專利名稱：自支撐膜、自支撐結(jié)構(gòu)體、自支撐膜的制造方法及表膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可適用于攝影機(jī)等攝影光學(xué)系統(tǒng)、顯示器件等投影光學(xué)系統(tǒng)、圖像顯示裝置等觀察光學(xué)系統(tǒng)等光學(xué)設(shè)計(jì)時(shí)的防反射膜等自支撐膜、使用該自支撐膜的自支撐結(jié)構(gòu)體和自支撐膜的制造方法。另外，本發(fā)明涉及用于在制造IC (Integrated Circuit 集成電路)、LSI (Large Scale Integration :大規(guī)模集成電路)、TFT 型 LCD (Thin FilmTransistor, Liquid Crystal Display :薄膜晶體管型液晶顯示器)等半導(dǎo)體裝置時(shí)防止異物附著在光刻エ序中使用的光掩模或標(biāo)線片(reticle)上的表膜。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，為了在顯示器、太陽(yáng)能電池、光學(xué)元件等上應(yīng)用，代替以往的基于干涉的防反射膜，開發(fā)了表面具有波長(zhǎng)水平的微細(xì)凹凸形狀的防反射膜。通過在防反射膜上形成 凹凸形狀的占有體積隨著從空氣界面?zhèn)鹊交膫?cè)而増大的這種形狀，對(duì)于入射光而言，如同折射率從空氣的折射率I緩慢變化為基材的折射率，可抑制在折射率不同的界面上發(fā)生的反射。雖然其制造一般比以往的基于干涉的防反射膜要煩瑣，但具有這種凹凸形狀的防反射膜具有角度特性好于基于干渉的防反射膜、可以在寬波長(zhǎng)區(qū)內(nèi)實(shí)現(xiàn)低反射率的優(yōu)點(diǎn)。作為具有這種凹凸形狀的防反射膜的制造方法，例如已知有通過將固化性樹脂組合物或處于熔融狀態(tài)的熱塑性樹脂填充到具有周期凹凸形狀的模具中并使之固化之后，從模具剝離來(lái)制作的方法(專利文獻(xiàn)I)等。另外，專利文獻(xiàn)2公開了具有透光性基材和在該透光性基材上具有蛾眼結(jié)構(gòu)的防反射層的防反射層疊體?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2008-197216號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2009-230045號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題然而，隨著近年來(lái)的光學(xué)裝置的精密化，所使用的光學(xué)元件的形狀也復(fù)雜化。而且，隨著光學(xué)元件的形狀的復(fù)雜化，尋求對(duì)于具有復(fù)雜形狀的光學(xué)元件，具體而言諸如球面形狀之類的在正交的雙軸方向上截面為曲面形狀的光學(xué)元件可追隨的防反射膜。另外，如果不使用基材等，自支撐膜也具有防反射特性，那么，在例如表膜領(lǐng)域中，即使不形成層疊結(jié)構(gòu)，也可以獲得光學(xué)特性優(yōu)異的自支撐膜。然而，在專利文獻(xiàn)I或?qū)＠墨I(xiàn)2中記載的、將紫外線固化性樹脂、熱固化性樹脂填充到具有凹凸結(jié)構(gòu)的模具中并使之固化之后，從模具剝離來(lái)制作自支撐膜的情況下，想要制作薄膜時(shí)，具有膜破裂而難以制作的問題。另外，將處于熔融狀態(tài)的熱塑性樹脂填充到模具中并使之冷卻固化之后，從模具剝離而制作具有凹凸結(jié)構(gòu)的自支撐膜的情況下，也具有同樣的問題。此外，整個(gè)體系較厚時(shí)，將自支撐膜貼附在諸如球面形狀之類的在正交的雙軸方向上截面為曲面形狀的部件上吋，自支撐膜不能完全追隨形狀，產(chǎn)生了間隙(氣隙，airgap)，結(jié)果，有時(shí)不能獲得防反射效果。本發(fā)明是鑒于上述問題而做出的，其可以提供ー種自支撐膜，由于自支撐膜單獨(dú)具有防反射功能，因此具有優(yōu)異的光學(xué)特性。用于解決問題的方案本發(fā)明人反復(fù)深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過用與以往的制造方法完全不同的制法制作自支撐膜，可以制作現(xiàn)有技術(shù)中不能形成的薄度的自支撐膜，進(jìn)ー步發(fā)現(xiàn)，通過限定自支撐膜的厚度、原材料，形成了形狀追隨性優(yōu)異的自支撐膜，即使在諸如球面形狀之類的在正交的雙軸方向上截面為曲面形狀的部件上貼附時(shí)也不容易產(chǎn)生間隙。本發(fā)明基于這種認(rèn)識(shí) 而被完成，其內(nèi)容如下所述。[I] ー種自支撐膜，其特征在于，其具有在至少ー個(gè)面上形成了周期性凹凸形狀的凹凸結(jié)構(gòu)層。根據(jù)本發(fā)明的自支撐膜，由于至少在一個(gè)面上具有凹凸結(jié)構(gòu)層，即使不制成另外使用基材等的層疊體，單獨(dú)自支撐膜也能具有防反射功能。因此，可以獲得光學(xué)特性優(yōu)異的自支撐膜。[2]根據(jù)第[I]項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，厚度平均為0.2μπι以上且20. Oym 以下。[3]根據(jù)第[I]或[2]項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)層的屈服應(yīng)變?yōu)?%以上，且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上。[4]根據(jù)第[I] [3]項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度平均值為IOOnm以下。[5]根據(jù)第[I] [4]項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)層的主要成分使用選自具有全氟烷基醚環(huán)結(jié)構(gòu)的氟系樹脂、纖維素系衍生物和環(huán)烯烴系樹脂所組成的組中的至少ー種樹脂。[6]根據(jù)第[I] [5]項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸形狀的凸部帶有一定的周期間隔來(lái)配置。[7]根據(jù)第[I] [6]項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸形狀的凸部的周期間隔為Ι.Ομπι以下。[8]根據(jù)第[I] [7]項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸形狀的凸部的高度為所述凹凸形狀的周期間隔的O. 5倍以上且2. O倍以下。[9]根據(jù)第[I] [8]項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸形狀的凸部的形狀為多棱錐形狀、圓錐形狀、截頭多棱錐形狀或截頭圓錐形狀。[10] 一種自支撐結(jié)構(gòu)體，其包含第[I] [9]項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的自支撐膜和設(shè)置于所述自支撐膜的背面的、可從所述自支撐膜剝離的剝離體。[11]根據(jù)第[10]項(xiàng)所述的自支撐結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)層與所述剝離體鄰接。[12]根據(jù)第[10]或[11]項(xiàng)所述的自支撐結(jié)構(gòu)體，其中，所述剝離體的與所述凹凸結(jié)構(gòu)層相対的表面具有大致球面形狀。[13] 一種自支撐結(jié)構(gòu)體，其包含第[I] [9]項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的自支撐膜和設(shè)置于所述自支撐膜的背面的粘合劑層或粘接劑層。[14]根據(jù)第[13]所述的自支撐結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)層與所述粘合劑層或粘接劑層鄰接。[15] ー種第[I] [9]項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的自支撐膜的制造方法，其特征在于，將屈服應(yīng)變?yōu)?%以上且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上的樹脂組合物溶解在有機(jī)溶劑中而形成的聚合物溶液涂布于表面具有周期性凹凸形狀的成膜基板上，然后使之干燥，剝離，獲得厚度平均為O. 2μπι以上且20. Ομ 以下的自支撐膜。[16] ー種第[I] [9]項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的自支撐膜的制造方法，其特征在于，在基板表面具有凹形狀的成膜基板上涂布自支撐膜材料至規(guī)定的膜厚，從而成型自支撐膜，然 后從所述成膜基板剝離該自支撐膜。[17]根據(jù)第[16]項(xiàng)所述的自支撐膜的制造方法，其特征在于，在所述基板表面上實(shí)施硅烷偶聯(lián)處理。[18] ー種表膜，其特征在于，其具有框體、在該框體的一個(gè)端面上涂布的粘合剤、以及在該框體的另一端面上粘接的第[I] [9]項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，所述自支撐膜的內(nèi)表面?zhèn)群?或外表面?zhèn)染哂兴霭纪菇Y(jié)構(gòu)層。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，由于自支撐膜單獨(dú)具有防反射功能，可以提供具有優(yōu)異光學(xué)特性的自支撐膜。此外，根據(jù)本發(fā)明，通過調(diào)整厚度，可以提供形狀追隨性優(yōu)異的自支撐膜，因此，在正交的雙軸方向上截面為曲面形狀的部件上貼附時(shí)極難產(chǎn)生間隙。


圖I為本發(fā)明的實(shí)施方式的自支撐膜的一個(gè)例子的部分放大截面圖。圖2為本發(fā)明的實(shí)施方式的凹凸結(jié)構(gòu)層的一個(gè)例子的部分放大截面圖。圖3所示為計(jì)算本發(fā)明的實(shí)施方式的自支撐膜的厚度平均值時(shí)的測(cè)定點(diǎn)的圖。圖4為說(shuō)明由于像差導(dǎo)致的位置偏移的示意圖。圖5為本發(fā)明的實(shí)施方式的凹凸結(jié)構(gòu)層的一個(gè)例子的部分放大截面圖。圖6為本發(fā)明的實(shí)施方式的自支撐膜的一個(gè)例子的部分放大截面圖。圖7為本發(fā)明的實(shí)施方式的自支撐膜的部分放大立體圖。圖8為本發(fā)明的另ー實(shí)施方式的自支撐膜的部分放大立體圖。圖9為本發(fā)明的另ー實(shí)施方式的自支撐膜的部分放大立體圖。圖10為第二實(shí)施方式的表膜的截面圖。
