專利名稱：一種像素電極及液晶面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種像素電極及液晶面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置已被廣泛應(yīng)用于人類的生活和工作中，其中液晶顯示裝置的液晶面板攸關(guān)到液晶顯示裝置的顯示效果，包括視角、明暗程度以及顏色等。如圖1所示為現(xiàn)有一種液晶面板的一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)共用電極200與像素電極100 疊合的情況，其中，如圖3所示，像素電極100上設(shè)置有兩條對(duì)稱的與像素電極100的邊緣相對(duì)傾斜的狹縫10，所述狹縫10的兩端延伸到所述像素電極100的邊緣；所述狹縫10兩側(cè)設(shè)置有多個(gè)深度相同的等切口 11 ；如圖1所示，狹縫10在邊緣的交接處，也是共用電極 200與像素電極100的邊緣交接處，即如圖1所示，第一交接處1、第二交接處2、第三交接處3和第四交接處4，這幾處的結(jié)構(gòu)與像素內(nèi)部結(jié)構(gòu)具有差異，導(dǎo)致像素邊緣電場分布異于內(nèi)部，對(duì)LC(液晶)產(chǎn)生邊緣場效應(yīng)，使得這幾處液晶分子產(chǎn)生異常排列(disclination)， 從而使得像素的此幾處穿透率低。為解決這個(gè)問題，常在共用電極200側(cè)邊緣也添加切口 (slit)，如圖2所示以第二交接處2為例，在共用電極200與像素電極100的邊緣交接處， 設(shè)置有延伸結(jié)構(gòu)210，并在該延伸結(jié)構(gòu)210上形成翅狀的切口(slit)圖案，利用該延伸結(jié)構(gòu)210在邊緣處形成切口，以緩解邊緣場效應(yīng)對(duì)此處液晶分子的影響；但在切口間和切口端部的電場仍然異于像素的內(nèi)部電場，導(dǎo)致液晶分子仍會(huì)產(chǎn)生異常排列(disclination)， 如圖1所示，第一交接處1、第二交接處2、第三交接處3和第四交接處4依然存在液晶分子異常排列(disclination)，從而使得這4處穿透率降低，進(jìn)而使得整個(gè)像素的穿透率降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種可提高液晶面板穿透率的像素電極以及液晶面板。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的一種像素電極，所述像素電極上設(shè)置有至少一條與像素電極邊緣相對(duì)傾斜的狹縫，所述狹縫的兩端延伸到所述像素電極的邊緣；所述狹縫兩側(cè)設(shè)置有多個(gè)深度相同的等切口 ；所述狹縫的兩端部區(qū)域的兩側(cè)有多個(gè)底部延伸到所述像素電極的邊緣的邊緣切口，所述狹縫的端部區(qū)域還設(shè)置有多個(gè)由像素電極外向內(nèi)部的方向深度遞減的漸變切口，所述漸變切口的深度大于或等于所述等切口的深度。優(yōu)選的，所述邊緣切口的底部與所述像素電極的邊緣平行并且處于一條直線上。 使邊緣切口以一個(gè)相等的深度差排列在像素電極邊緣，避免產(chǎn)生異常電場。優(yōu)選的，沿像素電極由外向內(nèi)的方向上，所述漸變切口深度逐漸遞減。以使?jié)u變切口可以將邊緣處的異常電場漸漸過渡到像素的內(nèi)部，避免造成液晶分子異常排列。優(yōu)選的，所述漸變切口按深度差相等的方式深度遞減排列。使得邊緣處的電場以較為平緩的方式過渡到內(nèi)部電場，從而避免液晶分子異常排列造成暗紋。
