專利名稱：顯示裝置用基板及其制造方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置用基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
在薄膜晶體管基板，按每個(gè)作為圖像的最小單位的像素，例如設(shè)置有薄膜晶體管(Thin Film Transistor,以下，也稱為“TFT”)作為開關(guān)元件。此外，一般在薄膜晶體管基板，用使用非晶硅的半導(dǎo)體層的薄膜晶體管作為各像素的開關(guān)元件，該像素是圖像的最小單位。一般的底柵型TFT例如包括:設(shè)置在絕緣基板上的柵極電極；以覆蓋柵極電極的方式設(shè)置的柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上以與柵極電極重疊的方式設(shè)置為島狀的半導(dǎo)體層；和在半導(dǎo)體層上以彼此相對(duì)的方式設(shè)置的源極電極和漏極電極。此外，在該底柵型TFT，溝道區(qū)域的上部被由SiO2等構(gòu)成的層間絕緣膜覆蓋，并且在該層間絕緣膜上形成像素電極而制造薄膜晶體管基板。而且，以與薄膜晶體管基板相對(duì)的方式設(shè)置對(duì)置基板，在薄膜晶體管基板與對(duì)置基板之間設(shè)置液晶層，由此制造液晶顯示裝置此處，在現(xiàn)有的TFT的結(jié)構(gòu)中，由于半導(dǎo)體層位于柵極電極的上層，柵極電極作為遮光膜發(fā)揮作用，而在液晶顯示裝置，將背光源的光從薄膜晶體管基板一側(cè)射向顯示區(qū)域。因此，一旦從遮光膜以外的部分射入的光在對(duì)置基板等反射、從TFT的上側(cè)向半導(dǎo)體層入射時(shí)，由于不存在遮光膜，因而光照射至由非晶硅形成的半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域。因此，由于光激勵(lì)，在TFT的斷開(OFF)狀態(tài)產(chǎn)生漏電流、產(chǎn)生非晶硅的光劣化，結(jié)果是存在TFT特性下降、液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)下降的問題。因此，提案有用于避免這樣的問題的薄膜晶體管基板。更具體而言，公開了如下的薄膜晶體管基板:在柵極配線與源極配線的交叉部附近設(shè)置有TFT、TFT與像素電極連接的薄膜晶體管基板，在TFT的溝道區(qū)域上，隔著絕緣層設(shè)置有遮光用的金屬層(例如，參照專利文獻(xiàn)I)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開平10-186402號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題但是，在上述專利文獻(xiàn)I中記載的薄膜晶體管基板中，由于遮光用的金屬層由導(dǎo)電性的金屬材料(形成源極電極和漏極電極的金屬材料)形成，存在根據(jù)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域與金屬層的距離，對(duì)TFT的特性產(chǎn)生負(fù)面影響的問題。更具體而言，例如在對(duì)柵極電極施加電壓使TFT導(dǎo)通(ON)時(shí)，如果在溝道區(qū)域上存在導(dǎo)電性的金屬層，則該金屬層作為寄生電容發(fā)揮作用。而且，在溝道區(qū)域與金屬層的距離近的情況下，例如在使柵極電壓反轉(zhuǎn)而使其斷開(OFF)時(shí)，存在被帶電的金屬層的電荷所吸引，半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域不迅速地從導(dǎo)通切換為斷開，而對(duì)TFT的動(dòng)作產(chǎn)生負(fù)面影響的問題。因此，本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，提供對(duì)TFT的特性沒有影響、能夠有效地抑制對(duì)溝道區(qū)域的光照射的顯示裝置用基板及其制造方法、顯示裝置。解決技術(shù)問題的技術(shù)手段為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第一顯示裝置用基板的特征在于，包括:絕緣基板；設(shè)置在絕緣基板上、具有溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層；和設(shè)置在溝道區(qū)域的溝道保護(hù)層，溝道保護(hù)層由第一絕緣膜和第二絕緣膜交替地疊層而得的疊層膜形成，在設(shè)第一絕緣膜的折射率為Ra、第二絕緣膜的折射率為Rb的情況下，Rb/Ra彡1.3的關(guān)系成立。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由第一絕緣膜和第二絕緣膜交替地疊層而得的疊層膜形成溝道保護(hù)層，此外，在設(shè)第一絕緣膜的折射率為Ra、第二絕緣膜的折射率為Rb的情況下，Rb/Ra ^ 1.3的關(guān)系成立。因此，在半導(dǎo)體層為薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的情況下，能夠有效地反射具有特定的波長(zhǎng)的光(特別是導(dǎo)致薄膜晶體管的光劣化的600nm以下的短波長(zhǎng)的光)，能夠使得導(dǎo)致半導(dǎo)體層的劣化的特定波長(zhǎng)的光不射入半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域。其結(jié)果是，能夠有效地抑制由對(duì)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域的光照射引起的薄膜晶體管的特性的下降。此外，由于溝道保護(hù)層由第一絕緣膜和第二絕緣膜疊層而得的疊層膜形成，與設(shè)置有由導(dǎo)電性的金屬材料形成的遮光用的金屬層的上述現(xiàn)有技術(shù)不同，能夠使得溝道保護(hù)層不對(duì)薄膜晶體管的特性產(chǎn)生影響而有效地抑制對(duì)溝道區(qū)域的光照射。此外，在本實(shí)施方式中，由于溝道保護(hù)層由第一絕緣膜和第二絕緣膜疊層而得的疊層膜形成，例如能夠在利用等離子體CVD法依次形成氮化硅膜和氧化硅膜，形成第一絕緣膜和第二絕緣膜疊層而得的疊層膜時(shí)，僅通過等離子體裝置內(nèi)的原料氣體的替換來形成溝道保護(hù)層。因此，與由導(dǎo)電性的金屬材料形成的遮光用的金屬層不同，不需要金屬膜的成膜和通過使用光掩模的光刻進(jìn)行的圖案化、對(duì)金屬膜進(jìn)行的濕蝕刻和抗蝕劑的剝離清洗等工序，能夠減少工序數(shù)。其結(jié)果是，能夠抑制制造成本的增加、抑制成品率的下降。在本發(fā)明的第一顯示裝置用基板，可以為:疊層膜的疊層數(shù)為5層以上。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠可靠地反射導(dǎo)致半導(dǎo)體層的劣化的特定波長(zhǎng)的光。本發(fā)明的第二顯示裝置用基板包括:絕緣基板；設(shè)置在絕緣基板上、具有溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層；和設(shè)置在溝道區(qū)域、由絕緣性材料形成的溝道保護(hù)層，在溝道保護(hù)層的與半導(dǎo)體層一側(cè)相反一側(cè)的表面，形成有包括凹部和凸部的微細(xì)的凹凸構(gòu)造。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在溝道保護(hù)層的與半導(dǎo)體層一側(cè)相反一側(cè)的表面，形成有包括凹部和凸部的微細(xì)的凹凸構(gòu)造。因此，在半導(dǎo)體層為薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的情況下，能夠有效地反射具有特定的波長(zhǎng)的光(特別是導(dǎo)致薄膜晶體管的光劣化的600nm以下的短波長(zhǎng)的光)，能夠使得導(dǎo)致半導(dǎo)體層的劣化的特定波長(zhǎng)的光不射入半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域。