專利名稱：用于imod顯示器的電介質(zhì)增強(qiáng)鏡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及機(jī)電系統(tǒng)。更具體來說，本發(fā)明涉及包含電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器裝置。
背景技術(shù)：
機(jī)電系統(tǒng)包含具有電及機(jī)械元件、激活器、換能器、傳感器、光學(xué)組件(例如，鏡)及電子器件的裝置。可以多種尺寸制造機(jī)電系統(tǒng)，包含但不限于微米尺寸及納米尺寸。舉例來說，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置可包含具有介于從大約一微米到數(shù)百微米或更大的范圍內(nèi)的大小的結(jié)構(gòu)。納米機(jī)電系統(tǒng)(NEMS)裝置可包含具有小于一微米的大小(舉例來說，包含小于數(shù)百納米的大小)的結(jié)構(gòu)。可使用沉積、蝕刻、光刻及/或蝕刻掉襯底及/或所沉積材料層的部分或添加層以形成電裝置及機(jī)電裝置的其它微機(jī)械加工工藝形成機(jī)電元件。一種類型的機(jī)電系統(tǒng)裝置稱作干涉調(diào)制器(IMOD)。如本文中所用，術(shù)語干涉調(diào)制器或干涉光調(diào)制器是指使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收及/或反射光的裝置。在一些實施方案中，干涉調(diào)制器可包含一對導(dǎo)電板，所述對導(dǎo)電板中的一者或兩者可為全部或部分透明的及/或反射的且能夠在施加適當(dāng)電信號時相對運動。在實施方案中，一個板可包含沉積于襯底上的固定層且另一板可包含通過氣隙與所述固定層分離的反射膜。一個板相對于另一板的位置可改變?nèi)肷溆诟缮嬲{(diào)制器上的光的光學(xué)干涉。干涉調(diào)制器裝置具有廣泛的應(yīng)用，且預(yù)期用于改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品及形成新產(chǎn)品，尤其是具有顯示能力的那些產(chǎn)品。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的系統(tǒng)、方法及裝置各自具有數(shù)個創(chuàng)新性方面，所述方面中的單個方面均不單獨地決定本文中所揭示的所要屬性?？梢砸环N顯示裝置來實施本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的一個創(chuàng)新性方面，所述顯示裝置包含部分透明且部分反射層、具有第一厚度及第一折射率特性的第一電介質(zhì)層、具有第二厚度及第二折射率特性的第二電介質(zhì)層、反射層及光學(xué)共振腔。所述第一電介質(zhì)層的穿過所述第一厚度的光學(xué)路徑長度與所述第二電介質(zhì)層的穿過所述第二厚度的光學(xué)路徑長度約相同，且所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性。所述第二電介質(zhì)層安置于所述反射層與所述第一電介質(zhì)層之間且所述光學(xué)共振腔界定于所述部分透明且部分反射層與所述反射層之間。在一個方面中，所述第一折射率特性可大于2.1且/或所述第二折射率特性可小于1.6。在另一方面中,所述第一電介質(zhì)層可具有小于0.5的消光系數(shù)特性。在一個方面中，所述裝置還可包含界定于所述部分透明且部分反射層與所述第一電介質(zhì)層之間的氣隙。可以一種顯示裝置來實施本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的另一創(chuàng)新性方面，所述顯示裝置包含:用于部分反射且部分透射光的裝置、具有第一厚度及第一折射率特性的第一電介質(zhì)裝置、具有第二厚度及第二折射率特性的第二電介質(zhì)裝置、用于反射光的裝置及光學(xué)共振裝置。所述第一電介質(zhì)裝置的穿過所述第一厚度的光學(xué)路徑長度與所述第二電介質(zhì)裝置的穿過所述第二厚度的光學(xué)路徑長度約相同。所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性且所述第一電介質(zhì)裝置安置于所述部分反射且部分透射裝置與所述第二電介質(zhì)裝置之間。所述第二電介質(zhì)裝置安置于所述反射裝置與所述第一電介質(zhì)裝置之間且所述光學(xué)共振裝置界定于所述部分反射且部分透射裝置與所述第一反射裝置之間。在一個方面中，所述第一折射率特性可大于2.1且/或所述第二折射率特性可小于1.6?？梢砸环N制造顯示裝置的方法來實施本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的一個創(chuàng)新性方面。所述方法包含:提供襯底；在所述襯底上形成部分反射且部分透射層；在所述部分透明且部分反射層上形成犧牲層；在所述犧牲層上形成第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層具有第一厚度及第一折射率特性；在所述第一電介質(zhì)層上形成第二電介質(zhì)層，所述第二電介質(zhì)層具有第二厚度及第二折射率特性；在所述第二電介質(zhì)層上形成反射層；及移除所述犧牲層。所述第一電介質(zhì)層的穿過所述第一厚度的光學(xué)路徑長度與所述第二電介質(zhì)層的穿過所述第二厚度的光學(xué)路徑長度約相同，且所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性。在一個方面中，所述第一折射率特性可大于2.1且/或所述第二折射率特性可小于1.6?？梢砸环N顯示裝置來實施本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的另一創(chuàng)新性方面，所述顯示裝置包含部分透明且部分反射層、具有第一折射率特性的第一電介質(zhì)層、具有第二折射率特性的第二電介質(zhì)層、反射層及光學(xué)共振腔。所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性，所述第二電介質(zhì)層安置于所述反射層與所述第一電介質(zhì)層之間，且所述光學(xué)共振腔界定于所述部分透明且部分反射層與所述反射層之間。所述反射層、第一電介質(zhì)層及第二電介質(zhì)層經(jīng)配置以相對于所述部分透明且部分反射層在至少第一狀態(tài)、第二狀態(tài)與第三狀態(tài)之間一起移動，其中所述第一狀態(tài)比所述第三狀態(tài)靠近于所述部分透明且部分反射層，且其中所述第二狀態(tài)安置于所述第一狀態(tài)與所述第三狀態(tài)之間。在一個方面中，所述裝置可經(jīng)配置以在所述反射層處于所述第一狀態(tài)中時反射第一色彩，在所述反射層處于所述第二狀態(tài)中時反射第二色彩且在所述反射層處于所述第三狀態(tài)中時反射第三色彩。在另一方面中，所述第一色彩可不同于所述第二色彩，所述第二色彩可不同于所述第三色彩。另外，可以一種顯示裝置來實施本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的創(chuàng)新性方面，所述顯示裝置包含用于部分反射且部分透射光的裝置、具有第一折射率特性的第一電介質(zhì)裝置、具有第二折射率特性的第二電介質(zhì)裝置、用于反射光的裝置及界定于所述部分反射且部分透射裝置與所述反射裝置之間的光學(xué)共振裝置。所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性且所述第二電介質(zhì)裝置安置于所述反射裝置與所述第一電介質(zhì)裝置之間。所述反射裝置、第一電介質(zhì)層及第二電介質(zhì)層經(jīng)配置以相對于所述部分反射且部分透射裝置在第一狀態(tài)、第二狀態(tài)與第三狀態(tài)之間一起移動，其中所述第一狀態(tài)比所述第三狀態(tài)靠近于所述部分反射且部分透射裝置，且其中所述第二狀態(tài)安置于所述第一狀態(tài)與所述第三狀態(tài)之間。在一個方面中，所述第一折射率特性可大于2.1且/或所述第二折射率特性可小于1.6?？梢砸环N制造顯示裝置的方法來實施本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的另一創(chuàng)新性方面。所述方法包含:提供襯底；在所述襯底上形成部分反射且部分透射層；在所述部分透明且部分反射層上形成氧化抑制層；在所述氧化抑制層上形成犧牲層；在所述犧牲層上形成第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層具有大于2.1的折射率特性；在所述第一電介質(zhì)層上形成第二電介質(zhì)層，所述第二電介質(zhì)層具有小于1.6的折射率特性；在所述第二電介質(zhì)層上形成反射層；及移除所述犧牲層。在一個方面中，所述第一電介質(zhì)層可具有小于0.5的消光系數(shù)特性。在隨附圖式及以下描述中闡明本說明書中所描述的標(biāo)的物的一個或一個以上實施方案的細(xì)節(jié)。根據(jù)所述描述、圖式及權(quán)利要求書將明了其它特征、方面及優(yōu)點。注意，以下各圖的相對尺寸可能并未按比例繪制。


圖1展示描繪干涉調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個鄰近像素的等角視圖的實例。圖2展示圖解說明并入有3X3干涉調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實例。圖3展示圖解說明圖1的干涉調(diào)制器的可移動反射層位置對所施加電壓的圖的實例。圖4展示圖解說明當(dāng)施加各種共用電壓及分段電壓時干涉調(diào)制器的各種狀態(tài)的表的實例。圖5A展示圖解說明在圖2的3X3干涉調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)幀的圖的實例。圖5B展示可用于寫入圖5A中所圖解說明的顯示數(shù)據(jù)幀的共用信號及分段信號的時序圖的實例。圖6A展示圖1的干涉調(diào)制器顯示器的部分橫截面的實例。圖6B到6E展示干涉調(diào)制器的不同實施方案的橫截面的實例。圖7展示圖解說明用于干涉調(diào)制器的制造工藝的流程圖的實例。圖8A到SE展示制作干涉調(diào)制器的方法中的各種階段的橫截面示意性圖解的實例。圖9A到9D展示用于制造包含電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器的工藝的實例。圖10展示包含電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器的實例。圖11展示用于制造包含電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器的工藝的實例。圖12展示包含電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器的實例。圖13A到13C展示在干涉調(diào)制器的各層的界面處反射的光的反射圖的實例。圖14展示鋁層、電介質(zhì)增強(qiáng)鋁層及電介質(zhì)層的反射光譜的實例。圖15A及15B展示干涉調(diào)制器處于暗及亮狀態(tài)中的反射光譜的實例。圖16A及16B展示包含干涉調(diào)制器的像素的反射光譜的實例。圖17A及17B展示經(jīng)配置以在暗及亮狀態(tài)中反射紅色、綠色或藍(lán)色光的干涉調(diào)制器的反射光譜的實例。圖18A及18B展示當(dāng)光學(xué)共振腔的厚度變化時干涉調(diào)制器的反射光譜的實例。圖19A及19B展示圖解說明包含多個干涉調(diào)制器的顯示裝置的系統(tǒng)框圖的實例。在各個圖式中，相似的參考編號及標(biāo)示指示相似的元件。