優(yōu)選的，所述深度差為S/N，其中，所述N為漸變切口的個(gè)數(shù)，所述S為為液晶面板中一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)共用電極上的切口開口端對(duì)應(yīng)于像素電極上的等切口的底部的距離。根據(jù)需要設(shè)置等深度差的值以及漸變切口的個(gè)數(shù)，以達(dá)到最佳的優(yōu)化方式。優(yōu)選的，所述N = 3。N = 3為較優(yōu)的漸變切口數(shù)目，能夠獲得較好的電場過渡，并且不會(huì)增加新的異常電場。優(yōu)選的，所述漸變切口按深度差遞增的方式深度遞減排列。以獲得更為平緩的過渡方式，其要優(yōu)于等深度差不便的方式。優(yōu)選的，所述漸變切口的數(shù)量為4個(gè)。較優(yōu)的漸變切口數(shù)目，能夠獲得較好的電場過渡，并且不會(huì)增加新的異常電場。優(yōu)選的，所述像素電極包括兩條對(duì)稱排布的狹縫。較優(yōu)的狹縫排布方式，以獲得多個(gè)方向的液晶傾倒，從而改善視角的范圍。優(yōu)選的，所述狹縫在像素電極上呈》或《形排布。較優(yōu)的排布形狀，可以形成多個(gè)方向的液晶傾倒，從而改善視角的范圍。一種液晶面板，包括共用電極及多個(gè)對(duì)置的如上任一所述的像素電極。優(yōu)選的，所述共用電極上對(duì)應(yīng)的設(shè)置有與所述像素電極對(duì)應(yīng)錯(cuò)開的共用電極切口，所述共用電極與像素電極的邊緣交接處設(shè)置有用于在邊緣處設(shè)置切口的延伸結(jié)構(gòu)；所述的像素電極的邊緣切口與所述共用電極的延伸結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)；所述的像素電極的漸變切口的底部與對(duì)應(yīng)的共用電極切口之間的距離逐漸減小。邊緣切口與延伸結(jié)構(gòu)上的切口相對(duì)應(yīng)，以消除延伸結(jié)構(gòu)上的切口之間和切口端部的異常電場，同時(shí)，漸變切口與對(duì)應(yīng)的共用電極之間的切口的距離逐漸減小，進(jìn)而起到一個(gè)過渡的作用，使得邊緣處的電場慢慢變化到與內(nèi)部一致，從而避免液晶的異常翻轉(zhuǎn)，進(jìn)而使得像素的穿透率得以提高。優(yōu)選的，所述邊緣切口具有一個(gè)深度最大的界點(diǎn)切口，所述界點(diǎn)切口的深度大于所述等切口的深度。邊緣切口的深度大于等切口的深度，才能有效的消除延伸結(jié)構(gòu)上的切優(yōu)選的，所述界點(diǎn)切口的深度大于S+D，所述S為液晶面板中一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)共用電極上的切口開口端對(duì)應(yīng)于像素電極上的等切口的底部的距離；所述D為等切口的深度。 這樣界點(diǎn)切口以及包括其它切口能一直延伸向像素電極的邊緣以對(duì)應(yīng)共用電極上過度段的切口，才能更有效的緩解此處切口間及切口端的異常電場，由于邊緣切口的底部平行并處于一條線上。一種液晶面板，包括共用電極及多個(gè)對(duì)置像素電極，所述共用電極上對(duì)應(yīng)的設(shè)置有與所述像素電極對(duì)應(yīng)錯(cuò)開的共用電極切口，相鄰的共用電極切口之間形成鋸齒，所述共用電極與像素電極的邊緣交接處設(shè)置有用于在邊緣處設(shè)置切口的延伸結(jié)構(gòu)；所述像素電極上設(shè)置有至少一條與像素電極邊緣相對(duì)傾斜的狹縫，所述狹縫的兩端延伸到所述像素電極的邊緣；所述狹縫的兩端部區(qū)域的兩側(cè)有多個(gè)底部延伸到所述像素電極的邊緣的邊緣切口，所述的像素電極的邊緣切口與所述共用電極的延伸結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)；所述延伸結(jié)構(gòu)及靠近該延伸結(jié)構(gòu)上的鋸齒延伸向所述像素電極上與之對(duì)應(yīng)的所述等切口，使所述齒與所述像素電極切口之間的距離逐漸減小。