專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，尤其涉及一種在橫電場方式的液晶顯示裝置中針對形成在有機(jī)鈍化膜上的膜發(fā)生剝落采取對策的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
在液晶顯示裝置中，配置具有像素電極和薄膜晶體管(TFT)等的將像素形成為矩陣狀的TFT基板、以及與TFT基板對置并在與TFT基板的像素電極相對應(yīng)的位置形成有濾色片等的對置基板，在TFT基板與對置基板之間夾持有液晶。并且，通過按各像素控制液晶分子的透光率，來形成圖像。液晶顯示裝置是平板的且分量輕，因此在各領(lǐng)域用途廣泛。在便攜式電話、 DSC(Digital Still Camera 數(shù)字靜態(tài)攝影機(jī))等中廣泛使用著小型的液晶顯示裝置。在液晶顯示裝置中視場角特性是一個問題。視場角特性是在從正面觀看畫面的情況和從斜方向觀看畫面的情況下亮度發(fā)生變化、或者色度發(fā)生變化的現(xiàn)象。視場角特性具有在通過水平方向的電場使液晶分子進(jìn)行動作的IPSan Plane Switching 平面轉(zhuǎn)換)方式下優(yōu)越的特性。IPS方式也有很多種，但是在平面單板上形成公共電極并在公共電極上隔著絕緣膜配置具有狹縫的像素電極、通過在像素電極與公共電極之間產(chǎn)生的電場來使液晶分子旋轉(zhuǎn)的方式能夠增大透射率，因此在當(dāng)前成為主流。為了使形成公共電極的基底平坦，而使用了有機(jī)鈍化膜。但是，有機(jī)鈍化膜吸濕性高，當(dāng)放置在空氣中時吸收水分，當(dāng)在之后的膜形成中經(jīng)過加熱工序時，被有機(jī)鈍化膜吸收的水分放出，由于該影響產(chǎn)生形成在有機(jī)鈍化膜上的膜剝離的問題。作為對應(yīng)這種問題的方法，在“專利文獻(xiàn)1”中記載有如下結(jié)構(gòu)在視頻信號線的上面，針對形成在有機(jī)鈍化膜上的層間絕緣膜，沿著視頻信號線形成通孔，使存在于有機(jī)鈍化膜中的水分從該通孔放出。在“專利文獻(xiàn)1”中，將該通孔進(jìn)一步由與公共電極導(dǎo)通的透明電極覆蓋。專利文獻(xiàn)1 日本特開2009-271103號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
為了說明現(xiàn)有技術(shù)的問題，首先說明IPS液晶顯示裝置的截面結(jié)構(gòu)。圖9是表示液晶顯示裝置的顯示區(qū)域10的像素部的結(jié)構(gòu)的截面圖。此外，圖9的截面圖是基本結(jié)構(gòu)的例子，與之后示出的實(shí)施例的俯視圖、即圖2等并不是以1 1對應(yīng)的。如圖9所示，以本發(fā)明為對象的液晶顯示裝置是頂柵型的TFT，對半導(dǎo)體層103使用poly-Si。在圖9中，在玻璃基板100上通過CVD (Chemical Vapor Deposition 化學(xué)氣相沉積)形成由SiN構(gòu)成的第一底膜101和由SW2構(gòu)成的第二底膜102。第一底膜101和第二底膜102的作用在于防止來自玻璃基板100的雜質(zhì)污染半導(dǎo)體層103。在第二底膜102上形成半導(dǎo)體層103。該半導(dǎo)體層103在第二底膜102上通過CVD形成a-Si膜，通過對其進(jìn)行激光退火來變換成poly-Si膜。通過光刻法對該poly-Si膜形成圖案。在半導(dǎo)體膜上形成柵極絕緣膜104。該柵極絕緣膜104是由TEOS (四乙氧基硅烷) 形成的SiO2膜。該膜也是通過CVD形成的。在該膜上形成柵電極105。柵電極105與掃描信號線30在相同的層上同時形成。柵電極105例如由MoW膜形成。在需要減小掃描線30 的電阻時，使用Al合金。柵電極105通過光刻法進(jìn)行圖案形成，但是在該圖案形成時，通過離子注入，將磷或者硼等雜質(zhì)混入到poly-Si層，來在poly-Si層上形成源極S或者漏極D。