專(zhuān)利名稱(chēng)：畫(huà)素結(jié)構(gòu)以及畫(huà)素?cái)?shù)組基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)以及畫(huà)素?cái)?shù)組基板，更特別地說(shuō)，是有關(guān)于一種應(yīng)用于顯示面板中時(shí)，可改善黑紋現(xiàn)象的畫(huà)素結(jié)構(gòu)以及畫(huà)素?cái)?shù)組基板。
背景技術(shù)：
目前市場(chǎng)對(duì)于薄膜晶體管液晶顯示面板(TFT liquid crystal display panel) 都朝向高對(duì)比度(contrast ratio)、無(wú)灰階反轉(zhuǎn)(gray scale inversion)、高亮度 (brightness)、高色飽禾口度(color saturation)、快速反應(yīng)(response)以及廣視角 (viewing angle)等方向發(fā)展。目前常見(jiàn)的廣視角技術(shù)包括扭轉(zhuǎn)向列型液晶(TN)加上廣視角膜(wide viewing film)、共平面切換式(In-Plane Switching, IPS)液晶顯示面板、邊際場(chǎng)切換式(Fringe Field Switching, FFS)液晶顯示面板與多域垂直配向式 (Multi-domain Vertical Alignment, MVA)液晶顯示面板。以邊際場(chǎng)切換式(Fringe Field Switching，F(xiàn)FS)液晶顯示面板為例，其具有廣視角(wide viewing angle)以及低色偏(color shift)等優(yōu)點(diǎn)特性。然而，在已知的邊際場(chǎng)切換式(Fringe Field SWitching，F(xiàn)FS)液晶顯示面板中，由于畫(huà)素電極的不同區(qū)域具有不同的電力線分布，使得對(duì)應(yīng)于畫(huà)素電極邊緣及中心的液晶分子的傾倒方向不一致，導(dǎo)致已知的邊際場(chǎng)切換式(Fringe Field Switching, FFS)液晶顯示面板在顯示時(shí)產(chǎn)生非預(yù)期的黑紋(disclination)，進(jìn)一步使得液晶顯示面板在顯示暗態(tài)畫(huà)面時(shí)發(fā)生漏光現(xiàn)象或是在顯示亮態(tài)畫(huà)面時(shí)輝度低下。若為了遮蔽漏光或黑紋現(xiàn)象的情形而配置對(duì)應(yīng)于配向凸塊或配向狹縫的遮光層，又會(huì)使顯示開(kāi)口率受到限制。因此，如何提高邊際場(chǎng)切換式(Fringe Field Switching, FFS)液晶顯示面板的顯示亮度以及對(duì)比度，使其具有更佳的顯示質(zhì)量，實(shí)為研發(fā)者所欲達(dá)的目標(biāo)之一。
發(fā)明內(nèi)容因?yàn)樯鲜霈F(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的之一是提出一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其可以提高邊際場(chǎng)切換式顯示面板的顯示亮度。本實(shí)用新型的另一目的是提出一種畫(huà)素?cái)?shù)組基板，利用其所構(gòu)成的邊際場(chǎng)切換式顯示面板具有較高的顯示亮度及顯示質(zhì)量。本實(shí)用新型提出的一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其包括一基板、一掃描線、一共通線以及一數(shù)據(jù)線、一共同電極、一主動(dòng)組件、一畫(huà)素電極以及一介電圖案。掃描線、共通線以及數(shù)據(jù)線配置于基板上，掃描線與數(shù)據(jù)線相互交錯(cuò)。共同電極配置于共通在線，并與共通線電性連接。主動(dòng)組件配置于基板上，并與掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接。畫(huà)素電極配置于主動(dòng)組件上，并與主動(dòng)組件電性連接，畫(huà)素電極具有一條狀電極以及多條分支，其中分支彼此分離，并自條狀電極往數(shù)據(jù)線延伸，分支于鄰近數(shù)據(jù)線處彼此斷開(kāi)。介電圖案配置于畫(huà)素電極上，介電圖案覆蓋彼此斷開(kāi)的分支。本實(shí)用新型另提供的一種畫(huà)素?cái)?shù)組基板，此畫(huà)素?cái)?shù)組基板包括一基板、多條掃描線、多條共通線、多條數(shù)據(jù)線以及多個(gè)畫(huà)素單元。這些掃描線、這些共通線以及這些數(shù)據(jù)線配置于基板上，且掃描線與數(shù)據(jù)線相互交錯(cuò)。畫(huà)素單元分別與對(duì)應(yīng)的掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接，其中每一畫(huà)素單元包括一主動(dòng)組件、一共同電極、一畫(huà)素電極以及一介電圖案。