專利名稱：一種平面電場式液晶顯示面板和偏光片的制作方法
技術領域：
一種平面電場式液晶顯示面板和偏光片技術領域[0001]本實用新型涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種平面電場式液晶顯示面板和偏光片。
背景技術：
[0002]在液晶顯示面板中，對于公共電極和像素電極分別位于彩膜基板和陣列基板的液晶顯示面板來說，彩膜基板和陣列基板上的靜電電荷可以分別從公共電極和像素電極導出。但在平面電場式液晶顯示面板中，如基于IPSan-Plane Switching，平面轉換)技術和 FFS(Fringe Field Switching，邊緣場開關)技術的寬視角液晶顯示面板，驅動液晶分子偏轉的像素電極和公共電極都設置在陣列基板上，彩膜基板上沒有電極，因而靜電電荷易于積累在彩膜基板上，其形成的電場會影響液晶分子的正常偏轉從而影響液晶顯示面板的畫面效果。[0003]為解決上述問題，現(xiàn)有技術中，可以通過在彩膜基板的遠離液晶的表面上濺射 ITOdndium tin oxide，氧化銦錫)導電層來將靜電電荷導走。然而，濺射ITO不但工藝成本較高，ITO材料還會吸收空氣中水分，導致液晶顯示器的顯示效果不良。另外，濺射ITO的玻璃基板不宜太薄，否則濺射ITO時基板會因受到能量較高的粒子轟擊而易于受損。[0004]然而，在移動產品的三維顯示和雙視顯示的液晶顯示器中，彩膜基板的厚度較薄， 一般小于0. Imm,因此，難以采用在彩膜基板的遠離液晶的表面上濺射ITO導電層的方式去除靜電。實用新型內容[0005]本實用新型的主要目的在于，提供一種平面電場式液晶顯示面板和偏光片，無需采用在彩膜基板上濺射導電層方式，同樣能夠使平面電場式液晶顯示面板具備防靜電性能。[0006]為達到上述目的，本實用新型采用如下技術方案[0007]—種平面電場式液晶顯示面板，包括陣列基板和與所述陣列基板對盒設置的彩膜基板，所述陣列基板和所述彩膜基板之間設置有液晶，所述彩膜基板遠離所述液晶的表面上設置有偏光片，所述偏光片包括偏光層，所述偏光片還包括導電層，所述導電層上設置有接地部，所述導電層通過所述接地部接地。[0008]可選的，所述偏光片還包括第一支撐層和第二支撐層，所述第一支撐層設置于所述偏光層上，所述第二支撐層設置于所述偏光層下；[0009]可選的，所述導電層設置于所述第一支撐層上；[0010]可選的，所述導電層設置于所述第二支撐層下；[0011]可選的，所述導電層設置于所述第一支撐層與所述偏光層之間；[0012]可選的，所述導電層設置于所述第二支撐層與所述偏光層之間。[0013]進一步的，所述液晶顯示面板還包括金屬邊框，所述接地部與所述金屬邊框相連；[0014]可選的，所述陣列基板上設置有地線，所述接地部與所述地線相連。[0015]具體的，所述導電層為高分子透明導電材料。[0016]可選的，所述導電層的厚度為30微米至200微米。[0017]可選的，所述導電層的透光率大于90%，所述導電層的方塊電阻小于1500 Ω。[0018]優(yōu)選的，所述導電層的透光率為94%，所述導電層的方塊電阻為85 Ω。[0019]一種偏光片，所述偏光片包括偏光層，所述偏光片還包括導電層，所述導電層上設置有接地部。[0020]可選的，所述偏光片還包括第一支撐層和第二支撐層，所述第一支撐層設置于所述偏光層上，所述第二支撐層設置于所述偏光層下；[0021]可選的，所述導電層設置于所述第一支撐層上；[0022]可選的，所述導電層設置于所述第二支撐層下；[0023]可選的，所述導電層設置于所述第一支撐層與所述偏光層之間；[0024]可選的，所述導電層設置于所述第二支撐層與所述偏光層之間。[0025]具體的，所述導電層為高分子透明導電材料。[0026]可選的，所述導電層的厚度為30微米至200微米。[0027]可選的，所述導電層的透光率大于90%，所述導電層的方塊電阻小于1500 Ω。[0028]優(yōu)選的，所述導電層的透光率為94%，所述導電層的方塊電阻為85Ω。[0029]本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板和偏光片，在偏光片上設置有導電層，不但能夠將彩膜基板上的靜電電荷及時導出，避免靜電電荷形成的電場影響液晶的正常偏轉，而且避免了在彩膜基板上濺射ITO的工藝步驟，簡化了液晶顯示面板的制作工藝。 另外，由于貼附偏光片工藝對基板的厚度沒有要求，其應用更加廣泛。因此，本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板和偏光片無需采用在彩膜基板上濺射導電層方式，同樣能夠使平面電場式液晶顯示面板具備防靜電性能。


