專利名稱：成像光學(xué)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于EUV投射光刻的成像光學(xué)系統(tǒng)。此外，本發(fā)明涉及具有此類型成像光學(xué)系統(tǒng)及照射光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)系統(tǒng)、具有此類型光學(xué)系統(tǒng)的投射曝光系統(tǒng)、使用此類型投射曝光系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)組件的制造方法、以及由此類型方法產(chǎn)生的微結(jié)構(gòu)或納米結(jié)構(gòu)組件。
背景技術(shù)：
從US6，894，834B2及EP0267766A2獲知開(kāi)頭提到的類型的成像光學(xué)系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于發(fā)展開(kāi)頭所提及類型的成像光學(xué)系統(tǒng)，使得可以高成像質(zhì)量成像物。根據(jù)本發(fā)明，認(rèn)識(shí)到針對(duì)特定成像要求,具有大的瞳遮蔽(obscuration)的系統(tǒng)意外地提供了特別的優(yōu)勢(shì)。在特定光刻掩模(其亦稱作掩模母版(reticle))中，所要成像的物可以例如僅由密集線條組成。此類型的結(jié)構(gòu)可由具有高瞳遮蔽的成像光學(xué)系統(tǒng)高質(zhì)量地成像。由于大的瞳遮蔽，可以在成像光學(xué)系統(tǒng)的反射鏡的設(shè)計(jì)中對(duì)于環(huán)繞瞳遮蔽使用的且一般為環(huán)形的反射鏡面，利用多個(gè)自由度。已顯示了具有相對(duì)小數(shù)量的反射鏡(例如具有4個(gè)反射鏡或6個(gè)反射鏡)的成像光學(xué)系統(tǒng)是有可能的，其在所要成像的場(chǎng)上的成像誤差被校正到足夠的程度。可產(chǎn)生成像光束路徑，其中照明光以各自接近垂直入射的入射角射到反射鏡上，例如小于15°、小于10°、或小于8°的入射角，其有助于反射鏡上的高度反射涂層的設(shè)計(jì)。瞳遮蔽被定義為最小像側(cè)孔徑角度的正弦值與成像光學(xué)系統(tǒng)的像側(cè)數(shù)值孔徑的比值。成像光學(xué)系統(tǒng)的像側(cè)數(shù)值孔徑可大于O. 3。瞳遮蔽可大于O. 45、可大于O. 5、且可大于O. 55。成像光學(xué)系統(tǒng)的像場(chǎng)尺寸至少為Imm xlOmm。此類型的像場(chǎng)尺寸造就了成像光學(xué)系統(tǒng)的高產(chǎn)出(throughput)。像場(chǎng)尺寸可例如為Imm xl3mm或2mm x26mm。像場(chǎng)尺寸對(duì)應(yīng)于像平面中的區(qū)域，在該區(qū)域中，像質(zhì)量?jī)?yōu)于給定閾值，即像差(例如波前誤差)低于給定閾值。在具有正好4個(gè)反射鏡的成像光學(xué)系統(tǒng)中，可獲得具有高產(chǎn)出的EUV光學(xué)系統(tǒng)，因?yàn)榉瓷涿娴臄?shù)量少。根據(jù)權(quán)利要求3的成像比例已證明特別適合投射光刻。物場(chǎng)與像場(chǎng)間不同的縮小成像比例也可以不是4x,例如5x、6x、8x或IOx的成像比例。根據(jù)權(quán)利要求4的波前誤差滿足最高成像要求。成像光學(xué)系統(tǒng)在像場(chǎng)上也可具有最大 O. 9nm 或 O. 8nm 的畸變(distortion)。舉例來(lái)說(shuō)，具有至少一個(gè)中間像平面的成像光學(xué)系統(tǒng)允許像側(cè)數(shù)值孔徑再次增力口，例如可以為0. 5。像側(cè)數(shù)值孔徑亦可以為其他值，例如0. 35,0. 4、大于0. 4,0. 45、或是大于0. 5的像
側(cè)數(shù)值孔徑。
