專利名稱：基于uv曝光形成取向膜區(qū)域的方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置的取向膜形成技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于UV曝光制作取向膜的方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的液晶顯示裝置通常包含形成像素電極的TFT (Thin Film Transistor，薄膜場效應(yīng)晶體管)基板(下部基板)、形成公用電極的CF(Color Filter，濾色器)基板(上部基板)以及夾在上述TFT基板和CF基板之間的液晶層。為了使液晶分子以特定的方向排列，在各基板的內(nèi)側(cè)表面分別涂布有一層取向膜，該取向膜可用于限制液晶分子的取向狀態(tài)。在取向膜涂布的過程中，需要將取向膜覆蓋到基板規(guī)定的區(qū)域。每張基板上劃分為若干個(gè)固定尺寸的顯示單元(chip)，如圖1所示，圖1是現(xiàn)有的液晶面板設(shè)計(jì)中取向膜區(qū)域在基板中的位置示意圖，基板20上單個(gè)固定尺寸的顯示單元上的取向膜區(qū)域(PI area, Polyimide area,聚酰亞胺區(qū)域)需要覆蓋有效顯示區(qū)域(圖1中A-A與B-B限定的矩形區(qū)域)30，但不能覆蓋框膠(圖1所示黑色區(qū)域)10的涂布位置。根據(jù)設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域規(guī)則， 設(shè)置取向膜列印機(jī)(PI Inkjet)的取向膜涂布區(qū)域，使取向膜能夠覆蓋設(shè)計(jì)規(guī)則(Design rule)的區(qū)域。當(dāng)基板20上有效顯示區(qū)域(圖1中A-A與B-B限定的矩形區(qū)域)30涂滿取向膜后，再在框膠10的涂布位置涂布框膠10。也就是說，框膠10的涂布位置通常不允許涂布取向膜。但是，采用上述方法形成的取向膜區(qū)域，存在以下缺陷1、取向膜列印機(jī)在根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則涂布時(shí)，會(huì)存在涂布誤差，即印刷偏移，實(shí)際涂布的取向膜區(qū)域有時(shí)候不能準(zhǔn)確覆蓋原先設(shè)計(jì)的區(qū)域，甚至存在實(shí)際涂布的取向膜區(qū)域延伸至框膠10的涂布位置；2、取向膜在形成時(shí)，其邊緣會(huì)因?yàn)楦鞣N物理和化學(xué)的原因產(chǎn)生鋸齒狀的邊緣不均和膜厚不均現(xiàn)象；而取向膜不均勻?qū)?dǎo)致液晶顯示裝置的圖像質(zhì)量特性降低，目前只能通過修改涂布參數(shù)和干燥參數(shù)來改善上述取向膜邊緣不平整和膜厚不均等狀況，不過這種方式使得取向膜的制作復(fù)雜化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法及系統(tǒng)，旨在避免現(xiàn)有技術(shù)中在形成取向膜區(qū)域時(shí)產(chǎn)生印刷偏移、鋸齒狀邊緣不均及膜厚不均的問題。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種基于紫外光UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法， 包括以下步驟在基板上涂布PI液并形成取向膜，所述取向膜覆蓋所述基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；
將根據(jù)所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域制作的掩膜板設(shè)置于所述取向膜上方，使所述掩膜板遮蔽所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；通過UV光曝光剝離所述基板上位于所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域以外的取向膜；撤去所述掩膜板，在所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域留下取向膜。優(yōu)選地，所述在基板上涂布PI液形成取向膜的步驟包括通過取向膜列印機(jī)在基板上涂布PI液，使所述PI液覆蓋所述基板上的所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；對(duì)所述基板上的PI液進(jìn)行預(yù)烘烤、檢查和本硬化處理，形成取向膜。優(yōu)選地，所述PI液為聚酰亞胺，以及DMA、NMP或BC溶劑。優(yōu)選地，所述掩模板與所述基板的距離小于或等于50um。優(yōu)選地，所述UV光波長為146nm 365nm。優(yōu)選地，所述基板為TFT基板和/或CF基板。本發(fā)明還提出一種基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的系統(tǒng)，包括涂布處理裝置，用于在基板上涂布PI液并形成取向膜；掩膜板設(shè)置裝置，用于將預(yù)先制作的掩膜板設(shè)置于所述基板上方，使所述掩膜板遮蔽所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；UV光曝光裝置，用于對(duì)覆蓋有所述掩膜板的整個(gè)基板照射UV光，使所述基板上位于所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域以外的取向膜剝離。優(yōu)選地，所述涂布處理裝置包括在基板上涂布PI液的取向膜列印機(jī)以及對(duì)所述基板上的PI液進(jìn)行預(yù)烘烤、檢查及本硬化處理形成取向膜的取向膜處理設(shè)備。優(yōu)選地，所述掩模板與所述基板的距離小于或等于50um;所述UV光波長為 146nm 365nm。優(yōu)選地，所述基板為TFT基板和/或CF基板。本發(fā)明提出的一種基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法及系統(tǒng)，可以有效改善現(xiàn)有的取向膜列印機(jī)根據(jù)設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域規(guī)則涂布取向膜，在形成取向膜區(qū)域時(shí)產(chǎn)生印刷偏移、鋸齒狀的邊緣不均以及膜厚不均等缺陷，提高了取向膜區(qū)域的定位精度以及取向膜的質(zhì)量，進(jìn)而提高液晶顯示裝置的圖像質(zhì)量特性。