[0030]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0031]圖1為本實用新型實施例提供的平面電場式液晶顯示面板中偏光片的一種結構示意圖；[0032]圖2為本實用新型實施例提供的平面電場式液晶顯示面板中偏光片的另一種結構示意圖；[0033]圖3為本實用新型實施例提供的平面電場式液晶顯示面板中偏光片的另一種結構示意圖；[0034]圖4為本實用新型實施例提供的平面電場式液晶顯示面板中偏光片的另一種結構示意圖。[0035]附圖標記5[0036]1-偏光層，2-第一支撐層，3-第二支撐層，4-導電層，41-接地部。
具體實施方式
[0037]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。[0038]本實用新型提供了一種液晶顯示面板，包括陣列基板和與所述陣列基板對盒設置的彩膜基板，所述陣列基板和所述彩膜基板之間設置有液晶，所述彩膜基板的遠離所述液晶的表面上設置有偏光片，所述偏光片包括偏光層，所述偏光片還包括導電層，所述導電層上設置有接地部，所述導電層通過所述接地部接地。[0039]本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板，在偏光片上設置有導電層，不但能夠將彩膜基板上的靜電電荷及時導出，避免靜電電荷形成的電場影響液晶的正常偏轉，而且避免了在彩膜基板上濺射ITO的工藝步驟，簡化了液晶顯示面板的制作工藝。另外，由于貼附偏光片工藝對基板的厚度沒有要求，其應用更加廣泛。因此，本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板無需采用在彩膜基板上濺射導電層方式，同樣能夠使平面電場式液晶顯示面板具備防靜電性能。[0040]下面通過具體實施例來對本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板進行詳細說明。[0041]圖1所示為本實用新型的一個具體實施例，本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板的結構與前述實施例中的平面電場式液晶顯示面板的結構相同，具體可參見前文說明。由于本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板與現(xiàn)有技術的不同之處主要在于偏光片，下面主要對該偏光片進行詳細說明。[0042]具體的，如圖1所示，本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板中的偏光片包括偏光層1，由于偏光層1硬度較小，偏光層1的上表面又設置有第一支撐層2，偏光層1的下表面又設置有第二支撐層3以對偏光層1進行支撐；第一支撐層2的上表面上設置有導電層4，導電層4上設置有接地部41，接地部41通過導電膠與平面電場式液晶顯示面板的金屬邊框相連，從而使導電層4通過接地部41接地。[0043]本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板，在偏光片上設置有導電層4，不但能夠將彩膜基板上的靜電電荷及時導出，避免靜電電荷形成的電場影響液晶的正常偏轉，而且避免了在彩膜基板上濺射ITO的工藝步驟，簡化了液晶顯示面板的制作工藝。另外，由于貼附偏光片工藝對基板的厚度沒有要求，其應用更加廣泛。