專利名稱：流體處理結(jié)構(gòu)、光刻設(shè)備和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種流體處理結(jié)構(gòu)、光刻設(shè)備和制造器件的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂的步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個目標(biāo)部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個目標(biāo)部分。也能夠以通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。已經(jīng)提出將光刻投影設(shè)備中的襯底浸入到具有相對高的折射率的液體(例如水) 中，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，盡管也可以使用其他液體。本發(fā)明的實施例將參考液體進(jìn)行描述。然而，其他流體可能也是合適的，尤其是潤濕性流體、不能壓縮的流體和/或折射率比空氣高的流體，期望地是折射率比水高的流體。除氣體之外的流體尤其是期望的。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)更小特征的成像，因為曝光輻射在液體中將會具有更短的波長。(液體的作用也可以看作提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑 (NA)并且也增加了焦深。)還提出了其他浸沒液體，包括其中懸浮有固體顆粒(例如石英) 的水，或具有納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達(dá)IOnm的顆粒)的液體。這種懸浮的顆粒可以具有或不具有與它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴，例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。將襯底或襯底和襯底臺浸入液體浴器(參見，例如美國專利US4，509，852)是浸沒系統(tǒng)布置的一種形式。所述布置需要在掃描曝光過程中應(yīng)當(dāng)加速很大體積的液體。這可能需要額外的或更大功率的電動機(jī)，而且液體中的湍流可能會導(dǎo)致不希望的或不能預(yù)期的效^ ο在浸沒式設(shè)備中，由流體處理系統(tǒng)或設(shè)備(例如流體處理結(jié)構(gòu))來處理浸沒液體。 流體處理系統(tǒng)可以供給浸沒流體，并且因此可以是流體供給系統(tǒng)。流體處理系統(tǒng)可以限制流體，從而可以是流體限制系統(tǒng)。流體處理系統(tǒng)可以為流體提供阻擋件，且因此可以是阻擋構(gòu)件。流體處理系統(tǒng)可以產(chǎn)生或使用流體流(例如氣體)，例如用以幫助處理液體。浸沒液體可以用作浸沒流體。在這種情況下，流體處理系統(tǒng)可以是液體處理系統(tǒng)。提出來的布置方案之一是液體供給系統(tǒng)通過使用液體限制系統(tǒng)僅將液體提供在襯底的局部區(qū)域上(通常襯底具有比投影系統(tǒng)的最終元件更大的表面積)和在投影系統(tǒng)的最終元件與襯底之間。提出來的一種用于設(shè)置上述布置方案的方法在公開號為W099/49504 的PCT專利申請出版物中公開了。這一類型的布置可以被稱為局部浸沒系統(tǒng)布置。另一種布置方案是如在公開號為W02005/064405的PCT專利申請出版物中公開的浸沒液體不受限制的全潤濕布置。在這樣的系統(tǒng)中，浸沒液體是不受限制的。襯底的整個頂表面被覆蓋在液體中。這可能是有利的，因為之后所述襯底的整個頂表面被暴露于基本上相同的條件。這可能有利于襯底的溫度控制和加工。在W02005/064405中，液體供給系統(tǒng)提供液體至投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的間隙中。所述液體被允許泄漏在襯底的其余部分上。在襯底臺的邊緣處的阻擋件防止液體流走，使得可以以一種可控制的方式從襯底臺的所述頂表面移除液體。雖然這樣的系統(tǒng)改善了襯底的溫度控制和處理，但是浸沒液體的蒸發(fā)仍然可能出現(xiàn)。幫助緩解這個問題的一種方法在美國專利申請公開出版物No. US 2006/0119809中有記載。設(shè)置一構(gòu)件，其在所有位置上覆蓋襯底W，并且布置成使浸沒液體在所述構(gòu)件與襯底和/或用于保持襯底的襯底臺的頂表面之間延伸。在歐洲專利申請公開出版物No. EP1420300和美國專利申請公開出版物 NO.US2004-0136494中，公開了一種成對的或雙臺浸沒式光刻設(shè)備的方案，通過引用將其全部內(nèi)容并入本文中。這種設(shè)備設(shè)置有兩個用于支撐襯底的臺。調(diào)平(levelling)測量在沒有浸沒液體的臺的第一位置處進(jìn)行，曝光在存在浸沒液體的臺的第二位置處進(jìn)行。可選的是，所述設(shè)備僅具有一個臺。

發(fā)明內(nèi)容
期望能夠在投影系統(tǒng)下面盡可能快速地移動襯底。為此，流體處理系統(tǒng)，尤其是對于局部區(qū)域流體處理系統(tǒng)，應(yīng)當(dāng)被設(shè)計以允許高速掃描而沒有顯著的液體損失。例如期望提供一種流體處理系統(tǒng)，所述流體處理系統(tǒng)將液體保持在位于投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間中。根據(jù)一個方面，提供了一種用于光刻設(shè)備的流體處理結(jié)構(gòu)，所述流體處理結(jié)構(gòu)在從配置成包含浸沒流體的空間至在所述流體處理結(jié)構(gòu)外部的部位的邊界上依次具有布置在第一線中的細(xì)長開口或多個開口，其在使用中被弓I導(dǎo)朝向襯底和/或配置成支撐所述襯底的襯底臺；氣刀裝置，所述氣刀裝置具有在第二線中的細(xì)長孔；和與所述氣刀裝置相鄰的細(xì)長開口或多個開口。根據(jù)一個方面，提供了一種用于光刻設(shè)備的流體處理結(jié)構(gòu)，所述流體處理結(jié)構(gòu)在從在使用中浸沒液體被限制的空間至在所述流體處理結(jié)構(gòu)外部的部位的邊界上依次具有用于抽取流體且布置在第一線中的細(xì)長開口或多個開口，其在使用中被引導(dǎo)朝向例如襯底和/或配置成支撐所述襯底的襯底臺的面對表面；在第二線中的用于氣刀的細(xì)長孔；用于抽取液體的且鄰近用于所述氣刀裝置的細(xì)長孔所形成的細(xì)長開口或多個開□。根據(jù)一個方面，提供一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括上述流體處理結(jié)構(gòu)。根據(jù)一個方面，提供了一種器件制造方法，所述方法包括步驟
提供浸沒液體至所述投影系統(tǒng)的最終元件與襯底和/或配置成支撐所述襯底的襯底臺之間的空間；通過布置在第一線中的細(xì)長開口或多個開口從所述投影系統(tǒng)的最終元件與所述襯底和/或襯底臺之間回收浸沒液體；通過形成氣刀的第二線中的孔供給氣體，朝向所述第一線中的所述細(xì)長開口或多個開口推進(jìn)浸沒液體；通過與所述氣刀相鄰的且在所述氣刀的與所述第一線中的細(xì)長開口或多個開口相反側(cè)上的細(xì)長開口或多個開口來抽取氣體和剩余的浸沒液體。


下面僅通過示例的方式，參考示意性附圖對本發(fā)明的實施例進(jìn)行描述，其中示意性附圖中相應(yīng)的參考標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻設(shè)備；圖2和圖3示出用于光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)；圖4示出用于光刻投影設(shè)備中的另一種液體供給系統(tǒng)；圖5示出用于光刻投影設(shè)備中的另一種液體供給系統(tǒng)；圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的彎液面釘扎系統(tǒng)的平面示意圖；圖7示出在基本上垂直于流體處理結(jié)構(gòu)下面的表面的平面中用于本發(fā)明實施例的彎液面釘扎系統(tǒng)的沿著圖6中的線VII-VII的部分剖視圖；圖8示出根據(jù)本發(fā)明實施例的流體處理結(jié)構(gòu)的一部分在基本上垂直于在流體處理結(jié)構(gòu)下面的表面的平面中的剖視圖；圖9示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的流體處理結(jié)構(gòu)的一部分在基本上垂直于在流體處理結(jié)構(gòu)下面的表面的平面中的剖視圖；圖10示出流體處理結(jié)構(gòu)的一部分在基本上垂直于在流體處理結(jié)構(gòu)下面的表面的平面中的剖視圖；圖11示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的流體處理結(jié)構(gòu)的一部分在基本上垂直于在流體處理結(jié)構(gòu)下面的表面的平面中的剖視圖；圖12示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的流體處理結(jié)構(gòu)的一部分在基本上垂直于在流體處理結(jié)構(gòu)下面的表面的平面中的剖視圖；圖13示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的流體處理結(jié)構(gòu)的一部分在基本上垂直于在流體處理結(jié)構(gòu)下面的表面的平面中的剖視圖；和圖14示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的流體處理結(jié)構(gòu)的一部分在基本上垂直于在流體處理結(jié)構(gòu)下面的表面的平面中的剖視圖。
