專利名稱：用于前饋先進(jìn)工藝控制的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體制造，更具體地來(lái)說(shuō)，涉及半導(dǎo)體制造エ藝控制。
背景技術(shù)：
當(dāng)性能要求和生產(chǎn)能力需求量提高時(shí)，半導(dǎo)體制造エ藝控制甚至變得更加至關(guān)重要。然而，當(dāng)エ藝幾何形狀減小時(shí)，例如從60納米至45納米以及更小，將エ藝改變保持在可接受的等級(jí)是富有挑戰(zhàn)性的。同樣地，エ藝可能經(jīng)受工具產(chǎn)能損失、増加的操作員交互作用、成品率損失、以及更高的返工率，所有可能的損失都導(dǎo)致更高的成本。先進(jìn)エ藝控制(APC)可以由在其他エ藝控制技術(shù)中的模型和反饋系統(tǒng)組成，該先進(jìn)エ藝控制已經(jīng)被廣泛用于輔助減小一些變化。然而，尤其在新芯片設(shè)計(jì)的初始エ藝期間，可能缺少充分的APC方法。傳統(tǒng)上，當(dāng)需要在晶圓上實(shí)施新設(shè)計(jì)時(shí)，在諸如關(guān)鍵尺寸均勻性的質(zhì)量參數(shù)在容差范圍內(nèi)(每個(gè)周期與圖案化測(cè)試晶圓相對(duì)應(yīng))以前，試點(diǎn)エ藝試驗(yàn)可能需要三個(gè)或更多反饋周期。這些周期為時(shí)間消耗，并且每個(gè)額外周期可能是約試量產(chǎn)時(shí)間加上一天半。試量產(chǎn)需要多個(gè)周期的ー個(gè)原因是因?yàn)樽罴训陌雽?dǎo)體エ藝參數(shù)在初始周期未知。而且，エ藝反饋不可用直到第一周期之后。因此，雖然現(xiàn)有的APC技術(shù)通常適用于其預(yù)期目的，但是不能在所有方面完全滿足。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了ー種方法，包括提供要通過(guò)光刻工具處理所設(shè)置的晶圓，從而在其上形成新集成電路設(shè)計(jì)；選擇具有前集成電路設(shè)計(jì)的經(jīng)處理的晶圓；在蝕刻經(jīng)處理的晶圓以后，選擇從經(jīng)處理的晶圓中提取的多個(gè)臨界尺寸CD數(shù)據(jù)點(diǎn)；使用多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)創(chuàng)建新集成電路設(shè)計(jì)的初始曝光劑量圖；以及根據(jù)初始曝光劑量圖控制光刻エ具的曝光，從而在所設(shè)置的晶圓上形成新集成電路設(shè)計(jì)。該方法還包括通過(guò)將⑶與經(jīng)處理的晶圓上的位置相關(guān)的函數(shù)對(duì)多個(gè)⑶數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行建模；在新集成電路設(shè)計(jì)的所設(shè)置的晶圓上創(chuàng)建區(qū)域布局；以及其中，創(chuàng)建初始曝光劑量圖包括使用函數(shù)和區(qū)域布局創(chuàng)建初始曝光劑量圖。其中，創(chuàng)建初始曝光劑量圖包括使用函數(shù)計(jì)算經(jīng)處理的晶圓的平均⑶；使用函數(shù)計(jì)算區(qū)域布局中每個(gè)區(qū)域的平均CD;計(jì)算每個(gè)區(qū)域的ACD;使用ACD計(jì)算每個(gè)區(qū)域的劑量調(diào)節(jié)；創(chuàng)建具有區(qū)域布局的基線曝光劑量圖；以及通過(guò)將基線曝光劑量圖的每個(gè)區(qū)域和相應(yīng)的劑量調(diào)節(jié)相加來(lái)創(chuàng)建精確的曝光劑量圖。其中，計(jì)算每個(gè)區(qū)域的A⑶包括計(jì)算在每個(gè)區(qū)域的平均⑶和經(jīng)處理的晶圓的平均CD之間的差；以及其中，計(jì)算每個(gè)區(qū)域的劑量調(diào)節(jié)是基于將劑量改變與CD改變相關(guān)的數(shù)據(jù)。其中，選擇經(jīng)處理的晶圓是基于如下數(shù)據(jù)中的ー個(gè)或多個(gè)前集成電路設(shè)計(jì)與新集成電路設(shè)計(jì)的相似性；處理經(jīng)處理的晶圓的時(shí)間量；以及用于在經(jīng)處理的晶圓上形成前集成電路設(shè)計(jì)的エ藝工具。、
其中，選擇多個(gè)⑶數(shù)據(jù)點(diǎn)包括從經(jīng)處理的晶圓上的多個(gè)區(qū)域中選擇多個(gè)⑶數(shù)據(jù)點(diǎn)；以及選擇多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)的子集，子集包括從經(jīng)處理的晶圓上的多個(gè)區(qū)域中所提取的CD數(shù)據(jù)點(diǎn)。其中，選擇子集包括將經(jīng)處理的晶圓上的區(qū)域分為多個(gè)組；從多個(gè)組中的每ー個(gè)中隨機(jī)選擇主要區(qū)域；以及從主要區(qū)域中的每ー個(gè)中選擇第一數(shù)量的CD數(shù)據(jù)點(diǎn)，并且從晶圓上的剰余區(qū)域中的每ー個(gè)中選擇第二數(shù)量的CD數(shù)據(jù)點(diǎn)，第一數(shù)量大于第二數(shù)量。其中，多個(gè)組包括四個(gè)組；以及其中，第一數(shù)量的⑶數(shù)據(jù)點(diǎn)包括約60個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，并且第二數(shù)量的⑶數(shù)據(jù)點(diǎn)包括約16個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)。其中，函數(shù)為多項(xiàng)式函數(shù)。其中，多項(xiàng)式函數(shù)為澤尼克多項(xiàng)式函數(shù)。