根據(jù)權(quán)利要求6的成像光學(xué)系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于上面參照根據(jù)權(quán)利要求1至5的成像光學(xué)系統(tǒng)所描述的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于成像光學(xué)系統(tǒng)的給定數(shù)量的反射鏡，根據(jù)權(quán)利要求7的自由形狀面(freeform face)構(gòu)造開(kāi)啟了用于校正場(chǎng)上的成像誤差的更多自由度。根據(jù)權(quán)利要求8的構(gòu)造可由非常低的花費(fèi)制造。根據(jù)權(quán)利要求9的光學(xué)系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于以上參照根據(jù)本發(fā)明的成像光學(xué)系統(tǒng)所描述的優(yōu)點(diǎn)。照明光可被配置為濃密(heavy)光束入射方向相對(duì)于中心物場(chǎng)點(diǎn)的法線具有非常小的角度。這可產(chǎn)生良好的照明質(zhì)量。濃密光束入射方向與法線之間的角度可至多為3。。根據(jù)權(quán)利要求10的光學(xué)系統(tǒng)的構(gòu)造精彩地使用反射鏡之一同時(shí)引導(dǎo)成像光和引導(dǎo)照明光。這允許光學(xué)系統(tǒng)的緊湊設(shè)計(jì)。具有成像反射鏡部分及照明反射鏡部分的反射鏡被構(gòu)造為單片(monolithic)反射鏡。成像反射鏡部分位于成像光束路徑中。位于照明光束路徑中的照明反射鏡部分與此分離。在成像反射鏡部分與照明反射鏡部分之間可以存在連續(xù)的無(wú)邊緣(edge-free)轉(zhuǎn)換。然而，這并不是必要的。也可以在兩個(gè)反射鏡部分之間具有不用于光束引導(dǎo)的轉(zhuǎn)換區(qū)域。照明光學(xué)系統(tǒng)可具有環(huán)形中間焦點(diǎn)。照明光學(xué)系統(tǒng)的對(duì)稱性繼而可適配于成像光學(xué)系統(tǒng)的對(duì)稱性。緊湊且特別是同軸的布置是可能的，其中照明光及成像光的光束路徑彼此嵌套(nested)。根據(jù)權(quán)利要求11的光學(xué)系統(tǒng)的構(gòu)造導(dǎo)致光學(xué)設(shè)計(jì)上更多的自由度，這是因?yàn)橐环矫嫖锊灰欢ㄒ徽彰?，另一方面不一定要從同一?cè)成像物。特別地，省去了物上的反射，這增加了光學(xué)系統(tǒng)的產(chǎn)出。根據(jù)權(quán)利要求12的投射曝光系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于以上關(guān)于成像光學(xué)系統(tǒng)及光學(xué)系統(tǒng)所描述的優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)權(quán)利要求13的投射曝光系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于根據(jù)權(quán)利要求11的光學(xué)系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)權(quán)利要求14的制造方法以及根據(jù)權(quán)利要求15的組件的優(yōu)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于以上關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的投射曝光系統(tǒng)所描述的優(yōu)點(diǎn)。光源可為EUV(極紫外光)光源，例如LPP(激光產(chǎn)生的等離子體)光源、或GDP (氣體放電產(chǎn)生的等離子體)光源。