具體實施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；-襯底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W， 并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置MA。支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式來保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置MA的示例包括掩模、 可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的圖案形成裝置臺)的類型。在這種“多臺”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備可以是分立的實體(例如當(dāng)該源SO為準(zhǔn)分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源SO 考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源 SO可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括配置用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍 (一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器IL用于調(diào)節(jié)所述輻射束B，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經(jīng)穿過圖案形成裝置 MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束B聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對于所述輻射束 B的路徑精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺WT的移動。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動器相連，或者可以是固定的。可以使用圖案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記 P1、P2來對準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分， 但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2可以位于所述管芯之間。所示的設(shè)備可以用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束B的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后，將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT同步地進(jìn)行掃描的同時，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。 在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動的長度確定了所述目標(biāo)部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個模式中，將保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止， 并且在對所述襯底臺WT進(jìn)行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。
在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之間提供液體的布置可以分成三種主要類別。 它們是浴器型布置、所謂的局部浸沒系統(tǒng)和全潤濕浸沒系統(tǒng)。在浴器型布置中，基本上整個襯底W和(任選地)一部分襯底臺WT浸入到液體浴器中。局部浸沒系統(tǒng)采用僅將液體提供到襯底W的局部區(qū)域的液體供給系統(tǒng)。在平面視圖中，液體所填充的空間小于襯底W的頂部表面。在液體所填充的體積或空間相對于投影系統(tǒng)PS基本上保持靜止的同時，襯底W在所述區(qū)域下面移動。圖2至5顯示出可以用于這樣的系統(tǒng)中的不同的供給裝置。在全潤濕布置中，液體是不受限制的。襯底W的整個頂表面和襯底臺WT的全部或一部分被浸沒液體覆蓋。覆蓋至少襯底W的液體的深度小。所述液體可以是位于襯底W上的液體膜，例如位于襯底上的液體薄膜。浸沒液體可以被供給至投影系統(tǒng)PS和面對所述投影系統(tǒng)PS的正對表面的部位或被供給在投影系統(tǒng)PS和面對所述投影系統(tǒng)PS的正對表面的部位中(該正對表面可以是襯底和/或襯底臺的表面)。圖2-5中的任何液體供給裝置 (其被在下文中描述)可以用于這種系統(tǒng)。然而，密封特征可能并不存在，可能不起作用，可能不如正常狀態(tài)有效，或者可能以其它方式不能有效地僅將液體密封在局部區(qū)域。圖2-5中示出了四種不同類型的液體局部供給系統(tǒng)。如圖2和圖3所示，液體優(yōu)選地沿著襯底W相對于所述最終元件的移動方向，通過至少一個入口供給到襯底上(如由箭頭顯示的)。在已經(jīng)在投影系統(tǒng)下面通過后，液體通過至少一個出口去除，如由箭頭顯示的。 當(dāng)襯底在所述元件下面沿著-X方向被掃描時，液體在所述元件的+X —側(cè)供給并且在-X — 側(cè)去除。圖2是所述布置的示意圖，其中液體流由箭頭顯示；液體通過入口供給，并在所述元件的另一側(cè)通過與低壓源相連的出口去除。在圖2的圖示中，液體沿著襯底相對于所述最終元件的移動方向供給，但這不是必需的?？梢栽谒鲎罱K元件周圍設(shè)置各種方向和數(shù)目的入口和出口，圖3示出了一個實例，其中在所述最終元件的周圍在每一側(cè)上以規(guī)則的重復(fù)方式設(shè)置了四組入口和出口，如由箭頭顯示的。在圖4中示出了另一種采用液體局部供給系統(tǒng)的浸沒式光刻方案。液體由位于投影系統(tǒng)PS兩側(cè)上的兩個槽狀入口供給，由設(shè)置在入口沿徑向向外的位置上的多個離散的出口去除。所述入口可以設(shè)置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通過該孔投影。液體由位于投影系統(tǒng)PS的一側(cè)上的一個槽狀入口提供，由位于投影系統(tǒng)PS的另一側(cè)上的多個離散的出口去除，這造成投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口和出口組合可能依賴于襯底W的移動方向(另外的入口和出口組合是不起作用的)。注意到，由圖 4中的箭頭顯示出流體和襯底W的流動方向。已經(jīng)提出的另一種布置是為液體供給系統(tǒng)設(shè)置液體限制結(jié)構(gòu)，所述液體限制結(jié)構(gòu)沿投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底臺WT之間的空間的邊界的至少一部分延伸。圖5中示出了這種布置。箭頭顯示出流動的方向。圖5示意性地描述具有液體限制結(jié)構(gòu)12的液體局部供給系統(tǒng)或流體處理結(jié)構(gòu)，所述液體限制結(jié)構(gòu)12沿投影系統(tǒng)PS的最終元件和正對表面(例如襯底臺WT或襯底W)之間的空間11的邊界的至少一部分延伸。(請注意，除非特別地另外指明，在下文中提及的襯底 W的表面也另外地或可替換地表示襯底臺WT的表面。且除非特別地另外指明，對于襯底相對于另一物體(例如投影系統(tǒng))的移動的表述包括對于襯底臺相對于同一物體的移動的內(nèi)容。)盡管可以在Z方向上(在光軸的方向上)存在一些相對移動，但是液體限制結(jié)構(gòu)12在XY平面內(nèi)相對于投影系統(tǒng)PS基本上是靜止的。在一種實施例中，在液體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W的表面之間形成密封。所述密封可以是無接觸密封，例如氣體密封(具有氣體密封的這樣的系統(tǒng)在公開號為US 2004-02078M的美國專利申請公開出版物中被公開)或流體密封。液體限制結(jié)構(gòu)12至少部分地將液體保持在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之間的空間11中。對襯底W的無接觸密封(例如氣體密封16)可圍繞投影系統(tǒng)PS的像場形成， 使得液體被限制在襯底W的表面和投影系統(tǒng)PS的最終元件之間的空間11內(nèi)。所述空間11 至少部分地由位于投影系統(tǒng)PS的最終元件下面且圍繞投影系統(tǒng)PS的所述最終元件的液體限制結(jié)構(gòu)12形成。經(jīng)液體入口 13使液體進(jìn)入到在投影系統(tǒng)PS下面且在液體限制結(jié)構(gòu)12 內(nèi)的空間11中?？赏ㄟ^液體出口 13移除所述液體。所述液體限制結(jié)構(gòu)12可延伸到略微高于投影系統(tǒng)PS的最終元件的位置上。液面升高至所述最終元件的上方，使得提供了液體的緩沖。在一種實施例中，所述液體限制結(jié)構(gòu)12具有內(nèi)周，其在上端部處與投影系統(tǒng)PS或其最終元件的形狀緊密地一致，且例如可以是圓的或任何其它適合的形狀。在底部處，所述內(nèi)周與像場的形狀緊密地一致(例如是矩形的)，但這不是必需的。液體可以被氣體密封16保持在空間11中，在使用中所述氣體密封16形成于液體限制結(jié)構(gòu)12的底部和襯底W的表面之間。所述氣體密封16由氣體(例如空氣或者合成空氣，但在一實施例中，是N2或者其他惰性氣體)形成。在氣體密封16中的所述氣體經(jīng)由入口 15在壓力作用下被提供到介于液體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的間隙。所述氣體通過出口 14被抽取。在氣體入口 15上的過壓、出口 14上的真空水平以及所述間隙的幾何形狀被布置成使得形成限制所述液體的向內(nèi)的高速氣流。氣體作用于液體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的液體上的力把液體保持在空間11中。所述入口 /出口可以是圍繞空間11的環(huán)形槽。 所述環(huán)形槽可以是連續(xù)的或不連續(xù)的。氣流能夠有效地將液體保持在空間11中。已經(jīng)在公開號為US2004-02078M的美國專利申請公開物中公開了這樣的系統(tǒng)，在此處通過引用將其全部內(nèi)容并入本文中。在另一實施例中，液體限制結(jié)構(gòu)12沒有氣體密封。本發(fā)明的實施例涉及用于流體處理結(jié)構(gòu)中的特定類型的抽取器，該抽取器基本上防止彎液面前進(jìn)超過特定點。也就是，本發(fā)明的實施例涉及彎液面釘扎裝置，其將投影系統(tǒng)PS的最終元件與襯底和/或襯底臺之間的空間11中的液體的邊緣(例如成液體彎液面的形式)基本上釘扎在適當(dāng)?shù)奈恢蒙?。彎液面釘扎布置依賴于已?jīng)在例如公開號為 No. 2008/0212046的美國專利公開出版物中描述的所謂的氣體拖曳抽取器原理，在此處通過引用將其全部內(nèi)容并入本文中。在所述系統(tǒng)中，抽取孔可以設(shè)置成有角的形狀。所述角與投影系統(tǒng)與襯底和/或襯底臺之間的相對運(yùn)動的方向?qū)?zhǔn)，例如與所述步進(jìn)和掃描方向?qū)?zhǔn)。與兩個出口垂直于相對運(yùn)動的方向?qū)?zhǔn)的情形相比，這幫助減小了在相對運(yùn)動的方向上對于給定的速度在兩個出口之間的彎液面上的力。然而，本發(fā)明的實施例可以應(yīng)用于流體處理結(jié)構(gòu)，在平面視圖中，該流體處理結(jié)構(gòu)可以具有任意形狀，或流體處理結(jié)構(gòu)具有諸如被布置成任意形狀的抽取開口等部件。在非限制性的列表中，這樣的形狀可以包括橢圓形(例如圓形)、直線形狀(例如矩形(例如正方形)或平行四邊形(例如菱形))或具有多于4個角的有角的形狀(例如四角或更多角的星形)。在美國專利申請2008/0212046的系統(tǒng)的變形中(本發(fā)明的實施例涉及該變形)， 其中開口被布置成的有角的形狀的幾何構(gòu)型允許在相對運(yùn)動的優(yōu)選的方向(例如掃描方向和步進(jìn)方向)上都被對準(zhǔn)的角設(shè)置成尖銳的角(從約60° -90°的范圍內(nèi)選出的，期望地是從75° -90°的范圍內(nèi)選出的，更期望是從75° -85°的范圍內(nèi)選出的)。這可以允許在每個對準(zhǔn)的角的方向上的速度增加。這是因為減少了由于在掃描方向上的不穩(wěn)定的彎液面而引起的液滴的產(chǎn)生。在角與掃描方向和步進(jìn)方向都對準(zhǔn)的情況下，可以在這些方向上實現(xiàn)速度的增加。期望地，在掃描和步進(jìn)方向上的運(yùn)動的速度可以是大致相等的。