其結(jié)果是，能夠有效地抑制由對(duì)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域的光照射引起的薄膜晶體管的特性的下降。此外，由于溝道保護(hù)層由絕緣性材料形成，所以與設(shè)置有由導(dǎo)電性的金屬材料形成的遮光用的金屬層的上述現(xiàn)有技術(shù)不同，能夠使得溝道保護(hù)層不對(duì)薄膜晶體管的特性產(chǎn)生影響地有效抑制對(duì)溝道區(qū)域的光照射。在本發(fā)明的第二顯示裝置用基板， 其特征在于:凹凸構(gòu)造的相鄰的凸部間或相鄰的凹部間的距離為380nm以下。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在可見光區(qū)域(從360nm至760nm)，能夠通過溝道保護(hù)層使光更廣地反射。在本發(fā)明的第二顯示裝置用基板，其特征在于:凸部的高度或凹部的深度為760nm以上。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在可見光區(qū)域(從360nm至760nm)，能夠通過溝道保護(hù)層使光更廣地反射。在本發(fā)明的顯示裝置用基板，可以為:半導(dǎo)體層為薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。此外，在本發(fā)明的顯示裝置用基板，可以為:半導(dǎo)體層構(gòu)成光傳感器。此外，本發(fā)明的顯示裝置用基板具備能夠不對(duì)薄膜晶體管或光傳感器的特性產(chǎn)生影響地有效抑制對(duì)溝道區(qū)域的光照射的優(yōu)異的特性。因此，本發(fā)明能夠優(yōu)選應(yīng)用于包括顯示裝置用基板、與顯示裝置用基板相對(duì)配置的另一個(gè)顯示裝置用基板和設(shè)置在顯示裝置用基板與另一個(gè)顯示裝置用基板之間的顯示介質(zhì)層的顯示裝置。此外，本發(fā)明的顯示裝置能夠適宜地應(yīng)用于顯示介質(zhì)層為液晶層的顯示裝置。本發(fā)明的第一顯示裝置用基板的制造方法的特征在于，至少包括:在絕緣基板上形成具有溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層形成工序；溝道保護(hù)層形成工序，在溝道區(qū)域形成溝道保護(hù)層，該溝道保護(hù)層由第一絕緣膜和第二絕緣膜交替地疊層而得的疊層膜構(gòu)成，在設(shè)第一絕緣膜的折射率為Ra、第二絕緣膜的折射率為Rb的情況下，Rb/Ra ^ 1.3的關(guān)系成立。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域形成溝道保護(hù)層，該溝道保護(hù)層由第一絕緣膜和第二絕緣膜交替地疊層而得的疊層膜構(gòu)成，在設(shè)第一絕緣膜的折射率為Ra、第二絕緣膜的折射率為Rb的情況下Rb/Ra ^ 1.3的關(guān)系成立，因此，在半導(dǎo)體層為薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的情況下，能夠有效地反射具有特定的波長(zhǎng)的光(特別是導(dǎo)致薄膜晶體管的光劣化的600nm以下的短波長(zhǎng)的光)，能夠使得導(dǎo)致半導(dǎo)體層的劣化的特定波長(zhǎng)的光不射入半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域。其結(jié)果是，能夠提供能夠有效地抑制由對(duì)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域的光照射引起的薄膜晶體管的特性的下降的顯示裝置用基板。此外，由于溝道保護(hù)層由第一絕緣膜和第二絕緣膜疊層而得的疊層膜形成，與設(shè)置有由導(dǎo)電性的金屬材料形成的遮光用的金屬層的上述現(xiàn)有技術(shù)不同，能夠提供能夠使得溝道保護(hù)層不對(duì)薄膜晶體管的特性產(chǎn)生影響地有效抑制對(duì)溝道區(qū)域的光照射的顯示裝置用基板。此外，在本實(shí)施方式中，由于溝道保護(hù)層由第一絕緣膜和第二絕緣膜疊層而得的疊層膜形成，例如能夠在利用等離子體CVD法依次形成氮化硅膜和氧化硅膜、形成第一絕緣膜和第二絕緣膜疊層而得的疊層膜時(shí)，僅通過等離子體裝置內(nèi)的原料氣體的替換來形成溝道保護(hù)層。因此，與由導(dǎo)電性的金屬材料形成的遮光用的金屬層不同，不需要金屬膜的成膜和利用使用光掩模的光刻進(jìn)行的圖案化、對(duì)金屬膜的濕蝕刻和抗蝕劑的剝離清洗等工序，能夠減少工序數(shù)。其結(jié)果是，能夠提供能夠抑制制造成本的增加、抑制成品率的下降的顯示裝置用基板。本發(fā)明的第二顯示裝置用基板的制造方法的特征在于，至少包括:在絕緣基板上形成具有溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層形成工序；溝道保護(hù)層形成工序，在溝道區(qū)域形成溝道保護(hù)層，該溝道保護(hù)層由絕緣性材料形成，在該溝道保護(hù)層的與半導(dǎo)體層一側(cè)相反一側(cè)的表面，具有包括凹部和凸部的微細(xì)的凹凸構(gòu)造。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域形成在與半導(dǎo)體層一側(cè)相反一側(cè)的表面具有包括凹部和凸部的微細(xì)的凹凸構(gòu)造的溝道保護(hù)層，因此，在半導(dǎo)體層為薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的情況下，能夠有效地反射具有特定的波長(zhǎng)的光(特別是導(dǎo)致薄膜晶體管的光劣化的600nm以下的短波長(zhǎng)的光)，能夠使得導(dǎo)致半導(dǎo)體層的劣化的特定波長(zhǎng)的光不射入半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域。其結(jié)果是，能夠提供能夠有效地抑制由對(duì)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域的光照射引起的薄膜晶體管的特性的下降的顯示裝置用基板。此外，由于溝道保護(hù)層由絕緣性材料形成，與設(shè)置有由導(dǎo)電性的金屬材料形成的遮光用的金屬層的上述現(xiàn)有技術(shù)不同，能夠提供能夠使得溝道保護(hù)層不對(duì)薄膜晶體管的特性產(chǎn)生影響地有效抑制對(duì)溝道區(qū)域的光照射的顯示裝置用基板。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)FT的特性不產(chǎn)生影響地有效抑制對(duì)溝道區(qū)域的光照射。


圖1是表示具有本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的液晶顯示裝置的截面圖。圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的平面圖。圖3是將本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的像素部和端子部放大表示的平面圖。圖4是沿著圖3中的A-A線的薄膜晶體管基板的截面圖。圖5是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的溝道保護(hù)層的截面圖。圖6是表示疊層膜的第一絕緣膜和第二絕緣膜的疊層數(shù)為5層的情況下的P偏振光的波長(zhǎng)與反射率的關(guān)系的圖表。圖7是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的溝道保護(hù)層的截面圖。圖8是表示疊層膜的第一絕緣膜和第二絕緣膜的疊層數(shù)為6層的情況下的P偏振光的波長(zhǎng)與反射率的關(guān)系的圖表。圖9是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的溝道保護(hù)層的截面圖。圖10是表示疊層膜的第一絕緣膜和第二絕緣膜的疊層數(shù)為7層的情況下的P偏振光的波長(zhǎng)與反射率的關(guān)系的圖表。圖11是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的溝道保護(hù)層的截面圖。圖12是表示疊層膜的第一絕緣膜和第二絕緣膜的疊層數(shù)為8層的情況下的P偏振光的波長(zhǎng)與反射率的關(guān)系的圖表。圖13是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的溝道保護(hù)層的截面圖。
