專利名稱：掩模板和掩膜板的定位方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，尤其涉及一種掩模板和掩膜板的定位方法。
背景技術(shù)：
在微電子行業(yè)芯片制造流程中，經(jīng)常需要經(jīng)過(guò)多次光刻過(guò)程，為了每次光刻過(guò)程中曝光時(shí)能實(shí)現(xiàn)多層圖形的精確重合，需要制作多張掩模板。例如為了實(shí)現(xiàn)兩次曝光時(shí)圖形的精確重合，通常制作兩塊掩模板，并在兩 塊掩模板的同一個(gè)位置上制作出可以相互匹配的對(duì)位標(biāo)記。在所述多次光刻過(guò)程中，有時(shí)也需要對(duì)ー個(gè)圖形進(jìn)行多次重復(fù)曝光。例如對(duì)ー個(gè)圖形進(jìn)行兩次重復(fù)曝光，現(xiàn)有技術(shù)如下首先需要制作兩塊掩模板，并在兩塊掩模板的同一個(gè)位置上制作出可以相互匹配的對(duì)位標(biāo)記，第一次曝光用的掩模板12的對(duì)位標(biāo)記11的位置如圖Ia所示，第二次曝光用的掩模板14的對(duì)位標(biāo)記13的位置如圖Ib所示；現(xiàn)有技術(shù)對(duì)ー個(gè)圖形進(jìn)行兩次重復(fù)曝光具體為第一次通過(guò)使用掩模板12曝光,將12上的對(duì)位標(biāo)記11制作于基板上，第一次曝光后基板上制作出的對(duì)位標(biāo)記為15 ;第二次使用掩模板14曝光時(shí)，先移動(dòng)基板，使基板上的對(duì)位標(biāo)記15與掩模板14上的對(duì)位標(biāo)記13進(jìn)行對(duì)位，如圖Ic所示；然后完成第二次曝光。在實(shí)現(xiàn)上述對(duì)ー個(gè)圖形兩次重復(fù)曝光的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題即便是同一個(gè)圖形多次重復(fù)曝光時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)圖形的精確重合也需要多張掩模板。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種掩模板，能夠采用單張掩模板實(shí)現(xiàn)重復(fù)曝光時(shí)圖形的對(duì)位重合。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例采用如下技術(shù)方案—種掩膜板，所述掩膜板設(shè)置有基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和與所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記。所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記沿所述掩模板中心對(duì)稱分布于所述掩模板兩側(cè)。所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記為至少ー個(gè)，各對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記于其所對(duì)位的基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記的同側(cè)設(shè)置。一種掩模板的定位方法，包括使用掩模板正常曝光，將所述掩模板上的對(duì)位標(biāo)記全部制作于基板上，所述掩模板上的對(duì)位標(biāo)記包括基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和與所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記；移動(dòng)基板，將所述基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記與所述掩模板基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位；設(shè)置曝光機(jī)的補(bǔ)償值，根據(jù)輸入的曝光機(jī)的補(bǔ)償值，控制曝光機(jī)進(jìn)行補(bǔ)償，抵消所述基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和所述掩模板上的基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記間的間距，完成掩膜板與基板的對(duì)位后隱光。在所述根據(jù)輸入的曝光機(jī)的補(bǔ)償值，控制曝光機(jī)進(jìn)行補(bǔ)償，抵消基板上的所述對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和所述掩模板上的基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記間的間距，完成掩膜板與基板的對(duì)位后曝光之前還包括生成所述曝光機(jī)的補(bǔ)償值。所述生成所述曝光機(jī)的補(bǔ)償值，包括讀取對(duì)位后曝光機(jī)的原始補(bǔ)償值； 根據(jù)基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記與對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記之間的間距值和相對(duì)位置以及所述原始補(bǔ)償值生成曝光機(jī)的補(bǔ)償值。所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記沿所述掩模板中心對(duì)稱分布于所述掩模板兩側(cè)。所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記為至少ー個(gè)，各對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記于其所對(duì)位的基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記的同側(cè)設(shè)置。在本發(fā)明實(shí)施例中，將不同次曝光使用的標(biāo)記，設(shè)計(jì)于同一個(gè)掩模板上，在重復(fù)曝光對(duì)位時(shí)利用曝光機(jī)的曝光補(bǔ)償，抵消了掩模板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和基板上的基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記間的間距，用單張掩模板實(shí)現(xiàn)了重復(fù)曝光時(shí)圖形的對(duì)位重合。


