專利名稱：陣列基板像素結(jié)構(gòu)、陣列基板、液晶面板及顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板像素結(jié)構(gòu)、陣列基板、 液晶面板及顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的液晶顯示技術(shù)中的陣列基板像素結(jié)構(gòu)的等效電路如圖1所示，該像素結(jié)構(gòu)包括源極掃描線1、柵極掃描線2、TFT晶體管3、存儲電容4(即Cst，圖中C1。為液晶電容)， 源極掃描線1垂直于柵極掃描線2，TFT晶體管3的柵極連接?xùn)艠O掃描線2，TFT晶體管3的漏極連接存儲電容4。柵極掃描信號打開TFT晶體管3給存儲電容4充電，但當(dāng)刷新頻率提高為120Hz或更高時(shí)，像素的充電時(shí)間十分短暫，從而會(huì)導(dǎo)致存儲電容充電不夠的情況。

實(shí)用新型內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是當(dāng)刷新頻率提高為120Hz或更高時(shí)，在短時(shí)間內(nèi)如何使存儲電容的充電達(dá)到像素充電要求。當(dāng)然，在刷新頻率較低時(shí)，也可以使用本實(shí)用新型的技術(shù)方案，以在短時(shí)間內(nèi)更快地使存儲電容的充電達(dá)到像素充電要求。( 二 )技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種陣列基板像素結(jié)構(gòu)，包括柵極掃描線、源極掃描線、TFT晶體管、存儲電容，還包括至少一個(gè)光感晶體管，所述光感晶體管的柵極和TFT晶體管的柵極連接同一條柵極掃描線，光感晶體管的漏極和TFT晶體管的漏極均連接所述存儲電容，所述TFT晶體管的源極連接所述源極掃描線，光感晶體管的源極連接自身的柵極。其中，所述光感晶體管為兩個(gè)，所述TFT晶體管的柵極和兩個(gè)光感晶體管的柵極連接同一條柵極掃描線，TFT晶體管的漏極和兩個(gè)光感晶體管的漏極均連接所述存儲電容， 兩個(gè)光感晶體管的源極連接自身的柵極。本實(shí)用新型所指存儲電容，在實(shí)際的陣列基板中由像素電極和公共電極構(gòu)成。也就是說，在示意圖中的存儲電容(即Cst)，在實(shí)際的陣列基板中是由陣列基板的像素電極和公共電極構(gòu)成，以圖1為例，Cst與v。。m相連的一端是公共電極，而另一端則應(yīng)該是像素電極， 也即，本實(shí)用新型提及的光感晶體管的漏極和TFT晶體管的漏極均連接所述存儲電容，具體而言實(shí)際上連接的是像素電極。本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括上述的像素結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還提供了一種液晶面板，包括彩膜基板、上述陣列基板、以及填充在其間的液晶，彩膜基板上包括彩色樹脂和黑矩陣。其中，在所述光感晶體管對應(yīng)的黑矩陣上開有透光窗口。其中，若有N個(gè)光感晶體管，在所述黑矩陣上對應(yīng)其中M個(gè)光感晶體管的區(qū)域各開有一使外部光線照射到該M個(gè)光感晶體管表面的透光窗口，N > 2，且11 < N。[0013]本發(fā)明還提供了一種顯示設(shè)備，其特征在于，所述顯示設(shè)備中的液晶面板為上述的液晶面板的任意一種。(三)有益效果本實(shí)用新型通過在現(xiàn)有的陣列基板像素結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上增加光感晶體管，并在液晶面板結(jié)構(gòu)中的黑矩陣上對應(yīng)光感晶體管的區(qū)域開一透光窗口，當(dāng)柵極掃描信號在打開TFT晶體管給存儲電容充電時(shí)，也打開光感晶體管，此時(shí)光感晶體管將外部光源進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換并也對存儲電容充電，使得存儲電容的充電在短時(shí)間內(nèi)達(dá)到了像素充電要求，避免了當(dāng)刷新頻率為120Hz或更高時(shí)，由于存儲電容充電時(shí)間太短而出現(xiàn)電容充電不夠的情況。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種陣列基板像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型的一種陣列基板像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型的另一種陣列基板像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實(shí)用新型的利用圖2中陣列基板像素結(jié)構(gòu)，并采用背光源作為光源的液晶面板剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實(shí)用新型的利用圖2中陣列基板像素結(jié)構(gòu)，并采用外部光源作為光源的液晶面板剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本實(shí)用新型的利用圖3中陣列基板像素結(jié)構(gòu)，并采用外部光源作為光源的液晶面板剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本實(shí)用新型的利用圖3中陣列基板像素結(jié)構(gòu)，并采用外部光源和背光源共同作為光源的液晶面板剖面結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說明1 源極掃描線，2 柵極掃描線，3 :TFT晶體管，4 存儲電容，5 光感晶體管，6 彩膜基板，7 彩色樹脂，8 黑矩陣，9 陣列基板，10 透光窗口。