圖1是現(xiàn)有的液晶面板設(shè)計(jì)中取向膜區(qū)域在基板中的位置示意圖；圖2是本發(fā)明基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法較佳實(shí)施例的流程示意圖；圖3是本發(fā)明基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法較佳實(shí)施例中基板上涂滿取向膜后的示意圖；圖4是本發(fā)明基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法較佳實(shí)施例中涂滿取向膜的基板上覆蓋掩膜板后的示意圖；圖5是本發(fā)明基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法較佳實(shí)施例中基板上形成的取向膜區(qū)域示意圖；圖6是本發(fā)明基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法較佳實(shí)施例中在整個(gè)基板上涂布PI液并形成取向膜的流程示意圖7是本發(fā)明基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說明。
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)實(shí)現(xiàn)發(fā)明目的的技術(shù)方案作詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明實(shí)施例解決方案主要是在基板上涂布PI液并形成取向膜，取向膜覆蓋基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；將預(yù)先制作的掩膜板(Mask)覆蓋于基板的取向膜上，該掩膜板與基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域大小一致，然后通過UV光(Ultraviolet，紫外光)曝光剝離基板上取向膜區(qū)域以外的多余取向膜，撤去掩膜板即形成預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域的取向膜。本發(fā)明實(shí)施例中的基板可以為TFT基板及CF基板。請(qǐng)參照?qǐng)D2所示，圖2為本發(fā)明基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法較佳實(shí)施例的流程示意圖。本實(shí)施例提出的一種基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法，包括步驟S101，在基板上涂布PI液并形成取向膜，取向膜覆蓋基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；為了避免現(xiàn)有技術(shù)中按照取向膜列印機(jī)根據(jù)設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域規(guī)則涂布取向膜， 形成取向膜區(qū)域時(shí)存在印刷偏移、鋸齒狀的邊緣不均和膜厚不均等缺陷，本實(shí)施例在取向膜列印機(jī)涂布取向膜時(shí)，不是按照設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域規(guī)則涂布，而是將整個(gè)基板涂滿取向膜，覆蓋基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域。在其他實(shí)施例中，也可以不將整個(gè)基板涂滿取向膜，而只需將預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域完全覆蓋即可。該預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域?yàn)榛迳细鶕?jù)設(shè)計(jì)規(guī)則預(yù)先設(shè)計(jì)的需要涂布取向膜的區(qū)域。 具體制作時(shí)，首先通過取向膜列印機(jī)在整個(gè)基板上涂布PI液，使PI液覆蓋基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；然后對(duì)基板上的PI液進(jìn)行預(yù)烘烤、檢查和本硬化處理，形成取向膜，涂滿取向膜的基板陣列如圖3所示，圖3中整片基板1上劃分為若干個(gè)固定尺寸的顯示單元(chip)，矩形框2代表單個(gè)固定尺寸的顯示單元的邊界線，矩形框3為單個(gè)固定尺寸的顯示單元上需要覆蓋取向膜的有效顯示區(qū)域的邊界線，即矩形框3所在區(qū)域?yàn)轭A(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域。矩形框2和矩形框3之間預(yù)留有框膠的涂布位置(圖中未示出)，在本實(shí)施例中，首先在圖3所示的整片基板1上都均勻地涂布一層取向膜。