專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及液晶面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)及液晶面板。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為常見的顯示設(shè)備，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、掌上電腦等便攜式移動(dòng)終端。目前，高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(Advanced Super DimensionSwitch，簡稱ADS)等模式的液晶面板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了寬視角的技術(shù)指標(biāo)。ADS通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能 夠廣生旋轉(zhuǎn)，從而提聞了液晶工作效率并增大了透光效率。聞級(jí)超維場開關(guān)技術(shù)可以提聞TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開ロ率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)?，F(xiàn)有技術(shù)的陣列基板包括多個(gè)ADS像素結(jié)構(gòu)，如圖I所示，ADS像素結(jié)構(gòu)包括公共電極11，與所述公共電極11對(duì)應(yīng)的像素電極12，所述公共電極11與像素電極12之間設(shè)有絕緣層14，在每個(gè)ADS像素結(jié)構(gòu)的一端且連接著像素電極12的薄膜場效應(yīng)晶體管(ThinFilm Transistor, TFT) 13。所述公共電極11采用固定電壓,所述TFT 13通過改變所述像素電極12的電壓，從而改變像素電極12與公共電極11的電壓差，進(jìn)而改變了公共電極11與像素電極12之間的邊緣電場，通過邊緣電場的改變，使貼附于陣列基板上的液晶層15中的液晶分子旋轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)了透光的效果。在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題在所述的ADS像素結(jié)構(gòu)中，公共電極與像素電極產(chǎn)生的邊緣電場分布不均，而使得透光不均。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)及液晶面板，用于解決現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)中，由于公共電極與像素電極產(chǎn)生的邊緣電場分布不均，而使得透光不均的問題。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案ー種像素結(jié)構(gòu)，包括第一電極、第二電極，所述第二電極與所述第一電極之間設(shè)有絕緣層，所述第二電極與所述第一電極配合產(chǎn)生邊緣電場，所述第二電極包括多個(gè)第二電極組，所述第二電極組包括第一公共電極組與第二像素電極組，所述第一公共電極組與所述第二像素電極組之間設(shè)有第一間隙，其中，所述第一公共電極組加載固定電壓，所述第二像素電極組加載第一控制電壓；所述第一電極包括多個(gè)與所述第二電極組對(duì)應(yīng)的第一電極組，所述第一電極組包括第一像素電極組與第二公共電極組，所述第一像素電極組與第二公共電極組之間設(shè)有第二間隙。具體的，所述第一像素電極組由至少兩個(gè)子電極組成，所述第二公共電極組由至少兩個(gè)子電極組成，所述第一像素電極組與所述第一公共電極組對(duì)應(yīng)并加載第二控制電壓，所述第二公共電極組與所述第二像素電極組對(duì)應(yīng)并加載固定電壓。通過加載第二控制電壓與加載固定電壓，滿足了整個(gè)結(jié)構(gòu)的電壓需要。具體的，所述像素結(jié)構(gòu)上設(shè)有用于控制所述第一像素電極組的加載電壓的第一薄膜晶體管TFT ;所述像素結(jié)構(gòu)上還設(shè)有用于控制所述第二像素電極組的加載電壓的第二TFT。應(yīng)用TFT的特性分別對(duì)第一像素電極組和第二像素電極組進(jìn)行控制，滿足了整個(gè)結(jié)構(gòu)的電壓需要。進(jìn)ー步的，所述第一控制電壓與所述第二控制電壓的電壓絕對(duì)值相同、電壓極性相反且頻率一致，所述固定電壓為0V。這樣，對(duì)第二控制電壓進(jìn)行取反就能得到第一控制電壓，在方便電壓控制的同時(shí)，加載ー個(gè)小電壓就能夠使第一像素電極組與第二像素電極組達(dá)到ー個(gè)電壓差，從而達(dá)到原有像素電極需要的高電壓的效果。優(yōu)選的，所述第一間隙與所述第二間隙上下對(duì)齊設(shè)置。這樣采用所述上下對(duì)齊設(shè)置，減小了所述第二電極與第一電極間的交疊面積，從而減小了所述第二電極與所述第一 電極間的電容，則在改變所述第一控制電壓與第二控制電壓時(shí)速度更快，從而提高了面板響應(yīng)時(shí)間。