專利名稱：樹(shù)脂介電層及其材料的制備方法、液晶面板及顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種樹(shù)脂介電層及其材料的制備方法、液晶面板及顯示器件。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，通常需要經(jīng)過(guò)多次沉積工藝以形成不同的膜層。例如，涉及半導(dǎo)體制造過(guò)程的印刷電路板的制造過(guò)程、以及薄膜晶體管液晶顯示器的液晶面板的制造過(guò)程等，均需要經(jīng)過(guò)多次的沉積工藝。以液晶面板為例而言，薄膜晶體管液晶顯示器的液晶面板包括陣列基板和彩膜基板，在薄膜晶體管液晶顯示器的制程中可以分別單獨(dú)制作陣列基板和彩膜基板，然后再將陣列基板和彩膜基板對(duì)盒并填充液晶，以形成液晶面板。其中，在陣列基板的制造過(guò)程中， 可以通過(guò)多次構(gòu)圖工藝(構(gòu)圖工藝中包括沉積工藝)，在空白基板上依次形成柵線、薄膜晶體管的柵極；柵絕緣層；垂直于所述柵線的數(shù)據(jù)線，以及薄膜晶體管的有源層、源極、漏極和溝道；鈍化層；像素電極；等。其中，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述薄膜晶體管和像素電極形成在所述像素區(qū)域內(nèi)，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接。但是目前像素電極所在的層和數(shù)據(jù)線所在的層之間僅設(shè)有一層用于絕緣的鈍化層，該鈍化層通常由SiNx等材料制成，其介電常數(shù)較高，因此使得在像素電極和數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生較強(qiáng)的電容效應(yīng)，該較強(qiáng)的電容效應(yīng)容易在像素電極和數(shù)據(jù)線之間引發(fā)不良。類似地，在其他產(chǎn)品的不同膜層之間，通常也會(huì)由于該不同膜層之間的膜層的介電常數(shù)較高而引發(fā)各種不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種樹(shù)脂介電層及其材料的制備方法、液晶面板及顯示器件，以提高降低的介電常數(shù)。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種樹(shù)脂介電層材料的制備方法，包括步驟11，合成單體樹(shù)脂；步驟12，將合成的單體樹(shù)脂添加到有機(jī)溶劑中，攪拌使合成的單體樹(shù)脂在有機(jī)溶劑中溶解，以制得樹(shù)脂介電層材料。一種樹(shù)脂介電層的制備方法，包括步驟21，在基板上涂覆如上所述的方法制備的樹(shù)脂介電層材料，形成樹(shù)脂介電層
薄膜；步驟22，對(duì)樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，形成樹(shù)脂介電層。一種液晶面板，包括對(duì)盒的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹(shù)脂介電層，所述樹(shù)脂介電層由如上所述的方法制備的樹(shù)脂介電層材料制成。一種液晶顯示器件，包括殼體，所述殼體內(nèi)設(shè)有液晶面板,所述液晶面板包括對(duì)盒的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹(shù)脂介電層，所述樹(shù)脂介電層由如上所述的方法制備的樹(shù)脂介電層材料制成。本發(fā)明實(shí)施例提供的樹(shù)脂介電層及其材料的制備方法、液晶面板及顯示器件，由于樹(shù)脂本身的介電常數(shù)較低，因此能夠在不同的膜層之間提供降低的介電常數(shù)，并進(jìn)而可以減少由于不同膜層之間的膜層的介電常數(shù)較高而引發(fā)各種不良。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實(shí)施例樹(shù)脂介電層材料制備方法的示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例樹(shù)脂介電層制備方法的示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例液晶面板中陣列基板的不意圖；圖3a為圖3中A3-A3方向的截面圖。附圖標(biāo)記I-基板，2-柵線，5-數(shù)據(jù)線，7-樹(shù)脂介電層，8-像素電極，10-公共電極，11-薄膜晶體管，Ila-柵極、I Ib-源極、I Ic-漏極。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例樹(shù)脂介電層及其材料的制備方法、液晶面板及顯示器件進(jìn)行詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。如圖I所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種樹(shù)脂介電層材料的制備方法，所述方法包括步驟11，合成單體樹(shù)脂；步驟12，將合成的單體樹(shù)脂添加到有機(jī)溶劑中，攪拌使合成的 單體樹(shù)脂在有機(jī)溶劑中溶解，以制得樹(shù)脂介電層材料。本發(fā)明實(shí)施例提供的樹(shù)脂介電層材料的制備方法，由于樹(shù)脂本身的介電常數(shù)較低，因此能夠在不同的膜層之間提供降低的介電常數(shù)，并進(jìn)而可以減少由于不同膜層之間的膜層的介電常數(shù)較高而引發(fā)各種不良。