在其他實(shí)施例中，也可以只在每個(gè)固定尺寸的顯示單元中進(jìn)行涂布，使涂布的取向膜完全覆蓋預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域即可，也就是說，只要將用于制作取向膜的PI液覆蓋圖3 中的矩形框3所在的區(qū)域即可。其中，PI液可以為聚酰亞胺和DMA (N，N- 二甲基乙酰胺)、NMP(N_甲基吡咯烷酮) 或 BC(Butyl carbonate，碳酸丁酯，或 Butyl carbitol，二乙二醇單丁醚)溶劑。上述預(yù)烘烤處理是指蒸發(fā)PI液中的DMA、NMP或BC溶劑。本硬化處理是指通過高溫加熱使PI液中的聚酰亞胺發(fā)生環(huán)化聚合反應(yīng)，形成帶很多支鏈的長鏈大分子固體聚合物聚酰胺。聚合物分子中支鏈與主鏈的夾角即為導(dǎo)向?qū)宇A(yù)傾角。這些聚合物的支鏈基團(tuán)與液晶分子間的作用力比較強(qiáng)，對(duì)液晶分子具有錨定的作用， 可以使液晶分子按預(yù)傾角方向排列。步驟S102，將根據(jù)預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域制作的掩膜板設(shè)置于取向膜上方，使掩膜板遮蔽預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；其中，掩膜板的大小與基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域的大小一致，當(dāng)基板上涂滿取向膜后，將預(yù)先制作好的掩膜板設(shè)置在基板的取向膜上方，且盡量靠近基板避免間隙過大導(dǎo)致漏光，不過要避免接觸基板上的取向膜，在本實(shí)施例中，一般將掩模板與基板之間的距離設(shè)置在50um以內(nèi)。使掩膜板完全覆蓋基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域，即掩模板的邊緣與預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域的邊緣基本對(duì)齊，從而使掩膜板的掩膜可以遮蔽基板預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域，如圖4 所示，圖4中黑色區(qū)域?yàn)檠谀ぐ?。步驟S103，通過UV光曝光剝離基板上位于預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域以外的取向膜；步驟S104，撤去掩膜板，在預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域留下取向膜。上述步驟S103和步驟S104中，采用UV光照射覆蓋有掩膜板的基板的整個(gè)表面， 通過UV光去除基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域以外的多余的取向膜。其中，UV光的波長一般采用146nm 365nm，它可以將空氣中的仏激發(fā)為氧化性極強(qiáng)的臭氧(O3)，同時(shí)可以將大分子固體聚合物聚酰胺的分子鏈打斷，使其成為較小的聚酰胺分子。聚酰胺分子被臭氧氧化，分解為H202、C02、N0x等氣體，通過另外設(shè)置的排氣裝置抽走，從而可以通過UV光去除取向膜。本實(shí)施例中掩模板的掩膜可以完全阻擋146nm 365nm波長的UV光，因此，當(dāng)采用波長為146nm 365nm的UV光照射涂布有取向膜并覆蓋有掩膜板的基板時(shí)，UV光基本上能夠?qū)⒒迳项A(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域以外的多余的取向膜全部剝離掉，之后，撤去掩膜板，即在預(yù)先設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域留下所需要的取向膜，如圖5所示，圖5中矩形框3所限定的區(qū)域即為涂布有取向膜的預(yù)先設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域。由于通過UV光將基板1上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域外多余的取向膜剝離掉，因此，最后得到的涂布在預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域的取向膜具有整齊的邊緣，且厚度均勻，不會(huì)影響框膠的涂布，也不會(huì)因取向膜邊緣厚度不均勻而影響液晶顯示裝置的圖像質(zhì)量。具體實(shí)施過程中，如圖6所示，上述步驟SlOl包括步驟SlOl 1，通過取向膜列印機(jī)在基板上涂布PI液，使PI液覆蓋基板上的預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；步驟S1012，對(duì)基板上的PI液進(jìn)行預(yù)烘烤、檢查和本硬化處理，形成取向膜。為了涂布方便，可以將PI液直接涂布在整個(gè)基板上。本實(shí)施例可以有效改善現(xiàn)有的取向膜列印機(jī)根據(jù)設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域規(guī)則涂布取向膜，在形成取向膜區(qū)域時(shí)產(chǎn)生的印刷偏移、鋸齒狀的邊緣不均以及膜厚不均等缺陷，提高了取向膜區(qū)域的定位精度以及取向膜的質(zhì)量，進(jìn)而提高液晶顯示裝置的圖像質(zhì)量特性。如圖7所示，本發(fā)明還提出一種基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的系統(tǒng)，包括涂布處理裝置1、掩膜板設(shè)置裝置2以及UV光曝光裝置3，其中涂布處理裝置1，用于在基板上涂布PI液并形成取向膜； 掩膜板設(shè)置裝置2，用于將預(yù)先制作的掩膜板設(shè)置于所述基板上方，使所述掩膜板遮蔽所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；UV光曝光裝置3，用于對(duì)覆蓋有掩膜板的整個(gè)基板照射UV光，使所述基板上位于所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域以外的取向膜剝離。