下面參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中圖1示意地顯示用于EUV光刻的投射曝光系統(tǒng)，在垂直于物和像場(chǎng)的長(zhǎng)邊的子午截面中顯示了該投射曝光系統(tǒng)的成像光學(xué)系統(tǒng)；圖2在垂直于物場(chǎng)和像場(chǎng)的短邊的子午截面中顯示了圖1的成像光學(xué)系統(tǒng)；圖3在類似于圖1的視圖中顯示了投射曝光系統(tǒng)的另一構(gòu)造，其也被構(gòu)造為照明反射掩模母版；圖4及圖5在類似圖1和圖3的視圖中顯示了投射曝光系統(tǒng)的兩個(gè)構(gòu)造，其構(gòu)造為照明透射中的掩模母版，亦即透射通過(guò)的照明；圖6顯示了用于圖1至圖5的投射曝光系統(tǒng)中的成像光學(xué)系統(tǒng)的另一構(gòu)造，其被顯示在垂直于物場(chǎng)和像場(chǎng)的長(zhǎng)邊的子午截面中，還通過(guò)虛線顯示了用于照明反射掩模母版的照明光的輸入I禹合(coupling)反射鏡；圖7在類似圖2的視圖中顯示了根據(jù)圖6的成像光學(xué)系統(tǒng)；以及圖8顯示了用于圖1至圖5的投射曝光系統(tǒng)中的成像光學(xué)系統(tǒng)的另一構(gòu)造，其被顯示在垂直于物場(chǎng)和像場(chǎng)的長(zhǎng)邊的子午截面中。
具體實(shí)施例方式用于光刻投射曝光以產(chǎn)生微結(jié)構(gòu)或納米結(jié)構(gòu)組件的投射曝光系統(tǒng)I具有照明光或成像光3的光源2。光源2為EUV光源，其產(chǎn)生波長(zhǎng)范圍在例如5nm至30nm、特別是在5nm至15nm之間的光。特別地，光源2可為具有6. 9nm或13. 5nm波長(zhǎng)的光源。亦可采用其他的EUV波長(zhǎng)。光刻中使用的且可由適當(dāng)光源產(chǎn)生的其他波長(zhǎng)也可以用于照明光或成像光3，其被在投射曝光系統(tǒng)I中引導(dǎo)。圖1極度示意地顯示了照明光3的光束路徑。照明光學(xué)系統(tǒng)6被用于將照明光3從光源2引導(dǎo)至物平面5中的物場(chǎng)4。除了輸入耦合反射鏡7 (其為照明光3的光束路徑上，照明光學(xué)系統(tǒng)6在物場(chǎng)4之前的最后組件)之外，照明光學(xué)系統(tǒng)6的組件被示意性地組合在一起形成圖1中的方塊。輸入耦合反射鏡7被設(shè)計(jì)為掠入射反射鏡(grazing incidence mirror)。由光或福射源2所發(fā)射的照明光3首先被集光器(collector)收集。照明光束路徑中的中間焦點(diǎn)通常被設(shè)置于集光器的下游。照明光束路徑也可被構(gòu)造為不具有中間焦點(diǎn)，而是從集光器具有照明光3的準(zhǔn)直輸出(collimated output)。照明光3的頻譜濾波(spectral filtering)可發(fā)生在集光器或中間焦點(diǎn)的區(qū)域中。照明光學(xué)系統(tǒng)6的第一反射鏡布置于照明光束路徑中中間焦點(diǎn)的下游。該第一照明光學(xué)系統(tǒng)反射鏡可被構(gòu)造為場(chǎng)分面反射鏡(facet mirror)。照明光學(xué)系統(tǒng)6的第二反射鏡布置于照明光束路徑中第一照明光學(xué)系統(tǒng)反射鏡的下游。第二照明光學(xué)系統(tǒng)反射鏡可以是瞳分面反射鏡。替代地，可使用不具有分面反射鏡和/或具有可開(kāi)關(guān)微反射鏡陣列(微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS))的照明光學(xué)系統(tǒng)。照明光學(xué)系統(tǒng)6的輸入耦合反射鏡7布置于照明光束路徑中第二照明光學(xué)系統(tǒng)反射鏡的下游。輸入耦合反射鏡7可由支撐件(holder)所支撐，該支撐件對(duì)應(yīng)于從W02006/069725A中的圖lk、11、及Im獲知的支撐件。輸入耦合反射鏡7引導(dǎo)照明光3至物場(chǎng)4。那里布置掩模母版或光刻掩模形式的反射型物8。入射到掩模母版8上的照明光3的束的濃密光束入射方向9相對(duì)于物平面5的法線10圍成非常小的角度。因此，濃密光束入射方向9與法線10圍成小于3°的角度，且在根據(jù)圖1的構(gòu)造的變型中可精確地為0°。通過(guò)略微修改照明光學(xué)系統(tǒng)6的設(shè)計(jì)，濃密光束入射方向9與法線10之間也可以是其他角度，例如濃密光束入射方向9與法線10之間的角度可為 2.5°、2°、1.5°、1° 或 0.5°。