本發(fā)明由于通過改變像素電極上邊緣處也是狹縫的端部兩側(cè)的切口深度，使得此處區(qū)域的一部分切口延伸到像素電極的邊緣形成邊緣切口以對(duì)應(yīng)液晶面板的共用電極上的延伸結(jié)構(gòu)上的切口，緩解此處的切口間及切口端部的異常電場，同時(shí)在邊緣切口的一側(cè)形成漸變切口，以使邊緣處的電場漸漸變化過度到像素內(nèi)部的電場，從而避免此處區(qū)域的液晶分子發(fā)生異常排列，減少此處的暗紋產(chǎn)生，從而提高像素的穿透率。


圖1是現(xiàn)有液晶面板的共用電極與像素電極疊合的結(jié)構(gòu)簡圖，圖2是圖1中第二交接處2的結(jié)構(gòu)放大圖，圖3是現(xiàn)有液晶面板中像素電極的結(jié)構(gòu)簡圖，圖4是圖1中第二交接處2對(duì)應(yīng)的像素電極結(jié)構(gòu)放大圖，圖5是本發(fā)明第一種實(shí)施例液晶面板的共用電極與像素電極疊合的結(jié)構(gòu)簡圖，圖6是圖5中第二交接處2的結(jié)構(gòu)放大圖，圖7是本發(fā)明第一種實(shí)施例中像素電極的結(jié)構(gòu)簡圖，圖8是圖7的第二交接處2的放大圖，圖9是本發(fā)明第二種實(shí)施例液晶面板的共用電極與像素電極疊合的結(jié)構(gòu)簡圖，圖10是圖9中第二交接處2的放大圖，圖11是本發(fā)明第二種實(shí)施例中像素電極的結(jié)構(gòu)簡圖，圖12是圖11的第二交接處2的放大圖，圖13是現(xiàn)有液晶面板的穿透率模擬仿真圖，圖14是第一種實(shí)施例的穿透率模擬仿真圖，圖15是第二種實(shí)施例的穿透率模擬仿真圖。其中1、第一交接處；2、第二交接處；3、第三交接處；4、第四交接處；10、狹縫； 11、等切口 ；12、漸變切口 ；13、邊緣切口 ；14、界點(diǎn)切口 ；17、連接部；100、像素電極；200、共用電極；210、延伸結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和較佳的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。本發(fā)明的像素電極包括設(shè)置在其上的至少一條與像素電極邊緣相對(duì)傾斜的狹縫，所述狹縫的兩端延伸到所述像素電極的邊緣；所述狹縫兩側(cè)設(shè)置有多個(gè)深度相同的等切口 ；所述狹縫的兩端部區(qū)域的兩側(cè)有多個(gè)底部延伸到所述像素電極的邊緣的邊緣切口， 所述邊緣切口的底部與所述像素電極的邊緣平行并且處于一條直線上；所述狹縫的端部區(qū)域還設(shè)置有多個(gè)由外向像素電極內(nèi)部的方向深度遞減的漸變切口，所述漸變切口的深度大于或等于所述等切口的深度。在液晶面板中，共用電極上也設(shè)置有與像素電極上的等切口、 邊緣切口以及漸變切口相對(duì)應(yīng)的并且相互錯(cuò)開的共用電極切口。如圖5-8為本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例，首先看圖7，像素電極100上設(shè)置有兩條對(duì)稱的狹縫10，狹縫10—直延伸到像素電極100的邊緣處，在狹縫10的兩側(cè)分別設(shè)置有多個(gè)深度相同的等切口 11，在狹縫10的端部處的兩側(cè)有多個(gè)底部與像素電極100邊緣平行并且處于一條直線上的邊緣切口 13，邊緣切口 13的內(nèi)側(cè)(即由像素電極100外向內(nèi)的方向)，設(shè)置有多個(gè)漸變切口 12。