專利名稱：透明導(dǎo)電元件、輸入裝置及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及透明導(dǎo)電元件、輸入裝置及顯示裝置。具體地，本發(fā)明涉及具有防反射功能的透明導(dǎo)電元件。
背景技術(shù)：
在諸如電子紙的顯示裝置和諸如觸摸屏的輸入裝置中，使用其中在基板的平坦表面上形成透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電元件。對于在該透明導(dǎo)電元件中使用的透明導(dǎo)電層的材料，使用折射率為約2. O的高折射率材料(例如，ITO (銦錫氧化物))。因此，反射率較高是由透明導(dǎo)電層的厚度所決定的，并且有時會降低顯示裝置和輸入裝置的質(zhì)量。
傳統(tǒng)上，為了改善透明導(dǎo)電元件的透射特性，使用了形成光學(xué)多層膜的技術(shù)。例如，在日本未審查專利申請公開第2003-136625號中，提出了用于觸摸屏的透明導(dǎo)電元件，其中，在基板和透明導(dǎo)電膜之間設(shè)置有光學(xué)多層膜。該光學(xué)多層膜通過順次層疊具有不同折射率的多個介電膜而形成。然而，根據(jù)該技術(shù)，光學(xué)調(diào)整功能變得具有波長依賴性。這里，光學(xué)調(diào)整功能是指關(guān)于透射特性和/或反射特性的光學(xué)調(diào)整功能。此外，近年來，由于在各種顯示裝置和輸入裝置中使用透明導(dǎo)電元件，因此需要優(yōu)良的電可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題因此，本發(fā)明的目標(biāo)在于提供具有更小的波長依賴性、具有可視度良好的光學(xué)調(diào)整功能并具有優(yōu)良的電可靠性的透明導(dǎo)電元件、輸入裝置和顯示裝置。技術(shù)方案本發(fā)明提供了一種透明導(dǎo)電元件，包括設(shè)置有平均波長小于或等于可見光波長的波面的光學(xué)層；以及透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層在波面上形成為跟隨波面的形狀，其中，當(dāng)波面的平均波長為λ m且波面的振動的平均幅度為Am時，比例(Am/ λ m)為O. 2以上且I. O以下，波面的斜面的平均角度在30°以上且60°以下的范圍內(nèi)，當(dāng)波面的最高位置的透明導(dǎo)電層的厚度為Dl并且波面的最低位置的透明導(dǎo)電層的厚度為D3時，比例D3/D1在O. 8以下的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的透明導(dǎo)電元件適于應(yīng)用于輸入裝置和顯示裝置。在本發(fā)明中，諸如橢圓、圓形(圓形(round))、球形以及橢球形的形狀不僅包括數(shù)學(xué)上定義的完全的橢圓、圓形、球形和橢球形，還包括具有某種程度形變的橢圓、圓形、球形和橢球形。在本發(fā)明中，光學(xué)層的波面優(yōu)選地通過在基板表面上排列多個結(jié)構(gòu)體來形成。結(jié)構(gòu)體優(yōu)選地具有凸形或凹形，并優(yōu)選地排列成特定格子狀。對于格子狀，優(yōu)選地使用四方格子狀或準(zhǔn)四方格子狀、或者六方格子狀或準(zhǔn)六方格子狀。
在本發(fā)明中，同一軌跡中的結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距Pl優(yōu)選地大于兩個相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距P2。這樣，可以提高具有橢圓錐或橢圓錐臺狀的結(jié)構(gòu)體的填充率，因此可以改善光學(xué)調(diào)整功能。在本發(fā)明中，當(dāng)各結(jié)構(gòu)體在基板表面上形成六方格子狀圖案或準(zhǔn)六方格子狀圖案時，在同一軌跡中的結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pi并且兩個相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為P2時，比例P1/P2優(yōu)選地滿足關(guān)系I. 00 ( P1/P2彡I. I或I. 00<P1/P2彡I. I。在這種數(shù)值范圍中，可以提高具有橢圓錐或橢圓錐臺狀的結(jié)構(gòu)體的填充率，因此可以改善光學(xué)調(diào)整功能。在本發(fā)明中，當(dāng)各結(jié)構(gòu)體形成六方格子狀圖案或準(zhǔn)六方格子狀圖案時，每個結(jié)構(gòu)體優(yōu)選地具有中心部分的傾斜形成為比頂部或底部的傾斜更陡峭并且長軸方向在軌跡延伸方向的橢圓錐或橢圓錐臺狀。根據(jù)這種形狀，可以改善反射特性和透射特性的光學(xué)調(diào)整功能。 在本發(fā)明中，當(dāng)各結(jié)構(gòu)體形成六方格子狀圖案或準(zhǔn)六方格子狀圖案時，結(jié)構(gòu)體在軌跡延伸方向上的高度或深度優(yōu)選地小于結(jié)構(gòu)體在軌跡的排列方向上的高度或深度。當(dāng)不滿足這種關(guān)系時，需要增大軌跡延伸方向上的配置節(jié)距，因此減小了軌跡延伸方向上結(jié)構(gòu)體的填充率。填充率的減小導(dǎo)致反射特性的退化。在本發(fā)明中，當(dāng)結(jié)構(gòu)體在基板表面上形成四方圖案或準(zhǔn)四方圖案時，同一軌跡中的結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距Pl優(yōu)選地大于兩個相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距P2。這樣，可以提高具有橢圓錐或橢圓錐臺狀的結(jié)構(gòu)體的填充率，因此可以改善光學(xué)調(diào)整功能。在結(jié)構(gòu)體在基板表面上形成四方圖案或準(zhǔn)四方圖案的情況下，當(dāng)同一軌跡中的結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pl且兩個相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為P2時，比例P1/P2優(yōu)選地滿足關(guān)系I. 4<P1/P2 ( I. 5。在這種數(shù)值范圍中，可以提高具有橢圓錐或橢圓錐臺狀的結(jié)構(gòu)體的填充率，因此可以改善光學(xué)調(diào)整功能。當(dāng)結(jié)構(gòu)體在基板表面上形成四方圖案或準(zhǔn)四方圖案時，每個結(jié)構(gòu)體優(yōu)選地具有其中長軸方向在軌跡延伸方向并且中心部分的傾斜被形成為比頂部或底部的傾斜更陡峭的橢圓錐或橢圓錐臺狀。根據(jù)這種形狀，可以改善反射特性和透射特性的光學(xué)調(diào)整功能。當(dāng)結(jié)構(gòu)體在基板表面上形成四方圖案或準(zhǔn)四方圖案時，結(jié)構(gòu)體在相對于軌跡為45°方向或大約45°方向的高度或深度優(yōu)選地小于結(jié)構(gòu)體在軌跡排列方向上的高度或深度。當(dāng)不滿足該關(guān)系時，需要增大相對于軌跡為45°方向或大約45°方向上的配置節(jié)距，因此減小了相對于軌跡為45°方向或大約45°方向上的填充率。填充率的減小導(dǎo)致了反射特性的退化。在本發(fā)明中，以微細節(jié)距形成在基板表面上的許多結(jié)構(gòu)體優(yōu)選地形成多行軌跡以及在三個相鄰軌跡之間形成六方格子狀圖案、準(zhǔn)六方格子狀圖案、四方圖案、或準(zhǔn)四方圖案。這樣，可以增大表面上的結(jié)構(gòu)體的填充密度，因此可以獲得具有可見光的反射和透射特性的增強光學(xué)調(diào)整功能的光學(xué)元件。在本發(fā)明中，優(yōu)選地通過使用組合有光盤的母版制造工藝和蝕刻工藝的方法來制造光學(xué)元件?？梢愿咝У卦诙虝r間內(nèi)制造用于制造光學(xué)元件的母版，因此可以提高光學(xué)元件的生產(chǎn)率。在本發(fā)明中，由于在具有小于或等于可見光波長的平均波長的波面上形成具有特定圖案并跟隨波面的形狀的透明導(dǎo)電層，因此可以獲得具有小波長依賴性和良好的可視性的光學(xué)調(diào)整功能。此外，由于波面的斜面的平均角度在30°以上且60°以下的范圍內(nèi)，因此可以獲得良好的電可靠性。有益效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)具有小波長依賴性、良好可視性的良好的光學(xué)調(diào)整功能以及良好的電可靠性的透明導(dǎo)電元件。


圖IA是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造示例的截面圖。圖IB是以放大方式示出圖IA中示出的第一區(qū)域Rl的放大截面圖。圖IC是以放大方式示出圖IA中示出的第二區(qū)域R2的放大截面圖。圖2A是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的另一示例的截面圖。圖2B是以放大方式示出圖2A中示出的第一區(qū)域Rl的放大截面圖。圖2C是以放大方式示出圖2A中示出的第二區(qū)域R2的放大截面圖。圖3A是示出其上形成有多個結(jié)構(gòu)體的光學(xué)層表面的一個示例的平面圖。圖3B是以放大方式示出圖3A中示出的光學(xué)層表面的一部分的平面圖。圖3C是以放大方式示出圖3A中示出的光學(xué)層表面的一部分的透視圖。圖4是說明用于在結(jié)構(gòu)體的邊界不清楚時設(shè)置結(jié)構(gòu)體底面的方法的示意圖。圖5A是用于說明透明導(dǎo)電層的表面輪廓的示例的放大截面圖。圖5B是用于說明形成在凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)體上的透明導(dǎo)電層的厚度的放大截面圖。圖6A是示出輥形母版的構(gòu)造的一個示例的透視圖。圖6B是以放大的方式示出圖6A中示出的輥形母版的一部分的平面圖。圖6C是沿圖6B中的軌跡T截取的截面圖。圖7是示出輥形母版曝光裝置的構(gòu)造的一個示例的示意圖。圖8A至圖8D是用于說明用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的透明導(dǎo)電元件的方法的一個示例的步驟圖。圖9A至圖9D是用于說明用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的透明導(dǎo)電元件的方法的一個示例的步驟圖。圖IOA是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的透明導(dǎo)電元件的光學(xué)層表面的一個示例的平面圖。圖IOB是以放大的方式示出圖IOA中示出的光學(xué)層表面的一部分的平面圖。圖IlA是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖IlB是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的透明導(dǎo)電元件的光學(xué)層表面的一個示例的平面圖。圖IlC是以放大的方式示出圖IlB中示出的光學(xué)層表面的一部分的平面圖。圖12A是示出根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖12B是以放大的方式示出圖12A中示出的透明導(dǎo)電元件的一部分的放大截面圖。圖12C是示出根據(jù)第四實施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的另一示例的截面圖。圖12D是以放大的方式示出圖12C中示出的透明導(dǎo)電元件的一部分的放大截面圖。圖13A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖13B是以放大的方式示出圖13A中示出的區(qū)域Al和區(qū)域A2的放大截面圖。