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。實(shí)施例1如圖2所示，本實(shí)用新型提供的一種陣列基板像素結(jié)構(gòu)包括源極掃描線1、柵極掃描線2、TFT晶體管3、存儲電容4 (Cst)，還包括一個(gè)光感晶體管5，光感晶體管5的柵極和TFT晶體管3的柵極連接同一條柵極掃描線2，光感晶體管5的漏極和TFT晶體管3的漏極均連接存儲電容4，TFT晶體管3的源極連接源極掃描線，光感晶體管5的源極連接自身的柵極。具體而言，光感晶體管5的漏極和TFT晶體管3的漏極均連接的是陣列基板的像素電極。工作時(shí)，柵極掃描信號在打開TFT晶體管3給存儲電容4充電的同時(shí)，也打開光感晶體管5，此時(shí)光感晶體管5將背光源或外部光源進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，并利用光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電流對存儲電容4充電，從而使得存儲電容4的充電在短時(shí)間內(nèi)達(dá)到了像素充電要求。實(shí)施例2[0030]光感晶體管5可以有多個(gè)，它們的柵極和TFT晶體管3的柵極連接同一條柵極掃描線2，漏極和TFT晶體管3的漏極均連接存儲電容4，源極連接自身的柵極。由于受像素大小的限制，本實(shí)施例中優(yōu)選為兩個(gè)光感晶體管5，這種陣列基板像素結(jié)構(gòu)如圖3所示，和實(shí)施例1中的陣列基板像素結(jié)構(gòu)相比，具有兩個(gè)光感晶體管5，兩個(gè)光感晶體管5的漏極和 TFT晶體管3的漏極均連接存儲電容4，兩個(gè)光感晶體管5的源極連接自身的柵極。具體而言，光感晶體管5的漏極和TFT晶體管3的漏極均連接的是陣列基板的像素電極。工作原理和實(shí)施例1中陣列基板像素結(jié)構(gòu)工作原理類似，在打開光感晶體管5時(shí)， 兩個(gè)光感晶體管5同時(shí)打開，兩個(gè)的光感晶體管5對背光源或外部光源進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，并利用光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電流對存儲電容4充電。實(shí)施例3本實(shí)施例提供一種陣列基板，其像素結(jié)構(gòu)采用了實(shí)施例1或2中的任一種像素結(jié)構(gòu)。該陣列基板可以利用像素結(jié)構(gòu)中的光感晶體管對背光源或外部光源進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，并利用光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電流對存儲電容4充電。該陣列基板的示意圖可參見圖4、圖5、圖6 或圖7中的陣列基板9，示意圖中只示出了光感晶體管5。實(shí)施例4圖4為本實(shí)用新型的利用圖2中陣列基板像素結(jié)構(gòu)，并采用背光源作為光源的液晶面板剖面結(jié)構(gòu)示意圖，該液晶面板包括彩膜基板6、上述的像素結(jié)構(gòu)形成的陣列基板9、 以及填充在其間的液晶，彩膜基板6上包括彩色樹脂7和黑矩陣8。柵極掃描信號在打開 TFT晶體管3給存儲電容4充電的同時(shí)，也打開光感晶體管5，此時(shí)光感晶體管5將背光源進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，并利用光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電流對存儲電容4充電。實(shí)施例5圖5為本實(shí)用新型的利用圖2中陣列基板像素結(jié)構(gòu)，并采用外部光源作為光源的液晶面板剖面結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)構(gòu)和實(shí)施例3中的液晶面板結(jié)構(gòu)類似。不同的是在黑矩陣8 上對應(yīng)光感晶體管5的區(qū)域開有一透光窗口 10，用于使外部光線照射到光感晶體管5的表面。柵極掃描信號在打開TFT晶體管3給存儲電容4充電的同時(shí)，也打開光感晶體管5，此時(shí)光感晶體管5將外部光源進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，并利用光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電流對存儲電容4充電。實(shí)施例6圖6為本實(shí)用新型的利用圖3中陣列基板像素結(jié)構(gòu)，并采用外部光源作為光源的液晶面板剖面結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)構(gòu)和實(shí)施例3中的液晶面板結(jié)構(gòu)類似。不同的是像素結(jié)構(gòu)形成的陣列基板9中的每個(gè)像素結(jié)構(gòu)包含兩個(gè)光感晶體管5，且在黑矩陣8上對應(yīng)的兩個(gè)光感晶體管5的區(qū)域各開有一透光窗口 10，用于使外部光線照射到光感晶體管5的表面。柵極掃描信號在打開TFT晶體管3給存儲電容4充電的同時(shí)，也打開兩個(gè)光感晶體管5，此時(shí)兩個(gè)光感晶體管5將外部光源進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，并利用光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電流對存儲電容4充電。 