專利名稱：線柵偏振片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種在可見藍(lán)色波長區(qū)域的光學(xué)特性良好、且表現(xiàn)出左右光學(xué)對稱性的線柵偏振片。
背景技術(shù)：
線柵偏振片是在玻璃或膜片等的基材上以一定方向規(guī)則地排列直線狀的金屬絲(細(xì)絲)的偏振元件。通過以納米級控制金屬絲的粗細(xì)、金屬絲的間隔，可以得到高的偏振性和光透過率。例如，在制作在可見波長區(qū)域具有足夠的偏振性能的線柵偏振元件的情況下，已知金屬絲加上空隙的寬度(間距)需要是150nm以下的極微細(xì)構(gòu)造。將線柵偏振片使用于液晶顯示裝置等的顯示器的情況下，為了具有不依存于視角 的高的光學(xué)性能，也就是說為了對左右的入射光具有高的光學(xué)對稱性，還為了實(shí)現(xiàn)具有良好對比度的顯示，期望線柵偏振片表現(xiàn)出高的偏振分離性能?，F(xiàn)有技術(shù)中有例如相對于基材面的垂直方向?qū)ΨQ地排列金屬絲以得到偏振透射對稱性的方法。具體地說，已知有在基材表面制作鋁薄膜，然后在鋁薄膜上形成聚合物層，之后使用通過干涉曝光法或電子束光刻法等制作的具有圖案的模具在聚合物層上形成圖案，使用聚合物層的圖案通過干法刻蝕將Al層制作成金屬絲的方法(專利文獻(xiàn)I)，或者是對于凹凸形狀基材，通過傾斜蒸鍍法從兩個(gè)方向?qū)耐共康膫?cè)面蒸鍍Al的方法(專利文獻(xiàn)2)。這里，基材面是指基材的平均的表面，在基材表面有細(xì)微的凹凸的情況下，基材面是指將這些細(xì)微的凹凸平均化了的平滑的面?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I特開2006-084776號公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開2001-330728號公報(bào)

實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題但是，干涉曝光、電子束光刻法、干法刻蝕等的方法存在需要高價(jià)的裝置、制作面積存在限制、生產(chǎn)率低等問題。另一方面，與從兩個(gè)方向進(jìn)行蒸鍍的方法相比，從基材凸部的一個(gè)方向側(cè)的側(cè)面有選擇地蒸鍍Al的方法在工序上比較簡易，而且生產(chǎn)率較高，但是該方法存在不能夠充分得到左右的入射光的光學(xué)對稱性等的光學(xué)特性的問題。尤其是需要紫 藍(lán)色區(qū)域波長、即360nm 500nm的特性的提高。另外，在使用線柵偏振片時(shí)，為了保護(hù)偏振面的鋁絲等的金屬絲，存在使用粘著劑等掩埋圖案面的情況。但是，由于感應(yīng)光的自由電子的屏蔽電場依存于波長，以往150nm間距的線柵中，不能形成足夠的屏蔽電場，因此導(dǎo)致可見紫 藍(lán)色區(qū)域波長的偏振特性顯著下降，因此該方法不適用。本實(shí)用新型正是鑒于上述問題點(diǎn)而提出的，其目的在于提供一種對于來自左右的入射光體現(xiàn)高的光學(xué)對稱性的線柵偏振片。另外，其目的還在于提供一種即使由粘著劑等掩埋圖案面，也在可見紫 藍(lán)色區(qū)域波長即360nm 500nm顯示良好的偏振透射性能的線柵偏振片。解決問題的技術(shù)手段本實(shí)用新型的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，即使金屬絲的截面形 狀為非對稱的線柵偏振片，在某種特定的構(gòu)造中，可以不依存于左右的入射角而顯示一定的高的偏振透射特性。具體地說，格子狀凹凸形狀的間距為120nm以下，金屬絲設(shè)為比凸部頂部高，基材的格子狀凸部為矩形狀。通過這樣的構(gòu)造，提高金屬絲的形狀對稱性，且進(jìn)一步地通過間距的效果來緩和光學(xué)的非對稱性，因此，即使是僅在基材的格子狀凹凸形狀的凸部的一方的側(cè)面?zhèn)仍O(shè)有金屬絲的線柵偏振片，也能夠得到不依存于左右的入射角的一定高的偏振透射特性。即，本實(shí)用新型如下所示。本實(shí)用新型的線柵偏振片，包括具有在特定方向上延伸的格子狀凹凸形狀的基材；和被設(shè)置為與具有格子狀凹凸形狀的基材的凸部的一方向側(cè)的側(cè)面相接、并向基材的凸部頂部的上方延伸的金屬絲，該線柵偏振片的基材的凸部的間距在120nm以下，在與格子狀凹凸形狀的延伸方向垂直的面內(nèi)，基材的凸部的截面形狀為大致矩形形狀。本實(shí)用新型的線柵偏振片中，理想的是格子狀凸部的凸部高度/凸部半值寬度的值為I. O 10。本實(shí)用新型的線柵偏振片中，理想的是格子狀凸部的半值寬度為間距的O. 2倍 O. 7 倍。本實(shí)用新型的線柵偏振片中，理想的是在與基材的特定方向垂直的面內(nèi)，在基材的凸部的側(cè)方以及上方存在金屬絲，金屬絲的高度是基材的凸部高度的1.1倍 10倍。本實(shí)用新型的線柵偏振片中，理想的是形成于基材的格子狀凹凸部上的金屬絲的平均寬度是格子狀凹凸的間距寬度的O. 2倍 O. 5倍。本實(shí)用新型的線柵偏振片中，理想的是基材的格子狀凹凸部以及金屬絲在填充有折射率為I. O至I. 5的樹脂的情況下，在435nm至500nm的波長區(qū)域，偏振特性的下降不足4倍。本實(shí)用新型的線柵偏振片，包括具有在特定方向上延伸的格子狀凹凸形狀的基材；和被設(shè)置為與具有格子狀凹凸形狀的基材的凸部的一方向側(cè)的側(cè)面相接、并向基材的凸部頂部的上方延伸的金屬絲，在與延伸方向垂直的面內(nèi)，相對于基材面的垂直方向，分別從左右的對稱方向入射時(shí)，光線透過率的差在435nm至500nm的波長區(qū)域?yàn)?%以下。本實(shí)用新型的線柵偏振片中，理想的是其是從基材面的垂直方向入射時(shí)在435nm 500nm的波長區(qū)域的偏振度為98%以上的線柵偏振片。本實(shí)用新型的線柵偏振片中，理想的是相對于基材面的垂直方向，從入射角至少為45°的左右方向入射時(shí)，在435nm至500nm的波長區(qū)域的光線透過率均為35%以上。實(shí)用新型的效果根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，本實(shí)用新型能夠提供一種對于360nm 500nm的入射光顯示高的光學(xué)對稱性，且即使使用粘著劑等保護(hù)鋁等的金屬絲的情況下也能夠顯示良好的偏振分離性能的線柵偏振片。