圖6示出用于本發(fā)明實施例的流體處理結(jié)構(gòu)的一部分的彎液面釘扎特征的示意平面視圖。所示出的彎液面釘扎裝置的特征可以例如替換圖5中的彎液面釘扎布置14、15、 16。圖6中的彎液面釘扎裝置包括布置在第一線或釘扎線上的多個離散的開口 50。這些開口 50中的每個被顯示為圓形，但是這不是必須的。事實上，開口 50中的一個或多個可以是從圓形、方形、矩形、長橢圓形、三角形、細(xì)長的狹縫等中選出的一個或更多個。在平面視圖中，每個開口的長度尺寸(即在從一個開口至相鄰的開口的方向上)大于0. 2mm，期望大于 0. 5mm或1mm，在一種實施例中被從0. Imm至IOmm范圍中選擇，在一種實施例中被從0. 25mm 至2mm范圍內(nèi)選出。在一種實施例中，所述長度尺寸被從0. 2mm至0. 5mm范圍中選擇，期望地是從0. 2mm至0. 3mm范圍中選擇。在一種實施例中，每個開口的寬度從0. Imm至2mm范圍中選擇。在一種實施例中，每個開口的寬度從0.2mm至Imm范圍中選擇。在一種實施例中，每一開口的寬度從0. 35mm至0. 75mm的范圍中選擇，優(yōu)選地是約0. 5mm。圖6的彎液面釘扎裝置中的每個開口 50可以連接至分立的負(fù)壓源?？商娲鼗蛄硗獾?，開口 50中的每個或多個可以連接至自身保持處于負(fù)壓下的共有的腔或岐管(其可以是環(huán)形的)。這樣，可以在開口 50中的每個或多個上獲得均勻的負(fù)壓。開口 50可以連接至真空源，和/或圍繞流體處理結(jié)構(gòu)或系統(tǒng)(或限制結(jié)構(gòu)、阻擋構(gòu)件或液體供給系統(tǒng))的周圍氣體環(huán)境可以增加壓強(qiáng)，以產(chǎn)生期望的壓強(qiáng)差。在圖6的實施例中，所述開口是流體抽取開口。開口 50是氣體和/或液體進(jìn)入流體處理結(jié)構(gòu)的通道的入口。也就是，所述開口可以被認(rèn)為是空間11的出口。將在下文對此進(jìn)行更加詳細(xì)地描述。開口 50形成在流體處理結(jié)構(gòu)12的表面中。所述表面在使用中面對襯底和/或襯底臺。在一種實施例中，所述開口位于流體處理結(jié)構(gòu)的平坦表面中。在另一種實施例中，脊可以設(shè)置在面對襯底的流體處理結(jié)構(gòu)的表面上。在一實施例中，開口可以位于脊中。在一種實施例中，開口 50可以由針或管來限定。一些針(例如相鄰的針)的本體可以連接在一起。針可以連接在一起以形成單個本體。該單個本體可以形成可以被形成角的形狀。如圖7可見，開口 50例如是管或細(xì)長通路55的末端。期望地，開口被定位成使得它們在使用中面對襯底W。開口 50的邊緣(即表面外的出口)基本上平行于襯底W的頂表面。在使用中，所述開口被引導(dǎo)朝向襯底W和/或配置成支撐襯底的襯底臺WT。對此的另一想法是開口 50所連接到的通路55的細(xì)長軸線基本上垂直(在與垂直成+/-45°角的范圍內(nèi)，期望地在與垂直成35°、25°或甚至15°角的范圍內(nèi))于襯底W的頂表面。每個開口 50被設(shè)計以抽取液體和氣體的混合物。從空間11抽取液體，而氣體被從開口 50的另一側(cè)上的周圍氣體環(huán)境抽取至所述液體。這產(chǎn)生了如箭頭100所顯示的氣流，且如圖6所示，該氣流有效地將彎液面90基本上釘扎在開口 50之間的適當(dāng)?shù)奈恢蒙稀?該氣流幫助保持由動量阻塞(momentum blocking)、由氣流引入的壓力梯度和/或由液體上的氣流的拖曳(剪切)所限定的液體。
開口 50圍繞流體處理結(jié)構(gòu)供給液體所至的空間。也就是，開口 50可以分布成圍繞流體處理結(jié)構(gòu)的面對襯底和/或襯底臺的表面。所述開口可以被圍繞所述空間基本上連續(xù)地間隔開(盡管相鄰開口 50之間的間距可以改變，但是在實施例中一些相鄰的開口之間的間距可以是相同的)。在一種實施例中，總是圍繞可以被形成角的形狀抽取液體。液體基本上在液體沖擊到所述形狀上的所在點處被抽取。這可以被實現(xiàn)，因為開口 50總是被形成在空間(在該形狀中)周圍。這樣，液體可以被限制在空間11中。彎液面在操作期間可以被開口 50所釘扎。如圖6所見，開口 50可以被定位以便(在平面視圖中)形成有角的形狀(即具有角52的形狀)。在圖6中的情形中，該形狀是具有彎曲邊緣或邊M的四邊形，例如菱形，如正方形。邊緣M可以具有負(fù)半徑。邊緣M可以例如沿著遠(yuǎn)離角52設(shè)置的邊緣M的一部分朝向所述有角的形狀的中心彎曲。然而，相對于相對運(yùn)動的方向的邊緣M上的所有點的角度的平均值可以被稱為平均角度線，所述平均角度線可以由沒有曲率的直線來表示。所述形狀的主軸線110、120可以與襯底W在投影系統(tǒng)下面行進(jìn)的主方向?qū)?zhǔn)。這幫助確保最大掃描速度快于如果開口 50被布置成移動的方向未與所述形狀的軸線對準(zhǔn)的形狀(例如圓形)的情形。這是因為如果所述主軸線與相對運(yùn)動的方向?qū)?zhǔn)，則兩個開口 50之間的彎液面上的力可以被減小。例如，減小的倍數(shù)可以是cos θ?！?θ ”是連接兩個開口 50的線相對于襯底W移動的方向的角度。正方形形狀的使用允許在步進(jìn)和掃描方向上的運(yùn)動具有大致相等的最大速度。這可以通過使所述形狀的每個角52與掃描和步進(jìn)方向110、120對準(zhǔn)來實現(xiàn)。如果在一個方向 (例如掃描方向)上的運(yùn)動優(yōu)選地比在另一方向(例如步進(jìn)方向)上的運(yùn)動快，那么所述形狀可以是菱形。在這種布置中，菱形的主軸線可以與掃描方向?qū)?zhǔn)。對于菱形形狀，雖然每個角可以是銳角，但是菱形的兩個相鄰邊(或邊緣)的平均角度線之間(例如相對于在步進(jìn)方向上的相對運(yùn)動的方向)的角度可以是鈍角，即大于90° (例如從約90°至120°的范圍選擇的，在一種實施例中是從90°至105°的范圍選擇的，在一種實施例中是從85° 至105°的范圍選擇的)?？梢酝ㄟ^使得開口 50的形狀的主軸線與襯底行進(jìn)的主方向(通常是掃描方向) 對準(zhǔn)且使得另一軸線與襯底行進(jìn)的另一主方向(通常是步進(jìn)方向)對準(zhǔn)，來優(yōu)化生產(chǎn)量。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，θ不同于90°的任意布置將在運(yùn)動的至少一個方向上提供優(yōu)勢。因此，主軸線與行進(jìn)的主方向的精確對準(zhǔn)不是至關(guān)重要的。提供具有負(fù)半徑的邊緣的優(yōu)點是可以使得角更尖銳。從75至85°或甚至更小的范圍選擇的角度，對于與掃描方向?qū)?zhǔn)的角52和與步進(jìn)方向?qū)?zhǔn)的角52都是可以實現(xiàn)的。 如果對于這樣的特征是不能實現(xiàn)的，那么為了在兩個方向上對準(zhǔn)的角52具有相同的角度， 這些角將必須為90°。如果期望角將具有小于90°的角度，那么將需要選擇與相對運(yùn)動的方向?qū)?zhǔn)的角小于90°。其它角將具有大于90°的角度。所述開口可以被布置成星形。在星形的實施例中，邊緣是直的而不是彎曲的。邊緣可以在位于兩個角52之間的直線的徑向向內(nèi)側(cè)上的點處(例如中間角)相交。這種布置在以高的相對速度來釘扎彎液面時可能不像連接開口的線所限定的兩個相鄰角52之間的邊緣平滑的布置那樣成功。由開口 50限定的這樣的線可以限定有角的形狀、是連續(xù)的且具有連續(xù)變化的方向。在星形實施例中，沿著所述形狀的邊的中間角可以釘扎所述彎液面。角越尖銳，用于釘扎彎液面的力就越聚集到所述角上。在尖銳的角處，釘扎力聚集到所述形狀的邊緣的短長度上。具有比尖銳的角更平滑的彎曲度的角(例如具有更大的曲率半徑的角)具有更長的長度，且因此沿著角的更長的曲線(即圍繞所述角)分布釘扎力。因此，對于襯底和流體處理結(jié)構(gòu)之間的特定的相對速度，應(yīng)用至兩個角的有效彎液面釘扎力是相同的。然而，對于限定長度的邊緣，尖銳角的有效釘扎力比平滑地彎曲的角的有效釘扎力更大。與由平滑地彎曲的角所釘扎的彎液面相比，被釘扎在尖銳角處的彎液面在襯底和流體處理結(jié)構(gòu)之間在較低的相對速度下更不穩(wěn)定。圖7示出開口 50設(shè)置在流體處理結(jié)構(gòu)的下表面51中。然而這不是必須的，且開口 50可以位于來自流體處理結(jié)構(gòu)的下表面的突起中。箭頭100顯示出從流體處理結(jié)構(gòu)的外面進(jìn)入到與開口 50相關(guān)聯(lián)的通路55中的氣體流。箭頭150顯示出從所述空間進(jìn)入到開口 50中的液體的通道。通路55和開口 50期望被設(shè)計成使得兩相抽取(即氣體和液體) 期望以環(huán)形流模式發(fā)生。在環(huán)形氣體流中，氣體可以基本上流過通路55的中心且液體可以基本上沿著通路55的壁流動。導(dǎo)致具有低脈動生成的平滑流?？梢栽陂_口 50的徑向向內(nèi)的位置上沒有彎液面釘扎特征。彎液面被用由氣流進(jìn)入開口 50中所引入的拖曳力釘扎在開口 50之間。大于約15m/s(期望地是大于20m/s)的氣體拖曳速度可以是足夠的。液體從襯底的蒸發(fā)量可以被減小，從而減小液體的飛濺以及熱膨脹/收縮效應(yīng)。多個，例如至少36個離散的針(其可以每個包括開口 50和通路55)可以有效地釘扎彎液面，其中每個針具有Imm的直徑且被分離開3. 9mm。在一種實施例中，設(shè)置了 112 個開口 50。開口 50可以是正方形的，且邊的長度為0. 5mm、0. 3mm、0. 2mm或0. 1mm。流體處理結(jié)構(gòu)的底部的其它幾何構(gòu)型也是可以的。例如，可以將在美國專利申請公開出版物No. US 2004-0207824中公開的任意結(jié)構(gòu)用于本發(fā)明的實施例中。如圖6所見，細(xì)長孔61 (其可以是縫的形狀)設(shè)置在開口 50的外面。細(xì)長孔61可以設(shè)置成比布置在第一線上的開口 50更加遠(yuǎn)離包含浸沒流體的空間?？?1可以基本上平行于開口 50布置所在的第一線。細(xì)長孔61可以形成第二線或氣刀線。第二線可以圍繞由開口 50形成的形狀的周邊。在一種實施例中，細(xì)長孔61是連續(xù)的且可以完全地圍繞由第一線形成的形狀。在使用中，孔61被連接至過壓源。從孔61流出的氣體可以形成氣刀60， 所述氣刀60圍繞由開口 50形成的彎液面釘扎系統(tǒng)。將在下文描述這種氣刀的功能。在一種實施例中，細(xì)長孔包括沿所述形狀的邊M的多個離散的孔(其可以是細(xì)長的)。所述多個孔可以接連地布置。在一種布置中，液體處理裝置可以是如上文所述的，但是缺少氣刀60。在這樣的布置中，當(dāng)襯底臺WT移動使得浸沒液體的彎液面經(jīng)過親液部位或相對低疏液性的部位(即與襯底或襯底臺表面的其它部分相比，與浸沒液體的接觸角更低)時，浸沒液體可以在低疏液性的部位上伸展成薄膜。在存在水的情況下，對疏液性的表述是指疏水性，且親液性是指親水性。薄膜的形成可以依賴于液體彎液面和襯底或襯底臺的相對運(yùn)動的速度(“掃描速度”)是否大于臨界速度。相對于由開口 50釘扎的彎液面，臨界速度表示的是流體處理結(jié)構(gòu)12與襯底和/或襯底臺的正對表面之間的一種相對速度，超過所述相對速度，則彎液面可能不再穩(wěn)定。臨界速度依賴于所述正對表面的性質(zhì)。所述正對表面的接觸角越大，通常臨界速度越大。一旦已經(jīng)開始形成薄膜，那么即使襯底現(xiàn)在已經(jīng)被移動，該薄膜也可以繼續(xù)生長，使得彎液面在一區(qū)域上具有更大的接觸角。對于具有更大的接觸角的這樣的區(qū)域，臨界速度更大。如果襯底以彎液面在之前接觸的區(qū)域的臨界速度(即較小的接觸角)移動， 那么掃描速度可能低于目前的臨界掃描速度。