因此，本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板無需采用在彩膜基板上濺射導電層方式，同樣能夠使平面電場式液晶顯示面板具備防靜電性能。[0044]具體的，導電層4可以為高分子透明導電材料或者其它導電材料，該導電材料可以為液體狀，通過旋涂或印刷的方式涂布于偏光片上，經過固化形成導電層4。當然，該導電材料也可以為其它性狀，如膠體狀或粉末狀等，通過其它方式設置在偏光片上，本實用新型對此不做限制。[0045]可選的，導電層4的厚度可以為30微米至200微米，導電層4的透光率大于90%，導電層4的方塊電阻小于1500 Ω。不同厚度的導電層4具有不同的導電性能。一般的，導電層4的厚度越大，其對應的方塊電阻越小，導電性能越好，但相同條件下導電層4的透光率會相應下降；而導電層4的厚度越小，其對應的方塊電阻越大，導電性能越差，但相同條件下導電層4的透光率會有所提高。因此，導電層4需要具有合適的厚度以對其方塊電阻和透光率進行折衷，使導電層4既有良好的導電性又有較大的透光率。優(yōu)選的，在本實用新型的一個實施例中，導電層4的透光率為94%，導電層4的方塊電阻為85 Ω，達到了較佳的透光性和導電效果。[0046]具體的，本實施例中，接地部41通過導電膠與平面電場式液晶顯示面板的金屬邊框相連從而使導電層4接地，但本實用新型不限于此，在本實用新型的其它實施例中，接地部41還可以通過其他方式接地進而使導電層4接地。[0047]例如，在本實用新型的一個實施例中，接地部41可以通過金屬引線與平面電場式液晶顯示面板的金屬邊框相連從而使導電層4接地。又如，在本實用新型的另一個實施例中，平面電場式液晶顯示面板的陣列基板上設置有地線，導電層4的接地部41還可以通過引線與該地線相連從而使導電層4接地。當然，接地部41還可以采用其它方式接地，本實用新型對此不做限制。[0048]可選的，接地部41可以為設置在導電層4上的焊盤或焊點等，也可以為導電層4 上的其它供引線或導電膠等導體連接的結構，本實用新型對此不做限制。而且，導電層4所處的區(qū)域不限于偏光層1覆蓋到的區(qū)域，導電層4的邊緣可以延伸到偏光層1覆蓋范圍以外的區(qū)域。則，接地部41既可以位于導電層4上偏光層1覆蓋到的區(qū)域，也可以位于導電層4上偏光層1覆蓋到的區(qū)域以外的區(qū)域，本實用新型對此不做限制。[0049]需要說明的是，上述實施例中，平面電場式液晶顯示面板的偏光片包括偏光層1、 第一支撐層2、第二支撐層3和導電層4，但本實用新型不限于此。為了使偏光片的濾光性能更加優(yōu)越，還可以為偏光片增加其它的層結構，例如，在本實用新型的另一個實施例中， 平面電場式液晶顯示面板的偏光片除了偏光層、導電層、第一支撐層和第二支撐層外，還增加了光補償層以對通過偏光片的光進行補償。此時導電層所設置的位置可以根據(jù)新加入的層而相應調整，只要能實現(xiàn)本實用新型中平面電場式液晶顯示面板中偏光片的功能即可， 本實用新型對此不做限制。[0050]另外，還需要說明的是，偏光片一般需要與平面電場式液晶顯示面板或其它光學器件相粘附而使用，因此，上述實施例提供的液晶顯示面板的偏光片還包括粘著層，粘著層一般被設置為偏光片的表面層，以方便偏光片與其它光學器件相粘附。[0051]上述實施例中，偏光片所包括的各層中，除了粘著層需要設置為偏光片的表面層以方便偏光片與其它光學器件貼附外，其它各層的相互位置關系可以任意交換，只要能實現(xiàn)偏光片功能即可，本實用新型對此不做限制。而且，如果偏光層的硬度足夠大，第一支撐層和第二支撐層也可以省去至少一個，本實用新型對此不做限制。[0052]需要說明的是，雖然本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板能夠解決具有較薄厚度的水平電場式液晶顯示面板的防靜電問題，但本實用新型的應用不限于具有較薄厚度的水平電場式液晶顯示面板。[0053]由于濺射ITO需要在專用的濺射設備中、真空條件下進行，加工成本較高，而加工本實用新型提供的水平電場式液晶顯示面板中的偏光片則只需要在一般的加工條件下，進行高分子透明導電材料或其它導電材料的旋涂或印刷等工藝，工藝難度小、加工成本低。