具體實施例方式以下詳細(xì)描述針對用于描述創(chuàng)新性方面的目的的某些實施方案。然而，可以多種不同方式應(yīng)用本文中的教示。所描述的實施方案可在經(jīng)配置以顯示圖像(無論是處于運動(例如，視頻)還是靜止的(例如，靜止圖像)，且無論是文本、圖形的還是圖片的)的任一裝置中實施。更特定來說，本發(fā)明預(yù)期:所述實施方案可在以下多種電子裝置中實施或可與所述電子裝置相關(guān)聯(lián):例如(但不限于)，移動電話、具有多媒體因特網(wǎng)能力的蜂窩式電話、移動電視接收器、無線裝置、智能電話、藍(lán)牙裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、無線電子郵件接收器、手持式或便攜式計算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本計算機(jī)、智能本、輸入板、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、掃瞄儀、傳真裝置、GPS接收器/導(dǎo)航器、相機(jī)、MP3播放器、攝錄像機(jī)、游戲控制臺、手表、鐘表、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀裝置(例如，電子閱讀器)、計算機(jī)監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等等)、駕駛艙控制件及/或顯示器、相機(jī)視圖顯示器(例如，車輛的后視相機(jī)的顯示器)、電子照片、電子告示牌或標(biāo)牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、微波爐、冰箱、立體聲系統(tǒng)、盒式錄音機(jī)或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、無線電設(shè)備、便攜式存儲器芯片、洗衣機(jī)、干衣機(jī)、洗衣機(jī)/干衣機(jī)、停車計時器、封裝(例如，MEMS及非MEMS)、美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，一件珠寶上的圖像顯示器)及多種機(jī)電系統(tǒng)裝置。本文中的教示還可用于非顯示應(yīng)用中，例如(但不限于):電子切換裝置、射頻濾波器、傳感器、加速計、陀螺儀、運動感測裝置、磁力計、消費型電子器件的慣性組件、消費型電子產(chǎn)品的部件、變?nèi)荻O管、液晶裝置、電泳裝置、驅(qū)動方案、制造工藝及電子測試設(shè)備。因此，所述教示并不打算限于僅描繪于各圖中的實施方案，而是具有所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易明了的寬廣適用性。干涉調(diào)制器可經(jīng)配置使得可移動膜可在至少兩個位置之間移動。所述可移動膜的位置可確定光是否從所述調(diào)制器反射。通常，當(dāng)可移動膜接近不可移動電極定位時，不反射光，而當(dāng)可移動膜距不可移動電極較遠(yuǎn)定位時，反射光。本文中所描述的一些干涉調(diào)制器實施方案包含定位于可移動膜與不可移動電極之間的電介質(zhì)堆疊。通過控制電介質(zhì)堆疊內(nèi)的層的折射率及厚度，可反轉(zhuǎn)光反射狀態(tài)，使得當(dāng)可移動膜接近不可移動電極定位時反射光。在一些實施方案中，電介質(zhì)堆疊包含至少第一電介質(zhì)層及第二電介質(zhì)層，所述兩個電介質(zhì)層經(jīng)定位使得第一電介質(zhì)層在不可移動電極與第二電介質(zhì)層之間。所述第一電介質(zhì)層可具有第一折射率特性且所述第二電介質(zhì)層可具有第二折射率特性。第一折射率特性可大于第二折射率特性。舉例來說，所述第一折射率特性可大于2.1且所述第二折射率特性可小于1.6。此外，第一電介質(zhì)層可具有第一厚度且第二電介質(zhì)層可具有第二厚度。所述第一電介質(zhì)層穿過第一厚度的光學(xué)路徑長度可與所述第二電介質(zhì)層穿過第二厚度的光學(xué)路徑長度約相同?？蓪嵤┍景l(fā)明中所描述的標(biāo)的物的特定實施方案以實現(xiàn)以下潛在優(yōu)點中的一者或一者以上。本文中所描述的一些實施方案提供具有定位于可移動膜與不可移動電極之間的電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器。通過控制所述電介質(zhì)堆疊內(nèi)的各層的折射率及厚度，可反轉(zhuǎn)狀態(tài)，使得當(dāng)可移動膜接近不可移動電極定位時反射光。如下文所描述，此配置可增加反射光的亮度、減小暗狀態(tài)期間環(huán)境光的反射比、使色彩光譜飽和并減小制造多狀態(tài)干涉調(diào)制器的復(fù)雜性?？蓱?yīng)用所描述的實施方案的適合MEMS裝置的實例為反射式顯示裝置。反射式顯示裝置可并入有用以使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收及/或反射入射于其上的光的干涉調(diào)制器(IMOD)。IMOD可包含吸收體、可相對于所述吸收體移動的反射體及界定于所述吸收體與所述反射體之間的光學(xué)共振腔。所述反射體可移動到兩個或兩個以上不同位置，此可改變光學(xué)共振腔的大小且借此影響所述干涉調(diào)制器的反射比。頂OD的反射光譜可形成可跨越可見波長移位以產(chǎn)生不同色彩的相當(dāng)寬的光譜帶?？赏ㄟ^改變光學(xué)共振腔的厚度(即，通過改變反射體的位置)來調(diào)整所述光譜帶的位置。圖1展示描繪干涉調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個鄰近像素的等角視圖的實例。所述IMOD顯示裝置包含一個或一個以上干涉MEMS顯示元件。在這些裝置中，MEMS顯示元件的像素可處于亮或暗狀態(tài)。在亮(“松弛”、“打開”或“接通”)狀態(tài)中，所述顯示元件將入射可見光的一大部分反射到(例如)用戶。相反地，在暗(“激活”、“關(guān)閉”或“關(guān)斷”)狀態(tài)中，所述顯示元件反射甚少的入射可見光。在一些實施方案中，可反轉(zhuǎn)接通與關(guān)斷狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在特定波長下反射，從而允許除黑色及白色以外還進(jìn)行彩色顯示。MOD顯示裝置可包含行/列IMOD陣列。每一 MOD可包含一對反射層，即，可移動反射層及固定部分反射層，所述對反射層以彼此相距可變且可控的距離進(jìn)行定位以形成氣隙(還稱作光學(xué)間隙或腔)。所述可移動反射層可在至少兩個位置之間移動。在第一位置(即，松弛位置)中，可移動反射層可定位于距固定部分反射層相對大的距離處。在第二位置(即，激活位置)中，可移動反射層可更靠近于部分反射層而定位。取決于可移動反射層的位置，從兩個層反射的入射光可以相長或相消方式干涉，從而產(chǎn)生每一像素的總體反射或非反射狀態(tài)。在一些實施方案中，所述IMOD可在未被激活時處于反射狀態(tài)，從而反射在可見光譜內(nèi)的光，且可在未被激活時處于暗狀態(tài)，從而反射在可見范圍之外的光(例如，紅外光)。然而，在一些其它實施方案中，IMOD可在未被激活時處于暗狀態(tài)且在被激活時處于反射狀態(tài)。在一些實施方案中，引入所施加電壓可驅(qū)動像素改變狀態(tài)。在一些其它實施方案中，所施加電荷可驅(qū)動像素改變狀態(tài)。圖1中所描繪的像素陣列部分包含兩個鄰近的干涉調(diào)制器12。在左側(cè)(如所圖解說明)的IM0D12中，將可移動反射層14圖解說明為處于距包含部分反射層的光學(xué)堆疊16預(yù)定距離處的松弛位置。跨越左側(cè)IM0D12施加的電壓Vtl不足以致使可移動反射層14激活。在右側(cè)的IM0D12中，將可移動反射層14圖解說明為處于接近或鄰近光學(xué)堆疊16的激活位置?？缭接覀?cè)M0D12施加的電壓Vbias足以使可移動反射層14維持處于激活位置。在圖1中，大體圖解說明像素12的反射性質(zhì)，其中箭頭13指示入射于像素12上的光且光15從左側(cè)像素12反射。雖然未詳細(xì)地圖解說明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，入射于像素12上的光13的大部分將穿過透明襯底20朝向光學(xué)堆疊16透射。入射于光學(xué)堆疊16上的光的一部分將透射穿過光學(xué)堆疊16的部分反射層，且一部分將往回反射穿過透明襯底20。光13的透射穿過光學(xué)堆疊16的部分將在可移動反射層14處往回朝向(且穿過)透明襯底20反射。從光學(xué)堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動反射層14反射的光之間的干涉(相長性或相消性)將確定從像素12反射的光15的波長。光學(xué)堆疊16可包含單個層或數(shù)個層。所述層可包含電極層、部分反射且部分透射層及透明電介質(zhì)層中的一者或一者以上。在一些實施方案中，光學(xué)堆疊16為導(dǎo)電、部分透明且部分反射的，且可(舉例來說)通過將以上層中的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來制作。所述電極層可由多種材料形成，例如各種金屬，舉例來說，氧化銦錫(ITO)。所述部分反射層可由多種部分反射的材料形成，例如各種金屬，例如鉻(Cr)、半導(dǎo)體及電介質(zhì)。所述部分反射層可由一個或一個以上材料層形成，且所述層中的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實施方案中，光學(xué)堆疊16可包含單個半透明厚度的金屬或半導(dǎo)體，其充當(dāng)光學(xué)吸收體及導(dǎo)體兩者，同時(例如光學(xué)堆疊16或IMOD的其它結(jié)構(gòu)的)不同的更多導(dǎo)電層或部分可用于在MOD像素之間運送信號。光學(xué)堆疊16還可包含覆蓋一個或一個以上導(dǎo)電層或?qū)щ?吸收層的一個或一個以上絕緣或電介質(zhì)層。在一些實施方案中，可將光學(xué)堆疊16的層圖案化成若干平行條帶，且其可在顯示裝置中形成行電極，如下文進(jìn)一步描述。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，術(shù)語“圖案化”在本文中用于指掩蔽以及蝕刻工藝。在一些實施方案中，可將高度導(dǎo)電且反射的材料(例如鋁(Al))用于可移動反射層14，且這些條帶可在顯示裝置中形成列電極?？梢苿臃瓷鋵?4可形成為用以形成沉積于柱18及在柱18之間沉積的介入犧牲材料的頂部上的列的一個或若干所沉積金屬層的一系列平行條帶(正交于光學(xué)堆疊16的行電極)。當(dāng)蝕刻掉所述犧牲材料時，可在可移動反射層14與光學(xué)堆疊16之間形成經(jīng)界定間隙19或光學(xué)腔。在一些實施方案中，柱18之間的間隔可大約為Ium到lOOOum，而間隙19可大約< 10，000埃(A)。在一些實施方案中，所述MOD的每一像素(無論是處于激活狀態(tài)還是松弛狀態(tài))基本上均為由固定反射層及移動反射層形成的電容器。當(dāng)不施加電壓時，可移動反射層14保持處于機(jī)械松弛狀態(tài)，如圖1中左側(cè)的像素12所圖解說明，其中可移動反射層14與光學(xué)堆疊16之間具有間隙19。然而，當(dāng)向選定行及列中的至少一者施加電位差(例如，電壓)時，在對應(yīng)像素處的行電極與列電極的相交點處形成的電容器變得被充電，且靜電力將所述電極拉在一起。如果所施加的電壓超過閾值，那么可移動反射層14可變形且移動而接近或抵靠光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層(未展示)可防止短路且控制層14與16之間的分離距離，如圖1中右側(cè)的經(jīng)激活像素12所圖解說明。不管所施加電位差的極性如何，行為均相同。雖然在一些實例中可將陣列中的一系列像素稱作“行”或“列”，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解，將一個方向稱作“行”且將另一方向稱作“列”是任意的。重申，在一些定向中，可將行視為列，且將列視為行。此外，顯示元件可均勻地布置成正交的行與列(“陣列”)，或布置成非線性配置，舉例來說，相對于彼此具有某些位置偏移(“鑲嵌塊”)。術(shù)語“陣列”及“鑲嵌塊”可指代任一配置。因此，雖然將顯示器稱作包含“陣列”或“鑲嵌塊”，但在任一實例中，元件本身不需要彼此正交地布置或安置成均勻分布，而是可包含具有不對稱形狀及不均勻分布元件的布置。圖2展示圖解說明并入有3X3干涉調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實例。所述電子裝置包含可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件模塊的處理器21。除執(zhí)行操作系統(tǒng)以外，處理器21還可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件應(yīng)用程序，包含web瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任一其它軟件應(yīng)用程序。處理器21可經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動器22通信。陣列驅(qū)動器22可包含將信號提供到(例如)顯示陣列或面板30的行驅(qū)動器電路24及列驅(qū)動器電路26。圖2中的線1-1展示圖1中所圖解說明的頂OD顯示裝置的橫截面。雖然為清晰起見圖2圖解說明3X3IM0D陣列，但顯示陣列30可含有極大數(shù)目個MOD且可在列中具有與在行中不同數(shù)目的M0D，且反之還然。圖3展示圖解說明圖1的干涉調(diào)制器的可移動反射層位置對所施加電壓的圖的實例。對于MEMS干涉調(diào)制器，行/列(即，共用/分段)寫入程序可利用圖3中所圖解說明的這些裝置的滯后性質(zhì)。干涉調(diào)制器可需要(舉例來說)大約10伏電位差以致使可移動反射層或鏡從松弛狀態(tài)改變?yōu)榧せ顮顟B(tài)。當(dāng)電壓從所述值減小時，隨著電壓回降到低于(例如)10伏，所述可移動反射層維持其狀態(tài)，然而，所述可移動反射層不會完全松弛直到電壓下降到低于2伏為止。因此，如圖3中所展示，存在約3伏到7伏的電壓范圍，在所述電壓范圍內(nèi)存在所施加電壓窗，在所述窗內(nèi)，裝置穩(wěn)定在松弛狀態(tài)或激活狀態(tài)中。在本文中將此窗稱作“滯后窗”或“穩(wěn)定窗”。