需要說(shuō)明的是，所述的樹(shù)脂介電層材料可以包括正性感光樹(shù)脂介電層材料、負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料、以及非感光樹(shù)脂介電層材料。其中正性感光樹(shù)脂介電層材料和負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料可以統(tǒng)稱為感光樹(shù)脂介電層材料，感光樹(shù)脂介電層材料可以直接進(jìn)行曝光顯影從而完成刻蝕操作，而非感光樹(shù)脂介電層材料則需要借助于光刻膠才能夠完成刻蝕操作。正性感光樹(shù)脂介電層材料和負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料的區(qū)別在于，正性感光樹(shù)脂介電層材料受到光照后，被曝光的部分可 以被顯影液移除，未曝光的部分不會(huì)被顯影液移除；負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料受到光照后，被曝光的部分不會(huì)被顯影液移除，而未曝光的部分則能夠被顯影液移除。此外，正性感光樹(shù)脂介電層材料本身含有顏色，需要利用紫外線對(duì)其進(jìn)行曝光，從而將正性感光樹(shù)脂介電層材料的顏色去掉。負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料和非感光樹(shù)脂介電層材料本身不含有顏色，不需要利用紫外線對(duì)其進(jìn)行曝光以將顏色去掉。下面結(jié)合具體的實(shí)施例I至實(shí)施例3來(lái)分別說(shuō)明正性感光樹(shù)脂介電層材料、負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料、以及非感光樹(shù)脂介電層材料的制備方法。 實(shí)施例I，制備正性感光樹(shù)脂介電層材料，該方法包括步驟11，合成單體樹(shù)脂；可以使用現(xiàn)有技術(shù)中已知的方法來(lái)合成樹(shù)脂單體。對(duì)于正性感光樹(shù)脂介電層材料的制備而言，所述單體樹(shù)脂包括聚甲基丙烯酸甲酯(俗稱亞克力)或聚合氯化鋁(PAC)。步驟12，將合成的單體樹(shù)脂添加到有機(jī)溶劑中，攪拌使合成的單體樹(shù)脂在有機(jī)溶劑中溶解，以制得樹(shù)脂介電層材料。在該步驟中，將合成的單體樹(shù)脂添加到有機(jī)溶劑中時(shí)，還將感光劑添加到有機(jī)溶劑中，并攪拌以使合成的單體樹(shù)脂和感光劑均溶解在有機(jī)溶劑中。將合成的單體樹(shù)脂和感光劑添加到有機(jī)溶劑中沒(méi)有順序之分，也可以將二者同時(shí)添加。其中，所添加的感光劑為正性感光劑。所述有機(jī)溶劑包括丙二醇甲醚丙酸酯(PGMEA)、聚氧乙烯蓖麻油(EL)、丙二醇甲醚(PGME)或乙醇，所使用的有機(jī)溶劑可以是上述有機(jī)溶劑中的一種或幾種的混合。在后續(xù)的工序中，可以將在這里所制得的正性感光樹(shù)脂介電層材料涂覆在基板上，以形成正性感光樹(shù)脂介電層。這里，根據(jù)涂覆的方式不同，正性感光樹(shù)脂介電層材料中各組分的配比也不相同。例如，當(dāng)使用旋轉(zhuǎn)涂覆的方式(即spin方式)時(shí)，制得的正性感光樹(shù)脂介電層材料中包括重量比為20% 40%的單體樹(shù)脂、重量比為3% 5%的感光劑、以及重量比為55% 77%的有機(jī)溶劑。當(dāng)使用刮涂的方式(即slit方式)時(shí)，制得的正性感光樹(shù)脂介電層材料中包括重量比為10% 30%的單體樹(shù)脂、重量比為3% 5%的感光劑、以及重量比為65% 87%的有機(jī)溶劑。步驟13，對(duì)制得樹(shù)脂介電層材料進(jìn)行過(guò)濾；過(guò)濾的目的在于去除正性感光樹(shù)脂介電層材料中沒(méi)有完全溶解的組分、以及其他的外界雜質(zhì)等。首先可以進(jìn)行粗過(guò)濾，然后再利用2微米的濾芯進(jìn)行精過(guò)濾，從而獲得較為純凈的正性感光樹(shù)脂介電層材料。步驟14，將過(guò)濾后的樹(shù)脂介電層材料密封，并在-15°C以下的環(huán)境中冷藏保存。實(shí)施例2，制備負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料，該方法包括 步驟11，合成單體樹(shù)脂；
可以使用現(xiàn)有技術(shù)中已知的方法來(lái)合成樹(shù)脂單體。對(duì)于負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料的制備而言，所述單體樹(shù)脂包括丙烯酸酯(Acrylatemonomers)。步驟12，將合成的單體樹(shù)脂添加到有機(jī)溶劑中，攪拌使合成的單體樹(shù)脂在有機(jī)溶劑中溶解，以制得樹(shù)脂介電層材料。
與實(shí)施例I中類似，在該步驟中，將合成的單體樹(shù)脂添加到有機(jī)溶劑中時(shí)，還將感光劑添加到有機(jī)溶劑中，并攪拌以使合成的單體樹(shù)脂和感光劑均溶解在有機(jī)溶劑中。將合成的單體樹(shù)脂和感光劑添加到有機(jī)溶劑中沒(méi)有順序之分，也可以將二者同時(shí)添加。其中，所添加的感光劑為負(fù)性感光劑。所述有機(jī)溶劑包括丙二醇甲醚丙酸酯(PGMEA)、聚氧乙烯蓖麻油(EL)、丙二醇甲醚(PGME)或乙醇，所使用的有機(jī)溶劑可以是上述有機(jī)溶劑中的一種或幾種的混合。在后續(xù)的工序中，可以將在這里所制得的負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料涂覆在基板上，以形成負(fù)性感光樹(shù)脂介電層。這里，根據(jù)涂覆的方式不同，負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料中各組分的配比也不相同。例如，當(dāng)使用旋轉(zhuǎn)涂覆的方式(即spin方式)時(shí)，制得的負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料中包括重量比為20% 40%的單體樹(shù)脂、重量比為3% 5%的感光劑、以及重量比為55% 77%的有機(jī)溶劑。當(dāng)使用刮涂的方式(即slit方式)時(shí)，制得的負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料中包括重量比為10% 30%的單體樹(shù)脂、重量比為3% 5%的感光劑、以及重量比為65% 87%的有機(jī)溶劑。