圖Ia為現(xiàn)有技術(shù)第一次曝光用的掩模板上的對(duì)位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖；圖Ib為現(xiàn)有技術(shù)第二次曝光用的掩模板上的對(duì)位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖；圖Ic為現(xiàn)有技術(shù)第二次曝光時(shí)掩模板上的對(duì)位標(biāo)記與基板上的對(duì)位標(biāo)記的對(duì)位情況不意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一掩模板上的對(duì)位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)不意圖一；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一掩模板上的對(duì)位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖ニ ；圖4為本發(fā)明實(shí)施例一掩模板上的對(duì)位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)不意圖三；圖5為本發(fā)明實(shí)施例ニ中使用的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例ニ掩模板的定位方法流程圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例三中使用的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例四中使用的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記11-第一次曝光用的掩膜板上的標(biāo)記，12-第一次曝光用的掩膜板，13-第二次曝光用的掩膜板上的標(biāo)記，14-第二次曝光用的掩膜板，15-第一次曝光后基板上的標(biāo)記；21-對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記，22-基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記，23-掩模板。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例掩模板和掩膜板的定位方法進(jìn)行詳細(xì)描述。實(shí)施例一本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜板，該掩膜板設(shè)置有基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和與基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記。本發(fā)明所述掩模板將不同次曝光使用的標(biāo)記，設(shè)計(jì)于同一個(gè)掩模板上；使用掩模板正常曝光，將掩模板上的對(duì)位標(biāo)記全部制作于基板上；再次曝光時(shí)，先將掩模板基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位，再通過(guò)調(diào)整曝光機(jī)設(shè)備的硬件或軟件，改變掩膜板與基板的相對(duì)位置，彌補(bǔ)掩模板上基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和與基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記之間的偏移，用單張掩模板實(shí)現(xiàn)了重復(fù)曝光時(shí)圖形的對(duì)位重合。進(jìn)ー步地，如圖2所示，基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22沿掩模板中心對(duì)稱分布于掩模板兩側(cè)；所述對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21于其所對(duì)位的基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22某ー側(cè)設(shè)置，即掩模板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21與基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22在位置上有所偏移。使用掩模板正常曝光，將掩模板上的對(duì)位標(biāo)記全部制作于基板上；再次曝光時(shí)，先將掩模板基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位，通過(guò)調(diào)整曝光機(jī)設(shè)備的硬件或軟件，改變掩膜板與基板的相對(duì)位置，彌補(bǔ)掩模板上基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和與基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記之間的偏移，用單張掩模板實(shí)現(xiàn)了重復(fù)曝光時(shí)圖形的對(duì)位重合。 本發(fā)明實(shí)施例還提供一種掩膜板，區(qū)別于圖2所示的掩膜板，掩模板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21于其所對(duì)位的基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22的橫向同側(cè)設(shè)置，如圖3所示，掩模板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21的位置與基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22僅在橫向有偏移。使用掩模板正常曝光，將掩模板上的對(duì)位標(biāo)記全部制作于基板上；再次曝光時(shí)，先將掩模板基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位，再通過(guò)調(diào)整曝光機(jī)設(shè)備的硬件或軟件，改變掩膜板與基板橫向相對(duì)位置，彌補(bǔ)掩模板上基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和與基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記之間的橫向偏移，用單張掩模板實(shí)現(xiàn)了重復(fù)曝光時(shí)圖形的對(duì)位重合。