此外，本發(fā)明提供了ー種方法，包括選擇在處理未處理的芯片設(shè)計(jì)時(shí)要使用的光刻工具和蝕刻工具；從歷史エ藝數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)庫(kù)中選擇關(guān)鍵尺寸CD數(shù)據(jù)的集合，關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)是從先前通過(guò)光刻工具和蝕刻工具所處理的晶圓中提取的，經(jīng)先前處理的晶圓的芯片設(shè)計(jì)與未處理的芯片設(shè)計(jì)基本相似；選擇CD數(shù)據(jù)的集合的子集，子集包括來(lái)自經(jīng)先前處理的晶圓上的多個(gè)區(qū)域的CD測(cè)量值；通過(guò)多項(xiàng)式函數(shù)建立CD測(cè)量值的區(qū)域間模型；創(chuàng)建未處理的芯片設(shè)計(jì)的區(qū)域布局；創(chuàng)建曝光劑量圖，從而在未處理的芯片設(shè)計(jì)的試點(diǎn)試驗(yàn)的第一周期期間控制光刻工具，該創(chuàng)建步驟包括通過(guò)區(qū)域布局創(chuàng)建基線曝光劑量圖；使用區(qū)域間模型進(jìn)行區(qū)域布局內(nèi)的每個(gè)區(qū)域的劑量調(diào)節(jié)；以及通過(guò)相應(yīng)的劑量調(diào)節(jié)更新基線曝光劑量圖的每個(gè)區(qū)域；以及使用光刻工具和蝕刻工具通過(guò)未處理的芯片設(shè)計(jì)將所設(shè)置的晶圓圖案化，通過(guò)曝光劑量圖控制光刻工具。其中，選擇⑶數(shù)據(jù)的集合部分地基于通過(guò)光刻工具處理先前處理的晶圓的時(shí)間量。其中，得到用于每個(gè)區(qū)域的劑量調(diào)節(jié)包括使用區(qū)域間模型計(jì)算用于先前處理的晶圓的平均CD ;使用區(qū)域間模型計(jì)算用于在區(qū)域布局中的每個(gè)區(qū)域的平均CD ;計(jì)算用于每個(gè)區(qū)域的ACD;以及使用ACD計(jì)算用于每個(gè)區(qū)域的劑量調(diào)節(jié)。其中，多項(xiàng)式函數(shù)為澤尼克多項(xiàng)式函數(shù)。此外，還提供了ー種用于控制半導(dǎo)體エ藝工具的高級(jí)エ藝控制APC系統(tǒng)，包括數(shù)據(jù)庫(kù)，可操作地存儲(chǔ)關(guān)于經(jīng)處理的晶圓的歷史數(shù)據(jù)；以及控制器，可操作地基于存儲(chǔ)在非臨時(shí)的、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中的指令控制半導(dǎo)體エ藝工具，指令用干從歷史數(shù)據(jù)中選擇具有前芯片設(shè)計(jì)的經(jīng)處理的晶圓；選擇多個(gè)關(guān)鍵尺寸CD數(shù)據(jù)點(diǎn)，多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)是在蝕刻經(jīng)處理的晶圓以后從經(jīng)處理的晶圓中提取的；通過(guò)將⑶與經(jīng)處理的晶圓的位置相關(guān)的多項(xiàng)式函數(shù)對(duì)多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行建模；創(chuàng)建用于新芯片設(shè)計(jì)的區(qū)域布局；以及使用函數(shù)和區(qū)域布局創(chuàng)建用于新芯片設(shè)計(jì)的初始曝光劑量圖。其中，創(chuàng)建初始曝光劑量圖的指令包括以下指令使用函數(shù)計(jì)算用于經(jīng)處理的晶圓的平均CD ;使用函數(shù)計(jì)算用于在區(qū)域布局中的每個(gè)區(qū)域的平均CD ;計(jì)算用于每個(gè)區(qū)域的ACD;使用A CD計(jì)算用于每個(gè)區(qū)域的劑量調(diào)節(jié)；創(chuàng)建具有區(qū)域布局的基線曝光劑量圖；以及通過(guò)將基線曝光劑量圖的每個(gè)區(qū)域和相應(yīng)的劑量調(diào)節(jié)相加來(lái)創(chuàng)建精確的曝光劑量圖。其中，計(jì)算每個(gè)區(qū)域的A⑶的指令包括計(jì)算在每個(gè)區(qū)域的平均⑶和經(jīng)處理的晶圓的平均CD之間的差的指令；以及其中，計(jì)算每個(gè)區(qū)域的劑量調(diào)節(jié)的指令是基于將劑量改變與CD改變相關(guān)的數(shù)據(jù)。其中，選擇經(jīng)處理的晶圓的指令是基于如下數(shù)據(jù)中的ー個(gè)或多個(gè)前芯片設(shè)計(jì)與新芯片設(shè)計(jì)的相似性；通過(guò)半導(dǎo)體エ藝工具處理經(jīng)處理的晶圓的時(shí)間量；以及用于處理經(jīng)處理的晶圓的半導(dǎo)體エ藝工具的特性。其中，選擇多個(gè)⑶數(shù)據(jù)點(diǎn)的指令包括以下指令從經(jīng)處理的晶圓上的多個(gè)區(qū)域中選擇多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)；以及選擇多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)的子集，子集包括從經(jīng)處理的晶圓上的多個(gè)區(qū)域中所提取的CD數(shù)據(jù)點(diǎn)。
