專利名稱：用于裝載襯底的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可以與光刻術(shù)一起使用的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。光刻設(shè)備可用于例如IC制造過程中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例 如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，通過將圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。通常，單一襯底將包括相鄰目標部分的網(wǎng)絡(luò)，所述相鄰目標部分被連續(xù)地圖案化。在形成集成電路(或其他器件)時，需要在襯底上設(shè)置多層圖案，這些圖案組合起來形成集成電路的功能元件。所述圖案必須彼此精確地對準，以便確保它們正確地組合在一起并由此形成功能元件。如果這些圖案沒有足夠精確地對準，則功能元件將不會正確地形成，并且將不會工作。連續(xù)的圖案通過光刻設(shè)備相對于彼此對準的精確度通常稱為光刻設(shè)備的重疊。為了在將圖案投影到襯底上時實現(xiàn)期望的重疊，在圖案的投影之前測量襯底上目標部分的位置。這個過程通常被稱為對準。在某些情況下，使用與每個目標部分相關(guān)聯(lián)的對準標記獨立地測量每個目標部分的位置。這有時被稱為局部對準。在其他情況下，測量圍繞襯底分布的若干個對準標記的位置，并基于這些測量結(jié)果計算目標部分的位置。這有時被稱為全局對準。

發(fā)明內(nèi)容
如果襯底已經(jīng)變形，則實現(xiàn)對準的精確度可能降低，因而引起光刻設(shè)備的重疊的惡化。在使用全局對準時尤其要注意由于襯底變形引起的重疊的這種惡化。期望提供減小襯底變形的設(shè)備和方法。根據(jù)本發(fā)明第一方面，提供一種方法，包括將襯底裝載到襯底臺上然后移動襯底臺使得，在襯底的參照系中襯底臺以至少為重力加速度的10%的加速度向下加速，由此減小襯底和襯底臺之間的摩擦使得襯底的變形可以至少部分地從襯底消除。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種設(shè)備，包括襯底臺和定位裝置，所述定位裝置配置成移動襯底臺，使得在襯底的參照系中，襯底臺以至少為重力加速度的10 %的加速度向下加速，由此減小襯底和襯底臺之間的摩擦使得襯底的變形可以至少部分地從襯底消除。


下面將僅以示例的方式、參考所附示意圖描述本發(fā)明的不同方面的實施例，其中相應(yīng)的附圖標記表示相應(yīng)的部件，其中圖I示意地示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的光刻設(shè)備；圖2是光刻設(shè)備的更詳細的示意圖，其包括LPP源收集器模塊SO ;和圖3是光刻設(shè)備的定位裝置和襯底臺與襯底一起的放大的示意圖。
具體實施例方式圖I示意地示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻設(shè)備100。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，配置成調(diào)節(jié)輻射束B (例如EUV輻射)。 支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，構(gòu)造成支撐圖案形成裝置(例如掩?；蜓谀０?MA，并與配置用于精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如反射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C (例如包括一根或更多根管芯)上。照射系統(tǒng)IL可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng)PS)。術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束B的橫截面上賦予輻射束B、以便在襯底W的目標部分C上形成圖案的任何裝置。被賦予輻射束的圖案將與在目標部分C上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的反射式的。