專利名稱：光致抗蝕劑膜的剝離液組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，特別適用于封裝基板制程中所用的厚度為100 μ m以上的光致抗蝕劑膜的剝離，也適用于PCB、FPC、TFT、IXD的光致抗蝕劑膜的剝離。
背景技術(shù)：
在PCB、FPC、TFT、IXD的制程中，線路圖形的轉(zhuǎn)移是必須的步驟。在實(shí)現(xiàn)線路圖形轉(zhuǎn)移，光致抗蝕劑的使用起著至關(guān)重要的作用。在“成像”完成后，光致抗蝕劑膜能否順利完全去除，直接影響著蝕刻等后工序。封裝基板可為芯片提供電連接、保護(hù)、支撐、散熱、組裝等功效，以實(shí)現(xiàn)多引腳化，縮小封裝產(chǎn)品體積、改善電性能及散熱性、超高密度或多芯片模塊化的目的。封裝基板制程中所用光致抗蝕劑膜的厚度(10011、12(^!11)，比較在？08、？ (、 TFT、IXD中所常用的光致抗蝕劑膜的厚度(30μπι、40μπι)增加很多。對(duì)于薄干膜的剝離， 中國(guó)專利CN14^659A中提出季銨氫氧化物、水溶性胺、水溶性有機(jī)溶劑組合物剝離光致抗蝕劑膜。中國(guó)專利CN101692155A提出了一種包含環(huán)胺或/和二胺、乙二醇醚類、極性溶劑的光致抗蝕劑膜剝離組合物。中國(guó)專利CN101544932A中提出了含有羥胺、溶劑、胺的光致抗蝕劑膜剝離組合物。對(duì)于大于100 μ m的厚干膜，用現(xiàn)有的剝離方法，在較低溫度、較短時(shí)間內(nèi)難以完全退除干凈。雖然通過(guò)延長(zhǎng)接觸時(shí)間，提高工作溫度，或者增加溶液的攻擊性可以使剝離效果得到改善，但是也帶來(lái)了生產(chǎn)效率降低，設(shè)備負(fù)荷增加，基材腐蝕加重等新問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，特別適用于封裝基板的厚度為 100 μ m以上的光致抗蝕劑膜的剝離，以克服現(xiàn)有技術(shù)剝離方法無(wú)法完全將光致抗蝕劑膜退除干凈、且容易使基材腐蝕加重等技術(shù)問(wèn)題。本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，包含(1)有機(jī)堿，含量為5_50wt% ；( 有機(jī)溶劑，含量為l-60Wt% ；(3)防腐蝕劑，含量為0. 5-15wt% ；(4)余量為水。本發(fā)明的剝離液組合物的較佳的配方為(1)有機(jī)堿，含量為 10_40wt% ；(2)有機(jī)溶劑，含量為5_50wt % ；(3)防腐蝕劑，含量為I-IOwt% ；(4)余量為水。本發(fā)明的剝離液組合物的更佳的配方為
(1)有機(jī)堿，含量為 15_30wt% ；( 有機(jī)溶劑，含量為10-40Wt% ；(3)防腐蝕劑，含量為2-8wt% ；(4)余量為水。上述的有機(jī)堿優(yōu)選烷醇胺、季胺堿、膽堿、羥胺、N，N_ 二乙基羥胺中的任意一種、任意兩種或任意兩種以上以任意比例混合。實(shí)際上，一般常用的有機(jī)堿均能夠應(yīng)用于本發(fā)明。上述的有機(jī)溶劑優(yōu)選N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、 二甲基亞砜、烷基醇醚、烷基或芳香基醇中的任意一種、任意兩種或任意兩種以上以任意比例混合。實(shí)際上，一般常用的有機(jī)溶劑均能夠應(yīng)用于本發(fā)明。上述的防腐蝕劑優(yōu)選芳香族羥基化合物或/和唑類化合物中的任意一種、任意兩種或任意兩種以上以任意比例混合。實(shí)際上，一般常用的金屬防腐劑，特別是銅面防腐劑均能夠應(yīng)用于本發(fā)明。上述芳香族羥基化合物優(yōu)選沒(méi)食子酸、單寧酸、植酸、鄰苯二酚、對(duì)苯二酚中的至少一種；唑類化合物優(yōu)選三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑、巰基苯并噻唑中的任意一種、任意兩種或任意兩種以上以任意比例混合。本發(fā)明光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，用于封裝基板的光致抗蝕劑膜的剝離，也用于PCB、FPC、TFT、IXD的光致抗蝕劑膜的剝離。本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)1、對(duì)于厚度為ΙΟΟμπι以上的光致抗蝕劑膜的剝離效果優(yōu)秀。