其中，選擇數(shù)據(jù)點(diǎn)的子集的指令包括以下指令將經(jīng)處理的晶圓上的區(qū)域分為多個(gè)組；從多個(gè)組中的每ー個(gè)中隨機(jī)選擇主要區(qū)域；以及從主要區(qū)域中的每ー個(gè)中選擇第一數(shù)量的數(shù)據(jù)點(diǎn)，并且從晶圓上的剰余區(qū)域中的每ー個(gè)中選擇第二數(shù)量的數(shù)據(jù)點(diǎn)，第一數(shù)量
大于第二數(shù)量。


當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)エ業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種部件沒(méi)有被按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意増加或減少。圖I為包含本發(fā)明的各個(gè)方面的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)的功能結(jié)構(gòu)圖。圖2為通過(guò)圖I的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)所實(shí)施的半導(dǎo)體制造エ藝流程的功能結(jié)構(gòu)圖。圖3為示出在圖2的半導(dǎo)體制造エ藝中的前饋信息的方法的高級(jí)流程圖。圖4示出了圖3的前饋信息的方法的一部分的示例性實(shí)施例。圖5為示出圖3的前饋信息的方法的另一部分的示例性實(shí)施例的高級(jí)流程圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明通常涉及制造半導(dǎo)體器件，更具體地來(lái)說(shuō)，涉及制造半導(dǎo)體器件的エ藝控制。然而，可以理解，提供了具體實(shí)施例作為實(shí)例，從而教導(dǎo)更寬的發(fā)明概念，并且本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員之一可以容易地將本發(fā)明的教導(dǎo)應(yīng)用于其他方法或裝置。此外，可以理解，由于本發(fā)明中所論述的方法和裝置包括一些傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)和/或エ藝，所以僅以一般詳細(xì)等級(jí)討論了這些結(jié)構(gòu)和エ藝。此外，為了方便和舉例，在全部附圖中重復(fù)參照數(shù)字，并且在全部附圖中，這些重復(fù)沒(méi)有指定部件或步驟的任何必需的組合。圖I為包含本發(fā)明的各個(gè)方面的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)100的功能結(jié)構(gòu)圖。系統(tǒng)100包括通過(guò)通信網(wǎng)絡(luò)102連接的多個(gè)實(shí)體。網(wǎng)絡(luò)102可以為單個(gè)網(wǎng)絡(luò)或者可以為多種不同網(wǎng)絡(luò)，例如，內(nèi)聯(lián)網(wǎng)和互聯(lián)網(wǎng)，并且可以包括有線和無(wú)線通信通道。每個(gè)實(shí)體可以與其他實(shí)體相互配合，并且向其他實(shí)體提供服務(wù)和/或從其他實(shí)體接收服務(wù)。在本實(shí)施例中，實(shí)體包括先進(jìn)エ藝控制(APC)系統(tǒng)104、光刻工具106、蝕刻工具110、蝕刻后的檢查(AEI)計(jì)量工具112、以及數(shù)據(jù)庫(kù)114?？梢岳斫?，系統(tǒng)100可以進(jìn)一歩包括各種其他エ藝工具(例如，沉積エ具、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工具、爐子等)、計(jì)量工具、以及控制器，這些其他エ藝工具、計(jì)量エ具、以及控制器實(shí)施半導(dǎo)體制造的其他階段，但是為了簡(jiǎn)潔和清楚，沒(méi)有示出。光刻工具106為本領(lǐng)域中已知類型的器件。將光刻工具106用于將光敏層圖案化(例如，光刻膠)，該光敏層具有形成集成電路的各種部件。光刻工具106使用強(qiáng)光對(duì)光刻膠進(jìn)行圖案化。通常，調(diào)節(jié)曝光量影響生成的集成電路的結(jié)構(gòu)特征，例如，關(guān)鍵尺寸(criticaldimension，⑶)。在一些實(shí)施例中，通過(guò)調(diào)節(jié)掃描晶圓的光強(qiáng)度和速度來(lái)調(diào)節(jié)曝光劑量。在實(shí)施例中，光刻工具106包括浸濕式光刻工具。在其他實(shí)施例中，可以通過(guò)其他適當(dāng)工具，例如，無(wú)掩模光刻、電子束曝光、離子束曝光的適當(dāng)工具，以及分子印跡工具來(lái)實(shí)施或替換光刻工具106。蝕刻工具110為本領(lǐng)域中的已知類型的工具，并且包括沒(méi)有分離示出的一個(gè)或多個(gè)蝕刻室。半導(dǎo)體晶圓位于蝕刻室中，然后，經(jīng)受蝕刻エ藝。蝕刻后的檢查(AEI)計(jì)量工具112為本領(lǐng)域中已知類型的器件。AEI計(jì)量工具112檢驗(yàn)和檢查用于在蝕刻エ藝以后的缺陷、污染(contamination)、以及⑶。在實(shí)施例中，AEI計(jì)量工具112包括光譜(例如，光學(xué)關(guān)鍵尺寸或0CD)計(jì)量工具，從而測(cè)量蝕刻部件的CD和/或剖面?？梢詫D信息存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)114中和/或提供給APC系統(tǒng)104。