另外，利用柵電極105圖案形成時的光致抗蝕劑來在poly-Si層的溝道層與源極S或漏極D之間形成 LDD(Lightly Doped Drain 輕摻雜漏極)層。之后，覆蓋柵電極105而通過SiO2形成第一層間絕緣膜106。第一層間絕緣膜106 用于將柵電極105與源電極107絕緣。在第一層間絕緣膜106上形成源電極107。源電極 107通過接觸孔130與像素電極112進(jìn)行連接。在圖9中，源電極107形成為較大，成為覆蓋TFT的形狀。另一方面，TFT的漏極D在未圖示的部分上與視頻信號線相連接。源電極107與視頻信號線在相同的層上同時形成。源電極107或者視頻信號線為了減小電阻而使用AlSi合金。AlSi合金或產(chǎn)生隆起、或者Al擴(kuò)散到其它的層，因此采用通過由MoW形成的阻擋層以及覆蓋層夾持AlSi的結(jié)構(gòu)。另外，也存在不使用Al而使用MoW 或MoCr的情況。為了將源電極107與TFT的源極S進(jìn)行連接，而在柵極絕緣膜104和第一層間絕緣膜106上形成接觸孔130，將TFT的源極S與源電極107連接。覆蓋源電極107后，覆蓋無機(jī)鈍化膜108，保護(hù)TFT整體。無機(jī)鈍化膜108與第一底膜101同樣地由CVD形成。覆蓋無機(jī)鈍化膜108地形成有機(jī)鈍化膜109。有機(jī)鈍化膜109由感光性的丙烯酸類樹脂形成。有機(jī)鈍化膜也能夠由除了丙烯酸類樹脂以外的硅樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等形成。有機(jī)鈍化膜109具有作為平坦化膜的作用，因此形成為較厚。有機(jī)鈍化膜109 的膜厚是1 4 μ m，但是多數(shù)情況下是2 μ m左右。為了取得像素電極110與源電極107的導(dǎo)通，而在無機(jī)鈍化膜108和有機(jī)鈍化膜 109上形成接觸孔130。在涂上作為有機(jī)鈍化膜109使用的感光性樹脂之后，將該樹脂進(jìn)行曝光時，僅光所照射到的部分溶解于特定的顯影液。即，通過使用感光性樹脂，能夠省略光致抗蝕劑的形成。在有機(jī)鈍化膜109上形成接觸孔之后，以230°C左右燒制有機(jī)鈍化膜，由此完成有機(jī)鈍化膜109。將有機(jī)鈍化膜109作為抗蝕劑并通過干蝕刻來在無機(jī)鈍化膜108上形成接觸孔。 通過這樣形成用于導(dǎo)通源電極107與像素電極110的接觸孔130。通過這樣形成的有機(jī)鈍化膜109的上表面變得平坦。在有機(jī)鈍化膜109上通過濺射來沉積非結(jié)晶ITOandium Tin Oxide 銦錫氧化物)，通過光致抗蝕劑進(jìn)行圖案形成之后，用草酸進(jìn)行蝕刻，來進(jìn)行公共電極110的圖案形成。公共電極110避開接觸孔130而在平面單板上形成。之后，以230°C燒制，將ITO形成為多晶體，來降低電阻。公共電極110由作為透明電極的ITO形成，厚度例如是77 μ m。之后，覆蓋公共電極110，通過CVD形成第二層間絕緣膜111。此時的CVD的溫度條件是230°C左右，其被稱為低溫CVD。之后，通過光刻工序進(jìn)行層間絕緣膜111的圖案形成。在圖9中，第二層間絕緣膜111形成為不覆蓋接觸孔130的側(cè)壁的結(jié)構(gòu)，但是也存在第二層間絕緣膜111覆蓋接觸孔130的側(cè)壁的情況。另外，在通過CVD形成其它的膜、例如第一底膜101、無機(jī)鈍化膜108等時，以 300°C以上進(jìn)行。一般來說，CVD膜等越是以高溫形成，與底膜的粘貼力越強(qiáng)。但是，由于在第二層間絕緣膜111下已經(jīng)形成了有機(jī)鈍化膜109，因此如果是230°C以上的高溫，則有機(jī)鈍化膜109的特性會發(fā)生變化，因此通過低溫CVD進(jìn)行第二層間絕緣膜111的形成。通過低溫CVD形成第二層間絕緣膜111，其它的膜、尤其是公共電極110或者第二層間絕緣膜111 與有機(jī)鈍化膜109的粘貼力成為問題。在第二層間絕緣膜111上濺射非結(jié)晶ΙΤ0，通過光刻工序形成具有狹縫115的像素電極112。像素電極112通過接觸孔113與源電極107進(jìn)行連接。