2、實(shí)施溫度低 (55-750C )、時(shí)間短(< 30min)。3、體系低泡性，無(wú)須添加消泡劑，因此，板面無(wú)硅斑、凝膠缺陷。4、碎膜、溶膜效果好，易于生產(chǎn)操作。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的光致抗蝕劑剝離劑組合物是含有有機(jī)堿、有機(jī)溶劑、防腐蝕劑以及水的組合物。本發(fā)明中所述的有機(jī)堿包括烷醇胺、季胺堿、膽堿、羥胺、N, N- 二乙基羥胺中的一種或兩種以上任意混合。作為烷醇胺的具體例，可以選自單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、 2-(2-氨基甲氧基)乙醇、2-(2-乙氧基)乙醇、N-甲基乙醇胺、N，N-二甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N- 丁基乙醇胺、單異丙基醇胺、二異丙基醇胺、三異丙基醇胺中的1種或2種。作為季胺堿的具體例，可以選自四甲基氫氧化銨、三甲基乙基氫氧化銨、二甲基二乙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、甲基三丁基氫氧化銨、(2-羥基乙基)三甲基氫氧化銨中的1種或2種。所述有機(jī)堿的含量為5-50wt%， 優(yōu)選10-40Wt%，更優(yōu)選15-30Wt% .濃度小于5wt%時(shí)，起不到攻擊光致抗蝕劑膜的作用； 大于50Wt%時(shí)，對(duì)基材的攻擊腐蝕加重。本發(fā)明中所述的有機(jī)溶劑包括N-甲基吡咯烷酮、N，N- 二甲基甲酰胺、N，N- 二甲基乙酰胺、二甲基亞砜、烷基醇醚、烷基或芳香基醇中的一種或兩種以上任意混合。作為烷基醇醚的具體例，可以選自乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一丁基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、丙二醇一甲基醚、二乙二醇一甲基醚、二乙二醇一乙基醚、二乙二醇一丙基醚、二乙二醇一丁基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇甲乙醚、二丙二醇一甲基醚、二丙二醇一丙基醚、二丙二醇一丁基醚中的1種或2種以上。作為烷基或芳香基醇的具體例，可以選自苯氧乙醇、異丙氧乙醇、苯甲醇、苯乙醇、丙三醇、丁醇、仲丁醇、乙二醇中的1種或2種以上。所述有機(jī)溶劑含量為為l-60wt%，優(yōu)選5-50wt%，更優(yōu)選 10-40wt%.濃度小于Iwt%時(shí)，起不到改善溶解光致抗蝕劑膜的作用；大于60Wt%時(shí)，得不到更好的改善溶解膜層的效果，而且體系的去水要求高，成本高。本發(fā)明中所述的防腐蝕劑包括芳香族羥基化合物和唑類化合物中的至少一種。芳香族羥基化合物具體例有沒(méi)食子酸、單寧酸、植酸、鄰苯二酚、對(duì)苯二酚中的至少一種。唑類化合物具體例有三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑、巰基苯并噻唑中的一種或兩種以上任意混合。所述的防腐蝕劑含量0. 5-15wt%，優(yōu)選I-IOwt %，更優(yōu)選 2-8wt%.濃度小于0.5%時(shí)，得不到充分的防止基材金屬被腐蝕的作用；大于15%時(shí)，降低光致抗蝕劑膜層的剝離速率。本發(fā)明中水是包括離子交換水、純水、超純水，含量為5-95wt% .含量小于5%時(shí)， 組合物剝離能力降低，成本高；含量大于95%時(shí)，剝離能力低。本發(fā)明所述的光致抗蝕劑剝離劑組合物，使用溫度無(wú)特別限定，優(yōu)選55-75°C，低于55°C時(shí)，光致抗蝕劑膜層剝離速率慢，生產(chǎn)時(shí)間上是不經(jīng)濟(jì)的；高于75°C時(shí)，雖然光致抗蝕劑膜層剝離速率增大，但組分揮發(fā)量增大，對(duì)體系的穩(wěn)定性不利，同時(shí)會(huì)增加設(shè)備負(fù)荷。以下的本發(fā)明實(shí)施例，用于對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于以下實(shí)施例。用作測(cè)試的板大小為5 X 5cm，光致抗蝕劑層厚為120 μ m.配制500mL剝離液，水浴 55-75°C，攪拌條件下，把測(cè)試板浸于剝離液液中30分鐘。取出，水洗，干燥，顯微鏡下觀察剝離效果，氧化程度，基材腐蝕程度。表1光致抗蝕劑剝離液組合物(wt % )