圖14是表示疊層膜的第一絕緣膜和第二絕緣膜的疊層數(shù)為10層的情況下的P偏振光的波長(zhǎng)與反射率的關(guān)系的圖表。圖15是以截面表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的TFT和薄膜晶體管基板的制造工序的說明圖。圖16是以截面表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的對(duì)置基板的制造工序的說明圖。圖17是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。圖18是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的溝道保護(hù)層的截面圖。圖19是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的溝道保護(hù)層的立體圖。圖20是用于說明使用納米壓印光刻形成本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的溝道保護(hù)層的工序的截面圖。圖21是用于說明使用納米壓印光刻形成本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的溝道保護(hù)層的工序的截面圖。圖22是用于說明使用納米壓印光刻形成本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的溝道保護(hù)層的工序的截面圖。圖23是以截面表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的TFT和薄膜晶體管基板的制造工序的說明圖。圖24是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。
具體實(shí)施例方式(第一實(shí)施方式)以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施方式。圖1是表示具有本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的液晶顯示裝置的截面圖，圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的平面圖。此外，圖3是將本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的像素部和端子部放大表示的平面圖，圖4是沿著圖3中的A-A線的薄膜晶體管基板的截面圖。此外，圖5是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的溝道保護(hù)層的截面圖。如圖1所示，液晶顯示裝置50包括:以彼此相對(duì)的方式設(shè)置的作為顯示裝置用基板的薄膜晶體管基板20a和作為另一個(gè)顯示裝置用基板的對(duì)置基板30 ；以及設(shè)置在薄膜晶體管基板20a與對(duì)置基板30之間的作為顯示介質(zhì)層的液晶層40。此外，液晶顯示裝置50包括密封件35，該密封件35將薄膜晶體管基板20a與對(duì)置基板30相互粘接，并且，為了將液晶層40封入薄膜晶體管基板20a與對(duì)置基板30之間而設(shè)置為框狀。此外，如圖1所示，在液晶顯示裝置50，在密封件35的內(nèi)側(cè)的部分形成進(jìn)行圖像顯示的顯示區(qū)域D，在薄膜晶體管基板20a的從對(duì)置基板30突出的部分形成端子區(qū)域T。如圖2、圖3和圖4所示，薄膜晶體管基板20a包括:絕緣基板IOa ;在顯示區(qū)域D，在絕緣基板IOa上以相互平行地延伸的方式設(shè)置的多個(gè)掃描配線Ila;分別配置在各掃描配線Ila之間、相互平行地延伸的多個(gè)輔助電容配線Ilb ;和在與各掃描配線Ila正交的方向以相互平行地延伸的方式設(shè)置的多個(gè)信號(hào)配線16a。此外，薄膜晶體管基板20a包括:按各掃描配線Ila與各信號(hào)配線16a的每個(gè)交叉部分、即按各個(gè)像素分別設(shè)置的多個(gè)TFT5a ；以覆蓋各TFT5a的方式設(shè)置的層間絕緣膜17 ;在層間絕緣膜17上呈矩陣狀設(shè)置、與各TFT5a分別連接的多個(gè)像素電極19a ;和以覆蓋各像素電極19a的方式設(shè)置的取向膜(未圖示)。如圖2和圖3所示，掃描配線Ila被引出至端子區(qū)域T(參照?qǐng)D1)的柵極端子區(qū)域Tg，在該柵極端子區(qū)域Tg與柵極端子19b連接。如圖3所示，經(jīng)輔助電容主干線16c和中繼配線lld，輔助電容配線Ilb與輔助電容端子19d連接。此處，輔助電容主干線16c經(jīng)在柵極絕緣膜12形成的接觸孔Ce與輔助電容配線Ilb連接，并且經(jīng)在柵極絕緣膜12形成的接觸孔Cd與中繼配線Ild連接。如圖2和圖3所示，信號(hào)配線16a作為中繼配線Ilc被引出至端子區(qū)域T(參照?qǐng)D1)的源極端子區(qū)域Ts，在該源極端子區(qū)域Ts，與源極端子19c連接。此處，如圖3所示，信號(hào)配線16a經(jīng)在柵極絕緣膜12形成的接觸孔Cb與中繼配線Ilc連接。TFT5a具有底柵構(gòu)造，如圖3和圖4所示，包括設(shè)置在絕緣基板IOa上的柵極電極Ilaa,以覆蓋柵極電極Ilaa的方式設(shè)置的柵極絕緣膜12和在柵極絕緣膜12上以與柵極電極Ilaa重疊的方式設(shè)置為島狀的具有溝道區(qū)域C的半導(dǎo)體層13a。此外，TFT5a包括以在半導(dǎo)體層13a上與柵極電極Ilaa重疊并且夾著溝道區(qū)域C彼此相對(duì)的方式設(shè)置的源極電極16aa和漏極電極16b。此處，在半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C上，設(shè)置有覆蓋源極電極16aa和漏極電極16b ( BP TFT5a)的層間絕緣膜17。此外，如圖3所示，柵極電極Ilaa是掃描配線Ila的向側(cè)面突出的部分。此外，如圖3所不,源極電極16aa是信號(hào)配線16a的向側(cè)面突出的部分,如圖4所不，由第一導(dǎo)電層14a和第二導(dǎo)電層15a的疊層膜構(gòu)成。進(jìn)一步，如圖3和圖4所示，漏極電極16b由第一導(dǎo)電層14b和第二導(dǎo)電層15b的疊層膜構(gòu)成，經(jīng)在層間絕緣膜17形成的接觸孔Ca與像素電極19a連接。此外，多漏極電極16b通過隔著柵極絕緣膜12與輔助電容配線Ilb重疊而構(gòu)成輔助電容。此外，半導(dǎo)體層13a例如能夠使用銦鎵鋅氧化物(IGZO)等氧化物半導(dǎo)體、非晶硅。另外，在使用非晶硅的情況下包括下層的本征非晶硅層和其上層的摻雜有磷的n+非晶硅層，從源極電極16aa和漏極電極16b露出的本征非晶硅層構(gòu)成溝道區(qū)域C。如后述的圖16(c)所示，對(duì)置基板30包括絕緣基板IOb和彩色濾光片層，該彩色濾光片層具有在絕緣基板IOb上呈柵格狀設(shè)置的黑矩陣21和在黑矩陣21的各柵格間分別設(shè)置的紅色層、綠色層和藍(lán)色層等著色層22。此外，對(duì)置基板30包括以覆蓋該彩色濾光片層的方式設(shè)置的共用電極23、設(shè)置在共用電極23上的感光間隔物24和以覆蓋共用電極23的方式設(shè)置的取向膜(未圖示)。液晶層40例如由具有電光學(xué)特性的向列型液晶材料等構(gòu)成。在上述結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置50，在各像素，從柵極驅(qū)動(dòng)器(未圖示)經(jīng)掃描配線Ila向柵極電極Ilaa輸送柵極信號(hào)，在TFT5a成為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，從源極驅(qū)動(dòng)器(未圖示)經(jīng)信號(hào)配線16a向源極電極16aa輸送源極信號(hào)，經(jīng)半導(dǎo)體層13a和漏極電極16b，向像素電極19a與入規(guī)定的電荷。