專利名稱：液晶顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置的制造方法中，在第一基板及第二基板的其中一塊基板的表面上形成密封材料，并在由密封材料所包圍的范圍內(nèi)滴注液晶，之后在真空氣氛中將第一基板及第二基板貼合，由此將液晶密封。由此，將滴注液晶后對基板進行貼合的方法稱為ODF(OneDrop Fill:滴注法)。作為揭示了使用ODF的液晶顯示裝置的制造方法的現(xiàn)有文獻，例如有日本專利特開2009-288364號公報(專利文獻I)。在專利文獻I所記載的液晶顯示裝置的制造方法中，包括:在相對基板或TFT (Thin Film Transistor:薄膜晶體管)基板的其中一塊基板上涂布主密封材料的工序；至少對相對基板或TFT基板中的、涂布了主密封材料的基板進行減壓處理的工序；以及通過將相對基板及TFT基板貼合來形成貼合基板的工序?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1:日本專利特開2009-288364號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問題對于以將液晶夾在相互之間的方式來進行密封的第一基板及第二基板，各自的結(jié)構(gòu)會造成水分吸附量各不相同。假設(shè)在第一基板的水分吸附量多于第二基板的情況下，若在第一基板上滴注液晶后、在真空氣氛中將第一基板和第二基板貼合，則吸附在第一基板上的水分處于被液晶覆蓋的狀態(tài)，幾乎不會蒸發(fā)，因而會殘留在被密封的液晶中。在該情況下，液晶面板中的液晶的分布變得不均勻，會在液晶顯示裝置的顯示畫面中產(chǎn)生顯示不均。本發(fā)明是鑒于上述問題點而提出的，其目的在于提供一種能提高液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)的圖像顯示裝置的制造方法。為解決問題所采用的技術(shù)方案在基于本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中，在第一基板或第二基板上滴注液晶，并使所述第一基板或所述第二基板的液晶滴注面?zhèn)扰c未滴注液晶的所述第二基板或所述第一基板相對，從而在真空中進行貼合，之后恢復(fù)到大氣壓，由此來進行液晶注入。液晶顯示裝置的制造方法包括:在第一基板及第二基板中水分吸附量較少的基板上滴注液晶的工序；以及在滴注液晶的工序之后在真空中將第一基板與第二基板貼合的工序。在本發(fā)明的一個實施方式中，重復(fù)進行權(quán)利要求1的液晶顯示裝置的制造方法來依次制造液晶顯示裝置，首先，為了決定第一基板及第二基板中水分吸附量較少的基板，進行測定第一基板及第二基板的水分吸附量的工序。此后，不再重復(fù)所述測定的工序，基于所述決定來進行滴注液晶的工序。
優(yōu)選地，進一步包括對第一基板及第二基板中水分吸附量較多的基板進行減壓處理的工序?；蛘?，進一步包括對第一基板及第二基板中水分吸附量較多的基板進行加熱處理的工序。或者，進一步包括對第一基板及第二基板中水分吸附量較多的基板進行減壓和加熱處理的工序.