主動(dòng)組件配置于基板上，并與對(duì)應(yīng)的掃描線及對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線電性連接。共同電極配置于共通在線，并與共通線電性連接。畫(huà)素電極配置于主動(dòng)組件上，并與主動(dòng)組件電性連接，畫(huà)素電極具有一條狀電極以及多條分支，其中分支彼此分離，并自條狀電極往數(shù)據(jù)線延伸，分支于鄰近數(shù)據(jù)線處彼此斷開(kāi)。介電圖案配置于畫(huà)素電極上，介電圖案覆蓋彼此斷開(kāi)的分支。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的各共通線包括一主干以及二支干，其中主干實(shí)質(zhì)上平行于掃描線，二支干實(shí)質(zhì)上平行于數(shù)據(jù)線，且二支干分別位于共同電極的兩側(cè)。具體而言，分支例如延伸至支干其中之一的上方，使分支位于支干與介電圖案之間。并且，介電圖案可以是條狀圖案，并覆蓋主干的一部分。當(dāng)然，介電圖案也可以是島狀圖案，并暴露出主干。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的介電圖案實(shí)質(zhì)上與數(shù)據(jù)線平行，并覆蓋數(shù)據(jù)線與部分共通線。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的各畫(huà)素電極的分支包括多條第一分支以及多條第二分支，第一分支彼此平行且位于畫(huà)素結(jié)構(gòu)的上半部，第二分支彼此平行且位于畫(huà)素電極的下半部，第一分支與第二分支的形狀呈線對(duì)稱(chēng)。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的畫(huà)素電極的分支彼此平行。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的介電圖案的材質(zhì)包括氮化硅。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)更包括一保護(hù)層，覆蓋其主動(dòng)組件， 更詳細(xì)而言，保護(hù)層例如是位于主動(dòng)組件與畫(huà)素電極之間?；谏鲜?，借由一介電圖案覆蓋畫(huà)素電極的彼此斷開(kāi)的分支上，使得利用本實(shí)用新型的畫(huà)素結(jié)構(gòu)以及畫(huà)素?cái)?shù)組基板所構(gòu)成的顯示面板可以穩(wěn)定位于畫(huà)素電極分支上方的液晶分子，降低該處液晶分子的自由度，由此可以延遲數(shù)據(jù)電壓對(duì)該處液晶分子的影響，有效地抑制黑紋現(xiàn)象的產(chǎn)生。為讓本實(shí)用新型的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明如下。

圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例中一種畫(huà)素?cái)?shù)組基板的上視示意圖。圖2為圖1的A處的一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)的放大示意圖。圖3A至3F為用以制造出圖2的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的各道光罩圖案示意圖。圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例中一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。圖5為本實(shí)用新型一實(shí)施例中一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。圖6A為利用圖2的畫(huà)素結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)成顯示面板后，沿AA線所測(cè)得的顯示亮度仿真圖圖6B為作為圖6A的比較例。圖7A為利用圖2的畫(huà)素結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)成顯示面板后，沿BB線所測(cè)得的顯示亮度仿真圖