當(dāng)對像素電極112施加信號電壓時，在與公共電極110之間通過狹縫產(chǎn)生電力線。通過該電場使液晶分子旋轉(zhuǎn)，按每個像素控制液晶層的透光量，從而形成圖像。像素電極112通過作為透明導(dǎo)電膜的ITO 形成，膜厚例如是40nm至70nm左右。覆蓋像素電極來形成取向膜113。夾持液晶層300而配置有對置基板200。在對置基板200的內(nèi)側(cè)形成有濾色片 201。濾色片201按每個像素形成紅、綠、藍(lán)的濾色片，從而形成彩色圖像。在濾色片201與濾色片201之間形成黑矩陣202，提高了圖像的對比度。此外，黑矩陣202也具有作為TFT 的遮光膜的作用，防止光電流流過TFT。覆蓋濾色片201和黑矩陣202而形成了保護(hù)(overcoat)膜203。由于濾色片201 和黑矩陣202的表面凹凸不平，因此通過保護(hù)膜203使表面變得平坦。在保護(hù)膜203上形成有用于使液晶分子進(jìn)行初始取向的取向膜113。此外，由于圖2是IPS，因此對置電極形成在TFT基板100側(cè)，沒有形成在對置基板側(cè)。如圖9所示，在IPS中，沒有在對置基板200的內(nèi)側(cè)形成導(dǎo)電膜。這樣，對置基板 200的電位變得不穩(wěn)定。另外，來自外部的電磁干擾侵入到液晶層300，對圖像產(chǎn)生影響。為了消除這樣的問題，而在對置基板200的外側(cè)形成外部導(dǎo)電膜210。外部導(dǎo)電膜210通過濺射作為透明導(dǎo)電膜的ITO來形成。如以上所說明的那樣，形成在有機(jī)鈍化膜上的第二層間絕緣膜通過230°C左右的低溫CVD形成，因此與底膜之間的粘貼力較弱。另一方面，形成在第二層間絕緣膜下的有機(jī)鈍化膜如果放置不管，則吸收空氣中的水分。之后，在有機(jī)鈍化膜上形成各種膜時，當(dāng)對有機(jī)鈍化膜進(jìn)行加熱時，被吸收的水分放出。此時，產(chǎn)生粘貼力較弱的第二層間絕緣膜剝離的現(xiàn)象。為了解決該現(xiàn)象，在“專利文獻(xiàn)1”中記載了如下結(jié)構(gòu)沿著視頻信號線，在第二層間絕緣膜上形成細(xì)長的通孔，從該通孔放出被有機(jī)鈍化膜吸收的水分。在“專利文獻(xiàn)1”中， 通過ITO膜覆蓋該通孔，使該ITO膜與公共電極導(dǎo)通，由此還具有屏蔽效果。但是，“專利文獻(xiàn)1”的結(jié)構(gòu)存在如下的問題。即，第二層間絕緣膜通過低溫CVD形成，因此膜結(jié)構(gòu)與高溫CVD的情況相比不緊密，因此當(dāng)想要沿著視頻信號線進(jìn)行蝕刻來形成接觸孔時，由于蝕刻率不穩(wěn)定，因此通孔的寬度不穩(wěn)定，從而到達(dá)像素電極的危險很大。 如果通孔到達(dá)像素電極，則產(chǎn)生該部分的電場紊亂，從而無法適當(dāng)?shù)乜刂埔壕Х肿?，產(chǎn)生漏光等。并且，當(dāng)由與公共電極導(dǎo)通的ITO膜覆蓋通孔時，導(dǎo)致像素電極與公共電極導(dǎo)通，并導(dǎo)致其像素變得不良。
“專利文獻(xiàn)1”的其它問題是通過由ITO覆蓋沿著視頻信號線形成的通孔，而減小了好不容易形成在第二層間絕緣膜上的通孔的效果。也就是說，在第二層間絕緣膜上進(jìn)一步通過ITO形成像素電極時也同樣地為減小ITO的電阻而以230°C進(jìn)行退火。另外，并且， 取向膜也為了進(jìn)行亞胺化(imidization)而被燒制。因而，在形成這些膜時，被有機(jī)鈍化膜吸收的水分也被放出，因此需要使水分從形成于第二層間絕緣膜的通孔高效地放出。本發(fā)明用于解決以上的問題，其目的在于，防止第二層間絕緣膜的剝離而不減少工藝裕度(余量)且不使畫質(zhì)劣化。本發(fā)明用于克服上述問題，具體的方案如下。S卩，一種IPS方式的液晶顯示裝置， 使用頂柵型的TFT作為開關(guān)元件。TFT使用poly-Si作為半導(dǎo)體層。覆蓋TFT而形成無機(jī)鈍化膜和有機(jī)鈍化膜，在有機(jī)鈍化膜上形成公共電極，在公共電極上形成層間絕緣膜，在層間絕緣膜上形成有具有狹縫的像素電極。