如圖8所示以第二交接處2為例，該處為狹縫10的端部處，設(shè)置有三個(gè)按深度差為S/3遞減排列的漸變切口 12，其中第三個(gè)漸變切口 13(即深度最小的漸變切口 )的深度與等切口 11的深度相同，其中，如圖5所示S為在平面上像素電極100的等切口 11的底部到共用電極200上的與之對(duì)應(yīng)共用電極切口的開口端的距離。在本實(shí)施例中，如圖6所示，邊緣切口 13的數(shù)量對(duì)應(yīng)于共用電極200的延伸結(jié)構(gòu) 210上的切口，用于緩解邊緣場效應(yīng)以及該延伸結(jié)構(gòu)210上的切口之間以及切口端部的異常電場。邊緣切口 13包括一個(gè)深度最大的界點(diǎn)切口 14，該界點(diǎn)切口 14的深度大于S+D小于L，其中如圖5所示L為在平面上像素電極100的等切口的開口端到共用電極200上的與之對(duì)應(yīng)的共用電極切口的底部的距離，而D為像素電極上的等切口的深度。在該界點(diǎn)切口 14的外側(cè)(由像素電極內(nèi)部向外的方向)為邊緣切口 13的排布區(qū)域，并且邊緣切口 13起始于連接部17，該連接部17位于狹縫的端頭，它使像素電極100被狹縫分開的部分連接起來，在該界點(diǎn)切口的內(nèi)側(cè)是漸變切口的排布區(qū)域。在本實(shí)施例中，漸變切口的個(gè)數(shù)可根據(jù)需要而設(shè)定，即深度差可變?yōu)镾/N，其中N 為漸變切口的個(gè)數(shù)。本實(shí)施例中，所述的像素電極100在第一交接處1、第二交接處2、第三交接處3和第四交接處4進(jìn)行了結(jié)構(gòu)優(yōu)化，以第二交接處為例，邊緣切口 13—直延伸到像素電極100 的邊緣，從而緩解此處邊緣場效應(yīng)的影響以及共用電極200的延伸結(jié)構(gòu)210上的切口之間以及切口端部的異常電場；另外，利用漸變切口 12形成一個(gè)較為緩和的電場漸變區(qū)域，進(jìn)而減小垂直于切口的電場對(duì)液晶的影響，同樣的，其它交接處(第一交接處1、第三交接處3 和第四交接處4)也是如此，通過緩解邊緣場效應(yīng)以及形成漸變電場的方式，使得這幾處的液晶分子發(fā)生異常排列的情況得以減少，進(jìn)而增加像素的穿透率，如圖14為使用本實(shí)施例的像素電極后像素的穿透率的模擬仿真情況，與圖13現(xiàn)有液晶面板的穿透率模擬仿真情況相比，經(jīng)過優(yōu)化改進(jìn)的穿透率提高了 7. 93%。如圖9-12所示為本發(fā)明的第二種實(shí)施例，與實(shí)施例一不同的是，狹縫10的端部的漸變切口是按深度差漸漸減小的方式進(jìn)行深度遞減排布，如圖9所示，仍然以第二交接處2為例，此處是狹縫10的端部處，在界點(diǎn)切口 14的內(nèi)側(cè)，排布著多個(gè)漸變切口 12，在本實(shí)施例中，漸變切口 12的個(gè)數(shù)優(yōu)選為4個(gè)，其中第一個(gè)漸變切口與界點(diǎn)切口 14處于最近的位置，其深度小于界點(diǎn)切口 14的深度，并小于S+D，第二個(gè)漸變切口的深度與第一個(gè)漸變切口的深度差為dl，第二個(gè)漸變切口與第三個(gè)漸變切口的深度差為d2，第三個(gè)漸變切口與第四個(gè)漸變切口的深度差為d3，其中有dl > d2 > d3，形成深度差由像素結(jié)構(gòu)外向內(nèi)的方向遞減的排布。在此種排布下，漸變切口形成比深度差為固定值的第一種實(shí)施例的排布更為緩和，進(jìn)而在液晶面板中，此區(qū)域的電場漸變則更緩和，從而能夠更進(jìn)一步減小垂直于切口方向的電場對(duì)液晶的影響。