5[0024]圖7B為作為圖7A的比較例。圖8為利用前述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的顯示面板的電壓與顯示亮度的比較圖。圖中100，畫(huà)素?cái)?shù)組基板；110，基板；120，掃描線；120G，柵極；130，共通線；130a，主干；I3Ob,支干；140，資料線；150，畫(huà)素單元；200、300、400，畫(huà)素結(jié)構(gòu)；210，共同電極；220，通道層；230D，漏極；230S，源極；MO，保護(hù)層；250，畫(huà)素電極；252，條狀電極；2 、^4b，分支；254A，第一分支；2MB，第二分支；沈0，介電圖案；270，黑矩陣H，開(kāi)口；S，狹縫；Si，第一側(cè)；S2，第二側(cè)；T，主動(dòng)組件；Vcom，共通電壓；Wo，重疊寬度；W，介電圖案的寬度。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提出一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)以及畫(huà)素?cái)?shù)組基板，其主要在畫(huà)素電極的電場(chǎng)較不連續(xù)的區(qū)域(例如畫(huà)素電極的分支之間或是狹縫處)上設(shè)置介電圖案，當(dāng)利用此畫(huà)素結(jié)構(gòu)以及畫(huà)素?cái)?shù)組基板構(gòu)成顯示面板時(shí)，由此減緩數(shù)據(jù)電壓對(duì)該處上方液晶分子的影響，以穩(wěn)定該處的液晶分子，進(jìn)而使利用此畫(huà)素結(jié)構(gòu)以及畫(huà)素?cái)?shù)組基板的顯示面板達(dá)到提升顯示亮度、改善黑紋現(xiàn)象以及提升顯示質(zhì)量的效果。以下將分別列舉一些實(shí)施例搭配圖式詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的畫(huà)素結(jié)構(gòu)以及畫(huà)素?cái)?shù)組基板。圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例中一種畫(huà)素?cái)?shù)組基板的上視示意圖，而圖2為圖1的 A處的一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)的放大示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1與圖2，本實(shí)施例的畫(huà)素?cái)?shù)組基板100包括一基板110、多條掃描線120、多條共通線130、多條數(shù)據(jù)線140與多個(gè)畫(huà)素單元150。這些掃描線120、這些共通線130以及這些數(shù)據(jù)線140配置于基板110上，其中掃描線120與數(shù)據(jù)線140相互交錯(cuò)以于基板110上定義出多個(gè)數(shù)組排列的畫(huà)素單元150。需進(jìn)一步說(shuō)明的是，畫(huà)素單元150是未包括對(duì)應(yīng)的掃描線120、數(shù)據(jù)線140以及共通線130等信號(hào)線的構(gòu)件， 而畫(huà)素結(jié)構(gòu)200則包括了對(duì)應(yīng)的信號(hào)線等的構(gòu)件。為了清楚說(shuō)明本實(shí)用新型的畫(huà)素結(jié)構(gòu)200，圖3A至圖3F進(jìn)一步繪示用以制造出圖 2的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的各道光罩圖案，下文將一并參照?qǐng)D2、圖3A至圖3F來(lái)詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參照?qǐng)D2與圖3A，其中圖3A為圖2中單獨(dú)形成掃描線120與共通線130的圖案。如圖2與圖3A所示，首先，于基板110上形成掃描線120以及共通線130。在本實(shí)施例中，共通線130包括一實(shí)質(zhì)上平行于掃描線120的主干130a以及二條實(shí)質(zhì)上平行于數(shù)據(jù)線 140的支干130b，二支干130b在共享電極210的兩相對(duì)側(cè)分別自主干130a的同一側(cè)延伸， 其中共享電極210的兩相對(duì)側(cè)例如圖2中所標(biāo)示的第一側(cè)Sl與第二側(cè)S2。基于導(dǎo)電性以及制程簡(jiǎn)化的考慮，掃描線120與共通線130的材料可以使用相同的金屬材料。然而，本實(shí)用新型不限于此，掃描線120與共通線130也可以使用其他導(dǎo)電材料。例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆棧層，本實(shí)施例的掃描線120與共通線130材質(zhì)例如為鉬鈮合金 (MoNb)，其厚度例如為3000埃。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2與圖3B，其中圖;3B為圖2中單獨(dú)形成共同電極210的圖案，在實(shí)際的制程中，是將此圖案堆棧于圖3A的掃描線120以及共通線130的圖案上。共同電極 210位于共通線130上，并與共通線130電性連接，在本實(shí)施例中，共同電極210是直接覆蓋在共通線130的部分表面上以與其電性連接，在其他實(shí)施例中，共同電極210與共通線130 之間也可設(shè)置另一絕緣層，且共同電極210通過(guò)此絕緣層的一開(kāi)口而與下方的共通線130 電性連接。共同電極210用以接收來(lái)自共通線130所傳遞的共通電壓Vcom。