專利名稱：涂敷處理方法、程序、計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)和涂敷處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在基板上涂敷涂敷液的涂敷處理方法、程序、計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)和涂敷
處理裝置。
背景技術(shù)：
在例如半導(dǎo)體裝置的制造工序中的光刻工序中，例如在半導(dǎo)體晶片(以下稱晶片)上順序?qū)嵤┩糠罂刮g劑液形成抗蝕劑膜的抗蝕劑涂敷處理、將該抗蝕劑膜曝光為規(guī)定的圖案的曝光處理和將被曝光的抗蝕劑膜顯影的顯影處理等，而在晶片上形成規(guī)定的抗蝕劑圖案。在上述的抗蝕劑涂敷處理中，從噴嘴向旋轉(zhuǎn)中的晶片的中心部供給抗蝕劑液，由離心力使抗蝕劑液在晶片上擴(kuò)散，由此，在晶片上涂敷抗蝕劑液，這種所謂的旋轉(zhuǎn)涂敷法多被使用。實(shí)施這樣的抗蝕劑涂敷的時(shí)候，有必要保持高面內(nèi)均勻性地將抗蝕劑液涂敷在晶片上。此外旋轉(zhuǎn)涂敷法，向晶片上供給的抗蝕劑液的大部分被甩開，而且由于抗蝕劑液是高價(jià)的，所以使向晶片上的抗蝕劑液的供給量減少也是重要的。在這樣的旋轉(zhuǎn)涂敷法中，作為使抗蝕劑液少量且均勻地涂敷的方法，提出了下面的從第一工序?qū)嵤┑降谌ば虻耐糠筇幚矸椒?。首先，在第一工序中，向以高速的第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)中的晶片的中心部供給抗蝕劑液，使抗蝕劑液在晶片上擴(kuò)散。在該第一工序中，由于給晶片上供給的抗蝕劑液是少量的，所以抗蝕劑液不足以擴(kuò)散到晶片的端部。接著，在第二工序中，使晶片的旋轉(zhuǎn)暫且減小到第二轉(zhuǎn)速，并提高晶片上的抗蝕劑液的流動(dòng)性，繼續(xù)實(shí)施第一工序中抗蝕劑液的供給。之后，停止第二工序中的抗蝕劑液的供給后，在第三工序中，使晶片的旋轉(zhuǎn)加速到第三旋轉(zhuǎn)，使抗蝕劑液在晶片的整個(gè)表面擴(kuò)散并且實(shí)施擴(kuò)散后的抗蝕劑液的干燥，在晶片上涂敷均勻膜厚的抗蝕劑液(專利文獻(xiàn)1)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1日本特開2008-71960號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
然而，本發(fā)明者們了解到，在使用上述現(xiàn)有的方法的時(shí)候，進(jìn)一步減少抗蝕劑液的供給量時(shí)面內(nèi)均勻性降低，特別是在基板的外周邊部的抗蝕劑液的膜厚的降低是顯著的。 根據(jù)本發(fā)明者們針對這點(diǎn)的調(diào)查，為了使用上述方法使抗蝕劑液均勻地涂敷到晶片端部， 例如直徑300mm的晶片的情況下，供給的抗蝕劑液有必要是0. 5ml (毫升)的程度，供給的抗蝕劑液的量例如為一半0. 25ml時(shí)，確認(rèn)了在外周邊部的抗蝕劑液的膜厚的降低。由此， 在現(xiàn)有的方法中，為了在晶片面內(nèi)均勻地涂敷抗蝕劑液，能減少的抗蝕劑液的供給量是有界限的，不能抑制為比規(guī)定的值更少量。本發(fā)明是鑒于這點(diǎn)而做出的，目的是在基板上涂敷涂敷液時(shí)，將涂敷液的供給量抑制為少量，并且在基板面內(nèi)均勻地涂敷涂敷液。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明是在基板上涂敷涂敷液的方法，其特征在于，包括使基板以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第一工序；之后，使基板的旋轉(zhuǎn)減速，使基板以比第一轉(zhuǎn)速慢的第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第二工序；之后，使基板的旋轉(zhuǎn)加速，使基板以比第二轉(zhuǎn)速快且比第一轉(zhuǎn)速慢的第三轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第三工序；之后，使基板的旋轉(zhuǎn)減速，使基板以比第三轉(zhuǎn)速慢的第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第四工序；之后，使基板的旋轉(zhuǎn)加速，使基板以比第四轉(zhuǎn)速快的第五轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第五工序，向基板中心部的涂敷液的供給從上述第一工序?qū)嵤┑缴鲜龅诙ば虻闹型?，或者在上述第一工序中連續(xù)實(shí)施，上述第四轉(zhuǎn)速超過Orpm并在500rpm以下。發(fā)明者們專心調(diào)查后確認(rèn)，使抗蝕劑液的供給量為現(xiàn)有的一半程度時(shí)，由于在第三工序中抗蝕劑液向基板的外周擴(kuò)散過程中不斷干燥且流動(dòng)性降低，所以即使抗蝕劑液到達(dá)基板外周的端部也是原樣干燥，由此在外周邊部產(chǎn)生抗蝕劑液的膜厚的降低。而且，發(fā)明者們進(jìn)一步調(diào)查后判斷，在第三工序中抗蝕劑液到達(dá)基板端部的時(shí)候使基板的旋轉(zhuǎn)減速，以比第三轉(zhuǎn)速慢的超過Orpm并在500rpm以下的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，由此抑制抗蝕劑液的干燥并且使基板中心部的抗蝕劑液向基板的外周擴(kuò)散，即能在基板面內(nèi)調(diào)整基板的中心部與基板的外周部之間膜厚的平衡。因而知道，通過以第三轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)且抗蝕劑液到達(dá)基板的端部后以第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，即使在將抗蝕劑液的供給量抑制為比現(xiàn)有的少量時(shí)，也能在外周邊部不發(fā)生抗蝕劑液的膜厚的降低地涂敷涂敷液，能在基板面內(nèi)均勻地涂敷涂敷液。因此，本發(fā)明中，首先，由于在第一工序中使基板以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)并且給基板的中心部供給涂敷液，所以向基板的涂敷液的供給量為少量時(shí)，也能使該涂敷液均勻地?cái)U(kuò)散。之后，由于在第二工序中使基板以第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，所以在第一工序中供給的涂敷液在抑制其干燥同時(shí)在基板上擴(kuò)散。之后，由于在第三工序中，使基板以比第二轉(zhuǎn)速快且比第一轉(zhuǎn)速慢的第三轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，所以基板上的涂敷液在基板整個(gè)表面擴(kuò)散。然后，在后續(xù)的第四工序中， 由于使基板以比第三轉(zhuǎn)速慢的第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，所以能抑制抗蝕劑液的干燥并且基板中心部的抗蝕劑液向基板的外周擴(kuò)散，基板上的涂敷液被均勻平坦化。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的涂敷處理方法，能將涂敷液的供給量抑制為少量，并且在基板面內(nèi)均勻地涂敷涂敷液。在上述第四工序中，優(yōu)選以第四轉(zhuǎn)速使基板旋轉(zhuǎn)1 10秒。在上述第一工序之前，可以還具有使基板以比第一轉(zhuǎn)速慢的第六轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第六工序。在上述第一工序中，可以使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度按照第一加速度、比上述第一加速度大的第二加速度、比上述第二加速度小的第三加速度的順序變化，使該基板從第六轉(zhuǎn)速加速旋轉(zhuǎn)到第一轉(zhuǎn)速。在上述第一工序中，可以使在開始前為第六轉(zhuǎn)速的基板的旋轉(zhuǎn)以開始后該轉(zhuǎn)速連續(xù)地變動(dòng)的方式逐漸加速，結(jié)束時(shí)，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度逐漸減少，使基板的旋轉(zhuǎn)收斂到