本實(shí)施例中像素的穿透率模擬仿真結(jié)果如圖15所示，與現(xiàn)有技術(shù)模擬仿真結(jié)果(即圖1 相比，在本實(shí)施例所述改進(jìn)的基礎(chǔ)下像素的穿透率提高了 8. 42%，與圖14的第一種實(shí)施例的結(jié)果相比，本第二種實(shí)施方式的基礎(chǔ)下像素的穿透率提高了 0. 45%。在本發(fā)明的兩個(gè)實(shí)施例中，像素電極包括兩條對(duì)稱的并呈》或《形在像素電極內(nèi)排布的狹縫，使得液晶分子的傾倒形成多個(gè)不同的方向而提高視角的廣度。當(dāng)然，狹縫的排布方式并不限于此種方式。當(dāng)然，除了在像素電極上設(shè)計(jì)相應(yīng)的延伸到所述延伸結(jié)構(gòu)上以緩解延伸結(jié)構(gòu)上的切口之間及切口端部的異常電場外，也可以對(duì)共用電極作相應(yīng)的設(shè)計(jì)。在液晶面板中，共
7用電極上也設(shè)置有與像素電極上的各類切口向?qū)?yīng)并且錯(cuò)開的共用電極切口形成鋸齒狀圖案，其中相鄰兩個(gè)切口之間為鋸齒，在所述延伸結(jié)構(gòu)上的鋸齒可以作在平面上向像素電極對(duì)應(yīng)的切口的方向進(jìn)行延伸，同時(shí)，將靠近所述延伸結(jié)構(gòu)的共用電極上的鋸齒作向與之對(duì)應(yīng)的像素電極的等切口的設(shè)計(jì)。在此種設(shè)置下，也可以消除延伸結(jié)構(gòu)上的切口間及切口端部的異常電場，同時(shí)也能將該區(qū)域的電場進(jìn)行緩慢變化過渡到像素的內(nèi)部電場。但是此種方式相對(duì)于前述實(shí)施例來說，工藝上的改變較大，相對(duì)來說，前述實(shí)施例的方式更容易實(shí)施，降低生產(chǎn)成本。 以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素電極，其特征在于所述像素電極上設(shè)置有至少一條與像素電極邊緣相對(duì)傾斜的狹縫，所述狹縫的兩端延伸到所述像素電極的邊緣；所述狹縫兩側(cè)設(shè)置有多個(gè)深度相同的等切口；所述狹縫的兩端部區(qū)域的兩側(cè)有多個(gè)底部延伸到所述像素電極的邊緣的邊緣切口，所述狹縫的端部區(qū)域還設(shè)置有多個(gè)漸變切口，所述漸變切口的深度大于或等于所述等切口的深度。
2.如權(quán)利要求1所述的一種像素電極，其特征在于，所述邊緣切口的底部與所述像素電極的邊緣平行并且處于一條直線上。
3.如權(quán)利要求1所述的一種像素電極，其特征在于，沿像素電極由外向內(nèi)的方向上，所述漸變切口深度逐漸遞減。
4.如權(quán)利要求3所述的一種像素電極，其特征在于，所述漸變切口按深度差相等的方式深度遞減排列。
5.如權(quán)利要求4所述的一種像素電極，其特征在于，所述深度差為S/N，其中，所述N為漸變切口的個(gè)數(shù)，所述S為液晶面板中一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)共用電極上的切口開口端對(duì)應(yīng)于像素電極上的等切口的底部的距離。
6.如權(quán)利要求5所述的一種像素電極，其特征在于，所述N=3。
7.如權(quán)利要求3所述的一種像素電極，其特征在于，所述漸變切口按深度差遞增的方式深度遞減排列。
8.如權(quán)利要求7所述的一種像素電極，其特征在于，所述漸變切口的數(shù)量為4個(gè)。
9.如權(quán)利要求1所述的一種像素電極，其特征在于，所述像素電極包括兩條對(duì)稱排布的狹縫。
10.如權(quán)利要求9所述的一種像素電極，其特征在于，所述狹縫在像素電極上呈》或《形排布。