在本實(shí)施例中，共同電極210例如是透明導(dǎo)電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、 鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆棧層，在本實(shí)施例中，共同電極210例如為厚度470埃的銦錫氧化物層。然后，在基板110的共同電極210上形成閘絕緣層(未繪示)，以覆蓋掃描線120、 共通線130以及共同電極210，使得共同電極210位在共通線130與閘絕緣層(未繪示)之間。間絕緣層(未繪示)的材料可為無(wú)機(jī)絕緣材料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆棧層)、有機(jī)絕緣材料或上述的組合。在本實(shí)施例中，間絕緣層(未繪示)例如為厚度3800埃的氮化硅層。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2與圖3C，其中圖3C為圖2中單獨(dú)形成通道層220、源極230S、漏極230D以及數(shù)據(jù)線140的圖案，在實(shí)際的制程中，是將此圖案堆棧于前述的圖3A與圖的圖案上。在本實(shí)施例中，以前述的掃描線120的部份區(qū)域作為柵極120G，并于柵極120G 上形成通道層220。并且，于通道層220與門(mén)絕緣層(未繪示)上同時(shí)形成數(shù)據(jù)線140與漏極230D，其中數(shù)據(jù)線140與掃描線120彼此交錯(cuò)設(shè)置。換言之，數(shù)據(jù)線140的延伸方向與掃描線120的延伸方向不平行，較佳的是，數(shù)據(jù)線140的延伸方向與掃描線120的延伸方向垂直。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，本實(shí)施例的通道層220例如為1500埃的非晶硅層以及300埃的N型摻雜非晶硅層所構(gòu)成的迭層，而本實(shí)施例的數(shù)據(jù)線140與漏極230D例如為厚度3500埃的鉻層。 此外，在本實(shí)施例中，以數(shù)據(jù)線140中與信道層220重疊的部分區(qū)域作為源極230S，使源極 230S與漏極230D分別位于通道層220的兩側(cè)，于此便完成了主動(dòng)組件T的制作。如圖2所示，主動(dòng)組件T是由柵極120G、間絕緣層(未繪示)、通道層220、源極230S以及漏極230D 所構(gòu)成，并且主動(dòng)組件T與掃描線120及數(shù)據(jù)線140電性連接。上述的主動(dòng)組件T是以底柵極型(bottom gate)薄膜晶體管為例來(lái)說(shuō)明，但本實(shí)用新型不限于此。根據(jù)其他實(shí)施例， 上述的主動(dòng)組件T也可是以頂部柵極型薄膜晶體管或是多柵極型薄膜晶體管等。接著，在通道層220、源極230S、漏極230D以及數(shù)據(jù)線140上的形成保護(hù)層M0， 此保護(hù)層240例如為高透光性的絕緣層，此保護(hù)層240覆蓋掃描線120、共通線130、共同電極210、主動(dòng)組件T以及數(shù)據(jù)線140。保護(hù)層240具有一暴露出漏極230D的開(kāi)口 H。保護(hù)層 240的材料可為無(wú)機(jī)絕緣材料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆棧層)、有機(jī)絕緣材料或上述的組合。在本實(shí)施例中，保護(hù)層240例如為厚度觀00埃的氮化硅層。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2與圖3D，其中圖3D為圖2中單獨(dú)形成畫(huà)素電極250的圖案，在實(shí)際的制程中，是將此圖案堆棧于前述的圖3A至圖3C的圖案上。在保護(hù)層240上形成畫(huà)素電極250，此畫(huà)素電極250填入保護(hù)層MO的開(kāi)口 H而與主動(dòng)組件T電性連接。畫(huà)素電極250例如是透明導(dǎo)電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆棧層，在本實(shí)施例中，畫(huà)素電極250例如為厚度850埃的銦錫氧化物層。如圖2與圖3D所示，畫(huà)素電極250具有一條狀電極252以及多條分支254，這些分支2M彼此分離，并自條狀電極252往數(shù)據(jù)線140延伸，使得這些分支2M于鄰近數(shù)據(jù)線 140處彼此斷開(kāi)。舉例來(lái)說(shuō)，本實(shí)施例的畫(huà)素電極250的條狀電極252位于第一側(cè)Sl上， 且畫(huà)素電極250的分支2M延伸至共通線130的支干130b上方，由上視圖可知，這些分支 254延伸至支干130b的上方，換言之，這些分支2M延伸至支干130b的上方，且分支2M與支干130b在沿著基板厚度的投影方向上具有一重疊寬度Wo。此外，這些位于第二側(cè)S2的分支2M呈現(xiàn)彼此斷開(kāi)的狀態(tài)，使得任兩相鄰之分支2M之間具有一狹縫S。