在一些情形中在短暫的延遲之后，所述薄膜可能分散成不期望的大的液滴。在一些情形中，襯底臺的后續(xù)運(yùn)動可以導(dǎo)致液滴與彎液面相撞，這可能在浸沒液體中產(chǎn)生氣泡。 具有相對低的疏液性(例如在水存在情況下的疏水性)的部位可以包括襯底的邊緣、襯底臺上的可移除的特征(例如諸如貼布或貼紙的可粘結(jié)的平面構(gòu)件)、定位特征(例如編碼器網(wǎng)格或?qū)?zhǔn)標(biāo)記)和/或傳感器(例如劑量傳感器、圖像傳感器或光斑傳感器)。在一種實施例中，相對低疏液性(例如在水存在情況下的疏水性)的部位可能是由表面處理或涂層的劣化形成的。涂層或表面處理可以被設(shè)置，用于增加它被設(shè)置所在的表面的疏液性(例如，在水存在情況下的疏水性)。在一種實施例中，氣刀60可以用于減小在襯底或襯底臺上留下的任何液體薄膜的厚度。減小薄膜的厚度可以降低它破碎成液滴的幾率。另外地或可替代地，來自氣刀60 的氣流可以朝向開口 50驅(qū)動液體和被抽取。在一種實施例中，氣刀60操作以削減薄膜的形成。為了實現(xiàn)這一目的，期望彎液面釘扎開口 50和氣刀孔61的中心線之間的距離是從1. 5mm至4mm的范圍中選出的，期望地是從2mm至3mm的范圍中選出的。(在一種實施例中，氣刀孔61具有多個孔61)?？?1 布置所沿的第二線通常遵循形成開口 50所沿的第一線，使得孔61和開口 50中相鄰者之間的距離在上述的范圍內(nèi)。第二線可以平行于開口 50的線，但是這不是必須的，如在2009年 9月3日遞交的申請?zhí)枮镹o. US 61/239，555的美國專利申請中所描述的，通過引用將其全部內(nèi)容并入本文中?？赡芷谕谙噜彽目?1 (在沿著第二線設(shè)置有多個孔的情形中)和相鄰的開口 50 之間保持恒定間隔。在一種實施例中，期望沿著孔61和開口 50的中心線的長度。在一種實施例中，所述恒定間隔可以位于流體處理裝置的一個或更多的角中的部位中。在諸如在上文參考圖6和7闡述的布置中，在相對移動過程中，浸沒液體液滴可以從浸沒液體被限制所在的空間在所述空間的下面(例如從面對所述空間的表面中的高度臺階)逸出。這可能例如在襯底的邊緣和支撐襯底的臺中的凹陷的邊緣之間的間隙處或在傳感器的表面處發(fā)生。特別是在流體處理結(jié)構(gòu)和正對表面之間的相對速度(例如掃描速度)大于臨界速度時，可能發(fā)生液體液滴的逸出。在需要更高的掃描速度或生產(chǎn)量時，可能需要這樣的相對的速度。這樣的臨界速度可以依賴于所述正對表面的至少一種性質(zhì)。在從空間11中的浸沒液體逸出時，所述液滴與流體處理結(jié)構(gòu)和正對表面(諸如襯底或支撐襯底的襯底臺)之間的浸沒液體的彎液面破裂。彎液面可以通過流體抽取開口釘扎至流體處理結(jié)構(gòu)，該流體抽取開口可以抽取成兩相流體流的液體和氣體，如上文所述。液滴可以相對于正對表面的移動從浸沒空間的尾側(cè)逸出。在與正對表面一起移動(相對于流體處理結(jié)構(gòu))時，液滴之后可能遇到氣刀，該氣刀引導(dǎo)液滴返回至液體抽取器。然而，有時情況可能是這樣，使得通過氣刀阻止液滴移動更加遠(yuǎn)離彎液面。有時，這樣的液滴可能超過氣刀穿出。在一實施例中，液滴避開了流體處理結(jié)構(gòu)中的部件的影響。在另一實施例中，液滴將遇到另一抽取器和氣刀，其可以用于抽取和/或阻止液滴移動遠(yuǎn)離彎液面。當(dāng)在正對表面的平面中(例如沿著掃描或步進(jìn)方向)流體處理結(jié)構(gòu)和正對表面之間的相對運(yùn)動被后續(xù)改變時，這樣的液滴可以朝向液體彎液面相對于流體處理結(jié)構(gòu)移動回來。液滴可以至少部分地由液滴從彎液面逸出時首先穿過的氣刀而被阻止。液滴可能足夠大，使得它朝向彎液面穿過氣刀。液滴可以借助于抽吸而被抽取通過設(shè)置在被限制在空間中的浸沒液體的邊界或邊緣處或至少在該邊界或邊緣附近的抽取開口。然而，如果沒有完全地抽取這樣的液滴，那么它可能在與限制在空間中的液體的液體彎液面碰撞時產(chǎn)生氣泡。所述液滴可能不足夠大和/或可能不具有足夠大的相對速度以朝向彎液面穿過氣刀。所述液滴可以與一個或更多的可能小的液滴結(jié)合，以在氣刀的前面形成更大的液滴。 在這種情況下，浸沒液體可能使得氣刀過載，從而允許結(jié)合后的液滴穿過。這樣的液滴將相對于流體處理結(jié)構(gòu)朝向彎液面移動，且可能與彎液面碰撞，以及可能產(chǎn)生一個或更多的氣泡。在一實施例中，例如圖8所示，可能通過增添非?？拷鼩獾兜念~外的抽取裝置300 來實現(xiàn)在沿著掃描方向變化期間朝向彎液面穿過氣刀的液滴的尺寸(和量)的顯著減小， 圖8類似于圖7，但是增添了抽取裝置300。所述抽取裝置可以設(shè)置成靠近氣刀61的開口， 而遠(yuǎn)離浸沒空間11。應(yīng)當(dāng)理解，此處闡述的圖7中顯示的布置的變形也可以應(yīng)用至圖8中顯示的實施例。額外的抽取裝置可以防止氣刀的飽和(或破裂)。因此，氣刀可以保持其在阻止液滴到達(dá)彎液面的效率(即其期望的液滴停止動力)。例如，在沿著掃描方向進(jìn)行變化時，額外的抽取可以移除氣刀收集(或推壓(bulldozer))的浸沒液體。所抽取的浸沒液體的量可以非常小，但是足以防止使得氣刀過載。在這種情形下，氣刀必須推壓浸沒液體或推動所收集的浸沒液體。這可能需要氣刀的流量大于通過在包含浸沒液體的空間的邊緣處的抽取的流量。額外的抽取裝置300的設(shè)置可以避免這種情形，使得氣刀流量不必這樣大?？梢酝ㄟ^與氣刀裝置相鄰的細(xì)長開口或多個開口 302提供額外的抽取裝置300， 該氣刀裝置與在包含浸沒液體的空間的邊緣處的抽取裝置一起使用。例如，額外的抽取裝置的一個或更多的開口 302可以與氣刀60的細(xì)長孔61相鄰。用于抽取的兩排開口和一排氣刀裝置之間的間隔在包含浸沒液體的空間周圍的所有位置處可以是大致相同的。如圖9所示，與氣刀裝置相鄰的額外抽取裝置300的開口 302的最靠近氣刀裝置 60的邊緣301，可以以相對于流體處理結(jié)構(gòu)12的表面51的傾斜角α設(shè)置，所述表面51位于第一和第二線之間和超過與氣刀裝置相鄰的開口的位置。在這一布置中，與氣刀相鄰的開口的寬度隨著與表面的距離而減小。在一個實施例中，開口 302的邊緣301相對于流體處理結(jié)構(gòu)12的表面51的角度 α是從10°至60°的范圍選出，或從10°至45°的范圍選出，或期望地是20°。用于額外的抽取裝置300的開口 302的成角度的邊緣301的設(shè)置可能是有利的，這是因為它使得開口 302的邊緣能夠盡可能地靠近氣刀裝置60的孔61的邊緣。然而，同時，它可以確保將孔61與提供額外的抽取裝置300的通道分離開的壁303的厚度不會薄到產(chǎn)生另外的制造問題。氣刀裝置60的細(xì)長孔61和用于額外的抽取裝置300的細(xì)長開口或多個開口 301的(即與氣刀裝置60相鄰的)最接近的邊緣之間的間隔，可以從0. 25mm至0. 75mm的范圍選出，期望是0. 5mm。通常，額外的抽取裝置300的所述一個或更多的開口可以盡可能地靠近氣刀裝置60的孔61。這可以最小化液體液滴的尺寸，所述液體液滴可以通過結(jié)合靠近氣刀的更小的液滴來形成。于是，這可能減小可能穿過氣刀60的液滴的尺寸，從而減小了在液滴與彎液面碰撞時在浸沒液體中形成氣泡的可能性。然而，如上文所述，最小化間隔的期望必須與困難相平衡，所述困難可能是在分離額外的抽取裝置300的開口與氣刀裝置60的孔61的壁303變得太小情況下在制造流體處理結(jié)構(gòu)12的過程中所引入的。額外的抽取裝置300的開口 302的寬度可以例如是從30 μ m至200 μ m或從100 μ m 至150 μ m的范圍選出的。在如圖7和8顯示的實施例中，控制器63被設(shè)置以控制通過第二線中的孔61的氣體流量，以形成氣刀60。在一種實施例中，控制器63還可以控制通過第一線中的開口 50的氣體流量?？刂破?3可以控制過壓源64(例如泵)和/或負(fù)壓源65(例如泵，可能是與提供過壓的泵是同一泵)。控制器63可以連接至一個或更多個適合的流量控制閥，以便實現(xiàn)期望的流量。所述控制器可以連接至與一個或更多的開口 50相關(guān)的一個或更多的兩相流量計以測量抽取的流量，或所述控制器也可以連接至與孔61相關(guān)的流量計以測量被供給的氣體流量，或所述控制器可以連接至上述兩者。用于兩相流量計的適合的布置在于2009 年6月30日遞交的申請?zhí)枮镹o. US 61/213，657的美國專利申請中進(jìn)行了描述，通過引用將其全部內(nèi)容并入本文中。在一個實施例中，如圖8所示，額外的抽取裝置300的一個或更多的開口 302可以連接至負(fù)壓源305 (例如泵，可能與提供過壓源64和負(fù)壓源65中的一個或兩者的泵是同一泵)。如圖8所示，用于額外的抽取裝置300的負(fù)壓源305可以通過與用于控制過壓源64 和/或負(fù)壓源65的控制器是同一控制器的控制器63進(jìn)行控制。同理，控制器63可以連接至如上文的一個或更多的適合的流量控制閥和/或流量計，用于實現(xiàn)期望的流量。還應(yīng)當(dāng)理解，分立的控制器可以被提供用于負(fù)壓源和過壓源64、65、305中的一個或更多個。在一實施例中，控制器63配置成使得來自細(xì)長孔61的氣刀60的流量以及通過所述一個或更多的開口 50和額外的抽取裝置300的一個或更多的開口 302的抽取使得來自氣刀裝置60的氣體流基本上垂直于第一和第二線之間的流體處理結(jié)構(gòu)的表面。這可以例如通過平衡通過第一線中的一個或更多的開口 50和額外的抽取裝置300的一個或更多的開口 302的抽取速率以及通過借助氣刀裝置60的氣體流來平衡總的抽取來實現(xiàn)?？刂茪怏w流量使得來自氣刀裝置60的氣體流垂直于或相對地垂直于流體處理結(jié)構(gòu)的所述表面，且因此垂直于或相對地垂直于襯底臺WT和/或襯底W的相對表面，可以改善氣刀裝置對于氣刀裝置的給定的氣體流量的性能。這又可以增加可以所使用的掃描速率。在一種布置中，從用于形成第一氣刀裝置60的第二線中的孔61流出的氣體流量可以小于或等于每分鐘100升，例如小于或等于每分鐘75升或更小。通過第一線中的一個或更多的開口 50抽取的氣體流量可能小于或等于每分鐘75升，例如每分鐘50升。額外的抽取裝置300的氣體流量可以例如更高，這是因為它僅抽取小量的液體。例如，額外的抽取裝置300的氣體流量可以是大約每分鐘75升。期望氣刀足夠靠近開口 50，以橫過它們之間的空間產(chǎn)生壓力梯度。期望地，例如在流體處理結(jié)構(gòu)12的下面，沒有液體層(即液體薄膜)或液滴可以在其中積聚的滯留區(qū)。在一種實施例中，通過開口 50的氣體流量可以耦合至通過細(xì)長孔61的氣體流量， 如在2009年9月3日遞交的申請?zhí)枮镹o. US 61/239, 555的美國專利申請和公開號為 US2007-0030464的美國專利申請公開出版物中所描述的，通過引用將它們的全部內(nèi)容并入本文中。因此，氣體流量可以被從孔61基本上向內(nèi)地引導(dǎo)至開口 50。在通過開口 50和孔 61的氣體流量相同的情況下，所述流量可以被稱為“平衡的”。因為它將液體殘留物(例如薄膜)的厚度最小化，所以在沿著一個方向掃描時平衡的氣流可能是期望的。在一個實施例中，當(dāng)沿著第一方向掃描時，通過第一線中的開口 50和第二線中的孔61的氣體流量可以在流體處理結(jié)構(gòu)12的一側(cè)上被平衡，其中與流體處理結(jié)構(gòu)相對的表面行進(jìn)遠(yuǎn)離彎液面。在沿著相反的方向行進(jìn)時，氣刀60的氣體流量可以借助于通過第一線中的開口 50和額外的抽取裝置300的抽取氣體流量的總和進(jìn)行平衡。如此處的另外的地方所描述的，開口 50可以布置成形成任意的閉合的形狀，其可以包括在非限制性的列表中的，例如四邊形(諸如平行四邊形、菱形、長方形、正方形)或橢圓形，諸如圓形。