數(shù)據(jù)庫(kù)114可以為本領(lǐng)域中已知的類型。當(dāng)前，數(shù)據(jù)庫(kù)114的實(shí)施例存儲(chǔ)用于半 導(dǎo)體エ藝系統(tǒng)100的歷史處理數(shù)據(jù)。歷史數(shù)據(jù)可以包括通過(guò)光刻工具106和蝕刻工具110所處理的所有晶圓的列表。此外，對(duì)于在先前處理的晶圓的列表中的每個(gè)晶圓，可以將用于晶圓一系列結(jié)構(gòu)特征數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)114中。結(jié)構(gòu)特征數(shù)據(jù)可以包括提取的測(cè)量數(shù)據(jù)，同時(shí)處理每個(gè)晶圓。在本實(shí)施例中，測(cè)量數(shù)據(jù)可以包括通過(guò)AEI計(jì)量工具112所提取的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)。在其他實(shí)施例中，數(shù)據(jù)庫(kù)114可以包括其他歷史處理數(shù)據(jù)，指示在エ藝系統(tǒng)100(例如，光刻工具106和蝕刻工具110)中的處理工具的特征。可以在APC系統(tǒng)104內(nèi)實(shí)施本發(fā)明的多方面，從而分析來(lái)自系統(tǒng)100中的AEI計(jì)量工具112、或數(shù)據(jù)庫(kù)114、或其他適當(dāng)裝置的信息。APC系統(tǒng)104可以包括計(jì)算機(jī)，該計(jì)算機(jī)可以為傳統(tǒng)的、市售計(jì)算機(jī)，或者其他適當(dāng)計(jì)算機(jī)軟件。APC系統(tǒng)104的硬件包括處理器和非臨時(shí)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序，通過(guò)處理器實(shí)施該計(jì)算機(jī)程序，并且該計(jì)算機(jī)程序使計(jì)算機(jī)控制光刻工具106和蝕刻工具110。計(jì)算機(jī)可操作地實(shí)施包括操作信息(包括使用模型的操作信息)、接收信息、存儲(chǔ)信息、以及傳送信息。例如，信息可以包括命令，諸如用在エ藝程序的這些參數(shù)的エ藝參數(shù)，測(cè)量數(shù)據(jù)，エ藝數(shù)據(jù)(諸如エ藝試驗(yàn)歷史記錄，包括所使用的特定工具和工具選擇器以及所使用的エ藝參數(shù))，和/或設(shè)備情況。在實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)可以包括多個(gè)計(jì)算機(jī)。在實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)可以包括設(shè)備或嵌入在エ藝工具中的編碼，諸如光刻工具106或蝕刻工具110。計(jì)算機(jī)可以進(jìn)一歩包括一個(gè)或多個(gè)用戶界面。圖2為通過(guò)半導(dǎo)體制造系統(tǒng)100所實(shí)施的半導(dǎo)體制造エ藝流程200的功能結(jié)構(gòu)圖。在本實(shí)施例中，エ藝流程200為用于在半導(dǎo)體晶圓上的新芯片設(shè)計(jì)(新流片)的試點(diǎn)制造試驗(yàn)的エ藝流程。エ藝流程200包括預(yù)制造階段202和制造階段204。通常，將在預(yù)制造階段202所收集的信息前饋至制造階段204，從而減少了制造階段所需要的時(shí)間。如圖2所示的，エ藝流程200包括材料エ藝流程(作為實(shí)線所示的)和信息流程(作為虛線所示的)。首先，在預(yù)制造階段202期間，從存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)114上的歷史數(shù)據(jù)選擇通過(guò)先前處理的芯片設(shè)計(jì)的先前完成的(或處理的)晶圓206。基于諸如先前處理芯片設(shè)計(jì)與新芯片設(shè)計(jì)的相似性和制造完成的晶圓的時(shí)間的某些因素選擇完成的晶圓206。此外，通過(guò)與在試點(diǎn)試驗(yàn)(pilot run)中使用的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)100中相同的半導(dǎo)體工具來(lái)制造完成的晶圓206。在一個(gè)實(shí)施例中，將APC系統(tǒng)104用于基于新芯片設(shè)計(jì)和其他因素自動(dòng)選擇適當(dāng)?shù)耐瓿傻男酒?。在一些?shí)施例中，僅部分處理完成的晶圓206。例如，僅曝光、蝕刻、檢驗(yàn)完成的晶圓206。在選擇完成的晶圓206以后，前進(jìn)至數(shù)據(jù)選擇エ藝208。在數(shù)據(jù)選擇208期間，分析與完成的晶圓206相關(guān)聯(lián)的歷史結(jié)構(gòu)特征數(shù)據(jù)，從而選擇多個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)特征為關(guān)鍵尺寸，但是在備選實(shí)施例中，可以為不同特征。之后，可以將選擇的數(shù)據(jù)點(diǎn)存儲(chǔ)到APC系統(tǒng)104的存儲(chǔ)器中或者存儲(chǔ)到數(shù)據(jù)庫(kù)114中。關(guān)于圖3和圖4更詳細(xì)地描述了晶圓選擇和數(shù)據(jù)選擇步驟。接下來(lái)，在制造階段204，通過(guò)新芯片設(shè)計(jì)將第一晶圓210和第二晶圓212順序圖案化。