步驟13，對(duì)制得樹(shù)脂介電層材料進(jìn)行過(guò)濾；類似地，過(guò)濾的目的在于去除負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料中沒(méi)有完全溶解的組分、以及其他的外界雜質(zhì)等。首先可以進(jìn)行粗過(guò)濾，然后再利用2微米的濾芯進(jìn)行精過(guò)濾，從而獲得較為純凈的負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料。步驟14，將過(guò)濾后的樹(shù)脂介電層材料密封，并在-15°C以下的環(huán)境中冷藏保存。實(shí)施例3，制備非感光樹(shù)脂介電層材料，該方法包括步驟11，合成單體樹(shù)脂；可以使用現(xiàn)有技術(shù)中已知的方法來(lái)合成樹(shù)脂單體。對(duì)于非感光樹(shù)脂介電層材料的制備而言，所述單體樹(shù)脂包括2-甲氧基-I-甲基乙基醋酸或苯基硅氧烷聚合物。步驟12，將合成的單體樹(shù)脂添加到有機(jī)溶劑中，攪拌使合成的單體樹(shù)脂在有機(jī)溶劑中溶解，以制得樹(shù)脂介電層材料。所述有機(jī)溶劑包括丙二醇甲醚丙酸酯(PGMEA)、聚氧乙烯蓖麻油(EL)、丙二醇甲醚(PGME)或乙醇，所使用的有機(jī)溶劑可以是上述有機(jī)溶劑中的一種或幾種的混合。在后續(xù)的工序中，可以將在這里所制得的非感光樹(shù)脂介電層材料涂覆在基板上，以形成非感光樹(shù)脂介電層。這里，根據(jù)涂覆的方式不同，非感光樹(shù)脂介電層材料中各組分的配比也不相同。例如，當(dāng)使用旋轉(zhuǎn)涂覆的方式(即spin方式)時(shí)，制得的非感光樹(shù)脂介電層材料中包括重量比為30% 50%的單體樹(shù)脂、重量比為50% 70%的有機(jī)溶劑。當(dāng)使用刮涂的方式(即slit方式)時(shí)，制得的非感光樹(shù)脂介電層材料中包括重量比為20% 40%的單體樹(shù)脂、重量比為60% 80%的有機(jī)溶劑。步驟13，對(duì)制得樹(shù)脂介電層材料進(jìn)行過(guò)濾；類似地，過(guò)濾的目的在于去除非感光樹(shù)脂介電層材料中沒(méi)有完全溶解的組分、以及其他的外界雜質(zhì)等。首先可以進(jìn)行粗過(guò)濾，然后再利用2微米的濾芯進(jìn)行精過(guò)濾，從而獲得較為純凈的非感光樹(shù)脂介電層材料。步驟14，將過(guò)濾后的樹(shù)脂介電層材料密封，并在-15°C以下的環(huán)境中冷藏保存。除此之外，如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種樹(shù)脂介電層的制備方法，所述方法包括步驟21，在基板上涂覆如上所述的方法制備的樹(shù)脂介電層材料，形成樹(shù)脂介電層薄膜；步驟22，對(duì)樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，形成樹(shù)脂介電層。本發(fā)明實(shí)施例提供的樹(shù)脂介電層的制備方法，由于樹(shù)脂本身的介電常數(shù)較低，因此能夠在不同的膜層之間提供降低的介電常數(shù)，并進(jìn)而可以減少由于不同膜層之間的膜層的介電常數(shù)較高而引發(fā)各種不良。與上述樹(shù)脂介電層材料的制備方法類似，下面結(jié)合具體的實(shí)施例4至實(shí)施例6來(lái)分別說(shuō)明正性感光樹(shù)脂介電層、負(fù)性感光樹(shù)脂介電層、以及非感光樹(shù)脂介電層的制備方法實(shí)施例4，制備正性感光樹(shù)脂介電層，該方法包括
步驟20，向基板表面施加六甲基二硅亞胺，基板表面與六甲基二硅亞胺反應(yīng)，使得基板表面具有疏水特性，便于粘附樹(shù)脂介電層材料；需要明確地是，對(duì)于不同的產(chǎn)品而言，或者對(duì)于產(chǎn)品的不同制作階段而言，向基板表面施加六甲基二硅亞胺可以理解為向空白的基板表面施加六甲基二硅亞胺，也可以理解為向已經(jīng)制作有膜層的基板表面施加六甲基二硅亞胺，其中所施加的六甲基二硅亞胺可以為氣體形態(tài)。例如在陣列基板的制作過(guò)程中，可以理解為向形成有鈍化層的基板表面施加六甲基二硅亞胺。其中，六甲基二硅亞胺(HMDS)可以作為增粘劑使用，其與基板表面反應(yīng)后使基板表面具有疏水特性，從而適于粘附油性物質(zhì)，如樹(shù)脂介電層材料。為提高步驟21中涂覆的正性感光樹(shù)脂介電層材料的粘附性，并節(jié)省單件工時(shí)，可以在高溫環(huán)境下短時(shí)間地向基板表面施加六甲基二硅亞胺，如在120°C左右的溫度下。步驟21，在基板上涂覆實(shí)施例I中制備的正性感光樹(shù)脂介電層材料，形成樹(shù)脂介電層薄膜；由于在后續(xù)的步驟22中進(jìn)行熱固化時(shí)，將會(huì)有較多的氣體從正性感光樹(shù)脂薄膜中逸出而使樹(shù)脂介電層的厚度減薄，因此可以將正性感光樹(shù)脂介電層薄膜的厚度制作得較厚，例如3微米以上，以減小厚度減薄之后對(duì)正性感光樹(shù)脂介電層薄膜整體均勻性的影響。此外,還可以增加正性感光樹(shù)脂介電層材料中感光劑的含量,例如使感光劑的含量增加到其上限值，以降低有機(jī)溶劑的含量，避免較多的氣體逸出，從而提高正性感光樹(shù)脂薄膜的熱穩(wěn)定性。步驟31、對(duì)樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行預(yù)烘焙；該步驟是為步驟32做準(zhǔn)備的，正性感光樹(shù)脂介電層薄膜在預(yù)烘焙之后可以產(chǎn)生預(yù)固化現(xiàn)象，提高粘附性，有利于步驟32中曝光顯影操作的進(jìn)行。需要注意的是，在預(yù)烘焙過(guò)程中，如果溫度較高，則會(huì)使正性感光樹(shù)脂介電層薄膜產(chǎn)生提前固化現(xiàn)象，并導(dǎo)致其顏色發(fā)黃；如果溫度過(guò)低，又會(huì)影響粘附性，因此本實(shí)施例中選擇在90°C 100°C的溫度下對(duì)正性感光樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行預(yù)烘焙，以兼顧防止顏色發(fā)黃和提高粘附性兩方面的考慮。