圖案形成裝置MA的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同的方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。投影系統(tǒng)，與照射系統(tǒng)類似，可以包括多種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其他類型的光學(xué)部件、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用真空之類的其他因素所適合的?？赡芟Ｍ麑⒄婵窄h(huán)境用于EUV輻射，因為其他氣體可能會吸收太多的輻射。因此可以借助真空壁和真空泵在整個束路徑上提供真空環(huán)境。如這里所述，所述設(shè)備是反射類型(例如采用反射式掩模)。然而，在替代的實施例中，所述設(shè)備可以是透射型的(例如包括透射式掩模和透射式光學(xué)裝置)。
光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的掩模臺)的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。參照圖1，所述照射器IL接收從源收集器模塊SO發(fā)出的極紫外輻射束(EUV)。用于產(chǎn)生EUV輻射的方法包括但不必限于將材料轉(zhuǎn)化為等離子體狀態(tài)，其具有至少一種元素，例如氙、鋰或錫，其具有在EUV范圍內(nèi)的一個或更多個發(fā)射線。在一個這種通常所稱的激光產(chǎn)生的等離子體(“LPP”)的方法中，所需的等離子體可以通過使用激光束照射燃料(例如具有所需發(fā)射線元素的材料的液滴、流或團簇)來產(chǎn)生。源收集器模塊SO可以是EUV輻射系統(tǒng)的一部分，該EUV輻射系統(tǒng)包括圖I中未示出的激光器用以提供用于激發(fā)燃料的激光束。所形成的等離子體發(fā)射輸出輻射，例如EUV輻射，其使用在源收集器模塊中設(shè)置的輻射收集器收集。激光器和源收集器模塊可以是分立的實體(例如當CO2激光器被用于提供激光束用于燃料激發(fā)時)。
所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如琢面場反射鏡裝置和琢面光瞳反射鏡裝置(或稱為多小面反射鏡裝置和多小面光瞳反射鏡裝置)。照射器可以用以調(diào)節(jié)輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)ΜΤ上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)ΜΑ上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。在從圖案形成裝置(例如，掩模)ΜΑ反射后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)將輻射束B聚焦到所述襯底W的目標部分C上。通過第二定位裝置PW(下文稱為襯底臺定位裝置)和位置傳感器PS2(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器PSl用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置(例如，掩模)MA。可以使用掩模對準標記Ml、M2和襯底對準標記P1、P2來對準圖案形成裝置(例如，掩模)MA和襯底W。所示的設(shè)備可以用于下列模式中的至少一種I.在步進模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。2.在掃描模式中，在對支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。3.在另一模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT保持為基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上。在這種模式中，通?？梢圆捎妹}沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。圖2更詳細地示出設(shè)備100，包括源收集器模塊S0、照射系統(tǒng)IL以及投影系統(tǒng)PS。源收集器模塊SO構(gòu)造并布置成使得在源收集器模塊SO的包封結(jié)構(gòu)220內(nèi)可以保持真空環(huán)境。