此時(shí)，在薄膜晶體管基板20a的各像素電極19a與對(duì)置基板30的共用電極23之間產(chǎn)生電位差，向液晶層40即各像素的液晶電容和與該液晶電容并聯(lián)連接的輔助電容施加規(guī)定的電壓。而且，在液晶顯示裝置50，通過在各像素根據(jù)向液晶層40施加的電壓的大小改變液晶層40的取向狀態(tài)，調(diào)整液晶層40的光透射率，從而顯示圖像。此外，在本實(shí)施方式中，如圖4所示，在半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C，設(shè)置有用于保護(hù)該溝道區(qū)域C的溝道保護(hù)層(蝕刻阻擋層)25。通過設(shè)置該溝道保護(hù)層25，能夠在后述的源極漏極形成工序，在通過蝕刻進(jìn)行圖案化而形成源極電極16aa、漏極電極16b時(shí)，進(jìn)行保護(hù)使得不蝕刻半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C。此外，在本實(shí)施方式中，特征在于:如圖5所示，溝道保護(hù)層25由折射率比為1.3倍以上的不同的第一絕緣膜25a與第二絕緣膜25b交替地疊層而成的疊層膜形成。例如，在設(shè)第一絕緣膜25a的折射率為Ra、第二絕緣膜25b的折射率為Rb的情況下，Rb/Ra彡1.3的關(guān)系成立。此外，第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氮化氧化硅膜等絕緣性材料形成。而且，在本實(shí)施方式中，通過這樣的結(jié)構(gòu)，能夠利用溝道保護(hù)層25有效地反射具有特定的波長(zhǎng)的光(特別是導(dǎo)致TFT5a的光劣化的600nm以下的短波長(zhǎng)的光)，能夠使得導(dǎo)致半導(dǎo)體層13a的劣化的特定波長(zhǎng)的光不射入半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C。因此，能夠有效地抑制由對(duì)半導(dǎo)體層13a 的溝道區(qū)域C的光照射引起的TFT特性的下降和液晶顯示裝置50的顯示品質(zhì)的下降。此外，由于溝道保護(hù)層25由第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b疊層而成的疊層膜形成，與設(shè)置有由導(dǎo)電性的金屬材料形成的遮光用的金屬層的上述現(xiàn)有技術(shù)不同，能夠使得溝道保護(hù)層25不對(duì)TFT5a的特性產(chǎn)生影響地有效抑制對(duì)溝道區(qū)域C的光照射。此外，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，在形成金屬層時(shí)，需要金屬膜的成膜和通過使用具有規(guī)定的圖案形狀的掩模的光刻進(jìn)行的抗蝕劑的圖案化、對(duì)金屬膜的濕蝕刻和抗蝕劑的剝離清洗等工序，工序數(shù)增加，因此存在制造工序增加并且成品率下降的問題。另一方面，在本實(shí)施方式中，由于溝道保護(hù)層25由第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b疊層而成的疊層膜形成，例如能夠在利用等離子體CVD法依次形成氮化硅膜、氧化硅膜，形成第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b疊層而成的疊層膜時(shí)，僅通過等離子體裝置內(nèi)的原料氣體的替換來形成溝道保護(hù)層25。因此，與由導(dǎo)電性的金屬材料形成的遮光用的金屬層不同，不需要金屬膜的成膜和通過使用光掩模的光刻進(jìn)行的圖案化、對(duì)金屬膜的濕蝕刻和抗蝕劑的剝離清洗等工序，能夠減少工序數(shù)。其結(jié)果是，能夠抑制制造成本的增加、抑制成品率的下降。另外，從可靠地反射導(dǎo)致半導(dǎo)體層13a的劣化的特定波長(zhǎng)的光的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選構(gòu)成溝道保護(hù)層25的疊層膜的絕緣膜25a、25b的疊層數(shù)為5層以上，只要為5層以上，就沒有特別限定。以下，對(duì)本特征進(jìn)行詳細(xì)說明。圖6是表示疊層膜的第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b的疊層數(shù)為5層的情況下的P偏振光的波長(zhǎng)與反射率的關(guān)系的圖表。
另外，在圖6所示的關(guān)系中，作為第一絕緣膜25a，使用折射率Ra = 1.4、膜厚為60nm的氧化硅膜，作為第二絕緣膜25b，使用折射率Rb = 2、膜厚為60nm的氮化硅膜。此外，作為層間絕緣膜17，使用折射率=1.4、膜厚為265nm的氧化硅膜，作為液晶層40，使用折射率=I的向列型液晶材料，作為半導(dǎo)體層13a，使用折射率=2的銦鎵鋅氧化物(IGZO)。而且，對(duì)于溝道保護(hù)層25,使P偏振光從液晶層40的方向垂直入射,使所入射的P偏振光的波長(zhǎng)在300nm 900nm的波長(zhǎng)區(qū)域按每Inm變化,測(cè)定反射率。如圖6所示，可知由第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b形成的溝道保護(hù)層25在可見光區(qū)域(從360nm至760nm)廣泛地反射光，特別是以約60 %的比例反射具有450nm的波長(zhǎng)的P偏振光。此外，在圖8表示作為溝道保護(hù)層25再追加I層第二絕緣膜25b而為6層結(jié)構(gòu)的情況下(參照?qǐng)D7)的P偏振光的波長(zhǎng)與反射率的關(guān)系。如圖8所示，可知溝道保護(hù)層25在可見光區(qū)域(從360nm至760nm)廣泛地反射光，特別是以約80%的比例反射具有400nm的波長(zhǎng)的P偏振光。此外，在圖10表示作為溝道保護(hù)層25再追加I層第一絕緣膜25a而為7層結(jié)構(gòu)的情況下(參照?qǐng)D9)的P偏振光的波長(zhǎng)與反射率的關(guān)系。如圖10所示，可知溝道保護(hù)層25在可見光區(qū)域(從360nm至760nm)廣泛地反射光，特別是以約80%的比例反射具有440nm的波長(zhǎng)的P偏振光。此外，在圖12表示作為溝道保護(hù)層25再追加I層第二絕緣膜25b而為8層結(jié)構(gòu)的情況下(參照?qǐng)D11)的P偏振光的波長(zhǎng)與反射率的關(guān)系。如圖12所示，可知溝道保護(hù)層25在可見光區(qū)域(從360nm至760nm)廣泛地反射光，特別是以約90%的比例反射具有400nm的波長(zhǎng)的P偏振光。此外，在圖14表示作為溝道保護(hù)層25再各追加I層第一絕緣膜25a和第二絕緣膜25b而為10層結(jié)構(gòu)的情況下(參照?qǐng)D13)的P偏振光的波長(zhǎng)與反射率的關(guān)系。如圖14所示，可知溝道保護(hù)層25在可見光區(qū)域(從360nm至760nm)廣泛地反射光，特別是以約95%的比例反射具有400nm的波長(zhǎng)的P偏振光。根據(jù)以上說明可知，只要第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b的疊層數(shù)為5層以上，就能夠利用溝道保護(hù)層25有效地反射導(dǎo)致TFT5a的光劣化的600nm以下的短波長(zhǎng)的光，可知第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b的疊層數(shù)越多，光的反射效率就越高。接著，使用圖15、圖16對(duì)本實(shí)施方式的液晶顯示裝置50的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說明。圖15是以截面表示TFT和薄膜晶體管基板的制造工序的說明圖，圖16是以截面表示對(duì)置基板的制造工序的說明圖。另外，本實(shí)施方式的制造方法包括薄膜晶體管基板制作工序、對(duì)置基板制作工序和液晶注入工序。