第一轉(zhuǎn)速。在上述第一工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度為定值，使該基板從第六轉(zhuǎn)速加速旋轉(zhuǎn)到第一轉(zhuǎn)速。在上述第六工序之前，可以使基板以比第六轉(zhuǎn)速快的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，并且在基板上涂敷溶劑，或者在上述第六工序中，使基板以第六轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，并且在基板上涂敷溶劑。在上述第一工序中，使基板以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)之前，也可以使基板以比第一轉(zhuǎn)速快的第七轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。這時(shí)，上述第七轉(zhuǎn)速優(yōu)選4000rpm以下，在上述第一工序中，以該第七轉(zhuǎn)速使基板旋轉(zhuǎn)0. 1秒 0. 5秒也可。在上述第一工序與上述第二工序之間，可以具有使基板以比第一轉(zhuǎn)速慢且比第二轉(zhuǎn)速快的第八轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第七工序，上述第八轉(zhuǎn)速是1500rpm 2000rpm。在上述第七工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度按照第四加速度、比上述第四加速度大的第五加速度的順序變化，使該基板從第一轉(zhuǎn)速減速旋轉(zhuǎn)到第八轉(zhuǎn)速。在上述第七工序中，使開始前為第一轉(zhuǎn)速的基板的旋轉(zhuǎn)以開始后該轉(zhuǎn)速連續(xù)地變動(dòng)的方式逐漸減速，結(jié)束時(shí)，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度逐漸增加，使基板的旋轉(zhuǎn)收斂到第八轉(zhuǎn)速。在上述第七工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度為定值，使該基板從第一轉(zhuǎn)速減速旋轉(zhuǎn)到第八轉(zhuǎn)速。本發(fā)明的另一方面提供在控制部的計(jì)算機(jī)上執(zhí)行的程序，該控制部控制該涂敷處理裝置，用于通過涂敷處理裝置實(shí)行上述涂敷處理方法。本發(fā)明的又另一方面是提供存儲(chǔ)了上述程序的可讀取的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)。而且本發(fā)明另一方面提供一種在基板上涂敷涂敷液的涂敷處理裝置，其特征在于，包括保持基板并使其旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)保持部；給基板供給涂敷液的涂敷液噴嘴；控制部， 其控制上述旋轉(zhuǎn)保持部實(shí)施使基板以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第一工序；之后使基板的旋轉(zhuǎn)減速，使基板以比第一轉(zhuǎn)速慢的第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第二工序；之后，使基板的旋轉(zhuǎn)加速，使基板以比第二轉(zhuǎn)速快且比第一轉(zhuǎn)速慢的第三轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第三工序；之后，使基板的旋轉(zhuǎn)減速，使基板以比第三轉(zhuǎn)速慢且為Orpm超500rpm以下的第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第四工序；之后，使基板的旋轉(zhuǎn)加速，使基板以比第四轉(zhuǎn)速快的第五轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第五工序，且改控制部控制上述涂敷液噴嘴，使向基板的中心部的涂敷液的供給從上述第一工序?qū)嵤┑缴鲜龅诙ば虻闹型荆?或者在上述第一工序中連續(xù)實(shí)施。上述控制部，在上述第四工序中，控制上述旋轉(zhuǎn)保持部，使基板以第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn) 1 10秒。上述控制部，控制上述旋轉(zhuǎn)保持部，在上述第一工序之前，還實(shí)施使基板以比第一轉(zhuǎn)速慢的第六轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第六工序。上述控制部，控制上述旋轉(zhuǎn)保持部，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度按照第一加速度、比上述第一加速度大的第二加速度、比上述第二加速度小的第三加速度的順序變化，使該基板從第六轉(zhuǎn)速加速旋轉(zhuǎn)到第一轉(zhuǎn)速。上述控制部，控制上述旋轉(zhuǎn)保持部，在上述第一工序中，使在開始前為第六轉(zhuǎn)速的基板的旋轉(zhuǎn)以開始后該轉(zhuǎn)速連續(xù)地變動(dòng)的方式逐漸加速，結(jié)束時(shí)，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度逐漸降低，使基板的旋轉(zhuǎn)收斂到第一轉(zhuǎn)速。上述控制部，控制上述旋轉(zhuǎn)保持部，在上述第一工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度為定值，使該基板從第六轉(zhuǎn)速加速旋轉(zhuǎn)到第一轉(zhuǎn)速。還具有向基板供給涂敷液的溶劑的溶劑噴嘴，上述控制部控制上述旋轉(zhuǎn)保持部和上述溶劑噴嘴，在上述第六工序之前，使基板以比第六轉(zhuǎn)速快的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)并且在基板上涂敷溶劑。還具有向基板供給涂敷液的溶劑的溶劑噴嘴，上述控制部控制上述旋轉(zhuǎn)保持部和上述溶劑噴嘴，在所述第六工序中使基板以第六轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)并且在基板上涂敷溶劑。上述控制部控制上述旋轉(zhuǎn)保持部，在所述第一工序中，在使基板以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)之前使基板以比第一轉(zhuǎn)速快的第七轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。上述控制部控制上述旋轉(zhuǎn)保持部，在上述第一工序中，使基板以第七轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)0. 1 秒 0. 5秒，所述第七轉(zhuǎn)速是4000rpm以下。上述控制部控制上述旋轉(zhuǎn)保持部，在上述第一工序與上述第二工序之間還實(shí)施使基板以比第一轉(zhuǎn)速慢且比第二轉(zhuǎn)速快的、為1500rpm 2000rpm的第八轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第七工序。上述控制部控制上述旋轉(zhuǎn)保持部，在上述第七工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度按照第四加速度、比上述第四加速度大的第五加速度的順序變化，使該基板從第一轉(zhuǎn)速減速旋轉(zhuǎn)到第八轉(zhuǎn)速。上述控制部控制上述旋轉(zhuǎn)保持部，在上述第七工序中，使開始前為第一轉(zhuǎn)速的基板的旋轉(zhuǎn)以開始后該轉(zhuǎn)速連續(xù)地變動(dòng)的方式逐漸減速，結(jié)束時(shí)，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度逐漸增加，使基板的旋轉(zhuǎn)收斂到第八轉(zhuǎn)速。上述控制部控制上述旋轉(zhuǎn)保持部，在上述第七工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度為定值，使該基板從第一轉(zhuǎn)速減速旋轉(zhuǎn)到第八轉(zhuǎn)速。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，在基板上涂敷涂敷液時(shí)，能將涂敷液的供給量抑制為少量，并且在基板面內(nèi)均勻地涂敷涂敷液。