ー種液晶面板，包括彩膜基板、陣列基板以及設(shè)置在所述彩膜基板與所述陣列基板之間的液晶層，所述陣列基板包括多個(gè)上述的像素結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)及液晶面板，所述像素結(jié)構(gòu)包第二電極和第一電極，其中，第二電極包括多個(gè)第二電極組，第二電極組包括第一公共電極組與第二像素電極組，第一公共電極組加載有固定電壓、第二像素電極組加載有第一控制電壓；第一電極包括多個(gè)與第二電極組對(duì)應(yīng)的第一電極組，第一電極組包括第一像素電極組以及第ニ公共電極組，這種結(jié)構(gòu)使得第二電極與第一電極配合產(chǎn)生的邊緣電場中分布有水平電場，使得邊緣電場分布均勻，從而使得使用該像素結(jié)構(gòu)的液晶面板的透過率。解決了現(xiàn)有技術(shù)中，由于公共電極與像素電極產(chǎn)生的邊緣電場分布不均，而使得透光不均的問題。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖ー；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖ニ ；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)中第一薄膜晶體管TFT與第二TFT的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本實(shí)用新型又一實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本實(shí)用新型又一實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)比較的像素電極加載電壓與透過率的關(guān)系曲線；圖7為本實(shí)用新型又一實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)比較的響應(yīng)時(shí)間與透過率百分比的關(guān)系曲線；圖8為本實(shí)用新型另ー實(shí)施例提供的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。為使本實(shí)用新型技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)更加清楚，
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)說明。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)，如圖2所示，包括第一電極21、第二電極22，所述第二電極22與所述第一電極21之間設(shè)有絕緣層23，所述第二電極22與所述第一電極21配合產(chǎn)生邊緣電場，所述第二電極22包括多個(gè)第二電極組221，所述第二電極組221包括第一公共電極組2211與第二像素電極組2212，所述第一公共電極組2211與所述第二像素電極組2212之間設(shè)有第一間隙2213，其中，所述第一公共電極組2211加載固定電壓，所 述第二像素電極組2212加載第一控制電壓；所述第一電極21包括多個(gè)與所述第二電極組221對(duì)應(yīng)的第一電極組211,所述第一電極組211包括第一像素電極組2111與第二公共電極組2112，所述第一像素電極組2111與第二公共電極組2112之間設(shè)有第二間隙2113。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)包括第二電極和第一電極，其中，第二電極包括多個(gè)第二電極組，第二電極組包括第一公共電極組與第二像素電極組，第一公共電極組加載有固定電壓、第二像素電極組加載有第一控制電壓；第一電極包括多個(gè)與第二電極組對(duì)應(yīng)的第一電極組，第一電極組包括第一像素電極組以及第ニ公共電極組，這種結(jié)構(gòu)使得第二電極與第一電極配合產(chǎn)生的邊緣電場中分布有水平電場，使得邊緣電場分布均勻，從而使得使用該像素結(jié)構(gòu)的液晶面板的透過率。解決了現(xiàn)有技術(shù)中，由于公共電極與像素電極產(chǎn)生的邊緣電場分布不均，而使得透光不均的問題。具體的，如圖3所示，所述第一像素電極組2111由至少兩個(gè)子電極組成，所述第二公共電極組2112由至少兩個(gè)子電極組成，所述第一像素電極組2111與所述第一公共電極組2211對(duì)應(yīng)并加載第二控制電壓，所述第二公共電極組2112與所述第二像素電極組2212對(duì)應(yīng)并加載固定電壓。通過加載第二控制電壓與加載固定電壓，滿足了整個(gè)結(jié)構(gòu)的電壓需要。具體的，如圖3所示，所述像素結(jié)構(gòu)上設(shè)有用于控制所述第一像素電極組2111的加載電壓的第一薄膜晶體管TFT 24 ;所述像素結(jié)構(gòu)上還設(shè)有用于控制所述第二像素電極組2212的加載電壓的第二 TFT 25。應(yīng)用TFT的特性分別對(duì)第一像素電極組和第二像素電極組進(jìn)行控制，滿足了整個(gè)結(jié)構(gòu)的電壓需要。具體的，如圖4所示，所述第一薄膜晶體管TFT 24與第二 TFT 25結(jié)構(gòu)相同，包括TFT源電極241、TFT漏電極242、TFT柵電極243。進(jìn)ー步的，所述第一控制電壓與所述第二控制電壓電壓絕對(duì)值相同，電壓極性相反且頻率一致，所述固定電壓為0V。這樣，對(duì)第二控制電壓進(jìn)行取反就能得到第一控制電壓，在方便電壓控制的同時(shí)，加載ー個(gè)小電壓就能夠使第一像素電極組與第二像素電極組達(dá)到ー個(gè)電壓差，從而達(dá)到原有像素電極需要的高電壓的效果。例如，如果所述第二控制電壓為+IV電壓，只要把所述第二控制電壓電壓值進(jìn)行取反處理，即可得到-IV電壓，加載到所述第二像素電極組，形成第一控制電壓。