專(zhuān)利名稱(chēng)：一種低溫多晶硅tft陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器及AMOLED顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及一種低溫多晶硅TFT (Thin Film Transistor,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
由于非晶硅本身自有的缺陷問(wèn)題，如缺陷太多導(dǎo)致的開(kāi)態(tài)電流低、遷移率低、穩(wěn)定性差，使使它在很多領(lǐng)域收到了限制，為了彌補(bǔ)非晶硅本身缺陷，擴(kuò)大在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon,低溫多晶娃)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。如圖I、圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中的低溫多晶硅TFT陣列基板制造方法包括S101、在基板11上形成緩沖層12。 S102、通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝處理，在緩沖層上形成多晶硅有源層圖形。S103、將無(wú)機(jī)材料沉積在多晶娃有源層圖形的整個(gè)表面,形成第一絕緣層14。S104、通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝處理，在絕緣層上形成柵線(xiàn)、柵極15，之后對(duì)多晶硅進(jìn)行摻雜、激活等處理形成多晶硅半導(dǎo)體有源層13。S105、在柵線(xiàn)、柵極15上形成第二絕緣層16。S106、通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝處理，在第一絕緣層14和第二絕緣層16上形成源極過(guò)孔17a、漏極過(guò)孔17b，露出有源層13。S107、通過(guò)第四次構(gòu)圖工藝處理，形成數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極18a和漏極18b，其中，源極18a通過(guò)源極過(guò)孔17a與有源層13連接，漏極18b通過(guò)漏極過(guò)孔17b與有源層連接13。S108、在數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極18a和漏極18b上形成保護(hù)層19，并通過(guò)第五次構(gòu)圖工藝處理在漏極18b上方形成過(guò)孔，露出漏極18b。S109、通過(guò)第六次構(gòu)圖工藝處理形成ITO像素電極20，該ITO像素電極20通過(guò)過(guò)孔與漏極18b連接。S110、通過(guò)第七次構(gòu)圖工藝處理，在基板上形成平坦化層21。由上可以看出，現(xiàn)有技術(shù)中在低溫多晶硅TFT陣列基板的制造過(guò)程中，需利用總計(jì)至少7次的構(gòu)圖工藝處理，制造工藝復(fù)雜，制造流程繁多，材料消耗多，增加了加工時(shí)間和加工成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種低溫多晶硅TFT陣列基板及其制造方法，減少了構(gòu)圖工藝處理次數(shù)，從而簡(jiǎn)化了制造流程，降低了制造成本。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案—方面，提供一種低溫多晶娃TFT陣列基板,包括基板；在緩沖層上形成有多晶硅半導(dǎo)體有源層；所述多晶硅半導(dǎo)體有源層上形成有源極、漏極；所述源極、漏極與所述多晶硅半導(dǎo)體有源層構(gòu)成TFT區(qū)域；所述源極、漏極上形成有柵絕緣層；所述柵絕緣層上形成有柵極、柵線(xiàn)；所述柵極、柵線(xiàn)上形成有保護(hù)層；所述保護(hù)層上形成有像素電極層，所述像素電極層通過(guò)位于所述保護(hù)層、柵絕緣層上的過(guò)孔與所述漏極連接。還包括在形成有多晶硅半導(dǎo)體有源層之前，在所述基板上形成有緩沖層。另一方面，提供一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法，包括 在基板上形成多晶硅層；在所述多晶硅層上形成第一金屬層，利用灰色調(diào)掩摸板或半透式掩摸板對(duì)所述第一金屬層、多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝得到數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極和多晶娃半導(dǎo)體部分的圖案；通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上形成柵線(xiàn)、柵極；在所述源極、漏極和多晶硅半導(dǎo)體部分的圖案上形成柵絕緣層；對(duì)所述多晶硅層的源、漏極之間的部分進(jìn)行摻雜處理，以便與所述源、漏極形成溝道區(qū)；在所述柵線(xiàn)、柵極上形成保護(hù)層，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝在所述漏極處形成過(guò)孔，露出所述漏極；在所述保護(hù)層上形成像素電極層，所述像素電極層通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏極連接；通過(guò)第四次構(gòu)圖工藝形成像素電極圖形；在像素電極上通過(guò)第五次構(gòu)圖工藝形成平坦化層圖形。