11.一種液晶面板，包括共用電極及多個(gè)對(duì)置的如權(quán)利要求1-10任一所述的像素電極。
12.如權(quán)利要求11所述的一種液晶面板，其特征在于，所述共用電極上對(duì)應(yīng)的設(shè)置有與所述像素電極對(duì)應(yīng)錯(cuò)開的共用電極切口，所述共用電極與像素電極的邊緣交接處設(shè)置有用于在邊緣處設(shè)置切口的延伸結(jié)構(gòu)；所述的像素電極的邊緣切口與所述共用電極的延伸結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)；所述的像素電極的漸變切口的底部與對(duì)應(yīng)的共用電極切口之間的距離逐漸減
13.如權(quán)利要求12所述的一種液晶面板，其特征在于，所述邊緣切口具有一個(gè)深度最大的界點(diǎn)切口，所述界點(diǎn)切口的深度大于所述等切口的深度。
14.如權(quán)利要求13所述的一種液晶面板，其特征在于，所述界點(diǎn)切口的深度大于S+D， 所述S為液晶面板中一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)共用電極上的切口開口端對(duì)應(yīng)于像素電極上的等切口的底部的距離；所述D為等切口的深度。
15.一種液晶面板，包括共用電極及多個(gè)對(duì)置像素電極，所述共用電極上對(duì)應(yīng)的設(shè)置有與所述像素電極對(duì)應(yīng)錯(cuò)開的共用電極切口，相鄰的共用電極切口之間形成鋸齒，所述共用電極與像素電極的邊緣交接處設(shè)置有用于在邊緣處設(shè)置切口的延伸結(jié)構(gòu)；所述像素電極上設(shè)置有至少一條與像素電極邊緣相對(duì)傾斜的狹縫，所述狹縫的兩端延伸到所述像素電極的邊緣；所述狹縫的兩端部區(qū)域的兩側(cè)有多個(gè)底部延伸到所述像素電極的邊緣的邊緣切口，所述的像素電極的邊緣切口與所述共用電極的延伸結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)；所述延伸結(jié)構(gòu)及靠近該延伸結(jié)構(gòu)上的鋸齒延伸向所述像素電極上與之對(duì)應(yīng)的所述等切口，使所述齒與所述像素電極切口之間的距離逐漸減小。
全文摘要
本發(fā)明公開一種像素電極及液晶面板，所述像素電極上設(shè)置有至少一條與像素電極邊緣相對(duì)傾斜的狹縫，狹縫的兩端延伸到所述像素電極的邊緣；狹縫兩側(cè)設(shè)置有多個(gè)深度相同的等切口；狹縫的兩端部區(qū)域的兩側(cè)有多個(gè)底部延伸到所述像素電極的邊緣的邊緣切口，狹縫的端部區(qū)域還設(shè)置有多個(gè)由像素電極外向內(nèi)部的方向深度遞減的漸變切口，所述漸變切口的深度大于或等于所述等切口的深度。本發(fā)明通過改變像素電極上邊緣切口深度，緩解共用電極的延伸結(jié)構(gòu)上切口間及切口端部的異常電場，同時(shí)在邊緣切口的一側(cè)形成漸變切口，以使邊緣處的電場漸漸變化過度到像素內(nèi)部的電場，從而避免此處區(qū)域的液晶分子發(fā)生異常排列，減少此處的暗紋產(chǎn)生，從而提高像素的穿透率。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK102364388SQ20111037161
公開日2012年2月29日 申請日期2011年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月21日
發(fā)明者姚曉慧, 董成才, 薛景峰, 許哲豪 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司