專利名稱：畫素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種畫素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種可改善光漏電問題的畫素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
平面顯示器具有輕薄、省電、低輻射等優(yōu)點，因此已成為顯示產(chǎn)業(yè)中的主流。平面顯示器包括液晶顯示器以及有機電激發(fā)光顯示器，其中液晶顯示器具有低成本的優(yōu)勢，因此已普遍地被應(yīng)用在各類電子產(chǎn)品中。一般而言，液晶顯示器包括液晶顯示面板以及提供液晶顯示面板光源的背光模塊。液晶顯示面板具有多個畫素結(jié)構(gòu)的主動元件陣列基板、相對于主動元件陣列基板的對向基板、以及位于主動元件陣列基板與對向基板之間的液晶層。畫素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管以及與薄膜晶體管電性連接的畫素電極。背光模塊所提供的光線穿過液晶顯示面板，進而使液晶顯示器可顯示畫面。然而，在公知技術(shù)中，薄膜晶體管的通道可能被背光模塊提供的光線所照射到，而使薄膜晶體管發(fā)生光漏電問題，進而影響液晶顯示面板的顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種畫素結(jié)構(gòu)，其可改善薄膜晶體管的光漏電問題。本發(fā)明提供一種畫素結(jié)構(gòu)，包括基板、遮光導(dǎo)電圖案、第一絕緣層、薄膜晶體管以及畫素電極。遮光導(dǎo)電圖案位于基板上。第一絕緣層覆蓋基板以及遮光導(dǎo)電圖案。第一絕緣層位于薄膜晶體管與基板之間。薄膜晶體管具有通道。薄膜晶體管的通道被遮光導(dǎo)電圖案完全地遮蔽。畫素電極與薄膜晶體管電性連接。在本發(fā)明的一實施例中，上述的畫素結(jié)構(gòu)更包括與薄膜晶體管電性連接的掃描線，其中遮光導(dǎo)電圖案與掃描線重疊。在本發(fā)明的一實施例中，上述的掃描線具有被第一貫孔截出的第一邊緣及第二邊緣。第一邊緣及第二邊緣與遮光導(dǎo)電圖案實質(zhì)上重疊，且第一邊緣透過遮光導(dǎo)電圖與第二邊緣電性連接。在本發(fā)明的一實施例中，上述的畫素結(jié)構(gòu)更包括與畫素電極重疊的儲存電容圖案，其中遮光導(dǎo)電圖案與儲存電容圖案重疊。在本發(fā)明的一實施例中，上述的儲存電容圖案具有被第二貫孔截出的第三邊緣及第四邊緣。第三邊緣及第四邊緣與遮光導(dǎo)電圖案實質(zhì)上重疊，且第三邊緣透過遮光導(dǎo)電圖與第四邊緣電性連接。在本發(fā)明的一實施例中，上述的薄膜晶體管更具有源極、汲極以及閘極。源極與汲極分別位于通道層相對兩側(cè)且與通道層重疊。汲極與畫素電極電性連接。間極與源極、汲極以及通道層重疊。在本發(fā)明的一實施例中，上述的畫素結(jié)構(gòu)，更包括與源極電性連接的資料線、與資料線交錯且與閘極電性連接的掃描線以及與畫素電極重疊的儲存電容圖案。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的閘極、掃描線以及儲存電容圖案屬于同一膜層。在本發(fā)明的一實施例中，上述的畫素結(jié)構(gòu)，更包括第二絕緣層。第二絕緣層覆蓋閘極、掃描線、儲存電容圖案以及基板，且位于通道層與閘極之間。在本發(fā)明的一實施例中，上述的畫素結(jié)構(gòu)，更包括第三絕緣層。第三絕緣層覆蓋薄膜晶體管以及基板。第三絕緣層具有開口。此開口曝露出薄膜晶體管的汲極。畫素電極填入此開口而與薄膜晶體管的汲極接觸。基于上述，在本發(fā)明的畫素結(jié)構(gòu)中，遮光導(dǎo)電圖案可利用完全遮蔽薄膜晶體管的通道，而可減少薄膜晶體管的通道被光線照射到的機率。如此一來，公知技術(shù)中薄膜晶體管的光漏電問題便可獲得改善。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。