在本發(fā)明一個實施方式的加熱處理中，在40° C以上300° C以下的溫度下對水分吸附量較多的基板進行加熱。優(yōu)選地，在減壓處理中，將水分吸附量較多的基板減壓至IOOPa以下的壓力。在本發(fā)明的一個實施方式中，包括在第一基板及第二基板上形成各不相同的樹脂膜的工序。第一基板及第二基板的水分吸附量的差異由所述各不相同的樹脂膜的水分吸附量的差異來決定。在本發(fā)明一個實施方式的加熱處理中，在40° C以上130°C以下的溫度下對水分吸附量較多的基板進行加熱。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能提高液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)。


圖1是示意性表示本發(fā)明的實施方式I所涉及的液晶顯示裝置的制造方法中制作液晶面板的一部分工序的圖。圖2是表示在水分吸附量較少的基板上形成密封材料后的狀態(tài)的立體圖。圖3是表示在水分吸附量較少的基板上滴注液晶后的狀態(tài)的立體圖。圖4是表示將兩塊基板貼合從而將液晶密封后的狀態(tài)的剖視圖。圖5是示意性表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的液晶顯示裝置的制造方法中制作液晶面板的一部分工序的圖。圖6是示意性表示本發(fā)明的實施方式3所涉及的液晶顯示裝置的制造方法中制作液晶面板的一部分工序的圖。
具體實施例方式下面，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式I所涉及的液晶顯示裝置的制造方法進行說明。在以下的實施方式的說明中，對圖中的相同或相當部分標注相同的標號，且不對其進行重復(fù)說明。(實施方式I)圖1是示意性表示本發(fā)明的實施方式I所涉及的液晶顯示裝置的制造方法中制作液晶面板的一部分工序的圖。圖2是表示在水分吸附量較少的基板上形成密封材料后的狀態(tài)的立體圖。圖3是表示在水分吸附量較少的基板上滴注液晶后的狀態(tài)的立體圖。圖4是表示將兩塊基板貼合從而將液晶密封后的狀態(tài)的剖視圖。如圖1所示，在本發(fā)明的實施方式I所涉及的液晶顯示裝置的制造方法中，首先進行第一基板即CF (color filter:彩色濾光片)基板和第二基板即TFT基板的水分吸附量的測定(S100)。在本實施方式中，使用CF基板作為第一基板，使用TFT基板作為第二基板，但例如在COA(color filter on array:陣列上彩色濾光片)液晶顯示裝置中，也可以使用玻璃基板作為第一基板，使用COA基板作為第二基板。作為基板水分吸附量的測定方法，例如，在將基板放入腔室內(nèi)的狀態(tài)下，將腔室內(nèi)密封并抽真空。對該抽真空時的腔室內(nèi)壓力隨時間經(jīng)過的變化進行測定，并與腔室內(nèi)未放入基板時的壓力隨時間的變化進行比較，由此能推算基板的水分吸附量。首先，對水分吸附量的測定結(jié)果即TFT基板的水分吸附量多于CF基板的水分吸附量時(R100)的液晶顯示裝置的制造方法進行說明。如圖1、圖2所示，在該情況下，在水分吸附量較少的基板110即CF基板上形成用于密封液晶的密封材料120 (SllO)。密封材料120例如形成為矩形。作為密封材料120，可以使用現(xiàn)有的液晶顯示裝置中所使用的密封材料。接著，如圖3所示，在形成了密封材料120的基板110上滴注液晶130(S120)。在被密封材料120包圍的范圍內(nèi)，呈柵格狀地滴注液晶130。液晶130的滴注可以使用涂布機等來進行。如圖4所示，在滴注液晶130的工序后，在真空中將水分吸附量較少的基板110即CF基板與水分吸附量較多的基板140即TFT基板貼合(S130)。具體而言，使CF基板的液晶滴注面?zhèn)扰cTFT基板相對，從而在真空中進行貼合，之后恢復(fù)到大氣壓，由此來進行液晶130的注入。如上所述，利用CF基板、TFT基板及密封材料120來對液晶130進行密封，由此，吸附在TFT基板上的大多數(shù)水分在真空中蒸發(fā)，因此能抑制吸附在TFT基板上的水分殘留在被密封的液晶130中。其結(jié)果是，能使液晶面板中液晶的分布均勻，從而能提高液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)。接著，對水分吸附量的測定結(jié)果即CF基板的水分吸附量多于TFT基板的水分吸附量時(R200)的液晶顯示裝置的制造方法進行說明。如圖1、圖2所示，在該情況下，在水分吸附量較少的基板110即TFT基板上形成用于密封液晶的密封材料120(S210)。密封材料120例如形成為矩形。作為密封材料120，可以使用現(xiàn)有的液晶顯示裝置中所使用的密封材料。