專利名稱：彩色濾光陣列基板及其制造方法和液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技木，特別涉及ー種彩色濾光陣列基板及其制造方法和液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前最常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display,簡稱TFT-IXD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。液晶顯示面板是液晶顯示器中的重要部件。液晶顯示面板是通過對盒エ藝將ー陣列基板和一彩膜基板對盒而形成，并且在陣列基板和彩膜基板之間填充有液晶層。其中，彩膜基板包括彩色光阻圖形和黑矩陣圖形，黑矩陣圖形可用于隔離彩色光阻圖形并起到擋光的作用?，F(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示面板的制造過程中，由于受到制造エ藝和制造設(shè)備精度的影響，陣列基板和彩膜基板上的對位標(biāo)記存在エ藝誤差，這會造成陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對盒操作時陣列基板上的結(jié)構(gòu)和彩膜基板上的結(jié)構(gòu)出現(xiàn)對位偏差，導(dǎo)致陣列基板和彩膜基板對盒的精確度低，從而降低了產(chǎn)品質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供ー種彩色濾光陣列基板及其制造方法和液晶顯示面板，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板和彩膜基板對盒的精確度低而導(dǎo)致的降低產(chǎn)品質(zhì)量的問題。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供ー種彩色濾光陣列基板，包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板上形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。進(jìn)ー步地，所述陣列基板包括第一襯底基板和形成于所述第一襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的像素電極圖形；則所述彩色光阻圖形形成于所述像素電極圖形之上，所述黑矩陣圖形形成于所述薄膜晶體管的溝道之上并覆蓋所述溝道。進(jìn)ー步地，所述陣列基板還包括第一保護(hù)層和第二保護(hù)層，所述薄膜晶體管包括柵極金屬圖形、有源層圖形、源極金屬圖形和漏極金屬圖形；所述柵線和所述柵極金屬圖形形成于所述第一襯底基板之上；所述第一保護(hù)層形成于所述柵線和所述柵極金屬圖形之上；所述有源層圖形和所述數(shù)據(jù)線形成于所述第一保護(hù)層之上；所述源極金屬圖形和所述漏極金屬圖形形成于所述有源層圖形之上；所述第二保護(hù)層形成于所述數(shù)據(jù)線、所述有源層圖形、所述源極金屬圖形和所述漏極金屬圖形之上；所述像素電極圖形形成于所述第二保護(hù)層之上，所述像素電極圖形連接所述漏極金屬圖形。進(jìn)ー步地，其特征在于，所述彩色光阻圖形包括紅色光阻圖形、緑色光阻圖形和藍(lán)、色光阻圖形。 進(jìn)ー步地，其特征在于，所述彩色光阻圖形和所述黑矩陣圖形形成平整的表面。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了ー種液晶顯示面板，包括對盒設(shè)置的上述彩色濾光陣列基板和第二襯底基板，所述彩色濾光陣列基板和所述第二襯底基板之間填充有液晶層，所述彩色濾光陣列基板和所述第二襯底基板之間設(shè)置有起支撐作用的隔墊物。進(jìn)ー步地，還包括公共電極層；所述公共電極層形成于所述第二襯底基板上，或者所述公共電極層形成于所述彩色光阻圖形和所述黑矩陣圖形上。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了ー種彩色濾光陣列基板的制造方法，包括形成陣列基板和位于所述陣列基板上的彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。進(jìn)ー步地，所述陣列基板包括像素區(qū)和位于所述像素區(qū)周邊的外圍電路區(qū)，則所述形成陣列基板和位于所述陣列基板上的彩色光阻圖形和黑矩陣圖形包括步驟101、在第一襯底基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線、位于所述像素區(qū)的薄膜晶體管以及位于所述外圍電路區(qū)的柵極弓丨線金屬圖形和源漏極弓丨線金屬圖形；步驟102、在完成步驟101的第一襯底基板上形成彩色光阻圖形、位于所述像素區(qū)的像素電極圖形和位于所述外圍電路區(qū)的連接電極圖形，所述彩色光阻圖形位于所述像素電極圖形之上，所述像素電極圖形連接所述薄膜晶體管；步驟103、在完成步驟102的第一襯底基板上形成黑矩陣圖形，所述黑矩陣圖形位于所述薄膜晶體管的溝道之上并覆蓋所述溝道。