層；26無摻雜包層；28 ρ型包層；30 N側(cè)電極；32 接觸層。
權(quán)利要求
1.一種光調(diào)制器，其特征在于，具有調(diào)制區(qū)域，對光進行調(diào)制；以及無源區(qū)域，與所述調(diào)制區(qū)域鄰接， 在所述調(diào)制區(qū)域以及所述無源區(qū)域中，形成有 半導(dǎo)體襯底；所述半導(dǎo)體襯底上的η型包層； 所述η型包層上的核心層；以及所述核心層上的P型包層， 在所述調(diào)制區(qū)域中，形成有 所述P型包層；所述P型包層上的接觸層；以及所述接觸層上的P側(cè)電極，在所述無源區(qū)域中，在所述核心層和所述P型包層之間形成有無摻雜包層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光調(diào)制器，其特征在于，所述無摻雜包層的層厚為IOOnm以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的任一項所述的光調(diào)制器，其特征在于，在所述調(diào)制區(qū)域中，在所述核心層和所述P型包層之間形成有比所述無摻雜包層還薄的薄無摻雜包層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光調(diào)制器，其特征在于，所述薄無摻雜包層的層厚為IOnm以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光調(diào)制器，其特征在于，所述無摻雜包層具備上部無摻雜包層，與所述P型包層相接；以及下部無摻雜包層， 與所述核心層相接，在所述上部無摻雜包層和所述下部無摻雜包層之間形成有無摻雜層， 所述下部無摻雜包層延伸到所述調(diào)制區(qū)域的所述核心層和所述P型包層之間。
6.一種光調(diào)制器的制造方法，所述光調(diào)制器具有調(diào)制區(qū)域，對光進行調(diào)制；以及無源區(qū)域，與所述調(diào)制區(qū)域鄰接，該光調(diào)制器的制造方法的特征在于，具備在半導(dǎo)體襯底上將η型包層、核心層、下部無摻雜包層、蝕刻停止層、以及上部無摻雜包層按該順序形成的工序；在所述無源區(qū)域形成掩模，對所述調(diào)制區(qū)域的所述上部無摻雜包層進行蝕刻的工序； 對所述調(diào)制區(qū)域的所述蝕刻停止層進行蝕刻的工序；除去所述掩模，在所述調(diào)制區(qū)域中在所述下部無摻雜包層上，在所述無源區(qū)域中在所述上部無摻雜包層上，將P型包層以及接觸層按該順序形成的工序； 除去所述無源區(qū)域的所述接觸層的工序；以及在所述調(diào)制區(qū)域的所述接觸層上形成P側(cè)電極的工序。
全文摘要
本發(fā)明涉及光調(diào)制器及其制造方法。本發(fā)明的目的在于提供一種能減少光損失及驅(qū)動電壓，且容易實現(xiàn)與半導(dǎo)體激光器的集成的光調(diào)制器。本發(fā)明的光調(diào)制器的特征在于，具有調(diào)制區(qū)域，對光進行調(diào)制；以及無源區(qū)域，與該調(diào)制區(qū)域鄰接，在該調(diào)制區(qū)域以及該無源區(qū)域形成有半導(dǎo)體襯底；該半導(dǎo)體襯底上的n型包層；該n型包層上的核心層；以及該核心層上的p型包層，在該調(diào)制區(qū)域形成有該p型包層；該p型包層上的接觸層；以及該接觸層上的P側(cè)電極，在該無源區(qū)域中，在該核心層和該p型包層之間形成有無摻雜包層。
文檔編號G02F1/017GK102200651SQ201110073630
公開日2011年9月28日 申請日期2011年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月26日
發(fā)明者大和屋武 申請人:三菱電機株式會社