接著，如圖3所示，在形成了密封材料120的基板110上滴注液晶130(S220)。在被密封材料120包圍的范圍內(nèi)，呈柵格狀地滴注液晶130。液晶130的滴注可以使用涂布機等來進行。如圖4所示，在滴注液晶130的工序后，在真空中將水分吸附量較少的基板110即TFT基板與水分吸附量較多的基板140即CF基板貼合(S230)。具體而言，使TFT基板的液晶滴注面?zhèn)扰cCF基板相對，從而在真空中進行貼合，之后恢復(fù)到大氣壓，由此來進行液晶130的注入。如上所述，利用CF基板、TFT基板及密封材料120來對液晶130進行密封，由此，吸附在CF基板上的大多數(shù)水分在真空中蒸發(fā)，因此能抑制吸附在CF基板上的水分殘留在被密封的液晶130中。其結(jié)果是，能使液晶面板中液晶的分布均勻，從而能提高液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)。另外，對于CF基板及TFT基板的水分吸附量的大小關(guān)系，只要各自的結(jié)構(gòu)相同就不會改變，因此，在液晶顯示裝置量產(chǎn)時，在最初會進行水分吸附量的測定(SlOO)，之后則不再進行。
S卩，在進行一次水分吸附量的測定(S100)從而決定CF基板及TFT基板的水分吸附量的大小關(guān)系之后，不再重復(fù)進行水分吸附量的測定(Sioo)，并基于該決定來進行在水分吸附量較少的基板110上形成密封材料120的工序以及之后的工序。下面，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式2所涉及的液晶顯示裝置的制造方法進行說明。(實施方式2)本實施方式的液晶顯示裝置的制造方法僅在對水分吸附量較多的基板140進行附加處理這一點上與實施方式I的液晶顯示裝置的制造方法不同，因此不再重復(fù)說明其它工序。圖5是示意性表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的液晶顯示裝置的制造方法中制作液晶面板的一部分工序的圖。首先，對水分吸附量的測定結(jié)果即TFT基板的水分吸附量多于CF基板的水分吸附量時(R100)的液晶顯示裝置的制造方法進行說明。如圖5所示，在本發(fā)明的實施方式2所涉及的液晶顯示裝置的制造方法中，在真空中將CF基板和TFT基板貼合的工序(S130)之前，對水分吸附量較多的基板140即TFT基板進行減壓和加熱處理(S140)。在減壓處理中，將壓力降低至IOOPa以下。由此，能有效地使TFT基板所吸附的水分蒸發(fā)。在加熱處理中，在40° C以上300° C以下的溫度下對基板140進行加熱。這是因為，當加熱溫度低于40° C時，無法有效地使TFT基板所吸附的水分蒸發(fā)，而當加熱溫度高于300° C時，TFT基板的特性會產(chǎn)生變化，導(dǎo)致液晶顯示裝置的性能變差。通過如上所述對TFT基板進行減壓和加熱處理，能使TFT基板所吸附的水分蒸發(fā)。水分蒸發(fā)后的TFT基板在后面的工序中，會在真空中與CF基板貼合的期間吸附極少的水分。然而，與不進行減壓、加熱處理的情況相比，能夠抑制吸附在TFT基板上的水分殘留在通過在真空中將CF基板和TFT基板貼合所密封的液晶130中。其結(jié)果是，能使液晶面板中液晶的分布均勻，從而能提高液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)。作為本實施方式的變形例，也可以僅進行減壓處理或僅進行加熱處理來代替對TFT基板進行減壓和加熱處理。在這種情況下也能使吸附在TFT基板上的水分蒸發(fā)。其結(jié)果，能夠抑制吸附在TFT基板上的水分殘留在通過在真空中將CF基板和TFT基板貼合所密封的液晶130中。接著，對水分吸附量的測定結(jié)果即CF基板的水分吸附量多于TFT基板的水分吸附量時(R200)的液晶顯示裝置的制造方法進行說明。在這種情況下，如圖5所示，在真空中將CF基板和TFT基板貼合的工序(S230)之前，對水分吸附量較多的基板140即CF基板進行減壓和加熱處理(S240)。在減壓處理中，將壓力降低至IOOPa以下。由此，能有效地使TFT基板所吸附的水分蒸發(fā)。在加熱處理中，在40° C以上130°C以下的溫度下對基板140進行加熱。這是因為，當加熱溫度低于40° C時，無法有效地使CF基板所吸附的水分蒸發(fā)，而當加熱溫度高于130°C時，構(gòu)成CF基板著色層的樹脂膜會分解，導(dǎo)致液晶顯示裝置的性能變差。通過如上所述對CF基板進行減壓和加熱處理，能使CF基板所吸附的水分蒸發(fā)。水分蒸發(fā)后的CF基板在后面的工序中，會在真空中與TFT基板貼合的期間吸附極少的水分。然而，與不進行減壓、加熱處理的情況相比，能夠抑制吸附在CF基板上的水分殘留在通過在真空中將CF基板和TFT基板貼合所密封的液晶130中。