專利名稱：光學(xué)臨近效應(yīng)修正在線監(jiān)控的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制集成電路工藝方法，尤其是涉及一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正在線監(jiān)控的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，光學(xué)臨近效應(yīng)修正(OPC, Optical Proximity Correction)技術(shù)作為一種分辨率增強技術(shù)(RET, Resolution Enhancement Technology)普遍應(yīng)用于 0. 13um 技術(shù)節(jié)點以上的關(guān)鍵層工藝，且普遍使用基于模型的OPC (Model based 0PC)方法。這種方法對于模型范圍內(nèi)的各種圖形有比較好的預(yù)測性，能夠很大程度的提高光刻的工藝窗口。但是隨著半導(dǎo)體工藝尺寸的日益縮小，圖形的設(shè)計規(guī)則(design rule)越來越復(fù)雜，而OPC技術(shù)的修正也越來越復(fù)雜。在OPC修正過程中，最小關(guān)鍵尺寸(criticaldemension,⑶)和最小空間周期(Pitch)處的OPC表現(xiàn)不一定是影響最終良率的位置?，F(xiàn)有技術(shù)中，同一技術(shù)平臺的OPC程序通常要應(yīng)用于多種不同的產(chǎn)品中，產(chǎn)品不同時，結(jié)果也可能差異明顯，例如，同一設(shè)計規(guī)則，最小線寬CD即最小關(guān)鍵尺寸相同，但當(dāng)最小關(guān)鍵尺寸對應(yīng)的圖形的長度不同時，工藝窗口大小也不同，最終良率也可能會不同；再比如，同一設(shè)計規(guī)則，最小線寬CD相同，最小關(guān)鍵尺寸對應(yīng)的圖形的長度也相同，但當(dāng)所述最小關(guān)鍵尺寸對應(yīng)的圖形放置方向不同時如放置于X方向、或Y方向、或者45度方向時，最終的結(jié)果也會不同。由上可知，現(xiàn)有技術(shù)中將同一技術(shù)平臺的OPC程序應(yīng)用于多種不同的產(chǎn)品時會出現(xiàn)多種不同的結(jié)果，最終會影響到產(chǎn)品的良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正在線監(jiān)控的方法，能良好的監(jiān)控光學(xué)臨近效應(yīng)修正程序?qū)Ω鞣N不同產(chǎn)品的圖形的預(yù)測的準(zhǔn)確性，從而能很方便的提聞廣品的良率。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正在線監(jiān)控的方法，包括如下步驟步驟一、收集產(chǎn)品的數(shù)據(jù)，所述產(chǎn)品的設(shè)計規(guī)則處的關(guān)鍵尺寸為最小關(guān)鍵尺寸、設(shè)計規(guī)則處的空間周期為最小空間周期，所述產(chǎn)品的數(shù)據(jù)包括所有大于等于所述最小關(guān)鍵尺寸的關(guān)鍵尺寸、和所有大于等于所述最小空間周期的空間周期，各所述關(guān)鍵尺寸和各所述空間周期都分別有對應(yīng)的取值；按照所述取值的不同分別對所有的所述關(guān)鍵尺寸和所有的所述空間周期進(jìn)行統(tǒng)計分析。所有大于等于所述最小空間周期的空間周期中還包括禁止光學(xué)空間周期(forbidden pitch),它主要出現(xiàn)在I. I I. 4倍的曝光波長/數(shù)值孔徑的范圍內(nèi)。步驟二、根據(jù)步驟一的統(tǒng)計分析結(jié)果，選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸和所述空間周期。步驟三、在要形成所述產(chǎn)品的硅片上添加監(jiān)控圖形，所述監(jiān)控圖形用于監(jiān)控步驟二中選定的需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸和所述空間周期；所述監(jiān)控圖形位于所述硅片的劃片槽區(qū)域、或者位于所述硅片的形成所述產(chǎn)品的芯片區(qū)域內(nèi)部。步驟四、通過監(jiān)控所述監(jiān)控圖形來監(jiān)控光學(xué)臨近效應(yīng)修正程序?qū)λ霎a(chǎn)品的圖形的預(yù)測的準(zhǔn)確性。進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟一中對所有的所述關(guān)鍵尺寸進(jìn)行統(tǒng)計分析的方法為統(tǒng)計出各種不同取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸的出現(xiàn)的次數(shù)，并制定所述關(guān)鍵尺寸的統(tǒng)計圖；所述關(guān)鍵尺寸的統(tǒng)計圖的橫坐標(biāo)取所述關(guān)鍵尺寸的不同取值，所述關(guān)鍵尺寸的統(tǒng)計圖的縱坐標(biāo)取各取值對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸的出現(xiàn)的次數(shù)。步驟一中對所有的所述空間周期進(jìn)行統(tǒng)計分析的方法為統(tǒng)計出各種不同取值所對應(yīng)的所述空間周期的出現(xiàn)的次數(shù)，并制定所述空間周期的統(tǒng)計圖；所述空間周期的統(tǒng)計圖的橫坐標(biāo)取所述空間周期的不同取值，所述空間周期的統(tǒng)計圖的縱坐標(biāo)取各取值對應(yīng)的所述空間周期的出現(xiàn)的次數(shù)。