本發(fā)明實(shí)施例提供的低溫多晶硅TFT陣列基板及其制造方法，在基板上形成緩沖層、涂布多晶硅層和金屬層之后，通過(guò)HTM或GTM對(duì)金屬層、多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝得到包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極、多晶硅半導(dǎo)體部分的圖案。較現(xiàn)有技術(shù)中先進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到多晶硅有源層圖案，接著進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源漏極與有源層的連接部分，再進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源、漏極而言，減少了曝光的工藝處理，從而降低了工序復(fù)雜度，減少了一層保護(hù)層，從而降低了工序復(fù)雜度，節(jié)省了材料，在縮短了加工時(shí)間的同時(shí)降低了加工成本。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有的低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法的流程示意圖；圖2為現(xiàn)有的低溫多晶娃TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；圖3a為利用灰色調(diào)掩模板進(jìn)行光刻膠曝光的示意圖3b為利用半透調(diào)掩模板進(jìn)行光刻膠曝光的示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的多晶硅TFT陣列基板的制造方法的流程示意圖；圖5A為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第一示意圖；圖5B為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第二示意圖；圖5C為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第三示意圖；圖為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第四示意圖；圖5E為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第五示意圖；圖5F為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第六示意
圖5G為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第七示意圖；圖5H為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第八示意圖；圖51為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第九示意圖；圖5G為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第十示意圖；圖5K為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第十一示意圖；圖5L為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第十二示意圖；圖5M為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第十三示意圖；圖5N為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第十四示意圖；圖50為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第十五示意圖；圖5P為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第十六示意圖；圖5Q為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作多晶硅TFT陣列基板的第十七示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的多晶硅TFT陣列基板的制造方法的流程示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例四提供的多晶硅TFT陣列基板的制造方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例一本發(fā)明實(shí)施例一提供的低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法，以利用灰色調(diào)掩模板(GTM)制造低溫多晶硅TFT陣列基板為例進(jìn)行說(shuō)明。