專利名稱：一種顯示裝置、tft-lcd像素結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示裝置、TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
在平板顯不技術(shù)中，TFT-LCD(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管-液晶顯示器)具有功耗低、制造成本相對較低、和無輻射的特點，因此在平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-LCD器件是由陣列基板和彩膜基板對盒而形成的。如圖1-3所示，是ー種TFT結(jié)構(gòu)單一像素俯視圖及其A-A和B-B部位的截面示意圖。如圖所示，該陣列基板包括一組柵極掃描線I’和與之垂直的一組數(shù)據(jù)掃描線5’，相鄰的柵極掃描線I’和數(shù)據(jù)掃描線5’定義了像素區(qū)域。每ー個像素包含有ー個TFT開關(guān)器件、透明像素電極10’和部分公共電極11’。TFT器件由柵電極2’、柵電極絕緣層4’、半導(dǎo)體有源層3’以 及源電極6’和漏電極7’組成。鈍化層8’覆蓋在上述各部分上，并在漏電極7’上方形成過鈍化層過孔9’。透明像素電極10’通過鈍化層的過孔9’與TFT的漏電極7’相連接。透明像素電極10’ 一部分和柵極掃描線I’ 一起形成存儲電容。為了進(jìn)一歩降低對盒后像素里的漏光，在像素平行于數(shù)據(jù)線的兩側(cè)形成擋光條12’。擋光條12’使用和柵極同一材料，在同一 Maskエ序中完成制作。但該結(jié)構(gòu)的透明像素電極10’與公共電極11’間距離較大，且交疊面積較小，造成其存儲電容較小，對圖像的顯示品質(zhì)造成一定的影響。

發(fā)明內(nèi)容
(一 )要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示裝置、TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，通過穿過柵極絕緣層和鈍化層的過孔將柵極掃描線電荷存儲在第二透明電極層上，與基板上的公共電極和第一透明電極層共同形成雙存儲電容結(jié)構(gòu)，極大地增加了存儲電容量，可有效提聞圖像的顯不品質(zhì)。( ニ )技術(shù)方案為了解決上述問題，一方面本發(fā)明提供ー種TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)，包括基板，所述基板上形成公共電極、柵極掃描線、柵電極、柵極絕緣層、有源層、像素電極、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線和鈍化層圖案，還包括第二透明電極層，所述第二透明電極層覆蓋在像素電極的邊緣；所述第二透明電極層通過相對設(shè)置在柵極掃描線上方的過孔與柵極掃描線連接，與像素電極形成存儲電容。進(jìn)ー步地，所述公共電極上方覆蓋柵極絕緣層，所述柵極絕緣層的上方依次具有像素電極和鈍化層；所述過孔穿過所述柵極絕緣層和所述鈍化層；進(jìn)ー步地，還包括第一透明電極，所述第一透明電極層與公共電極連接，與像素電極形成儲存電容。進(jìn)ー步地，還包括擋光條，所述擋光條與所述公共電極和第一透明電極層相連接，其和公共電極具有相同的電壓。另ー方面，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)。再一方面，本發(fā)明還提供ー種TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括步驟I :在基板上沉積透明電極層和柵金屬薄膜，采用構(gòu)圖エ藝形成第一透明電極層、柵極掃描線、柵電極和公共電極，所述第一透明電極層與公共電極連接；步驟2 :在完成步驟I的基板上沉積柵極絕緣薄膜、有源層薄膜、金屬薄膜層和透明電極層，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)掃描線、源電極、漏電極和像素電極；所述像素電極與步驟I中的公共電極形成存儲電容；步驟3 :在完成步驟2的基板上，沉積鈍化層，將位于柵極掃描線上方的柵極絕緣層和鈍化層形成過孔； 步驟4 :在完成步驟3的基板上，沉積透明電極層，采用構(gòu)圖エ藝形成第二透明電極層，所述第二透明電極層穿過過孔與柵極掃描線連接，所述第二透明電極層通過柵極掃描線與像素電極形成存儲電容。進(jìn)ー步地，所述步驟I中還包括形成擋光條，所述擋光條與公共電極和第一透明電極層連接，其具有與公共電極相同的電壓。進(jìn)ー步地，所述步驟I具體包括步驟111 :在基板上沉積透明電極層，采用構(gòu)圖エ藝后形成第一透明電極層；步驟112 :在完成步驟111的基板上沉積柵金屬薄膜，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極掃描線、柵電極、公共電極；將步驟111中的第一透明電極層與公共電極連接。進(jìn)ー步地，所述步驟I具體包括在基板上連續(xù)沉積透明電極層和柵金屬薄膜，采用構(gòu)圖エ藝形成第一透明電極層、柵極掃描線、柵電極和公共電極，所述第一透明電極層與公共電極連接。進(jìn)ー步地，所述步驟2具體包括步驟211 :在完成步驟I的基板上連續(xù)沉積柵極絕緣薄膜和有源層薄膜，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極絕緣層和有源層；步驟212 :在完成步驟211的基板上沉積金屬薄膜層和透明電極層，形成數(shù)據(jù)掃描線、源電極、漏電極和像素電極，漏電極與像素電極相連接，所述像素電極與步驟I中的公共電極形成存儲電容。