激光器LA布置成將激光能量經(jīng)由激光束205沉積到燃料中，由此產(chǎn)生具有幾十電子伏特的電子溫度的高離子化的等離子體210，該燃料是例如由燃料供給裝置200提供的氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)。在這些離子的去激發(fā)和再復(fù)合期間產(chǎn)生的高能輻射從等離子體發(fā)射，通過近正入射收集器光學(xué)元件CO收集并聚焦。通過收集器光學(xué)元件CO反射的輻射被聚焦在虛源點IF。虛源點IF通常被稱為中 間焦點，并且源收集器模塊SO布置成使得中間焦點IF位于包封結(jié)構(gòu)220內(nèi)的開口 221處或其附近。虛源點IF是用于發(fā)射輻射的等離子體210的像。隨后，輻射穿過照射系統(tǒng)IL，照射系統(tǒng)IL可以包括布置成在圖案形成裝置MA處提供輻射束21的期望的角分布以及在圖案形成裝置MA處提供期望的輻射強度均勻性的琢面光瞳反射鏡裝置24和琢面場反射鏡裝置22。經(jīng)過輻射束21在由支撐結(jié)構(gòu)MT保持的圖案形成裝置MA處的反射，形成圖案化的束26并且圖案化的束26通過投影系統(tǒng)PS經(jīng)由反射元件28、30被成像到由襯底臺WT保持的襯底W上。通常在照射系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PS內(nèi)可以存在比示出的元件更多的元件。此外，可以存在比圖中示出的反射鏡更多的反射鏡，例如在投影系統(tǒng)PS內(nèi)可以存在比圖2中示出的多1-6個附加的反射元件。在使用時，提供到圖案形成裝置MA上的圖案通過投影系統(tǒng)PS被投影到襯底W的目標部分C上。一旦襯底W被圖案化，則襯底臺定位裝置PW將襯底臺WT移動至光刻設(shè)備的襯底裝載裝置(未示出)，襯底裝載裝置將襯底W從襯底臺移走并用其他襯底替換。隨后襯底臺定位裝置PW將襯底臺WT返回至其位于投影系統(tǒng)PS下面的位置。圖案形成裝置MA上的圖案隨后通過投影系統(tǒng)PS被投影到襯底W的目標部分C上。在某些情況下，當襯底被裝載到襯底臺WT上時，襯底可能會變形。襯底W的這種變形可以例如是由于通過襯底裝載裝置將襯底裝載到襯底臺WT上的方式的結(jié)果。例如，如果在真空中將襯底W裝載到襯底臺WT上，則襯底和襯底臺之間通常由于存在空氣而產(chǎn)生的正常的潤滑不會發(fā)生?；诖?，在EUV光刻設(shè)備中比在DUV光刻設(shè)備中襯底的變形可能將更加顯著。襯底W的變形是不期望的，因為這可能會降低通過光刻設(shè)備將圖案投影到襯底上的精確度。例如，襯底的變形可以損害光刻設(shè)備的重疊(即，投影到襯底上的圖案與已經(jīng)提供到襯底上的圖案對準的精確度)。由于襯底變形帶來的重疊的惡化在使用全局對準時可能尤其顯著(即，當對準包括測量在襯底上散布的多個對準標記的位置并基于這些測量結(jié)果計算目標部分的位置)。圖3示出襯底W、襯底臺WT以及襯底臺定位裝置PW，圖中包括襯底和襯底保持裝置的一部分的放大視圖。如放大視圖可以看到，襯底W置于突起10上，所述突起10從襯底臺WT的表面延伸。突起10通常也稱為突節(jié)。突節(jié)10可以例如具有在IOym至Imm之間的高度。突節(jié)10支撐襯底W，同時允許襯底底表面上的碎片顆粒離開襯底并處在突節(jié)之間。
如上進一步提到的，在將襯底裝載到襯底臺WT上時發(fā)生的襯底W的變形可以降低將圖案投影到襯底上的精確度。在突節(jié)10和襯底W的底表面之間產(chǎn)生摩擦，并且該摩擦阻止襯底相對于突節(jié)移動。如果襯底能夠相對于突節(jié)自由地移動，則當將襯底裝載到襯底臺WT上時在襯底中發(fā)生的變形將經(jīng)由襯底內(nèi)的應(yīng)力均衡而消除。然而，襯底W和突節(jié)10之間的摩擦阻止上述過程的發(fā)生，因而襯底的變形仍然存在。在一個實施例中，襯底臺WT經(jīng)歷向下的加速，這形成襯底的一個自由落體的時間段。在襯底臺WT的參照系中，當這個過程完成時襯底W不再有任何重量。因而襯底臺WT不施加任何反作用力到襯底W上。在簡化的示例中，假定襯底和襯底臺之間不存在范德華力。突節(jié)10和襯底W之間的摩擦源自襯底的重量和由襯底臺WT施加的相關(guān)的反作用力。因此，當在襯底臺WT的參照系內(nèi)襯底W的重量減小為零時不再有摩擦力。因為襯底W和襯底臺WT之間沒有摩擦力，因而襯底能夠相對于突節(jié)移動并且襯底的變形可以經(jīng)由襯底內(nèi)的應(yīng)力均衡而消除。襯底臺WT的向下加速度可以等于或大于由于重力帶來的加速度。襯底臺WT的向 下加速度可以例如是重力加速度的兩倍或更大。襯底臺定位裝置PW可以包括馬達，其配置成以期望的向下加速度移動定位裝置。換句話說，襯底臺例如沿基本上垂直于襯底W的面對表面(即，底表面)的方向加速離開襯