視頻信號線的寬度在TFT附近變寬，在該部分通過接觸孔取得視頻信號線與TFT 的漏極部或者源極部的導(dǎo)通。在視頻信號線變寬的部分，在形成于公共電極上的層間絕緣膜上形成通孔，放出在有機(jī)絕緣膜中產(chǎn)生的氣體。用于排氣的通孔形成在視頻信號線變寬的部分，因此即使通過蝕刻形成的通孔的直徑產(chǎn)生離差，也不會對液晶分子的驅(qū)動產(chǎn)生影響。另外，用于排氣的通孔的直徑大于用于取得視頻信號線與源極部或漏極部的導(dǎo)通的接觸孔的直徑。另外，用于排氣的通孔沒有被ITO等的導(dǎo)電膜覆蓋。因而，能夠使來自有機(jī)鈍化膜的氣體有效地放出到外部。 上述結(jié)構(gòu)也能夠應(yīng)用于像素電極形成在有機(jī)鈍化膜上并在像素電極上形成層間絕緣膜、在層間絕緣膜上形成具有狹縫的公共電極的類型的IPS。另外，層間絕緣膜中的用于排氣的通孔也可以形成在覆蓋形成于顯示區(qū)域周邊的周邊電路的層間絕緣膜上。并且，也能夠形成在形成于TFT基板的端子部附近的、覆蓋形成有TEGCTesting Element Group 測試元件組)圖案或者對準(zhǔn)標(biāo)記的部分的層間絕緣膜上。根據(jù)本發(fā)明，能夠防止層間絕緣膜的剝離，因此能夠提高液晶顯示裝置的制造成品率。


圖1是液晶顯示裝置的俯視圖。圖2是實(shí)施例1的像素部的俯視圖。圖3是圖2的A-A截面圖。圖4是實(shí)施例2的截面圖。圖5是將本發(fā)明應(yīng)用于TEG圖案部的例子的俯視圖。圖6是圖5的B-B截面圖。圖7是將本發(fā)明應(yīng)用于對準(zhǔn)標(biāo)記部的例子的俯視圖。圖8是圖7的C-C截面圖。圖9是具有頂柵型的TFT的液晶顯示裝置的顯示區(qū)域的截面圖。附圖標(biāo)記的說明10顯示區(qū)域20密封材料
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30掃描信號線31掃描信號線引出線40視頻信號線100TFT 基板101 第一底膜102 第二底膜103半導(dǎo)體層104柵極絕緣膜105柵電極106第一層間絕緣膜107源電極108無機(jī)鈍化膜109有機(jī)鈍化膜110公共電極111第二層間絕緣膜112像素電極113取向膜115 狹縫130接觸孔135遮光電極150端子部140 通孔160上部周邊電路170TEG180對準(zhǔn)標(biāo)記200對置基板210濾色片202黑矩陣203保護(hù)膜210外部導(dǎo)電膜300液晶層301液晶分子S源極部D漏極部
具體實(shí)施例方式以下、使用實(shí)施例詳細(xì)說明本發(fā)明的內(nèi)容。[實(shí)施例1]圖1是應(yīng)用本發(fā)明的產(chǎn)品的例子、即便攜式電話等中使用的小型液晶顯示裝置的俯視圖。在圖1中，在TFT基板100上配置有對置基板200。在TFT基板100與對置基板 200之間夾持有未圖示的液晶層。TFT基板100與對置基板200通過形成于邊框部的密封材料20進(jìn)行粘結(jié)。在圖1中，液晶通過滴下方式而被封入，因此沒有形成封入孔。TFT基板100與對置基板200相比形成得較大，在TFT基板100比對置基板200大出的部分上形成用于對液晶單元1提供電源、視頻信號、掃描信號等的端子部150，在端子部150的外側(cè)進(jìn)一步形成有用于檢查電路特性的TEGCTesting Element Group)或者用于在制造工序中將上基板與下基板進(jìn)行對合的對準(zhǔn)標(biāo)記。圖2是表示圖1所示的顯示區(qū)域10的像素部的一部分結(jié)構(gòu)的俯視圖。在圖2中， 具有狹縫115的像素電極112形成在由視頻信號線40和掃描線30包圍的區(qū)域上。在像素電極112的下方，通過未圖示的第二層間絕緣膜形成有未圖示的公共電極。從視頻信號線 40通過TFT向像素電極112提供視頻信號。在圖2中，從視頻信號線40至像素電極112以串聯(lián)的方式存在第一 TFT和第二 TFT 這兩個TFT。