專利名稱：畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法，且特別是關(guān)于一種使用半調(diào)式光罩制程的畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今社會(huì)多媒體技術(shù)相當(dāng)發(fā)達(dá)，多半受惠于半導(dǎo)體元件與顯示裝置的進(jìn)步。就顯示器而言，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器已逐漸成為市場(chǎng)的主流。一般而言，薄膜晶體管液晶顯示器主要是由薄膜晶體管陣列基板、彩色濾光片基板與夾于此兩基板之間的液晶層所構(gòu)成。公知的薄膜晶體管陣列基板包括多條掃描線、多條資料線以及多個(gè)畫素結(jié)構(gòu)。詳細(xì)地說，各畫素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管與畫素電極。薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的閘極、位于閘極上的通道層、位于通道層上的源極與汲極。源極與資料線電性連接。汲極與畫素電極電性連接。在公知技術(shù)中，制作畫素結(jié)構(gòu)時(shí)必須將沉積在基板上的膜層分別圖案化以形成所需的元件。更進(jìn)一步地說，公知的畫素結(jié)構(gòu)大致上由第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、第二絕緣層以及透明導(dǎo)電層依序地被圖案化而形成。詳言之，第一金屬層被圖案化后，形成掃描線與間極。半導(dǎo)體層被圖案化后，形成通道層。第二金屬層被圖案化后，形成資料線以及覆蓋在通道層相對(duì)兩側(cè)的源極與汲極。第二金屬層被圖案化后，第二絕緣層被形成在資料線、源極和汲極上方。之后，第二絕緣層被圖案化以形成開口。此開口貫穿第二絕緣層并曝露出薄膜晶體管的汲極。接著，透明導(dǎo)電層被形成在第二絕緣層上。最后，圖案化透明導(dǎo)電層以形成畫素電極圖案，其中畫素電極圖案透過所述的開口與薄膜晶體管的汲極電性連接。由于上述的多個(gè)膜層(即第一金屬層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、第二絕緣層以及透明導(dǎo)電層)必須分別被圖案化，所以公知畫素結(jié)構(gòu)的制作需使用多道光罩制程。然而，每一道光罩制程都需耗費(fèi)時(shí)間與金錢，故在時(shí)間與成本的考量下，如何縮減光罩?jǐn)?shù)量，實(shí)為目前研發(fā)人員亟欲解決的問題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其具有減少光罩?jǐn)?shù)量及降低制造成本的優(yōu)
點(diǎn)ο本發(fā)明提供一種畫素結(jié)構(gòu)，其制造成本低。本發(fā)明提供一種畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟。提供基板，并在基板上形成薄膜晶體管。再在基板上形成絕緣層，以覆蓋基板以及薄膜晶體管。接著，利用半調(diào)式光罩圖案化絕緣層，以形成凸起圖案、與凸起圖案連接的凹陷圖案以及位于凹陷圖案中的開口。 凸起圖案的厚度大于凹陷圖案的厚度。開口貫穿凹陷圖案而曝露出薄膜晶體管的汲極。然后，在基板上形成透光導(dǎo)電層，以覆蓋凸起圖案、凹陷圖案并填入開口。而后，形成平坦層，以覆蓋透光導(dǎo)電層。最后，移除位于凸起圖案上的部分平坦層、部份透光導(dǎo)電層以及開口中的部分平坦層，而使透光導(dǎo)電層形成一畫素電極圖案。本發(fā)明提供一種畫素結(jié)構(gòu)，包括基板、薄膜晶體管、絕緣層以及畫素電極圖案。薄膜晶體管配置在基板上。絕緣層覆蓋薄膜晶體管。絕緣層包括凸起圖案以及與凸起圖案連接的凹陷圖案。凸起圖案的厚度大于凹陷圖案的厚度。凹陷圖案具有開口。此開口曝露出薄膜晶體管的汲極。畫素電極圖案配置在絕緣層上且填入開口中，而與薄膜晶體管的汲極電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的移除位于凸起圖案上的部分平坦層以及部份透光導(dǎo)電層，而使透光導(dǎo)電層形成畫素電極圖案的方法包括下列步驟。移除位于凸起圖案上的部分平坦層，以曝露出部分透光導(dǎo)電層。移除被平坦層曝露出的部分透光導(dǎo)電層，而形成畫素電極圖案。