即，エ藝流程200的制造階段204利用多個(gè)周期，從而適當(dāng)校準(zhǔn)用在エ藝中的半導(dǎo)體工具。エ藝流程200示出了三個(gè)流程，光刻エ藝214、蝕刻エ藝216、以及AEI計(jì)量エ藝218?？梢酝ㄟ^(guò)工具實(shí)施工藝214-218，并且通過(guò)上文關(guān)于圖I所述的APC系統(tǒng)104來(lái)控制該エ藝。盡管示出了兩個(gè)晶圓，但是分批成組處理多個(gè)晶圓，同樣地，本發(fā)明中的單數(shù)晶圓的標(biāo)記沒(méi)有必然地將本發(fā)明限于單個(gè)晶圓，而是說(shuō)明包括多個(gè)晶圓、多批、或者任何這種材料分組的許多晶圓。在本實(shí)施例中，晶圓210和212包括形成在其上的各種材料層(例如，多晶硅層、介電層等)，并且為了通過(guò)光刻エ藝214進(jìn)行圖案化作準(zhǔn)備。在順序處理晶圓212以前，使用エ藝214-218處理晶圓210。首先，在光刻エ藝214中，在晶圓210的多晶硅層的上方形成光敏層，并且根據(jù)新芯片設(shè)計(jì)進(jìn)行圖案化。APC系統(tǒng)104可以通過(guò)來(lái)自預(yù)制作階段202的前饋信息220來(lái)控制光刻エ藝214。更具體地來(lái)說(shuō)，用于將晶圓210上的光敏層圖案化的初始曝光參數(shù)部分基干與完成的晶圓206相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)。在本實(shí)施例中，APC系統(tǒng)104創(chuàng)建基線曝光劑量圖并且使用前饋信息220精確該基線曝光劑量圖。然后，使用精確的劑量圖控制晶圓210的曝光。關(guān)于圖3和圖5更詳細(xì)地示出了基于前饋信息220制造精確的曝光劑量圖。在其他實(shí)施例中，APC系統(tǒng)104可以以不同方式利用前饋信息，從而開(kāi)始將晶圓210曝光。接下來(lái)，在已經(jīng)通過(guò)光刻エ藝214將晶圓210曝光以后，繼續(xù)蝕刻處理216。在實(shí)施例中，蝕刻エ藝216包括多個(gè)步驟，其中，蝕刻工具110去除晶圓210上的光敏層的曝光部分和其他層的部分，例如，多晶硅層。然后，通過(guò)AEI計(jì)量エ藝218檢驗(yàn)晶圓210，從而檢查缺陷/污染并且測(cè)量圖案化的光刻膠下層的蝕刻的多晶硅層的CD。在實(shí)施例中，通過(guò)AEI計(jì)量工具112實(shí)施測(cè)量。在備選實(shí)施例中，通過(guò)蝕刻工具110進(jìn)行測(cè)量。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，然后，APC系統(tǒng)計(jì)算晶圓210上的蝕刻特征的關(guān)鍵尺寸的均勻性。如圖2所示，APC系統(tǒng)104從AEIエ藝218收集反饋信息222，并且在制作階段204中利用該信息。在實(shí)施例中，反饋信息222基于晶圓210的⑶測(cè)量。然后，可以將晶圓210傳輸至用于進(jìn)ー步處理的其他工具。當(dāng)已經(jīng)通過(guò)AEIエ藝218分析晶圓210時(shí)，可以開(kāi)始晶圓212的新芯片設(shè)計(jì)的制造。與晶圓210—祥，晶圓212首先進(jìn)行光刻エ藝114。然而，對(duì)于該隨后晶圓，APC系統(tǒng)104使用來(lái)自AEIエ藝218的反饋信息222控制曝光エ藝。更具體地來(lái)說(shuō)，用于將晶圓212上的光敏層圖案化的曝光參數(shù)基于在AEIエ藝218期間從晶圓210所收集的數(shù)據(jù)。在本實(shí)施例中，APC系統(tǒng)104使用從晶圓210所收集的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)更新精確的曝光劑量圖。在使用更新的曝光劑量圖將晶圓212曝光以后，在エ藝216中進(jìn)行蝕刻并且在AEIエ藝218中、進(jìn)行測(cè)量。在本實(shí)施例中，測(cè)量晶圓212上的蝕刻多晶硅層的特征并且可以計(jì)算關(guān)鍵尺寸均勻性。如上所示的，將エ藝流程200設(shè)計(jì)為，使得來(lái)自預(yù)制造階段202的數(shù)據(jù)提高了制造階段204的效率。更具體地來(lái)說(shuō)，在新芯片設(shè)計(jì)制造結(jié)果在容差范圍內(nèi)以前，前饋信息220減少了必要的制造周期的數(shù)量。例如，沒(méi)有前饋信息220，通過(guò)該前饋信息精確基線曝光劑量圖，在實(shí)驗(yàn)性(pilot)晶圓的CD均勻性在容差范圍內(nèi)以前，可能需要三個(gè)周期或者更多周期。在一個(gè)實(shí)施例中，與沒(méi)有使用前饋信息220的3. 2nm的第一周期CD均勻性相比較，使用具有前饋信息220的エ藝流程200，在第一周期以后的實(shí)驗(yàn)性晶圓的CD均勻性可以為I. 7nm (在三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差內(nèi))。例如，如果將用于該新芯片設(shè)計(jì)的CD均勻性容差設(shè)置為