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種掩膜板，區(qū)別于圖3所示的掩膜板，對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21于其所對(duì)位的基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22的縱向同側(cè)設(shè)置，如圖4所示，掩模板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21的位置與基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22僅在縱向有偏移。使用掩模板正常曝光，將掩模板上的對(duì)位標(biāo)記全部制作于基板上；再次曝光時(shí)，先將掩模板基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位，再通過(guò)調(diào)整曝光機(jī)設(shè)備的硬件或軟件，使得基板在縱向相對(duì)掩模板移動(dòng)，改變掩膜板與基板的相對(duì)位置，彌補(bǔ)掩模板上基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和與基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記這兩層標(biāo)記間的縱向偏移，用單張掩模板實(shí)現(xiàn)了重復(fù)曝光時(shí)圖形的對(duì)位重合。上述本發(fā)明實(shí)施例所述掩模板基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記為至少ー個(gè)。實(shí)施例ニ本發(fā)明實(shí)施例還提供一種掩膜板的定位方法，本實(shí)施例所述定位方法所使用的掩模板如圖5所示，掩膜板設(shè)置有基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和與基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21，基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21之間的間距為橫向間距X，以日本佳能Canon曝光機(jī)為例，具體定位方法如圖6所示步驟301、使用掩模板正常曝光，將掩模板上的對(duì)位標(biāo)記全部制作于基板上；所述掩模板上的對(duì)位標(biāo)記包括基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21,對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21與基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22相對(duì)位。步驟302、下次使用所述掩模板曝光時(shí)，先移動(dòng)基板，將基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記與掩模板基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22相對(duì)位，由于基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記間的間距，對(duì)位后基板圖形和掩模板的圖形不重合；在本步驟中，繼續(xù)使用步驟301中使用的掩模板。步驟303、讀取對(duì)位后曝光機(jī)的原始補(bǔ)償值，根據(jù)基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記與對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記之間的間距值和相對(duì)位置以及所述原始補(bǔ)償值生成曝光機(jī)的補(bǔ)償值；光刻過(guò)程中，曝光之前進(jìn)行對(duì)位后，有許多原因會(huì)使得對(duì)位標(biāo)記之間實(shí)際上還是存在微小偏差，掩模板的圖形與基板的圖形不能精確重合，需要在曝光過(guò)程中進(jìn)行補(bǔ)償；曝光機(jī)會(huì)在曝光過(guò)程中根據(jù)測(cè)量系統(tǒng)反饋的偏差結(jié)果，自動(dòng)生成曝光機(jī)的曝光補(bǔ)償值，再根據(jù)補(bǔ)償值調(diào)整設(shè)備的硬件或軟件，基板相對(duì)掩模板移動(dòng)，改變掩模板與基板的相對(duì)位置，實(shí)現(xiàn)兩層圖形的精確重合，然后曝光。上述補(bǔ)償功能的實(shí)現(xiàn)過(guò)程不一定是基板移動(dòng)，本實(shí)施例出于敘述方便考慮簡(jiǎn)化了補(bǔ)償功能的實(shí)現(xiàn)過(guò)程，實(shí)際實(shí)施過(guò)程中曝光機(jī)補(bǔ)償功能的具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程可能會(huì)不同，例如可能是曝光機(jī)的基板移動(dòng)與光學(xué)系統(tǒng)自動(dòng)微調(diào)相互配合共同實(shí)現(xiàn)，曝光機(jī)的補(bǔ)償功能具體如何實(shí)現(xiàn)不影響本發(fā)明的實(shí)際應(yīng)用。本發(fā)明將不同次曝光使用的標(biāo)記，設(shè)計(jì)于同一個(gè)掩模板上，曝光時(shí)利用曝光機(jī)的補(bǔ)償功能，設(shè)置補(bǔ)償值，就可以彌補(bǔ)掩模板上基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和與基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記之間的偏移，實(shí)現(xiàn)掩膜板與基板兩層圖形的精確重合。