在每一情形中，用于氣刀60的孔61可以具有與通過開口 50形成的形狀大致類似的形狀。在本發(fā)明的實施例中，細(xì)長開口可以設(shè)置在第一線中，替代多個開口 50， 用于從所述空間抽取液體到流體處理結(jié)構(gòu)中。由孔61形成的形狀和由一個或更多的開口 50形成的形狀的邊緣之間的間隔在上述的范圍內(nèi)。在一實施例中，期望地，所述間隔是恒定的。通常，應(yīng)當(dāng)理解，在一實施例中，流體處理結(jié)構(gòu)12的布置可以配置成確保額外的抽取裝置300的性能盡可能高或被最大化，即它在抽取靠近氣刀60的液體方面是有效的。 如上文討論的，這可以通過確保通過額外的抽取裝置300的抽取流體流量足夠高來實現(xiàn)。 可替代地或另外地，這可以通過確保額外的抽取裝置300盡可能靠近氣刀裝置60的孔61 的邊緣來實現(xiàn)?？商娲鼗蛄硗獾?，這可以通過確保通過氣刀裝置60的氣體流足夠高使得具有向外的(即在額外的抽取裝置300的方向上)徑向氣體流來實現(xiàn)。可替代地或另外地， 考慮到對流體處理結(jié)構(gòu)和光刻設(shè)備的操作的其它限制，即確保流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面 51盡可能地靠近襯底W和/或襯底臺WT的表面，這可以通過以盡可能低的飛行高度(fly height)操作流體處理結(jié)構(gòu)12來實現(xiàn)。圖10示意性地顯示流體處理結(jié)構(gòu)的一部分的橫截面，其是圖7中顯示的布置的拓展。在包含有液體的空間11與在流體處理結(jié)構(gòu)外部的部位(例如在流體處理結(jié)構(gòu)外部的周圍氣體環(huán)境中)之間的邊界處，一個或多個開口 50和孔61可以被以上述的方式布置。一個或多個開口 50可以布置在用于從所述空間抽取液體至流體處理結(jié)構(gòu)中的第一線中?？?61可以設(shè)置在第二線中，且被布置以形成氣刀裝置。來自氣刀的氣體可以朝向第一線中的開口 50推動液體。一個或更多的開口 71可以被設(shè)置在第三線中，或液滴線中，所述第三線或液滴線比第一和第二線更加遠(yuǎn)離浸沒液體。第二氣刀裝置由布置在第四線或液滴刀線中的孔72 形成。(在一種實施例中，孔72具有多個孔72)。第四線被布置成比第三線更遠(yuǎn)離包含浸沒液體的空間11。通過第二氣刀裝置的氣流可以主要地被向內(nèi)引導(dǎo)，使得大部分氣流穿過開口 71。在一種布置中，通過第二氣刀裝置的一個或更多的開口 71和孔72的氣流被平衡。這一布置的流體處理結(jié)構(gòu)包括與第一多個開口 50 —起操作的第一氣刀裝置。這一組合執(zhí)行對浸沒液體的主抽取。流體處理結(jié)構(gòu)具有與第三線的開口 71—起操作的第二氣刀裝置。一個或更多的開口以及相關(guān)的氣刀的額外的組合的設(shè)置已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)具有意料不到的益處。諸如在圖7中顯示的布置，其具有單個的氣刀裝置和單個相關(guān)列的開口，可以將液體的殘留物遺留到襯底W和/或襯底臺WT的表面上。液體殘留物可以成液體薄膜或多個液滴的形式。一段時間之后，薄膜可能破碎成多個液滴。所述液滴可以生長成更大的液滴，且可以變成大得不可接受。當(dāng)掃描速度超過正對表面的一部分的臨界掃描速度時，如在此處所說明的，可能會遺留液體殘留物。例如當(dāng)對于具有連續(xù)接觸角的表面的掃描速度增加超過對于所述表面的臨界掃描速度時，這可能會發(fā)生?？梢詫⒁后w殘留物遺留到表面的一部分的位置上，在該位置處，接觸角變化，使得對于所述部分的臨界掃描速度降低，因而即使掃描速度是恒定的，掃描速度也會超過臨界掃描速度。這樣的部分可以是特征的邊緣， 諸如襯底、遮蔽構(gòu)件、傳感器或傳感器目標(biāo)的邊緣(例如在液體彎液面經(jīng)過邊緣時)。在氣刀裝置通過至周圍氣體環(huán)境壓力的連接(例如通過連接至周圍氣體環(huán)境且位于氣刀裝置和開口 50、71之間的空間)而與該列開口 50、71解耦的布置中，可能發(fā)生另外的問題。液體可能在氣刀裝置和開口之間聚積，從而產(chǎn)生大的液滴。當(dāng)從襯底W和/或襯底臺WT相對于投影系統(tǒng)PS和流體處理結(jié)構(gòu)移動的方向變化時，這樣的大液滴可能會與浸沒液體的前進(jìn)彎液面碰撞。液滴與彎液面的碰撞可以導(dǎo)致氣體的夾雜，產(chǎn)生或大或小的氣泡。此外，由碰撞引起的彎液面的擾動也可以形成氣泡。氣泡的形成是不期望的。如在此處描述的布置可以幫助減少上述的或其它的問題中的一個或多個。在流體處理結(jié)構(gòu)中設(shè)置用于抽取的兩個氣刀裝置及其相關(guān)的開口，允許每一組合的過程控制參數(shù)的設(shè)置和/或設(shè)計被選擇用于每一個組合的特定目的，其可能是不同的。 從形成第一氣刀的第二線中的孔61流出的氣體流量可能小于形成從第二氣刀裝置的第四線中的孔72流出的氣體流量。在一布置中，可能期望第一氣刀裝置的氣體流量相對低，這是因為，如上所述，通過第一線中的多個開口 50的流是兩相的，具有相當(dāng)大量的液體。如果通過第二線中的孔 61和第一線中的多個開口 50的流量是不穩(wěn)定的兩相流機(jī)制(例如流量可能太高)，那么兩相流可能導(dǎo)致不期望的力的變化，例如振動。另一方面，流機(jī)制越穩(wěn)定，例如通過第二線中的孔61和/或第一線中的多個開口 50的流量越低，則在襯底W和/或襯底臺WT相對于投影系統(tǒng)PS和流體處理結(jié)構(gòu)的運(yùn)動的給定速度下，浸沒液體越過氣刀裝置的泄漏就越大。因此，在單一氣刀布置中的氣體流量實質(zhì)上是這兩個相沖突的要求之間的折衷。在流體處理結(jié)構(gòu)中設(shè)置第二氣刀裝置及其相關(guān)的抽取裝置，有利于使得能夠?qū)⒏偷牧髁坑糜诘谝粴獾堆b置。第二氣刀裝置可以用于移除超出第一氣刀裝置的液體的液滴。此外，通過第四線中的孔72和第三線中的一個或更多的開口 71的氣體流量可以相對高。這是因為所述流大部份是氣體。有利地，這一增加的流量改善了從襯底W和/或襯底臺WT的表面移除液體液滴的性能。在一種布置中，從形成第一氣刀裝置的第二線中的孔61流出的氣體流量可以小于或等于每分鐘100升，期望是小于或等于每分鐘75升，期望是約每分鐘50升或更小。在特殊的布置中，從用以形成第二氣刀裝置的第四線中的孔72流出的氣體流量可以大于或等于每分鐘60升，期望是大于或等于每分鐘100升，期望是約每分鐘125升或更大。
雖然諸如在圖10中顯示的布置可以有利地減小可能在第一線中的一個或更多的開口 50和第三線中的一個或更多的開口 71之間聚積的液體，但是它不可能消除這樣的液體的聚積。因此，如圖11中示意性地顯示的流體處理結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在本發(fā)明的實施例中。 如所顯示的，所述布置對應(yīng)于圖10中顯示的布置，但是包括與第一氣刀裝置60的細(xì)長孔61 相鄰的額外的抽取裝置300。如對于圖8中顯示的布置，額外的抽取裝置300可以防止大的液體液滴靠近第一氣刀裝置60聚積，尤其是在掉轉(zhuǎn)襯底臺WT和/或襯底W相對于流體處理結(jié)構(gòu)的掃描方向時。在上文關(guān)于圖8和10討論的布置的變形應(yīng)用至包括如在圖11中顯示的額外的抽取裝置300的布置?？刂破?3 (其可以與如上文討論的控制器63是同一控制器)被提供，以控制通過孔72的氣體的流量?？刂破?3還控制通過一個或更多的開口 71的氣體的流量?？刂破?3可以控制過壓源74 (例如泵)和/或負(fù)壓源75 (例如泵，可以與提供過壓的泵是同一泵)?？梢跃哂幸粋€或更多的適合的控制閥被連接至控制器73且由控制器73進(jìn)行控制，以便提供期望的流量?？刂破骺梢曰谟杀徊贾靡詼y量通過一個或更多的開口 71的流的一個或更多的兩相流量計、被布置以測量通過孔72的流的一個或更多的流量計或這兩種流量計提供的流量測量來控制閥。這樣的布置可以類似于與第一和第二線相關(guān)的流量部件的布置。控制器63、73中的一個或兩個可以配置成控制通過開口 50、302、71的氣體流量， 使其與相關(guān)的氣刀的氣體流量成比例。在一種實施例中，通過氣刀的氣體流量與通過相關(guān)的開口 50、302、71的總流量的差異達(dá)到20%或達(dá)到10%。在一種實施例中，通過開口 50、 302,71的氣體流量可以被控制成與通過相關(guān)的一個或更多的孔61、72的氣體流量匹配。在一種實施例中，通過第二氣刀的細(xì)長孔72的氣體流量可以與通過開口 71的氣體流量匹配， 例如基本上相同。類似地，通過第一氣刀60的細(xì)長孔61的氣體流量可以與通過第一氣刀 60的兩側(cè)或其中任一側(cè)上的一組或兩組開口 50、302的氣體流量匹配，如上文關(guān)于圖8中顯示的布置的描述所討論的。應(yīng)當(dāng)理解，圖8、9和11中顯示的本發(fā)明的實施例的布置可以包括多種變形。在一實施例中，控制器63、73可以控制兩個或其中任一個氣刀的激勵，使得當(dāng)它被需要或可能被需要時是起作用的?；蛘哒f，氣刀可以在適合的預(yù)定條件下被斷開。例如， 氣刀可以在掃描速度安全地低于臨界速度時被斷開，而在掃描速度上升高于或有可能高于正處于彎液面之下或接近彎液面的表面的臨界速度時被接通。例如，當(dāng)襯底的中心部分在流體處理結(jié)構(gòu)12的下面移動時，可以斷開所述氣刀中的一者或兩者。接觸角在襯底的這一部分上是恒定的，且對于所述部分的臨界掃描速度可以足夠高以至于它不被超過。在所述空間的彎液面移動越過例如襯底、傳感器、遮蔽構(gòu)件或傳感器目標(biāo)的邊緣之前、期間和/或之后，可以操作所述氣刀裝置中的一者或兩者。一個或更多的開口 71和孔72可以沿著第三和第四線布置，該第三和第四線通常可以跟在一個或更多的開口 50和孔61形成所沿著的第一和第二線后面。在一種實施例中， 由一個或更多的開口 71形成的形狀與由一個或更多的開口 50形成的形狀不同?？赡芷谕谌偷谒木€(例如在第一至第四線的實施例中)是平行的，使得在所述線之間具有恒定的間隔。在一實施例中，用于形成第二氣刀裝置的第四線中的孔72(在需要時)可以具有與相對于第二線中的孔61所描述的特征相同的特征。正如第一氣刀裝置的孔61，孔72可以形成為單個狹縫或多個細(xì)長的孔。第三線中的一個或更多的開口 71(在需要時)可以形成為單個細(xì)長的狹縫或多個細(xì)長的開口。在一實施例中，流體處理結(jié)構(gòu)的下表面51可以布置成使得所述下表面的外部51a 延伸遠(yuǎn)離第四線中的孔72。在圖11示出的實施例中，在流體處理結(jié)構(gòu)的下表面51中設(shè)置有凹陷80。凹陷80 可以設(shè)置在第二線和第三線之間的凹陷線或第五線中。在一種實施例中，凹陷80被布置成使得它平行于第一至第四線中的任一者，期望地至少平行于第二線、平行于第三線或平行于第二線與第三線兩者。凹陷80可以包括一個或更多的開口 81，所述開口通過氣體導(dǎo)管82連接至氣體環(huán)境(例如周圍氣體環(huán)境)，例如連接至流體處理結(jié)構(gòu)的外部的部位。凹陷80(期望地當(dāng)連接至外部氣體環(huán)境時)可以用于將第一氣刀裝置和第一線中的相關(guān)的一個或更多的開口 50 與第二氣刀裝置和第三線中的相關(guān)的一個或更多的開口 71進(jìn)行解耦。凹陷80將位于兩側(cè)的部件的操作解稱，使得凹陷的徑向內(nèi)側(cè)的特征與徑向外側(cè)的特征解耦。在凹陷80的兩側(cè)上，可能具有流體處理結(jié)構(gòu)的下表面51的各自的部分51b、51c。 