圖IA為本發(fā)明一實施例的畫素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖IB是對應(yīng)圖IA的剖線A-A’所繪的剖面圖。圖2A是圖IA的畫素結(jié)構(gòu)的掃描線發(fā)生斷線的情形。圖2B為沿圖2A的剖線B-B，所繪的剖面圖。圖3A是圖IA的畫素結(jié)構(gòu)的儲存電容圖案發(fā)生斷線的情形。圖3B為沿圖3A的剖線C_C’所繪的剖面圖。圖中100畫素結(jié)構(gòu)，110基板，120遮光導(dǎo)電圖案，130第一絕緣層，140儲存電容圖案，150第二絕緣層，160第三絕緣層，160a開口，170導(dǎo)電材料，CH通道，D汲極，DL資料線，ΕΓΕ4邊緣；G間極，HI、H2貫孔，L雷射，PE畫素電極，S源極，SL掃描線，T薄膜晶體管。
具體實施例方式圖IA為本發(fā)明一實施例的畫素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖IB是對應(yīng)圖IA的剖線A-A’ 所繪的剖面圖。請同時參照圖IA及圖1B，本實施例的畫素結(jié)構(gòu)100包括基板110、位于基板110上的遮光導(dǎo)電圖案120、覆蓋基板110以及遮光導(dǎo)電圖案120的第一絕緣層130(繪于圖1B)、位于第一絕緣層130上的薄膜晶體管T以及與薄膜晶體管T電性連接的畫素電極 PE。第一絕緣層130位于薄膜晶體管T與基板110之間。詳言之，本實施例的薄膜晶體管T具有源極S、汲極D、閘極G以及通道CH。源極 S與汲極D分別位于通道CH相對兩側(cè)且與通道CH重疊。汲極D與畫素電極PE電性連接。 在本實施例中，第一絕緣層130位于閘極G與遮光導(dǎo)電圖案120之間。通道CH位于閘極G 的上方。源極S以及汲極D位于通道CH的上方。換言之，本實施例的薄膜晶體管T可為底閘極(Bottom gate)薄膜晶體管。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實施中，薄膜晶體管T亦可為頂閘極(Top gate)或其他適當(dāng)形式的薄膜晶體管。本實施例的畫素結(jié)構(gòu)100可進一步包括資料線DL、掃描線SL以及儲存電容圖案 140。資料線DL與薄膜晶體管T的源極S電性連接。掃描線SL與資料線交錯DL，且與薄膜晶體管T的閘極G電性連接。在本實施例中，閘極G可為掃描線SL的一部份，而源極S可為掃描線SL向外延伸的丨分支。本實施例的儲存電容圖案140可與畫素電極PE重疊，而與畫素電極PE形成儲存電容。在本實施例中，閘極G、掃描線SL以及儲存電容圖案140可屬于同一膜層。換言之，閘極G、掃描線SL以及儲存電容圖案140的材質(zhì)可相同。在本實施例中，閘極G、掃描線 SL、資料線DL以及儲存電容圖案140 —般是使用金屬材料。然而，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實施例，閘極G、掃描線SL、資料線DL以及儲存電容圖案140也可以使用其他導(dǎo)電材料， 例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆棧層。本實施例的畫素結(jié)構(gòu)100可進一步包括第二絕緣層150 (繪于圖1B)。第二絕緣層 150覆蓋閘極G、掃描線SL、儲存電容圖案140以及基板110，且可位于通道CH與閘極G之間。另外，本實施例的畫素結(jié)構(gòu)100更包括第三絕緣層160。第三絕緣層160覆蓋薄膜晶體管T以及基板110。更進一步地說，薄膜晶體管T的源極S與汲極D可位于第三絕緣層160 與通道CH之間。第三絕緣層160具有開口 160a。開口 160a曝露出薄膜晶體管T的汲極 D。畫素電極PE填入開口 160a而與薄膜晶體管T的汲極D接觸。在本實施例中，第一絕緣層130、第二絕緣層150、第三絕緣層160的材質(zhì)可相同或互不相同。第一絕緣層130、第二絕緣層150、第三絕緣層160的材質(zhì)可為無機材料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆棧層)、有機材料或上述的組合。值得注意的是，在本實施例中，薄膜晶體管T的通道CH被遮光導(dǎo)電圖案120完全地遮蔽。