在本實(shí)施例中，各畫(huà)素電極250的分支2M包括多條第一分支254A以及多條第二分支254B，第一分支 254A彼此平行且位于畫(huà)素結(jié)構(gòu)200的上半部，第二分支254B彼此平行且位于畫(huà)素電極250 的下半部，特別的是，第一分支254A與第二分支254B的形狀呈線對(duì)稱(chēng)。進(jìn)一步地說(shuō)，本實(shí)施例的共同電極210與畫(huà)素電極250是由保護(hù)層240而彼此電性絕緣，并且由于畫(huà)素電極250與共同電極210之間僅有單層保護(hù)層MO的厚度，因此畫(huà)素電極250與共同電極210間的電場(chǎng)大小可顯著地提升。此外，畫(huà)素電極250的多個(gè)分支 2M會(huì)暴露出共同電極210的一部分，在實(shí)際的應(yīng)用層面上，畫(huà)素?cái)?shù)組基板100 (繪示于圖 1)上的多條共通線130例如共同電性連接至一共通電壓源，以施加一共通電壓Vcom(繪示于圖1)至各畫(huà)素結(jié)構(gòu)200中的共同電極210上；各畫(huà)素電極250則分別接收來(lái)自對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線140所傳遞的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓，由此，在各畫(huà)素結(jié)構(gòu)200中，畫(huà)素電極250會(huì)與共同電極210間形成一電場(chǎng)。當(dāng)此畫(huà)素結(jié)構(gòu)200應(yīng)用于顯示面板時(shí)，此電場(chǎng)會(huì)驅(qū)動(dòng)上方的液晶分子使其作不同程度的偏轉(zhuǎn)以產(chǎn)生顯示功能，而此顯示面板即為邊際場(chǎng)切換式(Fringe Field Switching,FFS)液晶顯示面板。值得一提的是，這樣的畫(huà)素電極250設(shè)計(jì)可以將上方的液晶層劃分出多個(gè)配向領(lǐng)域，進(jìn)而使得利用此畫(huà)素結(jié)構(gòu)200的顯示面板具有改善顯示畫(huà)面的色偏現(xiàn)象，并且具有增廣視角的功能。請(qǐng)參照?qǐng)D2與圖3E，其中圖3E為圖2中單獨(dú)形成介電圖案沈0的示意圖，在實(shí)際的制程中，是將此圖案堆棧于前述的圖3A至圖3D的圖案上。特別的是，如圖2與圖3E所示，本實(shí)用新型的畫(huà)素結(jié)構(gòu)更于畫(huà)素電極250的上方設(shè)置一介電圖案沈0，以便完成畫(huà)素結(jié)構(gòu)200的制作。詳言之，介電圖案260配置于第二側(cè)S2的畫(huà)素電極250上并覆蓋這些彼此斷開(kāi)的分支254。詳言之，介電圖案260實(shí)質(zhì)上與數(shù)據(jù)線140平行，并覆蓋數(shù)據(jù)線140與共通線130，在本實(shí)施例中，彼此斷開(kāi)的分支2M位于支干130b與介電圖案260之間。介電圖案沈0的設(shè)置可以進(jìn)一步增進(jìn)畫(huà)素電極250的分支2M對(duì)上方液晶分子的控制力。詳言之，如前述，畫(huà)素電極250的分支2M在第二側(cè)S2呈現(xiàn)彼此斷開(kāi)的狀態(tài)，這樣的畫(huà)素設(shè)計(jì)雖然有助于改善色偏以及增廣視角，但這些分支254的設(shè)計(jì)容易減弱畫(huà)素電極 250對(duì)上方液晶分子的控制力，使得該處上方的液晶分子容易受到數(shù)據(jù)電壓的些微變化而產(chǎn)生劇烈的波動(dòng)，進(jìn)而導(dǎo)致在顯示畫(huà)面上產(chǎn)生黑紋缺陷，或是產(chǎn)生漏光現(xiàn)象。因此，本實(shí)用新型由在畫(huà)素電極250的彼此斷開(kāi)的分支2M上設(shè)置了覆蓋這些分支2M的介電圖案沈0， 由此可以降低分支2M上方液晶分子的自由度，延遲該處液晶分子對(duì)電壓變動(dòng)的反應(yīng)，以穩(wěn)定該處容易受到電場(chǎng)影響的液晶分子，進(jìn)而有效地抑制黑紋現(xiàn)象以及暗態(tài)漏光等缺陷的產(chǎn)生。值得一提的是，設(shè)計(jì)者可基于穿透率、介電圖案的材質(zhì)或后續(xù)制程的兼容性等來(lái)調(diào)整介電圖案260的厚度與幅寬。具體而言，以氮化硅SiNx作為介電圖案沈0的材質(zhì)為例，在本實(shí)施例中，介電圖案260的厚度可以6000埃為基準(zhǔn)以針對(duì)不同的產(chǎn)品需求來(lái)微調(diào)厚度與幅寬的關(guān)系。舉例而言，當(dāng)介電圖案260的厚度實(shí)質(zhì)上為6000埃時(shí)，此時(shí)，介電圖案 260靠近共同電極210的內(nèi)側(cè)實(shí)質(zhì)上與支干130b的內(nèi)側(cè)切齊，而介電圖案260遠(yuǎn)離共同電極210的外側(cè)實(shí)質(zhì)上與數(shù)據(jù)線140的外側(cè)切齊。