圖1是表示本實(shí)施方式的抗蝕劑涂敷裝置的結(jié)構(gòu)的概要的縱截面圖。圖2是表示本實(shí)施方式的抗蝕劑涂敷裝置的結(jié)構(gòu)的概要的縱截面圖。圖3是表示在涂敷處理工藝的各工序中晶片的轉(zhuǎn)速和抗蝕劑液與溶劑的供給定時(shí)的圖表。圖4是模式表示在涂敷處理工藝的主要工序中晶片上的液膜的狀態(tài)的說明圖， (a)表示抗蝕劑液在以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)中的晶片上擴(kuò)散的狀態(tài)，(b)表示抗蝕劑液在以第三轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)中的晶片上擴(kuò)散的狀態(tài)，(C)表示在晶片上形成抗蝕劑膜的狀態(tài)。圖5是表示在本實(shí)施方式和比較的例子中晶片上的抗蝕劑膜的膜厚的圖表。圖6是表示在其他的實(shí)施方式的涂敷處理工藝的各工序中晶片的轉(zhuǎn)速、抗蝕劑液和溶劑的供給定時(shí)的圖表。圖7是表示在其他的實(shí)施方式的涂敷處理工藝的各工序中晶片的轉(zhuǎn)速、抗蝕劑液和溶劑的供給定時(shí)的圖表。圖8是表示在其他的實(shí)施方式的涂敷處理工藝的各工序中晶片的轉(zhuǎn)速、抗蝕劑液和溶劑的供給定時(shí)的圖表。圖9是表示在其他的實(shí)施方式的涂敷處理工藝的各工序中晶片的轉(zhuǎn)速、抗蝕劑液和、溶劑的供給定時(shí)的圖表。圖10是表示在其他的實(shí)施方式的涂敷處理工藝的各工序中晶片的轉(zhuǎn)速、抗蝕劑液和溶劑的供給定時(shí)的圖表。
圖11是表示在其他的實(shí)施方式的涂敷處理工藝的各工序中晶片的轉(zhuǎn)速、抗蝕劑液和溶劑的供給定時(shí)的圖表。圖12是表示在其他的實(shí)施方式的涂敷處理工藝的各工序中晶片的轉(zhuǎn)速、抗蝕劑液和溶劑的供給定時(shí)的圖表。圖13是表示在本實(shí)施方式和比較的例子中晶片的外周部上的抗蝕劑膜的膜厚的圖表。圖14是表示在使用現(xiàn)有的涂敷處理方法時(shí)抗蝕劑液在晶片上擴(kuò)散的狀態(tài)的說明圖。圖15是表示在其他的實(shí)施方式的涂敷處理工藝的各工序中晶片的轉(zhuǎn)速、抗蝕劑液和溶劑的供給定時(shí)的圖表。圖16是表示在其他的實(shí)施方式的涂敷處理工藝的各工序中晶片的轉(zhuǎn)速、抗蝕劑液和溶劑的供給定時(shí)的圖表。圖17是表示在其他的實(shí)施方式的涂敷處理工藝的各工序中晶片的轉(zhuǎn)速、抗蝕劑液和溶劑的供給定時(shí)的圖表。符號的說明1抗蝕劑涂敷裝置20旋轉(zhuǎn)卡盤33抗蝕劑液噴嘴40溶劑噴嘴50控制部F抗蝕劑膜R抗蝕劑液W 晶片
具體實(shí)施例方式以下針對本實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是表示本實(shí)施方式的作為涂敷處理裝置的抗蝕劑涂敷裝置1的結(jié)構(gòu)的概要的縱截面圖。圖2是表示抗蝕劑涂敷裝置1的結(jié)構(gòu)的概要的橫截面圖。另外，在本實(shí)施方式中使用抗蝕劑液作為涂敷液。此外，在本實(shí)施方式中，作為基本來使用的晶片W的直徑為300mm。如圖1所示，抗蝕劑涂敷裝置1具有處理容器10。在處理容器10內(nèi)的中央部設(shè)置有作為保持晶片W并使其旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)保持部的旋轉(zhuǎn)卡盤20。旋轉(zhuǎn)卡盤20具有水平的上表面，在該上表面設(shè)置有例如吸引晶片W的吸引口(未圖示)。通過來自該吸引口的吸引能將晶片W吸引保持在旋轉(zhuǎn)卡盤20上。旋轉(zhuǎn)卡盤20具有例如具備發(fā)動(dòng)機(jī)的卡盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)21，通過該卡盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)21能以規(guī)定的速度旋轉(zhuǎn)。此外，在卡盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)21設(shè)置氣缸等升降驅(qū)動(dòng)源，旋轉(zhuǎn)卡盤20能上下動(dòng)。在旋轉(zhuǎn)卡盤20的周圍設(shè)置有接住、回收從晶片W飛散或落下的液體的杯(cup) 22。 在杯22的下表面連接有排出回收的液體的排出管23和對杯22內(nèi)的氣氛進(jìn)行排氣的排氣管24。
如圖2所示，在杯22的X方向負(fù)方向(圖2的向下方向)側(cè)形成有沿著Y方向 (圖2的左右方向)延伸的軌道30。軌道30形成為例如從杯22的Y方向負(fù)方向(圖2的左方向)側(cè)的外方直到Y(jié)方向正方向(圖2的右方向)側(cè)的外方。在軌道30例如安裝有兩個(gè)臂31、32。如圖1和圖2所示，在第一臂31上支撐作為向晶片W供給抗蝕劑液的涂敷液噴嘴的抗蝕劑液噴嘴33。第一臂31通過圖2所示的噴嘴驅(qū)動(dòng)部34在軌道30上自由移動(dòng)。由此，抗蝕劑液噴嘴33能從設(shè)置于杯22的Y方向正方向側(cè)的外方的待機(jī)部35移動(dòng)到杯22 內(nèi)的晶片W的中心部上方，并且能在該晶片W的表面上沿晶片W的直徑方向移動(dòng)。此外，第一臂31通過噴嘴驅(qū)動(dòng)部34自由升降，能調(diào)整抗蝕劑液噴嘴33的高度。如圖1所示，在抗蝕劑液噴嘴33與連通抗蝕劑液供給源36的供給管37連接。在抗蝕劑液供給源36內(nèi)貯存抗蝕劑液。在供給管37設(shè)置控制抗蝕劑液的流動(dòng)的包括閥門或流量調(diào)節(jié)部等的供給機(jī)器群38。在第二臂32上支撐供給抗蝕劑液的溶劑、例如稀釋劑(thinner)的溶劑噴嘴40。 第二臂32通過圖2所示的噴嘴驅(qū)動(dòng)部41在軌道30上自由移動(dòng)，能使溶劑噴嘴40從設(shè)置于杯22的Y方向負(fù)方向側(cè)的外方的待機(jī)部42移動(dòng)到杯22內(nèi)的晶片W的中心部上方。此外通過噴嘴驅(qū)動(dòng)部41，第二臂32自由升降，能調(diào)整溶劑噴嘴40的高度。如圖1所示，溶劑噴嘴40與連通溶劑供給源43的供給管44連接。在溶劑供給源 43內(nèi)貯存溶劑。在供給管44設(shè)置控制溶劑流動(dòng)的包括閥門或流量調(diào)節(jié)部等的供給機(jī)器群 45。而且，在以上的結(jié)構(gòu)中，供給抗蝕劑液的抗蝕劑液噴嘴33和供給溶劑的溶劑噴嘴40由不同的臂支撐，但是也可以由同一臂支撐，通過該臂的移動(dòng)的控制來控制抗蝕劑液噴嘴33 和溶劑噴嘴40的移動(dòng)和供給定時(shí)。由控制部50控制驅(qū)動(dòng)系的動(dòng)作，該驅(qū)動(dòng)系的動(dòng)作包括上述旋轉(zhuǎn)卡盤20的旋轉(zhuǎn)動(dòng)作和上下動(dòng)作；由噴嘴驅(qū)動(dòng)部34執(zhí)行的抗蝕劑液噴嘴33的移動(dòng)動(dòng)作；由供給機(jī)器群38執(zhí)行的抗蝕劑液噴嘴33的抗蝕劑液的供給動(dòng)作；由噴嘴驅(qū)動(dòng)部41執(zhí)行的溶劑噴嘴40的移動(dòng)動(dòng)作；和由供給機(jī)器群45執(zhí)行的溶劑噴嘴40的溶劑的供給動(dòng)作等。控制部50由具備例如 CPU或者存儲(chǔ)器的計(jì)算機(jī)構(gòu)成，例如通過執(zhí)行存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器的程序，而能在抗蝕劑涂敷裝置 1實(shí)現(xiàn)抗蝕劑涂敷處理。