進(jìn)ー步地,所述步驟2具體包括步驟221 :在完成步驟I的基板上連續(xù)沉積柵極絕緣薄膜、有源層薄膜和金屬薄膜層，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)掃描線、源電極和漏電極；步驟222 :在完成步驟221的基板上沉積透明電極層，采用構(gòu)圖エ藝形成像素電極，所述像素電極與步驟I中的公共電極形成存儲電容。(三)有益效果本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示裝置、TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，通過穿過柵極絕緣層和鈍化層的過孔將柵極掃描線電荷存儲在第二透明電極層上，與基板上的公共電極和第一透明電極層共同形成雙存儲電容結(jié)構(gòu)，極大地增加了存儲電容量，可有效提聞圖像的顯不品質(zhì)。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)A-A剖面圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)B-B剖面圖；圖4為本發(fā)明實施例TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實施例TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)A-A剖面圖；圖6為本發(fā)明實施例TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)B-B剖面圖。圖中1、第一透明電極層；2、公共電極；3、柵極掃描線；4、柵極絕緣層；5、有源層； 6、鈍化層；7、像素電極；8、源電極；9、漏電極；11、擋光條；12、第二透明電極層；13、數(shù)據(jù)掃描線；14、過孔。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式
作進(jìn)ー步詳細(xì)描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。如圖4-6示，本發(fā)明實施例TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)，包括基板，基板上分別形成公共電極2、柵極掃描線3、柵電極、柵極絕緣層4、有源層5、像素電極7、源電極8、漏電極9、數(shù)據(jù)掃描線13和鈍化層6圖案，還包括第二透明電極層12。源電極8和漏電極9分別與有源層5的兩端相連，漏電極9與像素電極7相連接，該公共電極2上方覆蓋柵極絕緣層4，柵極絕緣層4的上方依次具有像素電極7和鈍化層6 ;過孔14穿過柵極絕緣層4和鈍化層6。第二透明電極層12覆蓋在像素電極7的邊緣，與像素電極7在平面投影上具有交集區(qū)域。其通過相對設(shè)置在柵極掃描線3上方的過孔14與柵極掃描線3連接，與像素電極7形成存儲電容，進(jìn)一歩加大電容的存儲量。該TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)還包括第一透明電極I和擋光條11，該第一透明電極I與公共電極2相連接，與像素電極7形成儲存電容，進(jìn)一歩加大電容的存儲量。其和公共電極2有相同的電壓。擋光條11與公共電極2和第一透明電極層I相連接，其和公共電極2具有相同的電壓，可以起到遮擋作用，防止液晶漏光。需要說明的是，本發(fā)明中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)也可采用現(xiàn)有的其他結(jié)構(gòu)，在現(xiàn)有薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)上增設(shè)第二透明電極層，確保第二透明電極層與像素電極一起形成存儲電容，可進(jìn)一步提聞電容的存儲量。本發(fā)明實施例TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)的制作方法，具體包括如下步驟步驟I :在基板上沉積透明電極層和柵金屬薄膜，采用構(gòu)圖エ藝形成第一透明電極層、柵極掃描線、柵電極和公共電極，第一透明電極層與公共電極連接。具體エ藝包括如下步驟步驟111 :使用磁控濺射方法，在基板上沉積透明電極層，采用構(gòu)圖エ藝后形成第一透明電極層；該構(gòu)圖エ藝包括曝光、顯影、刻蝕、剝離最終形成圖案。其中，該第一透明電極層的厚度優(yōu)選100-1000埃之間。步驟112 :使用磁控濺射方法，在完成步驟111的基板上沉積優(yōu)選厚度在1000-7000埃的柵金屬薄膜，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極掃描線、柵電極、公共電極、擋光條；將步驟111中的第一透明電極層與公共電極連接。其中，柵金屬薄膜可以采用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻或銅等金屬，也可以使用上述幾種金屬的組合材質(zhì)。該擋光條與公共電極和第一透明電極層連接，其具有與公共電極相同的電壓，可以起到遮擋作用，防止液晶漏光?；蛘?