圖I是示出本實(shí)用新型的實(shí)施方式的線柵偏振片的示意圖，其中圖I(A)示出線柵偏振片的上表面的示意圖，圖I(B)示出圖I(A)的a-b間的截面的示意圖。圖2是示出本實(shí)用新型的實(shí)施方式的線柵偏振片A在435nm 500nm的角度依存光線透過率的圖。圖3是示出本實(shí)用新型的比較例的線柵偏振片H在435nm 500nm的角度依存光線透過率的圖。圖4是示出本實(shí)用新型的比較例的線柵偏振片I在435nm 500nm的角度依存光 線透過率的圖。圖5示出本實(shí)用新型的實(shí)施方式的線柵偏振片A的特定波長區(qū)域的偏振透過率(Ts)，同時(shí)示出貼有粘著層的情況下的偏振透過率(Ts)。圖6示出本實(shí)用新型的實(shí)施方式的線柵偏振片H的特定波長區(qū)域的偏振透過率(Ts)，同時(shí)示出貼有粘著層的情況下的偏振透過率(Ts)。符號說明101基材102金屬絲具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，對于線柵偏振片，即使在僅在基材的格子狀凹凸形狀的凸部的一方的側(cè)面?zhèn)仍O(shè)有金屬絲的情況下，通過提高金屬絲的形狀對稱性，使格子狀凹凸形狀的間距為120nm以下，設(shè)置金屬絲比凸部頂部高，并使基材的格子狀凸部為矩形狀，也可以對左右的入射光體現(xiàn)高的光學(xué)對稱性。本實(shí)用新型的線柵偏振片包括具有在特定方向延伸的格子狀凹凸形狀的基材；與具有格子狀凹凸形狀的基材凸部的一個(gè)方向側(cè)的側(cè)面相接且比所述基材凸部的頂部更向上方延伸的金屬絲，基材凸部的間距為120nm以下，在與格子狀凹凸形狀的延伸方向垂直的面內(nèi)，基材凸部截面形狀為大致矩形形狀。下面，基于例示具體的構(gòu)成的圖I，對構(gòu)成線柵偏振片的各成分進(jìn)行說明。又，圖I(A)示出線柵偏振片的上表面的示意圖，圖I(B)示出圖UA)的a-b間的截面的示意圖。(I)基材本實(shí)用新型中重要的是基材101的凸部的間距為120nm以下。通過在120nm以下，使得尤其是360nm至500nm的波長區(qū)域顯示出高的光學(xué)特性(偏振度、透過率、掩埋特性、光學(xué)對稱性)。尤其是，作為顯示材料使用的情況下，在體現(xiàn)藍(lán)色區(qū)域(435nm 500nm)的光學(xué)特性這一方面比較合適。又，由于金屬作為結(jié)晶穩(wěn)定地存在的微晶尺寸為IOnm 60nm，因此，后述的金屬絲的間距尺寸優(yōu)選為20nm至120nm,更加優(yōu)選的是50nm至120nm?；?01是具有在特定方向延伸的格子狀凹凸形狀的基材，只要是在目的波長區(qū)域?yàn)閷?shí)際上透明即可。又，在特定方向延伸是指，格子狀凹凸形狀實(shí)際上延伸即可，并不需要格子狀凹凸形狀嚴(yán)密地平行延伸?；?01可以使用例如玻璃等的無機(jī)材料或樹脂材料，其中，使用樹脂材料的基板由于可以卷成卷筒形、線柵偏振片可以保持彈性(彎曲性)，優(yōu)選使用?？梢允褂糜诨?01的樹脂例如有聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、環(huán)烯烴樹脂(COP)、交聯(lián)聚乙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、聚苯醚樹脂、改性聚苯醚樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、聚醚砜樹脂、聚砜樹脂、聚醚樹脂等的非晶性熱塑性樹脂、或者聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、芳香族聚酯樹脂、聚甲醛樹脂、聚酰胺樹脂等的結(jié)晶性熱塑性樹脂、或者丙烯酸系、環(huán)氧系、聚氨酯系等的紫外線(UV)固化型樹脂或熱固化型樹脂。又，可以是紫外線固化型樹脂或熱固化型樹脂與玻璃等的無機(jī)基板、上述熱塑性樹脂、三醋酸樹脂等組合構(gòu)成基材，或者是單獨(dú)構(gòu)成基材。(2)格子狀凹凸部形狀 如上所述，在相對于基材101的格子狀凹凸形狀的延伸方向垂直的面內(nèi)，凸部截面形狀不是像拋物線那樣的曲率平穩(wěn)改變的曲線，優(yōu)選是由比較平坦的凹部低部和小曲率的角部構(gòu)成的大致矩形形狀(參照圖I (B))。通過截面形狀為大致矩形形狀，使得格子狀凸部的側(cè)面相對于基材面垂直并呈大致矩形形狀，通過截面是大致矩形形狀，使得后述的金屬絲的包覆，相對于與格子狀凹凸形狀的延伸方向垂直的面內(nèi)的凸部截面，形成為接近左右對稱的形狀，顯示高的光學(xué)對稱性。通過基材凸部的間距在120nm以下、且凸部截面形狀為大致矩形形狀，可以同時(shí)得到高的偏振度和光線透過率的左右對稱性。