入射到掩模母版8上的照明光3的束的邊緣光束11 (參照?qǐng)D1)與法線10圍成小于4°的角度。入射到掩模母版8上的照明光3的束在物場(chǎng)4上的最大入射角小于4°。投射光學(xué)系統(tǒng)形式的成像光學(xué)系統(tǒng)12用于引導(dǎo)成像光3以及將掩模母版8成像到像平面14中的像場(chǎng)13中，其布置于投射曝光系統(tǒng)I的光束路徑中物場(chǎng)4的下游。像平面14平行于物平面5。通過(guò)成像光學(xué)系統(tǒng)12的成像發(fā)生在晶片15形式的基板的表面上。掩模母版8及晶片15由支撐件承載，其未詳細(xì)顯示。圖1中以8a示意地顯示了掩模母版支撐件，而圖1中以15a示意地顯示了晶片支撐件。投射曝光系統(tǒng)I為掃描曝光機(jī)(scanner)形式。在投射曝光系統(tǒng)I的操作過(guò)程中，一方面在物平面5上，另一方面在像平面14上掃描掩模母版8及晶片15兩者。投射曝光系統(tǒng)I也可以是步進(jìn)曝光機(jī)(stepper)類型，其中在晶片15的單獨(dú)(individual)曝光之間，進(jìn)行掩模母版8 (—方面)和晶片15 (另一方面)的步進(jìn)位移。圖1及圖2顯示了成像光學(xué)系統(tǒng)12的第一構(gòu)造的光學(xué)設(shè)計(jì)。光束路徑被顯示為具有成像光3的超過(guò)三十個(gè)單獨(dú)光束16，它們從中心物場(chǎng)點(diǎn)以及從限定物場(chǎng)的兩個(gè)相對(duì)邊緣的兩個(gè)物場(chǎng)點(diǎn)開(kāi)始行進(jìn)。根據(jù)圖1至圖5的成像光學(xué)系統(tǒng)12 —共具有四個(gè)反射鏡，它們依照單獨(dú)光束16的從物場(chǎng)4開(kāi)始行進(jìn)的光束路徑的順序連續(xù) 編號(hào)為Ml至M4。成像光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中計(jì)算的反射鏡Ml至M4的反射面顯示在圖1至圖5中。僅使用所顯示的這些面的一部分(section),如圖1至5所示,特別是反射鏡Ml及M4。反射鏡M2及M3分別具有通孔17、18，供成像光3通過(guò)。因此，反射鏡M2及M3為遮蔽反射鏡。特別地，在成像光學(xué)系統(tǒng)12的接近瞳的區(qū)域中，由于此遮蔽，成像光3的束具有不存在單獨(dú)光束16的內(nèi)部區(qū)域。法線10與入射濃密光束9穿過(guò)的此類型的內(nèi)部自由區(qū)域19存在于反射鏡Ml與物場(chǎng)4之間。輸入耦合反射鏡7布置在此自由區(qū)域19中。輸入耦合反射鏡7耦合穿過(guò)成像光學(xué)系統(tǒng)12的反射鏡M2中的通孔17的照明光3。中心物場(chǎng)點(diǎn)的主要光束因?yàn)檎诒味粚儆诠馐窂?，且在成像光學(xué)系統(tǒng)12中具有0°的主要光束角度。這表示中心物場(chǎng)點(diǎn)的此主要光束與物平面5的法線10重合。兩個(gè)反射鏡Ml及M4具有封閉(closed)的反射面，即，沒(méi)有通孔。分別使用反射鏡Ml及M4的反射面的邊緣，換言之，單獨(dú)光束16不入射在中心區(qū)域20、21外部。有關(guān)成像光學(xué)系統(tǒng)12的光學(xué)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)將總結(jié)于下面的表中，已借助于光學(xué)設(shè)計(jì)
程序CODE V11獲得了所述數(shù)據(jù)。成像光學(xué)系統(tǒng)12的反射鏡Ml至M4被構(gòu)造為自由形狀面，其無(wú)法通過(guò)旋轉(zhuǎn)對(duì)稱函數(shù)描述。也可以使用成像光學(xué)系統(tǒng)12的其他構(gòu)造，其中反射鏡Ml至M4中的至少一個(gè)具有此類型的自由形狀反射面。成像光學(xué)系統(tǒng)12的構(gòu)造也可以為:反射鏡Ml至M4皆不具有此類型的自由形狀反射面，且被構(gòu)造為例如球面或旋轉(zhuǎn)對(duì)稱非球面。此類型的自由形狀面可由旋轉(zhuǎn)對(duì)稱參考面產(chǎn)生。從US2007-0058269A1已獲知此類型的自由形狀面作為用于微光刻的投射曝光系統(tǒng)的投射光學(xué)系統(tǒng)中的反射鏡的反射面。自由形狀面可數(shù)學(xué)地描述為以下等式:Z = —7................................；..................................；......；.............；.............；......+ Ι-ττ τ χ>ηγη