而且，用于實(shí)現(xiàn)抗蝕劑涂敷裝置1的抗蝕劑涂敷處理的各種程序， 是存儲(chǔ)在例如計(jì)算機(jī)可讀取的硬盤(HD)、軟盤(FD)、光盤(⑶)、磁光碟(MO)和存儲(chǔ)卡等存儲(chǔ)介質(zhì)H的程序，從該存儲(chǔ)介質(zhì)H下載到控制部50的程序被使用。接著，說明在如上述構(gòu)成的抗蝕劑涂敷裝置1實(shí)施的涂敷處理工藝。圖3是表示涂敷處理工藝的各工序中晶片W的轉(zhuǎn)速和抗蝕劑與溶劑的供給定時(shí)的圖表。圖4是模式性地表示在涂敷處理工藝的主要工序中晶片W上的液膜的狀態(tài)的說明圖。而且，圖3中工序的時(shí)間的長度，以容易理解技術(shù)為優(yōu)先，不一定對應(yīng)實(shí)際的時(shí)間的長度。搬入抗蝕劑涂敷裝置1的晶片W首先被旋轉(zhuǎn)卡盤20吸引保持。接著待機(jī)部42的溶劑噴嘴40通過第二臂32移動(dòng)到晶片W的中心部的上方。接著，如圖3所示，在晶片W停止的狀態(tài)下，從溶劑噴嘴40給晶片W的中心部供給規(guī)定量的溶劑。之后，控制卡盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)21由旋轉(zhuǎn)卡盤20使晶片W旋轉(zhuǎn)，使其轉(zhuǎn)速上升到第六轉(zhuǎn)速例如500rpm。通過使晶片W 以該500rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)例如一秒，使供給向晶片W的中心部的溶劑向外周部擴(kuò)散，即實(shí)施預(yù)濕(prewet)，晶片W的表面成為被溶劑濕潤的狀態(tài)(圖3的工序Si)。之后，溶劑在晶片
10W的整個(gè)表面擴(kuò)散時(shí)，溶劑噴嘴40從晶片W的中心部上方移動(dòng)，并且待機(jī)部35的抗蝕劑液噴嘴33通過第一臂31移動(dòng)到晶片W的中心部上方。 之后，如圖3所示，使晶片W的旋轉(zhuǎn)為第一轉(zhuǎn)速例如2000rpm 3500rpm，在本實(shí)施方式中加速到3000rpm，之后使晶片W以第一轉(zhuǎn)速例如旋轉(zhuǎn)0. 8秒。而且，在該晶片W的加速旋轉(zhuǎn)中和以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)中，從抗蝕劑液噴嘴33連續(xù)供給抗蝕劑液R(圖3的工序S2)。 如圖4(a)所示，從噴嘴33供給的抗蝕劑液R由于晶片W的旋轉(zhuǎn)而在晶片W上擴(kuò)散。在該工序S2中，由于使抗蝕劑液R的供給量為少量，因此抗蝕劑液R沒有擴(kuò)散到晶片W的端部。 此外，晶片W以第一轉(zhuǎn)速高速旋轉(zhuǎn)，但是由于以該第一轉(zhuǎn)速的晶片W的旋轉(zhuǎn)是0. 8秒的短時(shí)間，因此晶片W上的抗蝕劑液R沒有達(dá)到完全干燥。之后，如圖3所示，使晶片W的旋轉(zhuǎn)為第二轉(zhuǎn)速例如IOOrpm 500rpm，在本實(shí)施方式中減速到lOOrpm，之后使晶片W以第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)例如0. 4秒。而且，在該晶片W的減速旋轉(zhuǎn)中和以第二轉(zhuǎn)速的旋轉(zhuǎn)的途中，從抗蝕劑液噴嘴33連續(xù)供給抗蝕劑液R。S卩，從以第二轉(zhuǎn)速的晶片W的旋轉(zhuǎn)開始例如在0. 2秒后，使從工序S2開始連續(xù)實(shí)施的抗蝕劑液R的供給停止(圖3的工序S3)。該工序S3中，由于晶片W以第二轉(zhuǎn)速低速旋轉(zhuǎn)，因此在例如晶片W 的外周部的抗蝕劑液R上作用向中央部的牽拉的力，晶片W上的抗蝕劑液R被均勻平坦化。之后，使晶片W的旋轉(zhuǎn)為第三轉(zhuǎn)速例如IOOOrpm 2500rpm，在本實(shí)施方式中加速到1500印111，之后使晶片1以第三轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)例如2.5秒(圖3的工序S4)。在該工序S4中， 如圖4(b)所示，抗蝕劑液R在晶片W的整個(gè)表面擴(kuò)散，到達(dá)晶片W的端部。接著，如圖4 (b)所示，抗蝕劑液R到達(dá)晶片W的端部時(shí)，使晶片W的旋轉(zhuǎn)減速為第四轉(zhuǎn)速例如超過Orpm并在500rpm以下，在本實(shí)施方式中減速到lOOrpm，之后使晶片W以第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)例如1 10秒，本實(shí)施方式中旋轉(zhuǎn)2秒(圖3的工序SQ。這樣以第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，由此能抑制晶片W上的抗蝕劑液R的干燥并且使晶片中心部的抗蝕劑液R向基板的外周擴(kuò)散。于是，即使將抗蝕劑液R的供給量抑制為比現(xiàn)有的量少時(shí)，晶片W中心部的抗蝕劑液R也能向晶片W的外周擴(kuò)散，結(jié)果是不會(huì)發(fā)生晶片W的外周邊部的膜厚的降低，在晶片W 的表面內(nèi)均勻地涂敷抗蝕劑液R。之后，使晶片W的轉(zhuǎn)速加速為第五轉(zhuǎn)速、800rpm 1800rpm，在本實(shí)施方式中加速到1500rpm，之后使晶片W以第五轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)例如10秒(圖3的工序S6)。在該工序S6中， 如圖4(c)所示，在晶片W的整個(gè)表面擴(kuò)散了的抗蝕劑液R被干燥，在晶片W上形成抗蝕劑膜F。之后，洗凈晶片W的背面，在抗蝕劑涂敷裝置1中的一系列涂敷處理結(jié)束。這里驗(yàn)證，在上述工序S5中，使晶片W的轉(zhuǎn)速為第四轉(zhuǎn)速即超過Orpm并在500rpm 以下時(shí)，通過抑制以該第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)中的晶片W上的抗蝕劑液R的干燥，并且使晶片中心部的抗蝕劑液R向基板的外周擴(kuò)散，在晶片W的表面內(nèi)能均勻地涂敷抗蝕劑液R。發(fā)明者們，對具有300mm的直徑的晶片W涂敷抗蝕劑液R時(shí)，在以下兩種情況下實(shí)施晶片W上的抗蝕劑液R的膜厚怎樣變化的比較驗(yàn)證使晶片W以第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的時(shí)間在 1 5秒變化的情況；和現(xiàn)有的方法，即，使晶片W不以第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，在工序S4中使以第三轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的時(shí)間為直到抗蝕劑液R完全干燥的時(shí)間的情況。而且，在任一種情況下，向晶片W的抗蝕劑液R的供給量分別都為0. 25ml。該驗(yàn)證結(jié)果如圖5所示。圖5的縱軸表示抗蝕劑液R的膜厚，橫軸表示晶片W的抗蝕劑液R的膜厚的測定點(diǎn)。首先，說明作為比較例使用了現(xiàn)有的方法時(shí)的結(jié)果。參照圖 5，可以確認(rèn)使用現(xiàn)有的方法涂敷抗蝕劑液R時(shí)，在晶片W的外周邊部抗蝕劑液R的膜厚的降低。具體而言，從晶片W的端部靠近晶片W的中心側(cè)30mm程度的區(qū)域中膜厚降低了。因此，發(fā)明者們針對，給晶片W上供給抗蝕劑液R后，使晶片W以第三轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，接著使以第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的時(shí)間變化，以使在晶片W的外周邊部不發(fā)生抗蝕劑液R的膜厚的降低的方式能夠涂敷抗蝕劑液R的第四轉(zhuǎn)速的保持時(shí)間進(jìn)行調(diào)查。參照圖5，可以看出即使使第四轉(zhuǎn)速的保持時(shí)間為1秒、2秒、3秒、5秒中的任一個(gè)的時(shí)候，在晶片W的外周邊部都不會(huì)發(fā)生抗蝕劑液R的膜厚的降低。因而知道，如本實(shí)施方式通過使晶片W以第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)規(guī)定的時(shí)間，晶片W中心部的抗蝕劑液R向晶片W的外周擴(kuò)散，其結(jié)果是在晶片W面內(nèi)能均勻地涂敷抗蝕劑液R。