。在一個實施例中，襯底臺WT經(jīng)歷向下的加速，其沒有為襯底W形成自由落體的時間段，但是其減小了襯底和襯底臺之間的摩擦。例如，襯底臺WT的向下加速度可以是重力加速度的50%。在襯底臺WT的參照系中，當這個過程實現(xiàn)時襯底W具有其正常重量的50%。因而襯底臺WT在襯底W上施加50%的正常反作用力。突節(jié)10和襯底W之間的摩擦因而被減小。因為襯底W和襯底臺WT之間的摩擦減小，所以襯底能夠更容易相對于突節(jié)移動，由此允許襯底的變形被更多地消除(與襯底臺沒有移動的情形對比)。襯底臺WT的向下加速度可以例如是重力加速度的10%或更大，可以例如是重力加速度的50%或更大，可以例如是重力加速度的70%或更大，以及可以例如是重力加速度的90%或更大。通常，襯底的較大的向下加速度將允許變形更充分地從襯底消除。然而，其情形可能是相對小的向下加速度，例如是重力加速度的10%，將導(dǎo)致變形從襯底有用地消除。范德華力可以作用在襯底W和突節(jié)10之間，即使在襯底不再有任何重量并且襯底臺WT沒有施加任何反作用力到襯底W上時其也能防止襯底W的弛豫(relaxation)。這是因為范德華力在襯底和突節(jié)之間引起摩擦。通過提供足以在襯底W和突節(jié)10之間引入間隙的襯底臺WT的向下的加速度可以暫時消除范德華力。引入間隙將減小或消除范德華力，由此允許襯底相對于突節(jié)移動。向下的加速度可以例如大于重力加速度，可以例如大于重力加速度的兩倍，可以例如大于重力加速度的三倍。向下加速度可以例如達到重力加速度的10倍。在一個實施例中，向下的加速度可以從靜止位置開始。襯底臺WT的向下加速度可以經(jīng)歷一段時間，其足以允許變形從襯底至少部分地消除。所述時間由襯底的性質(zhì)得來，并且在硅晶片的情況下可以例如在I-IOms范圍內(nèi)。在一個實施例中，向下的加速度可以等于重力加速度，并且襯底臺可以從靜止位置開始。在這種情況下，襯底臺所行進的距離可以例如在50-500 μ m范圍內(nèi)。襯底臺WT的向下加速度可以例如并入襯底臺的向下和向上的移動中(例如從開始位置至最上位置，然后向下至停止位置)。在這種情況下，在襯底W的參照系中可以發(fā)生襯底臺WT的向下加速，即使襯底臺WT向上移動(在光刻設(shè)備的參照系中)也是如此。襯底臺WT的向下加速可以重復(fù)多次。這可以允許襯底的變形消除得更多(與僅執(zhí)行一次襯底臺WT的向下移動的情形對比)。向下加速度可以形成襯底臺WT的循環(huán)移動的一部分(例如，從開始位置至最下位置，然后回到開始位置)。該循環(huán)移動可以例如是振動。該振動可以以小的振幅開始，振幅逐漸增大，然后減小振幅直到移動停止。例如可以通過形成襯底臺定位裝置PW的一部分的馬達施加振動。當對襯底臺WT施加振動時，在襯底W的參照系中可以發(fā)生襯底臺WT的向下加速度，即使襯底臺WT向上移動(在光刻設(shè)備的參照系中)也是如此。當對襯底臺WT施加振動時，襯底臺移動的距離將依賴于振動的頻率。例如，如果以50Hz振動施加等于重力加速度(稱為Ig)的加速度，則襯底臺移動的距離將在300 μ m附 近。如果以IOOHz振動施加Ig的加速度，則襯底臺移動的距離僅為大約80 μ m?？梢砸匀魏魏线m的頻率施加振動。所述頻率可以例如等于或大于50Hz，并可以例如等于或大于100Hz。本發(fā)明的實施例可以被看作具有共同之處，即在襯底的參照系中襯底臺向下加速(遠離襯底)。襯底臺定位裝置PW可以配置成以上述方式移動襯底臺WT。襯底臺定位裝置PW可以通過連接至襯底臺定位裝置PW的控制器CT控制?？刂破骺梢耘渲贸砂l(fā)送控制信號至襯底臺定位裝置PW，其引起襯底臺定位裝置如上述那樣移動。一旦襯底的變形已經(jīng)消除，則襯底可以被夾持至襯底臺WT。密封12位于襯底臺WT上并在襯底W被裝載到襯底臺上時與襯底W接觸。所述密封位于襯底W的外周界附近。可以使用泵(未示出)從襯底W和襯底臺WT之間的空間抽吸氣體，由此在襯底W和襯底臺之間建立真空。密封12阻止氣體流入襯底和襯底臺之間的空間，并由此防止破壞真空。在襯底W和襯底臺WT之間建立的真空將襯底W拉向襯底臺WT，由此將襯底夾持至襯底臺。在替換的實施例(未示出)中，使用靜電吸引力將襯底W夾持至襯底臺WT而不是使用真空。