圖14A是以另一放大的方式示出圖13A中示出的區(qū)域A1的放大截面圖。圖14B是以另一放大的方式示出圖13A中示出的區(qū)域A2的放大截面圖。圖15A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造的一個示例的分解透視圖。圖15B是用于說明在根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的信息輸入裝置中設(shè)置的第一透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的一個示例的分解透視圖。圖16A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖16B是以放大的方式示出圖16A中示出的信息輸入裝置的一部分的放大截面圖。圖17A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖17B是以放大的方式示出與其上形成有透明導(dǎo)電層的波面相對的區(qū)域的截面圖。圖17C是以放大的方式示出與其上未形成有透明導(dǎo)電層的暴露的波面相對的區(qū)域的截面圖。圖18A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造示例的分解透視圖。圖18B是用于說明根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的信息輸入裝置中包括的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的一個示例的分解透視圖。圖19A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第八實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖19B是以放大的方式示出圖19A中示出的信息輸入裝置的一部分的放大截面圖。圖20是用于說明根據(jù)本發(fā)明第九實施方式的液晶顯示裝置的構(gòu)造示例的截面圖。圖21A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第十實施方式的信息顯示裝置的構(gòu)造的一個示例的透視圖。圖21B是以放大的方式示出其上形成有透明導(dǎo)電層的波面彼此相對的區(qū)域的截面圖。
圖21C是以放大的方式示出沒有透明導(dǎo)電層的暴露波面彼此相對的區(qū)域的截面圖。圖22A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第十一實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖22B是以放大的方式示出其上形成有透明導(dǎo)電層的波面彼此相對的區(qū)域的截面圖。圖22C是以放大的方式示出其上未形成有透明導(dǎo)電層的暴露波面彼此相對的區(qū)域的截面圖。圖23A是示出樣本1-1至1_3的基板表面上布置的多個結(jié)構(gòu)體的平面圖。圖23B是示出樣本1-1至1-3的透明導(dǎo)電元件的反射光譜的曲線圖。
圖24是示出樣本2-1至2-3的透明導(dǎo)電元件的透射光譜的測量結(jié)果的曲線圖。圖25A是示出樣本3-1至3_3的透明導(dǎo)電元件的反射光譜的曲線圖。圖25B是樣本3-1至3_3的透明導(dǎo)電元件的透射光譜的曲線圖。圖26是示出樣本4-1至4-4的透明導(dǎo)電元件的反射光譜的曲線圖。圖27是示出樣本6-1和6-2以及樣本6_3和6_4的透明導(dǎo)電元件的反射率的差A(yù)R的曲線圖。圖28A是示出樣本7-1的透明導(dǎo)電元件的反射光譜的曲線圖。圖28B是示出樣本7-2的透明導(dǎo)電元件的反射光譜的曲線圖。圖28C是示出樣本7-3的透明導(dǎo)電元件的反射光譜的曲線圖。圖29A是示出樣本7-2的透明導(dǎo)電層的厚度Dl、D2和D3的截面圖。圖29B是示出樣本7-3的透明導(dǎo)電層的厚度Dl、D2和D3的截面圖。圖30是示出樣本9-1至10-5的透明導(dǎo)電片的表面電阻值的測量結(jié)果的曲線圖。
具體實施例方式將通過參照附圖以以下順序描述本發(fā)明的實施方式。值得注意的是，在下面的實施方式的所有附圖中，相同或相應(yīng)的部件被賦予相同的參考標(biāo)號。I.第一實施方式(結(jié)構(gòu)體排列成六方格子狀的透明導(dǎo)電元件的示例)2.第二實施方式(結(jié)構(gòu)體排列成四方格子狀的透明導(dǎo)電元件的示例)3.第三實施方式(結(jié)構(gòu)體隨機排列的透明導(dǎo)電元件的示例)4.第四實施方式(透明導(dǎo)電層連續(xù)形成在整個波面上的透明導(dǎo)電元件的示例)5.第五實施方式(透明導(dǎo)電元件到信息輸入裝置的第一應(yīng)用示例)6.第六實施方式(透明導(dǎo)電元件到信息輸入裝置的第二應(yīng)用示例)7.第七實施方式(透明導(dǎo)電元件到信息輸入裝置的第三應(yīng)用示例)8.第八實施方式(透明導(dǎo)電元件到信息輸入裝置的第四應(yīng)用示例)9.第九實施方式(透明導(dǎo)電元件到信息顯示裝置的第一應(yīng)用示例)10.第十實施方式(透明導(dǎo)電元件到信息顯示裝置的第二應(yīng)用示例)11.第十一實施方式(透明導(dǎo)電元件到信息顯示裝置的第三應(yīng)用示例)〈I.第一實施方式〉本發(fā)明人已經(jīng)進行了深入研究，以解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題。結(jié)果，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)(I)通過以透明導(dǎo)電層跟隨波面的形狀的方式在具有平均波長小于或等于可見光波長的波面的光學(xué)層上形成透明導(dǎo)電層，可以實現(xiàn)具有較小的波長依賴性的光學(xué)調(diào)整功能，以及(2)通過將波面中的斜面的平均角度調(diào)整到在30°以上且60°以下的范圍內(nèi)，可以獲得良好的電可靠性。[透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造]圖IA是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖IB是以放大的方式示出圖IA中的第一區(qū)域R1的放大截面圖。圖IC是以放大的方式示出圖IA中的第二區(qū)域R2的放大截面圖。透明導(dǎo)電元件I包括在一個主面中具有波面Sw的光學(xué)層(第一光學(xué)層)2和在波面Sw上形成為跟隨波面Sw的形狀的透明導(dǎo)電層6。在光學(xué)層2的波面Sw中，其中形成有透明導(dǎo)電層6的第一區(qū)域R1和其中未形成有透明導(dǎo)電層6的第二區(qū)域R2交替設(shè)置，并且透明導(dǎo)電層6具有特定圖案 。此外，如果需要，如圖2A至圖2C所示，可以進一步設(shè)置形成在透明導(dǎo)電層6上的光學(xué)層(第二光學(xué)層)7，以使得透明導(dǎo)電層6的兩個主面分別被光學(xué)層2和光學(xué)層7覆蓋。透明導(dǎo)電元件I優(yōu)選地具有柔性。(光學(xué)層)例如，光學(xué)層2包括基板3以及形成在基板3的表面上的多個結(jié)構(gòu)體4。通過在基板3的表面上形成多個結(jié)構(gòu)體4來形成波面Sw。結(jié)構(gòu)體4和基板3例如分離地形成或形成為一體。當(dāng)結(jié)構(gòu)體4和基板3分離地形成時，根據(jù)需要，可以在結(jié)構(gòu)體4和基板3之間進一步設(shè)置基底層5?；讓?是在結(jié)構(gòu)體4的底面?zhèn)扰c結(jié)構(gòu)體4 一體形成的層，并通過固化與結(jié)構(gòu)體4類似的能量射線可硬化樹脂成分而制成。例如，光學(xué)層7包括基板3和設(shè)置在基板3和透明導(dǎo)電層6之間的粘合層8，并且基板3利用介于其之間的粘合層8粘合到透明導(dǎo)電層6上。光學(xué)層7不限于該示例，并且可以形成為諸如SiO2的陶瓷保護層(保護層)。波面Sw的振動的平均幅度Am與波面Sw的平均波長λ m的比例(Am/ λ m)優(yōu)選地在O. 2以上且1.0以下的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選地在O. 3以上且O. 8以下的范圍內(nèi)。當(dāng)比例(Am/ λ m)小于O. 2時,波面Sw的光學(xué)調(diào)整功能趨于退化。相反，在超過I. O的比例(Am/Am)時，電可靠性趨于退化。波面Sw的平均波長λ m優(yōu)選地小于或等于光學(xué)調(diào)整功能所針對的光的波長段。光學(xué)調(diào)整功能所針對的光的波長段例如是紫外線光的波長段、可見光的波長段、或者紅外線光的波長段。這里，紫外線光的波長段是指IOnm至360nm的波長段，可見光的波長段是指360nm至830nm的波長段，并且紅外線光的波長段是指830nm至Imm的波長段。具體地，波面Sw的平均波長λ m優(yōu)選地在140nm以上且300nm以下的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選地在150nm以上且270nm以下的范圍內(nèi)。當(dāng)波面Sw的振動的平均幅度Am小于140nm時，電特性趨于退化。相反，當(dāng)波面Sw的振動的平均幅度Am超過300nm時，可視性趨于降低。波面Sw的振動的平均幅度Am優(yōu)選地在28nm以上且300nm以下的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地在50nm以上且240nm以下的范圍內(nèi)，還更優(yōu)選地在80nm以上且240nm以下的范圍內(nèi)。當(dāng)波面Sw的振動的平均幅度Am小于28nm時,光學(xué)調(diào)整功能趨于退化。相反，當(dāng)波面Sw的振動的平均幅度Am超過300nm時，電特性趨于退化。這里，如下確定波面Sw的平均波長λ m、振動的平均幅度Am以及比例(Am/ λ m)。首先，在一個方向切割透明導(dǎo)電元件1，使得包括波面Sw的振動幅度最大的位置，并且用TEM (透射電子顯微鏡)拍攝該截面。然后，從已經(jīng)拍攝的TEM照片確定波面Sw的波長λ和振動幅度Α。在隨機選擇的透明導(dǎo)電元件I的10個位置重復(fù)進行該測量，并且對測量值進行簡單平均(算術(shù)平均)以確定波面Sw的平均波長λπι和振動的平均幅度Am。然后，通過使用平均波長λ m和振動的平均幅度Am來確定比例(Am/ λ m)。波面Sw中的斜面的平均角度優(yōu)選地在60°以下，更優(yōu)選地30°以上且60°以下的范圍內(nèi)。當(dāng)平均角度小于30°時，波面Sw的電可靠性趨于退化。相反，當(dāng)平均角度超過60°時，電可靠性趨于退化。此外，當(dāng)平均角度超過60°時，透明導(dǎo)電層6的蝕刻耐性趨于降低。如圖2A至圖2C所示，當(dāng)在透明導(dǎo)電層6上進一步形成光學(xué)層7時，其中形成有透明導(dǎo)電層6的第一區(qū)域R1的反射率Rl和其中沒有形成透明導(dǎo)電層6的第二區(qū)域R2的反射率R2之間的差Λ R(=R2 - Rl)優(yōu)選地在5%以下、更優(yōu)選地3%以下、進一步更優(yōu)選地1%以下的范圍內(nèi)。通過將反射率差A(yù)R調(diào)整為5%以下，可以抑制具有特定圖案的透明導(dǎo)電層6變得可視。 當(dāng)如圖IA至圖IC所示露出透明導(dǎo)電層6時，透明導(dǎo)電元件I的兩個主面中的光學(xué)層2側(cè)主面的透射色調(diào)在LiW顏色空間中優(yōu)選地為|a*| ( 10且|b*| ( 10，更優(yōu)選地，
a*|彡5且|b*| ( 5，進一步更優(yōu)選地，a*|彡3且|b*| ( 3。當(dāng)透射色調(diào)為|a*|彡10且b*| ^ 10時，可以進一步提高可視性。如圖2A至圖2C所示，當(dāng)在透明導(dǎo)電層6上進一步形成光學(xué)層7時，透明導(dǎo)電元件I的兩個主面中的光學(xué)層2側(cè)主面的透射色調(diào)在LU*顏色空間中優(yōu)選地為|a*| <5且
b*| ( 5，更優(yōu)選地al彡3且|b*| ( 3，進一步更優(yōu)選地Ial彡2且|b*| ( 2。當(dāng)透射色調(diào)為a* ( 5and|b* ( 5時，可以提高可視性。如圖IA至圖IC所示，當(dāng)露出透明導(dǎo)電層6時，透明導(dǎo)電元件I的兩個主面中透明導(dǎo)電層6側(cè)主面的反射色調(diào)在LW顏色空間中優(yōu)選地為|a*| ( 10且|b*| ( 10。當(dāng)反射色調(diào)為Ial彡10且|b*I ( 10時，可以提高可視性。如圖2A至圖2C所示，當(dāng)在透明導(dǎo)電層6上進一步形成光學(xué)層7時，透明導(dǎo)電元件I的兩個主面中透明導(dǎo)電層6側(cè)主面的反射色調(diào)在LW顏色空間中優(yōu)選地為|a1 ( 10且
