專利名稱：一種用于euv光刻系統(tǒng)的復(fù)眼反射鏡制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域。具體涉及一種EUV照明系統(tǒng)中復(fù)眼反射鏡的制作方法。
背景技術(shù)：
隨著光刻技術(shù)進入32nm技術(shù)節(jié)點，極紫外光刻技術(shù)(EUVL)作為極大規(guī)模集成電路光刻工藝主流技術(shù)的地位日益顯現(xiàn)。由于工作于波長更短的EUV波段，極紫外光刻技術(shù)對光源系統(tǒng)、照明系統(tǒng)、物鏡系統(tǒng)等提出了嚴峻的挑戰(zhàn)。其中，提高照明系統(tǒng)的照明均勻性是保證EUV光學(xué)系統(tǒng)成像質(zhì)量的非常重要的一個環(huán)節(jié)。通常情況下，EUV照明系統(tǒng)采用正入射復(fù)眼反射鏡的柯勒照明確保照度及口徑均勻性。結(jié)合圖1，復(fù)眼結(jié)構(gòu)是一種光學(xué)積分儀，將光源發(fā)射光束進行空間分離，形成由多個會聚點組成的二次光源。將這種二次光源當(dāng)作發(fā)散光源。柯勒照明將光源像成像于投影光學(xué)系統(tǒng)入瞳。來自光源各處的光重疊照射在掩模板上，確保照度均勻性?；谏鲜鰪?fù)眼照明原理，發(fā)展了一些復(fù)眼反射鏡結(jié)構(gòu)，其中常用的是基于高精度硅塊拼接的復(fù)眼方案，結(jié)合圖2，其制作流程一般包括硅塊的拋光、鍍膜、線切割、拼接等。 國外一些知名度較高的EUVL生產(chǎn)廠家已經(jīng)基于該方案制作出了勻光效果較好的復(fù)眼反射鏡。在復(fù)眼反射鏡制作過程中，每片反射鏡的相對位置精度要求非常高，國外采用的方案是精密加工單個反射鏡，之后緊密拼接以實現(xiàn)所有反射鏡的相對位置精度。這種方案在反射鏡數(shù)量較少的情況下易于實現(xiàn)，但是隨著反射鏡數(shù)量的增加，反射鏡定位誤差累積效果逐漸顯著，這樣對單塊反射鏡加工精度的要求變得極為苛刻，導(dǎo)致其加工裝調(diào)難度非常大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有復(fù)眼反射鏡采用緊密拼接實現(xiàn)單塊反射鏡位置精度的方法適用于反射鏡數(shù)量較少情況，并且當(dāng)反射鏡的數(shù)量增加時存在單塊反射鏡定位誤差累積的問題，進而導(dǎo)致單塊反射鏡的加工裝調(diào)難度大的問題，提供一種用于EUV光刻系統(tǒng)的復(fù)眼反射鏡制作方法。一種用于EUV光刻系統(tǒng)的復(fù)眼反射鏡制作方法，該方法由以下步驟實現(xiàn)步驟一、選擇直徑為一寸的硅塊表面電鍍厚度為100 μ m的鎳層，然后在所述硅塊的另一表面上進行精拋加工，獲得加工后的硅塊；步驟二、采用精密線切割技術(shù)，從步驟一所述的加工后的硅塊上切割單塊反射鏡， 將所述單塊反射鏡固定在設(shè)置磁鐵層的底板上；所述單塊反射鏡的尺寸比實際單塊反射鏡的尺寸小50 ΙΟΟμπι ；步驟三、采用光學(xué)定位系統(tǒng)觀測，調(diào)整單塊反射鏡的位置，實現(xiàn)單塊反射鏡的定位；步驟四、重復(fù)步驟二和步驟三，完成多塊反射鏡的定位，最終實現(xiàn)復(fù)眼反射鏡的制作。
本發(fā)明的有益效果本發(fā)明的所述的反射鏡之間有一定間隙，便于單個反射鏡的位置調(diào)整，從而實現(xiàn)精確定位；本發(fā)明的反射鏡的間隙拼接方式不存在定位誤差累積，對單塊反射鏡加工精度的要求不高，使得加工難度大幅降低；在曝光過程中，由于反射鏡間間隙的存在，復(fù)眼反射鏡因熱應(yīng)力造成的面形變化大大減小。


圖1為現(xiàn)有復(fù)眼照明系統(tǒng)原理示意圖；圖2為現(xiàn)有的復(fù)眼反射鏡中緊密拼接復(fù)眼反射鏡結(jié)構(gòu)與定位誤差示意圖；圖3為本發(fā)明所述的復(fù)眼反射鏡制作方法中間隙拼接單塊反射鏡與底板的固定示意圖；圖4為本發(fā)明所述的復(fù)眼反射鏡制作方法中間隙拼接復(fù)眼反射鏡結(jié)構(gòu)與定位誤差示意圖。圖中1、單塊反射鏡，2、目標點，3、測量點，4、底板，5、鎳層，6、磁鐵層。