因此，薄膜晶體管T的通道CH不易受到外界光線的照射，而降低了薄膜晶體管T 發(fā)生光漏電的機率。如此一來，公知技術(shù)中所述的因薄膜晶體管T光漏電而造成的顯示不良的問題便可獲得改善。本實施例的遮光導(dǎo)電圖案120除了具有改善薄膜晶體管T光漏電問題的功效外， 更可做為修補線(impair line)使用。當(dāng)畫素結(jié)構(gòu)100有缺陷產(chǎn)生時，遮光導(dǎo)電圖案120 可修補此缺陷處，而使修補后的畫素結(jié)構(gòu)100仍可正常運作。以下配圖式舉例說明。圖2A是圖IA的畫素結(jié)構(gòu)的掃描線發(fā)生斷線的情形。圖2B為沿圖2A的剖線B_B’ 所繪的剖面圖。請參照圖2A與圖2B，本實施例的遮光導(dǎo)電圖案120除了與通道CH重疊外， 更可選擇性地與掃描線SL重疊。當(dāng)掃描線SL被第一貫孔Hl貫穿時(即掃描線SL發(fā)生斷線時)。掃描線SL具有被第一貫孔Hl截出的第一邊緣El及第二邊緣E2，而第一邊緣El 及第二邊緣E2可與遮光導(dǎo)電圖案120實質(zhì)上重疊。這樣一來，如圖2B所示，制造者便可利用雷射L使第一邊緣El透過遮光導(dǎo)電圖案120與第二邊緣E2電性連接，進而使受損的畫素結(jié)構(gòu)100仍可正常運作。詳言之，在本實施例中，可先利用雷射L將第一絕緣層130打穿，而使第一絕緣層 130曝露出與第一邊緣El及第二邊緣E2相鄰的部份遮光導(dǎo)電圖案120。然后，再利用一導(dǎo)電材料170(例如鎢)將第一邊緣El及第二邊緣E2分別與遮光導(dǎo)電圖案120電性連接。如此一來，被第一貫孔Hl隔開的第一邊緣El及第二邊緣E2便可透過遮光導(dǎo)電圖案120而電性連接，而使掃描線SL仍可順利地傳遞訊號，進而使畫素結(jié)構(gòu)100仍可正常運作。然而，本發(fā)明不限于上二段所述，本實施例的遮光導(dǎo)電圖案120亦可用于修補儲存電容圖案140。以下配圖3A、圖3B說明。圖3A是圖IA的畫素結(jié)構(gòu)的儲存電容圖案發(fā)生斷線的情形。圖3B為沿圖3A的剖線C-C’所繪的剖面圖。請參照圖3A與圖3B，本實施例的遮光導(dǎo)電圖案120除了與通道CH重疊外，更可選擇性地與儲存電容圖案140重疊。當(dāng)儲存電容圖案140被第二貫孔H2貫穿時(即儲存電容圖案140發(fā)生斷線時)。儲存電容圖案 140具有被第二貫孔H2截出的第三邊緣E3及第四邊緣E4。第三邊緣E3及第四邊緣E4可與遮光導(dǎo)電圖案120實質(zhì)上重疊。這樣一來，可利用雷射L使第三邊緣E3透過遮光導(dǎo)電圖案120與第四邊緣E4電性連接，而修補儲存電容圖案140的斷線區(qū)域，進而使受損的畫素結(jié)構(gòu)100仍可正常運用。類似地，在本實施例中，制造者可先利用雷射L將第一絕緣層130打穿，而使第一絕緣層130曝露出與第三邊緣E3及第四邊緣E4相鄰的部份的遮光導(dǎo)電圖案120。然后，再利用一導(dǎo)電材料170 (例如鎢)將第三邊緣E3及第四邊緣E4分別與遮光導(dǎo)電圖案120電性連接。如此一來，被第二貫孔H2隔開的第三邊緣E3及第四邊緣E4便可透過遮光導(dǎo)電圖案120而電性連接，而使儲存電容圖案140仍可順利地傳遞訊號，進而使畫素結(jié)構(gòu)100仍可正常運作。此外，需說明的是，若儲存電容圖案140及掃描線SL皆發(fā)生斷線的問題時，遮光導(dǎo)電圖案120可同時用以修補儲存電容圖案140及掃描線SL。詳言之，制造者先可用雷射將遮光導(dǎo)電圖案120切割成分別與儲存電容圖案140及掃描線SL重疊且彼此電性絕緣的二個遮光導(dǎo)電子圖案(未繪示)。接著，再分別利用對應(yīng)的遮光導(dǎo)電子圖案修補儲存電容圖案 140及掃描線SL。需說明的是，本實施例的畫素結(jié)構(gòu)100可用以形成一主動元件陣列基板。具有畫素結(jié)構(gòu)100的主動元件陣列基板可進一步與對向基板以及位于主動元件陣列基板與對向基板之間的顯示介質(zhì)組成一顯示面板。值得一提的是，在本實施例中，畫素結(jié)構(gòu)100的遮光導(dǎo)電圖案120會被對向基板的遮光層完全地覆蓋。