首先，參照?qǐng)D3a對(duì)GTM工藝的主要原理進(jìn)行說(shuō)明。GTM掩膜板是通過(guò)光柵效應(yīng)，使曝光在不同區(qū)域透過(guò)光的強(qiáng)度不同，而使光刻膠進(jìn)行選擇性曝光、顯影。圖3a表示利用GTM掩膜板21對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的過(guò)程。在GTM掩膜板21中，包括透明區(qū)域211、不透明區(qū)域212和半透明區(qū)域213。光刻膠22為曝光后的狀態(tài)，其中，區(qū)域221對(duì)應(yīng)GTM掩膜板21的透明區(qū)域211，區(qū)域222對(duì)應(yīng)GTM掩膜板21的不透明區(qū)域212，區(qū)域223對(duì)應(yīng)GTM掩膜板21的半透明區(qū)域213。光刻膠23為顯影后的狀態(tài)，其中，區(qū)域231對(duì)應(yīng)GTM掩膜板21的透明區(qū)域211，區(qū)域232對(duì)應(yīng)GTM掩膜板21的不透明區(qū)域212，區(qū)域233對(duì)應(yīng)GTM掩膜板21的半透明區(qū)域213。下面參照?qǐng)D4、圖5A 5Q對(duì)本發(fā)明實(shí)施例一提供的利用GTM的低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。S401、在基板上形成緩沖層。為了防止玻璃基板中有害物質(zhì)，如堿金屬離子對(duì)多晶硅層性能的影響，在沉積緩沖層前要進(jìn)行預(yù)清洗(Pre-clean)。具體的,首先通過(guò)初始清潔(Initial clean)工藝實(shí)現(xiàn)對(duì)玻璃基板的清洗，清潔度要符合粒子< 300ea(粒徑> Ium)。而后，如圖5A所示，采用PECVD法在玻璃基板51上沉積形成緩沖層52。S402、在緩沖層上形成多晶硅層。如圖5B所示，采用PECVD法在緩沖層52上沉積一層非晶硅層，采用高溫烤箱對(duì)非晶硅層進(jìn)行脫氫工藝處理，以防止在晶化過(guò)程中出現(xiàn)氫爆現(xiàn)象以及降低晶化后薄膜內(nèi)部的缺陷態(tài)密度作用。脫氫工藝完成后，進(jìn)行LTPS工藝過(guò)程，采用激光退火工藝(ELA)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶工藝(MIC)、固相結(jié)晶工藝(SPC)等結(jié)晶化手段對(duì)非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶化處理，在緩沖 層52上形成多晶娃層53。S403、在多晶硅層上形成數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極所用的第一金屬層。如圖5C所不,利用派射工藝在多晶娃層上沉積第一金屬層54。S404、利用灰色調(diào)掩摸板，對(duì)第一金屬層、多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝得到數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極和多晶硅半導(dǎo)體部分圖案。如圖所示，在上述結(jié)構(gòu)的基板上涂覆一層光刻膠55，之后用GTM工藝對(duì)光刻膠55進(jìn)行曝光處理。該GTM掩膜板70上針對(duì)TFT區(qū)域，對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線(xiàn)(圖中未表示)、源極、漏極區(qū)域的部分為不透明區(qū)域702，對(duì)應(yīng)源、漏極區(qū)域之間的區(qū)域部分為半透明區(qū)域703。如圖5F所示為上述曝光后的光刻膠55的狀態(tài)示意圖，其中，光刻膠55的區(qū)域551對(duì)應(yīng)GTM掩膜板70的不透明區(qū)域702，光刻膠55的區(qū)域552對(duì)應(yīng)GTM掩膜板70的半透明區(qū)域703。如圖5G所述為顯影后的光刻膠55的狀態(tài)示意圖，其中，光刻膠55的區(qū)域551為光刻膠完全保留區(qū)域，光刻膠55的區(qū)域552為光刻膠半保留區(qū)域，其他區(qū)域?yàn)楣饪棠z完全去除區(qū)域。然后，如圖5H所示，采用濕法刻蝕(Wet Etch)工藝對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域的第一金屬層54進(jìn)行刻蝕，然后采用干法刻蝕(Dry Etch)工藝對(duì)多晶硅層53進(jìn)行刻蝕。然后，如圖51所示，經(jīng)等離子體灰化處理，將光刻膠55的光刻膠半保留區(qū)域552的光刻膠刻蝕掉，余下光刻膠完全保留區(qū)域551的光刻膠，該光刻膠完全保留區(qū)域551對(duì)應(yīng)源極、漏極區(qū)域。然后，如圖5J所示，再經(jīng)過(guò)濕法刻蝕工藝對(duì)光刻膠半保留區(qū)域552的第一金屬層54進(jìn)行二次刻蝕。然后，如圖5K所示，剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域551的光刻膠之后，得到源極542、漏極541。