因此，在本實用新型的其它實施例中，即使液晶顯示面板具有較大的厚度，也可以采用前述實施例中平面電場式液晶顯示面板中的偏光片。這樣，一方面可以使平面電場式液晶顯示面板具有良好的防靜電性能，另一方面也能避免在彩膜基板的遠離液晶的表面上濺射ITO的工藝步驟，簡化了平面電場式液晶顯示面板的加工工藝并降低了平面電場式液晶顯示面板的加工成本。[0054]圖2所示為本實用新型的另一個實施例中平面電場式液晶顯示面板中偏光片的結構示意圖，如圖2所示，本實施例與前述實施例的不同之處在于，本實施例中，偏光片的導電層4設置于第二支撐層3的下表面上，除此之外，前述實施例的一切特征均適用于本實施例，此處不再贅述。[0055]本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板，在偏光片上設置有導電層4，不但能夠將彩膜基板上的靜電電荷及時導出，避免靜電電荷形成的電場影響液晶的正常偏轉，而且避免了在彩膜基板上濺射ITO的工藝步驟，簡化了液晶顯示面板的制作工藝。另外，由于貼附偏光片工藝對基板的厚度沒有要求，其應用更加廣泛。因此，本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板無需采用在彩膜基板上濺射導電層方式，同樣能夠使平面電場式液晶顯示面板具備防靜電性能。[0056]前述實施例中，導電層4分別設置于第一支撐層2上或第二支撐層3下，但本實用新型不限于此。在本實用新型的其它實施例中，導電層4還可以設置在偏光層1與第一支撐層2之間或偏光層1與第二支撐層3之間。[0057]圖3所示為本實用新型的另一個實施例中平面電場式液晶顯示面板的偏光片的結構示意圖。所述偏光片具體包括偏光層1、第一支撐層2、第二支撐層3和導電層4。其中，第二支撐層3設置于偏光層1的下表面上，導電層4設置于偏光層1的上表面上，第一支撐層2設置于導電層4的上表面上，即導電層4設置于偏光層1和第一支撐層2之間。導電層4上設置有接地部41，導電層4通過接地部41接地。[0058]本實施與前述實施例的不同之處在于，本實施例中，導電層4設置在偏光層1的上表面上，除此之外，本實施例的其它特征均與前述實施例相同，此處不再贅述。[0059]本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板，在偏光片上設置有導電層4，不但能夠將彩膜基板上的靜電電荷及時導出，避免靜電電荷形成的電場影響液晶的正常偏轉，而且避免了在彩膜基板上濺射ITO的工藝步驟，簡化了液晶顯示面板的制作工藝。另外，由于貼附偏光片工藝對基板的厚度沒有要求，其應用更加廣泛。因此，本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板無需采用在彩膜基板上濺射導電層方式，同樣能夠使平面電場式液晶顯示面板具備防靜電性能。[0060]圖4所示為本實用新型的另一個實施例中平面電場式液晶顯示面板的偏光片的結構示意圖。本實施例與前述實施例的不同之處在于，導電層4設置于偏光層1的下表面上，第二支撐層3位于導電層4的下表面上，即導電層4設置于偏光層1和第二支撐層3之間，除此之外，前述實施例的一切特征均適用于本實施例，此處不再贅述。[0061]本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板，在偏光片上設置有導電層4，不但能夠將彩膜基板上的靜電電荷及時導出，避免靜電電荷形成的電場影響液晶的正常偏轉，而且避免了在彩膜基板上濺射ITO的工藝步驟，簡化了液晶顯示面板的制作工藝。另外，由于貼附偏光片工藝對基板的厚度沒有要求，其應用更加廣泛。因此，本實用新型提供的平面電場式液晶顯示面板無需采用在彩膜基板上濺射導電層方式，同樣能夠使平面電場式液晶顯示面板具備防靜電性能。[0062]相應的，本實用新型還提供了一種用于平面電場式液晶顯示面板的偏光片，本偏光片為前述平面電場式液晶顯示面板的實施例所提供的任一種偏光片，前文已經進行了詳細的說明，此處不再贅述。