換言之，本實施例的遮光導(dǎo)電圖案120 在改善光漏電問題的同時，并不會影響顯示面板的透光率(transmittance)。綜上所述，在本發(fā)明一實施例的畫素結(jié)構(gòu)可利用完全遮蔽通道的遮光導(dǎo)電圖案改善公知技術(shù)中薄膜晶體管光漏電的問題。此外，在本發(fā)明一實施例的畫素結(jié)構(gòu)的遮光導(dǎo)電圖案亦可與掃描線、儲存電容圖案或其兩者重疊。如此一來，當(dāng)掃描線、儲存電容圖案或其兩者發(fā)生斷線問題時，遮光導(dǎo)電圖案便可作為修補線來使用，進而使發(fā)生斷線問題的畫素結(jié)構(gòu)經(jīng)修補后仍可正常使用。雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一基板；一遮光導(dǎo)電圖案，位于該基板上；一第一絕緣層，覆蓋該基板以及該遮光導(dǎo)電圖案；一薄膜晶體管，該第一絕緣層位于該薄膜晶體管與該基板之間，其中該薄膜晶體管具有一通道層，該薄膜晶體管的該通道層被該遮光導(dǎo)電圖案完全地遮蔽；以及一畫素電極，與該薄膜晶體管電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括與該薄膜晶體管電性連接的一掃描線，其中該遮光導(dǎo)電圖案與該掃描線重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該掃描線具有被一第一貫孔截出的一第一邊緣及一第二邊緣，該第一邊緣及該第二邊緣與該遮光導(dǎo)電圖案實質(zhì)上重疊，且該第一邊緣透過該遮光導(dǎo)電圖與該第二邊緣電性連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括與該畫素電極重疊的一儲存電容圖案，其中該遮光導(dǎo)電圖案與該儲存電容圖案重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該儲存電容圖案具有被一第二貫孔截出的一第三邊緣及一第四邊緣，該第三邊緣及該第四邊緣與該遮光導(dǎo)電圖案實質(zhì)上重疊，且該第三邊緣透過該遮光導(dǎo)電圖與該第四邊緣電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該薄膜晶體管更具有一源極與一汲極，分別位于該通道層相對兩側(cè)且與該通道層重疊，而該汲極與該畫素電極電性連接；以及一閘極，與該源極、該汲極以及該通道層重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括 一資料線，與該源極電性連接；一掃描線，與該資料線交錯且與該閘極電性連接 一儲存電容圖案，與該畫素電極重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該閘極、該掃描線以及該儲存電容圖案屬于同一膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一第二絕緣層，覆蓋該閘極、 該掃描線、該儲存電容圖案以及該基板，且位于該通道層與該閘極之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一第三絕緣層，覆蓋該薄膜晶體管以及該基板，該第三絕緣層具有一開口，該開口曝露出該薄膜晶體管的該汲極，該畫素電極填入該開口而與該薄膜晶體管的該汲極接觸。
全文摘要
一種畫素結(jié)構(gòu)，包括基板、遮光導(dǎo)電圖案、第一絕緣層、薄膜晶體管以及畫素電極。遮光導(dǎo)電圖案位于基板上。第一絕緣層覆蓋基板以及遮光導(dǎo)電圖案。第一絕緣層位于薄膜晶體管與基板之間。薄膜晶體管具有通道。薄膜晶體管的通道被遮光導(dǎo)電圖案完全地遮蔽。畫素電極與薄膜晶體管電性連接。
文檔編號G02F1/1368GK102445803SQ20121000171
公開日2012年5月9日 申請日期2012年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月5日
發(fā)明者許宇嬋, 陳柏瑋, 馬竣人, 黃雋堯 申請人:中華映管股份有限公司, 福建華映顯示科技有限公司