有機(jī)堿有機(jī)溶劑防腐蝕劑水實(shí)施例1MEA(15)NMP(40)GC(2), BTZ(I)42實(shí)施例2TMAH(I) CL⑷DMF(20) NMP(35)TA(0.5) BTT(0.5)39實(shí)施例3MEA(20)DMSO(60)CC⑵，ATZ(0.5)17.5實(shí)施例4MEA(40)NMP(50)GC(0.5)，BTZ(I)8.5實(shí)施例5CL(15)DMF(40)TA(I)，BTT(2)42實(shí)施例6TMAH(OJ)DGBE(3)CC(0.5)90
權(quán)利要求
1.一種光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，其特征在于該組合物按質(zhì)量百分比計(jì)包括(1)有機(jī)堿，含量為5-50wt%；(2)有機(jī)溶劑，含量為l-60wt%；(3)防腐蝕劑，含量為0.5-15wt%；(4)余量為水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，其特征在于該組合物按質(zhì)量百分比計(jì)包括(1)有機(jī)堿，含量為10-40wt%；(2)有機(jī)溶劑，含量為5-50wt%；(3)防腐蝕劑，含量為I-IOwt%；(4)余量為水。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，其特征在于該組合物按質(zhì)量百分比計(jì)包括(1)有機(jī)堿，含量為15-30wt%；(2)有機(jī)溶劑，含量為10-40wt%；(3)防腐蝕劑，含量為2-8wt%；(4)余量為水。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，其特征在于所述的有機(jī)堿包括烷醇胺、季胺堿、膽堿、羥胺、N，N-二乙基羥胺中的任意一種、任意兩種或兩種以上以任意比例混合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，其特征在于所述的有機(jī)溶劑包括N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亞砜、烷基醇醚、 烷基或芳香基醇中的任意一種、任意兩種或兩種以上以任意比例混合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，其特征在于所述的防腐蝕劑包括芳香族羥基化合物或/和唑類化合物中的任意一種、任意兩種或兩種以上以任意比例混合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，其特征在于所述芳香族羥基化合物包括沒(méi)食子酸、單寧酸、植酸、鄰苯二酚、對(duì)苯二酚中的至少一種；唑類化合物包括三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑、巰基苯并噻唑中的任意一種、 任意兩種或兩種以上以任意比例混合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，其特征在于所述剝離液組合物用于封裝基板的光致抗蝕劑膜的剝離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，其特征在于所述剝離液組合物用于PCB、FPC、TFT、IXD的光致抗蝕劑膜的剝離。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光致抗蝕劑膜的剝離液組合物，包括有機(jī)堿、有機(jī)溶劑、防腐蝕劑和水。光致抗蝕膜劑的剝離液組合物，該組合物按質(zhì)量百分比計(jì)包括5-50wt％的有機(jī)堿，1-60wt％的有機(jī)溶劑，0.5-15wt％的防腐蝕劑，其余為水。本發(fā)明的剝離液尤其適用于厚度為100μm以上的厚干膜的剝離，可以在較低溫度(55-75℃)、較短時(shí)間(＜30min)條件下，完全剝離厚干膜。
文檔編號(hào)G03F7/42GK102411269SQ20111036766
公開(kāi)日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月18日
發(fā)明者常積東, 張軍, 李承孝 申請(qǐng)人:西安東旺精細(xì)化學(xué)有限公司