具體實(shí)施例方式以下詳細(xì)說(shuō)明用于實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施方式(以下簡(jiǎn)稱為“本實(shí)施方式”)。以下的本實(shí)施方式是用于說(shuō)明本發(fā)明的例示，本發(fā)明不受以下內(nèi)容的限定。本發(fā)明的自支撐膜特征在于，其是具有表面形成了周期性凹凸形狀的凹凸結(jié)構(gòu)層的自支撐膜，具有在至少ー個(gè)面上形成了周期性凹凸形狀的凹凸結(jié)構(gòu)層。其中，作為周期性結(jié)構(gòu)，還包括凹凸形狀或間距無(wú)規(guī)的周期結(jié)構(gòu)。[第一實(shí)施方式]首先，說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式。圖I是本實(shí)施方式的自支撐膜的一個(gè)例子的部分放大截面圖。在圖I中，自支撐膜4具有在ー個(gè)表面上形成了周期凹凸形狀5的凹凸結(jié)構(gòu)層I，在凹凸結(jié)構(gòu)層I的另ー側(cè)的表面上具有薄膜層2。在此處，凹凸結(jié)構(gòu)層是指，表面具有周期性凹凸形狀、且與凹凸形狀一體形成的層。另外，凹凸結(jié)構(gòu)層的ー個(gè)面上設(shè)有周期凹凸形狀，另ー個(gè)面上不設(shè)置周期凹凸形狀吋，將不設(shè)有周期凹凸形狀的面作為背面。另ー方面，在凹凸結(jié)構(gòu)層的兩面設(shè)有周期凹凸形狀時(shí)，以凹凸形狀的周期較大ー側(cè)的面作為背面，凹凸形狀的周期相同時(shí)，以任意一面為背面。 本實(shí)施方式的自支撐膜以O(shè). 2μπι以上且20. Ομπι以下的平均厚度形成，與以往的自支撐膜相比是格外薄的，因此形狀追隨性優(yōu)異。而且，在球面形狀之類的正交雙軸方向上截面為曲面形狀的部件上貼附時(shí)，極難產(chǎn)生間隙。自支撐膜的平均厚度越薄，形狀追隨性越優(yōu)異，但從自支撐膜的強(qiáng)度、容易制作均一的膜的觀點(diǎn)考慮，自支撐膜的平均厚度優(yōu)選為O. 3 μ m以上且15. O μ m以下，更優(yōu)選為O. 5 μ m以上且10. O μ m以下，特別優(yōu)選為O. 7 μ m以上且6.0μπι以下。其中，從減低像差導(dǎo)致的位置偏移的觀點(diǎn)來(lái)看，所述厚度平均值設(shè)為20. Ομπι以下。此處所述的像差導(dǎo)致的位置偏移是，由于光的波長(zhǎng)，物質(zhì)的折射率不同而發(fā)生的。圖4是說(shuō)明像差導(dǎo)致的位置偏移的示意圖。從傾斜方向入射到自支撐膜時(shí)在界面的折射角因波長(zhǎng)而不同，因此，通過自支撐膜之后的透射光發(fā)生的位置因波長(zhǎng)而偏移，產(chǎn)生像差12。該像差導(dǎo)致的位置偏移較大時(shí)，可產(chǎn)生透過自支撐膜后的光學(xué)設(shè)計(jì)變得復(fù)雜等問題或精密光學(xué)設(shè)計(jì)變得困難的問題。上述自支撐膜的厚度平均值為O. 2 μ m以上且20. O μ m以下，與以往的自支撐膜相比格外薄，因此像差導(dǎo)致的位置偏移極小。對(duì)上述凹凸形狀的凸部的形狀沒有特別限制，凸部的形狀為在高度方向上連續(xù)變化的形狀時(shí)，防反射效果增高，這是優(yōu)選的。另外，由于寬帶的光下的尤其透射率的最低值增高，因此還具有平均透射率增高的效果。作為優(yōu)選的凸部的形狀，例如可以為厚度方向的截面形狀為梯形、矩形、方形、棱鏡狀或三角形狀、半圓狀的形狀。而且，作為優(yōu)選的凹凸形狀，例如可以為厚度方向的截面形狀為梯形、矩形、方形、棱鏡狀或三角形狀、半圓狀的凸部連續(xù)配置的形狀，或者正弦波形狀等周期性凹凸形狀等。在此處，正弦波狀是指具有由凹部與凸部的重復(fù)構(gòu)成的曲線部。其中，曲線部只要是彎曲的曲線即可，例如凸部有中間變細(xì)的形狀也包括在正弦波狀中。在這些截面形狀中，三角形狀、正弦波形狀具有高防反射效果。此外，上述凸部的截面形狀在正交的雙軸方向上均為梯形、矩形、方形、棱鏡狀、三角形狀、半圓狀等高度方向上連續(xù)變化的形狀時(shí)，因光的入射方向?qū)е碌姆婪瓷湫Ч钭兩伲虼耸莾?yōu)選的。作為優(yōu)選的凸部的形狀例如可以為三棱錐、四棱錐、六棱錐等多棱錐形狀或圓錐形狀、截頭多棱錐形狀、截頭圓錐形狀等。在此處，截頭多棱錐是指多棱錐的頭頂部水平地截?cái)嗟男螤?，截頭圓錐是指圓錐的頭頂部水平地截?cái)嗟男螤?。這些多棱錐形狀、圓錐形狀、截頭多棱錐形狀、截頭圓錐形狀的各面鄰接的部分可以形成為曲面，另外，相鄰的凸形狀之間的連接部分也可以形成為曲面。另外，從防反射效果的觀點(diǎn)考慮，自支撐膜表面優(yōu)選盡可能不制作成平面部分。具體而言，自支撐膜表面上的凹凸形狀的占有率優(yōu)選為70%以上，更優(yōu)選為85%以上，特別優(yōu)選為95%以上。為了提高凹凸形狀的占有率，凸部的底面形狀優(yōu)選是平面上無(wú)間隙地鋪滿的形狀。因此，凹凸形狀優(yōu)選是凹凸在單軸方向上延伸的格子狀凹凸形狀，或(截頭)三棱錐、(截頭)四棱錐、(截頭)六棱錐等底面可鋪滿的凸部連續(xù)配置的形狀。使用圓錐或截頭圓錐形狀時(shí)，優(yōu)選形成六方最密結(jié)構(gòu)，此外，優(yōu)選使鄰接的圓錐的下部之間疊合地配置，使得在凹凸結(jié)構(gòu)層表面上盡可能不形成平面部分。另外，凹凸形狀優(yōu)選是防反射效果的角度依賴性盡可能小的形狀，厚度方向的截面形狀在正交的雙軸方向上為相同截面形狀的凹凸形狀時(shí)，角度依賴性變小，因此是優(yōu)選的。因此，作為凸部的形狀，優(yōu)選使用多棱錐形狀、圓錐形狀、截頭多棱錐形狀、截頭圓錐形狀這樣的在正交的雙軸方向上為相同截面形狀的形狀。尤其，從角度依賴性的觀點(diǎn)考慮，圓錐形狀、截頭圓錐形狀是優(yōu)選的。另ー方面，從防反射效果的觀點(diǎn)來(lái)看，在高度方向上連續(xù)變化的形狀是優(yōu)選的，因此，圓錐形狀、多棱錐形狀是優(yōu)選的。

此外，凹凸形狀的周期間隔為使用波長(zhǎng)的同等程度以下吋，防反射效果提高，因此是優(yōu)選的。通常，光學(xué)元件使用150nnT2000nm的波長(zhǎng)，因此為了提高防反射效果，優(yōu)選將凹凸形狀的周期間隔設(shè)為250nm以下。更優(yōu)選為150nm以下，特別優(yōu)選為75nm以下，從制造上的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為Inm以上。另外，凸部的高度為凹凸形狀周期間隔的O. 5倍以上且2. O倍以下，尤其I. O倍以上且2. O倍以下時(shí)，可以獲得良好光學(xué)特性，因此是優(yōu)選的。此處定義的凸部的高度是指周期凹凸形狀的凹部底點(diǎn)與凸部頂點(diǎn)的高度差。凸部的形狀為棱錐形狀、圓錐形狀的情況下，凸部的高度為使用波長(zhǎng)的O. 3倍以上時(shí)，可以獲得高的防反射效果，因此是優(yōu)選的。另外，凸部形狀為四棱錐形狀的場(chǎng)合下，凸部的高度為使用波長(zhǎng)的O. 5倍以上吋，凸部形狀為圓錐形狀的場(chǎng)合下，凸部的高度為使用波長(zhǎng)的O. 45倍以上吋，凸部形狀為圓錐在水平方向上疊合的形狀的情況下，凸部的高度為O. 65倍以上時(shí)，可以獲得特別高的防反射效果，因此是優(yōu)選的。凸部的高度越高越優(yōu)選，但即使為I μ m以下，也能獲得充分的防反射效果。自支撐膜、凹凸結(jié)構(gòu)均可以僅單面上設(shè)置凹凸形狀，也可以在兩面上設(shè)置。在兩面上設(shè)置凹凸形狀時(shí)，與僅僅在單面上設(shè)置凹凸形狀的場(chǎng)合相比，可以提高防反射效果，因此，優(yōu)選在兩面上設(shè)置凹凸形狀。另外，在與下述粘合劑層、粘接劑層鄰接的面上設(shè)置凹凸形狀吋，由于錨固效果，與粘合劑層、粘接劑層的粘接性提高，因此是優(yōu)選的。上述厚度不平度平均值優(yōu)選設(shè)定為所使用的波長(zhǎng)以下。圖5為本發(fā)明的實(shí)施方式的凹凸結(jié)構(gòu)層的一個(gè)例子的部分放大截面圖。從凹凸結(jié)構(gòu)層I的一個(gè)面上設(shè)置的周期凹凸形狀5的凹部底點(diǎn)13到凹凸結(jié)構(gòu)層背面6的距離(最小)15與從凹部底點(diǎn)13到凹凸結(jié)構(gòu)層背面6的距離(最大)14之差是凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度16。另外，從凹部底點(diǎn)13到凹凸結(jié)構(gòu)層背面6的距離的算木平均是厚度不平度平均值。凹凸結(jié)構(gòu)層I的厚度是從凹凸結(jié)構(gòu)層背面到凸部頂點(diǎn)的厚度。該凹凸結(jié)構(gòu)層I的厚度11例如如圖2所示可以抽取從高的一側(cè)起到第幾個(gè)(例如第5個(gè))為止的凸部的頂點(diǎn)，設(shè)定為從該抽取的頂點(diǎn)的平均高度10到凹凸結(jié)構(gòu)層背面的尺寸。假定在可見光區(qū)域使用時(shí),厚度不平度平均值優(yōu)選為IOOnm以下,更優(yōu)選為50nm以下。另外，預(yù)定在紫外光區(qū)域使用時(shí)，厚度不平度平均值優(yōu)選為50nm以下，更優(yōu)選為IOnm以下。厚度不平度平均值設(shè)定為IOOnm以下從作為自支撐膜使用時(shí)減低所能見到的顏色不勻的觀點(diǎn)來(lái)看是優(yōu)選的。在所述凹凸形狀5的表面上可以設(shè)置涂層3。作為涂層，可以為硬涂層、金屬薄膜層、其他自支撐層、防濕層、抗靜電層、電磁波屏蔽層、近紅外線吸收層、紫外線吸收層、選擇吸收過濾層等，涂層可以重疊幾層。上述硬涂層可列舉出為通過活性能量射線固化的固化性樹脂的、公知的丙烯酸系聚合物、聚氨酯系聚合物、環(huán) 氧系聚合物、硅酮系聚合物、或者硅石系化合物、或者單獨(dú)的硅
(Si)的氧化物、氮化物、鹵化物、碳化物或其復(fù)合物、金屬薄膜層等。作為金屬薄膜層，可列舉出鋁(Al)、鉻(Cr)、釔(Y)、鋯(Zr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋇(Ba)、銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鎂(Mg)、I丐(Ca)、鋪(Ce)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)等金屬的氧化物、氮化物、鹵化物、碳化物或它們的復(fù)合物。另外，作為其他自支撐層，可列舉出由四氟こ烯-偏ニ氟こ烯-六氟丙烯的三元共聚物、具有全氟烷基醚環(huán)結(jié)構(gòu)的氟系樹脂(尤其優(yōu)選DuPont公司制造的Teflon(注冊(cè)商標(biāo))AF、旭硝子公司制造的CYTOP (商品名)、AUSM0NT K. K.制造的Algoflon (商品名)、聚氟丙烯酸酷)、或氟化鈣、氟化鎂、氟化鋇等低折射率材料形成的自支撐層等。為了抑制光學(xué)部件的損傷，形成自支撐膜表面7的涂層的最表面層理想地是樹脂層，尤其理想地為硬度計(jì)硬度(Durometer hardness)(根據(jù)JIS K7215測(cè)定)為HDA30以上且HDD90以下的樹脂層。另外，從對(duì)具有球面形狀的部件的追隨性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選的是，涂層的全層為樹脂層，尤其優(yōu)選的是，全層是硬度計(jì)硬度(根據(jù)JIS K7215測(cè)定)為HDA30以上且HDD 90以下的樹脂層。涂層的折射率盡可能接近凹凸結(jié)構(gòu)層的凹凸形狀的折射率吋，防反射效果增高，因此是優(yōu)選的。其中，如從凹凸結(jié)構(gòu)層的定義中所明確的，涂層不包括在凹凸結(jié)構(gòu)層中。另外，可以在凹凸結(jié)構(gòu)層的背面層疊薄膜層。作為上述薄膜層，優(yōu)選使用其他自支撐層、金屬薄膜層等。另外，薄膜層可以是ー層，也可以是多層。其中，如從凹凸結(jié)構(gòu)層的定義中所明確的，背面的薄膜層不包括在凹凸結(jié)構(gòu)層中?？梢杂缮鲜鲎灾文ず驮O(shè)置在所述自支撐膜的背面、可從所述自支撐膜剝離的剝離體形成自支撐結(jié)構(gòu)體。在該情況下，優(yōu)選上述凹凸結(jié)構(gòu)層與上述剝離體鄰接。這種自支撐結(jié)構(gòu)體從使用前的防反射膜容易處理的觀點(diǎn)來(lái)看是優(yōu)選的。另外，上述剝離體的與所述凹凸結(jié)構(gòu)層相対的表面具有大致球面形狀(或球面形狀)時(shí)，可以從剝離體容易地剝離，因此是優(yōu)選的。另外，可以由上述自支撐膜和在所述自支撐膜的背面設(shè)置的粘合劑層或粘接劑層形成自支撐結(jié)構(gòu)體。在該情況下，優(yōu)選上述凹凸結(jié)構(gòu)層與上述粘合劑層或粘接劑層鄰接。這種自支撐結(jié)構(gòu)體從使用前的自支撐膜容易處理的觀點(diǎn)來(lái)看是優(yōu)選的。以下說(shuō)明上述自支撐膜的制作方法。對(duì)上述自支撐膜的制作方法沒有特別限制，例如可列舉出以下方法，將屈服應(yīng)變1%以上且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上的樹脂組合物溶解在有機(jī)溶劑中而形成的聚合物溶液涂布于表面上具有周期性凹凸形狀的成膜基板上，然后使之干燥，剝離，獲得厚度平均O. 2 μ m以上且20 μ m以下的自支撐膜。