在一個實施例中，在襯底臺向下加速期間襯底W的一部分可以被夾持至襯底臺WT。這可以通過例如在襯底臺的向下加速期間襯底在襯底臺上橫向移動或襯底在襯底臺上旋轉(zhuǎn)來實現(xiàn)。將襯底的一部分局部地夾持至襯底臺可以消除或減少這種移動?？梢岳缡褂镁植渴┘拥撵o電吸引力、局部施加的真空或任何其他合適的局部夾持設(shè)備實現(xiàn)以這種方式將襯底W的一部分局部地夾持至襯底臺WT。在一個實施例中，在襯底臺的向下加速期間可以在兩個位置處將襯底W局部地夾持至襯底臺WT。隨后可以在襯底臺的隨后的向下加速期間在兩個不同的位置處將襯底W局部地夾持至襯底臺WT。對于襯底臺WT的多次向下加速，可以以這種方式更換局部地夾持襯底W的位置，每次更換允許在未夾持的位置處消除襯底的變形。在一個實施例中，代替使用靜電夾持或真空將襯底W的一部分局部地夾持至襯底臺WT，可以通過以較慢的加速度向下移動襯底臺的一部分將襯底的一部分固定至襯底臺。例如，襯底臺WT的一側(cè)可以以為重力加速度的90%的加速度(這里稱為O. 9g)向下移動，襯底臺的其余部分可以以為重力加速度的110%的加速度(此處稱為I. Ig)向下移動。這將引起當襯底臺向下移動時襯底臺WT傾斜。以O(shè). 9g的加速度向下移動的襯底W的該部分將比襯底的其余部分被更穩(wěn)固地保持在襯底臺WT，并且因此提供對襯底橫向移動或旋轉(zhuǎn)的一些阻力。在本發(fā)明的上述實施例中，術(shù)語“襯底的參照系”可以理解為具有物理學(xué)上的常規(guī)意義。在本發(fā)明的情形中，這可以被解釋為表示相對于襯底的任何移動限定襯底臺的移動。作為示例性的示例，如果襯底向上移動并且襯底臺以相同的速度向上移動，則襯底臺在襯底的參照系中是靜止的。在另一示例中，如果襯底以速度Vs向上移動并且襯底臺以更慢的速度Vst向上移動，則襯底臺在襯底的參照系中向下移動。雖然已經(jīng)結(jié)合配置成使用EUV輻射的光刻設(shè)備描述了本發(fā)明的實施例，但是本發(fā)明可以例如用于配置成使用DUV輻射的光刻設(shè)備中。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造IC(集成電路)，但是應(yīng)該理解到，這里所述的光刻設(shè)備可以有其他應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平 板顯示器、液晶顯示器(IXDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認識到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這里使用的任何術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層1C，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。雖然上面詳述了本發(fā)明的實施例在光刻設(shè)備的應(yīng)用，應(yīng)該注意到，本發(fā)明可以有其它的應(yīng)用，例如壓印光刻術(shù)，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻術(shù)。在壓印光刻術(shù)中，圖案形成裝置中的拓撲限定在襯底上形成的圖案。通過應(yīng)用電磁輻射、熱、壓力或其組合，固化抗蝕劑，圖案形成裝置的拓撲可以被印刷到提供至襯底的抗蝕劑的層中。在抗蝕劑固化之后從抗蝕劑移開圖案形成裝置，在抗蝕劑中留下圖案。雖然已經(jīng)在光刻設(shè)備情形中描述了本發(fā)明的實施例，但是本發(fā)明可以用于其他情形。在允許的情況下，術(shù)語“透鏡”可以指的是不同類型的光學(xué)部件的任一個或其組合，包括折射型、反射型、磁性的、電磁的以及靜電型光學(xué)部件。雖然上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施例，但是應(yīng)該清楚，本發(fā)明可以以上述不同的方式處理。例如，本發(fā)明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的一個或更多個機器可讀指令序列的一個或更多個計算機程序的形式，或具有存儲其中的所述一個或更多個計算機程序的一個或更多個數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)的形式。