I.Inm,則在將⑶均勻性從I. 7nm減小至I. Inm以前，需要在エ藝流程220下的僅ー個(gè)反饋周期。如上文所述的，沒(méi)有前饋信息，在將CD均勻性減小至I. Inm以前，在初期試驗(yàn)以后，需要兩個(gè)或更多反饋周期。在一個(gè)實(shí)施例中，ー個(gè)周期減小可能節(jié)省一天至一天半的制 造時(shí)間。圖3為示出在エ藝流程200中的前饋信息方法300的高級(jí)流程圖。更具體地來(lái)說(shuō)，方法300更詳細(xì)地描述了エ藝流程200的預(yù)制造階段202和APC系統(tǒng)104使用在預(yù)制造階段202中所收集的信息的方式，從而提高了制造階段204的效率。方法300從框302開(kāi)始，其中，從歷史エ藝數(shù)據(jù)中選擇完成的晶圓206。如上文所述的，完成的晶圓206包括先前處理的芯片設(shè)計(jì)，并且使用通過(guò)エ藝流程200所利用的相同的半導(dǎo)體工具制作該晶圓。在本實(shí)施例中，基于(I)特定光刻工具和進(jìn)行圖案化的蝕刻室，(2)制作完成的晶圓的時(shí)間量，以及(3)先前處理的芯片設(shè)計(jì)與新芯片設(shè)計(jì)的相似性來(lái)選擇完成的晶圓206。關(guān)于第一選擇標(biāo)準(zhǔn)，當(dāng)將用于將晶圓210和212上的新芯片設(shè)計(jì)圖案化的光刻工具和蝕刻室與用于將完成的晶圓206圖案化的光刻工具和蝕刻室匹配時(shí)，エ藝流程200更有效。關(guān)于第二選擇標(biāo)準(zhǔn)，即使將相同的光刻工具用于新芯片設(shè)計(jì)，如果在新芯片設(shè)計(jì)試點(diǎn)試驗(yàn)以前的基本時(shí)間量制造完成的晶圓，則效率也不可能最大化。這是因?yàn)楣饪毯臀g刻工具的性能特征可以隨著時(shí)間改變。理想地，完成的晶圓206為在新芯片設(shè)計(jì)的試點(diǎn)試驗(yàn)工作周內(nèi)已經(jīng)制造的晶圓。關(guān)于第三選擇標(biāo)準(zhǔn)，選擇完成的晶圓(其包括與新芯片設(shè)計(jì)基本類似的設(shè)計(jì))將改善在試點(diǎn)試驗(yàn)的初始光刻エ藝214期間所施加的精確曝光劑量圖的精度。在本實(shí)施例中，先前處理的設(shè)計(jì)與新設(shè)計(jì)越相似，在初期試點(diǎn)試驗(yàn)中圖案化的晶圓210的CD均勻性就越好。在備選實(shí)施例中，額外的或不同的選擇標(biāo)準(zhǔn)可以用于選擇完成的晶圓206。此外，在ー個(gè)實(shí)施例中，APC系統(tǒng)104基于這些選擇標(biāo)準(zhǔn)自動(dòng)選擇先前處理的晶圓。在已經(jīng)選擇完成的晶圓206以后，方法300進(jìn)入框304，其中，取回并且選擇與完成的晶圓相關(guān)聯(lián)的歷史測(cè)量數(shù)據(jù)。在本實(shí)施例中，從歷史測(cè)量數(shù)據(jù)中選擇代表在晶圓上的多晶硅層中蝕刻的部件的關(guān)鍵尺寸的數(shù)據(jù)點(diǎn)。具體地，所選擇的CD數(shù)據(jù)點(diǎn)可以代表在蝕刻完成的晶圓以后，例如通過(guò)AEI計(jì)量工具所進(jìn)行的CD測(cè)量。此外，CD數(shù)據(jù)點(diǎn)包括來(lái)自晶圓上的多個(gè)區(qū)域的測(cè)量。選擇完成的晶圓206上的更多數(shù)據(jù)點(diǎn)提供了前饋至制造階段204的數(shù)據(jù)量，因此改善了應(yīng)用在光刻エ藝214中的精確的曝光劑量圖。然而，當(dāng)所選擇的CD數(shù)據(jù)點(diǎn)的數(shù)量增加時(shí)，創(chuàng)建精確的曝光劑量圖所需要的計(jì)算時(shí)間量也増加。在本實(shí)施例中，可以通過(guò)選擇完成的晶圓206上的約600-800個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)在效率和曝光劑量圖精度之間的平衡。關(guān)于圖4更詳細(xì)地討論了選擇晶圓206上的CD數(shù)據(jù)點(diǎn)的方法。
一旦在框304中，從完成的晶圓206選擇⑶數(shù)據(jù)，方法300就進(jìn)入框306，其中，使用將關(guān)鍵尺寸定義為位置函數(shù)的多項(xiàng)式函數(shù)對(duì)CD數(shù)據(jù)進(jìn)行建摸。在本實(shí)施例中，APC系統(tǒng)104 使用ニ維澤尼克多項(xiàng)式(Zernikepolynomial) f (x,y) = a0Z0 (x, y) +B1Z1 (x, y) +a2Z2 (x,y)+...對(duì)晶圓206的CD數(shù)據(jù)進(jìn)行建摸。APC系統(tǒng)104應(yīng)用本領(lǐng)域中已知的技術(shù)找到在澤尼克多項(xiàng)式序列中的每個(gè)多項(xiàng)式的各自系數(shù)(％、ai、a2等)。因?yàn)閺恼麄€(gè)晶圓(區(qū)域間)上的多個(gè)點(diǎn)提取CD數(shù)據(jù)，所以澤尼克多項(xiàng)式代表在整個(gè)晶圓上的關(guān)鍵尺寸。在其他實(shí)施例中，可以將備選實(shí)施例用于對(duì)完成的晶圓206的CD數(shù)據(jù)進(jìn)行建摸?！㈥P(guān)鍵尺寸限定為用于完成的晶圓206的位置函數(shù)，方法300就進(jìn)入框308去，其中，對(duì)于新芯片設(shè)計(jì)限定新區(qū)域布局。更詳細(xì)地，APC系統(tǒng)104分析新芯片設(shè)計(jì)并且基于新設(shè)計(jì)限定新區(qū)域布局。新區(qū)域布局限定要在新晶圓210和212上掃描的每個(gè)區(qū)域的尺寸和位置。新區(qū)域布局可以與完成的晶圓206的區(qū)域布局不同。最后，方法300進(jìn)入框310，其中，在制造階段204的初始周期內(nèi)制造用于光刻エ藝214的曝光劑量圖。更具體地，APC系統(tǒng)104首先使用新區(qū)域布局制造基線曝光劑量圖。 在本實(shí)施例中，基線曝光劑量對(duì)于在布局中的每個(gè)區(qū)域相同，并且可以部分基于從光刻膠廠家和光刻工具制造商所獲得的數(shù)據(jù)。