各自的部分51b、51c可以分別地將凹陷80的邊緣與第二線中的孔61和第三線中的一個或更多的開口 71的邊緣分離。(注意到因為所述線穿過開口的橫截面的中心，所以孔61和一個或更多的開口 71的這些邊緣不是第二線和第三線；因此邊緣與所述線分開。)在凹陷80 的兩側(cè)上的流體處理結(jié)構(gòu)的下表面51的部分51b、51c可以與襯底W和/或襯底臺WT的表面一起起到各自的阻尼器的作用。這樣的阻尼器可以幫助確保來自第一和第二氣刀的氣流流向各自的開口 50、71。在一實施例中，表面51b、51c中的一個或兩個可以用作阻尼器。為了幫助減少在凹陷80內(nèi)收集液體的可能性，凹陷可以設(shè)置成沒有尖銳邊緣的形狀。所述表面可以被平滑地圓化。因為液體可以容易收集，所以尖銳邊緣是不被期望的。 例如，凹陷80的形狀可以配置成使得在凹陷上的表面周圍的任何點處的最小曲率半徑是至少0. Imm,期望地大于0. 2mm。在一實施例中，流體處理結(jié)構(gòu)可以包括在流體處理結(jié)構(gòu)的下表面51中的一個或更多的開口，所述開口通過氣體導(dǎo)管連接至氣體環(huán)境(諸如周圍氣體環(huán)境)，例如連接至流體處理結(jié)構(gòu)外部的部位。例如，連接至氣體環(huán)境的這樣的開口可以被設(shè)置至不包含諸如上文所描述的凹陷的實施例中。這樣的布置可以被用于將第一氣刀及第一線中的相關(guān)的一個或更多的開口 50與第二氣刀裝置及第三線中的相關(guān)的一個或更多的開口 71解耦。如上文所述，可能不期望在流體處理結(jié)構(gòu)的下表面51上收集液體，尤其是在第二線中的孔61與第三線中的一個或更多的開口 71之間。當(dāng)襯底W和襯底臺WT相對于流體處理結(jié)構(gòu)和投影系統(tǒng)的相對移動的方向改變時，所收集的液體可能導(dǎo)致問題。在一實施例中，包括此處描述的流體處理結(jié)構(gòu)的光刻設(shè)備可以包括控制器PWC，該控制器PWC被布置成控制定位裝置PW的致動器系統(tǒng)，該致動器系統(tǒng)配置成移動襯底臺WT和保持在襯底臺WT上的襯底W?？刂破鱌WC可以配置成使得如果襯底臺WT相對于投影系統(tǒng)PS的速度高于特定速度，那么采用步驟，用于減少上文所述的可能由所收集的液體導(dǎo)致的問題?？梢赃x擇速度，以對應(yīng)于第一氣刀裝置例如相對于正對表面的一部分的臨界速度，或略小于這一臨界速度。該臨界速度可以認(rèn)為是襯底臺WT相對于投影系統(tǒng)PS的速度，在該速度下通過氣刀的浸沒液體泄漏(例如沿徑向向外地)超過給定量。應(yīng)當(dāng)理解，這樣的臨界速度可以依賴于氣刀裝置的配置、氣刀裝置的氣體流量和/或在該位置處的襯底和/或襯底臺WT的表面的屬性。襯底臺WT相對于投影系統(tǒng)PS的速度可能高于所述給定速度?？赡苄枰淖円r底臺相對于投影系統(tǒng)的移動的方向。在一實施例中，控制器PWC配置成使得如果所述速度高于給定速度且需要改變襯底臺的移動的方向，那么控制器PWC首先將襯底臺相對于投影系統(tǒng)PS的速度減少至低于所述給定速度。之后控制器PWC可以開始改變方向。因此，在高于例如第一氣刀裝置的臨界速度的情況下，方向改變不會發(fā)生，從而最小化或減緩由在第一和第二氣刀裝置之間可以收集到的浸沒液體造成的問題。圖12顯示出根據(jù)本發(fā)明的一實施例的流體處理結(jié)構(gòu)。如圖所示，該實施例的流體處理結(jié)構(gòu)類似于圖11顯示的流體處理結(jié)構(gòu)。然而，在該實施例中，沒有設(shè)置連接至氣體環(huán)境的凹陷。替代地，流體處理結(jié)構(gòu)的下表面51在形成第一氣刀裝置的孔61和第三線中的一個或更多的開口 71之間是連續(xù)的?；蛘哒f，在該部位處，在流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面51 中沒有開口或孔。在這一實施例中，通過第二線中的孔61的氣流可以與通過第一線中的一個或更多的開口 50的氣流和通過額外的抽取裝置300的氣流相平衡。通過第四線中的孔72的氣流可以與通過第三線中的一個或更多的開口 71的氣流相平衡。因此，不需要對在下表面51 的徑向內(nèi)側(cè)和徑向外側(cè)的這些布置進(jìn)行解耦。因此，有利的是，不需要圖11中的凹陷80，這減小了在第二線中的孔61和第三線中的一個或更多的開口 71之間的空間中收集液體的可能性，或減少了在該部位中收集的液體的量。在這種情形中，在第二線中的孔61和第三線中的一個或更多的開口 71之間的間隔可以從Imm至4mm的范圍選擇，例如2mm。圖13顯示出根據(jù)本發(fā)明的一實施例的流體處理結(jié)構(gòu)。如圖所示，這一實施例的流體處理結(jié)構(gòu)類似于圖11顯示的流體處理結(jié)構(gòu)。為了簡潔起見，將討論實施例之間的差別， 且應(yīng)當(dāng)理解，關(guān)于圖11中顯示的實施例的在上文描述的變形還可以應(yīng)用至圖13顯示的實施例中。如圖13所示，流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面151可以布置成使得在使用中，所述下表面151的不同的部分151 a、15 Ib、151 c和襯底W和/或襯底臺WT的上表面之間的間隔是不相同的。在所述的實施例中，在第一線中的開口 50的部位中的下表面151的部分151c、第二線中的氣刀裝置60的孔61以及額外的抽取裝置的開口 302與襯底W和/或襯底臺WT 之間具有間隔D2。鄰近第三線中的一個或更多的開口 71和第四線中的孔72的下表面的部分151a、151b與襯底和/或襯底臺WT之間可以具有間隔D3。間隔D2可以大于間隔D3。這與圖11顯示的實施例不同，在圖11中，流體處理結(jié)構(gòu)的下表面51總體上是平面的。除了在第一線至第四線中的開口 50、302、71和孔61、72 以及凹陷80的設(shè)置之外，下表面可以是平面的。因此，對于圖11的實施例，圍繞在第一線至第四線中的開口 50、302、71和孔61、72的下表面51的每一部分距離襯底W和/或襯底臺WT的上表面的間隔是大致相同的。在另一實施例中，間隔D3可以大于間隔D2。因為各種因素影響流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面151與襯底W和/或襯底臺WT的上表面之間的優(yōu)化的間隔，所以諸如在圖13中顯示的布置，即在正對表面和下表面151之間具有不同的距離的布置，可能是有利的。例如，可能期望圍繞第一線中的一個或更多的開口 50的流體處理結(jié)構(gòu)的下表面151與襯底W和/或襯底臺WT的上表面之間的間隔盡可能地大。這可能減少或最小化當(dāng)液滴與彎液面碰撞時形成氣泡的可能性。例如在襯底W和/或襯底臺WT的掃描方向變化期間，可能出現(xiàn)這種情形。然而，可能期望最小化在用于形成第二氣刀的第四線中的孔72周圍的流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面151與襯底W和/或襯底臺WT的上表面之間的間隔。例如，間隔越小，為提供有效的干燥，可能需要的流量就越低和/或可能使得孔72越寬。因此，流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面151可以布置成使得在第一線周圍的下表面151 與襯底W和/或襯底臺WT的上表面的間隔不同于在第四線周圍的下表面151與襯底W和/ 或襯底臺WT的上表面的間隔。因此，可以改善流體處理結(jié)構(gòu)的兩個部分的性能，而不是將在下表面151的所有部分與襯底W和/或襯底臺WT的上表面之間的間隔選擇成單一的或基本上恒定的。這可以避免在兩個相沖突的要求之間進(jìn)行折衷的需要。在一實施例中，本發(fā)明的任意實施例的流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面51、151、251與襯底W和/或襯底臺WT的上表面之間的間隔可以從50 μ m至250 μ m的范圍選擇。在諸如在圖13中所顯示的一實施例中，在第一線中的一個或更多的開口 50周圍的下表面151與襯底W和/或襯底臺WT的上表面之間的間隔D2可以從130 μ m至250 μ m 的范圍選擇，或從180μπι至250μπι的范圍選擇，期望地大約是230μπι。在諸如在圖13中所顯示的一實施例中，在鄰近用于形成第二氣刀的第四線中的孔72的下表面151與襯底W 和/或襯底臺WT的上表面之間的間隔D3可以從50 μ m至180 μ m的范圍選擇，期望地大約是 130 μ m。然而，應(yīng)當(dāng)理解，流體處理結(jié)構(gòu)的下表面151的不同部分與襯底W和/或襯底臺WT 的上表面之間的優(yōu)化的間隔可以依賴于襯底W和/或襯底臺WT的上表面的屬性。例如，相關(guān)的因素以非限制性的方式列舉如下與液體所成的后退接觸角、襯底W和/或襯底臺WT 的掃描速度和至少一個氣刀裝置的流量。如此處所指出的，可能期望優(yōu)化，例如最大化在第一線中的一個或更多的開口 50 周圍的下表面151與襯底W和/或襯底臺WT的上表面之間的間隔D2。然而，還應(yīng)當(dāng)理解， 可能存在最大的實際間隔。在超過可以使用的優(yōu)化的(例如最大的)實際間隔的情況下， 液體的泄漏可能過大。如圖13所示，在第二線中的孔61 (用于形成第一氣刀60)和額外的抽取裝置300 的開口 302周圍的流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面151與襯底W和/或襯底臺WT的上表面的間隔可以同在第一線中的一個或更多的開口 50周圍的下表面151與襯底W和/或襯底臺WT 的上表面之間的間隔相同。然而，應(yīng)當(dāng)理解，這不是必須的。如圖13所示，鄰近第四線中孔72 (用于形成第二氣刀)的流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面151與襯底W和/或襯底臺WT的上表面之間的間隔可以與鄰近第三線中的一個或更多的開口 71的流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面151與襯底W和/或襯底臺WT的上表面之間的間隔相同。因此，這樣的布置可以允許鄰近第三線中的一個或更多的開口 71的流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面151與襯底W和/或襯底臺WT的上表面151之間的間隔被減小，例如最小化。這可以幫助確保抽取是盡可能有效的。然而，這不是必須的。