進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟二中對需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸和所述空間周期分別進(jìn)行選擇。其中，選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的方法為根據(jù)所述關(guān)鍵尺寸的分布次數(shù)進(jìn)行選擇，當(dāng)一個取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)的次數(shù)大于等于所有統(tǒng)計到的所述關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)的總次數(shù)的O. 1%時，則選擇該取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸作為需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸。選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期的方法為根據(jù)所述空間周期的分布次數(shù)進(jìn)行選擇，當(dāng)一個取值所對應(yīng)的所述空間周期出現(xiàn)的次數(shù)大于等于所有統(tǒng)計到的所述空間周期出現(xiàn)的總次數(shù)的O. I %時，則選擇該取值所對應(yīng)的所述空間周期作為需要監(jiān)控的所述空間周期。進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟二中是先選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸，再選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期。選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的方法為根據(jù)所述關(guān)鍵尺寸的分布次數(shù)進(jìn)行選擇，當(dāng)一個取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)的次數(shù)大于等于所有統(tǒng)計到的所述關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)的總次數(shù)的O. I %時，則選擇該取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸作為需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸。選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期的方法為將取值為所述需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的取值的6倍以上的所述空間周期、以及禁止光學(xué)空間周期即取值為I. I I. 4倍的曝光波長/數(shù)值孔徑的空間周期。、以及出現(xiàn)次數(shù)大于等于所述需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的出現(xiàn)次數(shù)的5%的所述空間周期作為所述需要監(jiān)控的所述空間周期。進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟二中是先選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期，再選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸。選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期的方法為根據(jù)所述空間周期的分布次數(shù)進(jìn)行選擇，當(dāng)一個取值所對應(yīng)的所述空間周期出現(xiàn)的次數(shù)大于等于所有統(tǒng)計到的所述空間周期出現(xiàn)的總次數(shù)的O. 1%時，則選擇該取值所對應(yīng)的所述空間周期作為需要監(jiān)控的所述空間周期。選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的方法為將取值為所述需要監(jiān)控的所述空間周期的取值的1/6以下的所述關(guān)鍵尺寸、以及出現(xiàn)次數(shù)大于等于所述需要監(jiān)控的所述空間周期的出現(xiàn)次數(shù)的5%的所述關(guān)鍵尺寸作為所述需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸。進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟一中進(jìn)行的統(tǒng)計分析的工具為設(shè)計規(guī)則檢查工具(designrule check, DRC);或其它電子設(shè)計自動化工具(Electronic Design Automation, EDA),例如 Anchor (諳科公司)的 HPA(hot point analysis)軟件。本發(fā)明通過在要形成產(chǎn)品的硅片中設(shè)定和產(chǎn)品相對應(yīng)的監(jiān)測圖形，通過對監(jiān)控圖形的監(jiān)控來監(jiān)控光學(xué)臨近效應(yīng)修正程序?qū)Ξa(chǎn)品的圖形的預(yù)測的準(zhǔn)確性。所以本發(fā)明很方便的應(yīng)用于各種不同的產(chǎn)品中，從而能良好的監(jiān)控光學(xué)臨近效應(yīng)修正程序?qū)Ω鞣N不同產(chǎn)品的圖形的預(yù)測的準(zhǔn)確性，當(dāng)光學(xué)臨近效應(yīng)修正程序的預(yù)測不準(zhǔn)確時，能夠及時對光學(xué)臨近效應(yīng)修正程序參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，從而能很方便的提高產(chǎn)品的良率。