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的移除位于凸起圖案上的部分平坦層，以曝露出部分透光導(dǎo)電層的步驟包括對(duì)平坦層進(jìn)行灰化(Ashing)制程。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的在基板上形成絕緣層以覆蓋基板以及薄膜晶體管的步驟為在基板上形成絕緣層以全面性地覆蓋基板以及薄膜晶體管。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的絕緣層具有相對(duì)的第一表面與第二表面，絕緣層的第一表面與薄膜晶體管接觸，而絕緣層的第二表面實(shí)質(zhì)上為與基板平行的平面。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的絕緣層的材質(zhì)包括有機(jī)光阻。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的在基板上形成透光導(dǎo)電層以覆蓋凸起圖案、凹陷圖案并填入開口的步驟包括在基板上形成透光導(dǎo)電層以全面性覆蓋凸起圖案、凹陷圖案以及開口。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的形成平坦層以覆蓋透光導(dǎo)電層的步驟包括形成平坦層以全面性覆蓋透光導(dǎo)電層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的平坦層具有相對(duì)的第一表面以及一第二表面，平坦層的第一表面與透光導(dǎo)電層接觸，而平坦層的第二表面實(shí)質(zhì)上為與基板平行的平面。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的畫素電極圖案覆蓋凹陷圖案而未覆蓋凸起圖案。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的畫素電極圖案在基板上的正投影與凹陷圖案在基板上的正投影實(shí)質(zhì)上重合。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的凸起圖案覆蓋薄膜晶體管的通道層，而凹陷圖案覆蓋薄膜晶體管的汲極且未覆蓋薄膜晶體管的通道層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的畫素結(jié)構(gòu)更包括彼此交錯(cuò)的資料線與掃描線，其中資料線與薄膜晶體管的源極電性連接，而掃描線與薄膜晶體管的閘極電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的凸起圖案覆蓋薄膜晶體管的通道層、資料線以及掃描線?；谏鲜?，在本發(fā)明的畫素結(jié)構(gòu)制程中，利用半調(diào)式光罩圖案化絕緣層，以形成具有高低落差的凸起圖案與凹陷圖案。利用所述的凸起圖案與凹陷圖案可定義出畫素電極圖案，進(jìn)而使制作本發(fā)明的畫素結(jié)構(gòu)所需的光罩?jǐn)?shù)量可減少。如此一來，本發(fā)明的畫素結(jié)構(gòu)的制作成本便可有效地降低。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。


圖IA至圖12A為本發(fā)明的一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作流程上視示意圖。圖IB至圖12B分別為對(duì)應(yīng)圖IA至圖12A的剖線A_A’剖面示意圖。圖中100畫素結(jié)構(gòu)，110基板，120薄膜晶體管，121掃描線，121a閘極，122閘絕緣層，124通道層，126a汲極，126b源極，126c資料線，130絕緣層，130a、160a第一表面，130b、 160b第二表面，132凸起圖案，134凹陷圖案，140a、140b、140c圖樣，150透光導(dǎo)電層，150， 畫素電極圖案，160平坦層，W開口，H1、H1’、H2厚度，A-A’剖線。
具體實(shí)施例方式畫素結(jié)構(gòu)的制作流程