步驟32、對(duì)預(yù)烘焙后的樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行曝光顯影，樹(shù)脂介電層薄膜的完全去掉的區(qū)域?qū)?yīng)于不需要保留樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域，樹(shù)脂介電層薄膜的半保留區(qū)域?qū)?yīng)于需要保留部分樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域，樹(shù)脂介電層薄膜的完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于不需要去除樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域；
需要說(shuō)明的是，步驟32為可選步驟。當(dāng)需要通過(guò)構(gòu)圖工藝在正性感光樹(shù)脂介電層薄膜中制作相應(yīng)的圖形時(shí)可以選擇該步驟，否則可以省略該步驟。對(duì)于正性感光樹(shù)脂介電層薄膜而言，其受到光照后，被曝光的部分可以被顯影液移除，未曝光的部分不會(huì)被顯影液移除。在該步驟中，由于正性感光樹(shù)脂介電層薄膜的厚度較大，因此其需要較大的曝光量，而在產(chǎn)線生產(chǎn)中，該較大的曝光量使得其加工時(shí)間延長(zhǎng)，因此降低了產(chǎn)能。為避免產(chǎn)能降低，則可以在后面的顯影過(guò)程中加快速度，因此這就要求縮短顯影的時(shí)間并提高顯影液的濃度。但是顯影液濃度的提高又容易使顯影液滲透到正性感光樹(shù)脂介電層薄膜的下部，從而影響正性感光樹(shù)脂介電層薄膜的粘附性。因此為兼顧二者，在該步驟中，對(duì)預(yù)烘焙后的樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行顯影的持續(xù)時(shí)間為70秒 200秒，所使用的顯影液濃度為2% 4%。
步驟33，對(duì)曝光顯影后的正性感光樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行265納米的紫外光照射；正性感光樹(shù)脂介電層薄膜本身含有顏色，使用265納米的紫外光(IUV)對(duì)其照射后可以去除顏色。步驟22，對(duì)樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，形成樹(shù)脂介電層。即，形成正性感光樹(shù)脂介電層。實(shí)施例5，制備負(fù)性感光樹(shù)脂介電層，該方法包括步驟20，向基板表面施加六甲基二硅亞胺，基板表面與六甲基二硅亞胺反應(yīng)，使得基板表面具有疏水特性，便于粘附樹(shù)脂介電層材料；需要明確地是，對(duì)于不同的產(chǎn)品而言，或者對(duì)于產(chǎn)品的不同制作階段而言，向基板表面施加六甲基二硅亞胺可以理解為向空白的基板表面施加六甲基二硅亞胺，也可以理解為向已經(jīng)制作有膜層的基板表面施加六甲基二硅亞胺，其中所施加的六甲基二硅亞胺可以為氣體形態(tài)。例如在陣列基板的制作過(guò)程中，可以理解為向形成有鈍化層的基板表面施加六甲基二硅亞胺。其中，六甲基二硅亞胺(HMDS)可以作為增粘劑使用，其與基板表面反應(yīng)后使基板表面具有疏水特性，從而適于粘附油性物質(zhì)，如樹(shù)脂介電層材料。為提高步驟21中涂覆的負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料的粘附性，并節(jié)省單件工時(shí)，可以在高溫環(huán)境下短時(shí)間地向基板表面施加六甲基二硅亞胺，如在120°C左右的溫度下。步驟21，在基板上涂覆實(shí)施例2中制備的負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料，形成樹(shù)脂介電層薄膜；由于在后續(xù)的步驟22中進(jìn)行熱固化時(shí)，將會(huì)有較多的氣體從負(fù)性感光樹(shù)脂薄膜中逸出而使樹(shù)脂介電層的厚度減薄，因此可以將負(fù)性感光樹(shù)脂介電層薄膜的厚度制作得較厚，例如3微米以上，以減小厚度減薄之后對(duì)負(fù)性感光樹(shù)脂介電層薄膜整體均勻性的影響。此外，還可以增加負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料中感光劑的含量，例如使感光劑的含量增加到其上限值，以降低有機(jī)溶劑的含量，避免較多的氣體逸出，從而提高負(fù)性感光樹(shù)脂薄膜的熱穩(wěn)定性。步驟31、對(duì)樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行預(yù)烘焙；該步驟是為步驟32做準(zhǔn)備的，負(fù)性感光樹(shù)脂介電層薄膜在預(yù)烘焙之后可以產(chǎn)生預(yù)固化現(xiàn)象，提高粘附性，有利于步驟32中曝光顯影操作的進(jìn)行。需要注意的是，在預(yù)烘焙過(guò)程中，如果溫度較高，則會(huì)使負(fù)性感光樹(shù)脂介電層薄膜產(chǎn)生提前固化現(xiàn)象，并導(dǎo)致其顏色發(fā)黃；如果溫度過(guò)低，又會(huì)影響粘附性，因此本實(shí)施例中選擇在90°C 100°C的溫度下對(duì)負(fù)性感光樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行預(yù)烘焙，以兼顧防止顏色發(fā)黃和提高粘附性兩方面的考慮。步驟32、對(duì)預(yù)烘焙后的樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行曝光顯影，樹(shù)脂介電層薄膜的完全去掉的區(qū)域?qū)?yīng)于不需要保留樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域，樹(shù)脂介電層薄膜的半保留區(qū)域?qū)?yīng)于需要保留部分樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域，樹(shù)脂介電層薄膜的完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于不需要去除樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域；需要說(shuō)明的是，步驟32為可選步驟。