至此，本實(shí)施例中，通過(guò)一次GTM構(gòu)圖工藝處理，得到了包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極、多晶硅有源層的圖案。較現(xiàn)有技術(shù)中，采用的先進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到多晶硅有源層圖案，然后進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源、漏極與有源層的連接部分層，再進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源、漏極而言，減少了曝光的工藝處理，從而降低了工序復(fù)雜度，在縮短了加工時(shí)間的同時(shí)降低了加工成本。
S405、在源極、漏極和多晶硅半導(dǎo)體部分的圖案上形成柵絕緣層，之后進(jìn)行溝道區(qū)摻雜處理，以便與源、漏極形成溝道區(qū)。如圖5L所示，在源極541和漏極層542上，采用PECVD法沉積柵絕緣層56，然后通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)工藝(Self Align)方法，采用離子浴或者離子注入的方式，進(jìn)行溝道區(qū)531的摻雜處理，以便使溝道區(qū)531與源極、漏極區(qū)域形成P-N結(jié)，使TFT構(gòu)成MOS開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)。S406、在柵絕緣層上形成柵線(xiàn)、柵極。如圖5M所示，在柵絕緣層56之上，采用濺射工藝形成柵極的第二金屬層，然后通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝處理，形成柵線(xiàn)(圖中未表示)、柵極57。S407、在柵線(xiàn)、柵極上形成保護(hù)層(PVX)。如圖5N所示，在柵極57上，采用PECVD法沉積一層保護(hù)層58，來(lái)保護(hù)柵極。

S408、在柵絕緣層和保護(hù)層上形成連接過(guò)孔。如圖50所示，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝處理，在柵絕緣層56和保護(hù)層58上形成一個(gè)貫穿柵絕緣層56和保護(hù)層58的連接過(guò)孔59’，露出漏極542，用于使漏極和和像素電極相連接。 S409、在保護(hù)層上形成像素電極層，像素電極層通過(guò)過(guò)孔與漏極連接。如圖5P所示，采用PECVD法在保護(hù)層58上沉積一層ITO (Indium Tin Oxide，銦錫氧化物半導(dǎo)體)，然后采用第四次構(gòu)圖工藝處理，得到像素電極59，像素電極59通過(guò)連接過(guò)孔59’與漏極542相連接。S410、在像素電極上形成平坦化層。如圖5Q所示，在像素電極59上沉積一層起到平坦化和保護(hù)ITO像素電極邊緣的保護(hù)層90，可以采用合成樹(shù)脂(Resin)或絕緣層等材料，然后采用第五次構(gòu)圖工藝來(lái)形成相應(yīng)圖形。本發(fā)明實(shí)施例提供的低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法，在基板上形成緩沖層、涂布多晶硅層和金屬層之后，通過(guò)GTM對(duì)金屬層、多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝得到包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極、多晶硅半導(dǎo)體部分的圖案。較現(xiàn)有技術(shù)中先進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到多晶硅有源層圖案，接著進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源漏極與有源層的連接部分，再進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源、漏極而言，減少了曝光的工藝處理，減少了一層保護(hù)層，從而降低了工序復(fù)雜度，節(jié)省了材料，在縮短了加工時(shí)間的同時(shí)降低了加工成本。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例二提供的低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法，以利用半透式掩模板(HTM)制造低溫多晶硅TFT陣列基板為例進(jìn)行說(shuō)明。首先，參照?qǐng)D3b對(duì)HTM工藝的主要原理進(jìn)行說(shuō)明。HTM掩膜板是通過(guò)在不同區(qū)域透過(guò)光的強(qiáng)度不同，而使光刻膠進(jìn)行選擇性曝光、顯影。圖3b表示利用HTM掩膜板31對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的過(guò)程。在HTM掩膜板31中，包括透明區(qū)域311、不透明區(qū)域312和半透明區(qū)域313。