根據(jù)以上實(shí)施方式，首先，由于在工序S2中使晶片W以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，同時(shí)給晶片 W的中心部供給抗蝕劑液R，因此即使對晶片W的抗蝕劑液R的供給量為少量時(shí)，也能使抗蝕劑液R均勻地?cái)U(kuò)散。之后，由于在工序S3中使晶片W以第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，因此在第一工序中供給的涂敷液，其干燥被抑制并且在晶片W上擴(kuò)散。之后，在工序S4中，由于使晶片W以比第二轉(zhuǎn)速快且比第一轉(zhuǎn)速慢的第三轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，因此晶片W上的抗蝕劑液R在晶片W整個(gè)表面擴(kuò)散。而且，在后續(xù)的工序S5中，由于使晶片W以比第三轉(zhuǎn)速慢的第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，因此抑制抗蝕劑液R的干燥并且晶片中心部的抗蝕劑液向基板的外周擴(kuò)散，晶片W上的抗蝕劑液R能均勻平坦化。因而根據(jù)本發(fā)明的涂敷處理方法，能將抗蝕劑液R的供給量抑制為少量并且在晶片W的表面內(nèi)均勻地涂敷抗蝕劑液R。而且，發(fā)明者們調(diào)查，在使用本實(shí)施方式的涂敷處理方法時(shí)，為了在晶片W的外周邊部不發(fā)生抗蝕劑液R的膜厚的降低地涂敷抗蝕劑液R而必要的抗蝕劑液R的供給量為 0.25ml。對此，使用上述現(xiàn)有的涂敷處理方法時(shí)，必要的抗蝕劑液R的供給量是0.5ml。因此可知，根據(jù)本上述方式能使抗蝕劑液R的供給量大幅度降低。此外，在工序S3中，由于向晶片W上供給抗蝕劑液R，因此能提高晶片W上的抗蝕劑液R的流動(dòng)性。由此，在后續(xù)的工序S4中，能使抗蝕劑液R順利地?cái)U(kuò)散到晶片W的端部。并且，在工程Sl中，由于用抗蝕劑液R的溶劑使晶片W上預(yù)濕，因此能使在之后的工序中向晶片W上供給的抗蝕劑液R順利地?cái)U(kuò)散。在以上的實(shí)施方式中，在工序Sl中，在晶片W的表面涂敷了溶劑之后使晶片W旋轉(zhuǎn)，以第六轉(zhuǎn)速例如500rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)一定時(shí)間，之后使晶片W的旋轉(zhuǎn)加速到第一轉(zhuǎn)速，如圖6所示涂敷溶劑之后使晶片W加速到例如2000rpm，以2000rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)一定時(shí)間例如 0. 3秒之后使晶片W的旋轉(zhuǎn)減速到第六轉(zhuǎn)速的500rpm(圖6的工序S1-1)，使晶片W的旋轉(zhuǎn)保持在500rpm—定時(shí)間之后(圖6的工序S1-2)，使晶片W的轉(zhuǎn)速上升到第一轉(zhuǎn)速也可。這時(shí)，由于在工序Sl-I中涂敷溶劑之后使晶片W以2000rpm旋轉(zhuǎn)，因此與以 500rpm旋轉(zhuǎn)時(shí)比較，能在短時(shí)間實(shí)施溶劑的向晶片W上的擴(kuò)散。因而，能將工序Sl-I和工序S1-2的所需時(shí)間縮短得比工序Sl的所需時(shí)間短。此外，如上所述，在工序Sl中使晶片W以例如2000rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)而實(shí)施溶劑的涂敷時(shí)，也可以例如如圖7所示不使晶片W的旋轉(zhuǎn)減速，即不經(jīng)過上述的工序S1-2而開始工序S2。這時(shí)，在將晶片W的旋轉(zhuǎn)維持在例如2000rpm的狀態(tài)下開始工序S2。S卩，在本實(shí)施方式中，該2000rpm成為第六轉(zhuǎn)速。之后，在工序S2中，使晶片W的旋轉(zhuǎn)加速到第一轉(zhuǎn)速，之后使晶片W以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。于是，工序S2開始的同時(shí)從抗蝕劑液噴嘴33開始供給抗蝕劑液R，該抗蝕劑液R的供給連續(xù)實(shí)施到工序S3的中途。而且，關(guān)于其他的工序S4、S5、 S6，由于與上述實(shí)施方式相同所以省略說明。這時(shí)，在工序Sl中在晶片W的表面涂敷溶劑之后，由于不使晶片W的旋轉(zhuǎn)減速而開始工序S2，所以在工序S2中晶片W的旋轉(zhuǎn)被維持在與上述實(shí)施方式相比的比較高速上。 由此，比較強(qiáng)的離心力作用在晶片W上的抗蝕劑液R，能使晶片面內(nèi)的抗蝕劑液R的膜厚均勻性更進(jìn)一步提高。此外，也能縮短工序Sl的所需時(shí)間。如圖8所示，在以上的實(shí)施方式的工序S2中，使晶片W以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)之前，也可以使晶片W以比第一轉(zhuǎn)速快的第七轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。例如工序Sl后，使晶片W的旋轉(zhuǎn)加速為第七轉(zhuǎn)速例如4000rpm以下，在本實(shí)施方式中加速到4000rpm，之后使晶片W以第七轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。晶片W以第七轉(zhuǎn)速的旋轉(zhuǎn)實(shí)施0. 1 秒 0.5秒，在本實(shí)施方式中實(shí)施0.2秒(圖8的工序S2-1)。之后，使晶片W減速到第一轉(zhuǎn)速，之后使晶片W以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)例如0. 6秒(圖8的工序S2-2)。而且，在工序S2-1和工序S2-2中，都從抗蝕劑液噴嘴33對晶片W的中心部連續(xù)供給抗蝕劑液R。此外，關(guān)于其他的工序Si、S3、S4、S5、S6，由于與上述實(shí)施方式相同所以省略說明。這時(shí)，由于在工序S2-1中使晶片W以高速的第七轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，并且在晶片W上供給抗蝕劑液R，所以能使抗蝕劑液R更順利且均勻地?cái)U(kuò)散。因而，能使向晶片W上的抗蝕劑液 R的供給量為少量。此外，在本實(shí)施方式中，說明了工序S2-1和工序S2-2的所需時(shí)間與上述實(shí)施方式的工序S2的所需時(shí)間大致相同的情況，但是由于能如上所述使抗蝕劑液R順利地?cái)U(kuò)散，所以能使工序S2-1和工序S2-2的所需時(shí)間縮短。例如發(fā)明者們調(diào)查知道，由于使晶片W以第七轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)0. 1秒 0. 5秒時(shí)，能充分得到使上述的抗蝕劑液R的供給量為少量的效果，所以能使晶片W以該第七轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)0. 2秒以下。如圖9所示，在以上的實(shí)施方式的工序S2中，也可以使晶片W始終加速。在工序 S2中，晶片W的旋轉(zhuǎn)從500rpm加速到例如550rpm(圖9的工序S2-1)。在該工序S2-1中， 晶片W的旋轉(zhuǎn)的加速度為例如500rpm/s以下、優(yōu)選為lOOrpm/s的第一加速度。這樣抗蝕劑液剛被吐出到晶片W的中心部之后，由于晶片W的旋轉(zhuǎn)速度為低速，所以對晶片W上的抗蝕劑液R沒有強(qiáng)離心力作用。并且，這時(shí)的晶片W的旋轉(zhuǎn)的第一加速度也小，所以作用在晶片W上的抗蝕劑液R的離心力被抑制。由此，抗蝕劑液R在外側(cè)方向均等地?cái)U(kuò)散。接著，使晶片W的旋轉(zhuǎn)從550rpm加速到例如^00rpm(圖9的工序S2-2)。在該工序S2-2中，晶片的旋轉(zhuǎn)的加速度是比第一加速度大、為例如5000rpm/s 30000rpm/s，優(yōu)選為lOOOOrpm/s的第二加速度。這樣使晶片W以比第一加速度大的第二加速度加速旋轉(zhuǎn)，因此晶片W上的抗蝕劑液R順利且迅速地?cái)U(kuò)散。接著，使晶片W的旋轉(zhuǎn)W^OOrpm加速到第一轉(zhuǎn)速(圖9的工序S2-3)。