，步驟I還可采用在基板上連續(xù)沉積透明電極層和柵金屬薄膜，經(jīng)過構(gòu)圖エ藝共同形成第一透明電極層、柵極掃描線、柵電極和公共電極，將該第一透明電極層與公共電極連接。步驟2 :在完成步驟I的基板上沉積柵極絕緣薄膜、有源層薄膜、金屬薄膜層和透明電極層，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極絕緣層、有源層、數(shù)據(jù) 掃描線、源電極、漏電極和像素電極。其中有源層薄膜具體可采用非晶硅薄膜，源電極和漏電極分別與有源層的兩端相連，漏電極與像素電極相連接，像素電極與步驟I中的公共電極形成存儲電容。該步驟2中的エ藝具體包括如下步驟步驟211 :采用化學(xué)汽相沉積法在完成步驟I的基板上連續(xù)沉積厚度優(yōu)選為1000-6000埃的柵極絕緣薄膜和1000-6000埃的有源層薄膜，采用構(gòu)圖エ藝形成形成柵極
絕緣層和有源層。其中，柵極絕緣薄膜為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，有源層薄膜為非晶硅薄膜。步驟212 :在完成步驟211的基板上沉積厚度優(yōu)選為1000-7000埃的金屬薄膜層和100-1000埃的透明像素電極層，形成數(shù)據(jù)掃描線、源電極、漏電極和像素電極，源電極和漏電極分別與有源層的兩端相連，漏電極與像素電極相連接，像素電極與步驟I中的公共電極形成存儲電容。其中數(shù)據(jù)掃描線、源電極和漏電極具有相同的厚度和腐蝕后的坡度角?；蛘?，本步驟2中的エ藝包括如下步驟步驟221 :采用化學(xué)汽相沉積法在完成步驟I的基板上連續(xù)沉積其厚度優(yōu)選為1000-6000埃的柵極絕緣薄膜、1000-6000埃的非晶硅薄膜和1000-7000埃厚度的金屬薄膜層，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)掃描線、源電極和漏電極，該源電極和漏電極分別與有源層的兩端相連；步驟222 :在完成步驟221的基板上沉積厚度優(yōu)選為100-1000埃的透明像素電極層，通過構(gòu)圖エ藝形成像素電極，該像素電極與漏電極相連，該像素電極與步驟I中的公共電極形成存儲電容。步驟3 :采用化學(xué)汽相沉積法在完成步驟2的基板上，沉積厚度優(yōu)選為1000-6000埃的鈍化層，鈍化層的材料為氮化硅或ニ氧化硅。此時，柵極掃描線和公共電極上面覆蓋柵極絕緣層和鈍化層，而數(shù)據(jù)掃描線和像素電極上面覆蓋有相同厚度的鈍化層。將位于柵極掃描線上方的柵極絕緣層和鈍化層形成過孔。步驟4 :在完成步驟3的基板上，沉積透明電極層，采用構(gòu)圖エ藝使用透明電極的掩模版形成第二透明電極層，第二透明電極層穿過過孔與柵極掃描線連接，像素電極與柵極掃描線形成存儲電容。本發(fā)明中的透明像素電極層可采用IT0(Indium Tin Oxides,氧化銦錫)或IZO(Indium-doped Zinc Oxide,摻銦氧化鋅)制成。需要說明的是，上述描述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制作方法，為優(yōu)選方案，該制作方法一井完成第二透明電極和像素電極之間形成存儲電容、第一透明電極和像素電極之間形成存儲電容以及像素電極和公共電極之間形成存儲電容，最大程度地極大地增加了存儲電容量，有效提聞圖像的顯不品質(zhì)本發(fā)明提供的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，通過穿過柵極絕緣層和鈍化層的過孔將柵極掃描線電荷存儲在第二透明電極層上，與基板上的公共電極和第一透明電極層共同形成雙存儲電容結(jié)構(gòu)，極大地増加了存儲電容量，可有效提高圖像的顯示品質(zhì)。另外，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述描述的TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)，該顯示裝置包括但不絕限于液晶顯示器、液晶電視、電腦、液晶顯示屏等設(shè)備。本發(fā)明提供的顯示裝置，其采用的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)穿過柵極絕緣層和鈍化層的過孔將柵極掃描線電荷存儲在第二透明電極層上，與基板上的公共電極和第一透明電極層共同形成雙存儲電容結(jié)構(gòu)，極大地増加了存儲電容量，可有效提高圖像的顯示品質(zhì)。
以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.ー種TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)，包括基板，所述基板上形成公共電極、柵極掃描線、柵電極、柵極絕緣層、有源層、像素電極、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線和鈍化層圖案，其特征在干，還包括第二透明電極層，所述第二透明電極層覆蓋在像素電極的邊緣；所述第二透明電極層通過相對設(shè)置在柵極掃描線上方的過孔與柵極掃描線連接，與像素電極形成存儲電容。
2.如權(quán)利要求I所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述公共電極上方覆蓋柵極絕緣層，所述柵極絕緣層的上方依次具有像素電極和鈍化層；所述過孔穿過所述柵極絕緣層和所述鈍化層；