在圖2中，在視頻信號線40的寬度變寬的部分形成有用于將半導(dǎo)體層103與視頻信號線40進(jìn)行連接的接觸孔130。半導(dǎo)體層103超過掃描線30并延伸，彎曲后再越過掃描線30而與像素電極112進(jìn)行連接。半導(dǎo)體層103在具有作為柵電極的作用的掃描線30的下面形成為溝道部，在掃描線30的兩側(cè)形成為漏極部或者源極部。在圖2中，為了便于說明，將在TFT中靠近視頻信號線40的一側(cè)稱為漏極部，將靠近像素電極112的一側(cè)稱為源極部。因而，在第一 TFT中， 與視頻信號線40相連接的一側(cè)是漏極部，與第TFT相連接的一側(cè)是源極部，在第二 TFT中， 與第一 TFT相連接的一側(cè)是漏極部，與像素電極112相連接的一側(cè)是源極部。在圖2中，掃描線30兼作柵電極，在掃描線30的下面形成半導(dǎo)體層103的溝道部。由此，在圖2中，從視頻信號線40至像素電極112存在兩個TFT。在圖2中，視頻信號線40與半導(dǎo)體層103的接觸部重疊，形成有面積大于接觸孔130的通孔140。該通孔140 用于排出來自圖2中未圖示的有機(jī)鈍化膜109的氣體。覆蓋以上所說明的形成于TFT基板100的視頻信號線40、掃描線30、通孔140、接觸孔130、TFT的溝道部等，而在對置基板200中圖2所示的區(qū)域上形成有黑矩陣。圖3是圖2的A-A截面圖。在第一底膜和第二底膜上形成有半導(dǎo)體層103。覆蓋半導(dǎo)體103而形成柵極絕緣膜104、第一層間絕緣膜106，在其上形成有視頻信號線40。視頻信號線40通過形成在柵極絕緣膜104和第一層間絕緣膜106上的接觸孔130與半導(dǎo)體層103相連接。覆蓋視頻信號線40或第一層間絕緣膜106而形成無機(jī)鈍化膜108，在其上形成有有機(jī)鈍化膜109。在有機(jī)鈍化膜109上形成有公共電極110，在公共電極110上形成有第二層間絕緣膜111。第二層間絕緣膜111用于將公共電極110與像素電極112絕緣，但是在視頻信號線 40上沒有像素電極112。在本發(fā)明中，在該部分的第二層間絕緣膜111上形成通孔140，能夠容易地放出有機(jī)鈍化膜109所吸收的水分等。此外，在圖3中省略了取向膜的記載。如圖2、圖3所示，通孔140的直徑大于接觸孔130的直徑。這是為了能夠更有效地放出有機(jī)鈍化膜109所吸收的氣體。形成有接觸孔130的部分形成為凹部，因此更容易產(chǎn)生第二層間絕緣膜111的剝離。因而，該部分形成用于排氣的通孔140是有效的。如圖2所示，在形成有用于排氣的通孔140的部分，視頻信號線40變寬，其兼用作遮光電極135。因而，即使由于用于排氣的通孔140的影響而使液晶分子的取向產(chǎn)生紊亂， 也不會在該部分產(chǎn)生漏光。用于排氣的通孔140通過蝕刻而形成。第二層間絕緣膜111通過低溫CVD形成， 因此利用蝕刻的尺寸控制與通過高溫CVD形成的膜相比較難。但是，如圖2所示那樣在用于排氣的通孔140的下面形成有大面積的遮光電極135，因此即使用于排氣的通孔140的尺寸產(chǎn)生離差也不會產(chǎn)生漏光。并且，在圖2中，用于排氣的通孔140形成為與掃描線30非常近。由于在對置基板 200中的與掃描線30對應(yīng)的部分上形成有黑矩陣202，因此即使由于用于排氣的通孔140 產(chǎn)生了漏光，也能夠通過黑矩陣202遮擋。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于在掃描線30附近且在視頻信號線40變寬的部分上形成有用于排氣的通孔140，因此能夠防止第二層間絕緣膜111的剝離。另外，由于視頻信號線40變寬的部分兼用作遮光電極135，因此也能夠防止通過形成了用于排氣的通孔140而產(chǎn)生的漏光等副作用。此外，在本發(fā)明中，形成于第二層間絕緣膜111的用于排氣的通孔140沒有被ITO 覆蓋。因而，能夠?qū)挠袡C(jī)鈍化膜放出的氣體更有效地放出到外部。[實(shí)施例2]在圖1中的顯示區(qū)域10的上方畫斜線的部分、即上部布線電路160上形成有保護(hù)布線電路或者驅(qū)動電路的一部分。