對于具有圖3的滯后特性的顯示陣列30，行/列寫入程序可經(jīng)設(shè)計以一次尋址一個或一個以上行，使得在對給定行的尋址期間使經(jīng)尋址行中待激活的像素暴露于大約10伏的電壓差，并使待松弛的像素暴露于接近零伏的電壓差。在尋址之后，使像素暴露于穩(wěn)定狀態(tài)或約5伏的偏置電壓差使得其保持在先前選通狀態(tài)中。在此實例中，在被尋址之后，每一像素經(jīng)歷在大約3伏到7伏的“穩(wěn)定窗”內(nèi)的電位差。此滯后性質(zhì)特征使得(例如)圖1中所圖解說明的像素設(shè)計能夠在相同所施加電壓條件下保持穩(wěn)定在激活狀態(tài)或松弛預(yù)存狀態(tài)中。由于每一 IMOD像素(無論是處于激活狀態(tài)還是松弛狀態(tài))基本上均為由固定反射層及移動反射層形成的電容器，因此此穩(wěn)定狀態(tài)可保持在滯后窗內(nèi)的穩(wěn)定電壓下而大致上不消耗或損失電力。此外，如果所施加的電壓電位保持大致上固定，那么基本上有甚少或無電流流動到MOD像素中。在一些實施方案中，可通過根據(jù)給定行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如果有的話)沿著所述組列電極以“分段”電壓的形式施加數(shù)據(jù)信號來形成圖像的幀。可依次尋址所述陣列的每一行，使得一次一行地寫入所述幀。為了將所要數(shù)據(jù)寫入到第一行中的像素，可將對應(yīng)于所述第一行中的像素的所要狀態(tài)的分段電壓施加于列電極上，且可將呈特定“共用”電壓或信號形式的第一行脈沖施加到第一行電極。接著，可使所述組分段電壓改變?yōu)閷?yīng)于第二行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如果有的話)，且可將第二共用電壓施加到第二行電極。在一些實施方案中，第一行中的像素不受沿著列電極施加的分段電壓的改變影響，且保持于在第一共用電壓行脈沖期間其被設(shè)定到的狀態(tài)?？梢皂樞蚍绞结槍φ麄€系列的行或替代地整個系列的列重復(fù)此過程，以產(chǎn)生圖像幀?？赏ㄟ^以每秒某一所要數(shù)目的幀不斷地重復(fù)此過程來用新的圖像數(shù)據(jù)刷新及/或更新所述幀?？缭矫恳幌袼厮┘拥姆侄闻c共用信號的組合(即，跨越每一像素的電位差)確定了每一像素的所得狀態(tài)。圖4展示圖解說明當(dāng)施加各種共用電壓及分段電壓時干涉調(diào)制器的各種狀態(tài)的表的實例。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解，可將“分段”電壓施加到列電極或行電極，且可將“共用”電壓施加到列電極或行電極中的另一者。如在圖4中(以及在圖5B中所展示的時序圖中)所圖解說明，當(dāng)沿著共用線施加釋放電壓VC.時，沿著共用線的所有干涉調(diào)制器元件將被置于松弛狀態(tài)(或者稱作釋放或未激活狀態(tài))中，而不管沿著分段線所施加的電壓(即，高分段電壓VSh及低分段電壓VS)如何。特定來說，當(dāng)沿著共用線施加釋放電壓VC.時，在沿著所述像素的對應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh及低分段電壓V&兩者時，跨越調(diào)制器的電位電壓(或者稱作像素電壓)在松弛窗(參見圖3，也稱作釋放窗)內(nèi)。當(dāng)將保持電壓(例如高保持電壓VCmD H或低保持電壓VCmD J施加于共用線上時，干涉調(diào)制器的狀態(tài)將保持恒定。舉例來說，松弛IMOD將保持處于松弛位置，且激活I(lǐng)MOD將保持處于激活位置。所述保持電壓可經(jīng)選擇使得在沿著對應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh及低分段電壓兩者時，像素電壓將保持在穩(wěn)定窗內(nèi)。因此，分段電壓擺幅(即，高￥511與低分段電壓VSlj之間的差)小于正穩(wěn)定窗或負(fù)穩(wěn)定窗的寬度。當(dāng)將尋址或激活電壓(例如高尋址電壓VCadd H或低尋址電壓VCadd J施加于共用線上時，可通過沿著相應(yīng)分段線施加分段電壓選擇性地將數(shù)據(jù)寫入到沿著所述線的調(diào)制器。所述分段電壓可經(jīng)選擇使得所述激活取決于所施加的分段電壓。當(dāng)沿著共用線施加尋址電壓時，施加一個分段電壓將導(dǎo)致穩(wěn)定窗內(nèi)的像素電壓，從而致使所述像素保持不被激活。相比之下，施加另一 分段電壓將導(dǎo)致超出所述穩(wěn)定窗的像素電壓，從而導(dǎo)致所述像素的激活。致使激活的特定分段電壓可取決于使用了哪一尋址電壓而變化。在一些實施方案中，當(dāng)沿著共用線施加高尋址電壓VCadd H時，施加高分段電壓VSh可致使調(diào)制器保持處于其當(dāng)前位置，而施加低分段電壓V&可致使所述調(diào)制器激活。作為推論，當(dāng)施加低尋址電壓VCadi^時，分段電壓的影響可為相反的，其中高分段電壓VSh致使所述調(diào)制器激活，且低分段電壓對所述調(diào)制器的狀態(tài)無影響(即，保持穩(wěn)定)。在一些實施方案中，可使用跨越調(diào)制器始終產(chǎn)生相同極性電位差的保持電壓、尋址電壓及分段電壓。在一些其它實施方案中，可使用使調(diào)制器的電位差的極性交替的信號?？缭秸{(diào)制器的極性的交替(即，寫入程序的極性的交替)可減少或抑制在單個極性的重復(fù)寫入操作之后可能發(fā)生的電荷積累。圖5A展示圖解說明圖2的3X3干涉調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)幀的圖的實例。圖5B展示可用于寫入圖5A中所圖解說明的顯示數(shù)據(jù)幀的共用信號及分段信號的時序圖的實例?？蓪⑺鲂盘柺┘拥?例如)圖2的3X3陣列，此將最終產(chǎn)生圖5A中所圖解說明的線時間60e的顯示布置。圖5A中的經(jīng)激活調(diào)制器處于暗狀態(tài)，即，其中反射光的實質(zhì)部分在可見光譜之外，以便給(例如)觀看者產(chǎn)生暗外觀。在寫入圖5A中所圖解說明的幀之前，所述像素可處于任一狀態(tài)，但圖5B的時序圖中所圖解說明的寫入程序假定在第一線時間60a之前每一調(diào)制器已被釋放且駐存于未激活狀態(tài)中。在第一線時間60a期間:將釋放電壓70施加于共用線I上；施加于共用線2上的電壓以高保持電壓72開始且移動到釋放電壓70 ;且沿著共用線3施加低保持電壓76。因此，沿著共用線I的調(diào)制器(共用1，分段1)、(1，2)及(1，3)在第一線時間60a的持續(xù)時間內(nèi)保持處于松弛或未激活狀態(tài)，沿著共用線2的調(diào)制器(2，I)、(2,2)及(2，3)將移動到松弛狀態(tài)，且沿著共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3,2)及(3，3)將保持處于其先前狀態(tài)。參考圖4，沿著分段線1、2及3施加的分段電壓將對干涉調(diào)制器的狀態(tài)無影響，因為在線時間60a期間，共用線1、2或3中的任一者均未暴露于致使激活的電壓電平(即，VCeel-松弛及VCmilL-穩(wěn)定)。在第二線時間60b期間，共用線I上的電壓移動到高保持電壓72，且由于未將尋址或激活電壓施加于共用線I上，因此不管所施加的分段電壓如何，沿著共用線I的所有調(diào)制器均保持處于松弛狀態(tài)。沿著共用線2的調(diào)制器因釋放電壓70的施加而保持處于松弛狀態(tài)，且當(dāng)沿著共用線3的電壓移動到釋放電壓70時，沿著共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3,2) (3,3)將松弛。在第三線時間60c期間，通過將高尋址電壓74施加于共用線I上來尋址共用線I。由于在施加此尋址電壓期間沿著分段線I及2施加低分段電壓64，因此跨越調(diào)制器(1，I)及(1，2)的像素電壓大于調(diào)制器的正穩(wěn)定窗的高端(即，電壓差超過預(yù)定義閾值)，且激活調(diào)制器(1，1)及(1，2)。相反地，由于沿著分段線3施加高分段電壓62，因此跨越調(diào)制器(1,3)的像素電壓小于調(diào)制器(1，1)及(1，2)的像素電壓，且保持在所述調(diào)制器的正穩(wěn)定窗內(nèi)；調(diào)制器(1，3)因此保持松弛。此外，在線時間60c期間，沿著共用線2的電壓減小到低保持電壓76，且沿著共用線3的電壓保持處于釋放電壓70，從而使沿著共用線2及3的調(diào)制器處于松弛位置。在第四線時間60d期間，共用線I上的電壓返回到高保持電壓72，從而使沿著共用線I上的調(diào)制器處于其相應(yīng)經(jīng)尋址狀態(tài)。將共用線2上的電壓減小到低尋址電壓78。由于沿著分段線2施加高分段電壓62，因此跨越調(diào)制器(2，2)的像素電壓低于所述調(diào)制器的負(fù)穩(wěn)定窗的較低端，從而致使調(diào)制器(2，2)激活。相反地，由于沿著分段線I及3施加低分段電壓64，因此調(diào)制器(2，I)及(2，3)保持處于松弛位置。共用線3上的電壓增加到高保持電壓72，從而使沿著共用線3的調(diào)制器處于松弛狀態(tài)中。最后，在第五線 時間60e期間，共用線I上的電壓保持處于高保持電壓72，且共用線2上的電壓保持處于低保持電壓76，從而使沿著共用線I及2的調(diào)制器處于其相應(yīng)經(jīng)尋址狀態(tài)。共用線3上的電壓增加到高尋址電壓74以尋址沿著共用線3的調(diào)制器。在將低分段電壓64施加于分段線2及3上時，調(diào)制器(3，2)及(3，3)激活，而沿著分段線I所施加的高分段電壓62致使調(diào)制器(3，I)保持處于松弛位置。因此，在第五線時間60e結(jié)束時，3X3像素陣列處于圖5A中所展示的狀態(tài)，且只要沿著共用線施加保持電壓就將保持處于所述狀態(tài)，而不管可能在正尋址沿著其它共用線(未展示)的調(diào)制器時發(fā)生的分段電壓的變化如何。在圖5B的時序圖中，給定寫入程序(B卩，線時間60a到60e)可包含高保持及尋址電壓或低保持及尋址電壓的使用。一旦已針對給定共用線完成寫入程序(且將共用電壓設(shè)定為具有與激活電壓相同的極性的保持電壓)，所述像素電壓便保持在給定穩(wěn)定窗內(nèi)，且不通過松弛窗，直到將釋放電壓施加于所述共用線上為止。此外，由于每一調(diào)制器是在尋址所述調(diào)制器之前作為寫入程序的一部分而釋放，因此調(diào)制器的激活時間而非釋放時間可確定必需的線時間。具體來說，在其中調(diào)制器的釋放時間大于激活時間的實施方案中，可將釋放電壓施加達(dá)長于單個線時間，如在圖5B中所描繪。在一些其它實施方案中，沿著共用線或分段線所施加的電壓可變化以計及不同調(diào)制器(例如不同色彩的調(diào)制器)的激活及釋放電壓的變化。根據(jù)上文所闡明的原理操作的干涉調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)可廣泛變化。舉例來說，圖6A到6E展示包含可移動反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的干涉調(diào)制器的不同實施方案的橫截面的實例。圖6A展示圖1的干涉調(diào)制器顯示器的部分橫截面的實例，其中金屬材料條帶(即，可移動反射層14)沉積于從襯底20正交延伸的支撐件18上。在圖6B中，每一 MOD的可移動反射層14的形狀為大體正方形或矩形且在拐角處或接近拐角處經(jīng)由系鏈32附接到支撐件。在圖6C中，可移動反射層14的形狀為大體正方形或矩形且懸掛于可變形層34上，可變形層34可包含柔性金屬?？勺冃螌?4可圍繞可移動反射層14的周界直接或間接地連接到襯底20。這些連接在本文中稱作支撐柱。圖6C中所展示的實施方案具有源于可移動反射層14的光學(xué)功能與其機(jī)械功能(其由可變形層34來實施)解耦合的額外益處。此解耦合允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計及材料與用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計及材料彼此獨立地進(jìn)行優(yōu)化。圖6D展不IMOD的另一實例,其中可移動反射層14包含反射子層14a。可移動反射層14靠在支撐結(jié)構(gòu)(例如，支撐柱18)上。支撐柱18提供可移動反射層14與下部固定電極(即，所圖解說明的IMOD中的光學(xué)堆疊16的一部分)的分離，使得(舉例來說)當(dāng)可移動反射層14處于松弛位置時，在可移動反射層14與光學(xué)堆疊16之間形成間隙19?？梢苿臃瓷鋵?4還可包含可經(jīng)配置以充當(dāng)電極的導(dǎo)電層14c及支撐層14b。在此實例中，導(dǎo)電層14c安置于支撐層14b的遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)上，且反射子層14a安置于支撐層14b的接近于襯底20的另一側(cè)上。在一些實施方案中，反射子層14a可為導(dǎo)電的且可安置于支撐層14b與光學(xué)堆疊16之間。支撐層14b可包含電介質(zhì)材料(舉例來說，氧氮化硅(SiON)或二氧化硅(SiO2))的一個或一個以上層。