又，格子狀凸部的側(cè)面的切線與凹部基板平面的角度，從角度較小側(cè)(銳角側(cè))來看，優(yōu)選為70° 90°，更優(yōu)選為80° 90°。通過凸部截面形狀為大致矩形形狀，使得與格子狀凹凸形狀的延伸方向垂直的面內(nèi)，相對于基材面的垂直方向，分別從左右的對稱方向入射的光的光線透過率的最大值的差為4%以下。又，格子狀凸部的凸部高度/凸部的半值寬度的值優(yōu)選在I. O 10左右，考慮到所得到的光學(xué)性能、制作凸部形狀的容易程度、轉(zhuǎn)印的容易程度的話，優(yōu)選為2 5。又，格子狀凸部的半值寬度優(yōu)選為間距的O. 2倍 O. 7倍，更優(yōu)選為O. 2倍 O. 5倍。(3)電介體本實(shí)用新型中，為了提高構(gòu)成基材101的材料與金屬絲102的密合性，可以兩者之間適當(dāng)?shù)厥褂门c兩者密合性都高的電介體材料?？梢允褂美?，硅(Si)的氧化物、氮化物、鹵化物、碳化物的單體或者他們的混合物(在電介體單體中，混入其他的元素、單體或者化合物的電介體)、或者鋁(Al)、鉻(Cr)、釔(Y)、鋯(Zr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋇(Ba)Jg (In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈰(Ce)、銅(Cu)等金屬的氧化物、氮化物、鹵化物、碳化物的或者或者他們的混合物。電介體材料在想要得到的透射偏振性能的波長區(qū)域，實(shí)質(zhì)上是透明的即可。電介體材料的層疊方法并沒有特別地限定，可以適當(dāng)?shù)厥褂美缯婵照翦兎āR鍍法、離子鍍法等的物理蒸鍍方法。又，層疊工序中，膜的送進(jìn)速度為O. Im/分 IOOm/分的范圍。(4)金屬絲作為金屬除了鋁或銀之外，根據(jù)作為對象的光的波長區(qū)域，也可以使用銅、鉬、金或者以這些金屬為主要成分的合金。(5)金屬絲的截面形狀金屬絲102存在于格子狀凸部側(cè)方以及比凸部頂部高的方向的上部，金屬絲102的高度優(yōu)選在格子狀凸部高度的I. I倍以上10倍以下，若在I. 3倍以上2. 5倍以下的話，則在抑制透過光的吸收損失這一方面較佳。又，金屬絲102的寬度的平均值優(yōu)選在間距的O. 2倍 O. 5倍，若在O. 3倍 O. 4倍的話，則最能同時(shí)滿足偏振特性和透過率。金屬絲102的制造方法并沒有特別的限定，從制造成本、生產(chǎn)率的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選采用傾斜蒸鍍法。傾斜蒸鍍法是指在與格子狀凹凸形狀的延伸方向正交的平面內(nèi)，蒸鍍源在相對于基材的法線具有入射角度α的同時(shí)，蒸鍍金屬并進(jìn)行層疊的方法。根據(jù)制作格子狀凸部的金屬絲102的截面形狀確定入射角度α的優(yōu)選范圍，一般地，理想的入射角度α為5° 40°，更理想的是10° 30°。進(jìn)一步地，在控制金屬絲102的高度等的截面形狀時(shí)，最好考慮蒸鍍中層疊了的金屬的投影效果，漸漸減少或者增加入射角度α。通過這樣的制法，使得格子狀凹凸形狀與金屬絲102的延伸方向相同。達(dá)到金屬絲102的形狀的金屬蒸鍍量根據(jù)格子狀凸部的形狀來確定，一般地，平均蒸鍍厚度為50nm 150nm左右。又，蒸鍍工序中，膜的送進(jìn)速度為O. Im/分 IOOm/分的范圍。此處所說的平均厚度是指，假設(shè)在平滑玻璃基板上從與玻璃面垂直的方向蒸鍍物質(zhì)時(shí)的蒸鍍物的厚度，該平均厚度作為金屬蒸鍍量的來使用。(6)蝕刻工序從光學(xué)特性的角度來看，根據(jù)需要，將層疊在凹凸格子的凹部底部的金屬通過蝕刻法來除去。蝕刻法只要不對基材或電介體層造成壞的影響，并可以去除需要量的金屬即可，并沒有特別的限定，從生產(chǎn)率、裝置成本的角度來考慮，優(yōu)選采用由酸或堿性的水溶液進(jìn)行浸潰的方法。(7)光學(xué)特性在與格子狀凹凸形狀的延伸方向垂直的面內(nèi)，對于相對于基材101面的垂直方向(凸部的直立方向)分別從左右對稱方向入射的光，其光線透過率的差的容許值由使用的制品而有所不同，在使用于圖像顯示裝置的情況下，對于作為對象的同一波長來說，光線透過率的差只要在4%以下就難以識(shí)別，可以說是足夠了。在與格子狀凹凸形狀的延伸方向垂直的面內(nèi)，相對于基材101面的垂直方向分別從左右對稱方向入射的光的光線透過率的差，對于可見光區(qū)域的同一波長優(yōu)選在4%以下，更優(yōu)選為2%。又，僅在基材101的格子狀凹凸形狀的凸部的一方向側(cè)的側(cè)面存在金屬絲102也是重要的。從左右對稱方向入射的光的光線透過率的差根據(jù)該入射光角度Θ (在與金屬絲2的延伸方向垂直的面內(nèi)，入射光與基材101面的垂直方向所成的角度)而改變，Θ至少在45°以下的情況下，光線透過率的最大值的差在可見藍(lán)色波長區(qū)域(波長435nm 波長500nm的區(qū)域)對于同一波長只要在4%以下，即可以使用于廣泛的圖像顯示裝置。又，從減少光的損失的角度來考慮，相對于基材101面的垂直方向分別從左右對稱方向入射的光的光線透過率優(yōu)選分別在35%以上,相對于基材101面的垂直方向以45°以下的角度，分別從左右方向入射的光的光線透過率都在35%以上時(shí)，可以使用于廣泛的用途，因此較為理想。通過將金屬絲102設(shè)為向具有格子狀凹凸形狀的凸部的頂部的上方延伸，可以提聞偏振特性，減少光的損失。偏振度根據(jù)使用的制品而由不同的要求，優(yōu)選在98%以上。在應(yīng)用于需要高的對比度的制品的情況下，偏振度優(yōu)選在99%以上，最好在99. 9%以上。