構(gòu)成凹凸結(jié)構(gòu)層的膜材料的樹脂組合物的屈服應(yīng)變?yōu)?%以上且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上吋，使用下述制法制作凹凸結(jié)構(gòu)層時(shí)，可以制作厚度平均O. 2 μ m以上且20 μ m以下的凹凸結(jié)構(gòu)層。自支撐膜大多以可見光和紫外光的防反射效果為目的進(jìn)行設(shè)計(jì)。因此，上述樹脂組合物中含有的樹脂優(yōu)選是在可見光區(qū)域和紫外區(qū)域中透光率高的樹脂。作為這種樹月旨，具體而言，可以為聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯こ烯樹脂、交聯(lián)聚苯こ烯樹脂、聚氯こ烯樹脂、聚芳酯樹脂、聚苯醚樹脂、改性聚苯醚樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、聚醚砜樹脂、聚砜樹脂、聚醚酮樹脂、纖維素系衍生物(こ酸纖維素、こ酸丙酸纖維素、こ酸丁酸纖維素等或它們兩種以上的混合物)、環(huán)烯烴系樹脂(降冰片烯的聚合物或共聚物(包括加氫物)，例如，APEL (注冊(cè)商標(biāo))(三井化學(xué)公司制造)、TOPAS (注冊(cè)商標(biāo))(PolyplasticsCo. , Ltd.制造)、ZEONEX (注冊(cè)商標(biāo))或ZEONOR (注冊(cè)商標(biāo))(日本ZEON CORPORATION制造)、ARTON (注冊(cè)商標(biāo))(JSR公司制造)等)、氟系樹脂(四氟こ烯-偏ニ氟こ烯-六氟丙烯的三元共聚物、具有全氟烷基醚環(huán)結(jié)構(gòu)的氟系樹脂的DuPont公司制造的Teflon (注冊(cè)商標(biāo))AF、旭硝子公司制造的CYTOP (商品名)、AUSM0NT K. K.制造的Algoflon (商品名)等)等非晶性熱塑性樹脂或聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯樹脂(PET)、聚萘ニ甲酸こニ醇酯樹脂、聚こ 烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚對(duì)苯ニ甲酸丁ニ醇酯樹脂、芳香族聚酯樹脂、聚縮醛樹脂、聚酰胺樹脂等結(jié)晶性熱塑性樹脂等。在上述樹脂中，優(yōu)選使用屈服應(yīng)變?yōu)?%以上且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上的樹脂作為上述樹脂組合物的主要成分。主要成分是指上述樹脂組合物中含有的屈服應(yīng)變?yōu)?%以上且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上的樹脂成分的量為50重量％以上。在屈服應(yīng)變?yōu)?%以上且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上的樹脂中，尤其，具有全氟烷基醚環(huán)結(jié)構(gòu)的氟系樹脂、環(huán)烯烴系樹脂、纖維素系衍生物(尤其優(yōu)選こ酸丙酸纖維素、こ酸丁酸纖維素、丙酸纖維素、こ酸纖維素等)與后述的具有凹凸形狀的成膜基板的脫模性良好，另夕卜，伸縮性優(yōu)異，因此，可以制作較薄的凹凸結(jié)構(gòu)層。尤其優(yōu)選具有全氟烷基醚環(huán)結(jié)構(gòu)的氟系樹脂。上述樹脂組合物中含有的屈服應(yīng)變?yōu)?%以上且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上的樹脂成分的量?jī)?yōu)選為80%以上，更優(yōu)選為90%以上，特別優(yōu)選為95%以上。此外，上述樹脂組合物根據(jù)使用目的可以配合紫外線吸收劑、光穩(wěn)定劑、用于提高光穩(wěn)定劑的效果的抗氧化劑等。凹凸結(jié)構(gòu)層可以通過如下方式制作將屈服應(yīng)變?yōu)?%以上且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上的樹脂組合物溶解在有機(jī)溶劑中而形成的聚合物溶液(自支撐膜材料)以規(guī)定的膜厚涂布于表面具有周期性凹凸形狀的成膜基板上，然后使之干燥，從上述成膜基板上剝離。作為成膜基板的材料，能夠確保充分的平坦性的材質(zhì)是優(yōu)選的，合成石英、熔融石英、無(wú)堿玻璃、低堿玻璃、鈉鈣玻璃、硅、鎳板等是優(yōu)選的。尤其使用硅時(shí)，能夠確保高精度的基板表面的平坦性，而且容易制作基板表面上的凹凸，因此是優(yōu)選的。另外，考慮到成膜基板有可能因后述的凹凸結(jié)構(gòu)層干燥時(shí)的溫度不勻而破裂，成膜用基板的熱膨脹系數(shù)越小越優(yōu)選。尤其，(TC 300で下的線膨脹系數(shù)優(yōu)選為50X 10_7m/°C以下。成膜基板表面的凹凸形狀設(shè)置為與上述凹凸結(jié)構(gòu)層的凹凸形狀對(duì)應(yīng)的形狀即可。接著說(shuō)明在基板表面具有凹凸形狀的成膜基板的制作方法。在設(shè)有鉻薄膜層的透明基板(優(yōu)選合成石英玻璃)上涂布光致抗蝕劑，預(yù)烘焙之后，使用電子束曝光裝置在抗蝕劑上描畫凹凸形狀。在鉻薄膜層上描畫的凹凸形狀為與凹凸結(jié)構(gòu)層的凹凸形狀對(duì)應(yīng)的形狀。顯影處理后，將從抗蝕圖案露出的鉻層部分蝕刻，將抗蝕圖案轉(zhuǎn)印到鉻層上。最后，洗滌抗蝕劑殘?jiān)?，制作?biāo)線片。
將光致抗蝕劑均一地涂布于成膜基板上之后，預(yù)烘焙，使光致抗蝕劑固化。使用屬于半導(dǎo)體元件制造裝置之一的縮小投影型曝光裝置(步進(jìn)器)，通過縮小投影透鏡縮小預(yù)先制作的標(biāo)線片的微細(xì)圖案，邊在涂布了光致抗蝕劑的晶片上移動(dòng)邊進(jìn)行投影曝光。接著，在有機(jī)堿顯影液中浸潰，去除感光部分的光致抗蝕劑。進(jìn)ー步，用超純水漂洗數(shù)次，去除感光的殘?jiān)?，進(jìn)行加熱。通過干蝕刻法選擇性蝕刻沒有被光致抗蝕劑包覆的部分，在晶片上制作微細(xì)圖案。最后，通過用溶劑完全去除光致抗蝕劑，可以獲得在基板表面具有凹凸形狀的成膜基板。成膜基板上的周期凹凸形狀可以通過變更標(biāo)線片的圖案尺寸、曝光和蝕刻條件而自由地變更形狀。另外，上述是成膜基板的制作方法的ー個(gè)例子，而不限于此。作為上述聚合物溶液在成膜基板上的涂布方法，可列舉出旋轉(zhuǎn)涂布法、輥涂法、刮刀涂布法、流延法等，從膜厚的均一性、異物的管理、薄膜化的觀點(diǎn)考慮，旋轉(zhuǎn)涂布法是特別優(yōu)選的。以下說(shuō)明利用旋轉(zhuǎn)涂布法的成膜方法。凹凸結(jié)構(gòu)層使用將上述膜材料溶解在有機(jī)溶劑中而形成的聚合物溶液來(lái)制作。關(guān) 于溶劑，在環(huán)境溫度下的揮發(fā)極少且沸點(diǎn)不是太高的溶劑是優(yōu)選的。考慮到以上，溶劑理想地為沸點(diǎn)10(T20(TC的溶剤。作為這種溶劑，例如，可列舉出脂肪族烴系化合物、芳香族系化合物、氯系烴等鹵化系烴、酷系化合物或酮系化合物等。其中，對(duì)于環(huán)烯烴系樹脂，可優(yōu)選使用脂環(huán)式烴等飽和脂肪族烴系化合物、芳香族系化合物、齒化烴等有機(jī)溶剤，而纖維素系衍生物在氯系烴、酮、酷、烷氧基醇、苯、醇等単一或混合有機(jī)溶劑中是可溶的。作為這些有機(jī)溶劑的例子，可列舉出氯系烴、酷系化合物、酮系化合物等有機(jī)溶剤。作為氯系烴，優(yōu)選使用ニ氯甲烷、氯化こ烯、氯化丙烯等，作為酮系化合物有機(jī)溶劑，優(yōu)選使用丙酮、甲こ酮、甲基異丁基酮等。作為酯系化合物有機(jī)溶劑，優(yōu)選使用醋酸酯類(醋酸甲酷、醋酸こ酷、醋酸丁酷等)、乳酸酯類(乳酸こ酷、乳酸丁酷等)。除此以外，苯、こ醇、甲醇、こ酸溶纖劑、卡必醇等可以作為単一或混合溶劑利用。聚合物溶液的濃度優(yōu)選為廣10質(zhì)量％，因?yàn)楦稍飼r(shí)的凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度減小。更優(yōu)選為:Γ8質(zhì)量％。為了増大凹凸結(jié)構(gòu)層的透光率、且減少凹凸結(jié)構(gòu)層中的異物，聚合物溶液的吸光度優(yōu)選為O. 05以下。凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度和均一性(厚度不平度)主要由聚合物溶液的液溫、環(huán)境溫度和濕度、成膜基板的轉(zhuǎn)速?zèng)Q定。從薄膜化和均一性的觀點(diǎn)考慮，聚合物溶液的液溫優(yōu)選與環(huán)境溫度(1(T30°C )相同程度，成膜基板的溫度也優(yōu)選與環(huán)境溫度為相同程度。液溫、環(huán)境溫度、成膜基板的溫度為相同程度時(shí)，可抑制厚度不平度，因此是優(yōu)選的。濕度優(yōu)選為30飛0%。在成膜基板上適量滴加聚合物溶液之后，在每分鐘5(Γ5000轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速下使成膜基板旋轉(zhuǎn)來(lái)成膜。從膜的均一性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選在轉(zhuǎn)速為每分鐘5(Γ500轉(zhuǎn)的速度下進(jìn)行，更優(yōu)選為每分鐘75 400轉(zhuǎn)，進(jìn)ー步優(yōu)選每分鐘10(Γ300轉(zhuǎn)。另外，旋轉(zhuǎn)時(shí)間優(yōu)選為30秒鐘以上且120秒鐘以下，更優(yōu)選為30秒鐘以上且60秒鐘以下。凹凸結(jié)構(gòu)層的膜厚優(yōu)選為O. 2μπι以上且20. Ομπι以下左右，從凹凸結(jié)構(gòu)層的強(qiáng)度、均一膜的容易制作考慮，優(yōu)選為O. 3 μ m以上且15. O μ m以下，進(jìn)ー步優(yōu)選為O. 5 μ m以上且10. O μ m以下。特別優(yōu)選為O. 7 μ m以上且6. O μ m以下。成膜之后，將成膜基板放置在熱的電熱板上，進(jìn)行干燥，使溶劑揮發(fā)。從膜的均一性的觀點(diǎn)來(lái)看，干燥優(yōu)選以低溫干燥和高溫干燥的兩階段方式進(jìn)行，優(yōu)選在30°C 90°C下干燥4分鐘 15分鐘左右之后，在50°C 200°C下干燥4分鐘 30分鐘。在膜干燥之后，從基板上剝離膜。從基板上剝離凹凸結(jié)構(gòu)層時(shí)，其脫模性變得重要。為了容易利用旋轉(zhuǎn)涂布法成膜且成膜后容易剝離，有必要使凹凸結(jié)構(gòu)層的膜材料與基板的接觸角最適化。作為控制基板的接觸角的方法，已知有硅烷偶聯(lián)法。為了將由無(wú)機(jī)材料形成的基板偶聯(lián)，使末端具有醚鍵的硅烷與基板表面接觸，進(jìn)行反應(yīng)。另外，通過將另一側(cè)的端基設(shè)定為與膜材料親和性低的基團(tuán)，脫模性提高。氟作為脫模劑的效果高，為了實(shí)現(xiàn)高脫模性，另ー側(cè)的端基尤其希望為氟末端。由于膜從基板剝離時(shí)承受應(yīng)力，因此,為了抑制厚度O. 2 μ m以上且20. O μ m以下的薄膜的凹凸結(jié)構(gòu)層的膜破裂而從基板將膜剝離，需要使用屈服應(yīng)變?yōu)?%以上且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上的樹脂組合物，將凹凸結(jié)構(gòu)層的屈服應(yīng)變?cè)O(shè)定為1%以上、將拉伸伸長(zhǎng)率設(shè)定為10%以上。屈服應(yīng)變與拉伸伸長(zhǎng)率越大，從基板上剝離膜時(shí)的膜破裂越難發(fā)生，可以制作更大面積的凹凸結(jié)構(gòu)層和自支撐膜，因此是優(yōu)選的。屈服應(yīng)變更優(yōu)選為2%以上，進(jìn)ー步優(yōu)選為4%以上，特別優(yōu)選為5%以上。拉伸伸長(zhǎng)率更優(yōu)選為50%以上， 進(jìn)ー步優(yōu)選為100%以上，特別優(yōu)選為160%以上。對(duì)屈服應(yīng)變、拉伸伸長(zhǎng)率二者的上限沒有特別限制，只要屈服應(yīng)變?yōu)?