另外，若每個(gè)像素結(jié)構(gòu)包含多個(gè)(兩個(gè)以上)光感晶體管5，也可以全都使用外光源，即且在黑矩陣8上對應(yīng)的多個(gè)光感晶體管5的區(qū)域各開有一透光窗口 10。實(shí)施例7圖7為本實(shí)用新型的利用圖3中陣列基板像素結(jié)構(gòu)，并采用外部光源和背光源共同作為光源的液晶面板剖面結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)構(gòu)和實(shí)施例5中的液晶面板結(jié)構(gòu)類似。不同的是在黑矩陣8上對應(yīng)的其中一個(gè)光感晶體管5的區(qū)域開有一透光窗口 10，用于使外部光線照射到光感晶體管5的表面，黑矩陣8上另一個(gè)光感晶體管5對應(yīng)的區(qū)域則不開口。柵極掃描信號在打開TFT晶體管3給存儲電容4充電的同時(shí)，也打開兩個(gè)光感晶體管5，此時(shí)，一個(gè)光感晶體管5將外部光源進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，另一個(gè)則對背光源進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，并利用光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電流對存儲電容4充電。若陣列基板像素結(jié)構(gòu)中有多個(gè)光感晶體管5，如N個(gè)，N ^ 2，在黑矩陣8上對應(yīng)其中M(M < N)個(gè)光感晶體管5的區(qū)域各開有一使外部光線照射到該M個(gè)光感晶體管表面的透光窗口，圖7中為M= 1，N=2的情況。另外，若陣列基板9中的每個(gè)像素結(jié)構(gòu)有多個(gè)光感晶體管5時(shí)，所有光感晶體管5 也可以全部使用背光源，即黑矩陣8上不開透光窗口 10。實(shí)施例8本實(shí)施例中提供了一種利用顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備中的液晶面板為實(shí)施例4 7 中的液晶面板的任意一種。以上實(shí)施方式僅用于說明本實(shí)用新型，而并非對本實(shí)用新型的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實(shí)用新型的范疇，本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求1.一種陣列基板像素結(jié)構(gòu)，包括柵極掃描線(1)、源極掃描線(2)、TFT晶體管(3)、存儲電容(4)，其特征在于，還包括至少一個(gè)光感晶體管(5)，所述光感晶體管(5)的柵極和 TFT晶體管(3)的柵極連接同一條柵極掃描線(1)，光感晶體管(5)的漏極和TFT晶體管 (3)的漏極均連接所述存儲電容(4)，所述TFT晶體管(3)的源極連接所述源極掃描線，光感晶體管(5)的源極連接自身的柵極。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述光感晶體管(5)為兩個(gè)， 所述TFT晶體管(3)的柵極和兩個(gè)光感晶體管(5)的柵極連接同一條柵極掃描線，TFT晶體管(3)的漏極和兩個(gè)光感晶體管(5)的漏極均連接所述存儲電容(4)，兩個(gè)光感晶體管(5) 的源極連接自身的柵極。
3.如權(quán)利要求1或2所述的陣列基板像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述TFT晶體管(3)的漏極和光感晶體管(5)的漏極均連接像素電極。
4.一種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1或2任一所述的陣列基板像素結(jié)構(gòu)。
5.一種液晶面板，其特征在于，包括彩膜基板(6)、權(quán)利要求4所述的陣列基板、以及填充在其間的液晶，彩膜基板上包括彩色樹脂(7)和黑矩陣(8)。
6.如權(quán)利要求5所述的液晶面板，其特征在于，在所述光感晶體管(5)對應(yīng)的黑矩陣 (8)上開有透光窗口(10)。
7.如權(quán)利要求5所述的液晶面板，其特征在于，若有N個(gè)光感晶體管(5)，在所述黑矩陣(8)上對應(yīng)其中M個(gè)光感晶體管(5)的區(qū)域各開有一使外部光線照射到該M個(gè)光感晶體管(5)表面的透光窗口(10)，N彡2，且M < N。
8.—種顯示設(shè)備，其特征在于，所述顯示設(shè)備中的液晶面板為權(quán)利要求5、6或7任一所述的液晶面板。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種陣列基板像素結(jié)構(gòu)，涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，包括柵極掃描線、源極掃描線、存儲電容、TFT晶體管，還包括光感晶體管，所述光感晶體管的柵極和TFT晶體管的柵極連接同一條柵極掃描線，光感晶體管的漏極和TFT晶體管的漏極均連接所述存儲電容，所述TFT的源極連接所述源極掃描線，光感晶體管的源極連接自身的柵極。還公開了一種液晶面板，包括彩膜基板、上述像素結(jié)構(gòu)形成的陣列基板、以及填充在其間的液晶，彩膜基板上包括彩色樹脂和黑矩陣，在所述光感晶體管對應(yīng)的黑矩陣上開有透光窗口。還公開了一種利用上述液晶面板制成的顯示設(shè)備。本實(shí)用新型避免了由于存儲電容充電時(shí)間太短而出現(xiàn)電容充電不夠的情況。
文檔編號G02F1/1335GK202049315SQ201120083750
公開日2011年11月23日 申請日期2011年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月25日
發(fā)明者冷長林, 徐永先 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司