圖IA至圖12Α為本發(fā)明的一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作流程上視示意圖。圖IB至圖12Β 分別為對(duì)應(yīng)圖IA至圖12Α沿剖線Α-Α’的剖面示意圖。要說明的是，在圖IA至圖12Α中， 若膜層的邊界實(shí)質(zhì)上與其他膜層重疊時(shí)，上視圖中僅標(biāo)示位于最上層的膜層。因此，圖IA 至圖12Α省略了部分構(gòu)件的標(biāo)示，故請(qǐng)同時(shí)參照相對(duì)應(yīng)的剖面示意圖(即圖IB至圖12Β)。 以下將配合圖IA至圖12Α以及IB至圖12Β詳細(xì)說明本發(fā)明一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作流程。請(qǐng)先參照?qǐng)DIA與圖1Β，首先，在基板110上形成第一金屬層(未繪示)。接著，圖案化此第一金屬層以形成閘極121a以及與閘極121a電性連接的掃描線121。在本實(shí)施例中，閘極121a可為掃描線121的一部份。然而，本發(fā)明不以此為限，在其他實(shí)施例中，閘極 121a亦可為由掃描線121向外延伸的分支。在本實(shí)施例中，掃描線121與閘極121a—般是使用金屬材料。然而，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實(shí)施例，掃描線121與閘極121a也可以使用其他導(dǎo)電材料。例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆棧層。請(qǐng)參照?qǐng)D2A與圖2B，接著，形成閘絕緣層122于基板110上。在本實(shí)施例中，閘絕緣層122例如是全面性地覆蓋基板110、閘極121a與掃描線121。在本實(shí)施例中，閘絕緣層122的材料可為無機(jī)材料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆棧層)、有機(jī)材料或上述的組合。請(qǐng)參照?qǐng)D3A與圖;3B，接著，在閘絕緣層122上形成半導(dǎo)體層(未繪示)。接著，圖案化此半導(dǎo)體層以形成通道層124。通道層IM與閘極121a重疊。通道層124的材料可為晶硅、非晶硅、多晶硅、氧化物等的材料。請(qǐng)參照?qǐng)D4A與圖4B，接著，形成第二金屬層(未繪示)以覆蓋通道層IM及基板 110。然后，圖案化此第二金屬層以形成源極1 、汲極126a以及與源極126b電性連接的資料線126c。至此，薄膜晶體管120便初步制作完成。需說明的是，上述的形成薄膜晶體管120的方法是以形成底閘極(bottom gate)薄膜晶體管的方法為示例。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，薄膜晶體管120亦可為頂閘極(top gate)薄膜晶體管或其他形式的薄膜晶體管。形成頂閘極(top gate)薄膜晶體管或其他形式的薄膜晶體管的方法為此領(lǐng)域具有通常知識(shí)所熟知，于此便不再詳述。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D5A與圖5B，接著，形成一絕緣層130以覆蓋基板110以及薄膜晶體管120。在本實(shí)施例中，絕緣層130可是全面性地覆蓋基板110以及薄膜晶體管120。詳言之，絕緣層130具有相對(duì)的一第一表面130a與一第二表面130b，其中絕緣層130的第一表面130a與薄膜晶體管120接觸，而絕緣層130的第二表面130b可為實(shí)質(zhì)上與基板110平行的平面。在本實(shí)施例中，絕緣層130的材質(zhì)可為有機(jī)光阻，且此有機(jī)光阻可為正型光阻。 然而，本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，有機(jī)光阻亦可為負(fù)型光阻。此外，絕緣層130的厚度Hl例如是2微米至3微米。請(qǐng)參照?qǐng)D6A與圖6B，利用半調(diào)式光罩140圖案化此絕緣層130。在本實(shí)施例中具體而言，此半調(diào)式光罩140例如具有三種不同透光程度的圖樣140a、圖樣140b與圖樣 140c，其中圖樣140b的透光度例如是介于圖樣140a與圖樣140c之間。更進(jìn)一步地說，圖樣 140a例如是完全透光，圖樣140c例如是不透光，而圖樣140b的透光程度例如是圖樣140a 與圖樣140c中間。請(qǐng)參照?qǐng)D7A與圖7B，利用于半調(diào)式光罩140對(duì)絕緣層130曝光后，進(jìn)行顯影工程以使絕緣層130形成凸起圖案132、與凸起圖案132連接的凹陷圖案134以及位于凹陷圖案 134中的開口 W，其中開口 W貫穿凹陷圖案134而曝露出薄膜晶體管120的汲極126a。