換言之，介電圖案沈0的幅寬可以實(shí)質(zhì)上如圖中的寬度W。當(dāng)介電圖案沈0的厚度實(shí)質(zhì)上大于6000埃時(shí)，介電圖案沈0的幅寬可進(jìn)一步縮減，另一方面，當(dāng)介電圖案260的厚度實(shí)質(zhì)上小于6000埃時(shí)，則可增大介電圖案260 的幅寬，因此本實(shí)用新型并不限定介電圖案沈0的厚度與幅寬。此外，圖3F進(jìn)一步繪示當(dāng)畫(huà)素結(jié)構(gòu)200應(yīng)用于顯示面板中時(shí)黑矩陣的設(shè)置位置與圖案。如圖3F所示，當(dāng)利用此畫(huà)素結(jié)構(gòu)200制成顯示面板時(shí)，黑矩陣270會(huì)對(duì)應(yīng)地覆蓋在金屬走線以及主動(dòng)組件T上方，以避免顯示面板產(chǎn)生漏光，而黑矩陣通常設(shè)置在相對(duì)于畫(huà)素?cái)?shù)組基板的對(duì)向基板上，當(dāng)然，黑矩陣也可以直接設(shè)置在畫(huà)素?cái)?shù)組基板上，本實(shí)用新型并不限定黑矩陣的形成位置，為清楚基板上各構(gòu)件的相對(duì)關(guān)系，圖2中省略了黑矩陣的繪示。值得一提的是，本實(shí)施例的介電圖案260例如是條狀圖案，介電圖案沈0自數(shù)據(jù)線 140延伸至主干130a上方并覆蓋主干130a的一部分，換言之，在本實(shí)施例的畫(huà)素?cái)?shù)組基板中，同一行的畫(huà)素單元中使用同一條介電圖案260，且該介電圖案260是連續(xù)地覆蓋在一整條數(shù)據(jù)線140上方。當(dāng)然，畫(huà)素結(jié)構(gòu)200中的介電圖案沈0也可以是島狀圖案，如圖4所示，圖4繪示本實(shí)用新型的另一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，本實(shí)施例的畫(huà)素結(jié)構(gòu)300與圖2 的畫(huà)素結(jié)構(gòu)200類(lèi)似，惟，本實(shí)施例的介電圖案沈0為島狀圖案，并暴露出其所對(duì)應(yīng)的共通線130的部分主干130a。換言之，在本實(shí)施例的畫(huà)素?cái)?shù)組基板中，每一畫(huà)素單元中僅對(duì)應(yīng)地設(shè)置一個(gè)介電圖案沈0，使得畫(huà)素?cái)?shù)組基板100上的多個(gè)島狀圖案彼此分離，并呈數(shù)組排列。由于畫(huà)素?cái)?shù)組基板100上的介電圖案260彼此分離，當(dāng)后續(xù)制作液晶層的制程中采用液晶滴下(One Drop Fill (ODF))技術(shù)時(shí)，可以減少滴下不良率，因此與后續(xù)的液晶滴下制程具有較佳的兼容性。此外，圖5進(jìn)一步繪示本實(shí)用新型的另一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5， 本實(shí)施例的畫(huà)素結(jié)構(gòu)400與圖2的畫(huà)素結(jié)構(gòu)200類(lèi)似，惟，本實(shí)施例的畫(huà)素電極450中的分支妨4彼此平行，進(jìn)一步而言，本實(shí)施例的畫(huà)素電極450中的分支妨4在日后用以顯示的區(qū)域中彼此完全平行，而沒(méi)有分為彼此呈線對(duì)稱(chēng)的第一分支以及第二分支，有別于圖2與圖3 所繪示的畫(huà)素結(jié)構(gòu)200、300。為清楚說(shuō)明本實(shí)用新型的畫(huà)素結(jié)構(gòu)中介電圖案設(shè)置的有無(wú)對(duì)于構(gòu)成顯示面板后顯示亮度的效果，以下將以繪示于前述圖2的畫(huà)素結(jié)構(gòu)200為例，說(shuō)明利用本實(shí)用新型的畫(huà)素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的顯示面板的顯示亮度表現(xiàn)，并且將圖2畫(huà)素結(jié)構(gòu)200中的介電圖案260移除，以作為比較例。圖6A為利用圖2的畫(huà)素結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)成顯示面板后，沿AA線所測(cè)得的顯示亮度仿真圖，而圖6B為作為圖6A的比較例，其中圖6B的顯示面板所利用的畫(huà)素結(jié)構(gòu)是進(jìn)一步將圖2 中的介電圖案移除，換言之，圖6A與圖6B所量測(cè)的位置皆是沿著圖2中的AA線進(jìn)行量測(cè)。 惟，差別在于圖6A所使用的畫(huà)素結(jié)構(gòu)為本實(shí)用新型的具有介電圖案沈0的畫(huà)素結(jié)構(gòu)200， 而圖6B所使用的畫(huà)素結(jié)構(gòu)中并無(wú)額外設(shè)置介電圖案。