圖14示出了根據(jù)本發(fā)明的一實施例的流體處理結(jié)構(gòu)12。如圖所示，流體處理結(jié)構(gòu) 12類似于圖12中顯示的流體處理結(jié)構(gòu)12。本實施例的流體處理結(jié)構(gòu)不包含凹陷80。然而，本實施例與圖12中顯示的實施例的流體處理結(jié)構(gòu)之間的差別類似于圖13和10中顯示的流體處理結(jié)構(gòu)之間的差別。流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面251的不同部分251a、251b、251c可以被布置成使得至少一個部分在使用中與襯底W和/或襯底臺WT的上表面具有不同的間隔。鄰近一個或更多的開口 50的流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面251與正對表面的上表面之間的間隔D2可以大于鄰近孔72的流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面251與正對表面的上表面之間的間隔D3。例如將關(guān)于圖12和13顯示的實施例的在此處描述的每一變形應(yīng)用至圖14顯示的實施例中。在圖14顯示的實施例中，流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面251可以被布置成使得襯底 W和/或襯底臺WT的上表面與所述下表面251之間的間隔的差異在孔61和一個或更多的開口 71之間的區(qū)域中變化。下表面251和正對表面之間的間隔可以在第二線和第三線之間變化。所述間隔可以從第二線至第三線變化，例如降低。然而，通?？梢栽谝粋€或更多的開口 51和孔72之間的任意區(qū)域或所有區(qū)域中提供所述間隔的變化。在所述下表面251和所述正對表面之間的間隔可以在第一線和第四線之間變化，例如降低。應(yīng)當(dāng)理解，如上文所述，流體處理結(jié)構(gòu)12的下表面251可以布置成使得在可能聚積液體的位置處沒有尖銳的角。所述下表面在第一線和第二線之間、第二線和第三線之間、 第三線和第四線之間以及相鄰線之間的表面的任何組合之間可以是基本上連續(xù)的。流體處理結(jié)構(gòu)的下表面251可以被布置成使得在所述表面上的任何點處的最小曲率半徑是至少 0. Imm,期望是大于0. 2mm。雖然已經(jīng)對一個或更多的開口 50、302、71的使用進(jìn)行了表述，在基于此處描述的任意變形的實施例中所述開口作為兩相抽取器操作，但是在第一或第四線或額外的抽取裝置300中的一個或更多的開口可以被多孔構(gòu)件或微篩替代，例如在公開號為No. US 2006-0038968的美國專利公開出版物中所描述的，在此處通過引用將其全部內(nèi)容并入本文中。每一多孔構(gòu)件可以操作，以在單相或兩相流體流中抽取液體。在一實施例中，可以徑向向內(nèi)地引導(dǎo)氣流，但是替代地，如果通過多孔構(gòu)件進(jìn)行抽取，那么可以通過位于氣體供給孔和多孔構(gòu)件之間的氣體抽取開口抽取氣流。在這樣的實施例中，氣流通過氣刀裝置幫助減少在正對表面上遺留下的殘留液體。因此，本發(fā)明的一實施例可以被實施成這樣的布置，從而實現(xiàn)與通過上文描述的實施例所實現(xiàn)的類似的有益效果。應(yīng)當(dāng)理解，上述的任何特征可以結(jié)合任何其它特征一起使用，且不僅是覆蓋在本申請中的被清楚地描述的這些組合。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在IC(集成電路)的器件制造中，但是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以在制造具有微米尺度、甚至納米尺度的特征的部件方面有其他的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器 (LCD)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。 這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有約365、248、193、157或126nm的波長)。在允許的情況下，術(shù)語“透鏡”可以指的是不同類型的光學(xué)部件中的任何一個或組合，包括折射式的和反射式的光學(xué)部件。在下文通過下述的方面對本發(fā)明的實施例進(jìn)行了描述方面1 一種用于光刻設(shè)備的流體處理結(jié)構(gòu)，所述流體處理結(jié)構(gòu)在從配置成包含浸沒流體的空間至在所述流體處理結(jié)構(gòu)外部的部位的邊界上依次具有布置在第一線中的細(xì)長開口或多個開口，其在使用中被弓I導(dǎo)朝向襯底和/或配置成支撐所述襯底的襯底臺；氣刀裝置，所述氣刀裝置具有在第二線中的細(xì)長孔；和與所述氣刀裝置相鄰的細(xì)長開口或多個開口。方面2:根據(jù)方面1所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述第一和第二線圍繞配置成包含所述浸沒流體的所述空間；與所述氣刀裝置相鄰的所述細(xì)長開口或多個開口被沿著所述氣刀裝置的長度設(shè)置；和在所述第一線、第二線以及與所述氣刀裝置相鄰的所述細(xì)長開口或多個開口之間的各自的間隔在配置成包含所述浸沒流體的所述空間附近的所有位置處是大致相同的。方面3:根據(jù)方面1或2所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中與所述氣刀裝置相鄰的細(xì)長開口或多個開口和所述氣刀裝置的細(xì)長孔的最靠近的邊緣的間隔是從0. 25mm至0. 75mm的范圍選出，期望是0. 5mm。方面4:根據(jù)方面1至3中任一方面所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中與所述氣刀裝置相鄰的開口是細(xì)長開口。方面5:根據(jù)方面4所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中與所述氣刀裝置相鄰的開口的寬度從 30μπι至200μπι的范圍，或從ΙΟΟμ 至150 μ m的范圍選出。方面6:根據(jù)方面4或5所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中與所述氣刀裝置相鄰的開口的最靠近所述氣刀裝置的邊緣以相對于所述流體處理結(jié)構(gòu)的表面的傾斜的角度設(shè)置，所述流體處理結(jié)構(gòu)的所述表面位于所述第一和第二線之間和超過與所述氣刀裝置相鄰的開口的位置，使得與所述氣刀相鄰的開口的寬度隨著與所述表面的距離的增加而減小。方面7:根據(jù)方面6所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中與所述氣刀裝置相鄰的開口的邊緣相對于所述流體處理結(jié)構(gòu)的表面的角度是從10°至60°，或從10°至45°的范圍選出，或期望是 20°。方面8:
根據(jù)方面1至7中任一方面所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述與所述氣刀裝置相鄰的開口由多孔材料覆蓋。方面9:根據(jù)方面1至8中任一方面所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述第一線中的細(xì)長開口或多個開口同與所述氣刀裝置相鄰的細(xì)長開口或多個開口是用于氣體和/或液體進(jìn)入到所述流體處理結(jié)構(gòu)的通道的入口。方面10 根據(jù)方面1至9中的任一方面所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述第一線中的細(xì)長開口或多個開口在使用中連接至負(fù)壓源，且與所述氣刀裝置相鄰的細(xì)長開口或多個開口在使用中連接至負(fù)壓源。方面11:根據(jù)方面10所述的流體處理結(jié)構(gòu)，還包括控制器，所述控制器被連接至或可連接至與所述第一線中的細(xì)長開口或多個開口相連的所述負(fù)壓源和/或被連接至或可連接至同與所述氣刀相鄰的細(xì)長開口或多個開口相連的所述負(fù)壓源，所述控制器配置成控制所述至少一個負(fù)壓源，使得通過所述第一線中的細(xì)長開口或多個開口和/或與所述氣刀裝置相鄰的細(xì)長開口或多個開口的氣體流量被設(shè)置成使得在使用中來自在具有所述第二線中的細(xì)長孔的氣刀裝置的氣流基本上垂直于所述第一和第二線之間的流體處理結(jié)構(gòu)的所述表面。方面12:根據(jù)方面1至11中任一方面所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中除具有在所述第二線中的細(xì)長孔的氣刀裝置相鄰的所述細(xì)長開口或多個開口之外，所述流體處理結(jié)構(gòu)還在所述邊界處依次具有在第三線中的細(xì)長開口或多個開口 ；和具有在第四線中的細(xì)長孔的第二氣刀裝置。方面13:根據(jù)方面12所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述第一至第四線依次圍繞配置成包含所述浸沒流體的空間，且所述各自的線之間的間隔在配置成包含所述浸沒流體的空間周圍的所有位置處是大致相同的。方面14:根據(jù)方面12或13所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述第三線中的細(xì)長開口或多個開口是用于氣體和/或液體進(jìn)入到所述流體處理結(jié)構(gòu)的通道的入口。方面15 根據(jù)方面12至14中任一方面所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中在所述第三線中的所述細(xì)長開口或多個開口在使用中連接至負(fù)壓源，且所述流體處理結(jié)構(gòu)還包括控制器，所述控制器被連接至或可連接至所述負(fù)壓源，所述控制器配置成控制所述負(fù)壓源，使得通過所述第三線中的細(xì)長開口或多個開口的氣體流量大于或等于從用于形成所述氣刀的所述第四線中的孔流出的氣體流量。方面16 根據(jù)方面12至15中任一方面所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述第二和第四線中的孔在使用中連接至氣體供給裝置，且所述流體處理結(jié)構(gòu)還包括被連接至或可連接至所述氣體供給裝置的控制器，所述控制器配置成控制所述氣體供給裝置，使得從用以形成所述氣刀的所述第四線中的孔流出的氣體流量大于從用以形成所述氣刀的所述第二線中的孔流出的氣體流量。方面17 根據(jù)方面12至16中任一方面所述的流體處理結(jié)構(gòu)，還包括下表面，所述下表面在使用中大致平行于所述襯底和/或配置成支撐所述襯底的襯底臺的上表面，且在所述第一線至第四線中的開口和孔形成在下表面中。方面18 根據(jù)方面17所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中在使用中，所述第一線至第四線中的開口和孔周圍的下表面的區(qū)域與所述襯底和/或襯底臺的上表面的間隔是大致相同的。方面19 根據(jù)方面17所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中在使用中，第一線中的細(xì)長開口或多個開口周圍的下表面的區(qū)域與所述襯底和/或襯底臺的上表面的間隔大于所述第四線中的孔周圍的下表面的區(qū)域與所述襯底和/或襯底臺的上表面的間隔。方面20:根據(jù)方面17至19中任一方面所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述流體處理結(jié)構(gòu)包括在所述下表面中布置在第二線和第三之間的第五線中的凹陷。方面21:根據(jù)方面20所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述凹陷包括至少一個開口，所述開口通過氣體導(dǎo)管連接至在所述流體處理結(jié)構(gòu)外部的部位。方面22:一種用于光刻設(shè)備的流體處理結(jié)構(gòu)，所述流體處理結(jié)構(gòu)在從在使用中浸沒液體被限制的空間至在所述流體處理結(jié)構(gòu)外部的部位的邊界上依次具有用于抽取流體且布置在第一線中的細(xì)長開口或多個開口，其在使用中被引導(dǎo)朝向例如襯底和/或配置成支撐所述襯底的襯底臺的正對表面；在第二線中的用于氣刀的細(xì)長孔；用于抽取液體的且靠近用于所述氣刀裝置的細(xì)長孔所形成的細(xì)長開口或多個開□。方面23:根據(jù)方面22所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述第一線中的細(xì)長開口或多個開口用于釘扎所述空間中的浸沒液體的彎液面。