更詳細(xì)地說，在本實(shí)施例中，開口 W可利用透光度最高的圖樣140a形成，凹陷圖案134可利用透光度次高的圖樣140b形成，而凸起圖案132可利用透光度最低的圖樣140c形成。在本實(shí)施例中，凸起圖案132覆蓋薄膜晶體管120的通道層124、資料線126b與掃描線121。凹陷圖案134覆蓋薄膜晶體管120的汲極126a且未覆蓋薄膜晶體管120的通道層124。此外， 凸起圖案132的厚度Hl大于凹陷圖案134的厚度ΗΓ。請(qǐng)參照?qǐng)D8A與圖8B，接著，在基板110上形成透光導(dǎo)電層150以覆蓋凸起圖案 132、凹陷圖案134并填入開口 W中。在本實(shí)施例中，透光導(dǎo)電層150例如是全面性覆蓋凸起圖案132、凹陷圖案134以及開口 W。在本實(shí)施例中，透光導(dǎo)電層150的材質(zhì)可為金屬氧化物，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆棧層。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D9A與圖9B，接著，在基板110上形成一平坦層160，以覆蓋透光導(dǎo)電層150。在本實(shí)施例中，平坦層160全面性覆蓋透光導(dǎo)電層150。本實(shí)施例的平坦層160的材料例如是無機(jī)光阻，亦即公知技術(shù)用于圖案化第一金屬層與第二金屬層以分別形成閘極與源極、汲極的光阻但本發(fā)明不以此為限。此外，平坦層160例如是全面性覆蓋透光導(dǎo)電層 150。具體而言，平坦層160具有相對(duì)的第一表面160a以及一第二表面160b。平坦層160 的第一表面160a與透光導(dǎo)電層150接觸，而平坦層160的第二表面160b可為實(shí)質(zhì)上為與基板110平行的一平面。在本實(shí)施例中，平坦層160的厚度H2可介于例如是1微米至2. 2 微米。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)DIOA與圖10B，接著，可進(jìn)行上述無機(jī)光阻的去除步驟。在本實(shí)施例中，上述去除無機(jī)光阻的方法例如是對(duì)平坦層160進(jìn)行一灰化(Ashing)制程。詳言之，在本實(shí)施例中，可利用電漿蝕刻(Plasma Etching)中，離子轟擊(ion- bombardment)的方法去移除平坦層160的上半部。移除平坦層160的上半部后，位于凸起圖案132上的部分平坦層160被去除，而曝露出部分透光導(dǎo)電層150。另一方面，凹陷圖案134上則仍殘留部分平坦層160。
請(qǐng)參照?qǐng)DIlA與圖11B，接著，移除被平坦層160所曝露出的部分透光導(dǎo)電層150， 而使透光導(dǎo)電層150形成畫素電極圖案150’。在本實(shí)施例中，可以蝕刻方式移除部分透光導(dǎo)電層150。上述的蝕刻方式不限于干蝕刻或是濕蝕刻。此外，由于此時(shí)凸起圖案132上的部分透光導(dǎo)電層150被移除，故曝露出凸起圖案132。請(qǐng)參照?qǐng)D12A與圖12B，接著，可移除殘留在凹陷圖案134與開口 W中的部分的平坦層160，而曝露出畫素電極圖案150’。詳言之，在本實(shí)施例中，可利用光阻剝膜(photo resist stripping)劑移除殘留在凹陷圖案134與開口 W中的部分平坦層160。于此，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)100便制作完成。值得一提的是，在本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)100制程中，利用半調(diào)式光罩140圖案化絕緣層130，以形成具有高低落差的凸起圖案132與凹陷圖案134。并利用凹陷圖案134定義出畫素電極圖案150’，進(jìn)而使制作本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)100所需的光罩?jǐn)?shù)量減少。如此一來，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)100的制作成本便可有效地降低。此外，上述的以具有高低落差的凸起圖案132與凹陷圖案134定義出畫素電極圖案150’的方法亦可應(yīng)用于任何需要絕緣層與畫素電極的結(jié)構(gòu)中，例如觸控面板、半穿透半反射面板、IPS面板或FFS面板的制程中。