這些保護(hù)電路等具有TFT。覆蓋TFT而形成無機(jī)鈍化膜 108、有機(jī)鈍化膜109，在其上形成公共電極110，覆蓋公共電極110而形成有第二層間絕緣膜111。與實(shí)施例1中說明的顯示區(qū)域10相同，第二層間絕緣膜111的粘貼力成為問題。圖4是形成有保護(hù)電路等的區(qū)域的截面圖。圖4是包含TFT的截面圖。圖4與圖 9所說明的相同，因此省略詳細(xì)說明。在圖4中，通過形成在覆蓋半導(dǎo)體層103的柵極絕緣膜104和第一層間絕緣膜106上的接觸孔130連接了源電極107或者漏電極。源電極107 或者漏電極是在與視頻信號線40相同的層上形成的布線。覆蓋源電極107或者漏電極而形成無機(jī)鈍化膜108，在其上形成有有機(jī)鈍化膜109。在無機(jī)鈍化膜108上存在通過ITO與公共電極110同時形成的電極。該電極與公共電極110導(dǎo)通，因此以后將該電極也稱為公共電極110。該公共電極110并不是如圖9那樣的驅(qū)動液晶分子的電極，而是具有作為簡單的連接線或者屏蔽電極的作用。覆蓋公共電極110形成了第二層間絕緣膜111。在TFT附近形成接觸孔130，在該部分，第二層間絕緣膜111的粘貼力特別弱，因此在對應(yīng)部分的第二層間絕緣膜111上形成有用于將從有機(jī)鈍化膜109放出的氣體排出的通孔140。圖4中所形成的用于排氣的通孔140形成在顯示區(qū)域10外，因此即使用于排氣的通孔140的尺寸產(chǎn)生一些離差，也不會產(chǎn)生漏光等問題。因而，能夠與顯示區(qū)域10內(nèi)相比形成得較大，并能夠更可靠地防止第二層間絕緣膜111的剝離。此外，在本實(shí)施例中也同樣地，形成于第二層間絕緣膜111的用于排氣的通孔140 沒有被ITO覆蓋。因而，能夠?qū)挠袡C(jī)鈍化膜放出的氣體更有效地放出到外部。[實(shí)施例3]將本發(fā)明設(shè)為對象的液晶顯示裝置中的TFT由poly-Si形成，能夠在液晶顯示面板內(nèi)內(nèi)置驅(qū)動電路。在將驅(qū)動電路形成在液晶顯示面板內(nèi)的情況下，需要在工序進(jìn)行過程中檢查電路的特性變動。因此，如圖1所示那樣在比端子部150更靠外側(cè)的位置形成 TEG(Testing Element Group) 170。通過該 TEG 170 檢查 TFT 等的特性。因而，在 TEG 170 中也需要事先形成與顯示區(qū)域10、或者驅(qū)動電路部分相同的結(jié)構(gòu)。在TEG 170中，在有機(jī)鈍化膜109上存在通過ITO形成的公共電極110并在其上存在第二層間絕緣膜111的情況與顯示區(qū)域10等相同。在作為TEG 170的例子的圖5中， 為了測量在端子1501與端子1502之間通過公共電極110形成的電阻值，而形成有較長的電阻。在該較長的電阻上形成有未圖示的第二層間絕緣膜111。公共電極110形成在有機(jī)鈍化膜109上，因此當(dāng)水分從有機(jī)鈍化膜109放出時，第二層間絕緣膜111剝離，將無法發(fā)揮作為TEG 170的作用。在本實(shí)施例中，如圖5所示，通過形成大量的矩形狀的用于排氣的通孔140，使氣體容易地從有機(jī)鈍化膜109放出，從而防止了第二層間絕緣膜111的剝離。圖6是圖5的B-B截面圖。在圖6中，省略了第一底膜、第二底膜。在圖6中從下開始依次層疊半導(dǎo)體層103、柵極絕緣膜104、第一層間絕緣膜106、無機(jī)鈍化膜108、有機(jī)鈍化膜109，在有機(jī)鈍化膜109上形成了公共電極110。在公共電極110上形成了第二層間絕緣膜111，但是通過在第二層間絕緣膜111上形成用于排氣的通孔140，易于放出來自有機(jī)鈍化膜109的水分等，由此防止了第二層間絕緣膜111的剝離。液晶顯示裝置將形成有大量的TFT基板100的TFT母板以及形成有大量的對置基板200的對置母板粘貼而形成為母板，之后通過劃線等分離成各個液晶顯示面板。在將TFT 母板與對置母板通過密封材料粘貼時，需要對準(zhǔn)標(biāo)記180。圖7是對準(zhǔn)標(biāo)記180的例子。