當(dāng)需要通過(guò)構(gòu)圖工藝在負(fù)性感光樹(shù)脂介電層薄膜中制作相應(yīng)的圖形時(shí)可以選擇該步驟，否則可以省略該步驟。對(duì)于負(fù)性感光樹(shù)脂介電層薄膜而言，其受到光照后，未曝光的部分可以被顯影液移除，曝光的部分不會(huì)被顯影液移除。在該步驟中，由于負(fù)性感光樹(shù)脂介電層薄膜的厚度較大，因此其需要較大的曝光量，而在產(chǎn)線生產(chǎn)中，該較大的曝光量使得其加工時(shí)間延長(zhǎng)，因此降低了產(chǎn)能。為避免產(chǎn)能降低，則可以在后面的顯影過(guò)程中加快速度，因此這就要求縮短顯影的時(shí)間并提高顯影液的濃度。但是顯影液濃度的提高又容易使顯影液滲透到負(fù)性感光樹(shù)脂介電層薄膜的下部，從而影響負(fù)性感光樹(shù)脂介電層薄膜的粘附性。因此為兼顧二者，在該步驟中，對(duì)預(yù)烘焙后的樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行顯影的持續(xù)時(shí)間為70秒 200秒，所使用的顯影液濃度為2% 4%。步驟22，對(duì)樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，形成樹(shù)脂介電層。即，形成負(fù)性感光樹(shù)脂介電層。實(shí)施例6，制備非感光樹(shù)脂介電層，該方法包括步驟20，向基板表面施加六甲基二硅亞胺，基板表面與六甲基二硅亞胺反應(yīng)，使得基板表面具有疏水特性，便于粘附樹(shù)脂介電層材料；需要明確地是，對(duì)于不同的產(chǎn)品而言，或者對(duì)于產(chǎn)品的不同制作階段而言，向基板表面施加六甲基二硅亞胺可以理解為向空白的基板表面施加六甲基二硅亞胺，也可以理解為向已經(jīng)制作有膜層的基板表面施加六甲基二硅亞胺，其中所施加的六甲基二硅亞胺可以為氣體形態(tài)。例如在陣列基板的制作過(guò)程中，可以理解為向形成有鈍化層的基板表面施加六甲基二硅亞胺。其中，六甲基二硅亞胺(HMDS)可以作為增粘劑使用，其與基板表面反應(yīng)后使基板表面具有疏水特性，從而適于粘附油性物質(zhì)，如樹(shù)脂介電層材料。為提高步驟21中涂覆的非感光樹(shù)脂介電層材料的粘附性，并節(jié)省單件工時(shí)，可以在高溫環(huán)境下短時(shí)間地向基板表面施加六甲基二硅亞胺，如在120°C左右的溫度下。步驟21，在基板上涂覆實(shí)施例3中制備的非感光樹(shù)脂介電層材料，形成樹(shù)脂介電
層薄膜；由于在后續(xù)的步驟22中進(jìn)行熱固化時(shí)，氣體從非感光樹(shù)脂薄膜中逸出現(xiàn)象較為輕微，因此可以將非感光樹(shù)脂介電層薄膜的厚度制作得較薄，例如2 3微米左右。步驟21'，在100°C 120°C的溫度下對(duì)非感光樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行預(yù)烘焙；非感光樹(shù)脂介電層薄膜在預(yù)烘焙之后可以產(chǎn)生預(yù)固化現(xiàn)象，提高粘附性，有利于步驟23中光刻膠的涂覆。需要注意的是，在預(yù)烘焙過(guò)程中，如果溫度較高，則會(huì)使非感光樹(shù) 脂介電層薄膜產(chǎn)生提前固化現(xiàn)象，并導(dǎo)致其顏色發(fā)黃；如果溫度過(guò)低，又會(huì)影響粘附性，因此本實(shí)施例中選擇在100°C 120°C的溫度下對(duì)非感光樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行預(yù)烘焙，以兼顧防止顏色發(fā)黃和提高粘附性兩方面的考慮。步驟22，對(duì)樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，形成樹(shù)脂介電層；
即，形成非感光樹(shù)脂介電層。步驟22'，對(duì)樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行165納米的紫外光照射；由于在非感光樹(shù)脂介電層薄膜熱固化后，其自身的粘附性仍然較低，在步驟23中不容易粘附光刻膠。因此除對(duì)非感光樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行預(yù)烘焙以提高其粘附性之外，還可以使用165納米的紫外光(EUV)進(jìn)行照射，以提高其粘附性。步驟23，在熱固化后的樹(shù)脂介電層薄膜上涂覆光刻膠；步驟24，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，光刻膠的完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于不需要保留樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域，光刻膠的半保留區(qū)域?qū)?yīng)于需要保留部分樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域，光刻膠的完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于不需要去除樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域；步驟25，刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的樹(shù)脂介電層薄膜和鈍化層薄膜，并進(jìn)行光刻膠的灰化，刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域處的部分樹(shù)脂介電層薄膜。上述步驟23-25為可選步驟。