專利名稱：一種防止霧化的光罩板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光刻過程光罩板霧化技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種防止霧化的光罩板及其制造方法。
背景技術(shù)：
光罩版霧化是光刻過程不可避免的問題，光刻間環(huán)境中含有少量NH4-和清洗光罩板時殘留的Cl—或SO4-離子反應(yīng)生成結(jié)晶體，該結(jié)晶體的尺寸隨著時間推移以及曝光時間的增加而慢慢擴(kuò)散變大使光罩板霧化，當(dāng)?shù)竭_(dá)一定程度時，成像就會影響到晶圓曝光的質(zhì)量。因此在成像之前及時清理和防止光罩版霧化就會顯得很重要，通常情況下，每過一段時間要更換一次光罩版，使得光罩版的使用壽命很短，導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低和成本增大。目前解決光罩版霧化的方法有兩種，其一是早期偵測，通常的做法是在空的晶圓上曝出該光罩的圖形，也叫做光罩版印刷，再做缺陷掃描，看其是否成像出現(xiàn)重復(fù)缺陷，但是能掃描出重復(fù)缺陷時往往產(chǎn)品已經(jīng)受到影響，其時效性有待提高；其二是通過在傳統(tǒng)光掩模清洗后引入加熱處理和熱去離子水的沖洗，可以有效減少光掩模表面離子殘留，從而防止和減少光掩模在光刻應(yīng)用中生成霧狀。采用上述早期偵測技術(shù)和引入加熱處理和熱去離子水的沖洗只能早期偵測和預(yù)防，不能從根本上解決光罩版霧化問題。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種防止霧化的光罩板及其制造方法，該光罩板具有防止結(jié)晶體尺寸長大，防止光罩板霧化，提高其使用壽命，降低光刻生產(chǎn)成本的特點；該光罩板的制造方法具有操作簡單，不受光刻生產(chǎn)環(huán)境的條件限制的特點。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是—種防止霧化的光罩板，從內(nèi)到外依次包括防光罩層、粘膠層、感光乳膠層以及保護(hù)膜，其特征在于所述光罩板還包括在所述保護(hù)膜的外面鍍一層抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層。所述抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層的材料為稀有金屬化合物。所述稀有金屬化合物為In203:Sn、In203:Mo、Sn02:Sb、Sn02:F、ai0:Al 或者 CdO: h?？垢g的透明納米等離子保護(hù)層的厚度為50-100nm。所述防止霧化的光罩板的制造方法，包括如下步驟步驟1 清洗貼好保護(hù)膜的光罩板首先將貼好保護(hù)膜的光罩板用硫酸雙氧水水的體積比為5 1 1的混合溶液，在50-80°C下浸泡5-10分鐘，然后用去離子水沖洗甩干，隨后用HCl H2O的體積比為1 5的酸溶液浸泡5-10分鐘，再用去離子水沖洗甩干；步驟2 鍍抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層將清洗干凈的貼好保護(hù)膜的光罩板通過物理氣相沉積法沉積一層抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層；步驟3 退火處理將鍍有抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層的光罩板在300-500°C 退火處理25-35min。步驟2所述的物理氣相沉積法的沉積條件為鍍率10-15nm/min ；功率 15-28KW ；氧氣流量0. 5-0. 7sccm ；溫度 250_280°C ；電子束電流 50_70mA。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點1、通過在光罩板上鍍一層透明的納米等離子保護(hù)膜，可有效防止光罩板上的結(jié)晶體尺寸長大，防止光罩板霧化，提高其使用壽命，降低光刻生產(chǎn)成本。2、本發(fā)明制造方法是在光罩板制作后，在其表面鍍一層透明的納米等離子保護(hù)膜，其方法的實施不受光刻生產(chǎn)環(huán)境的條件限制且操作方法簡單。
具體實施例方式下面用實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的一種防止霧化的光罩板，從內(nèi)到外依次包括防光罩層、粘膠層、感光乳膠層以及保護(hù)膜，還包括在所述保護(hù)膜的外面鍍一層抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層，保護(hù)層的材料為稀有金屬化合物，厚度為50-100nm。實施例一本實施例防止霧化的光罩板的制造方法，包括如下步驟步驟1 清洗貼好保護(hù)膜的光罩板首先將貼好保護(hù)膜的光罩板用硫酸雙氧水水的體積比為5 1 1的混合溶液，在50°C下浸泡lOmin，然后用去離子水沖洗并甩干，隨后用HCl H2O的體積比為1 5的酸溶液浸泡5min，再用去離子水沖洗并甩干；步驟2 鍍抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層將清洗干凈的貼好保護(hù)膜的光罩板通過物理氣相沉積法沉積一層抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層，沉積材料In2O3: Sn，物理氣相沉積法的沉積條件為鍍率:10nm/min ；功率15KW ；氧氣流量0. 5sccm ；溫度250°C ；電子束電流50mA ；步驟3 退火處理將鍍抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層的光罩板在300°C下退火處理35min。