進(jìn)ー步地，所述薄膜晶體管包括柵極金屬圖形、有源層圖形、源極金屬圖形和漏極金屬圖形；則所述步驟101包括步驟1011、在所述第一襯底基板上形成所述柵線、所述柵極金屬圖形和所述柵極引線金屬圖形；步驟1012、在完成步驟1011的第一襯底基板上形成第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層位于所述柵線、所述柵極金屬圖形和所述柵極引線金屬圖形之上；步驟1013、在所述第一保護(hù)層上形成所述有源層圖形；步驟1014、形成所述數(shù)據(jù)線、所述源極金屬圖形、所述漏極金屬圖形和所述源漏極引線金屬圖形，所述數(shù)據(jù)線和所述源漏極引線金屬圖形位于所述第一保護(hù)層之上，所述源極金屬圖形和所述漏極金屬圖形位于所述有源層圖形之上；步驟1015、在完成步驟1014的第一襯底基板上形成第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層位于所述數(shù)據(jù)線、所述源極金屬圖形、所述漏極金屬圖形和所述源漏極引線金屬圖形上。進(jìn)ー步地,所述步驟102包括步驟1021、在完成步驟101的第一襯底基板上形成導(dǎo)電層；步驟1022、在所述導(dǎo)電層上形成彩色光阻層，通過對所述彩色光阻層進(jìn)行掩膜版曝光和顯影エ藝，在所述導(dǎo)電層上形成位于所述像素區(qū)的彩色光阻圖形和位于所述外圍電路區(qū)的外圍光阻圖形；步驟1023、通過刻蝕エ藝，在所述第二保護(hù)層上形成所述像素電極圖形和所述連接電極圖形；
步驟1024、通過灰化工藝，去除所述外圍光阻圖形。進(jìn)ー步地,所述步驟103包括步驟1031、在完成步驟102的第一襯底基板上形成黒色光阻層；步驟1032、通過構(gòu)圖エ藝形成所述黑矩陣圖形。進(jìn)ー步地，所述外圍光阻圖形的厚度低于所述彩色光阻圖形的厚度。
本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明的技術(shù)方案中，彩色濾光陣列基板包括陣列基板，該陣列基板上形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。本發(fā)明中，將彩膜基板上的彩色光阻圖形和黑矩陣圖形均形成于陣列基板上，這樣在對盒操作中僅需將形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形的彩色濾光陣列基板與一村底基板進(jìn)行對盒即可形成液晶顯示面板，避免了對盒操作時陣列基板上的結(jié)構(gòu)和彩膜基板上的結(jié)構(gòu)出現(xiàn)對位偏差而導(dǎo)致的對盒精確度低的問題，提高了對盒的精確度，從而提聞了廣品質(zhì)量。


圖I為本發(fā)明實施例ニ提供的ー種彩色濾光陣列基板的平面示意圖；圖2為圖I中去除黑矩陣圖形的彩色濾光陣列基板的平面示意圖；圖3為圖I中A-A向剖視圖；圖4為本發(fā)明實施例ニ提供的一種液晶顯不面板的結(jié)構(gòu)不意圖；圖5為本發(fā)明實施例四提供的ー種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實施例六提供的ー種彩色濾光陣列基板的制造方法的流程圖；圖7a為本發(fā)明實施例六中形成導(dǎo)電層的示意圖；圖7b為本發(fā)明實施例六中形成紅色光阻層的示意圖；圖7c為本發(fā)明實施例六中對紅色光阻層曝光的示意圖；圖7d為本發(fā)明實施例六中形成紅色光阻圖形的示意圖；圖7e為本發(fā)明實施例六中形成緑色光阻圖形的示意圖；圖7f為本發(fā)明實施例六中形成藍(lán)色光阻圖形的示意圖；圖7g為本發(fā)明實施例六中形成像素電極圖形的示意圖；圖7h為本發(fā)明實施例六中形成黒色光阻層的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的彩色濾光陣列基板及其制造方法和液晶顯示面板進(jìn)行詳細(xì)描述。本發(fā)明實施例一提供了ー種彩色濾光陣列基板，該彩色濾光陣列基板包括陣列基板，該陣列基板上形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。例如陣列基板可包括第一襯底基板和形成于第一襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和與該薄膜晶體管連接的像素電極圖形。彩色光阻圖形可以包括紅色光阻圖形、緑色光阻圖形和藍(lán)色光阻圖形。本實施例提供的彩色濾光陣列基板包括陣列基板，該陣列基板上形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。本實施例的技術(shù)方案中，將彩膜基板上的彩色光阻圖形和黑矩陣圖形均形成于陣列基板上，這樣在對盒操作中僅需將形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形的彩色濾光陣列基板與一村底基板進(jìn)行對盒即可形成液晶顯示面板，避免了對盒操作時陣列基板上的結(jié)構(gòu)和彩膜基板上的結(jié)構(gòu)出現(xiàn)對位偏差而導(dǎo)致的對盒精確度低的問題，提高了對盒的精確度，從而提聞了廣品質(zhì)量。圖I為本發(fā)明實施例ニ提供的ー種彩色濾光陣列基板的平面示意圖，圖2為圖I中去除黑矩陣圖形的彩色濾光陣列基板的平面示意圖，圖3為圖I中A-A向剖視圖，其中，圖2中去除黑矩陣圖形是為了更清楚的表示出彩色濾光陣列基板的結(jié)構(gòu)。