b*| ( 10，更優(yōu)選地|a*|彡5且|b*| ( 5，進一步更優(yōu)選地|a*|彡3且|b*| ( 3。當(dāng)反射色調(diào)為Ial彡10且Ib*I ( 10時，可以提高可視性。(基板)基板3和8例如是具有透明度的透明基板。對于基板3和8的材料,例如,可以指定具有透明度的塑料材料和主要由玻璃等組成的材料。然而，材料并不特定地局限于這種材料。對于玻璃，例如是鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硬質(zhì)玻璃、石英玻璃、液晶玻璃等(參照由日本的化學(xué)會編輯的〃Kagaku Binran-Kiso-hen (Chemistry Handbook, Basics) ",p. 1-537)。對于塑料材料，從諸如透明度、折射率和擴散性的光學(xué)特性以及諸如耐沖擊性、耐熱性、耐久性的各種特性的角度來看，優(yōu)選為以下諸如聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯和另一(甲基)丙烯酸酯或諸如苯乙烯的乙烯基單體的共聚物；諸如聚碳酸酯和乙二醇二烯丙基碳酸酯(CR-39)的聚碳酸酯基樹脂；諸如二(甲基)丙烯酸酯(溴)雙酚A和聚合物的均聚物和共聚物以及(溴)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯的聚氨酯改性單體的共聚物的熱塑性(甲基)丙烯酸樹脂；以及聚酯，具體地，聚對苯二甲酸乙二醇、聚乙烯萘以及不飽和聚酯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚氨酯、環(huán)氧樹脂、聚芳酯、聚醚砜、聚醚酮、環(huán)烯烴聚合物(商標(biāo)名=ARTON和ZE0N0R)以及環(huán)烯烴共聚物。此外，考慮到耐熱性，使用芳香族聚酰胺基樹脂也是可行的。當(dāng)使用塑料材料作為基板3和8時，可以設(shè)置底涂層作為表面處理，以提高塑料表面的表面能量、涂覆性、滑動性以及平坦度。對于底涂層，例如，可以指定烷氧基有機金屬化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯、聚氨酯等。此外，為了獲得與底涂層的設(shè)置類似的效果，可以在基板3和8的表面上進行電暈放電和/或紫外線照射處理。當(dāng)基板3和8是塑料膜時，例如，可以通過將上述樹脂拉伸或在溶劑中稀釋樹脂、從其形成膜并干燥膜的方法來獲得基板3和8。然而，基板3和8的厚度優(yōu)選地根據(jù)導(dǎo)電元件211的用途來適當(dāng)?shù)剡x擇，并且例如大約為25 μ m至500 μ m。對于基板3和8的形狀，例如，可以指定片形、板形塊形，然而，該形狀并不特定地局限于此。這里，將片定義為包括膜。 (結(jié)構(gòu)體)圖3A是示出其上形成有多個結(jié)構(gòu)體的光學(xué)層表面的一個示例的平面圖。圖3B是以放大的方式示出圖3A中示出的光學(xué)層表面的一部分的平面圖。圖3C是以放大的方式示出圖3A中示出的光學(xué)層表面的一部分的透視圖。在下文中，透明導(dǎo)電元件I的主面的平面中彼此正交的兩個方向分別稱為X軸方向和Y軸方向，并且與主面垂直的方向稱為Z軸方向。結(jié)構(gòu)體4例如相對于基板3的表面具有凸形或凹形，并且相對于基板3的表面二維排列。優(yōu)選地，結(jié)構(gòu)體4以小于或等于減少反射所針對的光的波長段的短平均配置節(jié)距周期性地二維排列。多個結(jié)構(gòu)體4具有其中多行軌跡Tl、T2、T3….(以下統(tǒng)稱為“軌跡Τ”)形成在基板3的表面上的排列形式。在本發(fā)明中，軌跡是指其中結(jié)構(gòu)體4排列成一行。對于軌跡T的形狀，可以使用線性形狀、圓弧形等，并且具有這些形狀的軌跡T可以是擺動的(蜿蜒的)。當(dāng)軌跡T這樣擺動時，可以抑制外觀上不均勻的產(chǎn)生。在使得軌跡T擺動的情況下，基板3上的各個軌跡T的擺動優(yōu)選是同步的。換句話說，擺動優(yōu)選是同步擺動。當(dāng)擺動如此同步時，可以保持六方格子狀或準(zhǔn)六方格子狀的單位格子形狀，并且可以保持高的填充率。對于擺動軌跡T的波形，例如，可以指定正弦波、三角波等。擺動軌跡T的波形并不限于周期性波形并且可以是非周期性波形。例如，將擺動軌跡T的擺動幅度選擇為大約±10nm。例如，結(jié)構(gòu)體4排列在在兩個相鄰軌跡T之間偏移半個節(jié)距的位置。具體地，在兩個相鄰軌跡T之間，一個軌跡(例如，T2)的結(jié)構(gòu)體4排列在另一軌跡(例如，Tl)中的結(jié)構(gòu)體4的中間位置(偏移半個節(jié)距的位置)。結(jié)果，如圖3B所示，結(jié)構(gòu)體4排列為形成其中結(jié)構(gòu)體4的中心位于相鄰的三行軌跡(Tl至T3)中的各點al至a7的六方格子狀圖案或準(zhǔn)六方格子狀圖案。這里，六方格子狀指的是具有正六角形狀的格子狀。準(zhǔn)六方格子狀指的是不同于具有正六角形狀的格子狀的具有變形的正六角形狀的格子狀。例如，當(dāng)結(jié)構(gòu)體4線性排列時，準(zhǔn)六方格子狀是指通過在直線狀的配置方向(軌跡方向)上拉伸具有正六角形狀的格子狀而變形獲得的六方格子狀。當(dāng)結(jié)構(gòu)體4以蜿蜒方式排列時，準(zhǔn)六方格子狀指的是其中通過結(jié)構(gòu)體4的蜿蜒排列使具有正六邊形形狀的格子狀變形的六方格子狀、或者其中通過在直線狀的配置方向(軌跡方向)上拉伸并且通過蜿蜒排列結(jié)構(gòu)體4而使正六方格子狀變形的六方格子狀。在結(jié)構(gòu)體4排列為形成準(zhǔn)六方格子狀圖案的情況下，如圖3B所示，同一軌跡(例如，Tl)中的結(jié)構(gòu)體4的配置節(jié)距Pl (例如，al和a2之間的距離)優(yōu)選地大于兩個相鄰軌跡(例如，Tl和T2)之間的結(jié)構(gòu)體4的配置節(jié)距，S卩，在相對于軌跡延伸方向的土 Θ方向上的結(jié)構(gòu)體4的配置節(jié)距P2 (例如，al至a7之間以及a2至a7之間的距離)。當(dāng)結(jié)構(gòu)體4如此排列時，可以進一步提高結(jié)構(gòu)體4的填充密度。對于結(jié)構(gòu)體4的具體形狀，例如，可以指定錐狀、柱狀、針狀、半球狀、半橢圓體狀、多邊形狀，但是該形狀不限于這些形狀，并且可以采用其他形狀。對于錐狀，例如，可以指定頂部尖的錐狀、頂部平坦的錐狀以及在頂部具有凸曲面或凹曲面的錐狀，并且從電可靠性 的角度來看，在頂部具有凸曲面的錐狀是優(yōu)選的，然而，該形狀不限于這些形狀。對于在頂 部具有凸曲面的錐狀，可以指定諸如拋物線形狀的二次曲面形狀。錐狀的圓錐面可以以凸?fàn)钚问交虬紶钚问綇澢．?dāng)使用以下描述的輥形母版曝光裝置(參照圖7)來制造輥形母版時，優(yōu)選地，可以采用在頂部具有凸曲面的橢圓錐狀或者頂部平坦的橢圓錐臺形作為結(jié)構(gòu)體4的形狀，并且形成其底面的橢圓的長軸方向與軌跡T的延伸方向一致。從提高光學(xué)調(diào)整功能的角度，頂部的傾斜平緩并且從中央部分朝向底部逐漸變陡的錐狀是優(yōu)選的。然而，從提高反射特性和透射特性的光學(xué)調(diào)整功能的角度，其中中央部分的傾斜比底部和頂部的傾斜更陡的錐狀或者具有平坦的頂部的錐狀是優(yōu)選的。當(dāng)結(jié)構(gòu)體4具有橢圓錐狀或橢圓錐臺狀時，底面的長軸方向優(yōu)選地與軌跡的延伸方向平行。在底部的周緣部，結(jié)構(gòu)體4優(yōu)選地具有其高度在從頂部到下部的方向上逐漸減小的曲面部4b。這是因為，在透明導(dǎo)電元件I的制造過程中，透明導(dǎo)電元件I能夠容易地從母版等分離。值得注意的是，曲面部4b可以設(shè)置在結(jié)構(gòu)體4的周緣部的一部分中；然而，從提高上述分離特性的角度，優(yōu)選地，曲面部4b設(shè)置在結(jié)構(gòu)體4的周緣部的所有部分中。突出部4a優(yōu)選地設(shè)置在結(jié)構(gòu)體4的周圍的一部分或所有部分中。這是因為，即使在結(jié)構(gòu)體4的填充率很低時，也可以抑制反射率。從易于形成的角度，突出部4a優(yōu)選地設(shè)置在相鄰的結(jié)構(gòu)體4之間?？蛇x地，可以使結(jié)構(gòu)體4的周圍的一部分或所有部分變得不平滑，以形成微細的凹凸。具體地，例如，可以使相鄰結(jié)構(gòu)體4之間的表面變得不平滑，以形成微細的凹凸。此外，可以在結(jié)構(gòu)體4的表面(例如，頂部)形成微小的孔穴。在圖3B和圖3C中，各結(jié)構(gòu)體4具有相同的大小、形狀和高度；然而，結(jié)構(gòu)體4的形狀不限于此并且可以在基板表面上形成具有兩種以上大小、形狀和高度的結(jié)構(gòu)體4。結(jié)構(gòu)體4在軌跡延伸方向上的高度Hl優(yōu)選地小于結(jié)構(gòu)體4在軌跡排列方向上的高度H2。換句話說，結(jié)構(gòu)體4的高度Hl和H2優(yōu)選地滿足H1〈H2的關(guān)系。這是因為，當(dāng)結(jié)構(gòu)體4排列為滿足Hl ^ H2的關(guān)系時，軌跡延伸方向上的配置節(jié)距Pl需要變得更長，并且軌跡延伸方向上的結(jié)構(gòu)體4的填充率將減小。填充率的這種減小將導(dǎo)致光學(xué)調(diào)整功能的退化。值得注意的是，結(jié)構(gòu)體4的縱橫比不需要相同，并且各結(jié)構(gòu)體4可以設(shè)計為具有特定的高度分布。當(dāng)設(shè)置具有高度分布的結(jié)構(gòu)體4時，可以減小光學(xué)調(diào)整功能的波長依賴性。因此，可以實現(xiàn)具有良好的光學(xué)調(diào)整功能的透明導(dǎo)電元件I。
這里，高度分布是指在基板3的表面上形成具有兩個以上高度的結(jié)構(gòu)體4。例如，可以在基板3的表面上設(shè)置具有基準(zhǔn)高度的結(jié)構(gòu)體4和具有與這些結(jié)構(gòu)體4不同的高度的結(jié)構(gòu)體4。在該情況下，例如，具有與基準(zhǔn)不同的高度的結(jié)構(gòu)體4周期性地或者非周期性地(隨機)設(shè)置在基板3的表面上。對于周期性的方向，例如，可以指定軌跡延伸的方向、軌跡排列方向等。結(jié)構(gòu)體4的平均配置節(jié)距Pm、平均高度Hm以及縱橫比(平均高度或平均深度Hm/平均配置節(jié)距Pm)分別與波面Sw的平均波長λ m、振動的平均幅度Am和比例(振動的平均幅度Am/平均波長λ m)相同。當(dāng)同一軌跡中的結(jié)構(gòu)體4的配置節(jié)距為Pl并且相鄰的兩個軌跡之間的結(jié)構(gòu)體4的配置節(jié)距為P2時，比例P1/P2優(yōu)選地滿足關(guān)系I. 00 ( P1/P2 < I. I或I. 00<P1/P2 <1.1。在這種數(shù)值范圍中，可以提高具有橢圓錐或橢圓錐臺形狀的結(jié)構(gòu)體4的填充率，從而改善光學(xué)調(diào)整功能。
平坦部的面積S2與波面Sw的面積SI的比例Rs ( (S2/S1) X 100)優(yōu)選地在0%以上且50%以下、更優(yōu)選地0%以上且45%以下、進一步更優(yōu)選地0%以上且30%以下的范圍內(nèi)。當(dāng)面積比Rs為50%以下時，可以改善光學(xué)調(diào)整功能。這里，平坦部的面積S2與波面Sw的面積SI的比例Rs ( (S2/S1) X 100)為如下定義的值。首先，用掃描電子顯微鏡(SEM)以俯視的方式拍攝透明導(dǎo)電元件I的表面。然后，從拍攝的SEM照片任意選擇單位格子Uc，并且測量單位格子Uc的配置節(jié)距Pl和軌跡節(jié)距Tp (參照圖3B)。此外，通過圖像處理測量位于單位格子Uc的中心的結(jié)構(gòu)體4的底面積S(結(jié)構(gòu))。然后，使用測量出的配置節(jié)距PU軌跡節(jié)距Tp以及底面積S (結(jié)構(gòu))來根據(jù)以下式子確定比例R。比例R=[(S(格子)一S(結(jié)構(gòu))/S(格子)]X100單位格子面積S (格子)=Pl X 2Tp單位格子中存在的結(jié)構(gòu)體的底面積S (結(jié)構(gòu))=2S對從拍攝的SEM照片任意選擇的10個位置的單位格子Uc進行上述比例R的計算處理。然后，對測量值進行簡單平均(算術(shù)平均)，以確定比例R的平均比，并且將這假設(shè)為比例Rs。對于結(jié)構(gòu)體4重疊或者在結(jié)構(gòu)體4之間存在諸如突出部4的副結(jié)構(gòu)時的填充率，利用通過使用與結(jié)構(gòu)體4的高度的5%高度相對應(yīng)的部分作為閾值來確定面積比的方法，可以確定比例Rs。圖4是用于說明當(dāng)結(jié)構(gòu)體4的界限不清楚時比例Rs的計算方法的示圖。當(dāng)結(jié)構(gòu)體4的界限不清楚時，假設(shè)與結(jié)構(gòu)體4的高度h的5% ( = (d/h) X 100)相當(dāng)?shù)牟糠譃殚撝?，并且換算位于高度d處的結(jié)構(gòu)體4的半徑，以通過圖4中示出的橫截面SEM觀察來確定比例Rs。當(dāng)結(jié)構(gòu)體4的底部為橢圓形時，對長軸和短軸進行相同的處理。結(jié)構(gòu)體4優(yōu)選地以其下部彼此重疊的方式連接。具體地，相鄰關(guān)系的結(jié)構(gòu)體4的下部的部分或全部優(yōu)選地在軌跡方向、Θ方向或者軌跡方向和Θ方向兩者優(yōu)選地彼此重疊。當(dāng)結(jié)構(gòu)體4的下部彼此重疊時，可以提高結(jié)構(gòu)體4的填充率。在考慮折射率的光路長度的操作環(huán)境下，結(jié)構(gòu)體優(yōu)選地在光的波長段的最大值的1/4以下的部分中彼此重疊。