%以上且30%以下，拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上且500%以下，就能充分抑制膜破裂。從生產(chǎn)率的觀點(diǎn)考慮，自支撐膜和凹凸結(jié)構(gòu)層的面積越大越優(yōu)選，優(yōu)選為IOOcm2以上，更優(yōu)選為300cm2以上，進(jìn)ー步優(yōu)選為700cm2以上，特別優(yōu)選為IOOOcm2以上。然而，從膜厚的均一性的觀點(diǎn)考慮，防反射膜和凹凸結(jié)構(gòu)層的面積優(yōu)選為35000cm2以下。另外，所制作的凹凸結(jié)構(gòu)層的屈服應(yīng)變?yōu)?%以上，且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上時(shí)，可以對(duì)部件邊拉伸邊展開，因此，追隨性更優(yōu)異。屈服應(yīng)變更優(yōu)選為2%以上，進(jìn)ー步優(yōu)選為4%以上，特別優(yōu)選為5%以上。拉伸伸長(zhǎng)率更優(yōu)選為50%以上，進(jìn)ー步優(yōu)選為100%以上，特別優(yōu)選為160%以上。屈服應(yīng)變、拉伸伸長(zhǎng)率二者的上限沒有特別限制，只要屈服應(yīng)變?yōu)?%以上且30%以下、拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上且500%以下，就可獲得充分的形狀追隨性。本實(shí)施方式的自支撐膜在其制法上不需要支撐凹凸結(jié)構(gòu)層的基材層，因此，可以在凹凸結(jié)構(gòu)層背面上直接設(shè)置粘合劑層或粘接劑層。而且，由于在凹凸結(jié)構(gòu)層背面上直接設(shè)置粘合劑層或粘接劑層，因此形成了非常薄的自支撐結(jié)構(gòu)體。粘合劑、粘結(jié)劑優(yōu)選使用適用于光學(xué)材料用途的粘合劑、粘接劑。作為粘合劑，具體而言，優(yōu)選聚氨酯系粘合劑、丙烯酸系粘合劑等，作為粘接劑，具體而言，優(yōu)選丙烯酸系粘接劑、聚氨酯系粘接劑、環(huán)氧系粘接劑、UV固化型粘接劑等。粘合劑、粘接劑的厚度在能夠保持實(shí)用的粘合、粘接強(qiáng)度且能抑制被粘體的形狀變形的范圍內(nèi)越薄越優(yōu)選。另外，也可以不在凹凸結(jié)構(gòu)層背面上設(shè)置粘合劑層或粘接劑層而在凹凸結(jié)構(gòu)層的背面上直接設(shè)置可從凹凸結(jié)構(gòu)層剝離的剝離體。對(duì)上述剝離體沒有特別限制，例如可以為玻璃基板、薄膜基材、光學(xué)元件等。上述剝離體不僅可以是平面形狀，也可以是球面形狀。自支撐膜通常在自支撐膜的背面上設(shè)置可從上述自支撐膜剝離的剝離體的狀態(tài)下，或者在自支撐膜的背面上設(shè)置粘合材料層、進(jìn)一歩在上述粘合材料層的與具有防反射膜的面相反一側(cè)的面上設(shè)置可從該粘合材料層剝離的剝離體的狀態(tài)下保管，而且在使用時(shí)從上述剝離體剝離后使用。本實(shí)施方式的自支撐膜的厚度平均值非常薄，為O. 2 μ m以上且20. O μ m以下，剛性小。因此，作為自支撐膜的保管方法，以下方法是優(yōu)選的形成包含自支撐膜和設(shè)置于所述自支撐膜的背面的、可從上述自支撐膜剝離且在正交的雙軸方向上截面為曲面形狀的剝離體的層疊體以保管自支撐膜的方法；或者，形成包含自支撐膜、設(shè)置于所述自支撐膜的背面的粘合材料層、以及在所述粘合材料層的與具有自支撐膜的面相反ー側(cè)的面設(shè)置的、可從上述粘合材料層剝離且在正交的雙軸方向上截面為曲面形狀的剝離體的層疊體以進(jìn)行保管的方法。為在正交的雙軸方向上截面為曲面形狀的剝離體時(shí)，與平面形狀或僅在單軸方向上截面為曲面形狀的形狀(例如輥形狀)的剝離體相比，從剝離體剝下自支撐膜或帶有粘合材料層的自支撐膜時(shí)容易從角部剝下，處理性顯著提高。另外，在凹凸結(jié)構(gòu)層的背面直接設(shè)置可從上述自支撐膜剝離且在正交的雙軸方向上截面為曲面形狀的剝離體的形態(tài)，或者在凹凸結(jié)構(gòu)層的背面上直接設(shè)置粘合材料層，在上述粘合材料層的與具有凹凸結(jié)構(gòu)層的面相反ー側(cè)的面上設(shè)置可從上述粘合材料層上剝離且在正交的雙軸方向上截面為曲面形狀的剝離體的形態(tài)時(shí)，從上述剝離體剝下之后的自支撐膜薄，形成形狀追隨性優(yōu)異的自支撐膜，因此是優(yōu)選的。本申請(qǐng)發(fā)明的自支撐膜由于形狀追隨性優(yōu)異，因此，可適合用于觸摸屏、液晶顯示面板、等離子體顯示器、有機(jī)EL顯示器等圖像顯示裝置，投影儀等投影光學(xué)系統(tǒng)，光學(xué)透鏡等觀察光學(xué)系統(tǒng)，照相機(jī)等攝像光學(xué)系統(tǒng)，偏振射束分裂器(polarization beam splitter)或發(fā)光二極管的發(fā)光部前端、太陽(yáng)能電池板的表面等光學(xué)元件。[第二實(shí)施方式]接著說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施方式。第二實(shí)施方式使用本發(fā)明的自支撐膜用于表膜的表膜用膜。近年來(lái)，半導(dǎo)體部件尋求更進(jìn)ー步的低價(jià)格化，因此，從經(jīng)濟(jì)觀點(diǎn)考慮，尋求容易去除表膜用膜上附著的異物、能反復(fù)使用的表膜。然而，現(xiàn)有的表膜難以去除表膜表面上附著的異物，為了去除異物，需要進(jìn)行高壓カ和高流量的吹氣，因此，發(fā)生了表膜用膜在空氣壓カ下彎曲、破裂的問題、表膜用膜在空氣壓カ下附著在光掩模上等問題。因此，第二實(shí)施方式的表膜是鑒于所述問題而做出的，其提供了表膜用膜，其不容易附著異物，另外，即使異物附著，也能通過吹氣容易去除。圖10是第二實(shí)施方式的表膜的截面圖。如圖10所示，第二實(shí)施方式的表膜20具有框體27、該框體27的一個(gè)端面上涂布的粘合劑28、在該框體27的另一端面上粘接的作為自支撐膜的表膜用膜21。圖6為本發(fā)明的實(shí)施方式的自支撐膜的一個(gè)例子的部分放大截面圖。本實(shí)施方式的表膜用膜21特征在于，在至少ー個(gè)面上設(shè)置有多個(gè)凸結(jié)構(gòu)22。其中，在第二實(shí)施方式的表膜用膜21中，凸結(jié)構(gòu)22與形成凹凸形狀的凸部對(duì)應(yīng)，包含凸結(jié)構(gòu)22的層與凹凸形狀所形成的凹凸結(jié)構(gòu)層對(duì)應(yīng)。具有多個(gè)凸結(jié)構(gòu)的表膜用膜的情況下，與平坦的表膜用膜相比，附著大于ー個(gè)凸結(jié)構(gòu)和與該凸結(jié)構(gòu)最近鄰接的凸結(jié)構(gòu)的頂點(diǎn)間隔(以下簡(jiǎn)稱為凸結(jié)構(gòu)的間隔6 )的異物時(shí)，異物與表膜用膜的接觸面積減小，因此異物難以在表膜用膜上附著，另外，即使在異物附著于表膜用膜上時(shí)，吹氣時(shí)的異物去除也變得容易。此處所述的凸結(jié)構(gòu)是指高度為30nm以上的凸型的形狀，此處所述的凸結(jié)構(gòu)的高度25是指凸結(jié)構(gòu)的頂點(diǎn)23與凸結(jié)構(gòu)的底點(diǎn)24之差。另外，在表膜用膜的情況下，尤其微米級(jí)異物附著的問題較多，在以往的表膜用膜中，微米級(jí)的異物一旦附著于膜上，其去除是不容易的。然而，使用為凸結(jié)構(gòu)的間隔Ι.Ομπι以下的表膜用膜時(shí)，即使是微米級(jí)的異物，異物與表膜用膜的接觸面積也變小，因此，難以在表膜用膜上附著，另外，即使附著，吹氣時(shí)的異物去除也變得極其容易。在此處，凸結(jié)構(gòu)的間隔是指作為對(duì)象的凸結(jié)構(gòu)和與該凸結(jié)構(gòu)最接近的凸結(jié)構(gòu)的頂點(diǎn)間隔，在凸結(jié)構(gòu)的頂部為水平面吋，該水平面的重心為該凸結(jié)構(gòu)的頂點(diǎn)。對(duì)凸結(jié)構(gòu)的形狀沒有特別限制，例如，膜厚方向的截面形狀可以為梯形、矩形、方形、棱鏡狀或三角形狀、半圓狀等正弦波形狀的凸結(jié)構(gòu)等。在此處，正弦波狀是指具有由凹部和凸部的重復(fù)構(gòu)成的曲線部。其中，曲線部可以是彎曲的曲線，例如，凸部有中間變細(xì)的形狀也包括在正弦波狀中。在這些截面形狀中，三角形狀、正弦波形狀具有高的異物附著抑制效果，另外，吹氣時(shí)的異物去除變得特別容易，因此是優(yōu)選的。另外，還存在具有凸結(jié)構(gòu)的表膜用膜的后述的反射抑制效果高的優(yōu)點(diǎn)。凸結(jié)構(gòu)可以在表膜用膜的僅僅ー個(gè)面上設(shè)置，也可以在兩面設(shè)置。在兩面上設(shè)置時(shí)，可以對(duì)表膜用膜的兩面賦予抑制異物附著的效果。另外，與僅在ー個(gè)面上設(shè)置凸結(jié)構(gòu)的場(chǎng)合相比，可以提高后述的防反射效果，因此是優(yōu)選的。另外，在與凸結(jié)構(gòu)的表面或表膜用膜的設(shè)置凸結(jié)構(gòu)的面相反一側(cè)的面上可以設(shè)置防反射層。防反射層可以是ー層，也可以是多層。作為防反射層的材料，可適合使用四氟こ 烯-偏ニ氟こ烯-六氟丙烯的三元共聚物、具有全氟烷基醚環(huán)結(jié)構(gòu)的氟系樹脂(尤其優(yōu)選DuPont公司制造的Teflon (注冊(cè)商標(biāo))AF、旭硝子公司制造的CYTOP (商品名)、AUSIMONTK. K.制造的Algoflon (商品名)、聚氟丙烯酸酷)、或氟化鈣、氟化鎂、氟化鋇等低折射率材料。對(duì)用于表膜用膜的膜材料和凸結(jié)構(gòu)的材料沒有特別限制，優(yōu)選在表膜用膜所使用的曝光波長(zhǎng)下透光率高的材料，具體而言，可以使用纖維素系衍生物(こ酸纖維素、こ酸丙酸纖維素、こ酸丁酸纖維素等或它們兩種以上的混合物)、環(huán)烯烴系樹脂(降冰片烯的聚合物或共聚物(包括加氫物)，例如，APEL (注冊(cè)商標(biāo))(三井化學(xué)公司制造)、TOPAS (注冊(cè)商標(biāo))(Polyplastics Co. , Ltd.制造)、ZEONEX (注冊(cè)■商標(biāo))或 ZEONOR (注冊(cè)■商標(biāo))(日本 ZEONCORPORATION制造)、ARTON (注冊(cè)商標(biāo))(JSR公司制造)等)、氟系樹脂(四氟こ烯-偏ニ氟こ烯-六氟丙烯的三元共聚物、具有全氟烷基醚環(huán)結(jié)構(gòu)的氟系樹脂的DuPont公司制造的Teflon (注冊(cè)商標(biāo))AF、旭硝子公司制造的CYTOP (商品名)、AUSM0NT K. K.制造的Algoflon(商品名)等)等樹脂。在上述樹脂中，尤其使用具有全氟烷基醚環(huán)結(jié)構(gòu)的氟系樹脂、こ酸丙酸纖維素、こ酸丁酸纖維素或環(huán)烯烴系樹脂作為表膜用膜材料和凸結(jié)構(gòu)中使用的材料的主要成分時(shí)，表膜用膜和凸結(jié)構(gòu)的形成性是良好的，因此是特別優(yōu)選的。主要成分是指表膜用膜材料中含有的目的樹脂成分量為50重量％以上。其中，以硝基纖維素作為主要成分時(shí)，照射300nm以下的波長(zhǎng)時(shí)，劣化加快，耐光性變差。因此，雖然透射率高，但膜的壽命變短，因此不太優(yōu)選。另外，硝基纖維素本身具有爆炸性，因此隨著含量増加，不能容易地制作。表膜用膜的膜材料和凸結(jié)構(gòu)的材料可以為相同材料，也可以為不同材料，S卩，可以為在表膜用膜上設(shè)置具有與表膜用膜不同材料形成的凸結(jié)構(gòu)的凹凸結(jié)構(gòu)層的結(jié)構(gòu)。從制造的簡(jiǎn)便性的觀點(diǎn)考慮，表膜用膜的膜材料與凸結(jié)構(gòu)的材料優(yōu)選是相同的。上述凸結(jié)構(gòu)帶有一定的周期間隔地配置時(shí)，吹氣時(shí)的異物去除變得特別容易，另夕卜，由于后述的防反射效果增高，因此是特別優(yōu)選的。