其中，涂布處理裝置1包括在基板上涂布PI液的取向膜列印機(jī)11以及對(duì)所述基板上的PI液進(jìn)行預(yù)烘烤、檢查及本硬化處理形成取向膜的取向膜處理設(shè)備12。本實(shí)施例基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的系統(tǒng)的工作原理為首先通過涂布處理裝置1中的取向膜列印機(jī)11在整個(gè)基板上涂布PI液，使PI液覆蓋基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；然后由涂布處理裝置1中取向膜處理設(shè)備12對(duì)基板上的 PI液進(jìn)行預(yù)烘烤、檢查、本硬化處理，形成取向膜，涂滿取向膜的基板陣列如圖3所示，圖3 中整片基板1上劃分為若干個(gè)固定尺寸的顯示單元(chip)，矩形框2代表單個(gè)固定尺寸的顯示單元，矩形框3為單個(gè)固定尺寸的顯示單元上需要覆蓋取向膜的有效顯示區(qū)域的邊界線，即矩形框3所在的區(qū)域?yàn)轭A(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域。矩形框2和矩形框3之間預(yù)留有框膠的涂布位置(圖中未示出)，在本實(shí)施例中，首先在圖3所示的整片基板1上都均勻涂布一層取向膜。在其他實(shí)施例中，也可以只在每個(gè)固定尺寸的顯示單元中進(jìn)行涂布，使涂布的取向膜完全覆蓋預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域即可，也就是說，只要將用于制作取向膜的PI液覆蓋圖3 中的矩形框3所在的區(qū)域即可。其中，PI液可以為聚酰亞胺和DMA、NMP或BC溶劑。上述預(yù)烘烤處理是指蒸發(fā)PI液中的DMA、NMP或BC溶劑。本硬化處理是指通過高溫加熱使PI液中的聚酰亞胺發(fā)生環(huán)化聚合反應(yīng)，形成帶很多支鏈的長鏈大分子固體聚合物聚酰胺。聚合物分子中支鏈與主鏈的夾角即為導(dǎo)向?qū)宇A(yù)傾角。這些聚合物的支鏈基團(tuán)與液晶分子間的作用力比較強(qiáng)，對(duì)液晶分子具有錨定的作用， 可以使液晶分子按預(yù)傾角方向排列。當(dāng)基板上涂滿取向膜后，掩膜板設(shè)置裝置2將預(yù)先制作好的掩膜板設(shè)置在基板的取向膜上方，其中，掩膜板的大小與基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域的大小一致，在制作掩膜板時(shí)，根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域的大小來制作掩膜板。掩膜板覆蓋于基板的取向膜上時(shí)，盡量靠近基板避免間隙過大導(dǎo)致漏光，不過要避免接觸基板上的取向膜，在本實(shí)施例中，通常將掩模板與基板之間的距離設(shè)置在50um以內(nèi)。使掩膜板完全覆蓋基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域，即掩模板的邊緣與預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域的邊緣基本對(duì)齊，從而使掩膜板的掩膜可以遮蔽基板預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域，如圖4所示，圖4中黑色區(qū)域?yàn)檠谀ぐ濉Ｈ缓?，由UV光曝光裝置3對(duì)覆蓋有掩膜板的整個(gè)基板照射UV光，將基板上位于預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域以外的取向膜剝離。其中，UV光的波長一般采用146nm 365nm，它可以將空氣中的仏激發(fā)為氧化性極強(qiáng)的臭氧(O3)，同時(shí)可以將大分子固體聚合物聚酰胺的分子鏈打斷，使其成為較小的聚酰胺分子。聚酰胺分子被臭氧氧化，分解為H202、C02、N0x等氣體，通過另外設(shè)置的排氣裝置抽走，從而可以通過UV光去除取向膜。本實(shí)施例中掩模板的掩膜可以完全阻擋146nm 365nm波長的UV光，因此，當(dāng)采用波長為146nm 365nm的UV光照射涂布有取向膜并覆蓋有掩膜板的基板時(shí)，UV光基本上能夠?qū)⒒迳项A(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域以外的多余的取向膜全部剝離掉，之后，撤去掩膜板，即在預(yù)先設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域留下所需要的取向膜，如圖5所示，圖5中矩形框3所限定的區(qū)域即為涂布有取向膜的預(yù)先設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域。由于通過UV光將基板1上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域外多余的取向膜剝離掉，因此，最后得到的涂布在預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域的取向膜具有整齊的邊緣，且厚度均勻，不會(huì)影響框膠的涂布，也不會(huì)因取向膜邊緣厚度不均勻而影響液晶顯示裝置的圖像質(zhì)量。本發(fā)明實(shí)施例基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法及系統(tǒng)，可以有效改善現(xiàn)有的取向膜列印機(jī)根據(jù)設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域規(guī)則涂布取向膜，在形成取向膜區(qū)域時(shí)產(chǎn)生印刷偏移、鋸齒狀的邊緣不均以及膜厚不均等缺陷，提高了取向膜區(qū)域的定位精度以及取向膜的質(zhì)量，進(jìn)而提高液晶顯示裝置的圖像質(zhì)量特性。