專利名稱：一種鍍膜方法及鍍膜設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種鍍膜方法及鍍膜設(shè)備。
技術(shù)背景
液晶顯示器是一種放置在光源或者反射面前方的平面超薄的顯示設(shè)備，其主要原理是以電流刺激液晶分子產(chǎn)生點(diǎn)、線、面配合背部燈管構(gòu)成畫面。液晶顯示器功耗很低，因此廣泛應(yīng)用于使用電池的電子設(shè)備中。然而，現(xiàn)有液晶顯示器在使用過(guò)程中，產(chǎn)生靜電。而靜電自身產(chǎn)生電場(chǎng)，從而影響液晶顯示器內(nèi)部電場(chǎng)，進(jìn)一步影響刺激液晶分子的電流，導(dǎo)致液晶顯示器顯示畫面失真。
為了消除靜電對(duì)液晶顯示器顯示畫面的影響，在液晶顯示器的彩色濾光片的背面上鍍一層ITOandium Tin Oxides，納米銦錫金屬氧化物)膜?，F(xiàn)有鍍膜方法為第一步， 清洗彩色濾光片；第二步，在彩色濾光片的背面進(jìn)行高溫鍍膜。
然而，在高溫鍍膜過(guò)程中，高溫加熱導(dǎo)致彩色濾光片變形破裂，降低產(chǎn)品合格率。 同時(shí)，高溫鍍膜要采用專有高溫加熱腔室對(duì)彩色濾光片加熱，設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，價(jià)格高。發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明公開(kāi)一種鍍膜方法，以解決高溫鍍膜導(dǎo)致的產(chǎn)品合格率降低，設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜和價(jià)格高的問(wèn)題。
本發(fā)明還公開(kāi)了一種鍍膜設(shè)備，用以保證上述方法在實(shí)際中的實(shí)現(xiàn)及應(yīng)用。
基于本發(fā)明的一方面，公開(kāi)一種鍍膜方法，包括
清洗彩色濾光片；
在所述彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背面鍍有一層納米銦錫金屬氧化物ITO膜；
對(duì)所述ITO膜進(jìn)行高溫退火。
優(yōu)選地，所述低溫范圍為20°C至100°C。
優(yōu)選地，所述高溫范圍為150°C至300°C。
優(yōu)選地，經(jīng)過(guò)所述高溫退火后在所述彩色濾光片的背面形成的ITO膜的厚度為 200-300 埃。
基于本發(fā)明的一方面，還公開(kāi)一種鍍膜設(shè)備，包括
清洗機(jī)臺(tái)，用于清洗彩色濾光片；
鍍膜機(jī)臺(tái)，用于在所述彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背面鍍有一層納米銦錫金屬氧化物ITO膜；
退火機(jī)臺(tái)，用于對(duì)所述ITO膜進(jìn)行高溫退火。
優(yōu)選地，所述低溫范圍為20°C至100°C。
優(yōu)選地，所述高溫范圍為150°C至300°C。
優(yōu)選地，所述退火機(jī)臺(tái)在對(duì)所述彩色濾光片高溫退火后在所述彩色濾光片的背面形成的ITO膜的厚度為200-300埃。
在本實(shí)施例中，在進(jìn)行清洗后的彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，并對(duì)彩色濾光片的背面鍍上的ITO膜進(jìn)行高溫退火。由于低溫鍍膜和高溫退火可以避免了彩色濾光片破裂，從而增加產(chǎn)品合格率。同時(shí)，低溫鍍膜無(wú)需采用專有高溫加熱腔室對(duì)彩色濾光片加熱， 設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化，價(jià)格降低。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的鍍膜方法的流程圖2為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)框圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。
在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。
其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
請(qǐng)參閱圖1，其示出了本發(fā)明公開(kāi)的鍍膜方法的一種流程圖，可以包括以下步驟
步驟101 清洗彩色濾光片。
在本實(shí)施例中，清洗方式可以為超聲波清洗，或者使用清水清洗。
步驟102 在所述彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背面鍍有一層ITO膜。其中在低溫鍍膜過(guò)程中，將彩色濾光片放置在真空環(huán)境中，在低溫范圍為 20°C至100°C下進(jìn)行鍍膜，因此，不需要有專門的高溫加熱腔室，可以簡(jiǎn)化鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)， 降低設(shè)備成本。
步驟103 對(duì)所述ITO膜進(jìn)行高溫退火。其中在高溫退火過(guò)程中，將低溫鍍膜后的彩色濾光片放置在氮?dú)獗Ｗo(hù)環(huán)境中，在高溫范圍為150°C至300°C下進(jìn)行退火。經(jīng)過(guò)高溫退火后，在彩色濾光片的背面形成的ITO膜的厚度為200-300埃。
應(yīng)用上述技術(shù)方案，在進(jìn)行清洗后的彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，并對(duì)彩色濾光片的背面鍍上的ITO膜進(jìn)行高溫退火。由于低溫鍍膜和高溫退火可以避免了彩色濾光片破裂，從而增加產(chǎn)品合格率。同時(shí)，低溫鍍膜無(wú)需采用專有高溫加熱腔室對(duì)彩色濾光片加熱，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化，價(jià)格降低。
