專利名稱：刻蝕超厚非感光性光刻膠的刻蝕方法
技術領域：
本發(fā)明屬微電子芯片制造領域中的半導體制造方法。
背景技術：
對于高壓功率元件，為了提高其在高溫高壓工作環(huán)境下可靠性，通常需要使用很厚的光刻膠作為表面保護層，來保證內部器件在極端工作條件下正常工作(如6000V以上導通電壓，400度以上高溫持續(xù)大于30min的工作環(huán)境中)。為了長時間隔絕高壓擊穿和高溫工作，光刻膠的厚度通常都非常厚。此處光刻膠典型的為polyimide (聚酰亞胺)。Polyimide為一種有機高分子材料，分為感光性和非感光性兩種。非感光性通常直接為聚酰亞胺前驅體(Polyimide Procursor,其中典型的為聚酰胺酸polyamic acid),聚酰亞胺前驅體一般存在開環(huán)結構，可以被刻蝕光刻膠的濕法法藥液去除；而感光性則通過在聚酰亞胺前驅體上增加光敏性的官能基團和抑制溶解的官能基團，通過光化學反應引起光敏性基團的反應從而去除抑制溶解的官能基團，產生聚酰亞胺前驅體。然后聚酰亞胺前驅體通過通過一定溫度加熱后，發(fā)生亞胺化，形成閉環(huán)，從而不溶于刻蝕光刻膠的濕法法藥液，并形成具有一定機械/電學強度的類樹脂材料。典型的聚酰亞胺前驅體分子式和亞胺化反應可以表示為:
權利要求
1.一種超厚非感光性光刻膠的刻蝕工藝方法，其特征在于，包括以下步驟: 旋涂非感光性光刻膠； 旋涂光刻膠； 曝光光刻膠，并直接進行顯影； 硅片刻蝕并進行清洗。
2.根據權利要求1所述的超厚非感光性光刻膠的刻蝕工藝方法，其特征在于，所述非感光性光刻膠為非感光性聚酰亞胺前驅體或非感光性聚酰亞胺。
3.根據權利要求2所述的超厚非感光性光刻膠的刻蝕工藝方法，其特征在于，濕法刻蝕藥液為四甲基氫氧化氨TMAH，￥-丁內酯681^4-甲基吡咯烷酮NMP，丙二醇甲醚PGME，丙二醇甲醚醋酸酯PGMEA的純溶液或混合溶液。
4.根據權利要求3所述的超厚非感光性光刻膠的刻蝕工藝方法，其特征在于，光刻膠厚度其旋涂后厚度> 15um。
5.根據權利要求4所述的超厚非感光性光刻膠的刻蝕工藝方法，其特征在于，光刻膠應用于400度以上高溫工作環(huán)境，高溫持續(xù)時間> 30分鐘。
6.根據權利要求1所述的超厚非感光性光刻膠的刻蝕工藝方法，其特征在于，步驟I中的非感光性光刻膠的具體工藝流程為: 在150度 250度脫水預烘； 旋涂非感光性光 刻膠； 在100 130度前烘； 在20度 30度室溫冷卻。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種超厚非感光性光刻膠的刻蝕工藝方法，包括以下步驟旋涂非感光性光刻膠；旋涂光刻膠；曝光光刻膠，并直接進行顯影；硅片刻蝕并進行清洗。本發(fā)明可以降低超厚光刻膠的刻蝕時間，提高產能，降低制造成本。
文檔編號G03F7/26GK103165406SQ201110407329
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月9日 優(yōu)先權日2011年12月9日
發(fā)明者王雷, 郭曉波, 程晉廣 申請人:上海華虹Nec電子有限公司