凸結(jié)構(gòu)帶有一定的周期間隔地配置時(shí)吹氣時(shí)的異物去除變得特別容易的理由是不明確的，但認(rèn)為，凸結(jié)構(gòu)為周期性凸結(jié)構(gòu)時(shí)，吹氣時(shí)的氣流為流暢的流動(dòng)，因此，可以在較低的吹送壓カ下去除異物。上述凸結(jié)構(gòu)的周期不必在整個(gè)表膜用膜表面上為固定的周期，可以設(shè)置部分不同的周期性凸結(jié)構(gòu)。另外，從抑制微米級(jí)的異物附著的觀點(diǎn)考慮，上述周期間隔優(yōu)選為I. ομπι以下。此外，凸結(jié)構(gòu)的周期間隔為使用波長(zhǎng)的同等程度以下時(shí)，除了上述抑制異物附著效果以外，還可以提高反射抑制效果。反射抑制效果是抑制曝光用光入射到表膜用膜上時(shí)表膜用膜界面的反射的效果，反射被抑制吋，不僅雜散光(Stray light)減少，而且實(shí)質(zhì)上透射光増多，可以防止曝光時(shí)的光強(qiáng)度的損失。通常，曝光使用500nm以下的波長(zhǎng)，尤其隨著近年來(lái)的微細(xì)結(jié)構(gòu)化而使用200nm以下的波長(zhǎng)，因此，為了提高反射抑制效果，優(yōu)選將凸結(jié)構(gòu)的周期間隔設(shè)定為500nm以下，更優(yōu)選為200nm以下，進(jìn)ー步優(yōu)選為150nm以下，特別優(yōu)選為IOOnm以下。凸結(jié)構(gòu)的周期間隔越短，反射抑制效果、異物附著抑制效果均提高，因此從反射抑制效果、異物附著抑制效果的觀點(diǎn)考慮，凸結(jié)構(gòu)的周期間隔越短越優(yōu)選。對(duì)周期間隔的下限值沒有特別限制，但考慮到周期間隔越短，制造成本越高，從性能與制造成本的平衡考慮，優(yōu)選為50nm以上。關(guān)于凸結(jié)構(gòu)的高度，只要凸結(jié)構(gòu)的高度為30nm以上，就可獲得充分的異物附著抑 制效果，但凸結(jié)構(gòu)的高度較高則異物附著抑制效果和反射抑制效果增高，因而是優(yōu)選的。更優(yōu)選為70nm以上，特別優(yōu)選為IOOnm以上。另外，凸結(jié)構(gòu)的高度為凸結(jié)構(gòu)的周期間隔的O. 5倍以上且2. O倍以下，尤其I. O倍以上且2. O倍以下時(shí)，可獲得特別高的反射抑制效果，因此是優(yōu)選的。其中，凸結(jié)構(gòu)的周期間隔與凹凸形狀或凸部的周期間隔對(duì)應(yīng)。凸結(jié)構(gòu)為圖7所示的圓錐形狀或圖8所示的棱錐形狀的情況下，凸結(jié)構(gòu)的高度為使用波長(zhǎng)的O. 3倍以上時(shí)，可以獲得高的反射抑制效果，因此是優(yōu)選的。另外，凸結(jié)構(gòu)為四棱錐形狀的情況下，高度為使用波長(zhǎng)的O. 5倍以上吋，凸結(jié)構(gòu)為圓錐形狀的情況下，高度為使用波長(zhǎng)的O. 45倍以上吋，凸結(jié)構(gòu)為圓錐在水平方向上疊合的形狀的情況下，高度為使用波長(zhǎng)的O. 65倍以上時(shí)，可以獲得特別高的反射抑制效果，因此是優(yōu)選的。對(duì)凸結(jié)構(gòu)的高度的上限值沒有特別限制，在Iym以下時(shí)，可獲得充分的反射抑制效果。對(duì)凸結(jié)構(gòu)的形狀沒有特別限制，其為在高度方向上連續(xù)變化的形狀時(shí)，異物附著抑制效果和反射抑制效果高，因而是特別優(yōu)選的。作為這種形狀，具體而言，可以為棱錐形狀、圓錐形狀等。另外，在表膜用膜上盡可能不形成無(wú)凸結(jié)構(gòu)的部分時(shí)，異物附著抑制效果、反射抑制效果均增高，因而是優(yōu)選的。具體而言，表膜用膜表面上的凸結(jié)構(gòu)的占有率優(yōu)選為70%以上，更優(yōu)選為85%以上，特別優(yōu)選為95%以上。而且，為了提高表膜用膜表面上的凸結(jié)構(gòu)的占有率，凸結(jié)構(gòu)的底面形狀優(yōu)選為在表膜用膜平面上無(wú)間隙地鋪滿的形狀。作為凸結(jié)構(gòu)，優(yōu)選形成凸結(jié)構(gòu)在單軸方向上延伸的格子狀凸結(jié)構(gòu)，或使用棱錐形狀或截頭多棱錐形狀時(shí)，底面優(yōu)選形成為三角形、四邊形、六邊形等可鋪滿的形狀。在使用圓錐或截頭圓錐形狀時(shí)，優(yōu)選形成六方最密結(jié)構(gòu)，此外，如圖9所示，以鄰接的圓錐的下部之間重疊的方式配置使表膜用膜表面上盡可能不形成平面部分的方式是優(yōu)選的。接著說(shuō)明本申請(qǐng)發(fā)明的表膜用膜的制造方法。本申請(qǐng)發(fā)明的表膜用膜可以如下制作通過在表面具有凹形狀的表膜用成膜基板的表面上以規(guī)定厚度涂布表膜用膜材料，將表膜用膜成型，然后從上述表膜用成膜基板上剝離該表膜用膜來(lái)制作。作為表膜用成膜基板的材料，能確保充分平坦性的材質(zhì)是優(yōu)選的，合成石英、熔融石英、無(wú)堿玻璃、低堿玻璃、鈉鈣玻璃、硅、鎳板等是優(yōu)選的。尤其使用硅時(shí)，能夠確保高精度的基板表面的平坦性，而且容易制作基板表面上的凹凸，因此是優(yōu)選的。另外，考慮到成膜基板有可能因后述的表膜用膜干燥時(shí)的溫度不勻而破裂，成膜用基板的熱膨脹系數(shù)越小越優(yōu)選。尤其，0°C 30(rC下的線膨脹系數(shù)優(yōu)選為50X10_7m/°C以下。成膜基板表面的凸形狀或凹形狀設(shè)置為與上述凸結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的形狀即可。以下說(shuō)明在基板表面具有凹形狀的成膜基板的制作方法。在設(shè)有鉻薄膜層的合成石英玻璃上涂布光致抗蝕劑(感光性物質(zhì))，預(yù)烘焙之后，使用電子束曝光裝置在抗蝕劑上描畫凹形狀。描畫的凹形狀為與表膜上的凸結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的形狀。顯影處理后，將從抗蝕圖案露出的鉻層部分蝕刻，將抗蝕劑圖案轉(zhuǎn)印到鉻層上。最后，洗滌抗蝕劑殘?jiān)?，制作?biāo)線片。將抗蝕劑均一地涂布于成膜基板上之后，預(yù)烘焙，使抗蝕劑固化。使用屬于半導(dǎo)體元件制造裝置之一的縮小投影型曝光裝置(步進(jìn)器)，通過縮小投影透鏡縮小預(yù)先制作的標(biāo) 線片的微細(xì)圖案，邊在涂布了抗蝕劑的晶片上移動(dòng)邊進(jìn)行投影曝光。接著，在有機(jī)堿顯影液中浸潰，去除感光部分的抗蝕劑，用超純水漂洗數(shù)次，完全去除感光的殘?jiān)?，進(jìn)行加熱。通過干蝕刻法選擇性蝕刻沒有被光致抗蝕劑包覆的部分，在晶片上制作微細(xì)圖案。最后，通過用溶劑完全去除抗蝕劑，可以獲得在基板表面上具有凸形狀或凹形狀的成膜基板。成膜基板上的凹形狀可以通過變更標(biāo)線片的圖案尺寸、曝光和蝕刻條件而自由地變更形狀。接著以表膜用膜的制作方法為例來(lái)說(shuō)明膜上具有凸結(jié)構(gòu)的自支撐膜的制法。膜上具有凸結(jié)構(gòu)的表膜用膜可以通過在上述具有凹形狀的成膜基板上以規(guī)定的膜厚涂布表膜用膜材料來(lái)制作。表膜用膜的制作中，優(yōu)選使用表膜用膜材料溶解在有機(jī)溶劑中而形成的聚合物溶液。關(guān)于溶剤，在環(huán)境溫度下的揮發(fā)極少且沸點(diǎn)不是太高的溶劑是優(yōu)選的?？紤]到以上，溶劑理想地為沸點(diǎn)10(T20(TC的溶剤。作為這種溶劑，例如，可列舉出脂肪族烴系化合物、芳香族系化合物、氯系烴等鹵化系烴、酷系化合物或酮系化合物等。其中，對(duì)于環(huán)烯烴系樹脂，可優(yōu)選使用脂環(huán)式烴等飽和脂肪族烴系化合物、芳香族系化合物、鹵化烴等有機(jī)溶剤，而纖維素系衍生物在氯系烴、酮、酷、烷氧基醇、苯、醇等単一或混合有機(jī)溶劑中是可溶的。作為這些有機(jī)溶劑的例子，可列舉出氯系烴、酷系化合物、酮系化合物等有機(jī)溶剤。作為氯系烴，優(yōu)選使用ニ氯甲烷、氯化こ烯、氯化丙烯等，作為酮系化合物有機(jī)溶劑，優(yōu)選使用丙酮、甲こ酮、甲基異丁基酮等。作為酯系化合物有機(jī)溶劑，優(yōu)選使用醋酸酯類(醋酸甲酷、醋酸こ酷、醋酸丁酷等)、乳酸酯類(乳酸こ酷、乳酸丁酷等)。除此以外，苯、こ醇、甲醇、こ酸溶纖劑、卡必醇等可以作為単一或混合溶劑利用。為了増大表膜用膜的透光率、且減少表膜用膜中的異物，溶解了表膜用膜材料的聚合物溶液的吸光度優(yōu)選為O. 05以下。對(duì)于表膜用膜的成膜方法和凸結(jié)構(gòu)的制作方法沒有特別限制，可使用旋轉(zhuǎn)涂布法、輥涂法、刮刀涂布法、流延法等，從均一性、異物的管理的觀點(diǎn)考慮，旋轉(zhuǎn)涂布法是優(yōu)選的。以下說(shuō)明利用旋轉(zhuǎn)涂布法的成膜方法。表膜用膜的膜厚和膜的平坦性和主要由聚合物溶液的液溫、環(huán)境溫度和濕度、成膜基板的轉(zhuǎn)速來(lái)決定。聚合物溶液的液溫優(yōu)選為與環(huán)境溫度(1(T30°C)相同程度，成膜基板的溫度也優(yōu)選與環(huán)境溫度為相同程度。液溫、環(huán)境溫度、成膜基板的溫度為相同程度吋，可抑制厚度不平度，因此是優(yōu)選的。濕度優(yōu)選為30飛0%。在成膜基板上適量滴加聚合物溶液之后，在5(Γ5000轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速下使成膜基板旋轉(zhuǎn)來(lái)成膜。表膜用膜的膜厚優(yōu)選為O. 2 μ m以上且10 μ m以下左右，從表膜用膜的強(qiáng)度、均一膜的容易制作考慮，本發(fā)明的表膜用膜優(yōu)選為O. 3 μ m以上且8 μ m以下。在凸結(jié)構(gòu)僅僅設(shè)置在表膜用膜的ー個(gè)面上時(shí)膜厚是指從凸結(jié)構(gòu)的頂點(diǎn)到?jīng)]有凸結(jié)構(gòu)一側(cè)的面的距離，在表膜用膜的兩面上設(shè)置凸結(jié)構(gòu)時(shí)，膜厚是指從ー個(gè)面的凸結(jié)構(gòu)的頂點(diǎn)到另ー個(gè)面的凸結(jié)構(gòu)的頂點(diǎn)的距離中最短的距離。成膜之后，將成膜基板放置在熱的電熱板上，進(jìn)行干燥，使溶劑揮發(fā)。在膜干燥之后，從基板上剝離膜。此時(shí)，由于膜承受應(yīng)力，因此，膜材料優(yōu)選具有伸展性。從基板上剝離膜時(shí)，其脫模性變得重要。為了容易成膜且在成膜后容易剝離，有必要使膜材料與基板的接觸角最適化。作為控制基板的接觸角的方法，已知有硅烷偶聯(lián)劑。為了將由無(wú)機(jī)材料形成的基板偶聯(lián)，優(yōu)選使末端具有醚鍵的硅烷與基板表面接觸，進(jìn)行反應(yīng)。另外，通過將另ー側(cè)的端基設(shè)定為與膜材料親和性低的基團(tuán)，脫模性提高。氟作為脫模劑的效果高，為了實(shí)現(xiàn)高脫模性，特別理想的是氟為端基。
凸結(jié)構(gòu)的材料與表膜用膜材料可以不同，但凸結(jié)構(gòu)的材料與表膜用膜材料相同時(shí)，可以在ー個(gè)制造エ序中制作凸結(jié)構(gòu)和表膜用膜，因此是特別優(yōu)選的。凸結(jié)構(gòu)的材料與表膜用膜材料設(shè)為不同材料時(shí)，可以通過將凸結(jié)構(gòu)的材料涂布于成膜基板上，在半干燥或干燥之后層疊表膜用膜材料的方法來(lái)制作。除了上述表膜用膜的制造方法以外，通過將具有流動(dòng)性的表膜用膜材料在基板上按壓，將基板的凹形狀轉(zhuǎn)印到樹脂上，可以制造具有凸結(jié)構(gòu)的表膜用膜。此時(shí)使用的表膜用膜材料優(yōu)選為在樹脂中含有(T30wt%的溶劑而具有流動(dòng)性的狀態(tài)。此后，通過從基板上剝離膜，可以將基板的凹形狀轉(zhuǎn)印到膜上。從制造法考慮，優(yōu)選使用具有伸展性的膜材料作為主要成分，作為滿足這些條件的材料，可列舉出無(wú)定形氟樹脂等，尤其優(yōu)選旭硝子公司制造的CYTOP (商品名)等具有全氣燒基釀環(huán)結(jié)構(gòu)的氣系樹脂。實(shí)施例以下通過實(shí)施例來(lái)更詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不受這些實(shí)施例限制。[評(píng)價(jià)方法](I)(自支撐膜的)厚度平均值(ym)如圖3所示，將測(cè)定對(duì)象的自支撐膜4切割成長(zhǎng)方形，使得面內(nèi)的面積達(dá)到最大，然后，以分別將所切割的長(zhǎng)方形的長(zhǎng)邊與短邊5等分的方式劃線，進(jìn)行25等分分割，確定各長(zhǎng)方形的中心點(diǎn)的位置，使用透過分光膜厚計(jì)(大家電子株式會(huì)社，F(xiàn)E1300)測(cè)定該中心點(diǎn)的厚度(測(cè)定波長(zhǎng)248nm)。測(cè)定的25個(gè)點(diǎn)的測(cè)定值的平均值作為厚度平均值。(2)厚度不平度平均值(nm)如上所述,對(duì)于各個(gè)25等分分割的試驗(yàn)片，使用AFM(Atomic Force Microscope 原子力顯微鏡)，測(cè)定凹凸面的表面形狀。對(duì)于各試驗(yàn)片，算出凹部底點(diǎn)之間的、沿凹凸結(jié)構(gòu)層的層厚方向的距離的平均值。進(jìn)ー步，將對(duì)25個(gè)試驗(yàn)片算出的這些平均值的平均值作為厚度不平度平均值。(3)作為原料的樹脂組合物的屈服應(yīng)變(％)、拉伸伸長(zhǎng)率(％)根據(jù)JIS K7113，在拉伸速度lmm/min的條件下測(cè)定。測(cè)定使用島津制作所制造的AGS-50G。