光刻膠32為曝光后的狀態(tài)，其中，區(qū)域321對(duì)應(yīng)HTM掩膜板31的透明區(qū)域311，區(qū)域322對(duì)應(yīng)HTM掩膜板31的不透明區(qū)域312，區(qū)域323對(duì)應(yīng)HTM掩膜板31的半透明區(qū)域313。光刻膠33為顯影后的狀態(tài)，其中，區(qū)域331對(duì)應(yīng)HTM掩膜板31的透明區(qū)域311，區(qū)域332對(duì)應(yīng)HTM掩膜板31的不透明區(qū)域312，區(qū)域333對(duì)應(yīng)HTM掩膜板31的半透明區(qū)域313。如圖6所示，本實(shí)施例二與實(shí)施例一相比，除使用HTM進(jìn)行構(gòu)圖工藝的步驟(S604)與實(shí)施例一使用GTM進(jìn)行構(gòu)圖工藝的步驟(S604)有所不同之外，其余步驟與實(shí)施例一完全相同。包括S601、在基板上形成緩沖層。S602、在緩沖層上形成多晶硅層。S603、在多晶娃有源層上形成源、漏極所用的第一金屬層。S604、利用半透式掩模板，對(duì)第一金屬層、多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝得到數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極和多晶硅半導(dǎo)體部分圖案。 如圖5E所不(由于與實(shí)施例一的圖5E相同，參照實(shí)施例一的相關(guān)附圖即可)，在上述結(jié)構(gòu)的基板上涂覆一層光刻膠55，之后用HTM工藝對(duì)光刻膠55進(jìn)行曝光處理。該HTM掩膜板80上針對(duì)TFT區(qū)域，對(duì)應(yīng)源極、漏極區(qū)域的部分為不透明區(qū)域802，對(duì)應(yīng)柵極區(qū)域的部分為半透明區(qū)域803。如圖5F所不(由于與實(shí)施例一的圖5F相同，參見(jiàn)實(shí)施例一的相關(guān)附圖即可)，為上述曝光后的光刻膠55的狀態(tài)示意圖，其中，光刻膠55的區(qū)域551對(duì)應(yīng)HTM掩膜板80的不透明區(qū)域802，光刻膠55的區(qū)域552對(duì)應(yīng)HTM掩膜板80的半透明區(qū)域803。如圖5G所不(由于與實(shí)施例一的圖5G相同，參照實(shí)施例一的相關(guān)附圖即可)，為顯影后的光刻膠55的狀態(tài)示意圖，其中，光刻膠55的區(qū)域551為光刻膠完全保留區(qū)域，光刻膠55的區(qū)域552為光刻膠半保留區(qū)域，其他區(qū)域?yàn)楣饪棠z完全去除區(qū)域。然后，如圖5H所不(由于與實(shí)施例一的圖5H相同，參照實(shí)施例一的相關(guān)附圖即可)，采用濕法刻蝕(Wet Etch)工藝對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域的源漏極金屬層進(jìn)行刻蝕，然后采用干法刻蝕(Dry Etch)工藝對(duì)多晶硅層進(jìn)行刻蝕，得到多晶硅有源層53。然后，如圖51所不(由于與實(shí)施例一的圖51相同，參照實(shí)施例一的相關(guān)附圖即可)，經(jīng)等離子體灰化處理，將光刻膠55的光刻膠半保留區(qū)域552的光刻膠刻蝕掉，余下光刻膠完全保留區(qū)域551的光刻膠，該光刻膠完全保留區(qū)域551對(duì)應(yīng)源極、漏極區(qū)域。然后，如圖5J所不(由于與實(shí)施例一的圖5J相同，參照實(shí)施例一的相關(guān)附圖即可)，再經(jīng)過(guò)濕法刻蝕工藝對(duì)光刻膠半保留區(qū)域552的源漏極金屬層進(jìn)行二次刻蝕。最后，如圖5K所不(由于與實(shí)施例一的圖5K相同，參照實(shí)施例一的相關(guān)附圖即可)，剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域551的光刻膠之后，得到源極、漏極54。至此，本實(shí)施例中，通過(guò)一次HTM構(gòu)圖工藝處理，得到了包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極、多晶硅有源層的圖案。較現(xiàn)有技術(shù)中，采用的先進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到多晶硅有源層圖案，然后進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源、漏極與有源層的連接部分層，再進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源、漏極而言，減少了曝光的工藝處理，從而降低了工序復(fù)雜度，在縮短了加工時(shí)間的同時(shí)降低了加工成本。S605、在源極、漏極和多晶硅半導(dǎo)體部分的圖案上形成柵絕緣層，之后進(jìn)行溝道區(qū)摻雜處理，以便與源、漏極形成溝道區(qū)。S606、在柵絕緣層上形成柵線(xiàn)、柵極。S607、在柵極上形成保護(hù)層(PVX)。