(8)格子狀凹凸部的表面保護(hù)將線柵偏振片用于顯示材料的情況下，為了使板整體變薄,有時(shí)將各構(gòu)件通過粘著劑等接合來使用。又，為了保護(hù)金屬細(xì)絲面不受沖擊，也要包埋于粘著劑層使用。具有120nm以下間距的基材101的格子狀凹凸部和金屬絲102填充有折射率為I. O至I. 5的樹脂(與基材的折射率大致相同的樹脂)的話，可以維持可見紫 藍(lán)色區(qū)域波長360nm 500nm的光學(xué)特性，并提高耐沖擊性。感應(yīng)光的自由電子的屏蔽電場的大小依存于波長，為了充分屏蔽短波長的偏振光，圖案間距優(yōu)選在波長的1/3以下，進(jìn)一步優(yōu)選在波長的1/4以下。(9)格子狀凹凸圖案的間距的縮小方法作為制作線柵偏振片所使用的格子狀凹凸圖案的方法，有在?；瘻囟纫陨?，將特定間距的熱塑性樹脂向圖案平行方向以一軸延伸的方法。例如，將原來的圖案間距為250nm的格子狀凹凸圖案制作成120nm以下的圖案，需要4. 34倍的延伸倍率。但是，一般來說，延伸倍率超過2. 5倍的條件時(shí)，樹脂受到的變形會(huì)增大，因此圖案形狀的相似縮小極其困難。因此，為了在延伸倍率低的條件下得到120nm以下的間距，需要200nm以下的格子狀凹凸圖案的熱可塑性樹脂，并且將這樣的熱可塑性樹脂延伸的技術(shù)也是必不可少的。本實(shí)用新型的圖案形成方法通過采用單體澆鑄熱聚合法來得到好的效果。該方法的特征是，通過控制環(huán)境的熱聚合反應(yīng)使單體聚合，抑制延伸時(shí)作為缺陷成因的魚眼(高分子量聚合物凝膠)的發(fā)生，制作沒有缺陷的120nm以下的圖案。又，除了一般公知的單體之外，通過添加規(guī)定量的與單體能夠共聚合的含有氟的單體(例如含有氟的丙烯酸酯)，可以顯現(xiàn)與模具的脫模性，能夠高精度地復(fù)制200nm以下的格子狀凹凸圖案。又，考慮轉(zhuǎn)印性，聚合前的單體類的混合溶液的粘度的上限為I萬mPas，優(yōu)選為I lOOmPas。接下來，為了明確本實(shí)用新型的效果，對實(shí)施例進(jìn)行說明。(實(shí)施例I)(MMA低聚物糖漿的調(diào)制)在螺旋管中按照如下比例混合作為引發(fā)劑的2，2’_偶氮二異丁腈(AIBN)0.5wt%、作為脫模劑的大日本油墨制『> ^ y r V >7 F444J :lwt%、作為單體的甲基丙烯酸甲酯83. 5%、三氟甲基丙烯酸甲酯15.0%，在隊(duì)的氣氛下，以50°C反應(yīng)65分鐘。然后，立即導(dǎo)入大氣，冷卻并停止聚合，制作出轉(zhuǎn)印用的MMA低聚物糖漿。此時(shí)糖漿的粘度為20mPaso(轉(zhuǎn)印)準(zhǔn)備表面具有細(xì)微凹凸格子的鎳制壓模，細(xì)微凹凸格子的間距(pO)為145nm，高度(hO)為180nm。該細(xì)微凹凸格子是矩形的條紋狀格子。在該鎳制壓模上，均勻涂布上述的MMA低聚物糖漿，進(jìn)一步在其上放置厚度為Imm的壓克力板(日東樹脂工業(yè)公司制『夕’m卞』)，進(jìn)一步地，在其上放置作為壓物石的厚度為5_的玻璃板。將其整體(玻璃板/PMMA板/MMA低聚物糖漿/Ni壓模)放入60°C的烤箱5個(gè)小時(shí)，聚合成MMA低聚物。5個(gè)小時(shí)之后，取出樣本，將PMMA板從Ni壓模剝離之后，由MMA低聚物糖漿聚合的PMMA膜移到PMMA板側(cè)。、[0074]又，用場致發(fā)射型掃描型電子顯微鏡觀察PMMA的截面形狀之后，可以確認(rèn)形成于鎳制壓模的矩形條紋格子原樣地被轉(zhuǎn)印。[0075](延伸)接下來，用切削刀具將該被轉(zhuǎn)印了矩形條紋狀格子形狀的PMMA板切成150mmX 150mm的長方形,進(jìn)一步地,為了防止條紋狀格子凸部之間融合,在其表面涂布娃酮油，以此作為延伸用樣本。接下來，將延伸用樣本的長度方向的兩端5mm由延伸機(jī)的拉鎖固定，并在該狀態(tài)下放入114°C的烤箱，以37. 5cm/分的速度(初始變形速度25% /分)延伸267秒。這里，放置樣本使其延伸方向與條紋狀格子的長度方向大致并行。由此，延伸用樣本在寬度方向自由，在一軸方向延伸2. 1025倍。延伸后延伸樣本迅速冷卻至PMMA樹脂硬化溫度。結(jié)束延伸的延伸用樣本，越到中央部分就越細(xì)，寬度最細(xì)部分為103.5mm。寬度為103. 5mm的區(qū)域是整體的40%左右。延伸之后，通過表面活性劑的水溶液除去涂布于條紋狀格子表面的防止融合用的硅酮油。用場致發(fā)射型掃描型電子顯微鏡觀察該結(jié)束延伸的延伸用樣本的表面時(shí)，間距(pi)為lOOnm，條紋狀格子的高度(hi)為120nm，維持了矩形的格子形狀。寬度 高度縮小比率 r(= (hl/hO)/(pl/pO))為(120/180)/(100/145) = O. 966，可見 PMMA 板表面的條紋狀格子的凹凸形狀實(shí)際上是由延伸前的形狀相似縮小的。即，可以實(shí)現(xiàn)IOOnm級別的間距的細(xì)微凹凸格子。(Ni壓模的制作)在由此得到的細(xì)微凹凸格子表面通過濺射覆蓋30nm的金用以作為導(dǎo)電化處理，之后分別電鍍鎳，制作表面具有厚度O. 3mm、長300mm、寬180mm的細(xì)微凹凸格子的鎳壓模。(滾筒壓模的制作)以同樣的方式制作2枚鎳壓模，通過將2枚壓模焊接而接合為圓形，作為滾筒壓模。這里，接合是以細(xì)微凹凸格子的長度方向與滾筒壓模的圓周方向正交而進(jìn)行的。(格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷的制作)對厚度為O. 