專利名稱：一種顯影后的光刻膠層的對準(zhǔn)檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說是涉及一種顯影后的光刻膠層的對準(zhǔn)檢測方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的發(fā)展，集成電路的制作工藝也越來也精細(xì)。在半導(dǎo)體制作工藝中，當(dāng)硅片表面涂布光刻膠后，為了將掩膜版上的圖像轉(zhuǎn)移到光刻膠上，需要對光刻膠進(jìn)行定位、曝光以及顯影，整個過程中的每個工藝步驟之后都會進(jìn)行相應(yīng)的檢驗，其中，對光刻膠顯影后的檢測可以稱為顯影后檢查(ADI, After Developing Inspection)。顯影后檢查一般包括缺陷檢查、線寬測量和對準(zhǔn)測量等操作。其中對準(zhǔn)操作是對顯影后的光刻膠層的圖形規(guī)則程度的檢查，各層圖像的套準(zhǔn)檢查等。但是，在對顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)時所用的光源很容易對顯影后的光刻膠層上的光刻膠造成損傷，進(jìn)而影響后續(xù)的制作工藝，使得制作出的集成電路板質(zhì)量較差。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種顯影后的光刻膠層的對準(zhǔn)檢測方法，在對顯影后的光刻膠進(jìn)行對準(zhǔn)時，能減少對顯影后的光刻膠層上的光刻膠的損傷。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種顯影后的光刻膠層的對準(zhǔn)檢測方法，包括設(shè)定對顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)檢測的光源參數(shù)，并將光源參數(shù)中的相對光強設(shè)定為小于500 ；依據(jù)所述設(shè)定的光源參數(shù)和所述相對光強，對所述顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)檢測。優(yōu)選的，將所述相對光強設(shè)定為150。優(yōu)選的，設(shè)定的光源參數(shù)還包括將所述對準(zhǔn)檢測所用光源的曝光劑量設(shè)定為大于 O. 03J/cm2 且小于 O. 06J/cm2。優(yōu)選的，將所述對準(zhǔn)檢測所用的光源的曝光劑量設(shè)定為O. 05J/cm2。 優(yōu)選的，所述對準(zhǔn)所用的光源為紫外光源。優(yōu)選的，所述紫外光源為準(zhǔn)分子激光。經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明公開提供了一種顯影后的光刻膠層的對準(zhǔn)檢測方法，將對顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)檢測所用的相對光強設(shè)定為小于500，通過降低對準(zhǔn)檢測所用光源的光強來降低對顯影后的光刻膠層的損傷，進(jìn)而提高了集成電路板的質(zhì)量。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明一種顯影后的光刻膠層的對準(zhǔn)檢測方法一個實施例的流程示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍?，F(xiàn)有技術(shù)中，對完成顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)的過程中，經(jīng)常會對顯影后的光刻膠層上的光刻膠造成損傷。發(fā)明人經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中在對顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)的過程中所用的光源與進(jìn)行曝光時所用的I線光源的光強能量很接近，現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行對準(zhǔn)檢測時，所用的光源的相對光強一般均大于或等于500。而在該相對光強下，對準(zhǔn)檢測所用光源的光強較大很容易損傷顯影后的光刻膠層，而適當(dāng)?shù)慕档蛯?zhǔn)檢測的光源的光強并不會降低對準(zhǔn)檢測的準(zhǔn)確性，但卻能夠避免對顯影后光刻膠層的損傷，因此發(fā)明人降低對準(zhǔn)檢測所用的光源的相對光強，進(jìn)而降低了光源的光強，避免了對準(zhǔn)檢測過程中對顯影后的光刻膠層的損傷。參見圖1，為本發(fā)明一種顯影后的光刻膠層的對準(zhǔn)檢測方法一個實施例的流程示意圖，本實施例的方法包括步驟101 :設(shè)定對顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)檢測的光源參數(shù)，并將光源參數(shù)中的相對光強設(shè)定為小于500 ；在半導(dǎo)體工藝中，在對硅片涂布光刻膠并前烘后，將帶膠硅片與投影掩模版進(jìn)行對準(zhǔn)，然后進(jìn)行曝光和顯影以便將掩膜版上的圖形復(fù)制到帶膠硅片上。顯影完成之后，為了檢測顯影后的光刻膠層上的圖形的規(guī)則程度，需要進(jìn)行顯影后檢查。顯影后檢查需要借助紫外光源對顯影后的光刻膠層進(jìn)行檢查，為了檢測出光刻膠層上圖形是否規(guī)則、是否滿足要求就需要對顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)檢測。對準(zhǔn)檢測過程前需要設(shè)定對準(zhǔn)檢測所用的光源參數(shù)，如光源的相對光強、光源的曝光能量以及透鏡的分光參數(shù)等。