具體實施例方式具體實施方式
一、結(jié)合圖3和圖4說明本實施方式，一種用于EUV光刻系統(tǒng)的復(fù)眼反射鏡制作方法，單塊反射鏡材料選用電阻率較低的N型或P型硅塊；首先在直徑為一寸的硅塊一面電鍍厚度為100 μ m的鎳層5;然后在另一面上進行精拋加工，以保證其面形達到所需精度，之后采用精密線切割技術(shù)，從硅塊上切割出所需形狀的單塊反射鏡1，其輪廓尺寸比實際尺寸小50-100μπι作為調(diào)整裕量，使每兩塊反射鏡之間存在間隙。反射鏡的實際尺寸為現(xiàn)有復(fù)眼反射鏡制作過程中應(yīng)用的反射鏡的尺寸。在復(fù)眼反射鏡拼接過程中，將第一塊反射鏡固定在設(shè)置磁鐵屋6的底板4上，通過光學(xué)定位系統(tǒng)觀測，調(diào)整反射鏡的位置，完成單塊反射鏡1的精確定位，之后依此類推，完成所有反射鏡的精確定位，最終實現(xiàn)復(fù)眼反射鏡陣列的制備。結(jié)合圖2所示，單塊反射鏡1緊密拼接造成定位誤差的累積影響勻光效果，并且隨著反射鏡數(shù)量的增加，反射鏡定位誤差累積效果逐漸顯著。本發(fā)明中，采用單塊反射鏡間隙拼接方式可以避免誤差累積效應(yīng)，從而消除單塊反射鏡定位誤差，增強勻光效果。
權(quán)利要求
1.一種用于EUV光刻系統(tǒng)的復(fù)眼反射鏡制作方法，其特征是，該方法由以下步驟實現(xiàn) 步驟一、選擇直徑為一寸的硅塊表面電鍍厚度為IOOym的鎳層(5)，然后在所述硅塊的另一表面上進行精拋加工，獲得加工后的硅塊；步驟二、采用精密線切割技術(shù)，從步驟一所述的加工后的硅塊上切割單塊反射鏡(1)， 將所述單塊反射鏡(1)固定在設(shè)置磁鐵層(6)的底板(4)上；所述單塊反射鏡(1)的尺寸比實際單塊反射鏡的尺寸小50 100 μ m ；步驟三、采用光學(xué)定位系統(tǒng)觀測，調(diào)整單塊反射鏡(1)的位置，實現(xiàn)單塊反射鏡(1)的定位；步驟四、重復(fù)步驟二和步驟三，完成多塊反射鏡的定位，所述多塊反射鏡之間存在間隙，最終實現(xiàn)復(fù)眼反射鏡的制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于EUV光刻系統(tǒng)的復(fù)眼反射鏡制作方法，其特征在于， 步驟四所述多塊反射鏡之間存在間隙是每兩塊反射鏡之間的間隙范圍為0. Imm 0. 2mm。
全文摘要
一種用于EUV光刻系統(tǒng)的復(fù)眼反射鏡制作方法，涉及EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域，它解決現(xiàn)有復(fù)眼反射鏡采用緊密拼接實現(xiàn)單塊反射鏡位置精度的方法適用于反射鏡數(shù)量較少情況，并且當(dāng)反射鏡的數(shù)量增加時存在單塊反射鏡定位誤差累積的問題，其方法為選擇直徑為一寸的硅塊表面電鍍厚度為100μm的鎳層，再在硅塊的另一表面上進行精拋加工，采用精密線切割技術(shù)，從所述的加工后的硅塊上切割單塊反射鏡，將單塊反射鏡固定在設(shè)置磁鐵層的底板上；所述單塊反射鏡的尺寸比實際單塊反射鏡的尺寸小50～100μm；采用光學(xué)定位系統(tǒng)觀測，調(diào)整單塊反射鏡的位置，實現(xiàn)單塊反射鏡的定位；重復(fù)操作，實現(xiàn)復(fù)眼反射鏡的制作。本發(fā)明適用于EUV光刻領(lǐng)域。
文檔編號G02B5/09GK102385082SQ20111033798
公開日2012年3月21日 申請日期2011年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者周烽, 王麗萍, 王輝, 鄭琪峰, 金春水 申請人:中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所