在一些實施方案中，支撐層14b可為若干層的堆疊，例如，Si02/Si0N/Si02三層堆疊。反射子層14a及導(dǎo)電層14c中的任一者或兩者可包含(例如)具有大約0.5%銅(Cu)的鋁(Al)合金或另一反射金屬材料。在電介質(zhì)支撐層14b上面及下面采用導(dǎo)體層14a、14c可平衡應(yīng)力且提供增強(qiáng)的傳導(dǎo)性。在一些實施方案中，可出于多種設(shè)計目的(例如實現(xiàn)可移動反射層14內(nèi)的特定應(yīng)力分布曲線)而由不同材料形成反射子層14a及導(dǎo)電層14c。如在圖6D中所圖解說明，一些實施方案還可包含黑色掩模結(jié)構(gòu)23。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可形成于光學(xué)非作用區(qū)(例如在像素之間或在柱18下方)中以吸收環(huán)境光或雜散光。黑色掩模結(jié)構(gòu)23還可通過抑制光從顯示裝置的非作用部分反射或透射穿過所述部分借此增加對比度來改進(jìn)所述顯示器的光學(xué)性質(zhì)。另外，黑色掩模結(jié)構(gòu)23可為導(dǎo)電的且經(jīng)配置以充當(dāng)電運送層。在一些實施方案中，可將行電極連接到黑色掩模結(jié)構(gòu)23以減小所連接行電極的電阻?？墒褂冒练e及圖案化技術(shù)的多種方法來形成黑色掩模結(jié)構(gòu)23。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可包含一個或一個以上層。舉例來說，在一些實施方案中，黑色掩模結(jié)構(gòu)23包含充當(dāng)光學(xué)吸收體的鑰-鉻(MoCr)層、一層及充當(dāng)反射體及運送層的鋁合金，其分別具有在大約30 A到80 A SOO A到1000 A及500 A到6000 A的范圍中的厚度?？墒褂枚喾N技術(shù)來圖案化所述一個或一個以上層，包含光刻及干蝕刻，舉例來說，所述干蝕刻包含用于MoCr及SiO2層的四氟化碳(CF4)及/或氧氣(O2)以及用于鋁合金層的氯氣(Cl2)及/或三氯化硼(BCl3)。在一些實施方案中，黑色掩模23可為標(biāo)準(zhǔn)具或干涉堆疊結(jié)構(gòu)。在此些干涉堆疊黑色掩模結(jié)構(gòu)23中，導(dǎo)電吸收體可用于在每一行或列的光學(xué)堆疊16中的下部固定電極之間傳輸或運送信號。在一些實施方案中，間隔件層35可用于將吸收體層16a與黑色掩模23中的導(dǎo)電層大體電隔離。圖6E展示MOD的另一實例，其中可移動反射層14為自支撐的。與圖6D相比，圖6E的實施方案不包含支撐柱18。而是，可移動反射層14在多個位置處接觸下伏光學(xué)堆疊16，且可移動反射層14的曲率提供足夠的支撐使得可移動反射層14在跨越干涉調(diào)制器的電壓不足以致使激活時返回到圖6E的未激活位置。為清晰所見，此處將可含有多個數(shù)種不同層的光學(xué)堆疊16展示為包含光學(xué)吸收體16a及電介質(zhì)16b。在一些實施方案中，光學(xué)吸收體16a可充當(dāng)固定電極及部分反射層兩者。在例如圖6A到6E中所展示的實施方案的實施方案中，MOD充當(dāng)直視裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)(即，與其上布置有調(diào)制器的側(cè)相對的側(cè))觀看圖像。在這些實施方案中，可對所述裝置的背面部分(即，所述顯示裝置的在可移動反射層14后面的任一部分，舉例來說，包含圖6C中所圖解說明的可變形層34)進(jìn)行配置及操作而不影響或負(fù)面地影響顯示裝置的圖像質(zhì)量，因為反射層14光學(xué)屏蔽所述裝置的所述部分。舉例來說，在一些實施方案中，可在可移動反射層14后面包含總線結(jié)構(gòu)(未圖解說明)，其提供將調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與調(diào)制器的機(jī)電性質(zhì)(例如電壓尋址及由此尋址產(chǎn)生的移動)分離的能力。另外，圖6A到6E的實施方案可簡化處理(例如，圖案化)。圖7展示圖解說明用于干涉調(diào)制器的制造工藝80的流程圖的實例，且圖8A到SE展示此制造工藝80的對應(yīng)階段的橫截面示意性圖解的實例。在一些實施方案中，除圖7中未展示的其它框以外，制造工藝80還可經(jīng)實施以制造(例如)圖1及6中所圖解說明的一般類型的干涉調(diào)制器。參考圖1、6及7，工藝80在框82處開始，其中在襯底20上方形成光學(xué)堆疊16。圖8A圖解說明在襯底20上方形成的此光學(xué)堆疊16。襯底20可為透明襯底(例如玻璃或塑料)，其可為柔性的或相對剛性且不易彎曲的，且可能已經(jīng)受先前準(zhǔn)備工藝，例如，用以促進(jìn)有效地形成光學(xué)堆疊16的清潔。如上文所論述，光學(xué)堆疊16可為導(dǎo)電、部分透明且部分反射的且可(舉例來說)通過將具有所要性質(zhì)的一個或一個以上層沉積到透明襯底20上來制作。在圖8A中，光學(xué)堆疊16包含具有子層16a及16b的多層結(jié)構(gòu)，但在一些其它實施方案中可包含更多或更少的子層。在一些實施方案中，子層16a、16b中的一者可經(jīng)配置而具有光學(xué)吸收及導(dǎo)電性質(zhì)兩者，例如組合式導(dǎo)體/吸收體子層16a。另外，可將子層16a、16b中的一者或一者以上圖案化成若干平行條帶，且其可在顯示裝置中形成行電極?？赏ㄟ^掩蔽及蝕刻工藝或此項技術(shù)中已知的另一適合工藝來執(zhí)行此圖案化。在一些實施方案中，子層16a、16b中的一者可為絕緣或電介質(zhì)層，例如沉積于一個或一個以上金屬層(例如，一個或一個以上反射及/或?qū)щ妼?上方的子層16b。另外，可將光學(xué)堆疊16圖案化成形成顯示器的行的個別且平行條帶。工藝80在框84處繼續(xù)在光學(xué)堆疊16上方形成犧牲層25。稍后移除犧牲層25 (例如，在框90處)以形成腔19且因此在圖1中所圖解說明的所得干涉調(diào)制器12中未展示犧牲層25。圖SB圖解說明包含形成于光學(xué)堆疊16上方的犧牲層25的經(jīng)部分制作的裝置。在光學(xué)堆疊16上方形成犧牲層25可包含以經(jīng)選擇以在隨后移除之后提供具有所要設(shè)計大小的間隙或腔19 (還參見圖1及SE)的厚度沉積二氟化氙(XeF2)可蝕刻材料，例如鑰(Mo)或非晶硅(a-Si)?？墒褂美缥锢須庀喑练e(PVD，例如，濺鍍)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、熱化學(xué)氣相沉積(熱CVD)或旋涂等沉積技術(shù)來實施犧牲材料的沉積。工藝80在框86處繼續(xù)形成支撐結(jié)構(gòu)，例如，如圖1、6及8C中所圖解說明的柱18。形成柱18可包含以下步驟:圖案化犧牲層25以形成支撐結(jié)構(gòu)孔口，接著使用例如PVD、PECVD、熱CVD或旋涂等沉積方法將材料(例如，聚合物或無機(jī)材料，例如二氧化硅)沉積到所述孔口中以形成柱18。在一些實施方案中，形成于犧牲層中的支撐結(jié)構(gòu)孔口可延伸穿過犧牲層25及光學(xué)堆疊16兩者而到達(dá)下伏襯底20，使得柱18的下部端接觸襯底20，如在圖6A中所圖解說明?；蛘撸缭趫DSC中所描繪，形成于犧牲層25中的孔口可延伸穿過犧牲層25，但不穿過光學(xué)堆疊16。舉例來說，圖SE圖解說明支撐柱18的下部端與光學(xué)堆疊16的上部表面接觸。可通過將支撐結(jié)構(gòu)材料層沉積于犧牲層25上方并圖案化支撐結(jié)構(gòu)材料的位于遠(yuǎn)離犧牲層25中的孔口的部分來形成柱18或其它支撐結(jié)構(gòu)。所述支撐結(jié)構(gòu)可位于所述孔口內(nèi)，如在圖8C中所圖解說明，但還可至少部分地延伸到犧牲層25的一部分上方。如上文所提及，犧牲層25及/或支撐柱18的圖案化可通過圖案化及蝕刻工藝來執(zhí)行，但也可通過替代蝕刻方法來執(zhí)行。工藝80在框88處繼續(xù)形成可移動反射層或膜，例如圖1、6及8D中所圖解說明的可移動反射層14?？赏ㄟ^采用一個或一個以上沉積步驟(例如，反射層(例如，鋁、鋁合金)沉積)連同一個或一個以上圖案化、掩蔽及/或蝕刻步驟來形成可移動反射層14。可移動反射層14可為導(dǎo)電的且稱作導(dǎo)電層。在一些實施方案中，可移動反射層14可包含如圖8D中所展示的多個子層14a、14b、14c。在一些實施方案中，所述子層中的一者或一者以上(例如子層14a、14c)可包含針對其光學(xué)性質(zhì)選擇的高度反射子層，且另一子層14b可包含針對其機(jī)械性質(zhì)選擇的機(jī)械子層。由于犧牲層25仍存在于在框88處形成的經(jīng)部分制作的干涉調(diào)制器中，因此可移動反射層14在此階段處通常不可移動。在本文中還可將含有犧牲層25的經(jīng)部分制作的MOD稱作“未釋放”頂0D。如上文結(jié)合圖1所描述，可將可移動反射層14圖案化成形成顯示器的列的個別且平行條帶。工藝80在框90處繼續(xù)形成腔(例如，如圖1、6及8E中所圖解說明的腔19)。可通過將犧牲材料25 (在框84處沉積)暴露于蝕刻劑來形成腔19。舉例來說，可通過干化學(xué)蝕刻(例如，通過將犧牲層25暴露于氣態(tài)或蒸氣蝕刻劑，例如衍生自固體XeF2的蒸氣)達(dá)有效地移除所要的材料量(通常相對于環(huán)繞腔19的結(jié)構(gòu)選擇性地移除)的時間周期來移除可蝕刻犧牲材料，例如Mo或非晶Si。還可使用其它蝕刻方法，例如，濕蝕刻及/或等離子蝕刻。由于在框90期間移除了犧牲層25，因此可移動反射層14在此階段之后通?？梢苿?。在移除犧牲層25之后，在本文中可將所得的經(jīng)完全或部分制作的MOD稱作“釋放” MOD。在一些實施方案中，干涉調(diào)制器可包含電介質(zhì)堆疊。所述電介質(zhì)堆疊可包含多個層，例如兩個、三個、四個或甚至更多個層。如下文將進(jìn)一步詳細(xì)描述，包含電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器可在可移動層14處于關(guān)閉狀態(tài)(接近襯底)中時致使光以相長方式干涉且在可移動層14處于打開狀態(tài)(遠(yuǎn)離襯底)時致使光以相消方式干涉。此外，控制電介質(zhì)堆疊中所述各層的厚度及折射率可增加顯示器的亮度、減小或消除對黑色掩模的需要、在保持反射比的同時增加紅色及綠色光譜的飽和度及/或減小制造多狀態(tài)干涉調(diào)制器的復(fù)雜性。圖9A展示用于制造包含電介質(zhì)堆疊的干涉堆疊的工藝的實例。工藝800包含可存在于用于制造(例如)圖10及12中所圖解說明的一般類型的干涉調(diào)制器的工藝中的框，連同圖9A中未展示的其它框?？扇缦挛母敿?xì)地描述來配置電介質(zhì)堆疊的特性，例如所述堆疊的電介質(zhì)層的厚度及折射率(例如，折射率特性)，使得所述干涉調(diào)制器在處于關(guān)閉狀態(tài)中時反射光。干涉調(diào)制器的特性(例如，干涉腔的深度)可經(jīng)配置使得干涉調(diào)制器在處于打開狀態(tài)中時大致不反射光。工藝800在其中提供襯底100的框805處開始。在一些實施方案中，襯底100可包含任一透明材料，舉例來說，玻璃或塑料。襯底100可能已經(jīng)受先前準(zhǔn)備框(例如，清潔)以促進(jìn)隨后所形成層的高效形成。工藝800在框810處繼續(xù)在襯底100上形成第一導(dǎo)電層105。在一些實施方案中，第一導(dǎo)電層105可直接沉積于襯底100上且在一些其它實施方案中，一個或一個以上額外層(舉例來說，一個或一個以上間隔件層)可安置于其之間。第一導(dǎo)電層105可為單層結(jié)構(gòu)或可包含如上文參考圖8A的光學(xué)堆疊所描述的子層。第一導(dǎo)電層105可為部分透明且部分反射的。在其中第一導(dǎo)電層105用作電極及鏡兩者的單層結(jié)構(gòu)中，通過在襯底100上沉積導(dǎo)電且光學(xué)反射材料來形成第一導(dǎo)電層105?？赏ㄟ^隨后圖案化及蝕刻將第一導(dǎo)電層105形成為若干電極。第一導(dǎo)電層105可為金屬或經(jīng)摻雜而具有所要導(dǎo)電性的半導(dǎo)體(例如，硅)。在一些實施方案中，第一導(dǎo)電層105為包含以下各項的多層結(jié)構(gòu):透明導(dǎo)體(例如，氧化銦錫或氧化鋅)及主鏡或部分反射層(例如，鉻、鑰、釩、鎢及/或這些金屬的合金)。可將第一導(dǎo)電層105圖案化成若干平行條帶且其可形成顯示裝置中的行電極。工藝800在框815處繼續(xù)在第一導(dǎo)電層105的至少一部分上方形成絕緣及/或氧化抑制層110。氧化抑制層110可包含例如氧化硅及/或氧化鋁的材料。氧化抑制層110用于將第一導(dǎo)電層105與干涉調(diào)制器中的導(dǎo)電可移動層(例如，可移動第二導(dǎo)電層130)絕緣。可通過已知沉積方法(例如，CVD)形成氧化抑制層110。在一些實施方案中，不單獨形成氧化抑制層110。舉例來說，形成于第一導(dǎo)電層105與第二導(dǎo)電層130之間的電介質(zhì)堆疊可包含氧化抑制層110。工藝800在框820處繼續(xù)形成電介質(zhì)堆疊125。電介質(zhì)堆疊125可形成于氧化抑制層Iio的至少一部分及/或第一導(dǎo)電層105的至少一部分上方或其上。