S608、在柵絕緣層和保護(hù)層上形成連接過(guò)孔。S609、在連接過(guò)孔上形成ITO像素電極。S610、在像素電極上形成平坦化層。本發(fā)明實(shí)施例提供的低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法，在基板上形成緩沖層、涂布多晶硅層和金屬層之后，通過(guò)HTM對(duì)金屬層、多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝得到包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極、多晶硅半導(dǎo)體部分的圖案。較現(xiàn)有技術(shù)中先進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到多晶硅有源層圖案，接著進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源漏極與有源層的連接部分，再進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源、漏極而言，減少了曝光的工藝處理，減少了一層保護(hù)層，從而降低了工序復(fù)雜度，節(jié)省了材料，在縮短了加工時(shí)間的同時(shí)降低了加工成本。實(shí)施例三

本發(fā)明實(shí)施例提供的低溫多晶硅TFT陣列基板，如圖5Q所示，包括基板51;基板51上形成有緩沖層52 ；緩沖層52上形成有多晶硅半導(dǎo)體有源層53 ；多晶硅半導(dǎo)體有源層53上形成有源極541、漏極542 ;源極541、漏極542與多晶硅半導(dǎo)體有源層53構(gòu)成TFT區(qū)域；源極541、漏極542上形成有柵絕緣層56 ；柵絕緣層56上形成有柵極57、柵線(xiàn)(圖中未表示)；柵極57、柵線(xiàn)上形成有保護(hù)層58 ；保護(hù)層58上形成有像素電極層59，像素電極層59通過(guò)位于保護(hù)層58、柵絕緣層56上的過(guò)孔59’與漏極542連接。本發(fā)明實(shí)施例提供的低溫多晶硅TFT陣列基板，在基板上形成緩沖層、涂布多晶硅層和金屬層之后，通過(guò)HTM或GTM對(duì)金屬層、多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝得到包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極、多晶硅半導(dǎo)體部分的圖案。較現(xiàn)有技術(shù)中先進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到多晶硅有源層圖案，接著進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源漏極與有源層的連接部分，再進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源、漏極而言，減少了曝光的工藝處理，減少了一層保護(hù)層，從而降低了工序復(fù)雜度，節(jié)省了材料，在縮短了加工時(shí)間的同時(shí)降低了加工成本。實(shí)施例四本發(fā)明實(shí)施例提供的低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法，如圖7所示，包括S701、在基板上形成緩沖層。S702、在緩沖層上形成多晶硅層。S703、在多晶硅層進(jìn)行低濃度摻雜。多晶硅層形成后，對(duì)多晶硅層進(jìn)行低濃度摻雜，摻雜類(lèi)型與將要進(jìn)行的溝道區(qū)摻雜類(lèi)型相反，以便在溝道摻雜處理后在源、漏極與溝道間形成反向PN結(jié)，這樣可以降低在源漏極處多晶硅層和源漏極間的接觸電阻。S704、在多晶娃有源層上形成源、漏極所用的第一金屬層。S705、利用灰色掩模板或半透式掩模板，對(duì)第一金屬層、多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝得到數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極和多晶硅半導(dǎo)體部分圖案。
本實(shí)施例除以上步驟外，其余步驟與實(shí)施例一或?qū)嵤├耆粯?，具體可參考實(shí)施例一或?qū)嵤├?。本發(fā)明實(shí)施例提供的低溫多晶硅TFT陣列基板，在基板上形成緩沖層、涂布多晶硅層和金屬層之后，通過(guò)HTM或GTM對(duì)金屬層、多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝得到包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極、多晶硅半導(dǎo)體部分的圖案。較現(xiàn)有技術(shù)中先進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到多晶硅有源層圖案，接著進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源漏極與有源層的連接部分，再進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝處理得到源、漏極而言，減少了曝光的工藝處理，減少了一層保護(hù)層，從而降低了工序復(fù)雜度，節(jié)省了材料，在縮短了加工時(shí)間的同時(shí)降低了加工成本。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限 于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.