首先，對(duì)TFT和薄膜晶體管基板制作工序進(jìn)行說明。<柵極電極形成工序>首先，在玻璃基板、硅基板、具有耐熱性的塑料基板等絕緣基板IOa的整個(gè)基板，利用濺射法，形成例如鑰膜(厚度150nm左右)等。之后，對(duì)該鑰膜進(jìn)行光刻、濕蝕刻和抗蝕劑的剝離清洗，由此，如圖3、圖15(a)所示那樣形成掃描配線11a、柵極電極llaa、輔助電容配線Ilb和中繼配線llc、lld。另外，在本實(shí)施方式中，作為構(gòu)成柵極電極Ilaa的金屬膜，例示了單層結(jié)構(gòu)的鑰膜，但是例如也可以使用鋁膜、鎢膜、鉭膜、鉻膜、鈦膜、銅膜等金屬膜，或者它們的合金膜或金屬氮化物的膜，以50nm 300nm的厚度形成柵極電極llaa。此外，作為形成上述塑料基板的材料，能夠使用例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜樹脂、丙烯酸樹脂和聚酰亞胺樹脂。<半導(dǎo)體層形成工序>接著，在形成有掃描配線11a、柵極電極llaa、輔助電容配線Ilb和中繼配線11c、Ild的整個(gè)基板，利用CVD法，形成例如氮化硅膜(厚度200nm 500nm左右)，如圖15 (b)所示那樣以覆蓋柵極電極Ilaa和輔助電容配線Ilb的方式形成柵極絕緣膜12。另外，也可以采用以2層的疊層結(jié)構(gòu)形成柵極絕緣膜12的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，除了上述的氮化硅膜(SiNx)以外，能夠使用例如氧化硅膜(SiOx)、氧化氮化硅膜(SiOxNy，X > y)、氮化氧化硅膜(SiNxOy，X > y)等。此外，從防止來自絕緣基板IOa的雜質(zhì)等的擴(kuò)散的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用氮化硅膜或氮化氧化硅膜作為下層側(cè)的柵極絕緣膜，并且使用氧化硅膜或氧化氮化硅膜作為上層側(cè)的柵極絕緣膜。例如，能夠以SiH4和NH3作為反應(yīng)氣體形成膜厚IOOnm至200nm的氮化硅膜作為下層側(cè)的柵極絕緣膜，并且，以N20、SiH4作為反應(yīng)氣體形成膜厚50nm至IOOnm的氧化硅膜作為上層側(cè)的柵極絕緣膜。此外，從通過低的成膜溫度形成柵極漏電流少的致密的柵極絕緣膜12的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使氬氣體等稀有氣體包含在反應(yīng)氣體中而混入絕緣膜中。之后，利用派射法，形成例如IGZO類的氧化物半導(dǎo)體膜(厚度30nm IOOnm左右)，之后對(duì)該氧化物半導(dǎo)體膜進(jìn)行光刻、濕蝕刻和抗蝕劑的剝離清洗，由此，如圖15(b)所示那樣形成具有溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層13a?！礈系辣Ｗo(hù)層形成工序〉接著，在形成有半導(dǎo)體層13a的整個(gè)基板，利用等離子體CVD法，例如依次形成氮化硅膜和氧化硅膜，形成圖5所示的第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b疊層而成的疊層膜，如圖5(c)所示那樣在半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C形成厚度50 150nm左右的用于保護(hù)該溝道區(qū)域C的溝道保護(hù)層25。此時(shí)，如上所述，溝道保護(hù)層25由第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b疊層而成的疊層膜構(gòu)成，因此能夠僅通過等離子體裝置內(nèi)的原料氣體的替換來形成溝道保護(hù)層25。此外，作為第一絕緣膜25a，例如形成折射率Ra = 1.4、膜厚為60nm的氧化硅膜，作為第二絕緣膜25b，例如形成折射率Rb = 2、膜壓為60nm的氮化硅膜?！丛礃O漏極的形成工序〉接著，在形成有半導(dǎo)體層13a的整個(gè)基板，利用濺射法，依次形成鈦膜(厚度30nm 150nm)和銅膜(厚度50nm 400nm左右)等。之后,對(duì)該銅膜進(jìn)行光刻和濕蝕刻，并且對(duì)該鈦膜進(jìn)行干蝕刻和抗蝕劑的剝離清洗，由此，如圖15(d)所示那樣形成信號(hào)配線16a (參照?qǐng)D3)、源極電極16aa、漏極電極16b和輔助電容主干線16c (參照?qǐng)D3)，并且使半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C露出。S卩，在本工序中，在半導(dǎo)體層形成工序中形成的半導(dǎo)體層13a上，通過干蝕刻形成源極電極16aa和漏極電極16b,使半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C露出。另外，在本實(shí)施方式中，作為構(gòu)成源極電極16aa和漏極電極16b的金屬膜例示了疊層結(jié)構(gòu)的鈦膜和銅膜，但是也可以例如使用鋁膜、鎢膜、鉭膜、鉻膜等金屬膜，或者它們的合金膜或金屬氮化物的膜形成源極電極16aa和漏極電極16b。此外，作為蝕刻加工，使用上述的干蝕刻或濕蝕刻均可，但是在處理大面積基板的情況下，更優(yōu)選使用干蝕刻。作為干蝕刻氣體，能夠使用CF4、NF3、SF6、CHF3等氟類氣體、Cl2、BC13、SiCl4^CCl4等氯類氣體、氧氣等，還可以添加氦和/或氬等不活潑氣體。〈層間絕緣膜形成工序〉接著，在形成有源極電極16aa和漏極電極16b的(即，形成有TFT5a的)整個(gè)基板，利用等離子體CVD法，例如形成氧化硅膜，如圖15(e)所示形成厚度265nm左右的覆蓋TFT5a的(即，覆蓋半導(dǎo)體層13a、源極電極16aa和漏極電極16b的)層間絕緣膜17。〈開口部形成工序〉接著，對(duì)層間絕緣膜17進(jìn)行曝光和顯影，由此，如圖15(f)所示那樣在層間絕緣膜17形成達(dá)到漏極電極16b的接觸孔Ca。〈像素電極形成工序〉接著，在形成有層間絕緣膜17的整個(gè)基板，利用濺射法，形成例如由銦錫氧化物構(gòu)成的ITO膜(厚度50nm 200nm左右)等透明導(dǎo)電性。之后，對(duì)該透明導(dǎo)電膜進(jìn)行光刻、濕蝕刻和抗蝕劑的剝離清洗，由此，如圖4所示形成像素電極19a、柵極端子1%、源極端子19c和輔助電容端子19d(參照?qǐng)D3)。此時(shí)，如圖4所示，像素電極19a以覆蓋接觸孔Ca的表面的方式形成于層間絕緣膜17的表面上。
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另外，就像素電極19a而言，在形成透射型的液晶顯示裝置50的情況下，能夠使用含氧化鎢的銦氧化物或銦鋅氧化物、含氧化鈦的銦氧化物或銦錫氧化物等。此外，除了上述銦錫氧化物(ITO)以外，還能夠使用銦鋅氧化物(IZO)、含有氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)
坐寸O此外，在形成反射型的液晶顯示裝置50的情況下，能夠采用如下結(jié)構(gòu):作為具有反射性的金屬薄膜，使用包含鈦、鎢、鎳、金、白金、銀、鋁、鎂、鈣、鋰及它們的合金的導(dǎo)電膜，將該金屬薄膜作為像素電極19a使用。能夠如以上說明的那樣制作圖4所示的薄膜晶體管基板20a?！磳?duì)置基板制作工序〉首先，在玻璃基板等絕緣基板IOb的整個(gè)基板，利用旋涂法或狹縫式涂敷法，涂敷例如被著色為黑色的感光性樹脂，之后，對(duì)該涂敷膜進(jìn)行曝光和顯影，由此，如圖16(a)所示形成厚度1.0ym左右的黑矩陣21。接著，在形成有黑矩陣21的整個(gè)基板，利用旋涂法或狹縫式涂敷法，涂敷例如被著色為紅色、綠色或藍(lán)色的感光性樹脂。之后，對(duì)該涂敷膜進(jìn)行曝光和顯影，由此，如圖16(a)所示形成厚度2.0 μ m左右的所選擇的顏色的著色層22 (例如，紅色層)。然后，對(duì)其它兩種顏色也重復(fù)同樣的工序，形成厚度2.0 μ m左右的其它兩種顏色的著色層22 (例如，綠色層和藍(lán)色層)。進(jìn)一步，在形成有上述各著色層22的基板上，利用濺射法，例如沉積ITO膜等透明導(dǎo)電膜，由此，如圖16(b)所示形成厚度50nm 200nm左右的共用電極23。最后，在形成有共用電極23的整個(gè)基板，利用旋涂法或狹縫式涂敷法，涂敷感光性樹脂，之后，對(duì)該涂敷膜進(jìn)行曝光和顯影，由此，如圖16(c)所示形成厚度4μπι左右的感光間隔物24。通過以上操作，能夠制作對(duì)置基板30?！匆壕ё⑷牍ば颉凳紫?，例如在上述薄膜晶體管基板制作工序中制作的薄膜晶體管基板20a和在上述對(duì)置基板制作工序中制作的對(duì)置基板30的各表面，利用印刷法涂敷聚酰亞胺的樹脂膜，之后，對(duì)該涂敷膜進(jìn)行燒制和摩擦處理，由此形成取向膜。接著，例如在形成有上述取向膜的對(duì)置基板30的表面，呈框狀印刷由UV(ultraviolet:紫外線)固化和熱固化并用型樹脂等構(gòu)成的密封件，之后向密封件46的內(nèi)側(cè)滴下液晶材料。進(jìn)一步，在減壓下將被滴下上述液晶材料的對(duì)置基板30與形成有上述取向膜的薄膜晶體管基板20a貼合，之后，將該貼合而成的貼合體放置于大氣壓，由此對(duì)該貼合體的表面和背面加壓。