其結(jié)果，能使液晶面板中液晶的分布均勻，從而能提高液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)。作為本實施方式的變形例，也可以僅進行減壓處理或僅進行加熱處理來代替對CF基板進行減壓和加熱處理。在這種情況下也能使吸附在CF基板上的水分蒸發(fā)。其結(jié)果是，能夠抑制吸附在CF基板上的水分殘留在通過在真空中將CF基板和TFT基板貼合所密封的液晶130中。下面，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式3所涉及的液晶顯示裝置的制造方法進行說明。(實施方式3)本實施方式的液晶顯示裝置的制造方法僅就在第一基板及第二基板上形成各不相同的樹脂膜這一點上與實施方式2的液晶顯示裝置的制造方法不同，因此不再重復(fù)說明其它工序。圖6是示意性表示本發(fā)明的實施方式3所涉及的液晶顯示裝置的制造方法中制作液晶面板的一部分工序的圖。如圖6所示，本實施方式所涉及的液晶顯示裝置的制造方法包括在第一基板即CF基板上形成作為著色層的樹脂膜的工序(SlO)。如圖6所示，在本發(fā)明的實施方式3所涉及的液晶顯示裝置的制造方法中，在第二基板即TFT基板上形成與形成在CF基板上的樹脂膜不同的樹脂膜。具體而言，液晶顯示裝置的制造方法包括在TFT基板上形成作為絕緣層的樹脂膜的工序(S20)。形成在TFT基板上的樹脂膜例如由酚醛類樹脂構(gòu)成。該樹脂膜例如具有防止因TFT基板內(nèi)布線電壓而引起的液晶的不希望的取向的功能，或者具有防止因TFT基板與CF基板之間的金屬等異物而導(dǎo)致產(chǎn)生短路的功能。在CF基板及TFT基板的各水分吸附量中，各個基板所含有的樹脂膜的水分吸附量的比例較大。因此，CF基板及TFT基板的水分吸附量的差異由形成在CF基板上的樹脂膜的水分吸附量與形成在TFT基板上的樹脂膜的水分吸附量的差異決定。S卩，當形成在TFT基板上的樹脂膜的水分吸附量多于形成在CF基板上的樹脂膜的水分吸附量時，水分吸附量的測定(SlOO)結(jié)果為:TFT基板的水分吸附量多于CF基板的水分吸附量(R100)。在這種情況下，在CF基板上形成密封材料(SllO)，并在CF基板上滴注液晶(S120)。此外，對水分吸附量較多的基板140、即TFT基板進行減壓和加熱處理(S140)。在本實施方式變形例的液晶顯示裝置的制造方法中，對TFT基板進行減壓或加熱處理。在減壓處理中，將壓力降低至IOOPa以下。由此，能有效地使TFT基板所吸附的水分蒸發(fā)。在加熱處理中，在40° C以上130°C以下的溫度下對TFT基板140進行加熱。這是因為，當加熱溫度低于40° C時，無法有效地使TFT基板所吸附的水分蒸發(fā)，而當加熱溫度高于130°C時，構(gòu)成TFT基板絕緣層的樹脂膜會分解，導(dǎo)致液晶顯示裝置的性能變差。之后，在真空中將CF基板與TFT基板貼合(S130)。具體而言，使CF基板的液晶滴注面?zhèn)扰cTFT基板相對，從而在真空中進行貼合，之后恢復(fù)到大氣壓，由此來進行液晶130的注入。通過上述方式制造液晶顯示裝置，能夠抑制吸附在CF基板及TFT基板上的水分殘留在被密封的液晶130中。其結(jié)果是，能使液晶面板中液晶的分布均勻，從而能提高液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)。另一方面，當形成在CF基板上的樹脂膜的水分吸附量多于形成在TFT基板上的樹脂膜的水分吸附量時，水分吸附量的測定(S100)結(jié)果為:CF基板的水分吸附量多于TFT基板的水分吸附量(R200)。在這種情況下，在TFT基板上形成密封材料(S210)，并在TFT基板上滴注液晶(S220)。此外，對水分吸附量較多的基板140、即CF基板進行減壓和加熱處理(S240)。在本實施方式變形例的液晶顯示裝置的制造方法中，對CF基板進行減壓或加熱處理。在減壓處理中，將壓力降低至IOOPa以下。由此，能有效地使CF基板所吸附的水分蒸發(fā)。在加熱處理中，在40° C以上130°C以下的溫度下對CF基板140進行加熱。這是因為，當加熱溫度低于40° C時，無法有效地使CF基板所吸附的水分蒸發(fā)，而當加熱溫度高于130°C時，構(gòu)成CF基板著色層的樹脂膜會分解，導(dǎo)致液晶顯示裝置的性能變差。之后，在真空中將CF基板與TFT基板貼合(S230)。具體而言，使TFT基板的液晶滴注面?zhèn)扰cCF基板相對，從而在真空中進行貼合，之后恢復(fù)到大氣壓，由此來進行液晶130的注入。通過上述方式制造液晶顯示裝置，能夠抑制吸附在CF基板及TFT基板上的水分殘留在被密封的液晶130中。其結(jié)果是，能使液晶面板中液晶的分布均勻，從而能提高液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)。另外，本次所揭示的上述實施方式的所有內(nèi)容均為舉例表示，而不是限制性的解釋根據(jù)。因此，并不能僅通過上述實施方式來解釋本發(fā)明的技術(shù)范圍，應(yīng)當基于權(quán)利要求書的記載來確定。此外，還包括與權(quán)利要求范圍均等的意義及范圍內(nèi)的所有變更。標號說明110 水分吸附量較少的基板120 密封材料130 液晶140 水分吸附量較多的基板