[0063]本實用新型提供的偏光片，在偏光片上設置有導電層，不但能夠將彩膜基板上的靜電電荷及時導出，避免靜電電荷形成的電場影響液晶的正常偏轉，而且避免了在彩膜基板上濺射ITO的工藝步驟，簡化了液晶顯示面板的制作工藝。另外，由于貼附偏光片工藝對基板的厚度沒有要求，其應用更加廣泛。因此，本實用新型提供的偏光片無需采用在彩膜基板上濺射導電層方式，同樣能夠使平面電場式液晶顯示面板具備防靜電性能。[0064]以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此，本實用新型的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
權利要求1.一種平面電場式液晶顯示面板，包括陣列基板和與所述陣列基板對盒設置的彩膜基板，所述陣列基板和所述彩膜基板之間設置有液晶，所述彩膜基板遠離所述液晶的表面上設置有偏光片，所述偏光片包括偏光層，其特征在于，所述偏光片還包括導電層，所述導電層上設置有接地部，所述導電層通過所述接地部接地。
2.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述偏光片還包括第一支撐層和第二支撐層，所述第一支撐層設置于所述偏光層上， 所述第二支撐層設置于所述偏光層下；所述導電層設置于所述第一支撐層上；或所述導電層設置于所述第二支撐層下；或所述導電層設置于所述第一支撐層與所述偏光層之間；或所述導電層設置于所述第二支撐層與所述偏光層之間。
3.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述液晶顯示面板還包括金屬邊框，所述接地部與所述金屬邊框相連； 或者所述陣列基板上設置有地線，所述接地部與所述地線相連。
4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述導電層為高分子透明導電材料。
5.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述導電層的厚度為30微米至200微米。
6.根據(jù)權利要求5所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述導電層的透光率大于90%， 所述導電層的方塊電阻小于1500 Ω。
7.根據(jù)權利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述導電層的透光率為94%，所述導電層的方塊電阻為85 Ω。
8.一種偏光片，所述偏光片包括偏光層，其特征在于，所述偏光片還包括導電層，所述導電層上設置有接地部。
9.根據(jù)權利要求8所述的偏光片，其特征在于，所述偏光片還包括第一支撐層和第二支撐層，所述第一支撐層設置于所述偏光層上，所述第二支撐層設置于所述偏光層下；所述導電層設置于所述第一支撐層上；或所述導電層設置于所述第二支撐層下；或所述導電層設置于所述第一支撐層與所述偏光層之間；或所述導電層設置于所述第二支撐層與所述偏光層之間。
10.根據(jù)權利要求8或9所述的偏光片，其特征在于，所述導電層為高分子透明導電材料。
11.根據(jù)權利要求8或9所述的偏光片，其特征在于，所述導電層的厚度為30微米至 200微米。
12.根據(jù)權利要求11所述的偏光片，其特征在于，所述導電層的透光率大于90%，所述導電層的方塊電阻小于1500 Ω。
13.根據(jù)權利要求12所述的偏光片，其特征在于，所述導電層的透光率為94%，所述導電層的方塊電阻為85 Ω。
專利摘要本實用新型提供了一種平面電場式液晶顯示面板和偏光片，涉及液晶顯示技術領域，為使平面電場式液晶顯示面板具備防靜電性能而設計。所述偏光片包括偏光層及導電層，所述導電層上設置有接地部。
文檔編號G02F1/133GK202281885SQ20112041404
公開日2012年6月20日 申請日期2011年10月26日 優(yōu)先權日2011年10月26日
發(fā)明者柳在健, 谷新 申請人:京東方科技集團股份有限公司