(4)凹凸結(jié)構(gòu)層的屈服應(yīng)變(％)、拉伸伸長(zhǎng)率(％)根據(jù)JIS K7127，在拉伸速度lmm/min的條件下測(cè)定。測(cè)定使用島津制作所制造的AGS-50G?！磳?shí)施例1>將光致抗蝕劑(感光性物質(zhì))涂布于具有鉻薄膜層的合成石英玻璃上，預(yù)烘焙之后，使用電子束曝光裝置，在40mmX80mm區(qū)域中在光致抗蝕劑上描畫微細(xì)圖案。40mmX80mm區(qū)域內(nèi)部的描畫形狀是以300 μ mX 100 μ m為ー個(gè)元件，相鄰的元件之間不重合,在40mmX80mm區(qū)域內(nèi)部填充性排列描畫。顯影處理之后，將從抗蝕劑的圖案露出的鉻層部分蝕刻，將蝕刻圖案轉(zhuǎn)印到鉻層上。最后，洗滌抗蝕劑殘?jiān)谱鳂?biāo)線片。用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)將光致抗蝕劑均一地涂布于硅基板(12英寸，300mm Φ )上，預(yù)烘焙，使光致抗蝕劑固化。接著，使用屬于半導(dǎo)體元件制造裝置之一的縮小投影型曝光裝置(步進(jìn)器)，通過縮小投影透鏡將預(yù)先制作的標(biāo)線片的微細(xì)圖案縮小至1/4，邊在涂布了抗蝕劑的 晶片上移動(dòng)邊進(jìn)行投影曝光。此后，在有機(jī)堿顯影液中浸潰，去除感光部分的抗蝕劑。進(jìn)ー歩，用超純水漂洗數(shù)次，完全去除感光的殘?jiān)?，進(jìn)行加熱。通過干蝕刻法選擇性蝕刻沒有被抗蝕劑包覆的部分，在晶片上制作微細(xì)圖案。最后，用溶劑完全去除抗蝕劑。這次通過變更標(biāo)線片的圖案尺寸或曝光、蝕刻條件，準(zhǔn)備具有周期為150nm、深度ISOnm的圓錐形狀的凹凸形狀的成膜基板。接著，在準(zhǔn)備的成膜基板表面進(jìn)行硅烷偶聯(lián)，提高脫模性。接著，用全氟三丁胺(Fluorinert FC-43, Sumitomo 3M Limited制造,商品名)稀釋調(diào)整含有具有全氟燒基醚環(huán)結(jié)構(gòu)的無(wú)定形氟樹脂作為膜材料的溶液CYTOP CTX-809SP2 (旭硝子(株)制造，商品名，屈服應(yīng)變約5%，拉伸伸長(zhǎng)率約175%)。此時(shí)，聚合物溶液中含有的具有全氟烷基醚環(huán)結(jié)構(gòu)的無(wú)定形氟樹脂的濃度為3質(zhì)量％。將所制作的聚合物溶液滴加到30cc成膜基板上，然后，用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)在轉(zhuǎn)速300rpm、旋轉(zhuǎn)時(shí)間50秒的條件下旋轉(zhuǎn)涂布。接著，連同成膜基板一起在80°C、18(TC的電熱板上各干燥5分鐘，從成膜基板剝下干燥的膜，獲得面積706. 5cm2的凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)。得到的凹凸結(jié)構(gòu)層的平均厚度為O. 7 μ m，凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度平均值為10nm。將得到的凹凸結(jié)構(gòu)層的中心部分切割成5cmX5cm的正方形，測(cè)定所切割的凹凸結(jié)構(gòu)層的平均厚度和凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度平均值，結(jié)果，凹凸結(jié)構(gòu)層的平均厚度為O. 7 μ m，凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度平均值為5nm。用AFM觀察所切割的凹凸結(jié)構(gòu)層，結(jié)果，形成了高度180nm、周期長(zhǎng)度為150nm的周期凹凸形狀。另外，所制作的凹凸結(jié)構(gòu)層的屈服應(yīng)變?yōu)?%，拉伸伸長(zhǎng)率為175%。接著,將凹凸結(jié)構(gòu)層切割成5cmX5cm見方。以將所切割的正方形的任意一條邊和與該一條邊直角交叉的邊分別5等分的方式畫直線，形成25等分分割的正方形，用透過分光膜厚計(jì)(大冢電子株式會(huì)社，F(xiàn)E1300)測(cè)定各正方形的中心。測(cè)定使用248nm和365nm的波長(zhǎng)。測(cè)定上述25個(gè)點(diǎn)在波長(zhǎng)248下的透射率，結(jié)果，透射率最高的點(diǎn)與透射率最低的點(diǎn)的差別為1%。另外，測(cè)定上述25個(gè)點(diǎn)在波長(zhǎng)365nm下的透射率，結(jié)果，透射率最高的點(diǎn)與透射率最低的點(diǎn)的差別為O. 5%。接著，將切割成5cmX5cm見方的凹凸結(jié)構(gòu)層貼附在直徑8cm的透明球體上，結(jié)果，沒有產(chǎn)生折疊部位，可以無(wú)間隙地貼附在透明球體上。用肉眼觀察帶有凹凸結(jié)構(gòu)層的透明球體，結(jié)果完全沒有見到顏色不勻。
〈實(shí)施例2>制作在乳酸こ酯中溶解有こ酸丙酸纖維素(CAP 480-20, Eastman ChemicalCompany制造，屈服應(yīng)變約4%，拉伸伸長(zhǎng)率約15%)的聚合物溶液。此時(shí)，聚合物溶液中含有的こ酸丙酸纖維素的濃度為8質(zhì)量％。在實(shí)施例I中準(zhǔn)備的成膜基板表面上進(jìn)行硅烷偶聯(lián)之后，將30cc所制作的聚合物溶液滴加到成膜基板上，用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)在轉(zhuǎn)速300rpm、旋轉(zhuǎn)時(shí)間30秒鐘的條件下進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布。接著，連同成膜基板一起在80°C、18(TC的電熱板上各干燥5分鐘，從成膜基板剝下干燥的膜，獲得面積706. 5cm2的凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)。得到的凹凸結(jié)構(gòu)層的平均厚度為I. 5 μ m，凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度平均值為61nm。將得到的凹凸結(jié)構(gòu)層的中心部分切割成5cmX5cm的正方形，測(cè)定所切割的凹凸結(jié)構(gòu)層的平均厚度和凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度平均值，結(jié)果，凹凸結(jié)構(gòu)層的平均厚度為I. 5 μ m，凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度平均值為53nm。 用AFM觀察所切割的凹凸結(jié)構(gòu)層，結(jié)果，形成了高度180nm、周期長(zhǎng)度為150nm的周期凹凸形狀。另外，所制作的凹凸結(jié)構(gòu)層的屈服應(yīng)變?yōu)?%，拉伸伸長(zhǎng)率為15%。接著,將凹凸結(jié)構(gòu)層切割成5cmX5cm見方。以將所切割的正方形的任意一條邊和與該一條邊直角交叉的邊分別5等分的方式畫直線，形成25等分分割的正方形，用透過分光膜厚計(jì)(大冢電子株式會(huì)社，F(xiàn)E1300)測(cè)定各正方形的中心。測(cè)定使用248nm和365nm的波長(zhǎng)。測(cè)定上述25個(gè)點(diǎn)在波長(zhǎng)248下的透射率，結(jié)果，透射率最高的點(diǎn)與透射率最低的點(diǎn)的差別為3%。另外，測(cè)定上述25個(gè)點(diǎn)在波長(zhǎng)365nm下的透射率，結(jié)果，透射率最高的點(diǎn)與透射率最低的點(diǎn)的差別為5%。接著，將切割成5cmX 5cm見方的凹凸結(jié)構(gòu)層貼附在直徑8cm的透明球體上，結(jié)果，沒有產(chǎn)生折疊部位，可以無(wú)間隙地貼附在透明球體上。用肉眼觀察帶有凹凸結(jié)構(gòu)層的透明球體，結(jié)果基本上沒有見到顏色不勻?！磳?shí)施例3>用檸檬烯(和光純藥エ業(yè)(株)制造)稀釋含有環(huán)烯烴系樹脂作為膜材料的溶液Zeonor 1060R (日本ZE0NC0RP0RATI0N制造，商品名，屈服應(yīng)變約4%，拉伸伸長(zhǎng)率約60%)，制作聚合物溶液。此時(shí)，聚合物溶液中含有的環(huán)烯烴系樹脂的濃度為8質(zhì)量％。在實(shí)施例I中準(zhǔn)備的成膜基板表面上進(jìn)行硅烷偶聯(lián)之后，將所制作的聚合物溶液滴加到成膜基板上，用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)在轉(zhuǎn)速300rpm、旋轉(zhuǎn)時(shí)間30秒鐘的條件下進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布。接著，連同成膜基板一起在80°C、180°C的電熱板上各干燥5分鐘，從成膜基板剝下干燥的膜，獲得面積706. 5cm2的凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)。得到的凹凸結(jié)構(gòu)層的平均厚度為3.0 μ m，凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度平均值為lllnm。將得到的凹凸結(jié)構(gòu)層的中心部分切割成5cmX5cm的正方形，測(cè)定所切割的凹凸結(jié)構(gòu)層的平均厚度和凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度平均值，結(jié)果，凹凸結(jié)構(gòu)層的平均厚度為3.0 μ m，凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度平均值為103nm。用AFM觀察所切割的凹凸結(jié)構(gòu)層，結(jié)果，形成了高度180nm、周期長(zhǎng)度為150nm的周期凹凸形狀。另外，所制作的凹凸結(jié)構(gòu)層的屈服應(yīng)變?yōu)?%，拉伸伸長(zhǎng)率為60%。接著,將凹凸結(jié)構(gòu)層切割成5cmX5cm見方。以將所切割的正方形的任意一條邊和與該一條邊直角交叉的邊分別5等分的方式畫直線，形成25等分分割的正方形，用透過分光膜厚計(jì)(大冢電子株式會(huì)社，F(xiàn)E 1300)測(cè)定各正方形的中心。測(cè)定使用248nm和365nm的波長(zhǎng)。測(cè)定上述25個(gè)點(diǎn)在波長(zhǎng)248下的透射率，結(jié)果，透射率最高的點(diǎn)與透射率最低的點(diǎn)的差別為7%。另外，測(cè)定上述25個(gè)點(diǎn)在波長(zhǎng)365nm下的透射率，結(jié)果，透射率最高的點(diǎn)與透射率最低的點(diǎn)的差別為4%。接著，將切割成5cmX 5cm見方的凹凸結(jié)構(gòu)層貼附在直徑8cm的透明球體上，結(jié)果，沒有產(chǎn)生折疊部位，可以無(wú)間隙地貼附在透明球體上。用肉眼觀察帶有凹凸結(jié)構(gòu)層的透明球體，結(jié)果，能見到輕微的顏色不勻。<比較例1>制作將聚甲基丙烯酸甲酯(Mitsubishi Rayon Co. , Ltd.制造,無(wú)屈服應(yīng)變,拉伸伸長(zhǎng)率約6%)溶解在甲苯溶液中而形成的聚合物溶液。此時(shí)，聚合物溶液中含有的聚甲基丙烯酸甲酯的濃度為6質(zhì)量％。