在該工序 S2-3中，晶片W的旋轉(zhuǎn)的加速度是比第二加速度小、例如500rpm/s以下，且優(yōu)選100rpm/S 的第三加速度。另外，關(guān)于其他的工序Si、S3、S4、S5、S6，由于與上述實(shí)施方式相同所以省略說明。由于這樣使晶片W以比第二加速度小的第三加速度加速旋轉(zhuǎn)，所以能使抗蝕劑液 R在晶片W上順利地?cái)U(kuò)散。由此，能在晶片W的面內(nèi)均勻地涂敷抗蝕劑液R。而且，在本實(shí)施方式中，也可以如圖6所示在工序Sl中使晶片W的旋轉(zhuǎn)不減速到例如500rpm而開始工序S2。S卩，如圖10所示在工序S2-1中晶片W的旋轉(zhuǎn)以第一加速度從2000rpm加速到例如2200rpm，接著在工序S2-2中晶片W的旋轉(zhuǎn)以第二加速度從2200rpm 加速到例如^OOrpm，接著在工序S2-3中晶片W的旋轉(zhuǎn)以第三加速度從^OOrpm加速到第一轉(zhuǎn)速。這時(shí)，也能如上所述將抗蝕劑液R的供給量抑制為少量，并且能在晶片面內(nèi)均勻地涂敷抗蝕劑液R。在以上的實(shí)施方式中，在工序S2中使晶片W始終加速旋轉(zhuǎn)，但是該晶片W的加速旋轉(zhuǎn)的方法不限定于圖9和圖10所示的方法。例如如圖11所示，也可以在工序S2中使晶片W加速旋轉(zhuǎn)以使晶片W的轉(zhuǎn)速從例如2000rpm呈S字狀變動(dòng)到第一轉(zhuǎn)速。即，在工序S2 開始前為2000rpm的晶片W的轉(zhuǎn)速以之后該轉(zhuǎn)速連續(xù)、圓滑地變動(dòng)的方式慢慢地加速。這時(shí)，晶片W的旋轉(zhuǎn)的加速度例如從零逐漸增加。而且，工序S2結(jié)束時(shí)，晶片W的旋轉(zhuǎn)的加速度逐漸減小，晶片W的轉(zhuǎn)速順利地收斂到第一轉(zhuǎn)速。此外，例如如圖12所示，也可以在工序S2中，以使晶片W的轉(zhuǎn)速從例如第六轉(zhuǎn)速直線狀地變動(dòng)到第一轉(zhuǎn)速的方式使晶片W加速旋轉(zhuǎn)。這時(shí)，晶片W的旋轉(zhuǎn)的加速度是定值。這樣在如圖11和圖12所示的任一種情況下，由于在工序S2中使晶片W的轉(zhuǎn)速始終加速旋轉(zhuǎn)，所以能如上所述將抗蝕劑液R的供給量抑制為少量，并且能在晶片面內(nèi)均勻地涂敷抗蝕劑液R。在以上的實(shí)施方式中，從第一轉(zhuǎn)速減速到第二轉(zhuǎn)速，但是例如如圖13所示，在工序S2與工序S3之間，也可以實(shí)施使晶片W以比第一轉(zhuǎn)速慢且比第二轉(zhuǎn)速快的第八轉(zhuǎn)速、例如1500rpm 2000rpm旋轉(zhuǎn)的工序S7。根據(jù)發(fā)明者們確認(rèn)，在工序S2中，由于抗蝕劑液R中的添加劑的影響使在晶片W 表面上的抗蝕劑液R的接觸角變大。此外，由于使晶片W以第一轉(zhuǎn)速高速旋轉(zhuǎn)，所以晶片W 上的抗蝕劑液R干燥，使該抗蝕劑液表面的流動(dòng)性降低。因此，在之后實(shí)施的工序S3中，在給以第二轉(zhuǎn)速低速旋轉(zhuǎn)中的晶片W供給抗蝕劑液R時(shí)，首先在第一工序給晶片W上供給的抗蝕劑液R與在第二工序給晶片W上供給的抗蝕劑液R不溶合。于是，在后續(xù)的工序S4中， 使晶片W以第三轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)而使抗蝕劑液R在晶片W上擴(kuò)散時(shí)，存在如圖14所示抗蝕劑液R 朝向晶片W的外側(cè)方向不規(guī)則地芒狀地?cái)U(kuò)散，而尖銳化的長的涂敷斑L放射性地出現(xiàn)的情況。針對這點(diǎn)發(fā)明者們專心調(diào)查后知道，向以第八轉(zhuǎn)速的1500rpm 2000rpm旋轉(zhuǎn)中的晶片W供給抗蝕劑液R時(shí)，能抑制抗蝕劑液R的干燥并且能使抗蝕劑液R在晶片W上擴(kuò)散。因而，使晶片W以第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)時(shí)，抗蝕劑液R以晶片W的同心圓狀地?cái)U(kuò)散，能在基板上不發(fā)生涂敷斑而涂敷抗蝕劑液R。因此，在本實(shí)施方式中，使晶片W以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)后，如圖13所示，使晶片W的旋轉(zhuǎn)減速到第八轉(zhuǎn)速的例如1500rpm 2000rpm，本實(shí)施方式中減速到1500rpm，之后使晶片 W以第八轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。以第八轉(zhuǎn)速使晶片W旋轉(zhuǎn)0.4秒以上，本實(shí)施方式中旋轉(zhuǎn)0.5秒。然后，在該晶片W的減速旋轉(zhuǎn)中和以第八轉(zhuǎn)速的旋轉(zhuǎn)中，從抗蝕劑液噴嘴33連續(xù)供給抗蝕劑液R(圖13的工序S7)。所供給的抗蝕劑液R通過晶片W的旋轉(zhuǎn)在晶片W上擴(kuò)散。在該工序S7中，由于使晶片W的轉(zhuǎn)速減速到第八轉(zhuǎn)速，所以能抑制晶片W上的抗蝕劑液R的干燥。 于是，先在工序S2供給的抗蝕劑液R與在工序S3供給的抗蝕劑液R容易溶合在一起，所以抗蝕劑液R以晶片W的同心圓狀地?cái)U(kuò)散。另外，在該工序S7中，雖然抗蝕劑液R擴(kuò)散到晶片W的外周部，但是抗蝕劑液R沒擴(kuò)散到晶片W的端部。此外，發(fā)明者們調(diào)查后知道，使晶片W以第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)0. 4秒以上，能充分抑制晶片W上的抗蝕劑液R的干燥。另外，在以上的實(shí)施方式的工序S7中，也可以如圖15所示使晶片W始終減速旋轉(zhuǎn)。在工序S7中，晶片W的旋轉(zhuǎn)從第一轉(zhuǎn)速減速到例如1800rpm(圖15的工序S7-1)。在該工序S7-1中，晶片W的旋轉(zhuǎn)的加速度是例如(-30000rpm/s) (-5000rpm/s)，優(yōu)選為 (-10000rpm/s)的第四加速度。接著，晶片W的旋轉(zhuǎn)從ISOOrpm減速旋轉(zhuǎn)到第八轉(zhuǎn)速(圖15 的工序S7-2)。在該工序S7-2中，晶片的旋轉(zhuǎn)的加速度是比第四加速度大、例如(-500rpm/ s)以上且未滿Orpm/s、優(yōu)選為(-100rpm/S)的第五加速度。這時(shí)，由于在工序S7中使晶片W以第八轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，所以能使在工序S2向晶片W上供給的抗蝕劑液R在被控制其干燥的同時(shí)擴(kuò)散。于是，在工序S2供給的抗蝕劑液R與在工序S7供給的抗蝕劑液R容易溶合，由此能使抗蝕劑液R在晶片W上同心狀地?cái)U(kuò)散。因而， 能防止抗蝕劑液R的涂敷斑的發(fā)生，在晶片面內(nèi)均勻地涂敷抗蝕劑液R。在以上的實(shí)施方式中，在工序S7中，使晶片W始終減速旋轉(zhuǎn)，但是該晶片W的減速旋轉(zhuǎn)的方法不限定于圖15所示的方法。例如如圖16所示，在工序S7中，也可以以使晶片W 的轉(zhuǎn)速從第一轉(zhuǎn)速S字狀地變動(dòng)到第八轉(zhuǎn)速的方式來使晶片W減速旋轉(zhuǎn)。即，使為第一轉(zhuǎn)速的晶片W的旋轉(zhuǎn)以之后該轉(zhuǎn)速連續(xù)、圓滑地變動(dòng)的方式慢慢減速。這時(shí)，晶片W的旋轉(zhuǎn)的加速度例如從零逐漸減少。而且，在工序S7結(jié)束時(shí)，晶片W的旋轉(zhuǎn)的加速度逐漸增加，晶片 W的轉(zhuǎn)速順利地收斂到第八轉(zhuǎn)速。此外，例如如圖17所示，在工序S7中也可以以使晶片W的轉(zhuǎn)速從第一轉(zhuǎn)速直線狀地變動(dòng)到第八轉(zhuǎn)速的方式使晶片W減速旋轉(zhuǎn)。這時(shí)，晶片W的旋轉(zhuǎn)的加速度是定值。這樣在圖16和圖17所示的任一種情況下，由于在工序S7中使晶片W以第八轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，所以能如上所述防止抗蝕劑液R的涂敷斑的發(fā)生，能在晶片面內(nèi)均勻地涂敷抗蝕劑液R。而且，在以上的實(shí)施方式中，抗蝕劑液R的供給從工序S2開始實(shí)施到工序S3的中途，但是也可以在工序S2結(jié)束時(shí)停止抗蝕劑液R的供給。這時(shí)候，根據(jù)在工序S5使晶片W 以第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，能抑制抗蝕劑液R的干燥，并且能使晶片中心部的抗蝕劑液R向基板的外周擴(kuò)散，所以晶片W上的抗蝕劑液R被均勻地平坦化。以上，參照