在備選實(shí)施例中，基線曝光劑量圖可以源于其他因素，并且沒(méi)有規(guī)定每個(gè)區(qū)域接收相同曝光劑量。其次，在限定基線曝光劑量圖以后，APC系統(tǒng)104基于澤尼克多項(xiàng)式函數(shù)精確用于每個(gè)區(qū)域的曝光劑量，通過(guò)來(lái)自完成的晶圓206的CD數(shù)據(jù)來(lái)限定該曝光劑量。關(guān)于圖5詳細(xì)討論了精確基線曝光劑量圖的方法。如上文中所述的，在新芯片設(shè)計(jì)試點(diǎn)試驗(yàn)的第一周期從更精確的劑量圖開(kāi)始減少了使關(guān)鍵尺寸均勻性在容差范圍內(nèi)所需要的周期數(shù)。圖4示出了從圖2的完成的晶圓206選擇數(shù)據(jù)子集的方法。具體地，該方法為結(jié)合圖3中的方法300的框304所述的エ藝的示例性實(shí)施例。如上文所述的，因?yàn)樵黾佑?jì)算時(shí)間，所以選擇太多晶圓206上的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)點(diǎn)可能降低制造階段204的效率。同樣地，通過(guò)圖4所示的方法從完成的晶圓206中選擇實(shí)用數(shù)量的CD數(shù)據(jù)(例如，約600-800個(gè)測(cè)量點(diǎn))。第一，將晶圓206上的區(qū)域劃分為四個(gè)相等組320、322、324、以及326。第二，隨機(jī)選擇來(lái)自每組的主要區(qū)域。這里，從組320、322、324、以及326中分別選擇主要區(qū)域328、330、332、以及324。第三，選擇從主要區(qū)域328、330、332、以及334中的每個(gè)所提取的約60個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)。最后，選擇晶圓206上的剰余區(qū)域中的每個(gè)的約16個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)。前饋給制造階段204的⑶數(shù)據(jù)的子集由以上選擇的數(shù)據(jù)點(diǎn)組成。在一個(gè)實(shí)施例中，APC系統(tǒng)104可以自動(dòng)限定組，選擇主要部分，并且收集關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)。此外，在備選實(shí)施例中，組數(shù)、主要區(qū)域數(shù)、以及所采取的測(cè)量數(shù)可以改變，或者選擇實(shí)際數(shù)量的方法可以完全不同。圖5為示出用于制造用于圖2中的初始光刻エ藝214的精確曝光劑量圖的方法400的高級(jí)流程圖。方法400為結(jié)合圖3中的方法300的框310所述的エ藝的示例性實(shí)施例。方法400從框402開(kāi)始，其中，計(jì)算用于完成的晶圓206的平均關(guān)鍵尺寸。在本實(shí)施例中，使用在方法300的框306中所建立的澤尼克多項(xiàng)式函數(shù)計(jì)算晶圓206的平均CD。接下來(lái),方法400進(jìn)入框404，其中，對(duì)于在方法300中的框308中所限定的新區(qū)域布局中的每個(gè)區(qū)域建立平均CD。更具體地，在本實(shí)施例中，將澤尼克多項(xiàng)式函數(shù)應(yīng)用于在新區(qū)域布局中的每個(gè)區(qū)域內(nèi)的多個(gè)位置，從而獲得用于每個(gè)區(qū)域的多個(gè)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)點(diǎn)。對(duì)在每個(gè)區(qū)域內(nèi)的這些CD數(shù)據(jù)點(diǎn)求平均值，從而得出用于每個(gè)新區(qū)域的CD平均。在備選實(shí)施例中，可以通過(guò)其他方法計(jì)算用于每個(gè)區(qū)域的平均CD。然后，在框406中，對(duì)于每個(gè)新區(qū)域建立A (delta，增量)⑶。在本實(shí)施例中，用于特定區(qū)域的A⑶與在用于晶圓206的平均⑶和用于該區(qū)域的平均⑶之間的差相等。接下來(lái)，方法400進(jìn)入框408，其中，收集用于要用在光刻エ藝214中的光刻工具的曝光特征數(shù)據(jù)。尤其，收集代表曝光劑量的改變?cè)鯓痈淖冴P(guān)鍵尺寸的數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)施例中，光刻エ藝106的制造商可能提供包括A劑量的曲線作為A⑶的函數(shù)。然后，在框410中，通過(guò)將A⑶施加給在框408中所提供的A劑量函數(shù)對(duì)于在新區(qū)域布局中的區(qū)域的每個(gè)進(jìn)行劑量調(diào)節(jié)。最后，在框412中，對(duì)于在新區(qū)域布局中的每個(gè)區(qū)域建立精確的曝光劑量。在本實(shí)施例中，將用于每個(gè)新區(qū)域的劑量調(diào)節(jié)與通過(guò)在方法300的框310中所建立的基線曝光劑量圖所規(guī)定的曝光量相加。將劑量調(diào)節(jié)應(yīng)用于基線劑量圖的每個(gè)區(qū)域生成精確曝光劑量圖，其中，每個(gè)區(qū)域可以具有不同曝光值。如上文所述的，然后，可以通過(guò)APC系統(tǒng)104使用精確曝光劑量圖，從而控制初始光刻エ藝214。在ー些 實(shí)施例中，在從預(yù)制造階段202接收到前饋數(shù)據(jù)220時(shí)，可以通過(guò)APC系統(tǒng)104自動(dòng)實(shí)施方法400的步驟。