在實(shí)施例I中準(zhǔn)備的成膜基板表面上進(jìn)行硅烷偶聯(lián)之后，將30cc所制作的聚合物溶液滴加到成膜基板上，用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)在轉(zhuǎn)速300rpm、旋轉(zhuǎn)時(shí)間50秒鐘的條件下進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布。接著，連同成膜基板一起在80°CU80°C的電熱板上各干燥5分鐘，想要從成膜基板剝下干燥的膜吋，結(jié)果膜發(fā)生斷裂。〈比較例2>調(diào)節(jié)聚合物溶液在成膜基板上的滴加量和旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速，將5cmX5cm見方的凹凸結(jié)構(gòu)層的平均厚度設(shè)定為5. O μ m，除此以外，用與實(shí)施例I同樣的制作方法，制作凹凸結(jié)構(gòu)層。聚合物溶液的滴加量為30cc，旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速為500rpm，旋轉(zhuǎn)時(shí)間為30秒。將切割成5cmX 5cm見方的凹凸結(jié)構(gòu)層貼附在直徑8cm的透明球體上時(shí)，結(jié)果產(chǎn)生了折疊部位，產(chǎn)生了間隙?！磳?shí)施例4>·具有凹形狀的硅晶片的制作將光致抗蝕劑(感光性物質(zhì))涂布于具有鉻薄膜層的合成石英玻璃上，預(yù)烘焙之后，使用電子束曝光裝置，在40mmX80mm區(qū)域中在抗蝕劑上描畫微細(xì)圖案。40mmX80mm區(qū)域內(nèi)部的描畫形狀是以300 μ mX 100 μ m為ー個(gè)元件，相鄰的元件之間不重合，在40mmX80mm區(qū)域內(nèi)部填充性排列描畫。顯影處理之后，將從抗蝕劑的圖案露出的鉻層部分蝕刻，將蝕刻圖案轉(zhuǎn)印到鉻層上。最后，洗滌抗蝕劑殘?jiān)?，制作?biāo)線片。用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)將抗蝕劑均一地涂布于娃基板(12英寸,300mm Φ )上,預(yù)烘焙,使抗蝕劑固化。接著，使用屬于半導(dǎo)體元件制造裝置之一的縮小投影型曝光裝置(步進(jìn)器)，通過縮小投影透鏡將預(yù)先制作的標(biāo)線片的微細(xì)圖案縮小至1/4，邊在涂布了抗蝕劑的晶片上移動(dòng)邊進(jìn)行投影曝光。此后，在有機(jī)堿顯影液中浸潰，去除感光部分的抗蝕劑。用超純水漂洗數(shù)次，完全去除感光的殘?jiān)?，進(jìn)行加熱。通過干蝕刻法選擇性蝕刻沒有被抗蝕劑包覆的部分，在晶片上制作微細(xì)圖案。最后，用溶劑完全去除抗蝕劑。這次通過變更標(biāo)線片的圖案尺寸、曝光和蝕刻條件，準(zhǔn)備在表面上具有間隔為O. 9μπΓ . Iym的無(wú)規(guī)周期、深度180nm的凹形狀的娃晶片。接著，在準(zhǔn)備的硅晶片表面上進(jìn)行硅烷偶聯(lián)，提高凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)的脫模性，然后，用全氟三丁胺(Fluorinert FC-43, Sumitomo 3M Limited制造,商品名)將含有具有全氟烷基醚環(huán)結(jié)構(gòu)的無(wú)定形氟樹脂的溶液CYTOP CTX-809SP2 (旭硝子(株)制造，商品名)稀釋至2%，在硅晶片表面上滴加該稀釋液，用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)在轉(zhuǎn)速300rpm下旋轉(zhuǎn)涂布，然后，在80°C、180°C的電熱板上各干燥5分鐘，獲得厚度3. I μ m的凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)。將該凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)展開，將其貼附在上緣面(另一端面)涂布了粘接劑的鋁制框體(外形，長(zhǎng)149mmX寬122mmX高5. 5mm，框?qū)?mm)上，切割去除從框體溢出的不需要部分的凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)。制作出用AFM在得到的凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上觀察時(shí)具有高度180nm、間隔O. 9 μ πΓ . I μ m的無(wú)規(guī)周期的凸結(jié)構(gòu)。接著，將凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)在潔凈度級(jí)別10000的條件下放置10日，等待在凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上附著異物。將凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)放置10日之后，用集光燈在凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上觀察，標(biāo)記尺寸在I μ πΓιο μ m范圍的異物20個(gè)點(diǎn)。用口徑O. 65mm的氣槍噴嘴在壓カO. 15MPa、距離5cm、相對(duì)于凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)的角度45度、時(shí)間5sec的條件下對(duì)該20個(gè)異物進(jìn)行吹氣。確認(rèn)吹氣后的20個(gè)異物，結(jié)果，10個(gè)異物被去除，10個(gè)異物仍然附著。 〈實(shí)施例5>除了硅晶片上的凹形狀的周期間隔設(shè)定為I. Ομπι的固定周期以外，用與實(shí)施例I同樣的制造方法，制作凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)。在所得到的凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上觀察，結(jié)果，制作了具有高度180nm、周期間隔I. O μ m的固定周期的凸結(jié)構(gòu)。接著，將凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)在潔凈度級(jí)別10000的條件下放置10日，等待在凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上附著異物。將凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)放置10日之后，用集光燈在凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上觀察，對(duì)于20個(gè)點(diǎn)的尺寸在I μ πΓιο μ m范圍的異物給予標(biāo)記。用口徑O. 65mm的氣槍噴嘴在壓カO. 15MPa、距離5cm、相對(duì)于凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)的角度45度、時(shí)間5sec的條件下對(duì)該20個(gè)異物進(jìn)行吹氣。確認(rèn)吹氣后的20個(gè)異物，結(jié)果，13個(gè)異物被去除，7個(gè)異物仍然附著?！磳?shí)施例6>除了硅晶片上的凹形狀的周期間隔設(shè)定為150nm的固定周期以外，用與實(shí)施例I同樣的制造方法，制作凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)。在所得到的凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上觀察，結(jié)果，制作了具有高度180nm、周期間隔150nm的固定周期的凸結(jié)構(gòu)。接著，將凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)在潔凈度級(jí)別10000的條件下放置10日，等待在凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上附著異物。將凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)放置10日之后，用集光燈在凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上觀察，對(duì)于20個(gè)點(diǎn)的尺寸在I μ πΓιο μ m范圍的異物給予標(biāo)記。用口徑O. 65mm的氣槍噴嘴在壓カO. 15MPa、距離5cm、相對(duì)于凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)的角度45度、時(shí)間5sec的條件下對(duì)該20個(gè)異物進(jìn)行吹氣。確認(rèn)吹氣后的20個(gè)異物，結(jié)果，所有20個(gè)異物被去除?！幢容^例3>除了使用表面平滑的硅晶片以外，用與實(shí)施例4同樣的制造方法，制作凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)。接著，在所得膜上滴加用全氟三丁胺(Fluorinert FC-43, Sumitomo 3MLimited制造，商品名)稀釋至4%的含有無(wú)定形氟樹脂的溶液CYTOP CTX-809SP2 (旭硝子(株)制造，商品名)，用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)在轉(zhuǎn)速300rpm下旋轉(zhuǎn)涂布，然后，在80°C、180°C下干燥，獲得厚度800 μ m的帶有反射抑制層的凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)。接著，將凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)在潔凈度級(jí)別10000的條件下放置10日，等待在凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上附著異物。將凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)放置10日之后，用集光燈在凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上觀察，對(duì)于20個(gè)點(diǎn)的尺寸在I μ πΓιο μ m范圍的異物給予標(biāo)記。用口徑O. 65mm的氣槍噴嘴在壓カO. 15MPa、距離5cm、相對(duì)于凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)的角度45度、時(shí)間5sec的條件下對(duì)該20個(gè)異物進(jìn)行吹氣。確認(rèn)吹氣后的20個(gè)異物，結(jié)果，5個(gè)異物被去除，15個(gè)異物仍然附著?！磳?shí)施例7>·具有凹形狀的合成石英玻璃基板的制作將光致抗蝕劑(感光性物質(zhì))涂布于具有鉻薄膜層的合成石英玻璃上，預(yù)烘焙之后，使用電子束曝光裝置，在800mmX920mm區(qū)域中在抗蝕劑上描畫微細(xì)圖案。