08mm的三乙酰纖維素膜(以下稱為TAC膜)的卷筒(膜長250m)連續(xù)地涂布紫外線硬化性樹脂大約O. Olmm,并使涂布面接觸表面具有上述IOOnm間距的細(xì)微凹凸格子的滾筒壓模，使用中心波長365nm的紫外線燈，從膜側(cè)照射lOOOmJ/cm2的紫外線，在連續(xù)地轉(zhuǎn)印滾筒壓模的細(xì)微凹凸格子之后，將該TAC膜卷成卷筒狀。以下，將該卷筒稱為卷筒膜卷筒。通過FE-SEM觀察得到的格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜，其截面形狀為矩形，上表面的形狀為條紋狀格子。又，格子狀凸部的凸部高度/凸部的半值寬度的值為3. 0，格子狀凸部的半值寬度為間距的O. 4倍。(卷筒膜卷筒的干燥)為了將如上所得到的卷筒膜卷筒中所包含的水分干燥，將卷筒膜卷筒移至設(shè)有3臺(tái)200W的紅外線加熱器的真空槽，將該膜一邊放置在真空中，一邊使其以2m/分行進(jìn)，加熱后，卷成卷筒狀。膜行進(jìn)停止時(shí)的真空度為0.03Pa，膜行進(jìn)中(干燥中)的真空度為
0.15Pa。又，為了知道加熱器通過后的TAC膜的表面溫度，在TAC上預(yù)先貼有熱標(biāo)簽。加熱器通過后的TAC膜的表面溫度為60°C至70°C之間。(使用濺射法形成電介體層)將干燥后的卷筒膜卷筒在干燥機(jī)的真空槽中放置12個(gè)小時(shí)之后，膜的溫度下降到23°C。然后，將卷筒膜的格子狀凸部轉(zhuǎn)印面移至電介體形成用以及金屬絲形成用真空室內(nèi)。電介體的形成采用反應(yīng)性AC磁控管派射法。排列2枚祀尺寸為127mmX 750mmX IOmmt的硅靶，基板至靶的距離為80mm、氬氣流量200sccm、氮?dú)饬髁?00sccm、輸出llkW、頻率37. 5kHz、行進(jìn)速度5m/分，在如上條件下，一邊展開卷筒膜卷一邊由膜輸送用卷筒(主滾筒)輸送至卷取卷筒側(cè)，設(shè)置氮化硅層，然后卷成卷筒狀。濺射時(shí)的張力為30N，主滾筒溫度為30°C，濺射開始前的環(huán)境真空度為O. 005Pa，濺射中的真空度為O. 38Pa。以相同條件在Si芯片上形成氮化硅膜，通過橢偏儀測出氮化硅層的厚度為3nm。(蒸鍍鋁)在卷筒膜卷筒的格子狀凸部的轉(zhuǎn)印面通過濺射氮化硅形成電介體層，由主滾筒將膜向?yàn)R射時(shí)的相反方向輸送，通過電阻加熱蒸鍍法在格子狀凸部轉(zhuǎn)印面形成金屬絲，再卷成卷筒狀。本實(shí)施例中，使用鋁(Al)作為金屬進(jìn)行說明。這里，蒸鍍船加熱前的真空度為
0.005Pa。又，鋁的蒸鍍使用傾斜蒸鍍法，在與格子的直立方向正交的平面內(nèi)，配置面罩使其與基材面的法線蒸鍍源所成的角度為32° ( Θ s)至15° ( Θ d)。-[0092]此時(shí)的膜輸送方向上的面罩的開口寬度為60mm，面罩開口部中心與蒸鍍船的距離為400mm。通過如上配置，以膜的送進(jìn)速度3. 5m/分使格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜行進(jìn)，并以送進(jìn)速度200mm/分向加熱船進(jìn)給純度為99. 9%以上、直徑為I. 7mm的鋁絲，進(jìn)行蒸鍍。蒸鍍中的總壓為O. 007Pa,蒸鍍后，將卷筒膜卷筒從真空槽中取出，鋁的膜厚通過螢光X線的發(fā)光強(qiáng)度換算的話，為130nm。因此，本實(shí)施例的鋁的平均成膜速度(V)為鋁的膜厚除以蒸鍍時(shí)間(130/1. 03)，為 126. 4nm/s。(鋁的蝕刻)將按照實(shí)施例以及比較例所記載的方法所制作的、成膜了氮化硅以及鋁的格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒，一邊放卷膜，一邊在23 °C的O. 5重量％的NaOHaq槽內(nèi)行進(jìn)50秒，然后，將其水洗·風(fēng)干，其目的在于得到線柵膜的卷筒(以下，作為偏振片A)。(光學(xué)測定)采用變角分光分析裝置(日立7、^ r ^公司制、U-4100)進(jìn)行光線透過率的角度依存性測定。對于入射角度(-45度 45度)的，偏振片A的435nm 500nm的光線透過率的平均值，其繪制的結(jié)果如圖2所示。光線透過率為37%以上，左右位置的透過率差最大為 I. 29%。(填埋粘著劑層的情況下的正交尼科耳透過率的變化率測量)分光光度計(jì)的正交尼科耳位置上，計(jì)算出435nm 500nm的平均光線透過率(以下，定義為Ts)。接下來，在表面粘貼積水化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社粘著劑(品名WT#5402A，折射率
1.472)，在保護(hù)圖案的狀態(tài)下同樣測量Ts。計(jì)算出粘著劑保護(hù)前后的Ts的增大率(保護(hù)后/保護(hù)前)的平均值，為141% (參照圖5)。(實(shí)施例2)(偏振片的制作)按照與實(shí)施例I相同的順序，實(shí)施格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒的制作、以及鋁的蒸鍍。相對于實(shí)施例1，僅變更了鋁的蝕刻工序，一邊放開膜，一邊在23°c的O. 5重量％的NaOHaq槽內(nèi)行進(jìn)65秒，接下來，將其水洗·風(fēng)干，其目的在于得到線柵膜的卷筒(以下，作為偏振片B)。[0103](光學(xué)測定)‘在從基材垂直方向開始的入射角度-45度 45度的范圍內(nèi)，對偏振片B的435nm 500nm的光線透過率進(jìn)行測量，為37%以上，左右位置的透過率差最大為I. 89%。(填埋粘著劑層的情況下的正交尼科耳透過率的變化率測量)采用與實(shí)施例I同樣的方法，計(jì)算出粘著劑保護(hù)前后的Ts的增大率(保護(hù)后/保護(hù)前)的平均值，為211%。