3.如權(quán)利要求I所述的TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第一透明電極，所述第一透明電極層與公共電極連接，與像素電極形成儲存電容。
4.如權(quán)利要求3所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括擋光條，所述擋光條與所述公共電極和第一透明電極層相連接，其和公共電極具有相同的電壓。
5.一種顯示裝置，其特征在干，包括使用權(quán)利要求1-4任一項所述的TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)。
6.ー種TFT-IXD像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括 步驟I :在基板上沉積透明電極層和柵金屬薄膜，采用構(gòu)圖エ藝形成第一透明電極層、柵極掃描線、柵電極和公共電極，所述第一透明電極層與公共電極連接； 步驟2 :在完成步驟I的基板上沉積柵極絕緣薄膜、有源層薄膜、金屬薄膜層和透明電極層，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)掃描線、源電極、漏電極和像素電極；所述像素電極與步驟I中的公共電極形成存儲電容； 步驟3 :在完成步驟2的基板上，沉積鈍化層，將位于柵極掃描線上方的柵極絕緣層和鈍化層形成過孔； 步驟4 :在完成步驟3的基板上，沉積透明電極層，采用構(gòu)圖エ藝形成第二透明電極層，所述第二透明電極層穿過過孔與柵極掃描線連接，所述第二透明電極層通過柵極掃描線與像素電極形成存儲電容。
7.如權(quán)利要求6所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟I中還包括形成擋光條，所述擋光條與公共電極和第一透明電極層連接，其具有與公共電極相同的電壓。
8.如權(quán)利要求6所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟I具體包括 步驟111 :在基板上沉積透明電極層，采用構(gòu)圖エ藝后形成第一透明電極層； 步驟112 :在完成步驟111的基板上沉積柵金屬薄膜，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極掃描線、柵電極、公共電極；將步驟111中的第一透明電極層與公共電極連接。
9.如權(quán)利要求6所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟I具體包括 在基板上連續(xù)沉積透明電極層和柵金屬薄膜，采用構(gòu)圖エ藝形成第一透明電極層、柵極掃描線、柵電極和公共電極，所述第一透明電極層與公共電極連接。
10.如權(quán)利要求6所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟2具體包括步驟211 :在完成步驟I的基板上連續(xù)沉積柵極絕緣薄膜和有源層薄膜，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極絕緣層和有源層； 步驟212 :在完成步驟211的基板上沉積金屬薄膜層和透明電極層，形成數(shù)據(jù)掃描線、源電極、漏電極和像素電極，漏電極與像素電極相連接，所述像素電極與步驟I中的公共電極形成存儲電容。
11.如權(quán)利要求6所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟2具體包括 步驟221 :在完成步驟I的基板上連續(xù)沉積柵極絕緣薄膜、有源層薄膜和金屬薄膜層，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)掃描線、源電極和漏電極； 步驟222 :在完成步驟221的基板上沉積透明電極層，采用構(gòu)圖エ藝形成像素電極，所述像素電極與步驟I中的公共電極形成存儲電容。
全文摘要
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示裝置、TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)及其制作方法。該TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)包括基板，基板上形成公共電極、柵極掃描線、柵電極、柵極絕緣層、有源層、像素電極、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、鈍化層圖案和第二透明電極層，第二透明電極層覆蓋在像素電極的邊緣；第二透明電極層通過相對設(shè)置在柵極掃描線上方的過孔與柵極掃描線連接，與像素電極形成存儲電容。本發(fā)明提供的顯示裝置、TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)以及制作方法，通過過孔將柵極掃描線電荷存儲在第二透明電極層上，與基板上的公共電極和第一透明電極層共同形成雙存儲電容結(jié)構(gòu)，極大地增加了存儲電容量，可有效提高圖像的顯示品質(zhì)。
文檔編號G02F1/1368GK102650783SQ20111045247
公開日2012年8月29日 申請日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
發(fā)明者張彌 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司