本實施例制造方法所得的防止霧化的光罩板，其厚度為50nm。實施例二本實施例防止霧化的光罩板的制造方法，包括如下步驟步驟1 清洗貼好保護(hù)膜的光罩板首先將貼好保護(hù)膜的光罩板用硫酸雙氧水水的體積比為5 1 1的混合溶液，在60°C下浸泡8min，然后用去離子水沖洗并甩干，隨后用HCl H2O的體積比為1 5的酸溶液浸泡8min，再用去離子水沖洗并甩干；步驟2 鍍抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層將清洗干凈的貼好保護(hù)膜的光罩板通過物理氣相沉積法沉積一層抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層，沉積材料為SnO2 Sb，物理氣相沉積法的沉積條件為鍍率:12nm/min ；功率2IKff ；氧氣流量0. 6sccm ；溫度265°C ； 電子束電流60mA ；步驟3 退火處理將鍍抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層的光罩板在400°C下退火處理30min。
本實施例制造方法所得的防止霧化的光罩板，其厚度為70nm。實施例三本實施例防止霧化的光罩板的制造方法，包括如下步驟步驟1 清洗貼好保護(hù)膜的光罩板首先將貼好保護(hù)膜的光罩板用硫酸雙氧水水的體積比為5 1 1的混合溶液，在80°C下浸泡5min，然后用去離子水沖洗并甩干，隨后用HCl H2O的體積比為1 5的酸溶液浸泡lOmin，再用去離子水沖洗并甩干；步驟2 鍍抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層將清洗干凈的貼好保護(hù)膜的光罩板通過物理氣相沉積法沉積一層抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層，沉積材料為&ιθ:Α ，物理氣相沉積法的沉積條件為鍍率15nm/min ；功率J8KW ；氧氣流量0. 7sccm ；溫度280°C ； 電子束電流70mA ；步驟3 退火處理，將鍍抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層的光罩板在500°C下退火處理25min。本實施例制造方法所得的防止霧化的光罩板，其厚度為lOOnm。
權(quán)利要求
1.一種防止霧化的光罩板，從內(nèi)到外依次包括防光罩層、粘膠層、感光乳膠層以及保護(hù)膜，其特征在于所述光罩板還包括在所述保護(hù)膜的外面鍍一層抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩板，其特征在于所述抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層的材料為稀有金屬化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光罩板，其特征在于所述稀有金屬化合物為^i2O3= Sru In2O3Mo、SnO2 Sb、SnO2:F、SiO Al 或者 CdOiIn0
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩板，其特征在于抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層的厚度為 50-100nm。
5.一種權(quán)利要求1所述防止霧化的光罩板的制造方法，包括如下步驟步驟1 清洗貼好保護(hù)膜的光罩板首先將貼好保護(hù)膜的光罩板用硫酸雙氧水水的體積比為5 1 1的混合溶液，在50-80°C下浸泡5-10分鐘，然后用去離子水沖洗甩干，隨后用HCl H2O的體積比為1 5的酸溶液浸泡5-10分鐘，再用去離子水沖洗甩干；步驟2 鍍抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層將清洗干凈的貼好保護(hù)膜的光罩板通過物理氣相沉積法沉積一層抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層；步驟3 退火處理將鍍有抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層的光罩板在300-500°C退火處理 25-35min。
6.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于步驟2所述的物理氣相沉積法的沉積條件為鍍率:10-15nm/min ；功率:15-28KW ；氧氣流量0. 5-0. 7sccm ；溫度 250-280°C ； 電子束電流50-70mA。
全文摘要
一種防止霧化的光罩板及其制造方法，該光罩板從內(nèi)到外依次包括防光罩層、粘膠層、感光乳膠層以及保護(hù)膜，所述光罩板還包括在所述保護(hù)膜的外面鍍一層抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層，其制造方法包括如下步驟清洗貼好保護(hù)膜的光罩板、鍍抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層、退火處理；該光罩板具有防止結(jié)晶體尺寸長大，防止光罩板霧化，提高其使用壽命，降低光刻生產(chǎn)成本的特點；該光罩板的制造方法具有操作簡單，不受光刻生產(chǎn)環(huán)境的條件限制的特點。
文檔編號G03F1/48GK102323715SQ201110276460
公開日2012年1月18日 申請日期2011年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月16日
發(fā)明者劉大為, 劉波波, 李偉霖, 李建婷, 王省蓮 申請人:西安中為光電科技有限公司