與上述方法實(shí)施例相對(duì)應(yīng)，本發(fā)明還公開(kāi)了一種鍍膜設(shè)備10，其結(jié)構(gòu)框圖請(qǐng)參閱圖2，包括清洗機(jī)臺(tái)11、鍍膜機(jī)臺(tái)12和退火機(jī)臺(tái)13。
清洗機(jī)臺(tái)11，用于清洗彩色濾光片。其中，在本實(shí)施例中，清洗方式可以為超聲波清洗，或者使用清水清洗。
鍍膜機(jī)臺(tái)12，用于在所述彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背面鍍有一層ITO膜。其中在低溫鍍膜過(guò)程中，鍍膜機(jī)臺(tái)12中保持真空環(huán)境中，在低溫范圍為20°C至100°C下進(jìn)行鍍膜，因此，鍍膜機(jī)臺(tái)12中不需要設(shè)有專門的高溫加熱腔室，可以簡(jiǎn)化鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)，降低設(shè)備成本。
退火機(jī)臺(tái)13，用于對(duì)所述ITO膜進(jìn)行高溫退火。其中在高溫退火過(guò)程中，退火機(jī)臺(tái)13中沖入氮?dú)猓瑢⒌蜏劐兡ず蟮牟噬珵V光片放置在氮?dú)獗Ｗo(hù)環(huán)境中，在高溫范圍為 150°C至300°C下進(jìn)行退火。經(jīng)過(guò)高溫退火后，在彩色濾光片的背面形成的ITO膜的厚度為 200-300 埃。
需要說(shuō)明的是本實(shí)施例中的清洗機(jī)臺(tái)11、鍍膜機(jī)臺(tái)12和退火機(jī)臺(tái)13是生產(chǎn)工藝過(guò)程中三個(gè)獨(dú)立的設(shè)備。
應(yīng)用上述技術(shù)方案，鍍膜設(shè)備10包括三個(gè)獨(dú)立的設(shè)備——清洗機(jī)臺(tái)11、鍍膜機(jī)臺(tái) 12和退火機(jī)臺(tái)13，其中，鍍膜機(jī)臺(tái)12中不需要設(shè)有專門的高溫加熱腔室，而退火機(jī)臺(tái)13可以采用現(xiàn)有的退火設(shè)備，因此簡(jiǎn)化鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)，降低設(shè)備成本。
以上所述實(shí)施例，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此， 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種鍍膜方法，其特征在于，包括 清洗彩色濾光片；在所述彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背面鍍有一層納米銦錫金屬氧化物ITO膜；對(duì)所述ITO膜進(jìn)行高溫退火。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，所述低溫范圍為20°C至100°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，所述高溫范圍為150°C至300°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，經(jīng)過(guò)所述高溫退火后在所述彩色濾光片的背面形成的ITO膜的厚度為200-300埃。
5.一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括 清洗機(jī)臺(tái)，用于清洗彩色濾光片；鍍膜機(jī)臺(tái)，用于在所述彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背面鍍有一層納米銦錫金屬氧化物ITO膜；退火機(jī)臺(tái)，用于對(duì)所述ITO膜進(jìn)行高溫退火。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述低溫范圍為20°C至100°C。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述高溫范圍為150°C至300°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述退火機(jī)臺(tái)在對(duì)所述彩色濾光片高溫退火后在所述彩色濾光片的背面形成的ITO膜的厚度為200-300埃。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種鍍膜方法和鍍膜設(shè)備。一種鍍膜方法，包括清洗彩色濾光片；在所述彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背面鍍有一層納米銦錫金屬氧化物ITO膜；對(duì)所述ITO膜進(jìn)行高溫退火。在本實(shí)施例中，在進(jìn)行清洗后的彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，并對(duì)彩色濾光片的背面鍍上的ITO膜進(jìn)行高溫退火。由于低溫鍍膜和高溫退火可以避免了彩色濾光片破裂，從而增加產(chǎn)品合格率。同時(shí)，低溫鍍膜無(wú)需采用專有高溫加熱腔室對(duì)彩色濾光片加熱，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化，價(jià)格降低。
文檔編號(hào)G02B5/20GK102517545SQ20121001158
公開(kāi)日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2012年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月13日
發(fā)明者于春崎, 任思雨, 李建, 李建華, 胡君文, 謝凡 申請(qǐng)人:信利半導(dǎo)體有限公司