然后，對(duì)被上述貼合體夾持的密封件照射UV光，之后，通過將該貼合體加熱使密封件固化。最后，例如通過切割將上述密封件固化后的貼合體分?jǐn)?，由此除去不需要的部分。由此，能夠制造本?shí)施方式的液晶顯示面板50。根據(jù)以上說明的本實(shí)施方式，能夠得到以下的效果。(I)在本實(shí)施方式中，由第一絕緣膜25a和第二絕緣膜25b交替地疊層而成的疊層膜形成溝道保護(hù)層25。此外，在設(shè)第一絕緣膜25a的折射率為Ra、第二絕緣膜25b的折射率為Rb的情況下，Rb/Ra彡1.3的關(guān)系成立。因此，能夠通過溝道保護(hù)層25，有效地反射導(dǎo)致TFT5a的光劣化的600nm以下的短波長(zhǎng)的光，能夠使得導(dǎo)致半導(dǎo)體層13a的劣化的特定波長(zhǎng)的光不射入半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C。其結(jié)果是，能夠有效地抑制由對(duì)半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C的光照射引起的TFT特性的下降。(2)此外，由于溝道保護(hù)層25由第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b疊層而成的疊層膜形成，與設(shè)置有由導(dǎo)電性的金屬材料形成的遮光用的金屬層的上述現(xiàn)有技術(shù)不同，能夠使得溝道保護(hù)層25不對(duì)TFT5a的特性產(chǎn)生影響地有效抑制對(duì)溝道區(qū)域C的光照射。(3)此外，由于溝道保護(hù)層25由第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b疊層而成的疊層膜形成，能夠在形成第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b疊層而成的疊層膜時(shí)，僅通過等離子體裝置內(nèi)的原料氣體的替換來形成溝道保護(hù)層25。因此，能夠減少工序數(shù)，能夠抑制制造成本的增加、抑制成品率的下降。(4)在本實(shí)施方式中，將疊層膜的疊層數(shù)設(shè)定為5層以上。因此，能夠可靠地反射導(dǎo)致半導(dǎo)體層13a的劣化的特定波長(zhǎng)的光。(第二實(shí)施方式)接著，對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖17是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖，圖18是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的溝道保護(hù)層的截面圖。此外，圖19是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的溝道保護(hù)層的立體圖。另外，在本實(shí)施方式中，對(duì)與上述第一實(shí)施方式相同的構(gòu)成部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略其說明。此外，對(duì)液晶顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)及其制造方法，因?yàn)榕c上述第一實(shí)施方式中的說明相同，所以此處省略其詳細(xì)說明。在本實(shí)施方式中，如圖17所示，具有如下特征:代替上述的溝道保護(hù)層25，設(shè)置有在表面具有微細(xì)的凹凸構(gòu)造的溝道保護(hù)層33。更具體而言，如圖17 圖19所示，在溝道保護(hù)層33的與半導(dǎo)體層13a —側(cè)相反的一側(cè)的表面33a，形成有包括凹部34和凸部36的微細(xì)的凹凸構(gòu)造32，凹部34和凸部36具有截面大致為矩形的形狀。此外，溝道保護(hù)層33與上述溝道保護(hù)層25同樣，例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氮化氧化硅膜等絕緣性材料形成。另外，在本實(shí)施方式中，從通過溝道保護(hù)層33使光在可見光區(qū)域(從360nm至760nm)更廣地反射的觀點(diǎn)出發(fā)，在凹凸構(gòu)造32，相鄰的凸部36間(或相鄰的凹部34間)的距離(即，間距)P被設(shè)定為可見光的半波長(zhǎng)以下即380nm以下(即，P彡380nm)。此外，基于同樣的觀點(diǎn)，凸部36的高度(或凹部34的深度)H被設(shè)定為可見光區(qū)域的最大波長(zhǎng)以上即760nm以上(即，H彡760nm)。而且，在本實(shí)施方式中，也為如下情形:由于上述凹部結(jié)構(gòu)32的光的衍射作用，與上述第一實(shí)施方式的情況同樣，能夠有效地反射具有特定波長(zhǎng)的光(特別是導(dǎo)致TFT5a的光劣化的760nm以下的可見光)。因此，能夠使得導(dǎo)致半導(dǎo)體層13a的劣化的特定波長(zhǎng)的光不射入半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C。因此，能夠有效地抑制由對(duì)半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C的光照射引起的TFT特性的下降和液晶顯示裝置50的顯示品質(zhì)的下降。此外，由于溝道保護(hù)層33由絕緣性材料形成，與設(shè)置有由導(dǎo)電性的金屬材料形成的遮光用的金屬層的上述現(xiàn)有技術(shù)不同，能夠使得溝道保護(hù)層33不對(duì)TFT5a的特性產(chǎn)生影響地有效抑制對(duì)溝道區(qū)域C的光照射。另外，溝道保護(hù)層33的凹凸構(gòu)造32能夠使用光刻或納米壓印光刻形成。此處，在使用納米壓印光刻形成溝道保護(hù)層33的凹凸構(gòu)造32的情況下，首先，如圖20所示，例如在使形成溝道保護(hù)層33的氮化硅膜45成膜之后，在氮化硅膜45上形成抗蝕劑46。接著，使形成有要轉(zhuǎn)印至抗蝕劑46的凹凸形狀的模具47向圖20所示的箭頭的方向移動(dòng)，將模具47按壓于抗蝕劑46，通過熱或光使抗蝕劑46固化。然后，取下模具47，如圖21所示，與模具47的凹凸形狀對(duì)應(yīng)地在抗蝕劑46形成有規(guī)定的掩模圖案。接著，當(dāng)以該抗蝕劑46為掩模，進(jìn)行對(duì)氮化硅膜45的蝕刻時(shí)，抗蝕劑46的厚度越薄的部分越早完成抗蝕劑的蝕刻，作為結(jié)果，如圖22所示，與抗蝕劑46的形狀一致地氮化硅膜45的表面也被蝕刻，形成具有凹凸構(gòu)造32的溝道保護(hù)層33。接著，參照?qǐng)D23對(duì)本實(shí)施方式的液晶顯示裝置50的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說明。圖23是以截面表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的TFT和薄膜晶體管基板的制造工序的說明圖。首先，在TFT和有源矩陣基板制作工序中，與在上述第一實(shí)施方式中說明的圖15(a)、(b)同樣，進(jìn)行柵極電極形成工序和半導(dǎo)體層形成工序。