請(qǐng)參照?qǐng)D12A及圖12B，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)100包括基板110、薄膜晶體管120、 絕緣層130以及畫素電極圖案150’。薄膜晶體管120配置在基板110上。薄膜晶體管120 包括閘極121a、閘絕緣層122、通道層124、源極126b以及汲極126a。如圖12A所示，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)100可進(jìn)一步包括資料線126c與掃描線121。 資料線126c與薄膜晶體管120的源極126b電性連接。掃描線121與薄膜晶體管120的閘極121a電性連接。本實(shí)施例的絕緣層130覆蓋薄膜晶體管120。更進(jìn)一步地說，絕緣層130包括凸起圖案132與凹陷圖案134。凹陷圖案134與凸起圖案132連接。凸起圖案132具有曝露出薄膜晶體管120的汲極126a。更詳細(xì)地說，凸起圖案132覆蓋薄膜晶體管120的通道層124、 資料線126c與掃描線121。凹陷圖案134覆蓋薄膜晶體管120的汲極126a且未覆蓋薄膜晶體管120的通道層124。另外，凸起圖案132的厚度Hl大于凹陷圖案134的厚度ΗΓ。本實(shí)施例的畫素電極圖案150’配置在絕緣層130上并填入開口 W中，以使畫素電極圖案150’與薄膜晶體管120的汲極126a電性連接。值得注意的是，畫素電極圖案150’ 覆蓋凹陷圖案134而未覆蓋凸起圖案132。此外，畫素電極圖案150’在基板110上的正投影與凹陷圖案134在基板110上的正投影實(shí)質(zhì)上重合。在本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)100的制程中，可利用具有高低落差的凸起圖案132與凹陷圖案134定義出畫素電極圖案150’，故制作本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)100所需的光罩?jǐn)?shù)量可減少。換言之，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)100具有低制作成本的優(yōu)勢(shì)。綜上所述，在本發(fā)明一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)制程中，利用半調(diào)式光罩圖案化絕緣層， 以形成具有高低落差的凸起圖案與凹陷圖案。利用所述的凸起圖案與凹陷圖案可定義出畫素電極圖案，進(jìn)而使制作本發(fā)明一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)所需的光罩?jǐn)?shù)量可減少。如此一來，本發(fā)明一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作成本便可有效地降低。此外，以此方法制作的畫素結(jié)構(gòu)亦具有低制作成本的優(yōu)勢(shì)。雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括提供一基板；在該基板上形成一薄膜晶體管；在該基板上形成一絕緣層，以覆蓋該基板以及該薄膜晶體管；利用一半調(diào)式光罩圖案化該絕緣層，以形成一凸起圖案、與該凸起圖案連接的一凹陷圖案以及位于該凹陷圖案中的一開口，其中該凸起圖案的厚度大于該凹陷圖案的厚度，該開口貫穿該凹陷圖案而曝露出該薄膜晶體管的一汲極；在該基板上形成一透光導(dǎo)電層，以覆蓋該凸起圖案、該凹陷圖案并填入該開口 ；形成一平坦層，以覆蓋該透光導(dǎo)電層；以及移除位于該凸起圖案上的部分該平坦層、部份該透光導(dǎo)電層以及該開口中的部分平坦層，而使該透光導(dǎo)電層形成一畫素電極圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，移除位于該凸起圖案上的部分該平坦層以及部份該透光導(dǎo)電層，而使該透光導(dǎo)電層形成該畫素電極圖案的步驟包括移除位于該凸起圖案上的部分該平坦層，以曝露出部分透光導(dǎo)電層；以及移除被該平坦層曝露出的該部分透光導(dǎo)電層，而形成該畫素電極圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，移除位于該凸起圖案上的部分該平坦層，以曝露出部分透光導(dǎo)電層的步驟包括對(duì)該平坦層進(jìn)行一灰化制程。