由圖2、圖6A與圖6B可知，畫(huà)素電極 250中每?jī)蓚€(gè)分支254間的狹縫S實(shí)質(zhì)可對(duì)應(yīng)圖中的每一個(gè)亮度峰值，由于圖6A中的每一個(gè)亮度峰值實(shí)質(zhì)上皆高于圖6B中對(duì)應(yīng)的各亮度峰值，因此介電圖案260的設(shè)置有助于提升利用此畫(huà)素結(jié)構(gòu)200所構(gòu)成的顯示面板的顯示亮度，并且可以有效地控制該處上方的液晶分子，進(jìn)而抑制黑紋現(xiàn)象以及漏光的產(chǎn)生。圖7A為利用圖2的畫(huà)素結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)成顯示面板后，沿BB線所測(cè)得的顯示亮度仿真圖，而圖7B為作為圖7A的比較例，其中圖7B所利用的畫(huà)素結(jié)構(gòu)是將圖2中的介電圖案260 移除，換言之，圖7A與圖7B所量測(cè)的位置皆是沿著圖2中的BB線進(jìn)行量測(cè)。惟，差別在于圖7A所使用的畫(huà)素結(jié)構(gòu)200為本實(shí)用新型的具有介電圖案沈0的畫(huà)素結(jié)構(gòu)200，而圖 7B所使用的畫(huà)素結(jié)構(gòu)中并無(wú)額外設(shè)置介電圖案。由圖2、圖7A與圖7B可知，以繪示于圖2 中的分支254b為例，進(jìn)一步觀察分支254b在鄰近介電圖案沈0的X處的顯示亮度表現(xiàn)，如圖7A所示，該X處的顯示亮度具有一個(gè)亮度峰值。相對(duì)于此，如圖7B所示，當(dāng)畫(huà)素結(jié)構(gòu)中無(wú)設(shè)置介電圖案時(shí)，在同樣的位置所測(cè)得的顯示亮度并沒(méi)有亮度峰值的出現(xiàn)。由此可知，介電圖案沈0的設(shè)置確實(shí)有助于提升利用此畫(huà)素結(jié)構(gòu)200所構(gòu)成的顯示面板的顯示亮度，并且可以有效地控制該處上方的液晶分子，進(jìn)而抑制黑紋現(xiàn)象以及漏光的產(chǎn)生。圖8進(jìn)一步繪示利用前述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的顯示面板的電壓與顯示亮度的比較圖，其中P曲線是利用如圖2的畫(huà)素結(jié)構(gòu)200來(lái)構(gòu)成之顯示面板后的電壓與顯示亮度的關(guān)系圖，而Q曲線所利用的畫(huà)素結(jié)構(gòu)200是將圖2中的介電圖案260移除來(lái)構(gòu)成顯示面板后的電壓與顯示亮度的關(guān)系圖。由圖8可清楚地看出，介電圖案沈0的設(shè)置確實(shí)有助于提升顯示面板的整體顯示亮度，換言之，在圖2畫(huà)素結(jié)構(gòu)200中，于彼此斷開(kāi)的畫(huà)素電極250 的分支2M處上覆蓋介電圖案沈0，由此，介電圖案260可以有效地延遲該處上方液晶分子對(duì)電壓變動(dòng)的反應(yīng)，以穩(wěn)定該處容易受到電場(chǎng)影響的液晶分子，進(jìn)而有效地抑制黑紋現(xiàn)象以及漏光的產(chǎn)生。 但是，上述的具體實(shí)施方式
只是示例性的，是為了更好的使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解本專(zhuān)利，不能理解為是對(duì)本專(zhuān)利包括范圍的限制；只要是根據(jù)本專(zhuān)利所揭示精神的所作的任何等同變更或修飾，均落入本專(zhuān)利包括的范圍。
權(quán)利要求1.一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一基板；一掃描線、一共通線以及一數(shù)據(jù)線，配置于所述基板上，該掃描線與該數(shù)據(jù)線相互交T曰；一共同電極，配置于所述共通在線，并與該共通線電性連接；一主動(dòng)組件，配置于所述基板上，并與所述掃描線及所述數(shù)據(jù)線電性連接；一畫(huà)素電極，配置于所述主動(dòng)組件上，并與該主動(dòng)組件電性連接，所述畫(huà)素電極具有一條狀電極以及多條分支，其中該些分支自所述條狀電極往所述數(shù)據(jù)線延伸并彼此分離，且該些分支在鄰近所述數(shù)據(jù)線處彼此斷開(kāi)；以及一介電圖案，配置于所述畫(huà)素電極上，該介電圖案覆蓋所述彼此斷開(kāi)的分支。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述共通線包括一主干以及二支干， 所述主干實(shí)質(zhì)上平行于所述掃描線，二支干實(shí)質(zhì)上平行于所述數(shù)據(jù)線，且二支干分別位于所述共同電極的兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述分支延伸至所述支干其中之一的上方，使該些分支位于所述支干與所述介電圖案之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述介電圖案靠近所述共同電極的內(nèi)側(cè)實(shí)質(zhì)上與所述支干的內(nèi)側(cè)切齊，而該介電圖案遠(yuǎn)離所述共同電極的外側(cè)實(shí)質(zhì)上與所述數(shù)據(jù)線的外側(cè)切齊。