如圖I、圖2和圖3所示，該彩色濾光陣列基板包括陣列基板，陣列基板上形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。其中，陣列基板可包括像素區(qū)和位于該像素區(qū)周邊的外圍電路區(qū)，上述圖I至圖3中僅以像素區(qū)為例，外圍電路區(qū)中的結(jié)構(gòu)均未示出。本實施例中，如圖I所示，彩色光阻圖形以矩陣形式間隔設(shè)置于陣列基板上，黑矩陣圖形填充于彩色光阻圖形的間隔區(qū)域，并且黑矩陣圖形呈橫向與縱向線型交錯排布的結(jié)構(gòu)。在實際應(yīng)用中，彩色光阻圖形和黑矩陣圖形還可以采用其它方式排布于陣列基板上，此 處不再一一列挙。本實施例中，陣列基板可包括第一襯底基板11和形成于第一襯底基板11上的柵線12、數(shù)據(jù)線10、薄膜晶體管和與薄膜晶體管連接的像素電極圖形17。彩色光阻圖形形成于像素電極圖形17之上，黑矩陣圖形形成于薄膜晶體管的溝道19之上井覆蓋溝道19。其中，薄膜晶體管和像素電極圖形17均位于像素區(qū)，并且位于柵線和數(shù)據(jù)線10縱橫交錯限定的區(qū)域內(nèi)。柵線在圖中未具體示出。本實施例中，陣列基板還包括第一保護(hù)層13和第二保護(hù)層16 ;薄膜晶體管可包括柵極金屬圖形12、有源層圖形18、源極金屬圖形14和漏極金屬圖形15。則具體地，柵線和柵極金屬圖形12形成于第一襯底基板11之上；第一保護(hù)層13形成于柵線和柵極金屬圖形12之上；有源層圖形18和數(shù)據(jù)線10形成于第一保護(hù)層13之上；源極金屬圖形14和漏極金屬圖形15形成于有源層圖形18之上；第二保護(hù)層16形成于數(shù)據(jù)線10、有源層圖形18、源極金屬圖形14和漏極金屬圖形15之上；像素電極圖形17形成于第二保護(hù)層16之上，像素電極圖形17連接漏極金屬圖形15。其中，第一保護(hù)層13和第二保護(hù)層16均覆蓋整個第一襯底基板11。第一保護(hù)層13為絕緣層，第二保護(hù)層16為絕緣層。本發(fā)明中，第一保護(hù)層13的材料可以為無機(jī)絕緣材料或者有機(jī)絕緣材料,例如無機(jī)絕緣材料可以為SiNx或者Si02 ;第二保護(hù)層16的材料也可以為無機(jī)絕緣材料或者有機(jī)絕緣材料,例如無機(jī)絕緣材料可以為SiNx或者Si02。在薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)中，該有源層圖形18位于柵極金屬圖形12的上方，源極金屬圖形14和漏極金屬圖形15之間的有源層圖形18上方形成溝道19。需要說明的是本實施例中，柵線和柵極金屬圖形12為一體結(jié)構(gòu)并同步形成；數(shù)據(jù)線10和源極金屬圖形14為一體結(jié)構(gòu)并同步形成，附圖中的數(shù)據(jù)線10和源極金屬圖形14采用線條隔開是為了能夠更清楚的表示出數(shù)據(jù)線和源極金屬圖形的結(jié)構(gòu)。本實施例中，像素電極圖形17與薄膜晶體管的漏極金屬圖形15連接。則第二保護(hù)層16可開設(shè)有位于漏極金屬圖形15上方的過孔20，像素電極圖形17填充于過孔20中，以實現(xiàn)通過過孔20與漏極金屬圖形15連接。像素電極圖形17還通過填充于位于柵線上方的過孔而連接?xùn)啪€，位于柵線上方的過孔附圖中不再具體畫出。此外，位于外圍電路區(qū)的過孔不再詳細(xì)描述。進(jìn)ー步地，陣列基板還包括位于外圍電路區(qū)的柵極引線金屬圖形、原漏極引線金屬圖形和連接電極圖形，其中，柵極引線金屬圖形位于第一襯底基板之上，和柵線以及柵極金屬圖形同層設(shè)置；源漏極引線金屬圖形位于第一保護(hù)層之上，和數(shù)據(jù)線、源極金屬圖形以及漏極金屬圖形同層設(shè)置；連接電極圖形位于第二保護(hù)層之上，和像素電極圖形同層設(shè)置。本發(fā)明中，優(yōu)選地，柵線、柵極金屬圖形和柵極引線金屬圖形的材料可以為單一金屬材料或者金屬合金材料，其中，金屬合金材料可包括金屬和非金屬合金材料或者金屬和金屬合金材料，例如單一金屬材料可以為Cr、Mo、Al或者Cu,金屬合金材料可以為AINd。若柵線、柵極金屬圖形和柵極引線金屬圖形的結(jié)構(gòu)為多層結(jié)構(gòu)，相應(yīng)地其材料可以包括多種層材料，例如柵線、柵極金屬圖形和柵極引線金屬圖形的材料可以包括Mo/AINd ニ層材料或者M(jìn)o/AlNd/Mo三層材料。
本發(fā)明中，優(yōu)選地，數(shù)據(jù)線、源極金屬圖形、漏極金屬圖形和原漏極引線金屬圖形的材料可以為單一金屬材料或者金屬合金材料，其中，金屬合金材料可包括金屬和非金屬合金材料或者金屬和金屬合金材料，例如單ー金屬材料可以為Cr、Mo、Al或者Cu,金屬合金材料可以為AINd。若數(shù)據(jù)線、源極金屬圖形、漏極金屬圖形和原漏極引線金屬圖形的結(jié)構(gòu)為多層結(jié)構(gòu)，相應(yīng)地其材料可以包括多種層材料，例如數(shù)據(jù)線、源極金屬圖形、漏極金屬圖形和原漏極引線金屬圖形的材料可以包括Mo/AINd ニ層材料或者M(jìn)o/AlNd/Mo三層材料。彩色光阻圖形形成于像素電極圖形17之上。本實施例中，彩色光阻圖形可包括紅色光阻圖形21、緑色光阻圖形22和藍(lán)色光阻圖形23。