(實(shí)施例3)(實(shí)施例I的Ni壓模的反濺射)與實(shí)施例I同樣的順序，通過延伸法制作IOOnm間距的圖案，使用該圖案制作Ni壓模。(通過反濺射進(jìn)行Ni壓模的細(xì)微加工)通過對具有矩形形狀的格子狀凹凸形狀的Ni壓模實(shí)施短時(shí)間的反濺射處理，力口工壓模的凹凸形狀。以最佳的反濺射條件進(jìn)行處理，使得轉(zhuǎn)印的樹脂的格子狀凹凸形狀為大致拋物線形。(格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒的制作)將反濺射處理的IOOnm間距的Ni壓模卷成圓筒狀，接下來制作格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒。通過FE-SEM觀察得到的格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜，其截面形狀為大致拋物線形，上表面的形狀為條紋狀格子。又，格子狀凸部的凸部高度/凸部的半值寬度的值為4. 8，格子狀凸部的半值寬度為間距的O. 25倍。(偏振片的制作)下面，通過與實(shí)施例I相同的順序，蒸鍍鋁、實(shí)施蝕刻法，其目的在于得到線柵膜的卷筒(以下，作為偏振片C)。(光學(xué)測定)在入射角度-45度 45度的范圍內(nèi)，對偏振片C的435nm 500nm的光線透過率進(jìn)行測量，為37%以上，左右位置的透過率差最大為3. 25%。(填埋粘著劑層的情況下的正交尼科耳透過率的變化率測量)采用與實(shí)施例I同樣的方法，計(jì)算出粘著劑保護(hù)前后的Ts的增大率(保護(hù)后/保護(hù)前)的平均值，為272%。(實(shí)施例4)(115nm間距圖案的制作)以與實(shí)施例I同樣的方法，在PMMA上轉(zhuǎn)印圖案。接下來，用切削刀具將該被轉(zhuǎn)印了矩形條紋狀格子形狀的PMMA板切成150mmX 150mm的長方形，進(jìn)一步地，為了防止條紋狀格子凸部之間融合，在其表面涂布硅酮油，以此作為延伸用樣本。接下來，將延伸用樣本的長度方向的兩端5mm由延伸機(jī)的拉鎖固定，并在該狀態(tài)下放入114°C的烤箱，以37. 5cm/分的速度(初始變形速度25% /分)延伸142秒。此時(shí)，放置樣本使其延伸方向與條紋狀格子的長度方向大致并行。由此，延伸用樣本在寬度方向自由，在一軸方向延伸I. 59倍。延伸后延伸樣本迅速冷卻到PMMA樹脂硬化溫度。結(jié)束延伸的延伸用樣本，越到中央部分就越細(xì)，寬度最細(xì)部分為119. 0mm。寬度為119. Omm的區(qū)域是整體的40%左右。延伸之后，通過表面活性劑的水溶液除去涂布于條紋狀格子表面的防止融合用的硅酮油。用場致發(fā)射型掃描型電子顯微鏡觀察該結(jié)束延伸的延伸用樣本的表面時(shí)，間距(pi)為115nm，條紋狀格子的高度(hi)為140nm，維持了矩形的格子形狀。寬度 高度縮小比率 r(= (hl/h0)/(pl/p0))為(140/180)/(115/145) = O. 981，可見 PMMA 板表面的條紋狀格子的凹凸形狀實(shí)際上是由延伸前的形狀相似縮小的。(格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒的制作)與實(shí)施例I 一樣，將115nm間距的Ni壓模卷筒化，接下來，制作格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒。通過FE-SEM觀察得到的格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜，其截面形狀為大致矩形形狀，上表面的形狀為條紋狀格子狀。又，格子狀凸部的凸部高度/凸部的半值寬度的值為3. 0，格子狀凸部的半值寬度為間距的O. 40倍。(偏振片的制作)下面，通過與實(shí)施例2相同的順序，蒸鍍鋁、實(shí)施蝕刻法(65秒)，其目的在于得到線柵膜的卷筒(以下，作為偏振片D)。(光學(xué)測定)在入射角度-45度 45度的范圍內(nèi)，對偏振片D的435nm 500nm的光線透過率進(jìn)行測量，為37%以上，左右位置的透過率差最大為1.42%。(填埋粘著劑層的情況下的正交尼科耳透過率的變化率測量)采用與實(shí)施例I同樣的方法，計(jì)算出粘著劑保護(hù)前后的Ts的增大率(保護(hù)后/保護(hù)前)的平均值，為268%。(實(shí)施例5)與實(shí)施例4同樣的順序，通過延伸法制作間距115nm的圖案，使用該圖案制作Ni壓模。(通過反濺射進(jìn)行Ni壓模的細(xì)微加工)通過對具有矩形形狀的格子狀凹凸形狀的Ni壓模實(shí)施短時(shí)間的反濺射處理，力口工壓模的凹凸形狀。以最佳的反濺射條件進(jìn)行處理，使得轉(zhuǎn)印的樹脂的格子狀凹凸形狀為大致拋物線形。(格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒的制作)將反濺射處理的115nm間距的Ni壓模卷成圓筒狀，接下來制作格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒。通過FE-SEM觀察得到的格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜，其截面形狀為大致拋物線形，上表面的形狀為條紋格子狀。又，格子狀凸部的凸部高度/凸部的半值寬度的值為4. 1，格子狀凸部的半值寬度為間距的O. 3倍。