了本發(fā)明的最佳的實(shí)施方式，但是本發(fā)明不限定于此例。若是本領(lǐng)域技術(shù)人員，在專利要求范圍記載的思想的范疇內(nèi)，顯然能夠想到各種的變形例或修正例，就此而言當(dāng)然也隸屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。本發(fā)明不限定于該例，可以采用各種方式。例如在上述實(shí)施方式中，舉例說明了抗蝕劑液的涂敷處理，但是本發(fā)明也能適用于抗蝕劑液以外的其他涂敷液，例如形成防反射膜、SOG (Spin On Glass)膜、SOD (Spin On Dielectric)膜等的涂敷液的涂敷處理。此外，上述的實(shí)施方式是在晶片實(shí)施涂敷處理的例子，但是本發(fā)明也適用于基板是晶片以外的FPD(平板顯示器Flat Panel Display)、光掩膜用的中間掩膜等的其他基板的情況。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明在例如在半導(dǎo)體晶片等的基板上涂敷涂敷液時(shí)是有用的。
權(quán)利要求
1.一種涂敷處理方法，是將涂敷液涂敷在基板上的方法，該涂敷處理方法的特征在于， 包括使基板以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第一工序；之后，使基板的旋轉(zhuǎn)減速，使基板以比第一轉(zhuǎn)速慢的第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第二工序； 之后，使基板的旋轉(zhuǎn)加速，使基板以比第二轉(zhuǎn)速快且比第一轉(zhuǎn)速慢的第三轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第三工序；之后，使基板的旋轉(zhuǎn)減速，使基板以比第三轉(zhuǎn)速慢的第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第四工序；和之后，使基板的旋轉(zhuǎn)加速，使基板以比第四轉(zhuǎn)速快的第五轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第五工序， 對基板中心部的涂敷液的供給從所述第一工序到所述第二工序的中途連續(xù)實(shí)施，或者在所述第一工序期間連續(xù)實(shí)施，所述第四轉(zhuǎn)速超過Orpm并在500rpm以下。
2.如權(quán)利要求1所述的涂敷處理方法，其特征在于 在所述第四工序中，以第四轉(zhuǎn)速使基板旋轉(zhuǎn)1 10秒。
3.如權(quán)利要求1或者2所述的涂敷處理方法，其特征在于在所述第一工序之前，還具有使基板以比第一轉(zhuǎn)速慢的第六轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第六工序。
4.如權(quán)利要求3所述的涂敷處理方法，其特征在于在所述第一工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度按照第一加速度、比所述第一加速度大的第二加速度、比所述第二加速度小的第三加速度的順序變化，使該基板從第六轉(zhuǎn)速加速旋轉(zhuǎn)到第一轉(zhuǎn)速。
5.如權(quán)利要求3所述的涂敷處理方法，其特征在于在所述第一工序中，使在開始前為第六轉(zhuǎn)速的基板的旋轉(zhuǎn)以開始后基板轉(zhuǎn)速連續(xù)地變動(dòng)的方式逐漸加速，結(jié)束時(shí)，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度逐漸降低，使基板的旋轉(zhuǎn)收斂到第一轉(zhuǎn)速。
6.如權(quán)利要求3所述的涂敷處理方法，其特征在于在所述第一工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度為定值，使該基板從第六轉(zhuǎn)速加速旋轉(zhuǎn)到第一轉(zhuǎn)速。
7.如權(quán)利要求3 6中任一項(xiàng)所述的涂敷處理方法，其特征在于在所述第六工序之前，使基板以比第六轉(zhuǎn)速快的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，并在基板上涂敷溶劑。
8.如權(quán)利要求3 6中任一項(xiàng)所述的涂敷處理方法，其特征在于 在所述第六工序中，使基板以第六轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，并在基板上涂敷溶劑。
9.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的涂敷處理方法，其特征在于在所述第一工序中，在使基板以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)之前，使基板以比第一轉(zhuǎn)速快的第七轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。
10.如權(quán)利要求9所述的涂敷處理方法，其特征在于 所述第七轉(zhuǎn)速在4000rpm以下，在所述第一工序中，以該第七轉(zhuǎn)速使基板旋轉(zhuǎn)0. 1秒 0. 5秒。
11.如權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)所述的涂敷處理方法，其特征在于在所述第一工序與所述第二工序之間，具有使基板以比第一轉(zhuǎn)速慢且比第二轉(zhuǎn)速快的第八轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第七工序，所述第八轉(zhuǎn)速是1500rpm 2000rpm。
12.如權(quán)利要求11所述的涂敷處理方法，其特征在于在所述第七工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度按照第四加速度、比所述第四加速度大的第五加速度的順序變化，使該基板從第一轉(zhuǎn)速減速旋轉(zhuǎn)到第八轉(zhuǎn)速。
13.如權(quán)利要求11所述的涂敷處理方法，其特征在于在所述第七工序中，使開始前為第一轉(zhuǎn)速的基板的旋轉(zhuǎn)以開始后基板轉(zhuǎn)速連續(xù)地變動(dòng)的方式逐漸減速，結(jié)束時(shí)，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度逐漸增加，使基板的旋轉(zhuǎn)收斂到第八轉(zhuǎn)速。
14.如權(quán)利要求11所述的涂敷處理方法，其特征在于在所述第七工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度為定值，使該基板從第一轉(zhuǎn)速減速旋轉(zhuǎn)到第八轉(zhuǎn)速。
15.一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于其為能夠讀取的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，用于存儲(chǔ)在控制部的在計(jì)算機(jī)上執(zhí)行的程序，該控制部控制涂敷處理裝置，以通過該涂敷處理裝置實(shí)施權(quán)利要求1 14中任一項(xiàng)所述的涂敷處理方法。
