專利名稱：光譜純度濾光片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光譜純度濾光片，并且例如涉及一種適用于光刻設(shè)備和/或光刻方法中的光譜純度濾光片。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光 刻設(shè)備可用于例如集成電路(IC)的制造過程中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，通過將圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。通常，單一襯底將包括相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)，所述相鄰目標(biāo)部分被連續(xù)地圖案化。光刻術(shù)被廣泛地看作是制造集成電路和其他器件和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。然而，隨著使用光刻術(shù)制造的特征的尺寸變得越來越小，光刻術(shù)正變成實(shí)現(xiàn)制造微型集成電路或其他器件和/或結(jié)構(gòu)的更加關(guān)鍵的因素。圖案印刷(B卩，圖案施加)的極限的理論估計(jì)可以由分辨率的瑞利法則給出，如等式(I)所示
權(quán)利要求
1.ー種光譜純度濾光片，包括 材料體，多個(gè)孔延伸通過所述材料體，所述孔布置成抑制具有第一波長(zhǎng)的輻射并允許具有第二波長(zhǎng)的輻射的至少一部分透射通過所述孔，第二波長(zhǎng)輻射的波長(zhǎng)比第一波長(zhǎng)輻射的波長(zhǎng)短； 所述材料體包括具有對(duì)于第一波長(zhǎng)的輻射基本上大于或等于70%的體反射率和大于1000攝氏度的熔點(diǎn)的材料。
2.如權(quán)利要求I所述的光譜純度濾光片，其中，所述材料包括以下材料中的一種或更多種Cr, Fe, Ir, Mo, Nb, Ni, Os, Pt, Re, Rh, Ru, Ta 和 W 或其硅化物。
3.如權(quán)利要求I或2所述的光譜純度濾光片，其中，所述材料包括以下材料中的ー種或更多種材料的合金-.Cr, Fe，Ir，Mo，Nb, Ni, Os, Pt，Re，Rh，Ru，Ta和W或其硅化物。
4.如權(quán)利要求3所述的光譜純度濾光片，其中，所述合金所包括的以下材料中的ー種或更多種或者以下材料中的一種或更多種的組合的比例超過一半(以原子重量計(jì))Cr，F(xiàn)e, Ir, Mo, Nb, Ni, Os, Pt, Re, Rh, Ru, Ta 和 W 或其硅化物。
5.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光譜純度濾光片，其中，所述材料還包括用于在整體上提高所述材料的再結(jié)晶溫度的多個(gè)納米粒子。
6.如權(quán)利要求5所述的光譜純度濾光片，其中，所述納米粒子包括下列項(xiàng)中的ー個(gè)或更多個(gè)A1203> HfO2, ZrO2, Y2O3> MgO、La2O3> Ce2O3> SrO 以及 HfC0
7.如權(quán)利要求5或6所述的光譜純度濾光片，其中，所述納米粒子分布在材料體內(nèi)的層中。
8.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光譜純度濾光片，其中，所述孔所延伸穿過的所述材料體的正面包括或設(shè)置有基本上由純的-.Cr, Fe，Ir，Mo，Nb, Ni, Os, Pt，Re，Rh，Ru，Ta和W或其硅化物形成的區(qū)域或?qū)印?br> 9.如權(quán)利要求8所述的光譜純度濾光片，其中，所述正面在使用中配置成面向包括所述第一波長(zhǎng)和/或第二波長(zhǎng)的入射福射。
10.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光譜純度濾光片，其中，所述材料體具有晶粒結(jié)構(gòu) 其基本上各方等大；和/或 其中平均的晶粒尺寸小于用于限定孔的壁的寬度或小于在兩個(gè)相鄰的孔之間的最小距離；和/或 其中平均的晶粒尺寸或直徑小于500nm或小于200nm。
11.一種用于制造光譜純度濾光片的方法，包括 在設(shè)置在基底上的材料體上使用光刻和蝕刻過程，以在所述材料體中提供多個(gè)孔，所述孔被布置成在使用中抑制具有第一波長(zhǎng)的輻射和在使用中允許具有第二波長(zhǎng)的輻射的至少一部分透射通過所述孔，所述第二波長(zhǎng)的輻射的波長(zhǎng)比第一波長(zhǎng)的輻射的波長(zhǎng)短；從所述基底釋放所述材料體，所述材料體形成所述光譜純度濾光片； 其中所述材料體包括具有對(duì)于第一波長(zhǎng)的輻射基本上大于或等于70%的體反射率和大于1000攝氏度的熔點(diǎn)的材料。
12.一種用于制造光譜純度濾光片的方法，包括 形成用于接納材料體的模具，所述模具的形狀被設(shè)置成用于在所述材料體中提供多個(gè)孔，所述孔被布置成在使用中抑制具有第一波長(zhǎng)的輻射和在使用中允許具有第二波長(zhǎng)的輻射的至少一部分透射通過所述孔，所述第二波長(zhǎng)的輻射的波長(zhǎng)比第一波長(zhǎng)的輻射的波長(zhǎng)短； 將所述材料體供給所述模具； 將所述模具移除以留下形成所述光譜純度濾光片的所述材料體； 其中所述材料體包括具有對(duì)于第一波長(zhǎng)的輻射基本上大于或等于70%的體反射率和大于1000攝氏度的熔點(diǎn)的材料。
13.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法或光譜純度濾光片，其中所述材料體由多個(gè)相對(duì)薄的第二材料層分成多個(gè)相對(duì)厚的層。