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于在該基板上形成該絕緣層以覆蓋該基板以及該薄膜晶體管的步驟包括在該基板上形成該絕緣層以全面性地覆蓋該基板以及該薄膜晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該絕緣層具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面，該絕緣層的該第一表面與該薄膜晶體管接觸，而該絕緣層的該第二表面實(shí)質(zhì)上為與該基板平行的一平面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該絕緣層的材質(zhì)包括一有機(jī)光阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該凸起圖案覆蓋該薄膜晶體管的一通道層，而該凹陷圖案覆蓋該薄膜晶體管的一汲極且未覆蓋該薄膜晶體管的該通道層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于在該基板上形成該透光導(dǎo)電層以覆蓋該凸起圖案、該凹陷圖案并填入該開口的步驟包括在該基板上形成該透光導(dǎo)電層以全面性覆蓋該凸起圖案、該凹陷圖案以及該開口。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于形成該平坦層以覆蓋該透光導(dǎo)電層的步驟包括形成該平坦層以全面性覆蓋該透光導(dǎo)電層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該平坦層具有相對(duì)的第一表面以及一第二表面，該平坦層的該第一表面與該透光導(dǎo)電層接觸，而該平坦層的該第二表面實(shí)質(zhì)上為與該基板平行的一平面。
11.一種畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板；一薄膜晶體管，配置在該基板上；一絕緣層，覆蓋該薄膜晶體管，該絕緣層包括一凸起圖案；以及一凹陷圖案，與該凸起圖案連接，其中該凸起圖案的厚度大于該凹陷圖案的厚度，且該凹陷圖案具有一開口，該開口曝露出該薄膜晶體管的一汲極；以及一畫素電極圖案，配置在該絕緣層上且填入該開口中，而與該薄膜晶體管的該汲極電性連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該畫素電極圖案覆蓋該凹陷圖案而未覆蓋該凸起圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該畫素電極圖案在該基板上的正投影與該凹陷圖案在該基板上的正投影實(shí)質(zhì)上重合。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該凸起圖案覆蓋該薄膜晶體管的一通道層，而該凹陷圖案覆蓋該薄膜晶體管的一汲極且未覆蓋該薄膜晶體管的該通道層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括彼此交錯(cuò)的一資料線與一掃描線，其中該資料線與該薄膜晶體管的一源極電性連接，而該掃描線與該薄膜晶體管的一閘極電性連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該該凸起圖案覆蓋該薄膜晶體管的一通道層、該資料線以及該掃描線。
全文摘要
本發(fā)明提出一種畫素結(jié)構(gòu)的制作方法。在基板上形成薄膜晶體管并形成絕緣層，以覆蓋基板以及薄膜晶體管。利用半調(diào)式光罩圖案化絕緣層而形成凸起圖案、與凸起圖案連接的凹陷圖案以及位于凹陷圖案中的開口。凸起圖案的厚度大于凹陷圖案的厚度。開口貫穿凹陷圖案而曝露出薄膜晶體管的汲極。形成透光導(dǎo)電層，以覆蓋凸起圖案、凹陷圖案并填入開口。形成平坦層，以覆蓋透光導(dǎo)電層。移除位于凸起圖案上的部分平坦層、部份透光導(dǎo)電層以及開口中的部分平坦層，而使透光導(dǎo)電層形成畫素電極圖案。一種以上述方法所制作的畫素結(jié)構(gòu)亦被提出。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102569190SQ201210029658
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2012年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月10日
發(fā)明者李育宗, 邱啟明, 高金字 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司, 福建華映顯示科技有限公司