如結(jié)合圖9B到12進(jìn)一步所描述，在一些實施方案中，電介質(zhì)堆疊125形成于稍后移除的犧牲層140的至少一部分上方，而在一些其它實施方案中，不形成于其上方。如圖10中所圖解說明，電介質(zhì)堆疊125可包含第一層127a及第二層127b。在一些實施方案中，電介質(zhì)堆疊125包含兩個以上層。因此，電介質(zhì)堆疊125可包含(舉例來說)三個或四個層。電介質(zhì)堆疊125的層127a、127b中的每一者可具有大致等于λ*((2η+1)/4)的光學(xué)路徑長度特性，其中λ為光的波長且η為任一整數(shù)。在一些實施方案中，η = O且層127a、127b中的每一者的光學(xué)路徑長度特性為λ/4。如本文中所用，“光學(xué)路徑長度”是指光流動穿過一層的路徑的幾何長度與根據(jù)光的波長測量的光傳播的材料的折射率的乘積。在一些實施方案中，第一層127a具有約等于第二層127b的光學(xué)路徑長度的光學(xué)路徑長度。在一些實施方案中，第一層127a及第二層127b的光學(xué)路徑長度各自在約(1/8)*λ與約(3/8)*λ之間，或更具體來說(例如)，在約(3/16)* λ與約(5/16)* λ之間。在一些實施方案中，第一層127a的物理厚度可介于從約20nm到約IOOnm的范圍內(nèi)且第二層127b的物理厚度可介于從約20nm到約IOOnm的范圍內(nèi)。λ可為可見光的波長及/或在約380nm與約740nm之間的波長。在一些實施方案中，電介質(zhì)堆疊125的層127a、127b中的每一者可具有與電介質(zhì)堆疊125的其它層相同或不同的厚度及/或光學(xué)路徑長度。在一些實施方案中，電介質(zhì)堆疊125的形成包含形成第一電介質(zhì)層127a及在第一電介質(zhì)層127a上方形成第二電介質(zhì)層127b。在一些實施方案中，第一電介質(zhì)層127a的折射率可大于第二電介質(zhì)層127b的折射率或在一些其它實施方案中反之亦然。舉例來說，第一電介質(zhì)層127a的折射率可大于或等于約2.0。第一電介質(zhì)層127a的消光系數(shù)特性可小于或等于約0.5。第二電介質(zhì)層127b的折射率可小于或等于約2.0。在一些實施方案中，第一電介質(zhì)層127a的折射率大于約2.1且第二電介質(zhì)層127b的折射率小于約1.6。舉例來說，第一電介質(zhì)層127a可包含:二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、碳化硅(SiC)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)、二氧化鉿(HfO2)、氮化鎵(GaN)或磷化銦(InP)及/或其任一組合。除其它電介質(zhì)材料以外，第二電介質(zhì)層127b還可包含(舉例來說)氟化鎂(MgF2)或二氧化硅(SiO2)。電介質(zhì)堆疊125可包含后續(xù)層，例如，第三及第四電介質(zhì)層。后續(xù)層可經(jīng)形成使得電介質(zhì)堆疊125內(nèi)各層的折射率在高折射率與低折射率之間交替。在一些實施方案中，第一及第三電介質(zhì)層可包含相同材料，而在一些其它實施方案中，其不包含相同材料。類似地，在一些實施方案中，第二及第四電介質(zhì)層可包含相同材料，而在一些其它實施方案中，其不包含相同材料。工藝800在框825處繼續(xù)在電介質(zhì)堆疊125上方形成第二導(dǎo)電層130，也稱為可移動導(dǎo)電層。在一些實施方案中，第二導(dǎo)電層130的至少部分形成于稍后移除的犧牲層140的至少部分上。在一些實施方案中，第二導(dǎo)電層130包含可移動層，例如，如圖1中所展示的干涉調(diào)制器的可移動層14。在一些實施方案中，由于在工藝800的此階段處存在犧牲層140，因此第二導(dǎo)電層130可尚且不可移動。第二導(dǎo)電層130可包含金屬(例如，鋁、鋁合金、銀或銀合金)。在框825中形成第二導(dǎo)電層130可包含一個或一個以上沉積框以及一個或一個以上圖案化或掩蔽框。工藝800在框830處繼續(xù)形成腔或氣隙115。如結(jié)合圖9B到12進(jìn)一步所描述，形成腔可包含移除(例如，通過蝕刻)犧牲層140。犧牲層140的移除可(舉例來說)通過暴露于蝕刻劑(例如，XeF2、F2或HF，單獨地或以組合形式)來完成。在一些實施方案中，在蝕刻工藝中移除大致所有犧牲層140。腔115可形成于氧化抑制層110與電介質(zhì)堆疊125之間。然而，在一些實施方案中，腔115可形成于電介質(zhì)堆疊125與第二導(dǎo)電層130之間。在一些實施方案中，電介質(zhì)堆疊125定位于腔115上方。圖9B展示用于制造包含電介質(zhì)堆疊的干涉堆疊的工藝的實例。工藝900包含已添加到9A所圖解說明的制造工藝800的額外框817及819。框805、810及815如結(jié)合圖9A所描述。工藝900接著在框817處繼續(xù)形成犧牲層140。犧牲層140可形成于氧化抑制層110上或其上方。犧牲層140可包含可通過XeF2蝕刻的材料，例如鑰或硅?？墒褂美鏑VD、濺鍍或旋涂等沉積方法來形成犧牲層140?？蓤D案化并蝕刻犧牲層140以(舉例來說)形成一個或一個以上支撐結(jié)構(gòu)孔口。支撐結(jié)構(gòu)孔口可延伸穿過犧牲層140。支撐結(jié)構(gòu)孔口可另外延伸穿過氧化抑制層110及/或第一導(dǎo)電層105。在框819處，將支撐結(jié)構(gòu)材料沉積到孔口中，從而形成支撐結(jié)構(gòu)120。支撐結(jié)構(gòu)120可包含不導(dǎo)電材料，例如二氧化硅或氧氮化硅。一個或一個以上支撐結(jié)構(gòu)120可支撐第二導(dǎo)電層130及/或電介質(zhì)堆疊125，借此形成氣隙或腔115。在一些實施方案中，在形成犧牲層140之前形成支撐結(jié)構(gòu)120?？?20、825及830大致如結(jié)合圖9A所描述。在框820處，電介質(zhì)堆疊125可形成于在框817中形成的犧牲層140上方或其上及/或支撐結(jié)構(gòu)120上方或其上。在框825處，可在電介質(zhì)堆疊125上方或其上及/或支撐結(jié)構(gòu)120上方或其上形成第二導(dǎo)電層130。在框830處，可通過移除在框817中形成的犧牲層140來形成腔115。圖9C展示用于制造包含電介質(zhì)堆疊的干涉堆疊的工藝的實例。工藝910在其中提供襯底的框805處開始。工藝910在框911處繼續(xù)在所述襯底上形成部分反射且部分透射層。所述部分反射且部分透射層可為類似于上文所描述的第一導(dǎo)電層105的單層結(jié)構(gòu)或多子層結(jié)構(gòu)。工藝910在框912處繼續(xù)在所述部分透明且部分反射層上形成犧牲層。所述犧牲層可類似于上文參考圖10所描述的犧牲層140。如框914中所展示，工藝910還可包含在犧牲層上形成第一電介質(zhì)層。所述第一電介質(zhì)層可具有第一厚度及第一折射率特性。工藝910在框916處繼續(xù)在所述第一電介質(zhì)層上形成第二電介質(zhì)層。所述第二電介質(zhì)層可具有第二厚度及第二折射率特性。此外，第二電介質(zhì)層可經(jīng)形成使得第一電介質(zhì)層的穿過第一厚度的光學(xué)路徑長路與第二電介質(zhì)層的穿過第二厚度的光學(xué)路徑長度約相同。如本文中所用，“約相同”可指代在給定光學(xué)路徑長度的80%與120%之間的光學(xué)路徑長度，舉例來說，如果兩個光學(xué)路徑長度各自在給定光學(xué)路徑長度的90%與110%之間，那么所述兩個光學(xué)路徑長度可約相同。此外，第二電介質(zhì)層可經(jīng)形成使得第一折射率特性大于第二折射率特性。所述第一與第二電介質(zhì)層可共同形成類似于參考圖10所論述的電介質(zhì)堆疊125的電介質(zhì)堆疊。如框918中所展示，工藝910還可包含在第二電介質(zhì)層上形成反射層。在一些實施方案中，反射層可類似于參考圖10所論述的第二導(dǎo)電層130。工藝910繼續(xù)移除犧牲層，如框920中所展示。舉例來說，可通過暴露于蝕刻劑(例如，XeF2、F2*HF，單獨地或以組合方式)來移除所述犧牲層。圖9D展示用于制造包含電介質(zhì)堆疊的干涉堆疊的工藝的實例?？?05、911、918及920大致如圖9C中所描述。在框932處，可在部分透明且部分反射層上形成氧化抑制層。所述氧化抑制層可包含例如氧化硅及/或氧化鋁的材料。如框934中所展示，工藝910可包含在氧化抑制層上形成犧牲層。所述犧牲層可類似于上文參考圖10所描述的犧牲層140。所述工藝在框936處繼續(xù)在所述犧牲層上形成第一電介質(zhì)層。所述第一電介質(zhì)層可具有大于2.1的折射率特性。如框938所展示，工藝910還可包含在所述第一電介質(zhì)層上形成第二電介質(zhì)層。第二電介質(zhì)層可具有小于1.6的折射率特性。第一與第二電介質(zhì)層可共同形成類似于參考圖10所論述的電介質(zhì)堆疊125的電介質(zhì)堆疊。圖10展示包含電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器的實例。如圖10中所展示，腔115可形成于電介質(zhì)堆疊125與氧化抑制層110之間或電介質(zhì)堆疊125與第一導(dǎo)電層105之間。光學(xué)共振腔117可界定于第二導(dǎo)電層130與第一導(dǎo)電層105之間且可包含(例如)腔115及電介質(zhì)堆疊125中的空氣的光學(xué)共振材料。因此，圖10的實例性干涉調(diào)制器包含光學(xué)共振腔117及安置于光學(xué)共振腔117中的氣隙。在一些實施方案中，光學(xué)共振腔117可界定于第二導(dǎo)電層130與第一導(dǎo)電層105之間。在一些其它實施方案中，光學(xué)共振腔117可界定于第二導(dǎo)電層130與絕緣及/或氧化抑制層110之間。在一些實施方案中，電介質(zhì)堆疊125定位于腔115下面。圖11展示用于制造包含電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器的工藝的實例。工藝1100包含已添加到9A的制造工藝800的額外框817及819?？?05、810、815及820如結(jié)合圖9A所描述。在框820處，在氧化抑制層上或其上方形成及/或在第一導(dǎo)電層105上或其上方形成電介質(zhì)堆疊125。工藝900接著在框817處繼續(xù)形成犧牲層140。犧牲層140可形成于電介質(zhì)堆疊125上或其上方。犧牲層140可包含可通過XeF2蝕刻的材料，例如，鑰。可使用例如CVD、濺鍍或旋涂等沉積方法來形成犧牲層140?？蓤D案化并蝕刻犧牲層140以(舉例來說)形成一個或一個以上支撐結(jié)構(gòu)孔口。支撐結(jié)構(gòu)孔口可延伸穿過犧牲層140。支撐結(jié)構(gòu)孔口可另外延伸穿過電介質(zhì)堆疊125、氧化抑制層110及/或第一導(dǎo)電層105。在框819處，將支撐結(jié)構(gòu)材料沉積到所述孔口中，從而形成支撐結(jié)構(gòu)120。支撐結(jié)構(gòu)120可包含不導(dǎo)電材料。一個或一個以上支撐結(jié)構(gòu)120可支撐第二導(dǎo)電層130，借此形成間隙或腔120?？?25及830大致如結(jié)合圖9A所描述。在框825處，可在犧牲層140上方或其上及/或支撐結(jié)構(gòu)120上方或其上形成第二導(dǎo)電層130。在框830處，可通過移除在框817中形成的犧牲層140來形成腔115。圖12展示包含電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器的實例。圖12中所展示的實施方案是圖10中所展示的實施方案的替代方案且包含安置于氧化抑制層110上的電介質(zhì)堆疊125，其中氣隙115界定于電介質(zhì)堆疊130與第二導(dǎo)電層130之間。如下文參考圖13C所論述，此配置可在第二導(dǎo)電層130處于關(guān)閉狀態(tài)中時使得光能夠以相長方式干涉。在圖12中所展示的實施方案中，腔115可包含在電介質(zhì)堆疊與導(dǎo)電層130之間測量的厚度。在一些實施方案中，腔115的厚度在約Onm與約IOOOnm之間。光學(xué)路徑長度及折射率可確定在干涉調(diào)制器處于一個或一個以上狀態(tài)中時光將以相長方式還是以相消方式干涉。圖13A到13C展示在干涉調(diào)制器的各層的界面處反射的光的反射圖的實例。如下文所描述，在這些實例中，在關(guān)閉狀態(tài)期間發(fā)生的相長干涉致使裝置反射光。同時，在打開狀態(tài)期間發(fā)生的相消干涉可致使裝置大致不反射光。在圖13A到13C的圖解說明中，第一電介質(zhì)層127a的折射率大于氧化抑制層110、腔115中的介質(zhì)及第二電介質(zhì)層127b的折射率，且第二電介質(zhì)層127b的折射率小于第二導(dǎo)電層130的折射率且大于腔115中的介質(zhì)的折射率。第一及第二電介質(zhì)層的光學(xué)路徑長度等于大約λ * ((2n+l) /4)，且所述腔的厚度可如下文所描述適當(dāng)?shù)嘏渲?。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解，在其中所述層的折射率之間的關(guān)系并非如上文所描述的實例中，可基于下文所描述的光學(xué)性質(zhì)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整所述層的厚度及/或光學(xué)路徑長度以產(chǎn)生所要干涉。