在圖7中，對準(zhǔn)標(biāo)記180由正方形的單元的組合形成。在對準(zhǔn)標(biāo)記180的單元的一部分上形成有矩形狀的用于排氣的通孔140。該通孔形成在第二層間絕緣膜111上。通過該用于排氣的通孔140，容易地放出被有機(jī)鈍化膜109吸收的水分等，從而防止了第二層間絕緣膜111的剝離。圖8是圖7中的C-C截面。圖8除了沒有半導(dǎo)體層103以外，是與圖6所記載的相同的結(jié)構(gòu)，因此省略說明。此外，圖6或者圖8是截面的一例，并不是在圖6中總是存在半導(dǎo)體層103、在圖8中總是不存在半導(dǎo)體層103。如上所述，在液晶顯示面板中的密封有液晶的區(qū)域外也形成了有機(jī)鈍化膜109和第二層間絕緣膜111的情況下，通過在該部分的第二層間絕緣膜111上也形成用于排氣的通孔140，能夠可靠地實(shí)現(xiàn)作為TEG 170或者對準(zhǔn)標(biāo)記180的作用。此外，圖1所示的TEG 170或者對準(zhǔn)標(biāo)記180在完成液晶顯示裝置之后是不需要的，因此在進(jìn)行劃線時去除該部分的情況也很多。此外，在本實(shí)施例中，形成于第二層間絕緣膜111的用于排氣的通孔140也沒有被 ITO覆蓋。因而，能夠?qū)挠袡C(jī)鈍化膜放出的氣體更有效地放出到外部。在以上的例子中，針對在有機(jī)鈍化膜109上形成公共電極110并在其上通過第二層間絕緣膜111形成有具有狹縫115的像素電極112的類型的IPS進(jìn)行了說明。但是，本發(fā)明也能夠完全同樣地應(yīng)用于在有機(jī)鈍化膜109上形成像素電極112并在其上通過第二層間絕緣膜111配置具有狹縫115的公共電極的類型的IPS。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其在由沿第一方向延伸并沿第二方向排列的掃描線和沿第二方向延伸并沿第一方向排列的視頻信號線包圍的區(qū)域形成像素電極，上述像素電極通過TFT 從上述視頻信號線提供視頻信號，該液晶顯示裝置的特征在于，上述TFT由半導(dǎo)體層、柵電極以及第一層間絕緣膜形成，該半導(dǎo)體層具有溝道部、形成在上述視頻信號線側(cè)的漏極部、以及形成在上述像素電極側(cè)的源極部；該柵電極覆蓋上述半導(dǎo)體層地形成有柵極絕緣膜，并在上述柵極絕緣膜上形成在上述溝道部的上方；該第一層間絕緣膜覆蓋上述柵電極，上述視頻信號線配置在上述第一層間絕緣膜上，覆蓋上述視頻信號線地依次形成有無機(jī)鈍化膜、有機(jī)鈍化膜，在上述有機(jī)鈍化膜上形成公共電極，在上述公共電極上形成第二層間絕緣膜，在上述第二層間絕緣膜上形成上述像素電極，上述像素電極具有狹縫，上述視頻信號線與上述TFT的上述漏極部相連接的部分形成為寬度變寬，上述視頻信號線在上述寬度變寬的部分通過接觸孔與上述漏極部相連接，在上述視頻信號線的寬度變寬的部分，在上述第二層間絕緣膜上形成通孔，上述通孔的直徑大于上述接觸孔的直徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述TFT包括第一 TFT和第二 TFT，該第一 TFT具有與上述視頻信號線相連接的漏極部；該第二 TFT與上述第一 TFT相連接、并且源極部與像素電極相連接， 上述第一 TFT和上述第二 TFT的柵電極兼作上述掃描線。
3.一種液晶顯示裝置，其在由沿第一方向延伸并沿第二方向排列的掃描線和沿第二方向延伸并沿第一方向排列的視頻信號線包圍的區(qū)域形成像素電極，上述像素電極通過TFT 從上述視頻信號線提供視頻信號，該液晶顯示裝置的特征在于，上述TFT由半導(dǎo)體層、柵電極以及第一層間絕緣膜形成，該半導(dǎo)體層具有溝道部、形成在上述視頻信號線側(cè)的漏極部、以及形成在上述像素電極側(cè)的源極部；該柵電極覆蓋上述半導(dǎo)體層地形成有柵極絕緣膜，并在上述柵極絕緣膜上形成在上述溝道部的上方；該第一層間絕緣膜覆蓋上述柵電極，上述視頻信號線配置在上述第一層間絕緣膜上，覆蓋上述視頻信號線地依次形成有無機(jī)鈍化膜、有機(jī)鈍化膜按，在上述有機(jī)鈍化膜上形成像素電極，在上述像素電極上形成第二層間絕緣膜，在上述第二層間絕緣膜上形成公共電極，上述公共電極具有狹縫，上述視頻信號線與上述TFT的上述漏極部相連接的部分形成為寬度變寬，上述視頻信號線在上述寬度變寬的部分通過接觸孔與上述漏極部相連接，在上述視頻信號線的寬度變寬的部分，在上述第二層間絕緣膜上形成通孔，上述通孔的直徑大于上述接觸孔的直徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述TFT包括第一 