〈溝道保護(hù)層形成工序〉接著，在形成有半導(dǎo)體層13a的整個(gè)基板，利用等離子體CVD法，例如形成氮化硅膜、氧化硅膜、氮化氧化硅膜等。之后，例如利用上述納米壓印光刻，如圖23所示在溝道區(qū)域形成厚度50 IOOnm左右的在與半導(dǎo)體層13a —側(cè)相反的一側(cè)的表面33a具有包括凹部34和凸部36的微細(xì)的凹凸構(gòu)造32的溝道保護(hù)層33。另外，也可以代替納米壓印光刻，通過進(jìn)行以抗蝕劑為掩模的光刻和蝕刻來形成溝道保護(hù)層33。接著，與上述第一實(shí)施方式中說明的圖15(d) (f)同樣進(jìn)行源極漏極形成工序、層間絕緣膜形成工序、開口部形成工序和像素電極形成工序，由此，能夠制作圖17所示的薄膜晶體管基板20a。進(jìn)一步，通過進(jìn)行在上述第一實(shí)施方式中說明的對(duì)置基板制作工序和液晶注入工序，能夠制造本實(shí)施方式的液晶顯示裝置50。根據(jù)以上說明的本實(shí)施方式，能夠得到以下的效果。(5)在本實(shí)施方式中，在溝道保護(hù)層33的與半導(dǎo)體層13a —側(cè)相反的一側(cè)的表面33a形成有包括凹部34和凸部36的微細(xì)的凹凸構(gòu)造32。因此，能夠通過溝道保護(hù)層33，有效地反射導(dǎo)致TFT5a的光劣化的760nm以下的可見光，能夠使得導(dǎo)致半導(dǎo)體層13a的劣化的特定波長(zhǎng)的光不射入半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C。因此，能夠有效地抑制由對(duì)半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C的光照射引起的TFT特性的下降。(6)此外，由于溝道保護(hù)層33由絕緣材料形成，與設(shè)置有由導(dǎo)電性的金屬材料形成的遮光用的金屬層的上述現(xiàn)有技術(shù)不同，能夠使得溝道保護(hù)層33不對(duì)TFT5a的特性產(chǎn)生影響地有效抑制對(duì)溝道區(qū)域C的光照射。(7)在本實(shí)施方式中，將凹凸構(gòu)造32的相鄰的凸部36間或相鄰的凹部34間的距離設(shè)定為380nm以下。因此,在可見光區(qū)域(從360nm至760nm),能夠通過溝道保護(hù)層33
使光反射得廣。(8)在本實(shí)施方式中，將凸部36的高度或凹部34的深度設(shè)定為760nm以上。因此，在可見光區(qū)域(從360nm至760nm)，能夠通過溝道保護(hù)層33使光反射得廣。(第三實(shí)施方式)接著，對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖24是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。另外，在本實(shí)施方式中，對(duì)與上述第一實(shí)施方式相同的構(gòu)成部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略其說明。此外，對(duì)液晶顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)及其制造方法，因?yàn)榕c上述第一實(shí)施方式中進(jìn)行的說明相同，所以此處省略其詳細(xì)說明。此外，在本實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體元件，以作為光傳感器的光電二極管為例進(jìn)行說明，并且對(duì)具有光電二極管的顯示裝置用基板(薄膜晶體管基板)進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的薄膜晶體管基板60，在各個(gè)像素，不僅具備TFT (未圖示)，而且具備圖24所不的作為光傳感器的光電二極管61。該光電二極管61，在各像素與TFT相鄰地設(shè)置，由半導(dǎo)體層62構(gòu)成。更具體而言，該光電二極管61是具有P型半導(dǎo)體層63、N型半導(dǎo)體層64和I (Intrinsic:本征)層65這3層的橫型結(jié)構(gòu)的PIN光電二極管，該P(yáng)型半導(dǎo)體層63高濃度地?fù)诫s有硼等雜質(zhì)，該N型半導(dǎo)體層64高濃度地?fù)诫s有磷等雜質(zhì)，該I層65配置在P型半導(dǎo)體層63與N型半導(dǎo)體層64之間，是由本征半導(dǎo)體形成的高電阻率區(qū)域。此外，具備該光電二極管61的薄膜晶體管基板60是在絕緣基板IOa上依次疊層有基底覆蓋膜75、半導(dǎo)體層62和絕緣膜66的結(jié)構(gòu)的基板。更具體而言，如圖24所示，薄膜晶體管基板60包括:在絕緣基板IOa的表面上形成的基底覆蓋膜75 ;在基底覆蓋膜75的表面上形成的半導(dǎo)體層62 ;和以覆蓋半導(dǎo)體層62的方式在基底覆蓋膜75的表面上形成的絕緣膜66。此外，薄膜晶體管基板60具有遮光膜67，該遮光膜67配置在半導(dǎo)體層62的下方，并且形成在絕緣基板IOa的表面上，基底覆蓋膜75以覆蓋遮光膜67的方式疊層在絕緣基板IOa上。此外，如圖24所示，在絕緣膜66，形成有以使得半導(dǎo)體層62的P型半導(dǎo)體層63的一部分露出的方式形成的接觸孔68和以使得半導(dǎo)體層62的N型半導(dǎo)體層64的一部分露出的方式形成的接觸孔69。另外，這些接觸孔68、69利用蝕刻同時(shí)形成，在這些接觸孔68、69中的各個(gè)接觸孔填充有導(dǎo)電性部件70。此外，如圖24所示，在絕緣膜66的表面形成有陽極電極71和陰極電極72。而且，陽極電極71經(jīng)接觸孔68與半導(dǎo)體層62的P型半導(dǎo)體層63電連接，陰極電極72經(jīng)接觸孔69與半導(dǎo)體層62的N型半導(dǎo)體層64電連接。此外，該光電二極管61例如用于檢測(cè)載置在上述對(duì)置基板30上的對(duì)象物(例如，紙、手指、筆等)的有無和濃淡(陰影的明暗)。更具體而言，例如當(dāng)從設(shè)置在液晶顯示裝置50的背面?zhèn)鹊谋彻庠凑丈涞恼丈涔獗簧鲜鰧?duì)象物反射，該反射光(例如，作為不可見光的紅外光)向光電二極管61入射時(shí),在光電二極管61流動(dòng)與射入的反射光的強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的光漏電流，基于該光漏電流檢測(cè)對(duì)象物的有無和濃淡。作為構(gòu)成基底覆蓋膜75的材料，能夠列舉例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等材料。另外，基底覆蓋膜75也可以采用由這些材料構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。此外，基底覆蓋膜75的厚度優(yōu)選為50 300nm。半導(dǎo)體層62由多晶硅膜構(gòu)成，構(gòu)成半導(dǎo)體層62的多晶硅膜是通過向非晶硅膜等硅膜照射激光而多晶化得到的。另外，半導(dǎo)體層62的厚度優(yōu)選為20 lOOnm。作為構(gòu)成絕緣膜66的材料，并無特別限定，例如能夠列舉氧化硅(SiO2)或SiOF、SiOC等與氧化娃相比介電常數(shù)低的材料、四氮化三娃(Si3N4)等氮化娃(SiNx(X為正數(shù)))、氮氧化硅(SiNO)、二氧化鈦(TiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、五氧化二鉭(Ta2O5)等氧化鉭、二氧化鉿(HfO2)、二氧化鋯(ZrO2)等與氧化硅相比介電常數(shù)高的材料。另外，絕緣膜66既可以為單層結(jié)構(gòu)，也可以為疊層結(jié)構(gòu)。此外，絕緣膜66的厚度優(yōu)選為30 150nm。作為構(gòu)成導(dǎo)電性部件70的材料，優(yōu)選具有高熔點(diǎn)的材料，例如優(yōu)選使用鑰(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)等高熔點(diǎn)金屬或硅化鑰等高熔點(diǎn)硅化物。遮光膜67用于防止光(來自背光源的照射光)向光電二極管61入射，使得僅被上述對(duì)象物反射的反射光向光電二極管61入射。