圖13Α展示在干涉調(diào)制器處于關(guān)閉狀態(tài)中時在所述調(diào)制器的各層的界面處反射的光的反射圖的實例。在此狀態(tài)中，第二導(dǎo)電層130比在打開狀態(tài)中更靠近于襯底而定位。在圖13Α中，第二導(dǎo)電層130定位于第二電介質(zhì)層127b上,第二電介質(zhì)層127b定位于第一電介質(zhì)層127a上，第一電介質(zhì)層127a接近絕緣及/或氧化抑制層110而定位或定位于絕緣及/或氧化抑制層110上。出于說明性目的，以一角度描繪入射光波300及反射光波305、310及315以對所述波中的每一者進(jìn)行區(qū)分。當(dāng)入射光波300從氧化抑制層110行進(jìn)到第一電介質(zhì)層127a的表面時，入射光波300的一部分被反射為光波305，而其余部分在其進(jìn)入第一電介質(zhì)層127a時被折射為光波300a。由于第一電介質(zhì)層127a的折射率大于氧化抑制層110的折射率，因此反射光波305經(jīng)歷180°相變。透射光波300a在界面處不經(jīng)歷相變。然而，由于第一電介質(zhì)層的厚度可為大約λ*((2η+1)/4)，因此，在行進(jìn)穿過所述層時相位改變45°。在第一電介質(zhì)層127a與第二電介質(zhì)層127b之間的界面處，光波300a的一部分被反射為反射光波310，而其余部分在其進(jìn)入第二電介質(zhì)層127b時被折射為光波300b。由于第二電介質(zhì)層127b的折射率小于第一電介質(zhì)層127a的折射率，因此反射光波310在電介質(zhì)層127a與127b之間的界面處不存在相變。然而，光再次行進(jìn)穿過第一電介質(zhì)層127a，因此發(fā)生另一 45°相變。當(dāng)反射光波310遇到具有低于第一電介質(zhì)層的折射率的氧化抑制層110時，發(fā)生90°相變。透射光波300b在電介質(zhì)層127a與127b之間的界面處類似地經(jīng)歷90°相變，因為第二電介質(zhì)層127b具有低于第一電介質(zhì)層的折射率。同樣，由于第一電介質(zhì)層的厚度為大約λ*((2η+1)/4)，因此在行進(jìn)穿過第二電介質(zhì)層127b時相位改變45°。在第二電介質(zhì)層127b與第二導(dǎo)電層130之間的界面處，反射光波315經(jīng)歷180°相變，因為第二電介質(zhì)層127b的折射率小于第二導(dǎo)電層130的折射率。當(dāng)反射光波315行進(jìn)穿過電介質(zhì)層127a及127b兩者時，由于所述層的厚度，發(fā)生另一 90°相變。當(dāng)波315透射穿過第一電介質(zhì)層127a與氧化抑制層110之間的界面時，發(fā)生又一 90°相變，如上文針對光波310所解釋。因此，(在不包含由于行進(jìn)穿過電介質(zhì)層下面的層所致的相變的情況下)反射光波305經(jīng)歷總共180°的相變，反射光波310經(jīng)歷180°的相變且反射光波315經(jīng)歷520°的相變(其等效于180°的相變)。因此，所有反射光波305、310及315可以相長方式干涉。在一些實施方案中，當(dāng)干涉調(diào)制器處于關(guān)閉狀態(tài)中時，調(diào)制器顯現(xiàn)為暗或黑的。使用相同光學(xué)原理，圖13B展示將發(fā)生于當(dāng)圖10的干涉調(diào)制器處于打開配置中時存在的界面處的相變的實例。反射光波335、340、345及350的總相變(同樣不包含由于行進(jìn)穿過腔115下面的層所致的那些相變)等于0°、2X+270。、2X+270。、2X+270。。相變X將取決于腔115的厚度。因此，通過恰當(dāng)?shù)嘏渲们?15的厚度，反射光波340、345及350可以相消方式干涉反射光波335。在一些實施方案中，腔115的厚度等于約150nm且干涉調(diào)制器反射大體白色色彩。在一些其它實施方案中，腔115的厚度大于約150nm且干涉調(diào)制器反射具有不同于白色的色彩的光，舉例來說，紅色、綠色、藍(lán)色或黃色。圖13C展示將發(fā)生于當(dāng)圖12的干涉調(diào)制器處于打開配置中時存在的界面處的相變的實例。反射光波365、370、375及380的總相變(同樣不包含由于行進(jìn)穿過電介質(zhì)層127a及127b下面的層所致的那些相變)等于180°、2X+180°、2X+360。、2X+180°。因此，通過恰當(dāng)?shù)嘏渲们?15的厚度，光波365、370、375及380可彼此以相消方式干涉。電介質(zhì)堆疊125的各層的折射率可在高折射率與低折射率之間交替。電介質(zhì)堆疊125的底部層可具有高折射率。此配置可在干涉調(diào)制器處于關(guān)閉狀態(tài)(如圖13A中所展示)中時使得光能夠繼續(xù)以相長方式干涉。在一些實施方案中，多狀態(tài)干涉調(diào)制器可經(jīng)配置使得第二導(dǎo)電層130可在三個或更多個狀態(tài)之間移動。電介質(zhì)堆疊125可在關(guān)閉狀態(tài)期間使得第一波長的光能夠被反射。可以其它狀態(tài)中的一者來配置兩個導(dǎo)電層之間的腔115的厚度，使得在打開狀態(tài)中的一者中反射第二波長的光。所描述的多狀態(tài)干涉調(diào)制器可比取決于第一導(dǎo)電層105與氧化抑制層110之間的薄氧化物膜(< 5nm)的其它干涉調(diào)制器容易制作。這些其它干涉調(diào)制器可難以制作是因為例如XeF2等蝕刻劑可通過薄氧化物膜中的針孔來蝕刻氧化抑制層110且所述薄氧化物膜可導(dǎo)致改變氧化抑制層110或電介質(zhì)擊穿。在第二導(dǎo)電層130下面存在電介質(zhì)堆疊125可增加關(guān)閉狀態(tài)期間第二導(dǎo)電層130的反射比且導(dǎo)致與層130相關(guān)聯(lián)的O度相變而非180度相變。因此，關(guān)閉狀態(tài)可與黑色色彩而非白色(或彩色)色彩相關(guān)聯(lián)。SM實例I使用計算機(jī)模擬來計算與一層相關(guān)聯(lián)的反射比。針對分別由(I)僅鋁(光譜405)、(2)電介質(zhì)堆疊(光譜410)及(3)在鋁上的電介質(zhì)堆疊(光譜415)構(gòu)成的層，計算反射比。在這些計算中，電介質(zhì)堆疊包含交替的折射率的若干層。所述層的厚度等于約λ*((2η+1)/4)，其中λ為550nm。圖14展示鋁層、電介質(zhì)增強(qiáng)鋁層及電介質(zhì)層的反射光譜的實例。所述實例包含針對每一層的反射光譜405、410及415。鋁層的特征在于跨越大多數(shù)特征化波長的適度高的反射比。電介質(zhì)堆疊與比鋁層高的反射比相關(guān)聯(lián)，但僅針對一子組波長。對于其余波長，反射比大致低于鋁層的反射比。電介質(zhì)增強(qiáng)鋁跨越大多數(shù)波長提供高于鋁層的反射比。
實例2使用計算機(jī)模擬，針對暗(打開)及亮(關(guān)閉)狀態(tài)兩者計算干涉調(diào)制器的反射t匕。在第一實例中，針對具有定位于第二導(dǎo)電層下面的電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器計算反射t匕。所述電介質(zhì)堆疊包含交替的折射率的若干層。所述層的厚度等于約λ*((2η+1)/4)，其中λ為550nm。圖15A展示干涉調(diào)制器處于暗及亮狀態(tài)中的反射光譜的實例。所述實例包含當(dāng)干涉調(diào)制器處于暗狀態(tài)中時隨波長而變的反射比501及當(dāng)所述干涉調(diào)制器處于亮狀態(tài)中時隨波長而變的反射比503。圖15B展示干涉調(diào)制器處于暗及亮狀態(tài)中的反射光譜的實例。所述實例包含干涉調(diào)制器的暗狀態(tài)501及亮狀態(tài)503的反射比，所述干涉調(diào)制器具有在作為第二導(dǎo)電電極的吸收體上具有電介質(zhì)的像素，其中電介質(zhì)堆疊不耦合到鏡。將圖15A與15B進(jìn)行比較，對于約550nm的波長在暗狀態(tài)期間的反射比針對(圖15A的)電介質(zhì)增強(qiáng)鏡比針對(圖15B的)在吸收體上具有電介質(zhì)的像素低。對于約λ的波長在亮狀態(tài)期間的反射比針對電介質(zhì)增強(qiáng)鏡比針對在吸收體上具有電介質(zhì)的像素高。因此，與在吸收體上具有電介質(zhì)的像素相比，電介質(zhì)增強(qiáng)鏡可提供增加的對比度。實例3使用計算機(jī)模擬，針對像素的白色、黑色、黃色、紅色、綠色及藍(lán)色狀態(tài)計算RGBY干涉調(diào)制器像素的反射比。所述像素包含四個干涉調(diào)制器，所述干涉調(diào)制器中的每一者經(jīng)配置以在關(guān)閉或打開狀態(tài)中反射黃色、紅色、綠色或藍(lán)色光。在第一實例(例如，圖16Α)中，干涉調(diào)制器包含定位于第二導(dǎo)電層下面的電介質(zhì)堆疊。所述電介質(zhì)堆疊包含交替的折射率的若干層。所述層的厚度等于約λ*((2η+1)/4)，其中λ為與黃色光、紅色光、綠色光或藍(lán)色光相關(guān)聯(lián)的波長。在第二實例(圖16Β)中，干涉調(diào)制器不包含定位于第二導(dǎo)電層下面的電介質(zhì)堆疊但在其它方面與第一實例相同。圖16Α及16Β展示包含干涉調(diào)制器的像素的反射光譜的實例。圖16Α及16Β中的實例展示當(dāng)僅黃色干涉調(diào)制器處于亮狀態(tài)中時與所述像素相關(guān)聯(lián)的組合光譜605。類似地，圖16Α及16Β中的實例展示當(dāng)紅色、綠色或藍(lán)色干涉調(diào)制器中的每一者處于亮狀態(tài)中時與所述像素相關(guān)聯(lián)的組合光譜610、615或620。黃色、紅色、綠色及藍(lán)色干涉調(diào)制器在調(diào)制器的腔的深度上不同，但在其它方面相同。當(dāng)調(diào)制器均不處于亮狀態(tài)中時，產(chǎn)生黑色光譜625且當(dāng)所有調(diào)制器均處于亮狀態(tài)中時，產(chǎn)生白色光譜630。白色光譜630針對電介質(zhì)堆疊定位于第二導(dǎo)電層下面的第一實例(圖16Α)比針對第二實例(圖16Β)亮。在兩個實例中，色域基本上相同。圖17Α及17Β展示經(jīng)配置以在暗及亮狀態(tài)中反射紅色、綠色或藍(lán)色光的干涉調(diào)制器的反射光譜的實例。所述實例包含與經(jīng)配置以在干涉調(diào)制器處于亮狀態(tài)中時反射紅色、綠色或藍(lán)色光的個別干涉調(diào)制器相關(guān)聯(lián)的光譜705、710或715。當(dāng)干涉調(diào)制器處于暗狀態(tài)中時產(chǎn)生黑色光譜720。在圖17Α中所展示的第一實例中，干涉調(diào)制器包含定位于第二導(dǎo)電層下面的電介質(zhì)堆疊，如上文所描述。在圖17Β中所展示的第二實例中，干涉調(diào)制器不包含經(jīng)耦合電介質(zhì)堆疊。分別與紅色、綠色及藍(lán)色光反射比相關(guān)聯(lián)的光譜705、710及715在具有經(jīng)耦合電介質(zhì)堆疊的第一實例中比在第二實例中亮。在第一實例中，當(dāng)腔的深度較小(< 20nm)時，干涉調(diào)制器在亮狀態(tài)期間產(chǎn)生黃色-白色反射比730。第一實例中的黃色-白色反射比730比第二實例中寬。通過調(diào)整電介質(zhì)堆疊內(nèi)的電介質(zhì)層的厚度，可以黃色-白色亮度為代價增加紅色亮度及飽和度。