而光源參數(shù)中相對光強是反映光源強度的一個重要指標(biāo)，而現(xiàn)有技術(shù)中在顯影后檢查時進(jìn)行對準(zhǔn)檢測所用光源的相對光強均大于或等于500，而在相對光強大于或等于500時，對準(zhǔn)檢測時所用的光源的光強與利用I線曝光的光源強度很接近，因此在進(jìn)行對準(zhǔn)檢測時，很容易對顯影后的光刻膠層的光刻膠造成損傷。為了避免對顯影后的光刻膠層上的光刻膠的損傷，可以適當(dāng)降低顯影后檢查中對準(zhǔn)檢測時所用光源的相對光強，而降低光源的相對光強可以在既不損傷光刻膠的同時又完成對準(zhǔn)檢測的操作。步驟102 :依據(jù)所述設(shè)定的光源參數(shù)和所述相對光強，對所述顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)檢測。在設(shè)定了光源參數(shù)，并將相對光強設(shè)定在500以下，就可以對顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)檢測。其中，設(shè)定對準(zhǔn)檢測所用的相對光強可以小于500，但并不是相對光強與500的差距越大越好，還需要滿足對準(zhǔn)檢測過程中所需的光強，可以將該相對光強設(shè)定為120-180的范圍內(nèi)，經(jīng)過試驗分析，當(dāng)相對光強設(shè)定為150，對準(zhǔn)檢測的精度最高，且在相對光強為150時，對準(zhǔn)檢測的過程中對顯影后的光刻膠層上的光刻膠造成損傷的可能性最小。在顯影后檢查的對準(zhǔn)檢測過程中，可能需要利用對準(zhǔn)光標(biāo)對顯影后的光刻膠層進(jìn)行圖形規(guī)則程度檢測，其中對準(zhǔn)光標(biāo)也就是對準(zhǔn)檢測過程中，在光刻膠層上標(biāo)識顯示對準(zhǔn)位置的標(biāo)志，與計算機中的光標(biāo)相似，但是該對準(zhǔn)光標(biāo)一般為十字形光標(biāo)。當(dāng)降低對準(zhǔn)檢測過程中的相對光強時，對準(zhǔn)檢測所用光源的光強會變?nèi)?，因此對?zhǔn)檢測過程中檢測的靈敏度會相應(yīng)的變?nèi)?，或者說，對準(zhǔn)光標(biāo)的對準(zhǔn)能力以及靈敏度會降低，為了不影響檢測的靈敏度，發(fā)明人經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)適當(dāng)?shù)奶岣吖庠吹钠毓鈩┝?，可以提高對?zhǔn)檢測的靈敏度，可以將光源的曝光劑量設(shè)定為大于O. 03J/cm2且小于O. 06J/cm2。在現(xiàn)有技術(shù)中，顯影后檢查中對準(zhǔn)檢測所用光源的曝光劑量一般為O. 03J/cm2，但是在這種曝光劑量下，對準(zhǔn)檢測的靈敏度會很低，為了提高靈敏度可以將光源的曝光劑量提高，經(jīng)驗證當(dāng)光源的曝光劑量為O. 05J/cm2時，靈敏度較高。進(jìn)一步的，為了保證對準(zhǔn)檢測過程中的精確度以及靈敏度，可以將對準(zhǔn)檢測的中的光源的相對光強設(shè)定為150，同時將曝光劑量設(shè)定為O. 05J/cm2。需要說明的是，在顯影后檢查中對準(zhǔn)檢測所用的光源為紫外光源，具體的紫外光源可以為準(zhǔn)分子激光，當(dāng)然可以為其他的紫外光源。本說明書中各個實施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種顯影后的光刻膠層的對準(zhǔn)檢測方法，其特征在于，包括 設(shè)定對顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)檢測的光源參數(shù)，并將光源參數(shù)中的相對光強設(shè)定為小于500 ； 依據(jù)所述設(shè)定的光源參數(shù)和所述相對光強，對所述顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)檢測。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的對準(zhǔn)方法，其特征在于，將所述相對光強設(shè)定為150。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2任一項所述的對準(zhǔn)方法，其特征在于，設(shè)定的光源參數(shù)還包括將所述對準(zhǔn)檢測所用光源的曝光劑量設(shè)定為大于O. 03J/cm2且小于O. 06J/cm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對準(zhǔn)方法，其特征在于，將所述對準(zhǔn)檢測所用的光源的曝光劑量設(shè)定為O. 05J/cm2。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的對準(zhǔn)方法，其特征在于，所述對準(zhǔn)所用的光源為紫外光源。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的對準(zhǔn)方法，其特征在于，所述紫外光源為準(zhǔn)分子激光。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯影后的光刻膠層的對準(zhǔn)檢測方法，包括設(shè)定對顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)檢測的光源參數(shù)，并將光源參數(shù)中的相對光強設(shè)定為小于500；依據(jù)所述設(shè)定的光源參數(shù)和所述相對光強，對所述顯影后的光刻膠層進(jìn)行對準(zhǔn)檢測。該方法在對顯影后的光刻膠進(jìn)行對準(zhǔn)時，能減少對顯影后的光刻膠層上的光刻膠的損傷。
文檔編號G03F7/20GK102929111SQ20111022876
公開日2013年2月13日 申請日期2011年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月10日
發(fā)明者顧英 申請人:無錫華潤上華科技有限公司