TFT和第二 TFT，該第一 TFT具有與上述視頻信號線相連接的漏極部；該第二 TFT與上述第一 TFT相連接、并且源極部與像素電極相連接， 上述第一 TFT和上述第二 TFT的柵電極兼作上述掃描線。
5.一種液晶顯示裝置，其具有顯示區(qū)域和周邊電路部，該液晶顯示裝置的特征在于，上述周邊電路部具有TFT，該TFT由半導(dǎo)體層、柵電極以及第一層間絕緣膜形成，該半導(dǎo)體層具有溝道部、源極部、以及漏極部；該柵電極覆蓋上述半導(dǎo)體層地形成有柵極絕緣膜，并在上述柵極絕緣膜上形成在上述溝道部的上方；該第一層間絕緣膜覆蓋上述柵電極，在上述第一層間絕緣膜上形成由金屬形成的布線，上述由金屬形成的布線通過形成于上述第一層間絕緣膜和柵極絕緣膜的接觸孔來與上述漏極部或者上述源極部連接，覆蓋上述由金屬形成的布線地依次形成有無機(jī)鈍化膜、有機(jī)鈍化膜，在上述有機(jī)鈍化膜上形成由ITO構(gòu)成的布線，在上述由ITO構(gòu)成的布線上形成第二層間絕緣膜，在上述第二層間絕緣膜上形成通孔，上述通孔的直徑大于上述接觸孔的直徑。
6.一種液晶顯示裝置，將TFT基板與對置基板相對置地粘貼，在內(nèi)部形成液晶層，在上述TFT基板的未與上述對置電極相對的部分上形成有端子部和TEG，該液晶顯示裝置的特征在于，在上述TEG中，在TFT基板上依次層疊半導(dǎo)體層、柵極絕緣膜、第一層間絕緣膜、無機(jī)鈍化膜、有機(jī)鈍化膜，在上述有機(jī)鈍化膜上形成由ITO形成的電極，在上述由ITO形成的電極上形成第二層間絕緣膜，在上述第二層間絕緣膜上形成有上述TEG的區(qū)域中形成有通孔。
7.一種液晶顯示裝置，將TFT基板與對置基板相對置地粘貼，在內(nèi)部形成液晶層，在上述TFT基板的未與上述對置電極相對的部分上形成有端子部和對準(zhǔn)標(biāo)記，該液晶顯示裝置的特征在于，在上述對準(zhǔn)標(biāo)記中，在TFT基板上依次層疊有柵極絕緣膜、第一層間絕緣膜、無機(jī)鈍化膜、以及有機(jī)鈍化膜，在上述有機(jī)鈍化膜上形成由ITO形成的電極，在上述由ITO形成的電極上形成第二層間絕緣膜，在上述第二層間絕緣膜上形成有上述對準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域中形成有通孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于，形成于上述第二層間絕緣膜的上述通孔沒有被ITO覆蓋。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，用于防止覆蓋形成在有機(jī)鈍化膜上的通過ITO形成的電極的層間絕緣膜剝離的現(xiàn)象。在頂柵型的TFT上形成有用于與視頻信號線連接的接觸孔(130)。覆蓋TFT并依次形成有無機(jī)鈍化膜(108)、有機(jī)鈍化膜(109)，在其上形成公共電極(110)，再在公共電極(110)上形成層間絕緣膜(111)。在層間絕緣膜(111)上形成有用于排氣的通孔(140)。使通孔(140)的直徑大于接觸孔(130)的直徑。使來自有機(jī)鈍化膜(109)的氣體從用于排氣的通孔(140)放出，防止層間絕緣膜(111)的剝離。
文檔編號G02F1/1368GK102540603SQ20111043061
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月15日
發(fā)明者中村考雄, 關(guān)英憲, 武藤大祐, 石井一樹 申請人:株式會社日立顯示器