半徑2r與配置節(jié)距Pl的比例((2r/Pl) X 100)優(yōu)選地在85%以上、更優(yōu)選地90%以上、進一步更優(yōu)選地95%以上的范圍內(nèi)。這是因為，在這個范圍內(nèi)，可以提高結(jié)構(gòu)體4填充率，并且可以改善光學(xué)調(diào)整功能。當(dāng)比例((2r/Pl)X100)增大并且結(jié)構(gòu)體4的重疊變得過多時，光學(xué)調(diào)整功能趨于降低。因此，在考慮折射率的光路長度的操作環(huán)境中，優(yōu)選地將比例((2r/Pl) X100)的上限設(shè)置為使得結(jié)構(gòu)體在光的波長段的最大值的1/4以下的部分中彼此接合。這里，如圖3B所示，配置節(jié)距Pl是結(jié)構(gòu)體4的軌跡方向上的配置節(jié)距，并且如圖3B所示，半徑2r是結(jié)構(gòu)體底面的軌跡方向上的半徑。值的注意的是，當(dāng)結(jié)構(gòu)體底面為圓形時，半徑2r為直徑,而當(dāng)結(jié)構(gòu)體底面為橢圓時,半徑2r 為長軸。當(dāng)結(jié)構(gòu)體4形成準(zhǔn)六方格子狀圖案時，結(jié)構(gòu)體底面的橢圓率e優(yōu)選地為100%<e<150%以下。這是因為，在該范圍內(nèi)，可以提高結(jié)構(gòu)體4的填充率，并且可以獲得良好的光學(xué)調(diào)整功能。(透明導(dǎo)電層)圖5A是用于說明透明導(dǎo)電層的表面輪廓的示例的放大截面圖。透明導(dǎo)電層6具有彼此同步的第一波面Swl和第二波面Sw2。振動的平均幅度優(yōu)選地是第一波面Swl和第二波面Sw2之間不同。第一波面Swl的振動的平均幅度Al優(yōu)選地小于第二波面Sw2的振動的平均幅度A2。通過以使得包含振動幅度最大的位置的方式在一個方向切割第一波面Swl或第二波面Sw2所獲得的截面形狀，例如是三角波形、正弦波形、其中二次曲線形狀或二次曲線形狀的一部分重復(fù)的波形以及與這些接近的波形。對于二次曲線，可以指定圓形、橢圓、拋物線等。透明導(dǎo)電層6例如是有機透明導(dǎo)電層或無機透明導(dǎo)電層。有機透明導(dǎo)電層優(yōu)選地主要由導(dǎo)電聚合物或者碳納米管組成。對于導(dǎo)電聚合物，例如，可以使用諸如聚噻吩類、聚苯胺類以及聚吡咯類的導(dǎo)電聚合物材料的導(dǎo)電聚合物材料，并且優(yōu)選地使用聚噻吩類導(dǎo)電聚合物材料。對于聚噻吩類導(dǎo)電聚合物材料，優(yōu)選地使用其中PEDOT (聚乙烯二氧噻吩)摻雜有PSS (聚苯乙烯磺酸)的PED0T/PSS類材料。無機透明導(dǎo)電層優(yōu)選地主要由透明氧化物半導(dǎo)體組成。對于透明氧化物半導(dǎo)體，例如，可以使用諸如Sn02、InO2, ZnO和CdO的二元化合物；含有選自二元化合物的組成元素(即，Sn、In、Zn、和Cd)的至少一種元素的三元化合物以及多組分(復(fù)合)氧化物。透明氧化物半導(dǎo)體的具體示例包括例如，氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化鋅(ZnO)、鋁摻雜氧化鋅(AZO(Al2O3, ZnO))、SZ0、氟摻雜氧化錫(FT0)、氧化錫(Sn02)、鎵摻雜氧化鋅(GZO)以及氧化銦鋅(IZ0(In203，ZnO))。特別地，從高可靠性以及低電阻的角度，氧化銦錫(ITO)是優(yōu)選的。從改善導(dǎo)電性的角度，構(gòu)成無機透明導(dǎo)電層的材料優(yōu)選地為非晶和多晶的混合狀態(tài)。從生產(chǎn)率的角度，構(gòu)成透明導(dǎo)電層6的材料優(yōu)選地是一種主成分選自構(gòu)成導(dǎo)電聚合物、金屬納米粒子和碳納米管的組的至少一種。當(dāng)使用這些材料作為主要成分時，通過濕法涂覆可以容易地形成透明導(dǎo)電層6，而不用使用昂貴的真空系統(tǒng)等。圖5B是用于說明透明導(dǎo)電層的厚度的放大截面圖。如圖5B所示，當(dāng)位于結(jié)構(gòu)體4的頂部的透明導(dǎo)電層6的厚度為D1，位于結(jié)構(gòu)體4的斜面處的透明導(dǎo)電層6的厚度為D2，以及位于結(jié)構(gòu)體之間的透明導(dǎo)電層6的厚度為D3時，厚度Dl、D2、和D3優(yōu)選地滿足關(guān)系D1>D3，并且更優(yōu)選地，D1>D3>D2。結(jié)構(gòu)體之間的透明導(dǎo)電層6的厚度D3與位于結(jié)構(gòu)體的頂部的透明導(dǎo)電層6的厚度Dl的比例(D3/D1)優(yōu)選地在O. 8以下以及更優(yōu)選地O. 7以下的范圍內(nèi)。當(dāng)比例(D3/D1)為O. 8以下時，相比于比例(D3/D1)為I時，可以改善光學(xué)調(diào)整功能。因此，可以將其中形成有透明導(dǎo)電層6的第一區(qū)域R1和其中未形成有透明導(dǎo)電層6的第二區(qū)域R2之間的反射率的差A(yù)R降低。換句話說，可以抑制具有特定圖案的透明導(dǎo)電層6變得可視。位于結(jié)構(gòu)體4的頂部的透明導(dǎo)電層6的厚度D1、位于結(jié)構(gòu)體4的斜面處的透明導(dǎo)電層6的厚度D2以及結(jié)構(gòu)體之間的透明導(dǎo)電層6的厚度D3分別等于位于波面Sw最高的位置的透明導(dǎo)電層6的厚度D1、位于波面Sw的斜面處的透明導(dǎo)電層6的厚度D2以及位于波面Sw最低的位置處的透明導(dǎo)電層6的厚度D3。位于結(jié)構(gòu)體4的頂部的透明導(dǎo)電層6的厚度Dl優(yōu)選地在IOOnm以下、更優(yōu)選地IOnm以上且IOOnm以下、進一步更優(yōu)選地IOnm以上且80nm以下的范圍內(nèi)。超過了 IOOnm,可視性趨于降低。相反，小于IOnm時，電特性趨于降低。如下確定透明導(dǎo)電層6的厚度D1、D2和D3。 首先，在軌跡延伸的方向?qū)⑼该鲗?dǎo)電元件I切割為包括結(jié)構(gòu)體4的頂部，并且用TEM拍攝橫截面。然后，從拍攝的TEM照片，測量位于結(jié)構(gòu)體4的頂部的透明導(dǎo)電層6的厚度D1。然后，測量位于處于結(jié)構(gòu)體4的斜面的位置中為結(jié)構(gòu)體4的一半高度(H/2)的位置處的厚度D2。然后，測量結(jié)構(gòu)體之間的凹部中的位置中凹部的深度最大的位置處的厚度D3。值的注意的是，利用通過這樣確定的透明導(dǎo)電層的厚度Dl、D2和D3，可以確定透明導(dǎo)電層6的厚度Dl、D2和D3是否具有上述關(guān)系。透明導(dǎo)電層6的表面電阻優(yōu)選地在50Ω/ □以上且4000Ω/ □以下的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地，在50 Ω / □以上且500 Ω / □以下的范圍內(nèi)。這是因為，在這種范圍內(nèi)的表面電阻，可以使用透明導(dǎo)電元件I作為電容式觸摸屏的上電極或下電極。這里，通過四探針方法(JIS K 7194)來確定透明導(dǎo)電層6的表面電阻。透明導(dǎo)電層6的電阻優(yōu)選地為1Χ10_3Ω .cm以下。這是因為，上述表面電阻范圍可以以IX 10_3Ω · cm以下來實現(xiàn)。(粘合層)對于粘合層8，可以使用諸如丙烯類、橡膠類或硅類粘合劑的粘合劑，并且從透明度的立場來看，丙烯類粘合劑是優(yōu)選的。[輥形母版的構(gòu)造]圖6A是示出輥形母版的構(gòu)造的一個示例的透視圖。圖6B是以放大的方式示出圖6A中示出的輥形母版的一部分的平面圖。圖6C是沿圖6B中的軌跡T1，T3，...截取的截面圖。輥形母版11是用于制造具有上述構(gòu)造的透明導(dǎo)電元件I的母版，具體地，用于在上述基板表面上形成多個結(jié)構(gòu)體4的母版。輥形母版11具有例如圓筒狀或圓柱狀的形狀，并且圓柱面或圓筒面用作用于在基板表面上形成多個結(jié)構(gòu)體4的形成面。多個結(jié)構(gòu)體12 二維排列在形成面上。例如，結(jié)構(gòu)體12相對于形成面具有凹狀。對于輥形母版11的材料，例如可以使用玻璃，但是其材料不特別地限于該材料。排列在輥形母版11的形成面上的多個結(jié)構(gòu)體12以及排列在上述基板3的表面上的多個結(jié)構(gòu)體4是反轉(zhuǎn)的凹凸關(guān)系。換句話說，輥形母版11的結(jié)構(gòu)體12的形狀、排列、配置節(jié)距等與基板3的結(jié)構(gòu)體4的那些相同。[曝光裝置的構(gòu)造]圖7是示出用于制造輥形母版的輥形母版曝光裝置的構(gòu)造的一個示例的示意圖。該輥形母版曝光裝置基于光盤記錄系統(tǒng)來構(gòu)造。激光束光源21是用于對沉積在作為記錄介質(zhì)的輥形母版11的表面上的抗蝕劑進行曝光的光源，并且使例如用于記錄的波長為λ=266ηπι的激光束14振蕩。從激光束光源21發(fā)出的激光束14以平行光束直線傳播，并入射到電光元件(電光調(diào)制器(Ε0Μ))22。穿過電光兀件22的激光束14被平面鏡23反射,并被導(dǎo)向至調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25。平面鏡23由偏光分束器構(gòu)成，并具有反射一種偏光分量和透過另一種偏光分量的功能。透過平面鏡23的偏光分量被光電二極管24接收，并且通過基于該接收到的信號控制電光元件22來進行激光束14的相位調(diào)制。在調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25中，激光束14通過會聚透鏡26會聚在由玻璃(SiO2)等組成的 聲光元件(聲光調(diào)制器(AOM)) 27上。激光束14經(jīng)由聲光元件27進行強度調(diào)制和散射，然后通過透鏡28轉(zhuǎn)換成平行光束。從調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25發(fā)出的激光束14被平面鏡31反射，并以水平和平行的方式被導(dǎo)向移動光學(xué)臺32。移動光學(xué)臺32裝配有擴束器(BEX) 33和物鏡34。導(dǎo)向移動光學(xué)臺32的激光束14通過擴束器33被成形為期望的束形狀，然后通過物鏡34施加到輥形母版11上的抗蝕層上。輥形母版11放置在連接到主軸電機35的轉(zhuǎn)臺36上。然后，輥形母版11旋轉(zhuǎn)，并且同時在輥形母版11的高度方向移動激光束14時間歇地施加激光束14，以進行抗蝕劑層的曝光步驟。由此形成的潛像具有其長軸在圓周方向上的基本橢圓形。通過在箭頭R方向移動移動光學(xué)臺32來移動激光束14。曝光裝置裝配有控制機構(gòu)37，用于在抗蝕劑層上形成與圖3Β所示的六方格子狀或準(zhǔn)六方格子狀的二維圖案對應(yīng)的潛像?？刂茩C構(gòu)37裝配有格式化器29和驅(qū)動器30。格式化器29裝配有極性反轉(zhuǎn)單元，并且該極性反轉(zhuǎn)單元控制激光束14施加至抗蝕層上的定時。驅(qū)動器30基于來自極性反轉(zhuǎn)單元的輸出來控制聲光元件27。根據(jù)該輥形母版曝光裝置，通過將極性反轉(zhuǎn)格式器信號與每個軌跡的旋轉(zhuǎn)控制器同步來產(chǎn)生信號，以使得二維圖案空間連接，并且通過聲光元件27進行強度調(diào)制。通過以恒定角速度(CAV)、適當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)數(shù)、適當(dāng)?shù)恼{(diào)制頻率以及適當(dāng)?shù)酿佀凸?jié)距來圖案化，可以記錄六方格子狀或準(zhǔn)六方格子狀圖案。[用于制造透明導(dǎo)電元件的方法]接下來，將參照圖8Α至圖9D描述根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的用于制造透明導(dǎo)電元件I的方法。(抗蝕劑形成步驟)首先，如圖8Α所示，準(zhǔn)備圓筒狀或圓柱狀輥形母版11。輥形母版11例如是玻璃母版。然后，如圖8Β所示，在輥形母版11的表面上形成抗蝕層13。對于抗蝕層13的材料，例如，可以使用有機抗蝕劑和無機抗蝕劑中的任一種。對于有機抗蝕劑，例如，可以使用酚醛清漆抗蝕劑或化學(xué)放大型抗蝕劑。此外，對于無機抗蝕劑，可以使用一種類型或者兩種以上類型的金屬化合物。(曝光步驟)然后，如圖SC所示，將激光束(曝光束)14施加到輥形母版11的表面上形成的抗蝕層13。具體地，將放置在圖7中示出的輥形母版曝光裝置的轉(zhuǎn)臺36上的輥形母版11旋轉(zhuǎn)，并且同時，將激光束(曝光束)14施加到抗蝕層13。此時，在輥形母版11的高度方向(與圓筒狀或圓柱狀輥形母版11的中心軸平行的方向)移動激光束14的同時，間歇性地施加激光束14，以曝光抗蝕層13的整個表面。結(jié)果，例如，以與可見光波長大致相同的節(jié)距，在抗蝕層13的整個表面上形成與激光束14的軌跡對應(yīng)的潛像15。例如，潛像15排列為在輥形母版表面上形成多行軌跡，并形成六方格子狀圖案或準(zhǔn)六方格子狀圖案。例如，潛像15具有其長軸方向在軌跡延伸方向上的橢圓形。(顯影步驟)然后，例如，在旋轉(zhuǎn)輥形母版11的同時，將顯影劑滴到抗蝕層13上以對抗蝕層13進行顯影。結(jié)果，如圖8D所示，在抗蝕層13中形成多個開口。當(dāng)抗蝕層13由正型抗蝕劑形成時，相比于非曝光部分，被激光束14曝光的曝光部分對顯影劑具有增大的溶解速率，因此，如圖8D所示，在抗蝕層13中形成與潛像(曝光部分)16對應(yīng)的圖案。例如，開口的圖案是諸如六方格子狀圖案或準(zhǔn)六方格子狀圖案的特定格子狀圖案。