優(yōu)選的，所述第一間隙2213與所述第二間隙2113上下對(duì)齊設(shè)置。這樣采用所述上下對(duì)齊設(shè)置，減小了所述第二電極與第一電極間的交疊面積，從而減小了所述第二電極與所述第一電極間的電容，則在改變所述第一控制電壓與第二控制電壓時(shí)速度更快，從而提聞了面板響應(yīng)時(shí)間。為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案，現(xiàn)就本實(shí)用新型又一實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說明。本實(shí)用新型又一實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)，如圖5所示，包括第一電極31、第二電極32，所述第二電極32與所述第一電極31之間設(shè)有絕緣層33，所述第二電極32與所述第一電極31配合產(chǎn)生邊緣電場。所述第二電極32包括多個(gè)第二電極組321，所述第二電極組321包括第一公共電極組3211與第二像素電極組3212，所述第一公共電極組3211與所述第二像素電極組3212 之間設(shè)有第一間隙3213，其中，所述第一公共電極組3211加載固定電壓，所述第二像素電極組3212加載第一控制電壓。所述第一電極31包括多個(gè)與所述第二電極組321對(duì)應(yīng)的第一電極組311，所述第一電極組311包括第一像素電極組3111與第二公共電極組3112，所述第一像素電極組3111與第二公共電極組3112之間設(shè)有第二間隙3113，所述第一像素電極組3111由兩個(gè)子電極組成，所述第二公共電極組3112由兩個(gè)子電極組成，所述第一像素電極組3111與所述第一公共電極組3211對(duì)應(yīng)并加載第二控制電壓，所述第二公共電極組3112與所述第二像素電極組3212對(duì)應(yīng)并加載固定電壓。在本實(shí)施例中，所述像素結(jié)構(gòu)上設(shè)有用于控制所述第一像素電極組3111的加載電壓的第一薄膜晶體管TFT34 ;所述像素結(jié)構(gòu)上還設(shè)有用于控制所述第二像素電極組3212的加載電壓的第二 TFT35。應(yīng)用TFT的特性分別對(duì)第一像素電極組和第二像素電極組進(jìn)行控制，滿足了整個(gè)結(jié)構(gòu)的電壓需要。進(jìn)ー步的，所述第一控制電壓與所述第二控制電壓電壓絕對(duì)值相同，電壓極性相反且頻率一致，所述固定電壓為0V。這樣，對(duì)第二控制電壓進(jìn)行取反就能得到第一控制電壓，在方便電壓控制的同時(shí)，加載ー個(gè)小電壓就能夠使第一像素電極組與第二像素電極組達(dá)到ー個(gè)電壓差，從而達(dá)到原有像素電極需要的高電壓的效果。在本實(shí)施例中，對(duì)上述像素結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)，如圖6所示，得到本實(shí)施例的電壓與透過率關(guān)系曲線402，與現(xiàn)有技術(shù)的電壓與透過率關(guān)系曲線401相比，本實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)可達(dá)到O. 168的透過率，而現(xiàn)有技術(shù)的透過率為O. 159，可知改進(jìn)像素的透過率提高了，并且，在到達(dá)最大透過率的情況下，本實(shí)施例第一電極加載電壓Vl = 4. 8V，比現(xiàn)有技術(shù)像素電極加載電壓V2 = 6. 8V低。進(jìn)ー步的，所述第一間隙3213與所述第二間隙3113上下對(duì)齊設(shè)置。這樣采用所述上下對(duì)齊設(shè)置，減小了所述第二電極與第一電極間的交疊面積，從而減小了所述第二電極與所述第一電極間的電容，則在改變所述第一控制電壓與第二控制電壓時(shí)速度更快，從而提高了面板響應(yīng)時(shí)間。在本實(shí)施例中，對(duì)上述像素結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)，如圖7所示，得到本實(shí)施例的響應(yīng)時(shí)間與透過率百分比關(guān)系曲線502，與現(xiàn)有技術(shù)的響應(yīng)時(shí)間與透過率百分比關(guān)系曲線501相比，在各自最大透過率對(duì)應(yīng)的電壓下進(jìn)行RT響應(yīng)時(shí)間模擬得出黑白響應(yīng)時(shí)間，501曲線Tr = 22. 3ms, Tf = 11. 8ms, T = Tr+Tf = 34. Ims ；502 曲線T，r = 9. 9ms，T，f = 19. lms,T’ = T’ r+T’ f = 29ms。由T’ < T可以看出本實(shí)施例的響應(yīng)速度優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)。其中，Tr為現(xiàn)有技術(shù)中透過率百分比從10%到90%所需的響應(yīng)時(shí)間；Tf為現(xiàn)有技術(shù)中透過率百分比從90%到10%所需的響應(yīng)時(shí)間；T’ r為本實(shí)施例中透過率百分比從10%到90%所需的響應(yīng)時(shí)間；T’ f為本實(shí)施例中透過率百分比從90%到10%所需的響應(yīng)時(shí)間。