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置的制造方法， 在該液晶顯示裝置的制造方法中，在第一基板或第二基板上滴注液晶(130)，并使所述第一基板或所述第二基板的液晶滴注面?zhèn)扰c未滴注液晶(130)的所述第二基板或所述第一基板相對，從而在真空中進行貼合，之后恢復(fù)到大氣壓，由此來進行液晶注入， 該液晶顯示裝置的制造方法的特征在于，包括: 在所述第一基板及所述第二基板中水分吸附量較少的基板(110)上滴注液晶(130)的工序(S120、S220);以及 在滴注所述液晶(130)的工序(S120、S220)之后、在真空中將所述第一基板與所述第二基板貼合的工序(S130、S230)。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 重復(fù)進行權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法來依次制造液晶顯示裝置， 首先，為了決定所述第一基板及所述第二基板中水分吸附量較少的基板(110)，進行測定所述第一基板及所述第二基板的水分吸附量的工序(S100)， 此后，不再重復(fù)所述測定的工序(S100)，基于所述決定來進行滴注所述液晶(130)的工序(S120、S220)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 進一步包括對所述第一基板及所述第二基板中水分吸附量較多的基板(140)進行減壓處理的工序(S140、S240)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 進一步包括對所述第一基板及所述第二基板中水分吸附量較多的基板(140)進行加熱處理的工序(S140、S240)。
5.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 進一步包括對所述第一基板及所述第二基板中水分吸附量較多的基板(140) —邊進行減壓處理一邊進行加熱處理的工序(S140、S240)。
6.如權(quán)利要求4或5所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在所述加熱處理中，在40° C以上300° C以下的溫度下對所述水分吸附量較多的基板(140)進行加熱。
7.如權(quán)利要求3或5所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在所述減壓處理中，將所述水分吸附量較多的基板(140)減壓到IOOPa以下的壓力。
8.如權(quán)利要求4或5所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 包括在所述第一基板及所述第二基板上形成各不相同的樹脂膜的工序(S10、S20)， 所述第一基板及所述第二基板的水分吸附量的差異由所述各不相同的樹脂膜的水分吸附量的差異來決定。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在所述加熱處理中，在40° C以上130°C以下的溫度下對所述水分吸附量較多的基板(140)進行加熱。
全文摘要
本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法包括在CF基板及TFT基板中的水分吸附量較少的基板(110)上滴注液晶(130)的工序(S120、S220)；以及在滴注液晶(130)的工序(S120、S220)之后在真空中將CF基板與TFT基板貼合的工序(S130、S230)。由此，能提高液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)。
文檔編號G02F1/13GK103154810SQ20118004937
公開日2013年6月12日 申請日期2011年10月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月14日
發(fā)明者喜田哲也 申請人:夏普株式會社