(蝕刻步驟) 然后，使用輥形母版11上形成的抗蝕層13的圖案(抗蝕劑圖案)作為掩模來蝕刻輥形母版11的表面。結(jié)果，如圖9A所示，可以獲得具有其長軸方向在軌跡延伸方向上的橢圓錐狀或橢圓錐臺狀的凹部，即，結(jié)構(gòu)體12。對于蝕刻，例如，可以使用干法蝕刻或濕法蝕亥IJ。此時,例如,可以通過交替進行蝕刻處理和打磨處理,來形成錐體狀結(jié)構(gòu)體12的圖案。因此，可以獲得期望的輥形母版11。(轉(zhuǎn)印步驟)然后，如圖9B所示，在使輥形母版11與涂布在基板3上的轉(zhuǎn)印材料16接觸之后，從能量射線源17對轉(zhuǎn)印材料16施加諸如紫外線的能量射線，以硬化轉(zhuǎn)印材料16，并且將與硬化的轉(zhuǎn)印材料16 —體化的基板3分離。結(jié)果，如圖9C所示，制造出在基板表面上具有多個結(jié)構(gòu)體4的光學(xué)層2。能量射線源17不被特定地限制，并且可以是能夠發(fā)射諸如電子束、紫外線、紅外線、激光束、可見光射線、電離輻射(X射線、α射線、β射線、Y射線等)、微波或高頻波的能量射線的任何源。對于轉(zhuǎn)印材料16，優(yōu)選地使用能量射線可硬化樹脂成分。對于能量射線可硬化樹脂成分，優(yōu)選地使用紫外線可硬化樹脂成分。根據(jù)需要，能量射線可硬化樹脂成分可以含有填料、功能添加劑等。紫外線可硬化樹脂成分例如含有丙烯酸酯和引發(fā)劑。紫外線可硬化樹脂成分例如含有單官能團單體、雙官能團單體、多官能團聚合物等，并且特別地，是以下描述的一種材料或多種材料的混合物。對于單官能團單體，例如，可以指定羧酸(丙烯酸)、羥基化合物(2-羥乙基丙烯酸酯、2-羥丙基丙烯酸酯以及4-羥丁基丙烯酸酯)、烷基、酯環(huán)族化合物(異丁基丙烯酸酯、叔丁基丙烯酸酯、異辛基丙烯酸酯、十二烷基丙烯酸酯、十八烷基丙烯酸酯、異冰片基丙烯酸酯和環(huán)己基丙烯酸酯)、及其他官能團單體(2-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙烯基乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙烯酸酯、四氫化糠基丙烯酸酯、苯甲基丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、N, N-二甲基氨基乙基丙烯酸酯、N, N-二甲基氨基丙基丙烯酰胺、N，N- 二甲基丙烯酰胺、丙烯酰嗎啉、N-異丙基丙烯酰胺、N，N- 二乙基丙烯酰胺、N-乙烯吡咯烷酮、2_(全氟辛基)乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羥基丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羥基丙基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)乙基丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、2-(2，4，6-三溴苯氧基)乙烷基丙烯酸酯以及2-乙基己基丙烯酸酯等。對于雙官能團單體，例如，可以指定三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥甲基二烯丙基醚和氨基甲酸丙烯酸酯等。對于多官能團聚合物，例如，可以指定三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五和六丙烯酸酯以及二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯等。對于引發(fā)劑，例如，可以指定2，2-二甲氧基-1，2-二苯乙烷-I-酮、I-羥基-環(huán)己基苯酮和2-羥基-2-甲基-I-苯基-I-酮等。對于填料，例如，可以使用無機微粒和有機微粒中的任一種。對于無機微粒,例如，可以指定Si02、Ti02、ZrO2> SnO2> Al2O3等的金屬氧化物微粒。對于功能添加劑，例如，可以指定均化劑(leveling agent)、表面控制劑和消泡劑等。對于基板3的材料，例如，可以指定甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚合物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、纖維素雙乙酸酯、纖維素三乙酸酯、纖維素乙酸丁酸酯、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇縮醛、聚醚酮、聚氨酯和玻璃等。用于形成基板3的方法不被特定地限制，并且可以使用注射成型產(chǎn)品、擠出成型產(chǎn)品體或澆注成型產(chǎn)品。根據(jù)需要，可以對基板表面進行諸如電暈處理的表面處理。(形成透明導(dǎo)電層的步驟)然后，如圖9D所示，在形成有多個結(jié)構(gòu)體4的光學(xué)層2的波面Sw上形成透明導(dǎo)電 層6。在形成透明導(dǎo)電層6時，可以通過加熱光學(xué)層2來形成該層。對于形成透明導(dǎo)電層6的方法，例如，除了諸如熱CVD、等離子體誘導(dǎo)CVD、光誘導(dǎo)CVD等的化學(xué)氣相沉積(CVD，利用化學(xué)反應(yīng)從氣相沉積薄膜的技術(shù))方法，可以采用諸如真空沉積、等離子輔助氣相沉積、濺射、離子電鍍等的物理氣相沉積(PVD，在真空中，通過使物理氣化的材料聚集在基板上來形成薄膜的技術(shù))方法。然后，根據(jù)需要，對透明導(dǎo)電層6進行退火處理。結(jié)果，例如，透明導(dǎo)電層6進入非晶和多晶的混合狀態(tài)。(將透明導(dǎo)電層圖案化的步驟)然后，例如，通過利用例如光蝕刻將透明導(dǎo)電層6圖案化，來形成具有特定圖案的透明導(dǎo)電層6。如上所述，獲得期望的透明導(dǎo)電元件I?！?.第二實施方式〉[透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造]圖IOA是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的透明導(dǎo)電元件的光學(xué)層表面的一個示例的平面圖。圖IOB是以放大的方式示出圖IOA中示出的光學(xué)層表面的一部分的平面圖。根據(jù)第二實施方式的透明導(dǎo)電元件I與第一實施方式的透明導(dǎo)電元件的不同之處在于，多個結(jié)構(gòu)體4在相鄰的三行軌跡T之間形成四方格子狀圖案或準(zhǔn)四方格子狀圖案。這里，四方格子狀是指正方形格子狀。準(zhǔn)四方格子狀是指不同于正方形格子狀的變形的正方形格子狀。例如，當(dāng)結(jié)構(gòu)體4直線排列時，準(zhǔn)四方格子狀是指通過在直線排列方向(軌跡方向)上拉伸正方形格子狀而變形的四方格子狀。當(dāng)結(jié)構(gòu)體4以蜿蜒方式排列時，準(zhǔn)四方格子狀是指通過將結(jié)構(gòu)體4的蜿蜒排列的正方形格子狀變形而形成的四方格子狀?？蛇x地，其是指通過在直線排列方向(軌跡方向)上變形正方形格子狀和通過蜿蜒排列結(jié)構(gòu)體4而形成的四方格子狀。同一軌跡中的結(jié)構(gòu)體4的配置節(jié)距Pl優(yōu)選地大于兩個相鄰的軌跡之間的結(jié)構(gòu)體4的配置節(jié)距P2。此外，當(dāng)同一軌跡中的結(jié)構(gòu)體4的配置節(jié)距為Pl并且兩個相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體4的配置節(jié)距為P2時，P1/P2優(yōu)選地滿足關(guān)系I. 4<P1/P2 ( I. 5。在這種數(shù)值范圍中，可以提高具有橢圓錐狀或橢圓錐臺狀的結(jié)構(gòu)體4的填充率，并且因此可以改善光學(xué)調(diào)整功能。此外，結(jié)構(gòu)體4在相對于軌跡為45°方向或大約45°方向的高度或深度優(yōu)選地小于結(jié)構(gòu)體4在軌跡延伸方向上的高度或深度。結(jié)構(gòu)體4在相對于軌跡延伸方向傾斜的排列方向(0方向)上的高度H2優(yōu)選地小于結(jié)構(gòu)體4在軌跡延伸方向的高度Hl。換句話說，結(jié)構(gòu)體4的高度Hl和H2優(yōu)選地滿足關(guān)系 H1>H2。當(dāng)結(jié)構(gòu)體4形成四方或準(zhǔn)四方圖案時，結(jié)構(gòu)體底面的橢圓率e優(yōu)選地為 150%彡e彡180%。這是因為，在該范圍中，可以提高結(jié)構(gòu)體4的填充率，并且可以獲得良好的光學(xué)調(diào)整功能。平坦部的面積S2與波面Sw的面積SI的比例Rs ( (S2/S1) X 100)優(yōu)選地在0%以上且50%以下、更優(yōu)選地0%以上且45%以下、更優(yōu)選地0%以上且30%以下的范圍內(nèi)。當(dāng)面積比Rs為50%以下時，可以改善光學(xué)調(diào)整功能。這里，平坦部的面積S2與波面Sw的面積SI的比例Rs ( (S2/S1) X 100)為如下定義的值。首先，用掃描電子顯微鏡(SEM)以俯視的方式對透明導(dǎo)電元件I的表面進行拍攝。然后，從拍攝的SEM照片中任意選擇單位格子Uc，并且測量單位格子Uc的配置節(jié)距Pl和軌跡節(jié)距Tp(參照圖10B)。此外，通過圖像處理測量單位格子Uc中所包含的四個結(jié)構(gòu)體4中的一個的底面的面積S (結(jié)構(gòu)體)。然后，使用測量出的配置節(jié)距P1、軌跡節(jié)距Tp以及底面的面積S (結(jié)構(gòu)體)來從以下式子確定比例R。比例R= [ (S (格子)一 S (結(jié)構(gòu)體)/S (格子)]X 100單位格子面積S(格子)=2X ((PlXTp) X (1/2)) =Pl X Tp單位格子中存在的結(jié)構(gòu)體的底面的面積S(結(jié)構(gòu)體)=S對從拍攝的SEM照片中任意選擇的10個位置的單位格子Uc進行上述比例R的計算處理。然后，將測量值簡單平均(算術(shù)平均)，以確定比例R的平均比，并且將這假設(shè)為比例Rs。半徑2r與配置節(jié)距Pl的比例((2r/Pl) X 100)為64%以上，優(yōu)選地69%以上，并且更優(yōu)選地73%以上。這是因為，在這種范圍內(nèi)，可以提高結(jié)構(gòu)體4的填充率，并且可以改善光學(xué)調(diào)整功能。這里，配置節(jié)距Pl是軌跡方向上結(jié)構(gòu)體4的配置節(jié)距，并且半徑2r是軌跡方向上結(jié)構(gòu)體底面的半徑。值的注意的是，當(dāng)結(jié)構(gòu)體底面為圓形時，半徑2r為直徑，并且當(dāng)結(jié)構(gòu)體底面為橢圓時，半徑2r為長軸。根據(jù)第二實施方式，可以獲得與第一實施方式相同的效果。<第三實施方式>圖IlA是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖IlB是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的透明導(dǎo)電元件的光學(xué)層表面的一個示例的平面圖。圖IlC是以放大的方式示出圖IlB中示出的光學(xué)層表面的一部分的平面圖。根據(jù)第三實施方式的透明導(dǎo)電元件I與第一實施方式的不同之處在于，多個結(jié)構(gòu)體4隨機(不規(guī)則地)二維排列。此外，可以進一步隨機改變結(jié)構(gòu)體21的形狀、大小和高度中的至少一個。除了以上事實，第三實施方式與第一實施方式相同。對于用于制造該透明導(dǎo)電元件I的母版，可以使用將鋁基板的表面陽極氧化的方法，但是，該方法不限于此。由于在第三實施方式中多個結(jié)構(gòu)體4 二維地隨機排列，因此可以抑制外觀上不均勻的發(fā)生。