當(dāng)需要通過(guò)構(gòu)圖工藝在非感光樹(shù)脂介電層薄膜中制作相應(yīng)的圖形時(shí)可以選擇這些步驟，否則可以省略這些步驟。除此之外，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種液晶面板。下面參照?qǐng)D3和圖3a來(lái)說(shuō)明本實(shí)施例中液晶面板的結(jié)構(gòu)。所述液晶面板包括對(duì)盒的陣列基板和彩膜基板。其中，圖3所示為陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3a所示為圖I中A3-A3方向的截面圖。所述陣列基板包括基板1，基板I上設(shè)有柵線2，垂直于柵線2設(shè)有數(shù)據(jù)線5，柵線2和數(shù)據(jù)線5之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管11和像素電極8，薄膜晶體管11的柵極Ila與柵線2連接、源極Ilb與數(shù)據(jù)線5連接、漏極Ilc與像素電極8連接，其中像素電極8所在的層與數(shù)據(jù)線5所在的層之間設(shè)有樹(shù)脂介電層7，樹(shù)脂介電層7由如上所述的方法制備的樹(shù)脂介電層材料制成。本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶面板，在像素電極8所在的層與數(shù)據(jù)線5所在的層之間設(shè)有樹(shù)脂介電層7，由于樹(shù)脂本身的介電常數(shù)較低，因此樹(shù)脂介電層7可以有效減小像素電極8和數(shù)據(jù)線5之間的電容效應(yīng)，這樣可以將像素電極8和數(shù)據(jù)線5設(shè)計(jì)得更加接近一些，從而增大了像素電極8所占用的區(qū)域，提高了像素開(kāi)口率。此外，可以在陣列基板上設(shè)置公共電極10，以便在像素電極8和公共電極10之間形成電場(chǎng)。一般而言，在陣列基板上設(shè)置公共電極10時(shí)，可以使公共電極10所在的層與像素電極8所在的層相鄰絕緣地設(shè)置，例如如圖3a所示，可以將公共電極10所在的層相鄰絕緣地設(shè)置在像素電極8所在的層的上方。該公共電極10的設(shè)置結(jié)構(gòu)與AD-SDS顯示模式下公共電極的設(shè)置結(jié)構(gòu)相同。高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)技術(shù)(Advanced-SuperDimensional Switching ;簡(jiǎn)稱AD_SDS)通過(guò)同一平面內(nèi)像素電極或公共電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場(chǎng)以及像素電極與公共電極間產(chǎn)生的縱向電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)像素電極或公共電極之間、像素電極或公共電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)技術(shù)可以提高TFT-IXD畫(huà)面品質(zhì)，具有高透過(guò)率、寬視 角、高開(kāi)口率、低色差、低響應(yīng)時(shí)間、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)波紋等優(yōu)點(diǎn)。其中，為使公共電極10和像素電極8相鄰絕緣地設(shè)置，可以在公共電極10所在的層與像素電極8所在的層之間設(shè)有像素電極絕緣層9。
需要說(shuō)明的是，在將公共電極10所在的層相鄰絕緣地設(shè)置在像素電極8所在的層的上方時(shí)，由于在數(shù)據(jù)線5上加載的用于顯示圖像的灰度電壓，可以在數(shù)據(jù)線5和公共電極10之間產(chǎn)生邏輯功耗，該邏輯功耗加大了整個(gè)液晶顯示面板的耗電量。尤其是目前對(duì)分辨率的要求越來(lái)越高，陣列基板上的布線越來(lái)越多，從而導(dǎo)致公共電極10與數(shù)據(jù)線5的疊加密度越來(lái)越大，造成了極大的邏輯功耗。而本實(shí)施例中，在像素電極8所在的層和數(shù)據(jù)線5所在的層之間設(shè)有樹(shù)脂介電層7，即相當(dāng)于在公共電極10所在的層和數(shù)據(jù)線5所在的層之間設(shè)有樹(shù)脂介電層7，由于樹(shù)脂本身的介電常數(shù)較低，因此樹(shù)脂介電層7可以大幅度減小公共電極10和數(shù)據(jù)線5之間產(chǎn)生的邏輯功耗，從而減小整個(gè)液晶面板的耗電量。尤其是在當(dāng)前液晶顯示面板的分辨率越來(lái)越高，陣列基 板上的布線密度加大，使得液晶面板的耗電量急劇加大的情況下，使用樹(shù)脂介電層7可以避免液晶面板的耗電量急劇加大。因此，通過(guò)使用樹(shù)脂介電層7，可以在不增加邏輯功耗的情況下提高陣列基板上的布線密度，實(shí)現(xiàn)了真正意義上的高分辨率?；蛘?，在陣列基板上設(shè)置公共電極10時(shí)，也可以使公共電極10與柵線2同層設(shè)置。該公共電極10的設(shè)置結(jié)構(gòu)與TN顯示模式下公共電極的設(shè)置結(jié)構(gòu)相同。此外，本實(shí)施例中樹(shù)脂介電層7的透過(guò)率可以達(dá)到92%以上，而陣列基板中鈍化層(主要由SiNx材料制成)的透過(guò)率只有88%或以下，所以本實(shí)施例中應(yīng)用樹(shù)脂介電層7可以提高陣列基板的透過(guò)率。此外，本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種液晶顯示器件。所述液晶顯示器件包括殼體，所述殼體內(nèi)設(shè)有液晶面板，所述液晶面板包括對(duì)盒的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹(shù)脂介電層，所述樹(shù)脂介電層由如上所述的方法制備的樹(shù)脂介電層材料制成。