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基于紫外光UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法，其特征在于，包括以下步驟 在基板上涂布PI液并形成取向膜，所述取向膜覆蓋所述基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域； 將根據(jù)所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域制作的掩膜板設(shè)置于所述取向膜上方，使所述掩膜板遮蔽所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；通過UV光曝光剝離所述基板上位于所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域以外的取向膜； 撤去所述掩膜板，在所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域留下取向膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上涂布PI液形成取向膜的步驟包括通過取向膜列印機(jī)在基板上涂布PI液，使所述PI液覆蓋所述基板上的所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；對(duì)所述基板上的PI液進(jìn)行預(yù)烘烤、檢查和本硬化處理，形成取向膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述PI液為聚酰亞胺，以及DMA、NMP或 BC溶劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述掩模板與所述基板的距離小于或等于50um。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述UV光波長為146nm 365nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述基板為TFT基板和/或CF基板。
7.一種基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的系統(tǒng)，其特征在于，包括 涂布處理裝置，用于在基板上涂布PI液并形成取向膜；掩膜板設(shè)置裝置，用于將預(yù)先制作的掩膜板設(shè)置于所述基板上方，使所述掩膜板遮蔽所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；UV光曝光裝置，用于對(duì)覆蓋有所述掩膜板的整個(gè)基板照射UV光，使所述基板上位于所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域以外的取向膜剝離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述涂布處理裝置包括在基板上涂布PI 液的取向膜列印機(jī)以及對(duì)所述基板上的PI液進(jìn)行預(yù)烘烤、檢查及本硬化處理形成取向膜的取向膜處理設(shè)備。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述掩模板與所述基板的距離小于或等于50um ；所述UV光波長為146nm 365nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述基板為TFT基板和/或CF基板。
全文摘要
本發(fā)明公開一種基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法及系統(tǒng)，其方法包括在基板上涂布PI液并形成取向膜，取向膜覆蓋基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；將根據(jù)預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域制作的掩膜板設(shè)置于取向膜上，使掩膜板遮蔽預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；通過UV光曝光剝離基板上位于預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域以外的取向膜；撤去掩膜板，在預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域留下取向膜。本發(fā)明可以有效改善現(xiàn)有的取向膜列印機(jī)根據(jù)設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域規(guī)則涂布取向膜，在形成取向膜區(qū)域時(shí)產(chǎn)生印刷偏移、鋸齒狀的邊緣不均以及膜厚不均區(qū)域等缺陷，提高了取向膜區(qū)域的定位精度以及取向膜的質(zhì)量，進(jìn)而提高液晶顯示裝置的圖像質(zhì)量特性。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102520551SQ20111035764
公開日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2011年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月14日
發(fā)明者宋玉 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司