〈4.第四實施方式〉 圖12A是示出根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖12B是以放大的方式示出圖12A中示出的透明導(dǎo)電元件的一部分的放大截面圖。圖12C是示出根據(jù)第四實施方式的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的另一示例的截面圖。圖12D是以放大的方式示出圖12C中示出的透明導(dǎo)電元件的一部分的放大截面圖。如圖12A和12B所示，根據(jù)第四實施方式的透明導(dǎo)電元件I與第一實施方式的不同之處在于，透明導(dǎo)電層6在光學(xué)層(第一光學(xué)層)2的整個波面Sw上基本連續(xù)地形成?？蛇x地，如圖12C和圖12D所示，可以根據(jù)需要，進一步設(shè)置形成在透明導(dǎo)電層6上的光學(xué)層(第二光學(xué)層)7，使得透明導(dǎo)電層6的兩個主面分別被光學(xué)層2和光學(xué)層7覆蓋。值的注意的是，結(jié)構(gòu)體4的凹凸的方向可以互置。除了以上事實，第四實施方式與第一實施方式相同。<5.第五實施方式>圖13A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造的一個示例的截面圖。如圖13A所示，信息輸入裝置101設(shè)置在顯示裝置102的顯示面上。例如，信息輸入裝置101通過粘合層111粘合到顯示裝置102的顯示面上。信息輸入裝置101所應(yīng)用到的顯示裝置102沒有特別限制，而是其示例包括各種顯示裝置，諸如液晶顯示器、陰極射線管(CRT)顯示器、等離子顯示面板(PDP)、電致發(fā)光(EL)顯示器、表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器(SED)。信息輸入裝置101被稱為透射型電容式觸摸面板，并包括第一透明導(dǎo)電元件I1、形成在第一透明導(dǎo)電元件I1上的第二透明導(dǎo)電元件I2以及形成在第二透明導(dǎo)電元件I2上的光學(xué)層7。第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2通過粘合層112彼此粘合，以使得第一透明導(dǎo)電元件I1的透明導(dǎo)電層側(cè)表面面向第二透明導(dǎo)電元件I2的基板3側(cè)表面。通過用粘合層8將基板3粘合到第二透明導(dǎo)電元件I2的透明導(dǎo)電層8側(cè)表面，來形成光學(xué)層7。圖13B是以放大的方式示出圖13A中示出的區(qū)域A1和區(qū)域A2的放大截面圖。圖14A是以放大的方式示出圖13A中示出的區(qū)域A1的另一放大截面圖。圖14B是以放大的方式示出圖13A中示出的區(qū)域A2的另一放大截面圖。 如圖13B所示，第一透明導(dǎo)電元件I1的透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電元件I2的透明導(dǎo)電層62優(yōu)選地設(shè)置為，在信息輸入裝置101的厚度方向上不重疊。換句話說，優(yōu)選地，第一透明導(dǎo)電元件I1的第一區(qū)域R1與第二透明導(dǎo)電元件I2的第二區(qū)域R2在信息輸入裝置101的厚度方向上重疊，并且第一透明導(dǎo)電元件I1的第二區(qū)域R2與第二透明導(dǎo)電元件I2的第一區(qū)域R1在信息輸入裝置101的厚度方向上重疊。這樣，可以減小由于第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的重疊引起的透射率差。值的注意的是，在圖13A和圖13B中，示出了以下情況作為示例即，第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2定向為使得第一透明導(dǎo)電元件I1的透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電元件I2的透明導(dǎo)電層62出現(xiàn)在輸入表面?zhèn)?，然而，第一透明?dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的方向沒有特別限制，并且可以根據(jù)信息輸入裝置101的設(shè)計適當(dāng)?shù)卦O(shè)置。如圖14A所示，在區(qū)域A1中，優(yōu)選地，透明導(dǎo)電層有形成在第一透明導(dǎo)電元件I1的波面Sw上，而透明導(dǎo)電層62形成在第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw上。此外，如圖14B所示，在區(qū)域A2中，優(yōu)選地，透明導(dǎo)電層G1形成在第一透明導(dǎo)電元件I1的波面Sw上，而透明導(dǎo)電層62沒有形成在第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw上。
對于第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2，可以使用第一至第三實施方式的一種透明導(dǎo)電元件I。換句話說，第一透明導(dǎo)電元件I1的光學(xué)層、基板S1、結(jié)構(gòu)體I、基底層S1以及透明導(dǎo)電層分別與第一至第三實施方式的一種透明導(dǎo)電元件的光學(xué)層2、基板3、結(jié)構(gòu)體4、基底層5以及透明導(dǎo)電層6相同。此外，第二透明導(dǎo)電元件I2的光學(xué)層22、基板32、結(jié)構(gòu)體42、基底層52以及透明導(dǎo)電層62分別與第一至第三實施方式的一種透明導(dǎo)電兀件的光學(xué)層2、基板3、結(jié)構(gòu)體4、基底層5以及透明導(dǎo)電層6相同。圖15A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造的一個示例的分解透視圖。該信息輸入裝置101是ITO-柵欄投影型電容式觸摸面板。第一透明導(dǎo)電元件I1的透明導(dǎo)電層例如是具有特定圖案的X電極(第一電極)。第二透明導(dǎo)電元件I2的透明導(dǎo)電層62例如是具有特定圖案的Y電極(第二電極)。X電極和Y電極例如是彼此相互正交的關(guān)系。圖15B是用于說明在根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的信息輸入裝置中設(shè)置的第一透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的一個示例的分解透視圖。值的注意的是，因為除了由透明導(dǎo)電層62構(gòu)成的Y電極的形成方向之外，第二透明導(dǎo)電元件I2與第一透明導(dǎo)電元件I1相同，因此在分解透視圖中省略了其說明。由透明導(dǎo)電層構(gòu)成的多個X電極排列在光學(xué)層的波面Sw的區(qū)域R1中。由透明導(dǎo)電層62構(gòu)成的多個Y電極排列在光學(xué)層22的波面Sw的區(qū)域R2中。在X軸方向延伸的X電極由在X軸方向重復(fù)連接的單位形狀體C1構(gòu)成。在Y軸方向延伸的Y電極由在Y軸方向重復(fù)連接的單位形狀體C2構(gòu)成。對于單位形狀體C1和單位形狀體C2的形狀，例如可以指定菱形(鉆石形)、三角形、矩形等，但是該形狀不限于這些形狀。在第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2彼此重疊的狀態(tài)下，第一透明導(dǎo)電元件I1的的第一區(qū)域R1和第二透明導(dǎo)電元件I2的第二區(qū)域R2彼此重疊，并且第一透明導(dǎo)電元件I1的第二區(qū)域R2和第二透明導(dǎo)電元件I2的第一區(qū)域R1彼此重疊。因此，當(dāng)從輸入表面?zhèn)扔^看信息輸入裝置101時，單位形狀體C1和單位形狀體C2彼此不重疊，并且看起來以緊密排列的狀態(tài)填充一個主面。<6.第六實施方式>圖16A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖16B是以放大的方式示出圖16A中示出的信息輸入裝置的一部分的放大截面圖。信息輸入裝置101被稱為表面型電容式觸摸面板，并包括透明導(dǎo)電元件I。對于透明導(dǎo)電元件1，使用根據(jù)第四實施方式的透明導(dǎo)電元件1，并且在透明導(dǎo)電層6上設(shè)置光學(xué)層(第二光學(xué)層)7 o 除了以上所述事實，第六實施方式與第五實施方式相同。<7.第七實施方式>圖17A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖17B是以放大的方式示出與形成有透明導(dǎo)電層的波面相對的區(qū)域的截面圖。圖17C是以放大的方式示出與其上沒有形成透明導(dǎo)電層的暴露的波面相對的區(qū)域的截面圖。
如圖17A所示，信息輸入裝置101被稱為矩陣對向膜型觸摸面板，并包括第一透明導(dǎo)電元件I1、第二透明導(dǎo)電元件I2以及粘合層121。第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2被排列為以其間具有特定距離而彼此相對，使得其透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62彼此相對。粘合層121設(shè)置在第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的周緣部之間，使得第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的相對面的周緣部通過粘合層121彼此粘合。對于粘合層121，例如，可以使用粘合漿、膠帶等。在信息輸入裝置101的兩個主面中，第二透明導(dǎo)電元件I2側(cè)主面用作輸入信息所經(jīng)由的觸摸面板(信息輸入面)。優(yōu)選地在該觸摸屏上進一步設(shè)置硬涂層122。這是因為，可以提高觸摸面板50的觸摸屏的摩擦阻力。如圖17B和圖17C所示，第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw排列為以其間有特定距離而彼此相對。在作為矩陣對向膜型觸摸屏的信息輸入裝置101中，均具有特定圖案的透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62分別形成在第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw上。結(jié)果，在信息輸入裝置101中，存在其上形成有透明導(dǎo)電層6:的波面Sw與其上形成有透明導(dǎo)電層62的波面SW相對區(qū)域(圖17B);其中其上沒有形成透明導(dǎo)電層的暴露的波面Sw與其上沒有形成透明導(dǎo)電層62的暴露的波面Sw相對的區(qū)域(圖17C);以及其上形成有透明導(dǎo)電層或透明導(dǎo)電層62的波面Sw與其上沒有形成透明導(dǎo)電層或透明導(dǎo)電層62的暴露的波面Sw相對的區(qū)域(圖中未示出)。圖18A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造示例的分解透視圖。圖18B是用于說明根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的信息輸入裝置中包括的透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造的一個示例的分解透視圖。第一透明導(dǎo)電元件I1的透明導(dǎo)電層例如是具有帶狀的X電極(第一電極)。第二透明導(dǎo)電元件I2的透明導(dǎo)電層62例如是具有帶狀的Y電極(第二電極)。第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2排列為彼此相對，使得這些X電極和Y電極彼此相對并彼此正交地相交。除了上述事實，第七實施方式與第五實施方式相同。<8.第八實施方式>圖19A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第八實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖19B是以放大的方式示出圖19A中示出的信息輸入裝置的一部分的放大截面圖。
如圖19A所示，根據(jù)第八實施方式的信息輸入裝置101與第七實施方式的信息輸入裝置101的區(qū)別在于，根據(jù)第四實施方式的透明導(dǎo)電元件I用作第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2。如圖19B所示，第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw排列為彼此相對，且透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62分別形成在排列為彼此相對的波面上。除了上述事實，第八實施方式與第七實施方式相同。<9.第九實施方式>圖20是根據(jù)本發(fā)明第九實施方式的液晶顯示裝置的構(gòu)造示例的截面圖。如圖20所示，根據(jù)第九實施方式的液晶顯示裝置包括具有第一主面和第二主面的液晶面板(液晶層)131、形成在第一主面上的第一偏振器132、形成在第二主面上的第二偏振器133以及設(shè)置在液晶面板131和第二偏振器133之間的信息輸入裝置101。信息輸入裝置101是液晶 顯示集成觸摸屏(又名，內(nèi)觸摸屏)?？梢允÷怨鈱W(xué)層22，并且多個結(jié)構(gòu)體4可以直接形成在第二偏振器133的表面上。當(dāng)?shù)诙衿?33具有諸如三醋酸纖維素(TAC)的保護層時，在表面中，多個結(jié)構(gòu)體4優(yōu)選地直接形成在保護層上。當(dāng)多個結(jié)構(gòu)體4形成在第二偏振器133上并且透明導(dǎo)電層62形成在這些結(jié)構(gòu)體4上時，可以進一步減小液晶顯示裝置的厚度。(液晶面板)對于液晶面板131，例如，可以使用具有諸如扭曲向列型(TN)模式、超扭曲向列(STN)模式、垂直對準(zhǔn)(VA)模式、面內(nèi)切換(IPS)模式、光學(xué)補償雙折射(OCB)模式、鐵電液晶(FLC)模式、聚合物分散液晶(PDLC)模式、相變賓主(PCGH)模式等的顯示模式的液晶面板。(偏振器)第一偏振器132和第二偏振器133分別通過粘合層134和粘合層136粘合到液晶面板131的第一主面和第二主面，使得其透射軸彼此正交相交。