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述介電圖案為條狀圖案，覆蓋所述主干的一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述介電圖案為島狀圖案，并暴露出所述主干。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述介電圖案實(shí)質(zhì)上與所述數(shù)據(jù)線平行，并覆蓋該數(shù)據(jù)線與所述共通線的一部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述畫(huà)素電極的所述分支包括多條第一分支以及多條第二分支，該些第一分支彼此平行且位于所述畫(huà)素結(jié)構(gòu)的上半部，該些第二分支彼此平行且位于所述畫(huà)素電極的下半部，該些第一分支與該些第二分支的形狀呈線對(duì)稱(chēng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述畫(huà)素電極的所述分支彼此平行。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述介電圖案的材質(zhì)包括氮化硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括一保護(hù)層，覆蓋所述主動(dòng)組件，該保護(hù)層位于所述主動(dòng)組件與所述畫(huà)素電極之間。
12.一種畫(huà)素?cái)?shù)組基板，其特征在于包括一基板；多條掃描線、多條共通線以及多條數(shù)據(jù)線，配置于所述基板上，其中該掃描線與該數(shù)據(jù)線相互交錯(cuò)；多個(gè)畫(huà)素單元，分別與對(duì)應(yīng)的所述掃描線以及所述數(shù)據(jù)線電性連接，其中每一畫(huà)素單元包括一主動(dòng)組件，配置于所述基板上，并與對(duì)應(yīng)的所述掃描線及對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線電性連接；一共同電極，配置于所述共通在線，并與該共通線電性連接；一畫(huà)素電極，配置于所述主動(dòng)組件上，并與該主動(dòng)組件電性連接，所述畫(huà)素電極具有一條狀電極以及多條分支，其中該些分支彼此分離，并自所述條狀電極往所述數(shù)據(jù)線延伸，所述分支于鄰近該數(shù)據(jù)線處彼此斷開(kāi)；以及一介電圖案，配置于所述畫(huà)素電極上，該介電圖案覆蓋所述彼此斷開(kāi)的分支。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的畫(huà)素?cái)?shù)組基板，其特征在于所述介電圖案包括條狀圖案、 島狀圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的畫(huà)素?cái)?shù)組基板，其特征在于所述畫(huà)素電極的所述分支包括多條第一分支以及多條第二分支，該些第一分支彼此平行且位于所述畫(huà)素結(jié)構(gòu)的上半部，該些第二分支彼此平行且位于所述畫(huà)素電極的下半部，所述第一分支與所述第二分支的形狀呈線對(duì)稱(chēng)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)，其包括一基板、一掃描線、一共通線與一數(shù)據(jù)線、一共同電極、一主動(dòng)組件、一畫(huà)素電極以及一介電圖案，其中掃描線、共通線以及數(shù)據(jù)線配置于基板上，掃描線與數(shù)據(jù)線相互交錯(cuò)；共同電極配置于共通線，并與共通線電性連接；主動(dòng)組件配置于基板上，并與掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接；畫(huà)素電極配置于主動(dòng)組件上，并與主動(dòng)組件電性連接，畫(huà)素電極具有一條狀電極以及多條分支，其中分支自條狀電極往數(shù)據(jù)線延伸并彼此分離，分支于鄰近數(shù)據(jù)線處彼此斷開(kāi)；介電圖案配置于畫(huà)素電極上，介電圖案覆蓋彼此斷開(kāi)的分支。本實(shí)用新型另提出一種具有上述結(jié)構(gòu)的畫(huà)素?cái)?shù)組基板。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK201974614SQ20112006345
公開(kāi)日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2011年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月11日
發(fā)明者邱旭平, 黃俊智, 黃士峰 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司, 華映視訊(吳江)有限公司