方面一種光刻設(shè)備，包括根據(jù)前述的方面中的任一方面所述的流體處理結(jié)構(gòu)。方面25 一種器件制造方法，所述方法包括步驟提供浸沒液體至所述投影系統(tǒng)的最終元件與襯底和/或配置成支撐所述襯底的襯底臺之間的空間；通過布置在第一線中的細(xì)長開口或多個開口從所述投影系統(tǒng)的最終元件與所述襯底和/或襯底臺之間回收浸沒液體；借助于通過形成氣刀的第二線中的孔供給氣體，朝向所述第一線中的所述細(xì)長開口或多個開口推進(jìn)浸沒液體；通過與所述氣刀相鄰的且在所述氣刀的與所述第一線中的細(xì)長開口或多個開口相反側(cè)上的細(xì)長開口或多個開口來抽取氣體和剩余的浸沒液體。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施例，但應(yīng)該認(rèn)識到，本發(fā)明可以以與上述不同的方式來實現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的一個或更多的機(jī)器可讀指令序列的計算機(jī)程序的形式，或具有存儲其中的這樣的計算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)的形式。另外，機(jī)器可讀指令可以內(nèi)嵌于兩個或更多的計算機(jī)程序中。兩個或更多的計算機(jī)程序可以被儲存在一個或更多的不同的存儲器和/或數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中。在一個或更多的計算機(jī)程序被位于光刻設(shè)備的至少一個部件中的一個或更多的計算機(jī)處理器讀取時，此處所描述的控制器中的每個或它們的組合是可操作的。控制器中的每個或它們的組合可以具有任何適合的配置，用于接收、處理和發(fā)送信號。一個或更多的處理器配置成與所述控制器中的至少一個通信。例如，每個控制器可以包括一個或更多的處理器，用于執(zhí)行包括用于上文描述的方法的機(jī)器可讀指令的計算機(jī)程序?？刂破骺梢园ㄓ糜诖鎯@樣的計算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)和/或容納這樣的介質(zhì)的硬件。因此控制器可以根據(jù)一個或更多的計算機(jī)程序中的機(jī)器可讀指令操作。本發(fā)明的一個或更多的實施例可以應(yīng)用到任何浸沒式光刻設(shè)備，尤其是但不限于上面提到的那些類型的光刻設(shè)備，而且不論浸沒液體是否以浴器的形式提供，或僅在襯底的局部表面區(qū)域上提供，或是非限制的。在非限制的布置中，浸沒液體可以在所述襯底臺和 /或襯底的表面上流動，使得基本上襯底臺和/或襯底的整個未覆蓋的表面都被浸濕。在這種非限制浸沒系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng)可以不限制浸沒流體，或者其可以提供一定比例的浸沒液體限制，但不是基本上完全地對浸沒液體進(jìn)行限制。這里提到的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該被廣義地解釋。在某些實施例中，液體供給系統(tǒng)可以是一種機(jī)構(gòu)或多個結(jié)構(gòu)的組合，其提供液體到投影系統(tǒng)與襯底和/或襯底臺之間的空間。液體供給系統(tǒng)可以包括一個或更多的結(jié)構(gòu)、一個或更多的流體開口的組合，所述一個或更多的流體開口包括一個或更多的液體開口、一個或更多的氣體開口、或用于兩相流的一個或更多的開口。每個開口可以是進(jìn)入浸沒空間的入口(或從流體處理結(jié)構(gòu)流出的出口) 或從浸沒空間流出的出口(或進(jìn)入流體處理結(jié)構(gòu)的入口)。在一實施例中，所述空間的表面可以是襯底和/或襯底臺的一部分，或者所述空間的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺的表面，或者所述空間可以包圍襯底和/或襯底臺。所述液體供給系統(tǒng)可以可選地進(jìn)一步包括用于控制液體的位置、數(shù)量、品質(zhì)、形狀、流量或其它任何特征的一個或更多的元件。在一實施例中，浸沒液體可以是水。以上描述旨在進(jìn)行說明，而不是限制性的。因而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解， 在不背離所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍的前提下可以對所描述的本發(fā)明進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1.一種用于光刻設(shè)備的流體處理結(jié)構(gòu)，所述流體處理結(jié)構(gòu)在從配置成包含浸沒流體的空間至在所述流體處理結(jié)構(gòu)外部的部位的邊界上依次具有布置在第一線中的細(xì)長開口或多個開口，其在使用中被引導(dǎo)朝向襯底和/或配置成支撐所述襯底的襯底臺；氣刀裝置，所述氣刀裝置具有在第二線中的細(xì)長孔；和與所述氣刀裝置相鄰的細(xì)長開口或多個開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述第一和第二線圍繞配置成包含所述浸沒流體的空間；與所述氣刀裝置相鄰的所述細(xì)長開口或多個開口被沿著所述氣刀裝置的長度設(shè)置；和在所述第一線、第二線以及與所述氣刀裝置相鄰的所述細(xì)長開口或多個開口之間的各自的間隔在配置成包含所述浸沒流體的空間周圍的所有位置處是大致相同的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中與所述氣刀裝置相鄰的開口是細(xì)長開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中與所述氣刀裝置相鄰的開口的最靠近所述氣刀裝置的邊緣以相對于所述流體處理結(jié)構(gòu)的表面傾斜的角度設(shè)置，所述流體處理結(jié)構(gòu)的所述表面在所述第一和第二線之間和超過與所述氣刀裝置相鄰的開口的位置，使得與所述氣刀相鄰的開口的寬度隨著與所述表面的距離的增加而減小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述與所述氣刀裝置相鄰的開口由多孔材料覆蓋。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述第一線中的細(xì)長開口或多個開口以及與所述氣刀裝置相鄰的細(xì)長開口或多個開口是用于氣體和/或液體進(jìn)入到所述流體處理結(jié)構(gòu)的通道的入口。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述第一線中的細(xì)長開口或多個開口在使用中連接至負(fù)壓源，且與所述氣刀裝置相鄰的細(xì)長開口或多個開口在使用中連接至負(fù)壓源。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的流體處理結(jié)構(gòu)，還包括控制器，所述控制器被連接至或可連接至與所述第一線中的細(xì)長開口或多個開口相連的所述負(fù)壓源和/或被連接至或可連接至同與所述氣刀相鄰的細(xì)長開口或多個開口相連的所述負(fù)壓源，所述控制器配置成控制所述至少一個負(fù)壓源，使得通過所述第一線中的細(xì)長開口或多個開口和/或與所述氣刀裝置相鄰的細(xì)長開口或多個開口的氣體流量被設(shè)置成使得在使用中來自在具有所述第二線中的細(xì)長孔的氣刀裝置的氣流基本上垂直于所述第一和第二線之間的流體處理結(jié)構(gòu)的所述表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中除具有在所述第二線中的細(xì)長孔的氣刀裝置相鄰的所述細(xì)長開口或多個開口之外，所述流體處理結(jié)構(gòu)還在所述邊界處依次具有在第三線中的細(xì)長開口或多個開口 ；和具有在第四線中的細(xì)長孔的第二氣刀裝置，其中所述第一至第四線依次圍繞配置成包含所述浸沒流體的空間，和所述各自的線之間的間隔在配置成包含所述浸沒流體的空間周圍的所有位置處是大致相同的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中在所述第三線中的所述細(xì)長開口或多個開口在使用中連接至負(fù)壓源，且所述流體處理結(jié)構(gòu)還包括控制器，所述控制器被連接至或可連接至所述負(fù)壓源，所述控制器配置成控制所述負(fù)壓源，使得通過所述第三線中的細(xì)長開口或多個開口的氣體流量大于或等于從用于形成所述氣刀的所述第四線中的孔流出的氣體流量。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述第二和第四線中的孔在使用中連接至氣體供給裝置，且所述流體處理結(jié)構(gòu)還包括被連接至或可連接至所述氣體供給裝置的控制器，所述控制器配置成控制所述氣體供給裝置，使得從用以形成所述氣刀的所述第四線中的孔流出的氣體流量大于從用以形成所述氣刀的所述第二線中的孔流出的氣體流量。
12.一種用于光刻設(shè)備的流體處理結(jié)構(gòu)，所述流體處理結(jié)構(gòu)在從在使用中浸沒液體被限制的空間至在所述流體處理結(jié)構(gòu)外部的部位的邊界上依次具有用于抽取流體且布置在第一線中的細(xì)長開口或多個開口，其在使用中被引導(dǎo)朝向例如襯底和/或配置成支撐所述襯底的襯底臺的面對表面；在第二線中的用于氣刀的細(xì)長孔；用于抽取液體的且鄰近用于所述氣刀裝置的細(xì)長孔所形成的細(xì)長開口或多個開口。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的流體處理結(jié)構(gòu)，其中所述第一線中的細(xì)長開口或多個開口用于釘扎所述空間中的浸沒液體的彎液面。
14.一種光刻設(shè)備，包括根據(jù)前述的權(quán)利要求中的任一項所述的流體處理結(jié)構(gòu)。
15.一種器件制造方法，所述方法包括步驟提供浸沒液體至所述投影系統(tǒng)的最終元件與襯底和/或配置成支撐所述襯底的襯底臺之間的空間；通過布置在第一線中的細(xì)長開口或多個開口從所述投影系統(tǒng)的最終元件與所述襯底和/或襯底臺之間回收浸沒液體；通過形成氣刀的第二線中的孔供給氣體，朝向所述第一線中的所述細(xì)長開口或多個開口推進(jìn)浸沒液體；通過與所述氣刀相鄰的且在所述氣刀的與所述第一線中的細(xì)長開口或多個開口相反側(cè)上的細(xì)長開口或多個開口來抽取氣體和剩余的浸沒液體。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種流體處理結(jié)構(gòu)、光刻設(shè)備和器件制造方法。所述流體處理結(jié)構(gòu)用于光刻設(shè)備，所述流體處理結(jié)構(gòu)在從配置成包含浸沒流體的空間至在所述流體處理結(jié)構(gòu)外部的部位的邊界上依次具有布置在第一線中的細(xì)長開口或多個開口，其在使用中被引導(dǎo)朝向襯底和/或配置成支撐所述襯底的襯底臺；氣刀裝置，所述氣刀裝置具有在第二線中的細(xì)長孔；和與所述氣刀裝置相鄰的細(xì)長開口或多個開口。
文檔編號G03F7/20GK102236264SQ20111009663
公開日2011年11月9日 申請日期2011年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月22日
發(fā)明者F·伊凡吉里斯塔, M·瑞鵬, P·M·M·里布萊格特斯, R·H·M·考蒂 申請人:Asml荷蘭有限公司