紅色光阻圖形21、緑色光阻圖形22和藍(lán)色光阻圖形23依次形成于像素電極圖形17之上。本發(fā)明中，彩色光阻圖形的材料可以為彩色樹脂材料。黑矩陣圖形24形成于溝道19上方井覆蓋溝道19。本實施例中，黑矩陣圖形24位于第二保護(hù)層16上，并且黑矩陣圖形24形成于紅色光阻圖形21、緑色光阻圖形22和藍(lán)色光阻圖形23中任意二者之間。優(yōu)選地，彩色光阻圖形和黑矩陣圖形形成平整的表面。如圖3所示，紅色光阻圖形21、緑色光阻圖形22、藍(lán)色光阻圖形23和黑矩陣圖形24形成平整的表面。可選地，彩色光阻圖形和黑矩陣圖形上還形成有公共電極層。如圖3所示，紅色光阻圖形21、緑色光阻圖形22、藍(lán)色光阻圖形23和黑矩陣圖形24上還形成有公共電極層25。需要說明的是本實施例的圖2中僅示出了彩色光阻圖形、數(shù)據(jù)線、源極金屬圖形、漏極金屬圖形和有源層圖形，彩色濾光陣列基板的其余結(jié)構(gòu)可參見圖3中所示。本實施例提供的彩色濾光陣列基板包括陣列基板，該陣列基板上形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。本實施例的技術(shù)方案中，將彩膜基板上的彩色光阻圖形和黑矩陣圖形均形成于陣列基板上，這樣在對盒操作中僅需將形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形的彩色濾光陣列基板與一村底基板進(jìn)行對盒即可形成液晶顯示面板，避免了對盒操作時陣列基板上的結(jié)構(gòu)和彩膜基板上的結(jié)構(gòu)出現(xiàn)對位偏差而導(dǎo)致的對盒精確度低的問題，提高了對盒的精確度，從而提高了產(chǎn)品質(zhì)量。與現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣圖形形成于彩膜基板上相比，本實施例中黒矩陣圖形直接形成于陣列基板上薄膜晶體管的溝道上方井覆蓋溝道，更加有效的遮擋了溝道上方的光線，從而有效減少了薄膜晶體管產(chǎn)生的光生載流子，提高了薄膜晶體管的特性以及薄膜晶體管的開ロ率。
圖4為本發(fā)明實施例三提供的ー種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖4所示,該液晶顯示面板包括對盒設(shè)置的彩色濾光陣列基板I和第二襯底基板2，彩色濾光陣列基板I和第二襯底基板2之間填充有液晶層3，彩色濾光陣列基板I和第二襯底基板2之間設(shè)置有起支撐作用的隔墊物4。其中，彩色濾光陣列基板I可采用上述實施例一或者實施例ニ中的彩色濾光陣列基板，此處不再贅述。
本實施例中，該液晶顯示面板還包括公共電極層25，該公共電極層25形成于第二襯底基板2上。需要說明的是當(dāng)彩色濾光陣列基板I采用實施例ニ中的彩色濾光陣列基板時，該彩色濾光陣列基板上不包括公共電極層25。本實施例中，隔墊物4支撐于彩色濾光陣列基板I和第二襯底基板2之間?；蛘?，還可以采用彩色濾光陣列基板上的彩色光阻圖形和/或黑矩陣圖形充當(dāng)隔墊物，此時需將多個彩色光阻圖形和/或黑矩陣圖形的高度設(shè)置為隔墊物的高度以便充當(dāng)隔墊物。本實施例提供的液晶顯示面板包括對盒設(shè)置的彩色濾光陣列基板和第二襯底基板，彩色濾光陣列基板和第二襯底基板之間填充有液晶層，彩色濾光陣列基板包括陣列基板，該陣列基板上形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。本實施例的技術(shù)方案中，將彩膜基板上的彩色光阻圖形和黑矩陣圖形均形成于陣列基板上，這樣在對盒操作中僅需將形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形的彩色濾光陣列基板與第二襯底基板進(jìn)行對盒即可形成液晶顯示面板，避免了對盒操作時陣列基板上的結(jié)構(gòu)和彩膜基板上的結(jié)構(gòu)出現(xiàn)對位偏差而導(dǎo)致的對盒精確度低的問題，提高了對盒的精確度，從而提高了產(chǎn)品質(zhì)量。與現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣圖形形成于彩膜基板上相比，本實施例中黒矩陣圖形直接形成于陣列基板上薄膜晶體管的溝道上方井覆蓋溝道，更加有效的遮擋了溝道上方的光線，從而有效減少了薄膜晶體管產(chǎn)生的光生載流子，提高了薄膜晶體管的特性以及薄膜晶體管的開ロ率。圖5為本發(fā)明實施例四提供的ー種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖5所示,該液晶顯示面板包括對盒設(shè)置的彩色濾光陣列基板I和第二襯底基板2，彩色濾光陣列基板I和第二襯底基板2之間填充有液晶層3，彩色濾光陣列基板I和第二襯底基板2之間設(shè)置有起支撐作用的隔墊物4。其中，彩色濾光陣列基板I可采用上述實施例一或者實施例ニ中的彩色濾光陣列基板，此處不再贅述。需要說明的是本實施例中，該彩色濾光陣列基板上包括公共電極層25。公共電極層25形成于彩色光阻圖形和黑矩陣圖形上。本實施例中，隔墊物4支撐于彩色濾光陣列基板I和第二襯底基板2之間。本實施例提供的液晶顯示面板包括對盒設(shè)置的彩色濾光陣列基板和第二襯底基板，彩色濾光陣列基板和第二襯底基板之間填充有液晶層，彩色濾光陣列基板包括陣列基板，該陣列基板上形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。