1 + ^/1-(1 + k)c2r2 尸2 Nmdim其中:
「m-ni , (m + ιι)2 +m + 3n ,I =1- -+ I
2Z為在點(diǎn)χ, y(x2+y2=r2)處的自由形狀面的矢高。c為常數(shù),其對(duì)應(yīng)于相應(yīng)非球面曲線的頂點(diǎn)。k對(duì)應(yīng)于相應(yīng)非球面的圓錐常數(shù)。為單項(xiàng)式XmYn的系數(shù)。通常，c、k&Cj的值可基于投射光學(xué)系統(tǒng)12內(nèi)的反射鏡的期望光學(xué)特性而確定。Nradius為系數(shù)Cj的標(biāo)準(zhǔn)化因子。單項(xiàng)式的階次(m+n)可隨需要而變化。更高次的單項(xiàng)式可使投射光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)具有更好的像差校正，但計(jì)算更復(fù)雜。m+n可采用在3至超過(guò)20之間的值。也可由澤爾尼克多項(xiàng)式(Zernicke polynomial)數(shù)學(xué)地描述自由形狀面,例如在
光學(xué)設(shè)計(jì)程序(/^)丨.._ 的手冊(cè)說(shuō)明了這種多項(xiàng)式中。替代地，可借助于二維樣條表面描述自由形狀面，其示例有貝塞爾(Bezier)曲線或非均勻有理基樣條(NURBS)。二維樣條表面可例如由xy平面中的點(diǎn)的網(wǎng)絡(luò)及相關(guān)的z值描述，或由這些點(diǎn)及其相關(guān)的斜率描述。根據(jù)樣條表面的相應(yīng)類型，通過(guò)使用例如連續(xù)性和可微分性具有特定特性的多項(xiàng)式或函數(shù)在網(wǎng)絡(luò)點(diǎn)之間進(jìn)行內(nèi)插而獲得完整表面。其例子是解析函數(shù)。反射鏡Ml至M4承載多個(gè)反射層，以優(yōu)化它們對(duì)所照射的EUV照明光3的反射。單獨(dú)光束16對(duì)反射鏡表面的入射角度越接近垂直入射,可越好地優(yōu)化反射。關(guān)于光學(xué)組件的光學(xué)表面以及孔徑光闌的以下表格中的第一個(gè)分別給出了曲線頂點(diǎn)的倒數(shù)值(半徑)以及對(duì)應(yīng)于從物平面起的光束路徑中的相鄰元件的z間距的距離值(厚度)。第二個(gè)表提供了用于反射鏡Ml至M4的以上給出的自由形狀面等式中的單項(xiàng)式XmYn的系數(shù)Cj。
權(quán)利要求
1.一種用于EUV投射光刻的成像光學(xué)系統(tǒng)(12 ；39 ；43), 具有多個(gè)反射鏡(M1-M4、M1-M6)，將物平面(5)中的物場(chǎng)(4)成像至像平面(14)中的像場(chǎng)(13)， 具有至少為0.3的像側(cè)數(shù)值孔徑， 具有大于0.40的瞳遮蔽， 其特征在于像場(chǎng)尺寸至少為Imm xlOmm。
2.如權(quán)利要求1所述的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于所述多個(gè)反射鏡正好包含四個(gè)反射鏡(M卜M4)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于所述物場(chǎng)(4)與所述像場(chǎng)(13)之間的縮小成像比例至少為4x。
4.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于所述像場(chǎng)(13)上的波前誤差至多為IOOmArms。