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中液晶顯示器件的液晶面板的結(jié)構(gòu)和功能與液晶面板實(shí)施例中液晶面板的結(jié)構(gòu)和功能相同，因此能夠解決相同的技術(shù)問(wèn)題，達(dá)到相同的預(yù)期效果。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種樹(shù)脂介電層材料的制備方法，其特征在于，包括 步驟11，合成單體樹(shù)脂； 步驟12，將合成的單體樹(shù)脂添加到有機(jī)溶劑中，攪拌使合成的單體樹(shù)脂在有機(jī)溶劑中溶解，以制得樹(shù)脂介電層材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的樹(shù)脂介電層材料的制備方法，其特征在于，所述步驟12中在將合成的單體樹(shù)脂添加到有機(jī)溶劑中時(shí)，還將感光劑添加到有機(jī)溶劑中，并攪拌以使合成的單體樹(shù)脂和感光劑均溶解在有機(jī)溶劑中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的樹(shù)脂介電層材料的制備方法，其特征在于，所述樹(shù)脂介電層材料包括正性感光樹(shù)脂介電層材料、負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料和非感光樹(shù)脂介電層材料； 制備正性感光樹(shù)脂介電層材料時(shí)，所述單體樹(shù)脂包括聚甲基丙烯酸甲酯或聚合氯化招; 制備負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料時(shí)，所述單體樹(shù)脂包括丙烯酸酯； 制備非感光樹(shù)脂介電層材料時(shí)，所述單體樹(shù)脂包括2_甲氧基-I-甲基乙基醋酸或苯基硅氧烷聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的樹(shù)脂介電層材料的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑包括丙二醇甲醚丙酸酯、聚氧乙烯蓖麻油、丙二醇甲醚或乙醇。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的樹(shù)脂介電層材料的制備方法，其特征在于，應(yīng)用旋轉(zhuǎn)涂覆方式涂覆樹(shù)脂介電層材料時(shí)，制得的正性感光樹(shù)脂介電層材料或負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料中包括重量比為20% 40%的單體樹(shù)脂、重量比為3% 5%的感光劑、重量比為55% 77%的有機(jī)溶劑，制得的非感光樹(shù)脂介電層材料中包括重量比為30% 50%的單體樹(shù)月旨、重量比為50% 70%的有機(jī)溶劑；或， 應(yīng)用刮涂方式涂覆樹(shù)脂介電層材料時(shí)，制得的正性感光樹(shù)脂介電層材料或負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料中包括重量比為10% 30%的單體樹(shù)脂、重量比為3% 5%的感光劑、重量比為65 % 87 %的有機(jī)溶劑，制得的非感光樹(shù)脂介電層材料中包括重量比為20 % 40%的單體樹(shù)脂、重量比為60% 80%的有機(jī)溶劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的樹(shù)脂介電層材料的制備方法，其特征在于，在所述步驟12之后，還包括 步驟13，對(duì)制得樹(shù)脂介電層材料進(jìn)行過(guò)濾； 步驟14，將過(guò)濾后的樹(shù)脂介電層材料密封，并在_15°C以下的環(huán)境中冷藏保存。
7.—種樹(shù)脂介電層的制備方法,其特征在于,包括 步驟21，在基板上涂覆如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的方法制備的樹(shù)脂介電層材料，形成樹(shù)脂介電層薄膜； 步驟22，對(duì)樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，形成樹(shù)脂介電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的樹(shù)脂介電層的制備方法，其特征在于，在所述步驟21之前，所述方法還包括 步驟20，向基板表面上涂覆施加六甲基二硅亞胺，基板表面與六甲基二硅亞胺反應(yīng)薄膜；，使得基板表面變?yōu)榫哂惺杷匦?，，便于?shù)脂材料的粘附樹(shù)脂介電層材料.。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的樹(shù)脂介電層的制備方法，其特征在于，當(dāng)所述樹(shù)脂介電層由正性感光樹(shù)脂介電層材料或負(fù)性感光樹(shù)脂介電層材料制成時(shí)，在所述步驟21之后且在所述步驟22之前，所述方法還包括 步驟31、對(duì)樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行預(yù)烘焙； 步驟32、對(duì)預(yù)烘焙后的樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行曝光顯影，樹(shù)脂介電層薄膜的完全去掉的區(qū)域?qū)?yīng)于不需要保留樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域，樹(shù)脂介電層薄膜的半保留區(qū)域?qū)?yīng)于需要保留部分樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域，樹(shù)脂介電層薄膜的完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于不需要去除樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的樹(shù)脂介電層的制備方法，其特征在于，所述步驟31中，在90°C 100°C的溫度下對(duì)正性感光樹(shù)脂介電層薄膜或負(fù)性感光樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行預(yù)烘小立m。