下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明圖I是本發(fā)明實施例方法的流程圖；圖2是本發(fā)明實施例方法中的空間周期的統(tǒng)計圖。
具體實施例方式如圖I所示，是本發(fā)明實施例的流程圖。本發(fā)明實施例光學(xué)臨近效應(yīng)修正在線監(jiān)控的方法，包括如下步驟步驟一、采用Mentor的DRC工具、或其它EDA工具例如Anchor (諳科公司)的HPA(hot point analysis)軟件,收集產(chǎn)品的數(shù)據(jù),所述產(chǎn)品的設(shè)計規(guī)則處的關(guān)鍵尺寸為最小關(guān)鍵尺寸、設(shè)計規(guī)則處的空間周期為最小空間周期，所述產(chǎn)品的數(shù)據(jù)包括所有大于等于所述最小關(guān)鍵尺寸的關(guān)鍵尺寸、和所有大于等于所述最小空間周期的空間周期，各所述關(guān)鍵尺寸和各所述空間周期都分別有對應(yīng)的取值；按照所述取值的不同分別對所有的所述關(guān)鍵尺寸和所有的所述空間周期進(jìn)行統(tǒng)計分析。對所有的所述關(guān)鍵尺寸進(jìn)行統(tǒng)計分析的方法為統(tǒng)計出各種不同取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸的出現(xiàn)的次數(shù)，并制定所述關(guān)鍵尺寸的統(tǒng)計圖；所述關(guān)鍵尺寸的統(tǒng)計圖的橫坐標(biāo)取所述關(guān)鍵尺寸的不同取值，所述關(guān)鍵尺寸的統(tǒng)計圖的縱坐標(biāo)取各取值對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸的出現(xiàn)的次數(shù)。對所有的所述空間周期進(jìn)行統(tǒng)計分析的方法為統(tǒng)計出各種不同取值所對應(yīng)的所述空間周期的出現(xiàn)的次數(shù)，并制定所述空間周期的統(tǒng)計圖；所述空間周期的統(tǒng)計圖的橫坐標(biāo)取所述空間周期的不同取值，所述空間周期的統(tǒng)計圖的縱坐標(biāo)取各取值對應(yīng)的所述空間周期的出現(xiàn)的次數(shù)。如圖2所示，為采用本發(fā)明實施例得到的所述空間周期的統(tǒng)計圖。步驟二、根據(jù)步驟一的統(tǒng)計分析結(jié)果，選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸和所述空間周期。選擇方法可以有如下三種方法第一種為對需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸和所述空間周期分別進(jìn)行選擇。其中，選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的方法為根據(jù)所述關(guān)鍵尺寸的分布次數(shù)進(jìn)行選擇，當(dāng)一個取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)的次數(shù)大于等于所有統(tǒng)計到的所述關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)的總次數(shù)的O. 1%時，則選擇該取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸作為需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸。選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期的方法為根據(jù)所述空間周期的分布次數(shù)進(jìn)行選擇，當(dāng)一個取值所對應(yīng)的所述空間周期出現(xiàn)的次數(shù)大于等于所有統(tǒng)計到的所述空間周期出現(xiàn)的總次數(shù)的
O.1%時，則選擇該取值所對應(yīng)的所述空間周期作為需要監(jiān)控的所述空間周期。第二種為先選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸，再選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期。選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的方法為根據(jù)所述關(guān)鍵尺寸的分布次數(shù)進(jìn)行選擇，當(dāng)一個取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)的次數(shù)大于等于所有統(tǒng)計到的所述關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)的總次數(shù)的O. 1%時，則選擇該取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸作為需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸。選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期的方法為將取值為所述需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的取值的6倍以上的所述空間周期、以及禁止光學(xué)空間周期即取值為I. I I. 4倍的曝光波長/數(shù)值孔徑的空間周期、以及出現(xiàn)次數(shù)大于等于所述需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的出現(xiàn)次數(shù)的5%的所述空間周期作為所述需要監(jiān)控的所述空間周期。第三種為先選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期，再選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸。選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期的方法為根據(jù)所述空間周期的分布次數(shù)進(jìn)行選擇，當(dāng)一個取值所對應(yīng)的所述空間周期出現(xiàn)的次數(shù)大于等于所有統(tǒng)計到的所述空間周期出現(xiàn)的總次數(shù)的O. 1%時，則選擇該取值所對應(yīng)的所述空間周期作為需要監(jiān)控的所述空間周期。選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的方法為將取值為所述需要監(jiān)控的所述空間周期的取值的1/6以下的所述關(guān)鍵尺寸、以及出現(xiàn)次數(shù)大于等于所述需要監(jiān)控的所述空間周期的出現(xiàn)次數(shù)的5%的所述關(guān)鍵尺寸作為所述需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸。步驟三、在要形成所述產(chǎn)品的硅片上添加監(jiān)控圖形，所述監(jiān)控圖形用于監(jiān)控步驟二中選定的需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸和所述空間周期；所述監(jiān)控圖形位于所述硅片的劃片槽區(qū)域、或者位于所述硅片的形成所述產(chǎn)品的芯片區(qū)域內(nèi)部。步驟四、通過監(jiān)控所述監(jiān)控圖形來監(jiān)控光學(xué)臨近效應(yīng)修正程序?qū)λ霎a(chǎn)品的圖形的預(yù)測的準(zhǔn)確性。以上通過具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正在線監(jiān)控的方法，其特征在于，包括如下步驟步驟一、收集產(chǎn)品的數(shù)據(jù)，所述產(chǎn)品的設(shè)計規(guī)則處的關(guān)鍵尺寸為最小關(guān)鍵尺寸、設(shè)計規(guī)則處的空間周期為最小空間周期，所述產(chǎn)品的數(shù)據(jù)包括所有大于等于所述最小關(guān)鍵尺寸的關(guān)鍵尺寸、和所有大于等于所述最小空間周期的空間周期，各所述關(guān)鍵尺寸和各所述空間周期都分別有對應(yīng)的取值；按照所述取值的不同分別對所有的所述關(guān)鍵尺寸和所有的所述空間周期進(jìn)行統(tǒng)計分析；步驟二、根據(jù)步驟一的統(tǒng)計分析結(jié)果，選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸和所述空間周期；步驟三、在要形成所述產(chǎn)品的硅片上添加監(jiān)控圖形，所述監(jiān)控圖形用于監(jiān)控步驟二中選定的需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸和所述空間周期；所述監(jiān)控圖形位于所述硅片的劃片槽區(qū)域、或者位于所述硅片的形成所述產(chǎn)品的芯片區(qū)域內(nèi)部；步驟四、通過監(jiān)控所述監(jiān)控圖形來監(jiān)控光學(xué)臨近效應(yīng)修正程序?qū)λ霎a(chǎn)品的圖形的預(yù)測的準(zhǔn)確性。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于步驟一中對所有的所述關(guān)鍵尺寸進(jìn)行統(tǒng)計分析的方法為統(tǒng)計出各種不同取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸的出現(xiàn)的次數(shù)，并制定所述關(guān)鍵尺寸的統(tǒng)計圖；所述關(guān)鍵尺寸的統(tǒng)計圖的橫坐標(biāo)取所述關(guān)鍵尺寸的不同取值，所述關(guān)鍵尺寸的統(tǒng)計圖的縱坐標(biāo)取各取值對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸的出現(xiàn)的次數(shù)；步驟一中對所有的所述空間周期進(jìn)行統(tǒng)計分析的方法為統(tǒng)計出各種不同取值所對應(yīng)的所述空間周期的出現(xiàn)的次數(shù)，并制定所述空間周期的統(tǒng)計圖；所述空間周期的統(tǒng)計圖的橫坐標(biāo)取所述空間周期的不同取值，所述空間周期的統(tǒng)計圖的縱坐標(biāo)取各取值對應(yīng)的所述空間周期的出現(xiàn)的次數(shù)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于步驟二中對需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸和所述空間周期分別進(jìn)行選擇；其中，選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的方法為根據(jù)所述關(guān)鍵尺寸的分布次數(shù)進(jìn)行選擇，當(dāng)一個取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)的次數(shù)大于等于所有統(tǒng)計到的所述關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)的總次數(shù)的O. I %時，則選擇該取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸作為需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸；選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期的方法為根據(jù)所述空間周期的分布次數(shù)進(jìn)行選擇，當(dāng)一個取值所對應(yīng)的所述空間周期出現(xiàn)的次數(shù)大于等于所有統(tǒng)計到的所述空間周期出現(xiàn)的總次數(shù)的O. 1%時，則選擇該取值所對應(yīng)的所述空間周期作為需要監(jiān)控的所述空間周期。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于步驟二中是先選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸，再選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期；選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的方法為根據(jù)所述關(guān)鍵尺寸的分布次數(shù)進(jìn)行選擇，當(dāng)一個取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)的次數(shù)大于等于所有統(tǒng)計到的所述關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)的總次數(shù)的O. I %時，則選擇該取值所對應(yīng)的所述關(guān)鍵尺寸作為需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸；選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期的方法為將取值為所述需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的取值的6倍以上的所述空間周期、以及禁止光學(xué)空間周期、以及出現(xiàn)次數(shù)大于等于所述需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的出現(xiàn)次數(shù)的5%的所述空間周期作為所述需要監(jiān)控的所述空間周期。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于步驟二中是先選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期，再選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸；選擇出需要監(jiān)控的所述空間周期的方法為根據(jù)所述空間周期的分布次數(shù)進(jìn)行選擇，當(dāng)一個取值所對應(yīng)的所述空間周期出現(xiàn)的次數(shù)大于等于所有統(tǒng)計到的所述空間周期出現(xiàn)的總次數(shù)的O. I %時，則選擇該取值所對應(yīng)的所述空間周期作為需要監(jiān)控的所述空間周期；選擇出需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸的方法為將取值為所述需要監(jiān)控的所述空間周期的取值的1/6以下的所述關(guān)鍵尺寸、以及出現(xiàn)次數(shù)大于等于所述需要監(jiān)控的所述空間周期的出現(xiàn)次數(shù)的5%的所述關(guān)鍵尺寸作為所述需要監(jiān)控的所述關(guān)鍵尺寸。
6.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于步驟一中進(jìn)行的統(tǒng)計分析的工具為電子設(shè)計自動化工具。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于步驟一中進(jìn)行的統(tǒng)計分析的工具為設(shè)計規(guī)則檢查工具。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正在線監(jiān)控的方法，包括步驟收集產(chǎn)品的數(shù)據(jù)并進(jìn)行統(tǒng)計分析；選擇出需要監(jiān)控的關(guān)鍵尺寸和空間周期；在硅片上添加監(jiān)控圖形，監(jiān)控圖形位于所述硅片的劃片槽區(qū)域、或者芯片區(qū)域內(nèi)部；通過監(jiān)控所述監(jiān)控圖形來監(jiān)控光學(xué)臨近效應(yīng)修正程序的預(yù)測的準(zhǔn)確性。本發(fā)明能良好的監(jiān)控光學(xué)臨近效應(yīng)修正程序?qū)Ω鞣N不同產(chǎn)品的圖形的預(yù)測的準(zhǔn)確性，從而能很方便的提高產(chǎn)品的良率。
文檔編號G03F7/20GK102955363SQ201110239039
公開日2013年3月6日 申請日期2011年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月19日
發(fā)明者陳福成 申請人:上海華虹Nec電子有限公司