第一偏振器132和第二偏振器133允許入射光中的正交相交的偏光分量之一通過，并通過吸收阻擋另一分量。對于第一偏振器132和第二偏振器133，例如，可以使用其中碘絡(luò)合物或二色性染料定向在單軸方向上的聚乙烯醇(PVA)類膜。諸如三醋酸纖維素(TAM)膜的保護層優(yōu)選地設(shè)置在第一偏振器132和第二偏振器133的兩側(cè)上。(觸摸屏)第五至第八實施方式中的任一個可以用作信息輸入裝置101。在第九實施方式中，由于液晶面板135和信息輸入裝置101共用第二偏振器133，因此可以改善光學(xué)特性。<10.第十實施方式>圖21A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第十實施方式的信息顯示裝置的構(gòu)造的一個示例的透視圖。圖21B是以放大的方式示出其中上面形成有透明導(dǎo)電層的波面彼此相對的區(qū)域的截面圖。圖21C是以放大的方式示出其中沒有透明導(dǎo)電層的暴露的波面彼此相對的區(qū)域的截面圖。如圖21A所示，該信息輸入裝置是無源矩陣驅(qū)動型(也稱為簡單矩陣驅(qū)動型)液晶顯示裝置，并包括第一透明導(dǎo)電元件I1、第二透明導(dǎo)電元件I2以及液晶層141。第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2排列為以其間有特定距離而彼此相對，使得其透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62彼此相對。液晶層141設(shè)置在布置為彼此隔開特定距離的第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2之間。對于第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2，可以使用選自第一至第三實施方式的透明導(dǎo)電元件I中的一種。換句話說，第一透明導(dǎo)電兀件I1的光學(xué)層I、基板S1、結(jié)構(gòu)體I、基底層S1和透明導(dǎo)電層G1與第一至第三實施方式中之一的透明導(dǎo)電兀件的光學(xué)層2、基板3、結(jié)構(gòu)體4、基底層5和透明導(dǎo)電層6分別相同。此外，第二透明導(dǎo)電元件I2的光學(xué)層22、基板32、結(jié)構(gòu)體42、基底層52和透明導(dǎo)電層62與第一至第三實施方式中之一的透明導(dǎo)電元件的光學(xué)層2、基板3、結(jié)構(gòu)體4、基底層5和透明導(dǎo)電層6分別相同。這里，描述了其中本發(fā)明應(yīng)用于無源矩陣驅(qū)動型液晶限制裝置的示例；然而，信息顯示裝置不限于該示例，并且只要信息顯示裝置具有諸如無源矩陣驅(qū)動型的特定電極圖案，就可以應(yīng)用本發(fā)明。例如，還可以應(yīng)用于無源矩陣驅(qū)動型的EL顯示裝置。如圖21B和圖21C所示，第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw被排列為以其之間具有特定距離而彼此相對。在無源矩陣驅(qū)動型液晶顯示裝置中，具有特定圖案的透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62分別形成在第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw上。結(jié)果，存在其中上面形成有透明導(dǎo)電層的波面Sw與上面形成有透明導(dǎo)電層62的波面Sw相對的區(qū)域(圖21B)、其中上面沒有形成透明導(dǎo)電層的暴露的波 面Sw與上面沒有形成透明導(dǎo)電層62的暴露的波面Sw相對的區(qū)域(圖21C)、以及其中上面形成有透明導(dǎo)電層或透明導(dǎo)電層62的波面Sw與上面沒有形成透明導(dǎo)電層或透明導(dǎo)電層62的暴露的波面Sw相對的區(qū)域(圖中未示出)。第一透明導(dǎo)電元件I1的透明導(dǎo)電層例如是具有帶狀的X電極(第一電極)。第二透明導(dǎo)電元件I2的透明導(dǎo)電層62例如是具有帶狀的Y電極(第二電極)。第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2排列為彼此相對，使得這些X電極和Y電極彼此相對，并且彼此正交相交?！?1.第i^一實施方式〉圖22A是用于說明根據(jù)本發(fā)明第十一實施方式的信息輸入裝置的構(gòu)造的一個示例的截面圖。圖22B是以放大的方式示出其中上面形成有透明導(dǎo)電層的波面彼此相對的區(qū)域的截面圖。圖22C是以放大的方式示出其中上面沒有形成透明導(dǎo)電層的暴露的波面彼此相對的區(qū)域的截面圖。如圖22A所示，該信息顯示在裝置被稱為微膠囊電泳型電子紙，并包括第一透明導(dǎo)電元件I1、第二透明導(dǎo)電元件I2以及微膠囊層(介質(zhì)層)151。第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2排列為以其間具有特定距離而彼此相對，使得其透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62彼此相對。微膠囊層151設(shè)置在被布置為彼此隔開特定距離的第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2之間。此外，如果需要，第二透明導(dǎo)電元件I2可以通過諸如粘合劑的粘合層153而粘合到諸如玻璃的支撐件154。這里，已經(jīng)描述了其中將本發(fā)明應(yīng)用于微膠囊電泳型電子紙的示例；然而，電子紙不限于該示例，并且本發(fā)明可以應(yīng)用于在被布置為彼此相對的導(dǎo)電元件之間設(shè)置介質(zhì)層的任何構(gòu)造。這里，除了液體和固體，介質(zhì)還包括諸如空氣的氣體。此外，介質(zhì)還可以含有諸如膠囊劑、顏料和顆粒的成分。對于可以應(yīng)用本發(fā)明的電子紙，除了微膠囊電泳方法，還可以指定扭轉(zhuǎn)球方法、熱可重寫方法、調(diào)色劑顯示方式、面內(nèi)電泳方法、電子粉方法等的電子紙。微膠囊層151含有大量的微膠囊152。在微膠囊中封裝有其中分散有例如黑顆粒和白顆粒的透明液體(分散介質(zhì))。根據(jù)信息顯示裝置(是電子紙)的驅(qū)動類型，第一透明導(dǎo)電元件I1的透明導(dǎo)電層6:和第二透明導(dǎo)電元件I2的透明導(dǎo)電層62被形成為特定電極圖案。對于驅(qū)動方法，例如，可以指定簡單矩陣驅(qū)動方法、有源矩陣驅(qū)動方法、段驅(qū)動方法等。如圖22B和圖22C所示，第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw被排列為以其間具有特定距離而彼此相對。在無源矩陣驅(qū)動型電子紙中，具有特定圖案的透明導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層62分別形成在第一透明導(dǎo)電元件I1和第二透明導(dǎo)電元件I2的波面Sw上。結(jié)果，存在其中上面形成有透明導(dǎo)電層的波面Sw與上面形成有透明導(dǎo)電層62的波面Sw相對的區(qū)域(圖22B)、其中上面沒有形成透明導(dǎo)電層的暴露的波面Sw與上面沒有形成透明導(dǎo)電層62的暴露的波面Sw相對的區(qū)域(圖22C)、以及其中上面形成有透明導(dǎo)電層或透明導(dǎo)電層62的波面Sw與上面沒有形成透明導(dǎo)電層或透明導(dǎo)電層62的暴露的波面Sw相對的區(qū)域(圖中未示出)。
除了上述事實，第十一實施方式與第十實施方式相同。[示例]以下，將用樣本來具體描述本發(fā)明，然而，本發(fā)明不限于這些樣本。(平均高度Hm、平均配置節(jié)距Pm以及縱橫比(Hm/Pm))下面，如下確定透明導(dǎo)電片的結(jié)構(gòu)體的平均高度Hm、平均配置節(jié)距Pm以及縱橫比(Hm/Pm)o首先，將透明導(dǎo)電片切割為包括結(jié)構(gòu)體的頂部，并且用透射型電子顯微鏡(TEM)對橫截面拍攝。然后，從拍攝的TCM照片確定結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距P和結(jié)構(gòu)體的高度H。在從透明導(dǎo)電片任意選擇的10個位置重復(fù)該測量，并且對測量值進行簡單平均(算術(shù)平均)，以確定平均配置節(jié)距Pm和平均高度Hm。然后，使用這些平均配置節(jié)距Pm和平均高度Hm來確定縱橫比(Hm/Pm)。值的注意的是，結(jié)構(gòu)體的平均高度Hm、平均配置節(jié)距Pm以及縱橫比(Hm/Pm)分別對應(yīng)于波面的振動的平均幅度Am、波面的平均波長\ m以及比例(Am/ A m)。(IT0膜的厚度)下面，如下確定ITO膜的厚度。首先，將透明導(dǎo)電片切割為包括結(jié)構(gòu)體的頂部，并且用透射型電子顯微鏡(TEM)對橫截面進行拍照，并從拍攝的TEM照片測量結(jié)構(gòu)體的頂部的ITO膜的厚度。(結(jié)構(gòu)體斜面的平均角度)下面，如下確定結(jié)構(gòu)體斜面的平均角度。首先，將透明導(dǎo)電片切割為包括結(jié)構(gòu)體的頂部，并且用透射型電子顯微鏡(TEM)對橫截面進行拍照。然后，從拍攝的TEM照片確定從底部到頂部的斜面的角度的平均值(一個結(jié)構(gòu)體的斜面角度的平均值)。在從透明導(dǎo)電片任意選擇的10個位置重復(fù)確定平均值的該過程，并且對10個結(jié)構(gòu)體的斜面角度的平均值進行簡單平均(算術(shù)平均)，以確定結(jié)構(gòu)體斜面的平均角度。按以下順序描述樣本1-1至10-5。I.平坦部面積比(樣本1-1至1-3)
2.色調(diào)(樣本 2-1 至 2-3)3.透明導(dǎo)電層的厚度比(樣本3-1至3-3)4.縱橫比(樣本4-1至4-4)5.電可靠性(樣本5-1至5-6)6.反射率差A(yù) R (樣本6-1至6-4)7.結(jié)構(gòu)體的形狀(樣本7-1至7-3)8.圖案變形(樣本8-1和8-2) 9.蝕刻耐性(樣本9-1至10-5)〈I 平坦部面積比〉在樣本1-1至1-3中，進行利用嚴格耦合波分析(RCWA)的光學(xué)模擬，以研究平坦部面積比和反射率之間的關(guān)系。(樣本 1-1)通過光學(xué)模擬來確定透明導(dǎo)電元件的反射光譜。在圖23B示出了示出結(jié)果的曲線圖。以下給出了光學(xué)模擬的條件。(透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造)透明導(dǎo)電元件是以下的多層結(jié)構(gòu)。(入射側(cè))基板/結(jié)構(gòu)體/透明導(dǎo)電層/光學(xué)層(出射側(cè))圖23A是示出排列在基板表面上的多個結(jié)構(gòu)體的平面圖。在圖23A中，圓表示結(jié)構(gòu)體底面，Uc表示單位格子，rs表示結(jié)構(gòu)體底面的半徑。如圖23A所示，多個結(jié)構(gòu)體排列在基板表面上。(基板)折射率n :1. 52(結(jié)構(gòu)體)結(jié)構(gòu)體的排列六方格子狀結(jié)構(gòu)體的形狀掛鐘形結(jié)構(gòu)體的底面圓形配置節(jié)距(波長\ ) P 250nm結(jié)構(gòu)體的高度(幅度A) H 150nm縱橫比(H/P):0.6單位格子Uc的面積S (格子)2X2 V 3結(jié)構(gòu)體底面的半徑rs 0. 9結(jié)構(gòu)體底面的面積S (結(jié)構(gòu)體)2X JI rs2=2X Ji X0. 92平坦部的面積比Rs [ (S (格子)—S (結(jié)構(gòu)體))/S (格子)]X 100=26. 54%(透明導(dǎo)電層)透明導(dǎo)電層的折射率n :2. 0透明導(dǎo)電層的厚度t 60nm至75nm結(jié)構(gòu)體頂部的透明導(dǎo)電層的厚度Dl 75nm結(jié)構(gòu)體之間的透明導(dǎo)電層的厚度D3 60nm