圖18A及18B展示當(dāng)光學(xué)共振腔的厚度變化時干涉調(diào)制器的反射光譜的實例。圖18A及18B中的實例展示包含經(jīng)耦合電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器的光譜805a (圖18A)及不具有經(jīng)耦合電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器的光譜805b (圖18B)。所述光譜在標(biāo)準(zhǔn)RGB色彩空間光譜810內(nèi)。D65指示符展示標(biāo)準(zhǔn)日光照明點。干涉調(diào)制器的兩個導(dǎo)電層之間的氣隙在Onm與500nm之間逐漸變化。在第一實例中，當(dāng)所述氣隙等于Onm時，干涉調(diào)制器反射白色光。隨著所述氣隙增加，反射光變得越來越暗直到不反射光為止。隨著所述氣隙進(jìn)一步增加，反射彩色光，使得隨著氣隙增加反射藍(lán)色光、綠色光、黃色光、紅色光、紫色光且接著藍(lán)色光。由裝置反射的色彩在氣隙的進(jìn)一步增加后即刻循環(huán)變化，直到最終僅反射白色光為止。然而，在第二實例中，當(dāng)氣隙等于O時，干涉調(diào)制器不反射光。隨著所述氣隙變寬，所述干涉調(diào)制器反射彩色光，使得使氣隙增加會按藍(lán)色、綠色、黃色、紅色、紫色且接著藍(lán)色的次序產(chǎn)生色彩。同樣，由裝置反射的色彩則在氣隙的進(jìn)一步增加后即刻循環(huán)變化，直到最終僅反射白色光為止。由具有經(jīng)耦合電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器反射的光比由不具有經(jīng)耦合電介質(zhì)堆疊的干涉調(diào)制器反射的光亮。圖19A及19B展示圖解說明包含多個干涉調(diào)制器的顯示裝置40的系統(tǒng)框圖的實例。舉例來說，顯示裝置40可為蜂窩式或移動電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其輕微變化形式也為對各種類型的顯示裝置的說明，例如，電視、電子閱讀器及便攜式媒體播放器。顯示裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48及麥克風(fēng)46。外殼41可由多種制造工藝中的任一者形成,包含注射模制及真空形成。另外,夕卜殼41可由多種材料中的任一者制成，包含(但不限于):塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合。外殼41可包含可裝卸部分(未展示)，其可與其它不同色彩或含有不同標(biāo)識、圖片或符號的可裝卸部分互換。顯示器30可為多種顯示器中的任一者，包含本文中所描述的雙穩(wěn)態(tài)或模擬顯示器。顯示器30還可經(jīng)配置以包含平板顯示器(例如等離子顯示器、EL、OLED, STN IXD或TFT LCD)或非平板顯示器(例如CRT或其它管式裝置)。另外，顯示器30可包含干涉調(diào)制器顯示器，如本文中所描述。在圖19B中示意性地圖解說明顯示裝置40的組件。顯示裝置40包含外殼41，且可包含至少部分地包封于其中的額外組件。舉例來說，顯示裝置40包含網(wǎng)絡(luò)接口 27，網(wǎng)絡(luò)接口 27包含耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以對信號進(jìn)行調(diào)節(jié)(例如，對信號進(jìn)行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚聲器45及麥克風(fēng)46。處理器21還連接到輸入裝置48及驅(qū)動器控制器29。驅(qū)動器控制器29耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動器22，陣列驅(qū)動器22又耦合到顯示陣列30。電源50可按特定顯示裝置40設(shè)計的需要而向所有組件提供電力。網(wǎng)絡(luò)接口 27包含天線43及收發(fā)器47，使得顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一個或一個以上裝置通信。網(wǎng)絡(luò)接口 27還可具有一些處理能力以減輕(例如)處理器21的數(shù)據(jù)處理要求。天線43可發(fā)射及接收信號。在一些實施方案中，天線43根據(jù)包含IEEE16.11(a)、(b)或(g)的IEEE16.11標(biāo)準(zhǔn)或包含IEEE802.11a、b、g或η的ΙΕΕΕ802.11標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射及接收RF信號。在一些其它實施方案中，天線43根據(jù)藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射及接收RF信號。在蜂窩式電話的情況中，天線43經(jīng)設(shè)計以接收碼分多址(CDMA)、頻分多址(FDMA)、時分多址(TDMA)、全球移動通信系統(tǒng)(GSM) ,GSM/通用包無線電服務(wù)(GPRS)、增強(qiáng)型數(shù)據(jù)GSM環(huán)境(EDGE)、地面中繼無線電(TETRA)、寬帶CDMA (W-CDMA)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)、I X EV-DO, EV-DO修訂版A、EV-DO修訂版B、高速包接入(HSPA)、高速下行鏈路包接入(HSDPA)、高速上行鏈路包接入(HSUPA)、演進(jìn)高速包接入(HSPA+)、長期演進(jìn)(LTE)、AMPS或用于在無線網(wǎng)絡(luò)內(nèi)(例如利用3G或4G技術(shù)的系統(tǒng))通信的其它已知信號。收發(fā)器47可預(yù)處理從天線43接收的信號使得其可由處理器21接收及進(jìn)一步操縱。收發(fā)器47還可處理從處理器21接收的信號使得其可經(jīng)由天線43從顯示裝置40發(fā)射。在一些實施方案中，可由接收器來替換收發(fā)器47。另外，可由圖像源來替換網(wǎng)絡(luò)接口 27，所述圖像源可存儲或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)。處理器21可控制顯示裝置40的總體操作。處理器21從網(wǎng)絡(luò)接口 27或圖像源接收數(shù)據(jù)(例如經(jīng)壓縮圖像數(shù)據(jù))，且將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成容易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21可將經(jīng)處理數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲。原始數(shù)據(jù)通常指代識別圖像內(nèi)的每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，此些圖像特性可包含色彩、飽和度及灰度級。處理器21可包含用以控制顯示裝置40的操作的微控制器、CPU或邏輯單元。調(diào)節(jié)硬件52通常包含用于向揚聲器45發(fā)射信號及從麥克風(fēng)46接收信號的放大器及濾波器。調(diào)節(jié)硬件52可為顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入于處理器21或其它組件內(nèi)。驅(qū)動器控制器29可直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，且可適當(dāng)?shù)貙⒃紙D像數(shù)據(jù)重新格式化以供高速發(fā)射到陣列驅(qū)動器22。在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化成具有光柵狀格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適合于跨越顯示陣列30進(jìn)行掃描的時間次序。接著，驅(qū)動器控制器29將經(jīng)格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動器22。雖然驅(qū)動器控制器29 (例如LCD控制器)通常作為獨立的集成電路(IC)與系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián)，但可以許多方式實施此些控制器。舉例來說，可將控制器作為硬件嵌入于處理器21中、作為軟件嵌入于處理器21中或與陣列驅(qū)動器22完全集成在硬件中。陣列驅(qū)動器22可從驅(qū)動器控制器29接收經(jīng)格式化的信息且可將視頻數(shù)據(jù)重新格式化成一組平行波形，所述組平行波形每秒許多次地施加到來自顯示器的χ-y像素矩陣的數(shù)百條且有時數(shù)千條(或更多)引線。在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29、陣列驅(qū)動器22及顯示陣列30適于本文中所描述的顯示器類型中的任一者。舉例來說，驅(qū)動器控制器29可為常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，IMOD控制器)。另外，陣列驅(qū)動器22可為常規(guī)驅(qū)動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動器(例如，IMOD顯示器驅(qū)動器)。此外，顯示陣列30可為常規(guī)顯示陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示陣列(例如，包含IMOD陣列的顯示器)。在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29可與陣列驅(qū)動器22集成在一起。此實施方案在高度集成系統(tǒng)(例如蜂窩式電話、手表及其它小面積顯示器)中為常見的。在一些實施方案中，輸入裝置48可經(jīng)配置以允許(例如)用戶控制顯示裝置40的操作。輸入裝置48可包含小鍵盤(例如QWERTY鍵盤或電話小鍵盤)、按鈕、開關(guān)、搖桿、觸敏屏或者壓敏或熱敏膜。麥克風(fēng)46可配置為顯示裝置40的輸入裝置。在一些實施方案中，可使用通過麥克風(fēng)46所做的話音命令來控制顯示裝置40的操作。
電源50可包含如此項技術(shù)中眾所周知的多種能量存儲裝置。舉例來說，電源50可為可再充電電池，例如鎳-鎘電池或鋰離子電池。電源50還可為可再生能源、電容器或太陽能電池，包含塑料太陽能電池或太陽能電池涂料。電源50還可經(jīng)配置以從壁式插座接收電力。在一些實施方案中，控制可編程性駐存于驅(qū)動器控制器29中，驅(qū)動器控制器29可位于電子顯示系統(tǒng)中的數(shù)個位置中。在一些其它實施方案中，控制可編程性駐存于陣列驅(qū)動器22中。上文所描述的優(yōu)化可以任何數(shù)目個硬件及/或軟件組件且以各種配置實施?？蓪⒔Y(jié)合本文中所揭示的實施方案描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路及算法步驟實施為電子硬件、計算機(jī)軟件或兩者的組合。已就功能性大體描述且在上文所描述的各種說明性組件、框、模塊、電路及步驟中圖解說明了硬件與軟件的可互換性。此功能性是以硬件還是軟件實施取決于特定應(yīng)用及對總體系統(tǒng)強(qiáng)加的設(shè)計約束。可借助通用單芯片或多芯片處理器、數(shù)字信號處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、離散硬件組件或經(jīng)設(shè)計以執(zhí)行本文中所描述的功能的其任一組合來實施或執(zhí)行用于實施結(jié)合本文中所揭示的方面所描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊及電路的硬件及數(shù)據(jù)處理設(shè)備。通用處理器可為微處理器或任何常規(guī)處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。還可將處理器實施為計算裝置的組合，例如DSP與微處理器的組合、多個微處理器、一個或一個以上微處理器與DSP核心的聯(lián)合或任何其它此種配置。在一些實施方案中，可通過給定功能特有的電路來執(zhí)行特定步驟及方法。在一個或一個以上方面中，可以硬件、數(shù)字電子電路、計算機(jī)軟件、固件、包含本說明書中所揭示的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)等效物或其任一組合來實施所描述的功能。還可將本說明書中所描述的標(biāo)的物的實施方案實施為一個或一個以上計算機(jī)程序，即，編碼于計算機(jī)存儲媒體上以供數(shù)據(jù)處理設(shè)備執(zhí)行或用以控制數(shù)據(jù)處理設(shè)備的操作的一個或一個以上計算機(jī)程序指令模塊。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可容易明了對本發(fā)明中所描述的實施方案的各種修改形式，且可將本文中所界定的一般原理應(yīng)用于其它實施方案而不背離本發(fā)明的精神或范圍。因此，權(quán)利要求書并不打算限于本文中所展示的實施方案，而被賦予與本發(fā)明、本文中所揭示的原理及新穎特征相一致的最寬廣范圍。詞語“示范性”在本文中專用于意指“充當(dāng)實例、例子或圖解”。在本文中描述為“示范性”的任何實施方案未必解釋為比其它實施方案優(yōu)選或有利。另外，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易了解，為便于描述各圖有時使用術(shù)語“上部”及“下部”，且其指示對應(yīng)于所述圖在適當(dāng)定向的頁面上的定向的相對位置，且可不反映所實施的IMOD的適當(dāng)定向。還可將在本說明書中在單獨實施方案的背景中描述的某些特征以組合形式實施于單個實施方案中。相反地，還可將在單個實施方案的背景中描述的各種特征單獨地或以任一適合子組合的形式實施于多個實施方案中。此外，雖然上文可將特征描述為以某些組合的形式起作用且甚至最初如此主張，但在一些情況中，可從所主張的組合去除來自所述組合的一個或一個以上特征，且所主張的組合可針對子組合或子組合的變化形式。類似地，盡管在圖式中以特定次序來描繪操作，但并不應(yīng)將此理解為需要以所展示的特定次序或以順序次序來執(zhí)行此些操作或執(zhí)行所有所圖解說明的操作來實現(xiàn)所要結(jié)果。此外，所述圖式可以流程圖的形式示意性地描繪一個以上實例性工藝。然而，可將其它并未描繪的操作并入于示意性地圖解說明的實例性工藝中。舉例來說，可在所圖解說明的操作中的任一者之前、之后、同時或之間執(zhí)行一個或一個以上額外操作。