ー種低溫多晶硅TFT陣列基板，其特征在于，包括 基板； 形成有多晶硅半導(dǎo)體有源層； 所述多晶硅半導(dǎo)體有源層上形成有源極、漏扱；所述源極、漏極與所述多晶硅半導(dǎo)體有源層構(gòu)成TFT區(qū)域； 所述源極、漏極上形成有柵絕緣層； 所述柵絕緣層上形成有柵極、柵線(xiàn)； 所述柵極、柵線(xiàn)上形成有保護(hù)層； 所述保護(hù)層上形成有像素電極層，所述像素電極層通過(guò)位于所述保護(hù)層、柵絕緣層上的過(guò)孔與所述漏極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫多晶硅TFT陣列基板，其特征在于，還包括 在形成有多晶硅半導(dǎo)體有源層之前，在所述基板上形成有緩沖層。
3.—種低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成多晶硅層； 在所述多晶硅層上形成第一金屬層，利用灰色調(diào)掩摸板或半透式掩摸板對(duì)所述第一金屬層、多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖エ藝處理，通過(guò)第一次構(gòu)圖エ藝得到數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極和多晶硅半導(dǎo)體部分的圖案； 通過(guò)第二次構(gòu)圖エ藝在所述柵絕緣層上形成柵線(xiàn)、柵極； 在所述源極、漏極和多晶硅半導(dǎo)體部分的圖案上形成柵絕緣層； 對(duì)所述多晶硅層的源、漏極之間的部分進(jìn)行摻雜處理，以便與所述源、漏極形成溝道區(qū)； 在所述柵線(xiàn)、柵極上形成保護(hù)層，通過(guò)第三次構(gòu)圖エ藝在所述漏極處形成過(guò)孔，露出所述漏極； 在所述保護(hù)層上形成像素電極層，所述像素電極層通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏極連接； 通過(guò)第四次構(gòu)圖エ藝形成像素電極圖形； 在像素電極上通過(guò)第五次構(gòu)圖エ藝形成平坦化層圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述利用灰色調(diào)掩摸板或半透式掩摸板對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行構(gòu)圖エ藝處理，通過(guò)一次構(gòu)圖エ藝得到數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極和多晶硅半導(dǎo)體部分的圖案，包括 在所述第一金屬層上涂布光刻膠； 利用灰色調(diào)掩摸板或半透式掩摸板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)數(shù)據(jù)線(xiàn)區(qū)域、源極區(qū)域、漏極區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)源、漏極區(qū)域之間的區(qū)域； 利用刻蝕エ藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的第一金屬層、多晶硅層； 利用等離子體灰化工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠； 利用刻蝕エ藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的第一金屬層； 剝離掉所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在基板上形成多晶硅層包括在基板上形成緩沖層，在所述緩沖層上形成多晶硅層。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種低溫多晶硅TFT陣列基板及其制造方法，涉及液晶顯示器及AMOLED顯示器制造領(lǐng)域，減少了構(gòu)圖工藝處理次數(shù)，從而簡(jiǎn)化了制造流程，降低了制造成本。其方法為在基板上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成多晶硅層；在所述多晶硅層上形成第一金屬層，利用灰色調(diào)掩摸板或半透式掩摸板對(duì)所述第一金屬層、多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝得到數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極和多晶硅半導(dǎo)體部分的圖案。本發(fā)明實(shí)施例用于低溫多晶硅TFT陣列基板制造。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102683338SQ201110270029
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2011年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月13日
發(fā)明者馬占潔, 龍春平 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司