本實施例的技術(shù)方案中，將彩膜基板上的彩色光阻圖形和黑矩陣圖形均形成于陣列基板上，這樣在對盒操作中僅需將形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形的彩色濾光陣列基板與第二襯底基板進(jìn)行對盒即可形成液晶顯示面板，避免了對盒操作時陣列基板上的結(jié)構(gòu)和彩膜基板上的結(jié)構(gòu)出現(xiàn)對位偏差而導(dǎo)致的對盒精確度低的問題，提高了對盒的精確度，從而提高了產(chǎn)品質(zhì)量。與現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣圖形形成于彩膜基板上相比，本實施例中黒矩陣圖形直接形成于陣列基板上薄膜晶體管的溝道上方井覆蓋溝道，更加有效的遮擋了溝道上方的光線，從而有效減少了薄膜晶體管產(chǎn)生的光生載流子，提高了薄膜晶體管的特性以及薄膜晶體管的開ロ率。
本發(fā)明實施例五提供了ー種彩色濾光陣列基板的制造方法，該方法包括形成陣列基板和位于陣列基板上的彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。本實施例提供的彩色濾光陣列基板的制造方法可以用于制備本發(fā)明實施例ー提供的彩色濾光陣列基板，該方法具備形成相應(yīng)結(jié)構(gòu)的步驟。本實施例提供的彩色濾光陣列基板的制造方法包括形成陣列基板和位于陣列基板上的彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。采用本實施例提供的方法制備出的彩色濾光陣列基板，將彩膜基板上的彩色光阻圖形和黑矩陣圖形均形成于陣列基板上，這樣在對盒操作中僅需將形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形的彩色濾光陣列基板與一村底基板進(jìn)行對盒即可形成液晶顯示面板，避免了對盒操作時陣列基板上的結(jié)構(gòu)和彩膜基板上的結(jié)構(gòu)出現(xiàn)對位偏差而導(dǎo)致的對盒精確度低的問題，提高了對盒的精確度，從而提高了產(chǎn)品質(zhì)量。圖6為本發(fā)明實施例六提供的ー種彩色濾光陣列基板的制造方法的流程圖，如圖 6所示,該方法包括步驟101、在第一襯底基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線、位于像素區(qū)的薄膜晶體管以及位于外圍電路區(qū)的柵極引線金屬圖形和源漏極引線金屬圖形。本實施例中，陣列基板可包括像素區(qū)和位于像素區(qū)周邊的外圍電路區(qū)。本實施例中，薄膜晶體管包括柵極金屬圖形、有源層圖形源極金屬圖形和漏極金屬圖形；則步驟101包括步驟1011、在第一襯底基板上形成柵線、柵極金屬圖形和柵極引線金屬圖形。本實施例中，步驟1011包括在第一襯底基板上形成柵極金屬層圖形，通過構(gòu)圖エ藝形成柵線、柵極金屬圖形和柵極引線金屬圖形。具體地，在第一襯底基板上形成柵極金屬層圖，在柵極金屬層上涂覆光刻膠，通過對光刻膠進(jìn)行掩膜版曝光、顯影和刻蝕エ藝形成柵線、柵極金屬圖形和柵極引線金屬圖形，并去除柵線、柵極金屬圖形和柵極引線金屬圖形上剰余的光刻膠。形成的位于像素區(qū)的柵極金屬圖形12的結(jié)構(gòu)可參見圖3中所示。步驟1012、在完成步驟1011的第一襯底基板上形成第一保護(hù)層，第一保護(hù)層位于柵線、柵極金屬圖形和柵極引線金屬圖形之上。本實施例中，在第一襯底基板上形成第一保護(hù)層，該第一保護(hù)層覆蓋第一襯底基板，并位于柵線、柵極金屬圖形和柵極引線金屬圖形之上。具體可參見圖3中所示。步驟1013、在第一保護(hù)層上形成所述有源層圖形。具體地，在第一保護(hù)層上形成有源層，并通過構(gòu)圖エ藝在第一保護(hù)層上形成有源層圖形。該有源層圖形位于柵極金屬圖形的上方，具體可參見圖3中所示。步驟1014、形成數(shù)據(jù)線、源極金屬圖形、漏極金屬圖形和源漏極引線金屬圖形，數(shù)據(jù)線和源漏極引線金屬圖形位于第一保護(hù)層之上，源極金屬圖形和漏極金屬圖形位于有源層圖形之上。步驟1014具體可包括在有源層圖形上形成源漏極金屬層，并通過構(gòu)圖エ藝形成數(shù)據(jù)線、源極金屬圖形、漏極金屬圖形和源漏極引線金屬圖形，其中源極金屬圖形和漏極金屬圖之間的有源層圖形上方形成溝道。具體地，在有源層圖形上形成源漏極金屬層，在源漏極金屬層上涂覆光刻膠，通過對光刻膠進(jìn)行掩膜版曝光、顯影和刻蝕エ藝形成數(shù)據(jù)線、源極金屬圖形、漏極金屬圖形和源漏極引線金屬圖形，并去除數(shù)據(jù)線、源極金屬圖形、漏極金屬圖形和源漏極引線金屬圖形上剰余的光刻膠。形成的數(shù)據(jù)線以及位于像素區(qū)的源極金屬圖形和漏極金屬圖形的結(jié)構(gòu)可參見圖3中所示。步驟1015、在完成步驟1014的第一襯底基板上形成第二保護(hù)層，第二保護(hù)層位于數(shù)據(jù)線、源極金屬圖形、漏極金屬圖形和源漏極引線金屬圖形上。本步驟中，形成的第二保護(hù)層覆蓋第一襯底基板。具體可參見圖3中所示。步驟102、在完成步驟101的第一襯底基板上形成彩色光阻圖形、位于像素區(qū)的像素電極圖形和位于外圍電路區(qū)的連接電極圖形，彩色光阻圖形位于像素電極圖形之上，像素電極圖形連接薄膜晶體管。