作為構(gòu)成遮光膜67的材料，并無特別限定，例如優(yōu)選使用鑰(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)等高熔點(diǎn)金屬或以這些高熔點(diǎn)金屬為主要成分的合金材料或化合物材料。另外，遮光膜67的厚度優(yōu)選為50 300nm。而且，在本實(shí)施方式中，也與上述第一實(shí)施方式的情況相同，如圖24所示，在半導(dǎo)體層62的溝道區(qū)域(即，I層65的表面上)設(shè)置有在上述第一實(shí)施方式中說明的溝道保護(hù)層25。因此，能夠有效地反射具有特定的波長(zhǎng)的光(特別是導(dǎo)致光電二極管61的光劣化的可見光(波長(zhǎng)為380nm 750nm的光))，能夠使得導(dǎo)致半導(dǎo)體層62的劣化的特定波長(zhǎng)的光不射入半導(dǎo)體層62的I層65。根據(jù)以上說明的本實(shí)施方式，能夠在上述的(3) ⑷的效果的基礎(chǔ)上達(dá)到以下的效果。(9)在本實(shí)施方式中，由第一絕緣膜25a和第二絕緣膜25b交替地疊層而得到的疊層膜形成溝道保護(hù)層25。此外，在設(shè)第一絕緣膜25a的折射率為Ra、第二絕緣膜25b的折射率為Rb的情況下，Rb/Ra ^ 1.3的關(guān)系成立。因此，能夠通過溝道保護(hù)層25，有效地反射導(dǎo)致光電二極管61的光劣化的可見光，能夠使得導(dǎo)致半導(dǎo)體層62的劣化的特定波長(zhǎng)的光不射入半導(dǎo)體層62的I層65。因此，能夠有效地抑制由對(duì)半導(dǎo)體層62的I層65的光照射引起的光電二極管61的特性的下降。(10)此外，由于溝道保護(hù)層25由第一絕緣膜和第二絕緣膜25a、25b疊層而得的疊層膜形成，與設(shè)置有由導(dǎo)電性的金屬材料形成的遮光用的金屬層的上述現(xiàn)有技術(shù)不同，能夠使得溝道保護(hù)層25不對(duì)光電二極管61的特性產(chǎn)生影響地有效抑制對(duì)I層65的光照射。另外，上述實(shí)施方式也可以如以下那樣進(jìn)行變更。在上述第三實(shí)施方式中，采用在第一實(shí)施方式中說明的設(shè)置溝道保護(hù)層25的結(jié)構(gòu)，但是也可以采用設(shè)置在第二實(shí)施方式中說明的具有微細(xì)的凹凸構(gòu)造32的溝道保護(hù)層33代替該溝道保護(hù)層25的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，也能夠得到與上述(5) (8)的效果相同的效果。產(chǎn)業(yè)上的可利用性作為本發(fā)明的使用例，能 夠列舉顯示裝置用基板及其制造方法、顯示裝置。附圖標(biāo)記的說明5a薄膜晶體管IOa 絕緣基板Ilaa 柵極電極12 柵極絕緣層13a 半導(dǎo)體層16aa 源極電極16b 漏極電極17 層間絕緣膜19a 像素電極20a 薄膜晶體管基板(顯示裝置用基板)25溝道保護(hù)層25a 第一絕緣膜25b 第二絕緣膜30 對(duì)直基板(另個(gè)顯不裝直用基板)32 微細(xì)的凹凸構(gòu)造33 溝道保護(hù)層33a 溝道保護(hù)層的與半導(dǎo)體層一側(cè)相反的一側(cè)的表面34 凹部36 凸部
40液晶層(顯示介質(zhì)層)50液晶顯示裝置60薄膜晶體管基板(顯示裝置用基板)61光電二極管62半導(dǎo)體層63P型半導(dǎo)體層64N型半導(dǎo)體層65I 層C溝道區(qū)域H凸部的高度或凹部的深度P凹凸構(gòu)造的相鄰的凸部間或相鄰的凹部間的距離Ra第一絕緣膜的折射率Rb 第二絕緣膜的折射率
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置用基板，其特征在于，包括: 絕緣基板； 設(shè)置在所述絕緣基板上、具有溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層；和 設(shè)置在所述溝道區(qū)域的溝道保護(hù)層， 所述溝道保護(hù)層由第一絕緣膜和第二絕緣膜交替地疊層而得的疊層膜形成，在設(shè)所述第一絕緣膜的折射率為Ra、所述第二絕緣膜的折射率為Rb的情況下，Rb/Ra ^ 1.3的關(guān)系成立。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置用基板，其特征在于: 所述疊層膜的疊層數(shù)為5層以上。
3.—種顯示裝置用基板，其特征在于，包括: 絕緣基板； 設(shè)置在所述絕緣基板上、具有溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層；和 設(shè)置在所述溝道區(qū)域、由絕緣性材料形成的溝道保護(hù)層， 在所述溝道保護(hù)層的與所述半導(dǎo)體層一側(cè)相反的一側(cè)的表面，形成有包括凹部和凸部的微細(xì)的凹凸構(gòu)造。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置用基板，其特征在于: 所述凹凸構(gòu)造的相鄰的所述凸部間或相鄰的所述凹部間的距離為380nm以下。
5.如權(quán)利要求3或4所述的顯示裝置用基板，其特征在于: 所述凸部的高度或所述凹部的深度為760nm以上。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的顯示裝置用基板，其特征在于: 所述半導(dǎo)體層為薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。
7.如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的顯示裝置用基板，其特征在于: 所述半導(dǎo)體層構(gòu)成光傳感器。
8.一種顯示裝置，其特征在于，包括: 權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的所述顯示裝置用基板； 與所述顯示裝置用基板相對(duì)配置的另一個(gè)顯示裝置用基板；和 設(shè)置在所述顯示裝置用基板與所述另一個(gè)顯示裝置用基板之間的顯示介質(zhì)層。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其特征在于: 所述顯示介質(zhì)層是液晶層。
10.一種顯示裝置用基板的制造方法，其特征在于，至少包括: 在絕緣基板上形成具有溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層形成工序；和溝道保護(hù)層形成工序，在所述溝道區(qū)域形成溝道保護(hù)層，該溝道保護(hù)層由第一絕緣膜和第二絕緣膜交替地疊層而得的疊層膜構(gòu)成，在設(shè)所述第一絕緣膜的折射率為Ra、所述第二絕緣膜的折射率為Rb的情況下，Rb/Ra彡1.3的關(guān)系成立。
11.一種顯示裝置用基板的制造方法，其特征在于，至少包括: 在絕緣基板上形成具有溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層形成工序；和溝道保護(hù)層形成工序，在所述溝道區(qū)域形成溝道保護(hù)層，該溝道保護(hù)層由絕緣性材料形成，在該溝道保護(hù)層的與所述半導(dǎo)體層一側(cè)相反的一側(cè)的表面，具有包括凹部和凸部的微細(xì)的凹凸構(gòu)造。
全文摘要
薄膜晶體管基板(20a)包括絕緣基板(10a)；設(shè)置在絕緣基板(10a)上、具有溝道區(qū)域(C)的半導(dǎo)體層(13a)；和設(shè)置在溝道區(qū)域(C)的溝道保護(hù)層(25)。溝道保護(hù)層(25)由第一絕緣膜和第二絕緣膜交替地疊層而得的疊層膜形成，在設(shè)第一絕緣膜的折射率為Ra、第二絕緣膜的折射率為Rb的情況下，Rb/Ra≥1.3的關(guān)系成立。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK103210494SQ20118005430
公開日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月10日
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