800mmX920mm區(qū)域內(nèi)部的描畫形狀是按全節(jié)距計(jì)150nmX 150nm的線和空間(line andspace)形狀,相鄰的元件之間不重合,在800mmX920mm區(qū)域內(nèi)部填充性排列描畫。顯影處理之后，將從抗蝕劑的圖案露出的鉻層部分蝕刻，將蝕刻圖案轉(zhuǎn)印到鉻層上。 最后，洗滌抗蝕劑殘?jiān)谱鳂?biāo)線片。用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)將抗蝕劑均一地涂布于合成石英玻璃基板(800mmX 920mm)上,預(yù)烘焙，使抗蝕劑固化。接著，使用屬于半導(dǎo)體元件制造裝置之一的縮小投影型曝光裝置(步進(jìn)器)，通過縮小投影透鏡將預(yù)先制作的標(biāo)線片的微細(xì)圖案縮小至1/4，邊在涂布了抗蝕劑的合成石英玻璃基板上移動(dòng)邊進(jìn)行投影曝光。此后，在有機(jī)堿顯影液中浸潰，去除感光部分的抗蝕劑。用超純水漂洗數(shù)次，完全去除感光的殘?jiān)?，進(jìn)行加熱。通過干蝕刻法選擇性蝕刻沒有被抗蝕劑包覆的部分，在基板上制作微細(xì)圖案。最后，用溶劑完全去除抗蝕劑。這次通過變更標(biāo)線片的圖案尺寸、曝光和蝕刻條件，準(zhǔn)備了在表面上具有間隔為130nnTl50nm的無(wú)規(guī)周期、深度150nm的凹形狀的合成石英玻璃基板。接著，在準(zhǔn)備的合成石英玻璃基板表面上進(jìn)行硅烷偶聯(lián)，提高表膜用膜的脫模性，然后，制作在乳酸こ酯中溶解有こ酸丙酸纖維素(CAP 480-20, Eastman Chemical Company制造，屈服應(yīng)變約4%，拉伸伸長(zhǎng)率約15%)的聚合物溶液。此時(shí)，聚合物溶液中含有的こ酸丙酸纖維素的濃度為8質(zhì)量％。在準(zhǔn)備的成膜基板表面進(jìn)行硅烷偶聯(lián)之后，將所制作的聚合物溶液滴加到成膜基板上，用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)在轉(zhuǎn)速250rpm、旋轉(zhuǎn)時(shí)間200秒下旋轉(zhuǎn)涂布，干燥。接著，在其上旋轉(zhuǎn)涂布氟系聚合物溶液，干燥，設(shè)置防反射層，將在凹凸結(jié)構(gòu)膜上形成有防反射層的凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)從基板剝離，獲得厚度4. O μ m的凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)。將該凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)展開，將凹凸膜側(cè)貼附在上緣面(另一端面)涂布了粘接劑的鋁制框體(外形，長(zhǎng)邊800mmX短邊480mmX高4. 0mm，長(zhǎng)邊寬9. OmmX短邊寬7. Omm)上，切割去除從框體溢出的不需要部分的凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)。制作出用AFM在得到的凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上觀察時(shí)具有高度150nm、間隔130nnTl50nm的固定周期的凸結(jié)構(gòu)。接著，將凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)在潔凈度級(jí)別10000的條件下放置10日，等待在凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上附著異物。將凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)放置10日之后，用集光燈在凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)上觀察，標(biāo)記尺寸在I μ πΓιο μ m范圍的異物20個(gè)。用口徑O. 65mm的氣槍噴嘴在壓カO. 15MPa、距離5cm、相對(duì)于凹凸結(jié)構(gòu)層(自支撐膜)的角度為45度、時(shí)間5sec的條件下對(duì)該20個(gè)異物進(jìn)行吹氣。確認(rèn)吹氣后的20個(gè)異物，結(jié)果，10個(gè)異物被去除，10個(gè)異物仍然附著。
接著，與實(shí)施例I同樣地，測(cè)定透射率。在波長(zhǎng)290nnT700nm的寬帶下進(jìn)行，透射率的最低點(diǎn)為92%。平均透射率為96%，即使是寬帶波長(zhǎng)，也具有凹凸結(jié)構(gòu)膜的效果。產(chǎn)業(yè)卜.的可利用件本申請(qǐng)發(fā)明的自支撐膜是具有優(yōu)異形狀追隨性的自支撐膜，可適合用于觸摸屏、液晶顯示面板、等離子體顯示器、有機(jī)EL顯示器等圖像顯示裝置，投影儀等投影光學(xué)系統(tǒng)，光學(xué)透鏡等觀察光學(xué)系統(tǒng)，照相機(jī)等攝像光學(xué)系統(tǒng)，偏振射束分裂器或發(fā)光二極管的發(fā)光部前端、太陽(yáng)能電池板的表面等光學(xué)元件。另外，本申請(qǐng)發(fā)明的表膜是不容易附著異物，另外，即使附著異物，通過吹起也可容易去除的表膜，因此，可反復(fù)使用，經(jīng)濟(jì)性優(yōu)異。附圖標(biāo)記說(shuō)明 I凹凸結(jié)構(gòu)層2薄膜層3 涂層4自支撐膜5周期凹凸形狀6凹凸結(jié)構(gòu)層表面7自支撐膜表面8自支撐膜背面9采樣線10頂點(diǎn)平均高度11凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度12像差導(dǎo)致的位置偏移13凹部底點(diǎn)14從凹部底點(diǎn)到凹凸結(jié)構(gòu)層背面的距離(最大)15從凹部底點(diǎn)到凹凸結(jié)構(gòu)層背面的距離(最小)16凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度17周期間隔20 表膜21表膜用膜22凸結(jié)構(gòu)23凸結(jié)構(gòu)的頂點(diǎn)24凸結(jié)構(gòu)的底點(diǎn)25凸結(jié)構(gòu)的高度26凸結(jié)構(gòu)的間隔27 框體28粘合材料
權(quán)利要求
1.一種自支撐膜，其特征在于，其具有在至少一個(gè)面上形成了周期性凹凸形狀的凹凸結(jié)構(gòu)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的自支撐膜，其特征在于，厚度平均為0.2 y m以上且20. 0 y m以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)層的屈服應(yīng)變?yōu)?%以上，且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求廣3的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)層的厚度不平度平均為IOOnm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求廣4的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)層的主要成分使用選自具有全氟烷基醚環(huán)結(jié)構(gòu)的氟系樹脂、纖維素系衍生物和環(huán)烯烴系樹脂所組成的組中的至少一種樹脂。
6.根據(jù)權(quán)利要求廣5的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸形狀的凸部帶有一定的周期間隔來(lái)配置。
7.根據(jù)權(quán)利要求re的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸形狀的凸部的周期間隔為I. Oiim以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求廣7的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸形狀的凸部的高度為所述凹凸形狀的周期間隔的0. 5倍以上且2. 0倍以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求廣8的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，其特征在于，所述凹凸形狀的凸部的形狀為多棱錐形狀、圓錐形狀、截頭多棱錐形狀或截頭圓錐形狀。
10.一種自支撐結(jié)構(gòu)體，其包含權(quán)利要求I、的任一項(xiàng)所述的自支撐膜和設(shè)置于所述自支撐膜的背面的、可從所述自支撐膜剝離的剝離體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的自支撐結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)層與所述剝離體鄰接。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的自支撐結(jié)構(gòu)體，其中，所述剝離體的與所述凹凸結(jié)構(gòu)層相對(duì)的表面具有大致球面形狀。
13.一種自支撐結(jié)構(gòu)體，其包含權(quán)利要求I、的任一項(xiàng)所述的自支撐膜和設(shè)置于所述自支撐膜的背面的粘合劑層或粘接劑層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的自支撐結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)層與所述粘合劑層或粘接劑層鄰接。
15.一種權(quán)利要求I、的任一項(xiàng)所述的自支撐膜的制造方法，其特征在于，將屈服應(yīng)變?yōu)?%以上且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上的樹脂組合物溶解到有機(jī)溶劑中形成的聚合物溶液涂布于表面具有周期性凹凸形狀的成膜基板上，然后使之干燥，剝離，獲得厚度平均為0. 2pm以上且20. Oym以下的自支撐膜。
16.一種權(quán)利要求I、的任一項(xiàng)所述的自支撐膜的制造方法，其特征在于，在基板表面具有凹形狀的成膜基板上涂布自支撐膜材料至規(guī)定的膜厚，從而成型自支撐膜，然后從所述成膜基板剝離該自支撐膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的自支撐膜的制造方法，其特征在于，在所述基板表面上實(shí)施硅烷偶聯(lián)處理。
18.—種表膜，其特征在于，其具有框體、在該框體的一個(gè)端面上涂布的粘合劑、以及在該框體的另一端面上粘接的權(quán)利要求廣9的任一項(xiàng)所述的自支撐膜，所述自支撐膜的內(nèi)表面?zhèn)群?或外表面?zhèn)染哂兴霭纪菇Y(jié)構(gòu)層。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種自支撐膜，該自支撐膜由于單獨(dú)具有防反射功能而具有優(yōu)異的光學(xué)特性。該自支撐膜為具有在表面上形成了周期性凹凸形狀的凹凸結(jié)構(gòu)層的自支撐膜，其特征在于，其具有在至少一個(gè)面上形成了周期性凹凸形狀的凹凸結(jié)構(gòu)層，平均厚度為0.2μm以上且20.0μm以下，并且所述凹凸結(jié)構(gòu)層的屈服應(yīng)變?yōu)?%以上，且拉伸伸長(zhǎng)率為10%以上。
文檔編號(hào)G02B1/11GK102859397SQ20118001892
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2011年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月13日
發(fā)明者土井誠(chéng)太郎, 巖村賢一郎, 生田目卓治 申請(qǐng)人:旭化成電子材料株式會(huì)社