本實施例中步驟102具體包括步驟1021、在完成步驟101的第一襯底基板上形成導(dǎo)電層。 本實施例中，導(dǎo)電層形成于第一襯底基板的第二保護(hù)層之上。圖7a為本發(fā)明實施例六中形成導(dǎo)電層的示意圖，如圖7a所示，在步驟1021之前還包括在第二保護(hù)層上開設(shè)過孔的步驟。其中，開設(shè)的過孔可位于漏極金屬圖形的上方以及柵線的上方等。圖3中畫出了開設(shè)于第二保護(hù)層16并位于漏極金屬圖形15上方的過孔20。則步驟1021具體包括在第二保護(hù)層16上形成導(dǎo)電層171，導(dǎo)電層171覆蓋第一襯底基板11，并填充于過孔20。步驟1022、在導(dǎo)電層上形成彩色光阻層，通過對彩色光阻層進(jìn)行掩膜版曝光和顯影エ藝，在導(dǎo)電層上形成位于像素區(qū)的彩色光阻圖形和位于外圍電路區(qū)的外圍光阻圖形。本實施例中，彩色光阻層包括紅色光阻層、緑色光阻層和藍(lán)色光阻層，則彩色光阻圖形包括紅色光阻圖形、緑色光阻圖形和藍(lán)色光阻圖形，外圍光阻圖形包括紅色外圍光阻圖形、緑色外圍光阻圖形和藍(lán)色外圍光阻圖形。本實施例中，步驟1022具體包括步驟1022a、在導(dǎo)電層上形成紅色光阻層。圖7b為本發(fā)明實施例六中形成紅色光阻層的示意圖，如圖7b所示，在導(dǎo)電層171上形成紅色光阻層211，該紅色光阻層211覆蓋第一襯底基板11。步驟1022b、通過對紅色光阻層進(jìn)行掩膜版曝光，在導(dǎo)電層上形成未曝光紅色光阻和已曝光紅色光阻。圖7c為本發(fā)明實施例六中對紅色光阻層曝光的示意圖，如圖7c所示，通過對紅色光阻層211進(jìn)行掩膜版曝光，在導(dǎo)電層171上形成未曝光紅色光阻212和已曝光紅色光阻213。步驟1022c、通過對未曝光紅色光阻和已曝光紅色光阻進(jìn)行顯影，在導(dǎo)電層上形成位于像素區(qū)的紅色光阻圖形和位于外圍電路區(qū)的紅色外圍光阻圖形。圖7d為本發(fā)明實施例六中形成紅色光阻圖形的示意圖，如圖7d所示，對未曝光紅色光阻212和已曝光紅色光阻213進(jìn)行顯影，去除已曝光紅色光阻213，保留未曝光紅色光阻212，位于像素區(qū)的未曝光紅色光阻即為紅色光阻圖形21。而位于外圍電路區(qū)的未曝光紅色光阻即為紅色外圍光阻圖形，其中紅色外圍光阻圖形未示出。步驟1022d、在導(dǎo)電層上形成緑色光阻層，通過對綠色光阻層進(jìn)行掩膜版曝光，在導(dǎo)電層上形成未曝光緑色光阻和已曝光緑色光阻，通過對未曝光緑色光阻和已曝光緑色光阻進(jìn)行顯影，在導(dǎo)電層上形成位于像素區(qū)的緑色光阻圖形和位于外圍電路區(qū)的緑色外圍光阻圖形。圖7e為本發(fā)明實施例六中形成緑色光阻圖形的示意圖，形成的位于像素區(qū)的綠色光阻圖形22可參加圖7e中所示。位于外圍電路區(qū)的緑色外圍光阻圖形在圖中未示出。其中，形成緑色光阻圖形22的過程可參考圖7b至圖7d中形成紅色光阻圖形的過程，此處不再具體畫出。步驟1022e、在導(dǎo)電層上形成藍(lán)色光阻層，通過對藍(lán)色光阻層進(jìn)行掩膜版曝光，在導(dǎo)電層上形成未曝光藍(lán)色光阻和已曝光藍(lán)色光阻，通過對未曝光藍(lán)色光阻和已曝光藍(lán)色光阻進(jìn)行顯影，在導(dǎo)電層上形成位于像素區(qū)的藍(lán)色光阻圖形和位于外圍電路區(qū)的藍(lán)色外圍光阻圖形。圖7f為本發(fā)明實施例六中形成藍(lán)色光阻圖形的示意圖，形成的位于像素區(qū)的藍(lán)色光阻圖形23如圖7f中所示。位于外圍電路區(qū)的藍(lán)色外圍光阻圖形在圖中未示出。其中， 形成藍(lán)色光阻圖形23過程可參考圖7b至圖7d中形成紅色光阻圖形的過程，此處不再具體畫出。步驟1023、通過刻蝕エ藝，在第二保護(hù)層上形成像素電極圖形和連接電極圖形。圖7g為本發(fā)明實施例六中形成像素電極圖形的示意圖，如圖7g所示，通過刻蝕エ藝，刻蝕掉已曝光紅色光阻、已曝光緑色光阻和已曝光藍(lán)色光阻下方的導(dǎo)電層171，保留紅色光阻圖形21、緑色光阻圖形22和藍(lán)色光阻圖形23下方的導(dǎo)電層，從而形成位于像素區(qū)的像素電極圖形17和位于外圍電路區(qū)的連接電極圖形。形成的像素電極圖形17連接薄膜晶體管的漏極金屬圖形15。其中，位于外圍電路區(qū)的連接電極圖形在圖中未示出。步驟1024、通過灰化工藝，去除外圍光阻圖形。本實施例中，可通過干法刻蝕的灰化工藝，去除紅色外圍光阻圖形、綠色外圍光阻圖形和藍(lán)色外圍光阻圖形。其中，通過灰化工藝去除外圍光阻圖形的過程中，會同時去除彩色光阻圖形的一部分，因此，優(yōu)選地，外圍光阻圖形的厚度低于彩色光阻圖形的厚度，以保證去除外圍光阻圖形后彩色光阻圖形的厚度能夠達(dá)到エ藝要求的厚度。步驟103、在完成步驟102的第一襯底基板上形成黑矩陣圖形，黑矩陣圖形位于薄膜晶體管的溝道之上井覆蓋溝道。本實施例中，黑矩陣圖形可形成于第一襯底基板的第二保護(hù)層上。本實施例中，步驟103具體包括步驟1031、在完成步驟102的第一襯底基板上形成黒色光阻層。圖7h為本發(fā)明實施例六中形成黒色光阻層的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖7h所示，步驟1031具體包括在第二保護(hù)層16上形成黒色光阻層241，該黑色光阻層241覆蓋第一襯底基板11。步驟1032、通過構(gòu)圖エ藝形成黑矩陣圖形。在黒色光阻層241上涂覆光刻膠，通過對光刻膠進(jìn)行掩膜版曝光、顯影和刻蝕エ藝形成黑矩陣圖形24，黑矩陣圖形24位于溝道19上方井覆蓋溝道19。形成的黑矩陣圖形的結(jié)構(gòu)可參見圖3中所示。可選地，本實施例還可以包括