5.如權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于具有至少一個(gè)中間像平面(40)。
6.一種用于EUV投射光刻的成像光學(xué)系統(tǒng)(12 ；43), 具有正好四個(gè)反射鏡，將物平面(5)中的物場(chǎng)(4)成像至像平面(14)中的像場(chǎng)(13)， 具有至少為0.3的像側(cè)數(shù)值孔徑， 具有至少為Imm χ IOmm的像場(chǎng)尺寸， 具有至多為IOOmXrms的波前誤差。
7.如權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于所述反射鏡(M1-M4 ；M1-M6)中的至少一個(gè)的反射表面被構(gòu)造為自由形狀面。
8.如權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于所有所述反射鏡(M1-M4 ；M1-M6)的反射表面被構(gòu)造為旋轉(zhuǎn)對(duì)稱面。
9.一種光學(xué)系統(tǒng)， 具有根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的成像光學(xué)系統(tǒng)(12 ；39 ;43)， 具有照明光學(xué)系統(tǒng)(6 ;22;28;36) JfEUV光源(2)的照明光(3)傳輸至所述物場(chǎng)(4)。
10.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于使用具有以下部分的反射鏡(Ml):在所述物場(chǎng)(4)與所述像場(chǎng)(3)之間的光束路徑中引導(dǎo)成像光(3)的成像反射鏡部分、以及在所述光源(2 )與所述物場(chǎng)(4)之間的光束路徑中引導(dǎo)照明光(3 )的照明反射鏡部分(20 )。
11.如權(quán)利要求9或10所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于被構(gòu)造為使得能夠在所述物場(chǎng)(4)中布置透射所述照明光(3)的掩模母版(8)。
12.一種投射曝光系統(tǒng)(I )，具有 根據(jù)權(quán)利要求9至11中的任一項(xiàng)所述的光學(xué)系統(tǒng)， EUV 光源(2)， 支撐掩模母版的掩模母版支撐件(8a )， 支撐晶片(15)的晶片支撐件(15a)。
13.如權(quán)利要求12所述的投射曝光系統(tǒng)，其特征在于所述掩模母版支撐件(29a)被構(gòu)造為接收透射所述照明光(3)的掩模母版(8)。
14.一種用于制造結(jié)構(gòu)組件的方法，包含以下方法步驟:提供掩模母版(8 )及晶片(15 )， 借助于根據(jù)權(quán)利要求12或13的投射曝光系統(tǒng)(1)，將所述掩模母版(8)上的結(jié)構(gòu)投射至所述晶片(15)的光感層上；以及 在所述晶片(15)上產(chǎn)生微結(jié)構(gòu)或納米結(jié)構(gòu)。
15.一種根據(jù)權(quán) 利要求14所述的方法制造的結(jié)構(gòu)組件。
全文摘要
一種用于EUV投射光刻的成像光學(xué)系統(tǒng)(12)具有多個(gè)反射鏡(M1-M4)，用于將物平面(5)中的物場(chǎng)(4)成像至像平面(14)中的像場(chǎng)(13)。成像光學(xué)系統(tǒng)的像側(cè)數(shù)值孔徑至少為0.3。成像光學(xué)系統(tǒng)具有大于0.40的瞳遮蔽。成像光學(xué)系統(tǒng)的像場(chǎng)尺寸至少為1mm x 10mm。利用該成像光學(xué)系統(tǒng)，可以高成像質(zhì)量將物成像。
文檔編號(hào)G03F7/20GK103080841SQ201180040678
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2011年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月25日
發(fā)明者R.米勒, H-J.曼 申請(qǐng)人:卡爾蔡司Smt有限責(zé)任公司