(偏振片的制作)下面，通過與實(shí)施例I相同的順序，蒸鍍鋁、實(shí)施蝕刻法，其目的在于得到線柵膜的卷筒(以下，作為偏振片E)。(光學(xué)測定)在入射角度-45度 45度的范圍內(nèi)，對偏振片E的435nm 500nm的光線透過率進(jìn)行測量，為35%以上，左右位置的透過率差最大為3. 28%。(填埋粘著劑層的情況下的正交尼科耳透過率的變化率測量)采用與實(shí)施例I同樣的方法，計(jì)算出粘著劑保護(hù)前后的Ts的增大率(保護(hù)后/保護(hù)前)的平均值，為327%。(比較例I)(Ni壓模的制作)準(zhǔn)備表面具有細(xì)微凹凸格子的鎳制壓模，細(xì)微凹凸格子的間距(pO)為130nm，高度(hO)為 170nm。(格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒的制作)將130nm間距的Ni壓模卷筒化，接下來，制作格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒。通過FE-SEM觀察得到的格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜，其截面形狀為大致矩形形狀，上表面的形狀為條紋狀格子狀。又，格子狀凸部的凸部高度/凸部的半值寬度的值為3. 3，格子狀凸部的半值寬度為間 距的O. 4倍。 (偏振片的制作)下面，通過與實(shí)施例I相同的順序，蒸鍍鋁、實(shí)施蝕刻法，其目的在于得到線柵膜的卷筒(以下，作為偏振片F(xiàn))。(光學(xué)測定)在入射角度-45度 45度的范圍內(nèi)，對偏振片F(xiàn)的435nm 500nm的光線透過率進(jìn)行測量，為35%以上，左右位置的透過率差最大為1.67%。(填埋粘著劑層的情況下的正交尼科耳透過率的變化率測量)采用與實(shí)施例I同樣的方法，計(jì)算出粘著劑保護(hù)前后的Ts的增大率(保護(hù)后/保護(hù)前)的平均值，為395%。(比較例2)(通過反濺射進(jìn)行Ni壓模的細(xì)微加工)通過對具有比較例I的矩形形狀的格子狀凹凸形狀的Ni壓模實(shí)施短時(shí)間的反濺射處理，加工壓模的凹凸形狀。以最佳的反濺射條件進(jìn)行處理，使得轉(zhuǎn)印的樹脂的格子狀凹凸形狀為大致拋物線形。(格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒的制作)將反濺射處理的130nm間距的Ni壓模卷成圓筒狀，接下來制作格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒。通過FE-SEM觀察得到的格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜，其截面形狀為大致拋物線形，上表面的形狀為條紋格子狀。又，格子狀凸部的凸部高度/凸部的半值寬度的值為4. 4，格子狀凸部的半值寬度為間距的O. 3倍。(偏振片的制作)下面，通過與實(shí)施例I相同的順序，蒸鍍鋁、實(shí)施蝕刻法，其目的在于得到線柵膜的卷筒(以下，作為偏振片G)。(光學(xué)測定)在入射角度-45度 45度的范圍內(nèi)，對偏振片G的435nm 500nm的光線透過率進(jìn)行測量，為35%以上，左右位置的透過率差最大為6. 35%。(填埋粘著劑層的情況下的正交尼科耳透過率的變化率測量)采用與實(shí)施例I同樣的方法，計(jì)算出粘著劑保護(hù)前后的Ts的增大率(保護(hù)后/保護(hù)前)的平均值，為507%。(比較例3)[0169](Ni壓模的制作)準(zhǔn)備表面具有細(xì)微凹凸格子的鎳制壓模，細(xì)微凹凸格子的間距(pO)為145nm，高度(hO)為 150nm。(格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒的制作)將145nm間距的Ni壓模卷筒化，接下來，制作格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒。通過FE-SEM觀察得到的格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜，其截面形狀為大致矩形形狀，上表面的形狀為條紋狀格子狀。又，格子狀凸部的凸部高度/凸部的半值寬度的值為2. 6，格子狀凸部的半值寬度為間距的O. 4倍。(偏振片的制作)下面，通過與實(shí)施例I相同的順序，蒸鍍鋁、實(shí)施蝕刻法，其目的在于得到線柵膜 的卷筒(以下，作為偏振片H)。(光學(xué)測定)在入射角度-45度 45度的范圍內(nèi)，對偏振片H的435nm 500nm的光線透過率進(jìn)行測量，為35%以上，左右位置的透過率差最大為1.60% (參照圖3)。(填埋粘著劑層的情況下的正交尼科耳透過率的變化率測量)采用與實(shí)施例I同樣的方法，計(jì)算出粘著劑保護(hù)前后的Ts的增大率(保護(hù)后/保護(hù)前)的平均值，為420% (參照圖6)。(比較例4)(通過反濺射進(jìn)行Ni壓模的細(xì)微加工)通過對具有比較例3的矩形形狀的格子狀凹凸形狀的Ni壓模實(shí)施短時(shí)間的反濺射處理，加工壓模的凹凸形狀。以最佳的反濺射條件進(jìn)行處理，使得轉(zhuǎn)印的樹脂的格子狀凹凸形狀為大致拋物線形。(格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒的制作)將反濺射處理的145nm間距的Ni壓模卷成圓筒狀，接下來制作格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜卷筒。通過FE-SEM觀察得到的格子狀凸部轉(zhuǎn)印膜，其截面形狀為大致拋物線形，上表面的形狀為條紋格子狀。