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的樹(shù)脂介電層的制備方法，其特征在于，所述步驟32中，對(duì)預(yù)烘焙后的樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行顯影的持續(xù)時(shí)間為70秒 200秒，所使用的顯影液濃度為2% 4%。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的樹(shù)脂介電層的制備方法，其特征在于，當(dāng)所述樹(shù)脂介電層由正性感光樹(shù)脂介電層材料制成時(shí)，在所述步驟32之后且在所述步驟22之前，所述方法還包括 步驟33，對(duì)曝光顯影后的正性感光樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行265納米的紫外光照射。
13.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的樹(shù)脂介電層的制備方法，其特征在于，當(dāng)所述樹(shù)脂介電層由非感光樹(shù)脂介電層材料制成時(shí)，在所述步驟22之后，所述方法還包括 步驟23，在熱固化后的樹(shù)脂介電層薄膜上涂覆光刻膠； 步驟24，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，光刻膠的完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于不需要保留樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域，光刻膠的半保留區(qū)域?qū)?yīng)于需要保留部分樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域，光刻膠的完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于不需要去除樹(shù)脂介電層薄膜的區(qū)域； 步驟25，刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的樹(shù)脂介電層薄膜和鈍化層薄膜，并進(jìn)行光刻膠的灰化，刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域處的部分樹(shù)脂介電層薄膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的樹(shù)脂介電層的制備方法，其特征在于，在所述步驟22之后且在所述步驟23之前，所述方法還包括 步驟22'，對(duì)樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行165納米的紫外光照射。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的樹(shù)脂介電層的制備方法，其特征在于，在所述步驟21之后且在所述步驟22之前，所述方法還包括 步驟21'，在100°C 120°C的溫度下對(duì)非感光樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行預(yù)烘焙。
16.一種液晶面板，包括對(duì)盒的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，其特征在于，所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹(shù)脂介電層，所述樹(shù)脂介電層由如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的方法制備的樹(shù)脂介電層材料制成。
17.一種液晶顯示器件，包括殼體，所述殼體內(nèi)設(shè)有液晶面板，所述液晶面板包括對(duì)盒的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，其特征在于，所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹(shù)脂 介電層，所述樹(shù)脂介電層由如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的方法制備的樹(shù)脂介電層材料制成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種樹(shù)脂介電層及其材料的制備方法、液晶面板及顯示器件，涉及制造技術(shù)領(lǐng)域，為提供降低的介電常數(shù)而發(fā)明。所述樹(shù)脂介電層材料的制備方法包括步驟11，合成單體樹(shù)脂；步驟12，將合成的單體樹(shù)脂添加到有機(jī)溶劑中，攪拌使合成的單體樹(shù)脂在有機(jī)溶劑中溶解，以制得樹(shù)脂介電層材料。所述樹(shù)脂介電層的制備方法包括步驟21，在基板上涂覆如上所述的方法制備的樹(shù)脂介電層材料，形成樹(shù)脂介電層薄膜；步驟22，對(duì)樹(shù)脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，形成樹(shù)脂介電層。本發(fā)明可用于提供具有較低介電常數(shù)的膜層。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102629077SQ201110179460
公開(kāi)日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2011年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月29日
發(fā)明者張文余, 謝振宇, 郭建, 閔泰燁, 陳旭 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司