16.一種涂敷處理裝置，在基板上涂敷涂敷液，其特征在于，包括保持基板并使其旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)保持部；向基板供給涂敷液的涂敷液噴嘴；控制部，其控制所述旋轉(zhuǎn)保持部以實(shí)施使基板以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第一工序；之后使基板的旋轉(zhuǎn)減速，并使基板以比第一轉(zhuǎn)速慢的第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第二工序；之后使基板的旋轉(zhuǎn)加速，使基板以比第二轉(zhuǎn)速快且比第一轉(zhuǎn)速慢的第三轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第三工序；之后使基板的旋轉(zhuǎn)減速，使基板以比第三轉(zhuǎn)速慢的超過Orpm并在500rpm以下的第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第四工序；之后使基板的旋轉(zhuǎn)加速，使基板以比第四轉(zhuǎn)速快的第五轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第五工序，且所述控制部控制所述涂敷液噴嘴使對基板的中心部的涂敷液的供給從所述第一工序?qū)嵤┑剿龅诙ば虻闹型具B續(xù)實(shí)施，或者在所述第一工序期間連續(xù)實(shí)施。
17.如權(quán)利要求16所述的涂敷處理裝置，其特征在于所述控制部，控制所述旋轉(zhuǎn)保持部，使得在所述第四工序中，使基板以第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn) 1 10秒。
18.如權(quán)利要求16或者17所述的涂敷處理裝置，其特征在于所述控制部控制所述旋轉(zhuǎn)保持部，使得在所述第一工序之前還實(shí)施使基板以比第一轉(zhuǎn)速慢的第六轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第六工序。
19.如權(quán)利要求18所述的涂敷處理裝置，其特征在于所述控制部控制所述旋轉(zhuǎn)保持部，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度按照第一加速度、比所述第一加速度大的第二加速度、比所述第二加速度小的第三加速度的順序變化，使該基板從第六轉(zhuǎn)速加速旋轉(zhuǎn)到第一轉(zhuǎn)速。
20.如權(quán)利要求18所述的涂敷處理裝置，其特征在于所述控制部控制所述旋轉(zhuǎn)保持部，使得在所述第一工序中，使在開始前為第六轉(zhuǎn)速的基板的旋轉(zhuǎn)以開始后該轉(zhuǎn)速連續(xù)地變動(dòng)的方式逐漸加速，結(jié)束時(shí)，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度逐漸減小，使基板的旋轉(zhuǎn)收斂到第一轉(zhuǎn)速。
21.如權(quán)利要求18所述的涂敷處理裝置，其特征在于所述控制部控制所述旋轉(zhuǎn)保持部，使得在所述第一工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度為定值，使該基板從第六轉(zhuǎn)速加速旋轉(zhuǎn)到第一轉(zhuǎn)速。
22.如權(quán)利要求18 21中任一項(xiàng)所述的涂敷處理裝置，其特征在于還具有向基板供給涂敷液的溶劑的溶劑噴嘴，所述控制部控制所述旋轉(zhuǎn)保持部和所述溶劑噴嘴，使得在所述第六工序之前，使基板以比第六轉(zhuǎn)速快的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，并在基板上涂敷溶劑。
23.如權(quán)利要求18 21中任一項(xiàng)所述的涂敷處理裝置，其特征在于還具有向基板供給涂敷液的溶劑的溶劑噴嘴，所述控制部控制所述旋轉(zhuǎn)保持部和所述溶劑噴嘴，使得在所述第六工序中使基板以第六轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，并在基板上涂敷溶劑。
24.如權(quán)利要求16 18任一項(xiàng)所述的涂敷處理裝置，其特征在于所述控制部控制所述旋轉(zhuǎn)保持部，使得在所述第一工序中，在使基板以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)之前，使基板以比第一轉(zhuǎn)速快的第七轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。
25.如權(quán)利要求M所述的涂敷處理裝置，其特征在于所述控制部控制所述旋轉(zhuǎn)保持部，使得在所述第一工序中使基板以第七轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)0. 1 秒 0. 5秒，所述第七轉(zhuǎn)速是4000rpm以下。
26.如權(quán)利要求16 25任一項(xiàng)所述的涂敷處理裝置，其特征在于所述控制部控制所述旋轉(zhuǎn)保持部，使得在所述第一工序與所述第二工序之間，還實(shí)施使基板以比第一轉(zhuǎn)速慢且比第二轉(zhuǎn)速快的1500rpm 2000rpm的第八轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的第七工序。
27.如權(quán)利要求沈所述的涂敷處理裝置，其特征在于所述控制部控制所述旋轉(zhuǎn)保持部，使得在所述第七工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度按照第四加速度、比所述第四加速度大的第五加速度的順序變化，使該基板從第一轉(zhuǎn)速減速旋轉(zhuǎn)到第八轉(zhuǎn)速。
28.如權(quán)利要求沈所述的涂敷處理裝置，其特征在于所述控制部控制所述旋轉(zhuǎn)保持部，使得在所述第七工序中，使開始前為第一轉(zhuǎn)速的基板的旋轉(zhuǎn)以開始后該轉(zhuǎn)速連續(xù)地變動(dòng)的方式逐漸減速，結(jié)束時(shí)，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度逐漸增加，使基板的旋轉(zhuǎn)收斂到第八轉(zhuǎn)速。
29.如權(quán)利要求沈所述的涂敷處理裝置，其特征在于所述控制部控制所述旋轉(zhuǎn)保持部，使得在所述第七工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)的加速度為定值，使該基板從第一轉(zhuǎn)速減速旋轉(zhuǎn)到第八轉(zhuǎn)速。
全文摘要
本發(fā)明提供一種涂敷處理方法和涂敷處理裝置，在基板上涂敷涂敷液時(shí)，能夠?qū)⑼糠笠旱墓┙o量抑制為少量，并且在基板面內(nèi)均勻地涂敷涂敷液。具體而言，給旋轉(zhuǎn)中的晶片上供給溶劑，使晶片以第六轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)使溶劑擴(kuò)散(工序S1)。使晶片的旋轉(zhuǎn)加速到第一轉(zhuǎn)速，使晶片以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)(工序S2)。使晶片的旋轉(zhuǎn)減速到第二轉(zhuǎn)速，使晶片W以第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)(工序S3)。使晶片的旋轉(zhuǎn)進(jìn)一步加速到第三轉(zhuǎn)速，使晶片以第三轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)(工序S4)。使晶片的旋轉(zhuǎn)減速到第四轉(zhuǎn)速超過0rpm并在500rpm以下，使晶片以第四轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)1～10秒(工序S5)。使晶片的旋轉(zhuǎn)加速到第五轉(zhuǎn)速，使晶片以第五轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)(工序S6)。在從工序S2到工序S3的途中，或者工序S2中對晶片的中心連續(xù)供給抗蝕劑液。
文檔編號G03F7/16GK102346375SQ20111020617
公開日2012年2月8日 申請日期2011年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月23日
發(fā)明者吉原孝介, 畠山真一 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社