步驟104、對彩色光阻圖形的表面和黑矩陣圖形的表面進(jìn)行平坦化處理，使彩色光阻圖形和黑矩陣圖形形成平整的表面。具體地，如圖3所示，對紅色光阻圖形21、緑色光阻圖形22、藍(lán)色光阻圖形23和黑矩陣圖形24進(jìn)行平坦化處理，使紅色光阻圖形21、緑色光阻圖形22、藍(lán)色光阻圖形23和黑矩陣圖形24形成平整的表面?？蛇x地，本實施例還可以包括步驟105、在彩色光阻圖形和黑矩陣圖形上形成公共電極層。如圖3所示，在紅色光阻圖形21、緑色光阻圖形22、藍(lán)色光阻圖形23和黑矩陣圖形24上形成公共電極層25。
優(yōu)選地，本實施例的各步驟中，掩膜版曝光エ藝中采用的掩膜版可以為灰階掩膜版、半透過掩膜版或者單縫衍射掩膜版。實際操作中可根據(jù)需要進(jìn)行選擇。在形成位于外圍電路區(qū)的連接電極圖形的過程中，代替外圍電路區(qū)導(dǎo)電層上方光刻膠的彩色光阻層，可以采用紅色光阻層、緑色光阻層和藍(lán)色光阻層之ー或其任意組合。本實施例中采用的是紅色光阻層、緑色光阻層和藍(lán)色光阻層三種光阻層。與現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣圖形形成于彩膜基板上相比，采用本實施例的制造方法制造出的彩色濾光陣列基板中，黑矩陣圖形直接形成于陣列基板上薄膜晶體管的溝道上方井覆蓋溝道，更加有效的遮擋了溝道上方的光線，從而有效減少了薄膜晶體管產(chǎn)生的光生載流子，提高了薄膜晶體管的特性以及薄膜晶體管的開ロ率。本實施例中采用彩色光阻層代替形成導(dǎo)電圖形過程中涂覆在導(dǎo)電層上的光刻膠，實現(xiàn)了在形成導(dǎo)電圖形的同時形成彩色光阻圖形，從而簡化了エ藝流程，提高了生產(chǎn)效率。需要說明的是本發(fā)明技術(shù)方案中的陣列基板是以底柵型陣列基板(即柵極金屬圖形位于有源層圖形的下方)為例進(jìn)行描述的，其僅是ー種示例性描述，不應(yīng)成為對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制。在實際應(yīng)用中可根據(jù)需要對陣列基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行變更，例如本發(fā)明技術(shù)方案中的陣列基板還可以采用頂柵型陣列基板(即柵極金屬圖形位于有源層圖形的上方)?？梢岳斫獾氖牵陨蠈嵤┓绞絻H僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.ー種彩色濾光陣列基板，包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板上形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的彩色濾光陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括第一襯底基板和形成于所述第一襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的像素電極圖形； 則所述彩色光阻圖形形成于所述像素電極圖形之上，所述黑矩陣圖形形成于所述薄膜晶體管的溝道之上并覆蓋所述溝道。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的彩色濾光陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括第一保護(hù)層和第二保護(hù)層，所述薄膜晶體管包括柵極金屬圖形、有源層圖形、源極金屬圖形和漏極金屬圖形； 所述柵線和所述柵極金屬圖形形成于所述第一襯底基板之上； 所述第一保護(hù)層形成于所述柵線和所述柵極金屬圖形之上； 所述有源層圖形和所述數(shù)據(jù)線形成于所述第一保護(hù)層之上；所述源極金屬圖形和所述漏極金屬圖形形成于所述有源層圖形之上； 所述第二保護(hù)層形成于所述數(shù)據(jù)線、所述有源層圖形、所述源極金屬圖形和所述漏極金屬圖形之上； 所述像素電極圖形形成于所述第二保護(hù)層之上，所述像素電極圖形連接所述漏極金屬圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一所述的彩色濾光陣列基板，其特征在于，所述彩色光阻圖形包括紅色光阻圖形、緑色光阻圖形和藍(lán)色光阻圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一所述的彩色濾光陣列基板，其特征在于，所述彩色光阻圖形和所述黑矩陣圖形形成平整的表面。
6.ー種液晶顯示面板，其特征在于，包括對盒設(shè)置的彩色濾光陣列基板和第二襯底基板，所述彩色濾光陣列基板和所述第二襯底基板之間填充有液晶層，所述彩色濾光陣列基板和所述第二襯底基板之間設(shè)置有起支撐作用的隔墊物； 所述彩色濾光陣列采用權(quán)利要求I至5任一所述的彩色濾光陣列基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，還包括公共電極層； 所述公共電極層形成于所述第二襯底基板上，或者所述公共電極層形成于所述彩色光阻圖形和所述黑矩陣圖形上。