在某些情形中，多任務(wù)化及并行處理可為有利的。此外，不應(yīng)將上文所描述的實施方案中的各種系統(tǒng)組件的分離理解為在所有實施方案中均需要此分離，且應(yīng)理解，一般來說，可將所描述的程序組件及系統(tǒng)一起集成于單個軟件產(chǎn)品中或封裝成多個軟件產(chǎn)品。另外，其它實施方案在以上權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。在一些情況中，可以不同次序執(zhí)行權(quán)利要求書中所敘述的動作且其仍實現(xiàn)所要的結(jié)果。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其包括: 部分透明且部分反射層； 第一電介質(zhì)層，其具有第一厚度及第一折射率特性； 第二電介質(zhì)層，其具有第二厚度及第二折射率特性，其中所述第一電介質(zhì)層的穿過所述第一厚度的光學(xué)路徑長度與所述第二電介質(zhì)層的穿過所述第二厚度的光學(xué)路徑長度約相同，且其中所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性； 反射層，其中所述第二電介質(zhì)層安置于所述反射層與所述第一電介質(zhì)層之間；及 光學(xué)共振腔，其界定于所述部分透明且部分反射層與所述反射層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一折射率特性大于2.1。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述第一電介質(zhì)層具有小于0.5的消光系數(shù)特性。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述第一電介質(zhì)層包含二氧化鋯、二氧化鈦、磷化鎵、硅、氮化鎵、磷化銦及氧化鉿中的至少一者。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二折射率特性小于1.6。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述第二電介質(zhì)層包含氟化鎂及二氧化硅中的至少一者。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一厚度在約20nm與約IOOnm之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二厚度在約20nm與約IOOnm之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的裝置，其中所述第一電介質(zhì)層的穿過所述第一厚度的所述光學(xué)路徑長度在(1/8)* λ與(3/8)* λ之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其進(jìn)一步包括界定于所述部分透明且部分反射層與所述第一電介質(zhì)層之間的氣隙。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其進(jìn)一步包括: 顯示器； 處理器，其經(jīng)配置以與所述顯示器通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；及 存儲器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其進(jìn)一步包括: 驅(qū)動電路，其經(jīng)配置以將至少一個信號發(fā)送到所述顯示器；及 控制器，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動器電路。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其進(jìn)一步包括經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動器電路的控制器。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其進(jìn)一步包括經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器的圖像源模塊。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述圖像源模塊包含接收器、收發(fā)器及發(fā)射器中的至少一者。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其進(jìn)一步包括經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)且將所述輸入數(shù)據(jù)傳遞到所述處理器的輸入裝置。
17.一種顯示裝置，其包括: 用于部分反射且部分透射光的裝置； 第一電介質(zhì)層，其具有第一厚度及第一折射率特性；第二電介質(zhì)層，其具有第二厚度及第二折射率特性，其中所述第一電介質(zhì)層的穿過所述第一厚度的光學(xué)路徑長度與所述第二電介質(zhì)層的穿過所述第二厚度的光學(xué)路徑長度約相同，其中所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性，且其中所述第一電介質(zhì)層安置于所述部分反射且部分透射裝置與所述第二電介質(zhì)層之間； 用于反射光的裝置，其中所述第二電介質(zhì)層安置于所述反射裝置與所述第一電介質(zhì)層之間；及 光學(xué)共振腔，其界定于所述部分反射且部分透射裝置與所述反射裝置之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述第一折射率特性大于2.1。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述第二折射率特性小于1.6。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述第一電介質(zhì)層的穿過所述第一厚度的所述光學(xué)路徑長度在(1/8)* λ與(3/8)* λ之間。
21.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括: 提供襯底； 在所述襯底上形成部分反射且部分透射層； 在所述部分透明且部分反射層上形成犧牲層； 在所述犧牲層上形成第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層具有第一厚度及第一折射率特性； 在所述第一電介質(zhì)層上形成第二電介質(zhì)層，所述第二電介質(zhì)層具有第二厚度及第二折射率特性，其中所述第一電介質(zhì)層的穿過所述第一厚度的光學(xué)路徑長度與所述第二電介質(zhì)層的穿過所述第二厚度的光學(xué)路徑長度約相同，其中所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性； 在所述第二電介質(zhì)層上形成反射層；及 移除所述犧牲層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一折射率特性大于2.1。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二折射率特性小于1.6。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一電介質(zhì)層的穿過所述第一厚度的所述光學(xué)路徑長度在(1/8)* λ與(3/8)* λ之間。
25.—種顯示裝置，其包括: 部分透明且部分反射層； 第一電介質(zhì)層，其具有第一折射率特性； 第二電介質(zhì)層，其具有第二折射率特性，其中所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性； 反射層，其中所述第二電介質(zhì)層安置于所述反射層與所述第一電介質(zhì)層之間；及 光學(xué)共振腔，其界定于所述部分透明且部分反射層與所述反射層之間， 其中所述反射層、第一電介質(zhì)層及第二電介質(zhì)層經(jīng)配置以相對于所述部分透明且部分反射層在至少第一狀態(tài)、第二狀態(tài)與第三狀態(tài)之間一起移動，其中所述第一狀態(tài)比所述第三狀態(tài)靠近于所述部分透明且部分反射層，且其中所述第二狀態(tài)安置于所述第一狀態(tài)與所述第三狀態(tài)之間。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置 ，其中所述裝置經(jīng)配置以在所述反射層處于所述第一狀態(tài)中時反射第一色彩，其中所述裝置經(jīng)配置以在所述反射層處于所述第二狀態(tài)中時反射第二色彩，其中所述裝置經(jīng)配置以在所述反射層處于所述第三狀態(tài)中時反射第三色彩，其中所述第一色彩不同于所述第二色彩，且其中所述第二色彩不同于所述第三色彩。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，其中所述第一色彩為黑色。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的裝置，其中所述第三色彩不是白色。
29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，其中所述第一折射率特性大于2.1。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的裝置，其中所述第一電介質(zhì)層具有小于0.5的消光系數(shù)特性。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中所述第一電介質(zhì)層包含二氧化鋯、二氧化鈦、磷化鎵、硅、氮化鎵、磷化銦及氧化鉿中的至少一者。
32.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，其中所述第二電介質(zhì)層包含氟化鎂及二氧化硅中的至少一者。
33.一種顯示裝置，其包括: 用于部分反射且部分透射光的裝置； 第一電介質(zhì)層，其具有第一折射率特性； 第二電介質(zhì)層，其具有第二折射率特性，其中所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性； 用于反射光的裝置，其中所述第二電介質(zhì)層安置于所述反射裝置與所述第一電介質(zhì)層之間；及 光學(xué)共振腔，其中所述光學(xué)共振腔界定于所述部分反射且部分透射裝置與所述反射裝置之間， 其中所述反射裝置、第一電介質(zhì)層及第二電介質(zhì)層經(jīng)配置以相對于所述部分反射且部分透射裝置在第一狀態(tài)、第二狀態(tài)與第三狀態(tài)之間一起移動，其中所述第一狀態(tài)比所述第三狀態(tài)靠近于所述部分反射且部分透射裝置，且其中所述第二狀態(tài)安置于所述第一狀態(tài)與所述第三狀態(tài)之間。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的裝置，其中所述第一折射率特性大于2.1。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的裝置，其中所述第二折射率特性小于1.6。
36.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括: 提供襯底； 在所述襯底上形成部分反射且部分透射層； 在所述部分透明且部分反射層上形成氧化抑制層； 在所述氧化抑制層上形成犧牲層； 在所述犧牲層上形成第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層具有大于2.1的折射率特性；在所述第一電介質(zhì)層上形成第二電介質(zhì)層，所述第二電介質(zhì)層具有小于1.6的折射率特性； 在所述第二電介質(zhì)層上形成反射層；及 移除所述犧牲層。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述第一電介質(zhì)層具有小于0.5的消光系數(shù)特性。
38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述第二電介質(zhì)層包含氟化鎂及二氧化硅中的至少 一者。
全文摘要
本發(fā)明提供用于包含定位于第一導(dǎo)電層與第二可移動導(dǎo)電層之間的電介質(zhì)堆疊的顯示裝置的系統(tǒng)、方法及設(shè)備。在一個方面中，所述電介質(zhì)堆疊包含交替的高折射率電介質(zhì)層及低折射率電介質(zhì)層。通過控制所述電介質(zhì)堆疊內(nèi)各層的折射率及厚度，可反轉(zhuǎn)所述顯示裝置的光反射狀態(tài)，使得當(dāng)所述可移動層接近于所述第一導(dǎo)電層定位時反射光。
文檔編號G02B26/00GK103180761SQ201180051011
公開日2013年6月26日 申請日期2011年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月31日
發(fā)明者馬克·莫里斯·米尼亞爾, 卡斯拉·哈澤尼 申請人:高通Mems科技公司