進(jìn)ー步的，步驟303中所述曝光機(jī)的補(bǔ)償值生成過(guò)程包括讀取對(duì)位后曝光機(jī)的原始補(bǔ)償值，橫向坐標(biāo)X0，縱向坐標(biāo)YO ；根據(jù)基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記與對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記之間的間距值和相對(duì)位置以及所述原始補(bǔ)償值生成曝光機(jī)的補(bǔ)償值，本實(shí)施例中，所述掩模板上對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21位于所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22橫向左側(cè)，所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21之間的間距為橫向間距X，縱向間距為0;所述掩模板上對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21位于所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22橫向左側(cè)，生成曝光機(jī)的補(bǔ)償值為橫向坐標(biāo)-X+X0，縱向坐標(biāo)0+Y0 ；如果上述對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21位于所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22橫向右側(cè)，生成曝光機(jī)的補(bǔ)償值為橫向坐標(biāo)+X+X0，縱向坐標(biāo)0+Y0 ；雖然不同的曝光機(jī)，補(bǔ)償值的生成會(huì)有所不同，但僅輸入的補(bǔ)償值中的X有正負(fù)之分，因此在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中上述補(bǔ)償值的生成還可采取如下方法隨機(jī)確定X正負(fù)加上原始補(bǔ)償值生成補(bǔ)償值，輸入補(bǔ)償值后測(cè)試，然后根據(jù)測(cè)試結(jié)果確定補(bǔ)償值；如果補(bǔ)償值輸入橫向坐標(biāo)+X+X0，縱向坐標(biāo)0+Y0，曝光后測(cè)試結(jié)果顯示圖形偏差較大，則生成的補(bǔ)償值應(yīng)為橫向坐標(biāo)-X+X0，縱向坐標(biāo)0+Y0。步驟304，再在補(bǔ)償參數(shù)位置處，在橫向坐標(biāo)處輸入-X+X0，縱向坐標(biāo)處保留原有補(bǔ)償值YO ；曝光機(jī)根據(jù)輸入的補(bǔ)償值調(diào)整曝光機(jī)的基臺(tái)的移動(dòng)和光學(xué)系統(tǒng)等硬件設(shè)備，在原來(lái)曝光補(bǔ)償基礎(chǔ)上，使得基板相對(duì)掩模板再在橫向向左移動(dòng)X，抵消掩模板基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和所基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記間的間距，完成掩膜板與基板的圖形的對(duì)位重合；然后再次曝光。
在微電子行業(yè)芯片制造流程中，經(jīng)常需對(duì)ー個(gè)圖形進(jìn)行多次重復(fù)曝光，重復(fù)步驟302至步驟304或者重復(fù)步驟301至步驟304，就可以實(shí)現(xiàn)用同一掩模板在多次重復(fù)曝光時(shí)圖形的重合。實(shí)施例三本發(fā)明ー種掩膜板的定位方法，另ー具體實(shí)施例如下本實(shí)施例所述定位方法所使用的掩模板如圖7所示，掩膜板設(shè)置有基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和與基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21,基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21之間的間距為縱向間距Y。本實(shí)施例中，具體步驟與實(shí)施例ニ基本相同，區(qū)別在于，在步驟303中，生成的曝光機(jī)的補(bǔ)償值不同；在步驟304中，在補(bǔ)償參數(shù)位置處，輸入上步驟303生成的補(bǔ)償值，曝光機(jī)根據(jù)輸入的補(bǔ)償值調(diào)整曝光機(jī)的基臺(tái)的移動(dòng)和光學(xué)系統(tǒng)等硬件設(shè)備，在原來(lái)曝光補(bǔ)償基礎(chǔ)上，使得基板相對(duì)掩模板再在縱向移動(dòng)Y，抵消掩模板基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記間的間距，完成掩膜板與基板的圖形的對(duì)位重合；然后再次曝光。實(shí)施例四本發(fā)明ー種掩膜板的定位方法，另ー具體實(shí)施實(shí)例如下本實(shí)施例所述定位方法所使用的掩模板如圖8所示，掩膜板設(shè)置有基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和與基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21,基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記21之間的間距為橫向間距Xl，縱向間距Yl。 本實(shí)施例中，具體步驟與實(shí)施例ニ基本相同，區(qū)別在于，在步驟303中，生成的曝光機(jī)的補(bǔ)償值不同；在步驟304中，在補(bǔ)償參數(shù)位置處，輸入步驟303生成的補(bǔ)償值，曝光機(jī)根據(jù)輸入的補(bǔ)償值調(diào)整曝光機(jī)的基臺(tái)的移動(dòng)和光學(xué)系統(tǒng)等硬件設(shè)備，在原來(lái)曝光補(bǔ)償基礎(chǔ)上，使得基板相對(duì)掩模板再在橫向移動(dòng)XI，在縱向移動(dòng)Yl，抵消掩模板基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記22和基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記間的橫向間距和縱向間距，完成掩膜板與基板的圖形的對(duì)位重合；然后再次曝光。本發(fā)明掩膜板的定位方法，使用設(shè)置有基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和與基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記的掩模板，使用掩模板正常曝光，將掩模板上的對(duì)位標(biāo)記全部制作于基板上；再次曝光時(shí)利用曝光機(jī)的曝光補(bǔ)償?shù)窒藢?duì)位標(biāo)記間的間距，用單張掩模板實(shí)現(xiàn)了重復(fù)曝光時(shí)圖形的定位重合。本發(fā)明實(shí)施例雖然涉及液晶領(lǐng)域，但本發(fā)明的應(yīng)用應(yīng)不限于此，還可應(yīng)用于等離子、半導(dǎo)體等微電子領(lǐng)域。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。權(quán)利要求