又，格子狀凸部的凸部高度/凸部的半值寬度的值為3. 0，格子狀凸部的半值寬度為間距的O. 35倍。(偏振片的制作)下面，通過與實(shí)施例I相同的順序，蒸鍍鋁、實(shí)施蝕刻法，其目的在于得到線柵膜的卷筒(以下，作為偏振片I)。(光學(xué)測定)在入射角度-45度 45度的范圍內(nèi)，對偏振片I的435nm 500nm的光線透過率進(jìn)行測量，為33%以上，左右位置的透過率差最大為8. 14% (參照圖4)。(填埋粘著劑層的情況下的正交尼科耳透過率的變化率測量)采用與實(shí)施例I同樣的方法，計(jì)算出粘著劑保護(hù)前后的Ts的增大率(保護(hù)后/保護(hù)前)的平均值，為570%。以下在表I中表示上述實(shí)施例I 實(shí)施例5、比較例I 比較例4的測定結(jié)果。又，表2示出上述偏振片A 偏振片I的粘著劑保護(hù)前后的Ts增大率，表3示出光線透過率的左右入射方向的最大差分。[0191]表I
偏振片間距顏形狀廳率
^施例I偏振片AIOOnm"矩形、7%以上—I. 29%141% ~
^施例2偏振片BIOOnm"矩形、7%以上—1.89%211% ~
|施例3偏振IOOnm '拋物線飛7%以上 3. 25%一 272%
^施例4偏振片D115nm"矩形_37%以上一 1.42%268% _
|施例5偏振115nm '拋物線飛5%以上 3.28%一 327% 較例I偏振片F(xiàn)130nm"矩形_35%以上一 1.67%395% _
I較例2偏振月IT130nm '拋物線飛5%以上 6. 35%一 507%
較例3偏振片H145nm"矩形—35%以上一 1.60%420% _
I較例4偏振片I145nm拋物線33%以上 8. 14%570%表2
截面形狀
_^_ xmm 丫:……―Jmmm'……―
偏振片 A 141% /( μ. Γ 9790/
偏振片B 211% 偏振片C 272/0
圖案間距..............攝蛋異飛―2—6^——327%""
一—— ;..............麗層異——一—麗展-[占―———
_「……ri?！摺?—…表3
截面形狀
_ xmm 丫:……―Jmmm'……―
^偏振片 A I. 29%. Γ~Q 胃
100nm 偏振片 B 1.890/0 條片 C 3· 25%
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_—薇麗— …T—■ 麗 —異…?！啊ㄟ^上述表I 表3可知，圖案間距越大，或者截面形狀為拋物線，粘著劑保護(hù)前后的Ts增大率越大。這是因?yàn)?，由于粘著劑保護(hù)使得折射率發(fā)生變化，形成于金屬絲的屏蔽電場，相對于間距的寬度沒有形成足夠的寬度。另外，與截面形狀為矩形的偏振片相比，截面形狀為拋物線的偏振片的光線透過率的左右入射方向的最大差分更大。而且，截面形狀為矩形的情況下，即使間距變化最大差分的變化也較小，但是在截面形狀為拋物線的情況下，隨著間距的變大，最大差分也變大。這是因?yàn)?，通過使截面形狀為矩形形狀，可以提高金屬絲的形狀對稱性。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本實(shí)用新型的線柵偏振片可以適當(dāng)應(yīng)用在各種光學(xué)設(shè)備、顯示設(shè)備光源等廣泛的領(lǐng)域。
權(quán)利要求1.一種線柵偏振片，包括具有在特定方向上延伸的格子狀凹凸形狀的基材；和被設(shè)置為與具有所述格子狀凹凸形狀的基材的凸部的一方向側(cè)的側(cè)面相接、并向所述基材的凸部頂部的上方延伸的金屬絲，其特征在于， 基材的凸部的間距在120nm以下，在與所述格子狀凹凸形狀的延伸方向垂直的面內(nèi)，基材的凸部的截面形狀為大致矩形形狀。
2.如權(quán)利要求I所述的線柵偏振片，其特征在于，所述格子狀凸部的凸部高度/凸部半值寬度的值為I. O 10。
3.如權(quán)利要求I或2所述的線柵偏振片，其特征在于，所述格子狀凸部的半值寬度為間距的O. 2倍 O. 7倍。
4.如權(quán)利要求I或2所述的線柵偏振片，其特征在于， 在與所述基材的特定方向垂直的面內(nèi)，在所述基材的凸部的側(cè)方以及上方存在金屬絲，金屬絲的高度是基材的凸部高度的I. I倍 10倍。
5.如權(quán)利要求I或2所述的線柵偏振片，其特征在于， 形成于所述基材的格子狀凹凸部上的金屬絲的平均寬度是格子狀凹凸的間距寬度的O. 2倍 O. 5倍。
6.如權(quán)利要求I或2所述的線柵偏振片，其特征在于， 所述基材的格子狀凹凸部以及金屬絲在填充有折射率為I. O至I. 5的樹脂的情況下，在435nm至500nm的波長區(qū)域,偏振特性的下降不足4倍。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種對435nm至500nm的入射光具有優(yōu)越的偏振分離性能和高的光學(xué)對稱性的線柵偏振片。該線柵偏振片包括具有在特定方向延伸的格子狀凹凸形狀的基材；和設(shè)置為與具有所述格子狀凹凸形狀的基材的凸部的一方向側(cè)的側(cè)面相接、并在所述基材的凸部頂部的上方延伸的金屬絲，基材的凸部的間距在120nm以下，在與所述格子狀凹凸形狀的延伸方向垂直的面內(nèi)，基材的凸部截面形狀為大致矩形形狀。
文檔編號G02B5/30GK202433543SQ20112038228
公開日2012年9月12日 申請日期2011年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月10日
發(fā)明者佐藤佑輔, 吉岡邦久, 木下大輔, 河津泰幸 申請人:旭化成電子材料株式會(huì)社