14.如權(quán)利要求13所述的方法或光譜純度濾光片，其中，所述第二材料層包括 B、C、Si或所述材料體的組分的氧化物、氮化物或碳化物；和/或 納米粒子，所述納米粒子包括以下材料中的ー種或更多種Al203、Hf02、ZrO2、Y2O3、MgO、La2O3、Ce2O3、SrO 以及 HfC。
15.如權(quán)利要求11或12所述的方法，其中所述材料體以通過蝕刻所述材料體的表面而被周期地中斷的方式來提供。
16.一種光譜純度濾光片組件，包括 光譜純度濾光片，所述光譜純度濾光片包括材料體，多個(gè)孔延伸通過所述材料體，所述孔布置成抑制具有第一波長(zhǎng)的輻射并允許具有第二波長(zhǎng)的輻射的至少一部分透射通過所述孔，第二波長(zhǎng)福射的波長(zhǎng)比第一波長(zhǎng)福射的波長(zhǎng)短；和 用于在使用中提高所述光譜純度濾光片的至少一部分的溫度的布置，所述布置與第一波長(zhǎng)和第二波長(zhǎng)的福射的源分立。
17.如權(quán)利要求16的光譜純度濾光片，其中所述布置配置成將熱提供至所述光譜純度濾光片的所述至少一部分，以便提高溫度，和/或其中所述布置被布置成至少部分地對(duì)所述光譜純度濾光片進(jìn)行熱絕緣以在使用中提高所述溫度。
18.如權(quán)利要求16或17所述的光譜純度濾光片，其中所述布置包括ー個(gè)或更多個(gè)固定件，所述固定件用于固定所述光譜純度濾光片和用于至少部分地對(duì)所述光譜純度濾光片進(jìn)行熱絕緣。
19.如權(quán)利要求16至18中任一項(xiàng)所述的光譜純度濾光片，其中所述布置包括熱源。
20.如權(quán)利要求19所述的光譜純度濾光片，其中所述熱源是以下中的ー個(gè)或更多個(gè) ー個(gè)或更多個(gè)電加熱器或?qū)w，所述電加熱器或?qū)w與光譜純度濾光片接觸或形成光譜純度濾光片的一部分；和/或 輻射源，所述輻射源布置成將輻射引導(dǎo)至所述光譜純度濾光片，所述輻射具有基本上被光譜純度濾光片所吸收的波長(zhǎng)。
21.如權(quán)利要求19或20所述的光譜純度濾光片，其中所述光譜純度濾光片包括 正面，所述正面在使用中配置成面向包括第一波長(zhǎng)和/或第二波長(zhǎng)的入射輻射；和 背側(cè)，所述背側(cè)位于光譜純度濾光片的與正面相反的ー側(cè)上， 其中熱源配置成將熱提供至光譜純度濾光片的背側(cè)。
22.如權(quán)利要求21所述的光譜純度濾光片，其中所述光譜純度濾光片的正面對(duì)于第一波長(zhǎng)的輻射是基本上反射的，而其中所述背側(cè)對(duì)于第一波長(zhǎng)的輻射基本上是吸收的。
23.一種用于在使用中増加光譜純度濾光片的溫度的方法，所述方法包括步驟 使用與輻射的源分立的熱源對(duì)光譜純度濾光片的至少一部分進(jìn)行加熱，所述光譜純度濾光片設(shè)計(jì)用于對(duì)所述輻射進(jìn)行濾光；和/或至少部分地對(duì)光譜純度濾光片進(jìn)行熱隔離。
24.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法或光譜純度濾光片，其中所述第一波長(zhǎng)的輻射具有在電磁光譜中的紅外區(qū)中的波長(zhǎng)和/或所述第一波長(zhǎng)在9-12微米范圍內(nèi)。
25.如權(quán)利要求24所述的方法或光譜純度濾光片，其中所述第一波長(zhǎng)是大約9.4微米。
26.如權(quán)利要求24所述的方法或光譜純度濾光片，其中所述第一波長(zhǎng)是大約10.6微米。
27.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法或光譜純度濾光片，其中第二波長(zhǎng)的輻射具有的波長(zhǎng)基本上等于或小于電磁光譜的EUV部分中的波長(zhǎng)，和/或第二波長(zhǎng)在5-20nm范圍內(nèi)。
28.如權(quán)利要求27所述的方法或光譜純度濾光片，其中所述第二波長(zhǎng)在13-14nm范圍內(nèi)。
29.如權(quán)利要求27所述的方法或光譜純度濾光片，其中所述第二波長(zhǎng)在6-7nm范圍內(nèi)。
30.如權(quán)利要求29所述的方法或光譜純度濾光片，其中所述第二波長(zhǎng)在6.6-6. 9nm范圍內(nèi)。
31.一種光刻設(shè)備或一種輻射源，所述光刻設(shè)備或輻射源具有根據(jù)權(quán)利要求1-10、13-22或24-30中任一項(xiàng)所述的光譜純度濾光片或光譜純度濾光片組件。
全文摘要
一種光譜純度濾光片，包括材料體，多個(gè)孔延伸通過所述材料體。孔布置成抑制具有第一波長(zhǎng)的輻射并允許具有第二波長(zhǎng)的輻射的至少一部分透射通過所述孔。第二波長(zhǎng)輻射比第一波長(zhǎng)輻射短。所述材料體由具有對(duì)于第一波長(zhǎng)的輻射基本上大于或等于70％的體反射率的材料形成。所述材料具有大于1000攝氏度的熔點(diǎn)。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102859444SQ201180020839
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2011年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月27日
發(fā)明者W·索爾, V·班尼恩, E·魯普斯特拉, A·亞庫寧, M·杰克 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司