8.ー種彩色濾光陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 形成陣列基板和位于所述陣列基板上的彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彩色濾光陣列基板的制造方法，其特征在于，所述陣列基板包括像素區(qū)和位于所述像素區(qū)周邊的外圍電路區(qū)，則所述形成陣列基板和位于所述陣列基板上的彩色光阻圖形和黑矩陣圖形包括 步驟101、在第一襯底基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線、位于所述像素區(qū)的薄膜晶體管以及位于所述外圍電路區(qū)的柵極弓丨線金屬圖形和源漏極弓丨線金屬圖形； 步驟102、在完成步驟101的第一襯底基板上形成彩色光阻圖形、位于所述像素區(qū)的像素電極圖形和位于所述外圍電路區(qū)的連接電極圖形，所述彩色光阻圖形位于所述像素電極圖形之上，所述像素電極圖形連接所述薄膜晶體管；步驟103、在完成步驟102的第一襯底基板上形成黑矩陣圖形，所述黑矩陣圖形位于所述薄膜晶體管的溝道之上并覆蓋所述溝道。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的彩色濾光陣列基板的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶體管包括柵極金屬圖形、有源層圖形、源極金屬圖形和漏極金屬圖形； 則所述步驟101包括 步驟1011、在所述第一襯底基板上形成所述柵線、所述柵極金屬圖形和所述柵極引線金屬圖形； 步驟1012、在完成步驟1011的第一襯底基板上形成第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層位于所述柵線、所述柵極金屬圖形和所述柵極引線金屬圖形之上； 步驟1013、在所述第一保護(hù)層上形成所述有源層圖形； 步驟1014、形成所述數(shù)據(jù)線、所述源極金屬圖形、所述漏極金屬圖形和所述源漏極引線金屬圖形，所述數(shù)據(jù)線和所述源漏極引線金屬圖形位于所述第一保護(hù)層之上，所述源極金屬圖形和所述漏極金屬圖形位于所述有源層圖形之上； 步驟1015、在完成步驟1014的第一襯底基板上形成第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層位于所述數(shù)據(jù)線、所述源極金屬圖形、所述漏極金屬圖形和所述源漏極引線金屬圖形上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的彩色濾光陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟102包括 步驟1021、在完成步驟101的第一襯底基板上形成導(dǎo)電層； 步驟1022、在所述導(dǎo)電層上形成彩色光阻層，通過對所述彩色光阻層進(jìn)行掩膜版曝光和顯影エ藝，在所述導(dǎo)電層上形成位于所述像素區(qū)的彩色光阻圖形和位于所述外圍電路區(qū)的外圍光阻圖形； 步驟1023、通過刻蝕エ藝，在所述第二保護(hù)層上形成所述像素電極圖形和所述連接電極圖形； 步驟1024、通過灰化工藝，去除所述外圍光阻圖形。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的彩色濾光陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟103包括 步驟1031、在完成步驟102的第一襯底基板上形成黒色光阻層； 步驟1032、通過構(gòu)圖エ藝形成所述黑矩陣圖形。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的彩色濾光陣列基板的制造方法，其特征在于，所述外圍光阻圖形的厚度低于所述彩色光阻圖形的厚度。
全文摘要
本發(fā)明公開一種彩色濾光陣列基板及其制造方法和液晶顯示面板。該彩色濾光陣列基板包括陣列基板，所述陣列基板上形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形。本發(fā)明中，將彩膜基板上的彩色光阻圖形和黑矩陣圖形均形成于陣列基板上，這樣在對盒操作中僅需將形成有彩色光阻圖形和黑矩陣圖形的彩色濾光陣列基板與一襯底基板進(jìn)行對盒即可形成液晶顯示面板，避免了對盒操作時陣列基板上的結(jié)構(gòu)和彩膜基板上的結(jié)構(gòu)出現(xiàn)對位偏差而導(dǎo)致的對盒精確度低的問題，提高了對盒的精確度，從而提高了產(chǎn)品質(zhì)量。
文檔編號G02F1/1335GK102722056SQ20111007672
公開日2012年10月10日 申請日期2011年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月29日
發(fā)明者姚琪, 張鋒, 戴天明, 曹占鋒 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司