厚度比D3/D1:0.8(光學(xué)層)折射率n :1. 52(入射光)偏振無偏振入射角5度(相對于透明導(dǎo)電元件的法線)(樣本1-2)除了修改了以下條件之外，通過與樣本1-1相同的光學(xué)模擬來確定透明導(dǎo)電元件的反射光譜。在圖23B中示出了示出結(jié)果的曲線圖?！?結(jié)構(gòu)體)結(jié)構(gòu)體底面的半徑rs 0. 8結(jié)構(gòu)體底面的面積S (結(jié)構(gòu)體)2X JI rs2=2X Ji X0. 82平坦部的面積比[(S(格子)一 S(結(jié)構(gòu)體))/S(格子)]X100=41.96%(樣本1-3)除了修改了以下條件之外，通過與樣本1-1相同的光學(xué)模擬來確定透明導(dǎo)電元件的反射光譜。在圖23B中示出了示出結(jié)果的曲線圖。(結(jié)構(gòu)體)結(jié)構(gòu)體底面的半徑rs 0. 7結(jié)構(gòu)體底面的面積S (結(jié)構(gòu)體)2X JI rs2=2X Ji X0. 72平坦部的面積比Rs [ (S (格子)—S (結(jié)構(gòu)體))/S (格子)]X 100=55. 56%從圖23B中可以理解以下。當(dāng)透明導(dǎo)電元件的表面中的平坦部的面積比為50%以下時，可以將光反射率(波長為550nm時的反射率)調(diào)整到2%以下。當(dāng)光反射率為2%以下時，可以提高可視性。值的注意的是，當(dāng)如下設(shè)定結(jié)構(gòu)體底面的半徑rs、結(jié)構(gòu)體底面的面積S (結(jié)構(gòu)體)以及平坦部的面積比Rs時，相比于樣本1-1，可以進一步減小反射率。結(jié)構(gòu)體底面的半徑rs :1. 0結(jié)構(gòu)體底面的面積S (結(jié)構(gòu)體)2X JI rs2=2X Ji X I. O2平坦部的面積比Rs : [(S(格子)—S(結(jié)構(gòu)體))/S(格子)]X100=9. 31%<2.色調(diào) >在樣本2-1至2-3中，實際制造了透明導(dǎo)電片來研究色調(diào)。(樣本2-1)首先，準(zhǔn)備外直徑為126mm的玻璃輥形母版，并且如下地在玻璃輥形母版的表面上形成抗蝕層。即，用稀釋劑將光抗蝕劑稀釋到1/10，并通過浸潰法將該稀釋的抗蝕劑在玻璃輥形母版的柱狀面上涂布大約70nm的厚度，以形成抗蝕層。然后，將作為記錄介質(zhì)的玻璃輥形母版輸送到圖7中示出的輥形母版曝光裝置，并對抗蝕層進行曝光，以通過圖案化在抗蝕層上形成潛像，潛像是一個連續(xù)的螺旋線，并且在三列相鄰的軌跡中形成六方格子狀圖案。具體地，將用于對玻璃輥形母版表面進行曝光的功率為0. 5mff/m的激光束施加到將要形成六方格子狀曝光圖案的區(qū)域，以形成六方格子狀曝光圖案。值的注意的是，軌跡行的排列方向上的抗蝕層的厚度大約為60nm，并且軌跡延伸方向上的抗蝕劑的厚度大約為50nmo然后，對玻璃輥形母版上的抗蝕層進行顯影處理，以溶解抗蝕層的暴露部分來進行顯影。具體地，未顯影的玻璃輥形母版放置在附圖未示出的顯影器的轉(zhuǎn)臺上，并且將顯影劑滴到與轉(zhuǎn)臺一起旋轉(zhuǎn)的玻璃輥形母版的表面上，以對其表面上的抗蝕層進行顯影。結(jié)果，獲得其中具有形成六方格子狀圖案的開口的抗蝕層的抗蝕劑玻璃母版。然后，通過使用輥形蝕刻裝置在CHF3氣體氛圍中進行等離子蝕刻。結(jié)果，由于抗蝕層用作掩模，因此僅在從玻璃輥形母版的表面上的抗蝕層中暴露的六方圖案部分中進行蝕刻，并且剩余的區(qū)域保持不被蝕刻，從而在玻璃輥形母版中形成具有橢圓錐狀的凹部。在該處理中，通過蝕刻時間來調(diào)整蝕刻量(深度)。最后，通過O2打磨來完全去除抗蝕層，從而獲得具有凹形六方格子狀圖案的蛾眼玻璃輥形母版。凹部在軌跡排列方向上的深度大于凹部在軌跡延伸方向上的深度。 然后，使用蛾眼玻璃輥形母版通過UV壓印，在PET片上形成厚度為125iim的多個結(jié)構(gòu)體。具體地，將蛾眼玻璃輥形母版與涂覆有紫外線光可硬化樹脂的PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)片接觸，并且在紫外線光的照射下進行硬化的同時被剝離。結(jié)果，獲得具有排列在一個主面上的以下結(jié)構(gòu)體的光學(xué)片。結(jié)構(gòu)體的排列六方格子狀結(jié)構(gòu)體的形狀掛鐘形結(jié)構(gòu)體的平均配置節(jié)距(波長\ ) Pm 250nm結(jié)構(gòu)體的平均高度(幅度A)Hm:125nm結(jié)構(gòu)體的縱橫比(Hm/Pm) :0.5然后，通過利用濺射方法在上面形成有多個結(jié)構(gòu)體的PET片表面上形成ITO層，來制造透明導(dǎo)電片。形成ITO層的條件為如下所述。氣體類型Ar氣和O2氣的混合氣體混合氣體的混合比(體積比)=Ar: 02=200:10ITO 層的厚度75nm這里，ITO層的厚度是結(jié)構(gòu)體頂部的厚度。然后，通過粘合片將透明導(dǎo)電片粘合到折射率為I. 5的玻璃基板，使得ITO層側(cè)表面出現(xiàn)在玻璃基板表面?zhèn)取Ｈ缟纤?，制造了期望的透明?dǎo)電片。(樣本2-2)除了以下結(jié)構(gòu)體排列在PET片的一個主面上之外，像樣本2-1中那樣制造光學(xué)片。結(jié)構(gòu)體的排列六方格子狀結(jié)構(gòu)體的形狀掛鐘形結(jié)構(gòu)體的平均配置節(jié)距Pm 250nm結(jié)構(gòu)體的平均高度Hm 150nm縱橫比(Hm/Pm):0.6
然后，通過利用濺射方法在上面形成有多個結(jié)構(gòu)體的PET片表面上形成ITO層，來制造透明導(dǎo)電片。形成ITO層的條件為如下所述。氣體類型Ar氣和O2氣的混合氣體 混合氣體的混合比(體積比)Ar: 02=200:10ITO 層的厚度IOOnm這里，ITO層的厚度是結(jié)構(gòu)體頂部的厚度。然后，通過粘合片將透明導(dǎo)電片粘合到折射率為I. 5的玻璃基板，使得ITO層側(cè)表面出現(xiàn)在玻璃基板表面?zhèn)取?
如上所述，制造出期望的透明導(dǎo)電片。(樣本2-3)除了省略了 ITO層的形成之外，像樣本2-1中那樣制造光學(xué)片。然后，通過粘合片將光學(xué)片粘合到折射率為I. 5的玻璃基板，使得上面形成有多個結(jié)構(gòu)體的表面出現(xiàn)在玻璃基板表面?zhèn)?。如上所述，制造了期望的透明?dǎo)電片。(透射色調(diào))通過使用由此制造的透明導(dǎo)電片和光學(xué)片作為測量樣本，用分光光度計來測量可見范圍附近的波長區(qū)域(350nm至800nm)中的透射光譜，并且從透射光譜來計算透射色調(diào)a*和b'透射光譜的測量結(jié)果在圖24中示出。透射色調(diào)a*和b*的計算結(jié)果在表I中示出。表I示出了樣本2-1至2-3的透射色調(diào)的計算結(jié)果。[表 I]
~樣本2-1樣本2-2
縱橫比0506
a * (透射) -0. 35-0. 12
b * (透射) L48L29從表I可以理解如下。根據(jù)樣本2-1和樣本2-2的透明導(dǎo)電片，a*和b*都是小于3的值，這表示其是無色且透明的，并具有良好特性?！?.透明導(dǎo)電層的厚度比〉在樣本3-1至3-3中，進行了利用RCWA的光學(xué)模擬，以研究透明導(dǎo)電層的厚度比(D3/D1)和反射率之間的關(guān)系。(樣本3-1)通過光學(xué)模擬來確定透明導(dǎo)電元件的反射光譜，并且從反射光譜確定反射色調(diào)a*和b*和反射Y值。結(jié)果在圖25A的曲線圖和表2中示出。類似地，通過光學(xué)模擬確定透明導(dǎo)電元件的透射光譜，并且從透射光譜確定透射色調(diào)a*和b'結(jié)果在圖25B的曲線圖和表3中示出。光學(xué)模擬的條件為如下所述。(透明導(dǎo)電元件的構(gòu)造)透明導(dǎo)電元件是以下的多層結(jié)構(gòu)。(入射側(cè))基板/結(jié)構(gòu)體/透明導(dǎo)電層/光學(xué)層(出射側(cè))(基板)折射率n :1. 52(結(jié)構(gòu)體) 結(jié)構(gòu)體的排列六方格子狀結(jié)構(gòu)體的形狀掛鐘形結(jié)構(gòu)體的底面圓形配置節(jié)距(波長\ ) P 250nm結(jié)構(gòu)體的高度(幅度A) H 150nm縱橫比(H/P):0.6單位格子Uc的面積S (格子)2X2 V 3平坦部的面積比Rs : [ (S (格子)一 S (結(jié)構(gòu)體))/S (格子)]X 100=42%(透明導(dǎo)電層)透明導(dǎo)電層的折射率n :2. 0透明導(dǎo)電層的厚度t 50nm結(jié)構(gòu)體頂部的透明導(dǎo)電層的厚度Dl 50nm結(jié)構(gòu)體之間的透明導(dǎo)電層的厚度D3 50nm厚度比D3/D1:1(光學(xué)層)折射率n :1. 52(入射光)偏振無偏振入射角5度(相對于透明導(dǎo)電元件的法線)(樣本3-2)除了修改了以下的光學(xué)模擬條件，像樣本3-1那樣進行光學(xué)模擬，確定反射光譜，并且從反射光譜確定反射色調(diào)a*和b*以及反射Y。結(jié)果在圖25A的曲線圖以及表2中示出。類似地，通過光學(xué)模擬來確定透明導(dǎo)電元件的透射光譜，并且從透射光譜確定透射色調(diào)a*和b'結(jié)果在圖25B的曲線圖以及表3中示出。(透明導(dǎo)電層)透明導(dǎo)電層的厚度t 40nm至50nm結(jié)構(gòu)體頂部的透明導(dǎo)電層的厚度Dl 50nm結(jié)構(gòu)體之間的透明導(dǎo)電層的厚度D3 40nm厚度比D3/D1:0.8(樣本3-3)
除了修改了以下的光學(xué)模擬條件，像樣本3-1那樣進行光學(xué)模擬，確定反射光譜，并且從反射光譜確定反射色調(diào)a*和b*和反射Y值。結(jié)果在圖25A的曲線圖以及表2中示出。類似地，通過光學(xué)模擬來確定透明導(dǎo)電元件的透射光譜，并且從透射光譜確定透射色調(diào)a*和b'結(jié)果在圖25B的曲線圖以及表3中示出。(透明導(dǎo)電層)透明導(dǎo)電層的厚度t 30nm至50nm結(jié)構(gòu)體頂部的透明導(dǎo)電層的厚度Dl 50nm結(jié)構(gòu)體之間的透明導(dǎo)電層的厚度D3 30nm厚度比D3/D1:0.6[表2]
權(quán)利要求
1.一種透明導(dǎo)電元件，包括 設(shè)置有平均波長小于等于可見光波長的波面的光學(xué)層；以及 透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層在所述波面上形成為跟隨所述波面的形狀， 其中，當(dāng)所述波面的平均波長為λ m且所述波面的振動的平均幅度為Am時，比例Am/λπι為O. 2以上且I. O以下， 所述波面的斜面的平均角度在30°以上且60°以下的范圍內(nèi)，以及當(dāng)所述波面的最高位置的所述透明導(dǎo)電層的厚度為Dl并且所述波面的最低位置的所述透明導(dǎo)電層的厚度為D3時，比例D3/D1在O. 8以下的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電元件，其中，所述波面的平坦部的面積為50%以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電元件，其中，所述波面的最高位置的所述透明導(dǎo)電層的厚度為IOOnm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電元件，其中，所述波面的平均波長且300nm以下；以及 所述波面的振動的平均幅度Am為28nm以上且300nm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電元件，其中，所述透明導(dǎo)電層是具有預(yù)定圖案的電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電元件，其中，在所述光學(xué)層的所述波面中，形成有所述電極的部分和沒有形成所述電極的部分之間的反射率差A(yù)R為5%以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電元件，其中， 所述光學(xué)層包括 具有表面的基板，以及 以小于或等于可見光波長的微細節(jié)距布置在所述基板的所述表面上的多個結(jié)構(gòu)體， 其中，所述波面由所述多個結(jié)構(gòu)體的排列而形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的透明導(dǎo)電元件，其中，所述結(jié)構(gòu)體是在頂部具有凸曲面的錐體。
9.一種輸入裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求I至8中任一項所述的透明導(dǎo)電元件。
10.一種顯示裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求I至8中任一項所述的透明導(dǎo)電元件。
11.一種用于制造根據(jù)權(quán)利要求I至8中任一項所述的透明導(dǎo)電元件的母版。
全文摘要
一種透明導(dǎo)電元件，包括設(shè)置有平均波長小于等于可見光波長的波面的光學(xué)層；以及透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層在所述波面上形成為跟隨所述波面的形狀。當(dāng)波面的平均波長為λm且波面的振動的平均幅度為Am時，比例(Am/λm)為0.2以上且1.0以下，波面的斜面的平均角度在30°以上且60°以下的范圍內(nèi)；以及當(dāng)波面的最高位置的透明導(dǎo)電層的厚度為D1并且波面的最低位置的透明導(dǎo)電層的厚度為D3時，比例D3/D1在0.8以下的范圍內(nèi)。
文檔編號G02B1/11GK102792247SQ20118001370
公開日2012年11月21日 申請日期2011年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月19日
發(fā)明者村本穣, 林部和彌, 梶谷俊一 申請人:索尼公司