上面的本說明書是為了說明，而不是為了限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚，在不脫離權(quán)利要求的范圍的情況下可以對本發(fā)明進行修改。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括將襯底裝載到襯底臺上，然后移動襯底臺，使得在襯底的參照系中襯底臺以至少為重力加速度的10%的加速度向下加速，由此減小襯底和襯底臺之間的摩擦使得襯底的變形能夠至少部分地從襯底消除。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其中所述加速度是重力加速度的至少50%。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述加速度等于或大于重力加速度。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述加速度為重力加速度的兩倍或更大。
5.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中在襯底臺的向下移動期間襯底沒有被夾持至襯底臺。
6.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的方法，其中在襯底臺的向下移動期間襯底的一部分被夾持至襯底臺。
7.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的方法，其中在襯底臺的向下移動期間通過以較慢的加速度向下移動襯底臺的一部分將襯底的一部分固定至襯底臺。
8.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中所述方法還包括隨后將襯底夾持至襯底臺。
9.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中在光刻設(shè)備中執(zhí)行所述方法。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述方法還包括使用光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)將圖案投影到襯底上。
11.一種設(shè)備，包括襯底臺和定位裝置，所述襯底臺配置成支撐襯底，所述定位裝置配置成移動襯底臺，使得在襯底的參照系中，襯底臺以至少為重力加速度的10 %的加速度向下加速，由此減小襯底和襯底臺之間的摩擦使得襯底的變形能夠至少部分地從襯底消除。
12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中定位裝置配置成以至少為重力加速度的50%的加速度向下移動襯底臺。
13.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中定位裝置配置成以等于或大于重力加速度的加速度向下移動襯底臺。
14.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中定位裝置配置成以等于重力加速度的兩倍或更大的加速度向下移動襯底臺。
15.如權(quán)利要求11至14中任一項所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備形成光刻設(shè)備的一部分。
16.如權(quán)利要求15所述的設(shè)備,其中光刻設(shè)備包括 照射系統(tǒng)，配置成調(diào)節(jié)輻射束； 支撐結(jié)構(gòu)，構(gòu)造成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以形成圖案化的輻射束； 所述襯底臺；和 投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上。
全文摘要
一種方法和設(shè)備，用于將襯底(W)裝載到襯底臺(WT)上然后移動襯底臺使得，在襯底的參照系中，襯底臺以至少為重力加速度的10％的加速度向下加速，由此減小襯底和襯底臺之間的摩擦使得襯底的變形可以至少部分地從襯底消除。
文檔編號G03F7/20GK102859443SQ201180020231
公開日2013年1月2日 申請日期2011年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月23日
發(fā)明者A·索斯奧德特 申請人:Asml荷蘭有限公司