1.一種掩膜板,其特征在于， 所述掩膜板設(shè)置有基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和與所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述掩模版，其特征在于，所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記沿所述掩模板中心對(duì)稱分布于所述掩模板兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述掩模版，其特征在于，所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記為至少一個(gè)，各對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記于其所對(duì)位的基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記的同側(cè)設(shè)置。
4.一種掩模板的定位方法，其特征在于，包括 使用掩模板正常曝光，將所述掩模板上的對(duì)位標(biāo)記全部制作于基板上，所述掩模板上的對(duì)位標(biāo)記包括基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和與所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記； 移動(dòng)基板，將所述基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記與所述掩模板基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位； 設(shè)置曝光機(jī)的補(bǔ)償值，根據(jù)輸入的曝光機(jī)的補(bǔ)償值，控制曝光機(jī)進(jìn)行補(bǔ)償，抵消所述基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和所述掩模板上的基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記間的間距，完成掩膜板與基板的對(duì)位后曝光。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在所述根據(jù)輸入的曝光機(jī)的補(bǔ)償值，控制曝光機(jī)進(jìn)行補(bǔ)償，抵消基板上的所述對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和所述掩模板上的基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記間的間距，完成掩膜板與基板的對(duì)位后曝光之前還包括 生成所述曝光機(jī)的補(bǔ)償值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述生成所述曝光機(jī)的補(bǔ)償值，包括 讀取對(duì)位后曝光機(jī)的原始補(bǔ)償值； 根據(jù)基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記與對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記之間的間距值和相對(duì)位置以及所述原始補(bǔ)償值生成曝光機(jī)的補(bǔ)償值。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記沿所述掩模板中心對(duì)稱分布于所述掩模板兩側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記為至少一個(gè)，各對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記于其所對(duì)位的基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記的同側(cè)設(shè)置。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種掩模板和掩模板的定位方法，涉及微電子領(lǐng)域，能夠采用單張掩模板實(shí)現(xiàn)重復(fù)曝光時(shí)圖形的對(duì)位重合。一種掩膜板，所述掩膜板設(shè)置有基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和與所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記。方法包括使用掩模板正常曝光，將所述掩模板上的對(duì)位標(biāo)記全部制作于基板上，所述掩模板上的對(duì)位標(biāo)記包括基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和與所述基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記；移動(dòng)基板，將所述基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記與所述掩模板基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記相對(duì)位；設(shè)置曝光機(jī)的補(bǔ)償值，根據(jù)輸入的曝光機(jī)的補(bǔ)償值，控制曝光機(jī)進(jìn)行補(bǔ)償，抵消所述基板上的對(duì)準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和所述掩模板上的基準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記間的間距，完成掩膜板與基板的對(duì)位后曝光。
文檔編號(hào)G03F1/42GK102650819SQ201110221058
公開日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2011年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月3日
發(fā)明者孫學(xué)佳, 張同局, 江俊波, 熊正平, 魏小丹 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司