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)包括第二電極和第一電極，其中，第二電極包括多個(gè)第二電極組，第二電極組包括第一公共電極組與第二像素電極組，第一公共電極組加載有固定電壓、第二像素電極組加載有第一控制電壓；第一電極包括多個(gè)與第二電極組對(duì)應(yīng)的第一電極組，第一電極組包括第一像素電極組以及第ニ公共電極組，第一像素電極組與第一公共電極組對(duì)應(yīng)并加載有第二控制電壓，第二公共電極組與所述第ニ像素電極組對(duì)應(yīng)并加載固定電壓，并且第 一像素電極組與第二公共電極組均由兩個(gè)子電極組成，這種結(jié)構(gòu)使得第二電極與第一電極配合產(chǎn)生的邊緣電場中分布有水平電場，使得邊緣電場分布均勻，從而使得使用該像素結(jié)構(gòu)的液晶面板的透過率。解決了現(xiàn)有技術(shù)中，由于公共電極與像素電極產(chǎn)生的邊緣電場分布不均，而使得透光不均得問題。本實(shí)用新型另ー實(shí)施例提供了ー種液晶面板，如圖8所示，包括彩膜基板61、陣列基板62以及設(shè)置在所述彩膜基板與所述陣列基板之間的液晶層63，所述陣列基板62包括多個(gè)上述的像素結(jié)構(gòu)64。所述像素結(jié)構(gòu)64與圖2實(shí)施例中相同，此處不再贅述。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的液晶面板，所述陣列基板上的像素結(jié)構(gòu)包括第二電極和第一電極，其中，第二電極包括多個(gè)第二電極組，第二電極組包括第一公共電極組與第二像素電極組，第一公共電極組加載有固定電壓、第二像素電極組加載有第一控制電壓；第一電極包括多個(gè)與第二電極組對(duì)應(yīng)的第一電極組，第一電極組包括第一像素電極組以及第ニ公共電極組，這種結(jié)構(gòu)使得第二電極與第一電極配合產(chǎn)生的邊緣電場中分布有水平電場，使得邊緣電場分布均勻，從而使得使用該像素結(jié)構(gòu)的液晶面板的透過率。解決了現(xiàn)有技術(shù)中，由于公共電極與像素電極產(chǎn)生的邊緣電場分布不均，而使得透光不均得問題。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.ー種像素結(jié)構(gòu),包括第一電極、第二電極,所述第二電極與所述第一電極之間設(shè)有絕緣層，所述第二電極與所述第一電極配合產(chǎn)生邊緣電場，其特征在干， 所述第二電極包括多個(gè)第二電極組，所述第二電極組包括第一公共電極組與第二像素電極組，所述第一公共電極組與所述第二像素電極組之間設(shè)有第一間隙，其中，所述第一公共電極組加載固定電壓，所述第二像素電極組加載第一控制電壓； 所述第一電極包括多個(gè)與所述第二電極組對(duì)應(yīng)的第一電極組，所述第一電極組包括第一像素電極組與第二公共電極組，所述第一像素電極組與第二公共電極組之間設(shè)有第二間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一像素電極組由至少兩個(gè)子電極組成，所述第二公共電極組由至少兩個(gè)子電極組成，所述第一像素電極組與所述第一公共電極組對(duì)應(yīng)并加載第二控制電壓，所述第二公共電極組與所述第二像素電極組對(duì)應(yīng)并加載固定電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)上設(shè)有用于控制所述第一像素電極組的加載電壓的第一薄膜晶體管TFT ;所述像素結(jié)構(gòu)上還設(shè)有用于控制所述第二像素電極組的加載電壓的第二 TFT。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在干，所述第一控制電壓與所述第二控制電壓的電壓絕對(duì)值相同、電壓極性相反且頻率一致，所述固定電壓為0V。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一間隙與所述第二間隙上下對(duì)齊設(shè)置。
6.ー種液晶面板，包括彩膜基板、陣列基板以及設(shè)置在所述彩膜基板與所述陣列基板之v間的液晶層，其特征在于，所述陣列基板包括多個(gè)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種像素結(jié)構(gòu)及液晶面板，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決了像素結(jié)構(gòu)中透光不均的問題。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)，包括第一電極、第二電極，所述第二電極包括多個(gè)第二電極組，所述第二電極組包括加載固定電壓的第一公共電極組與加載第一控制電壓的第二像素電極組；所述第一電極包括多個(gè)第一電極組，所述第一電極組包括與第一公共電極組對(duì)應(yīng)并加載第二控制電壓的第一像素電極組和與第二像素電極組對(duì)應(yīng)并加載固定電壓的第二公共電極組，所述第一像素電極組與第二公共電極組分別由至少兩個(gè)子電極組成。本實(shí)用新型可以應(yīng)用在顯示技術(shù)領(lǐng)域中，如液晶顯示器中。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK202443224SQ201120478218
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月25日
發(fā)明者占紅明, 林麗鋒, 王永燦, 陳化黨 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司