此外，在其他實(shí)施例中，備選地，方法400可以包括額外步驟或包括不同步驟。盡管上述實(shí)施例包括エ藝的APC控制，從而將在半導(dǎo)體基板上的多晶硅層圖案化，但是備選地，可能使用公開(kāi)的技術(shù)控制半導(dǎo)體制造エ藝的ー些其他方法。例如，可以收集關(guān)于先前處理的晶圓的信息，并且前饋控制用于新芯片設(shè)計(jì)的試點(diǎn)試驗(yàn)的CMP控制或套刻エ藝。盡管上文已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的僅ー些示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域中的技術(shù)人員容易理解，本質(zhì)上沒(méi)有背離本發(fā)明的新教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，在示例性實(shí)施例中可能有多種修改。可以理解，可以以各種順序或者并聯(lián)使用以上所列步驟的各種不同結(jié)合，并且不存在關(guān)鍵的或需要的特定步驟。此外，可以將上文關(guān)于ー些實(shí)施例所示和所討論的部件與上文關(guān)于其他實(shí)施例所示和所討論的部件結(jié)合。因此，所有這種修改g在包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種方法，包括 提供要通過(guò)光刻工具處理所設(shè)置的晶圓，從而在其上形成新集成電路設(shè)計(jì)； 選擇具有前集成電路設(shè)計(jì)的經(jīng)處理的晶圓； 在蝕刻經(jīng)處理的晶圓以后，選擇從經(jīng)處理的晶圓中提取的多個(gè)臨界尺寸CD數(shù)據(jù)點(diǎn)；使用所述多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)創(chuàng)建所述新集成電路設(shè)計(jì)的初始曝光劑量圖；以及根據(jù)所述初始曝光劑量圖控制所述光刻工具的曝光，從而在所設(shè)置的晶圓上形成所述新集成電路設(shè)計(jì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，包括 通過(guò)將CD與經(jīng)處理的晶圓上的位置相關(guān)的函數(shù)對(duì)所述多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行建模； 在所述新集成電路設(shè)計(jì)的所述所設(shè)置的晶圓上創(chuàng)建區(qū)域布局；以及其中，創(chuàng)建所述初始曝光劑量圖包括使用所述函數(shù)和所述區(qū)域布局創(chuàng)建所述初始曝光劑量圖。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，創(chuàng)建所述初始曝光劑量圖包括 使用所述函數(shù)計(jì)算經(jīng)處理的晶圓的平均CD ； 使用所述函數(shù)計(jì)算所述區(qū)域布局中每個(gè)區(qū)域的平均CD ； 計(jì)算每個(gè)區(qū)域的A⑶； 使用所述ACD計(jì)算每個(gè)區(qū)域的劑量調(diào)節(jié)； 創(chuàng)建具有所述區(qū)域布局的基線曝光劑量圖；以及 通過(guò)將所述基線曝光劑量圖的每個(gè)區(qū)域和相應(yīng)的劑量調(diào)節(jié)相加來(lái)創(chuàng)建精確的曝光劑量圖。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法， 其中，計(jì)算每個(gè)區(qū)域的所述ACD包括計(jì)算在每個(gè)區(qū)域的平均CD和經(jīng)處理的晶圓的平均CD之間的差；以及 其中，計(jì)算每個(gè)區(qū)域的劑量調(diào)節(jié)是基于將劑量改變與CD改變相關(guān)的數(shù)據(jù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，選擇經(jīng)處理的晶圓是基于如下數(shù)據(jù)中的ー個(gè)或多個(gè)所述前集成電路設(shè)計(jì)與所述新集成電路設(shè)計(jì)的相似性；處理經(jīng)處理的晶圓的時(shí)間量；以及用于在經(jīng)處理的晶圓上形成所述前集成電路設(shè)計(jì)的エ藝工具。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，選擇所述多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)包括 從經(jīng)處理的晶圓上的多個(gè)區(qū)域中選擇所述多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)；以及 選擇所述多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)的子集，所述子集包括從經(jīng)處理的晶圓上的多個(gè)區(qū)域中所提取的CD數(shù)據(jù)點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，選擇所述子集包括 將經(jīng)處理的晶圓上的區(qū)域分為多個(gè)組； 從所述多個(gè)組中的每ー個(gè)中隨機(jī)選擇主要區(qū)域；以及 從所述主要區(qū)域中的每ー個(gè)中選擇第一數(shù)量的CD數(shù)據(jù)點(diǎn)，并且從所述晶圓上的剰余區(qū)域中的每ー個(gè)中選擇第二數(shù)量的CD數(shù)據(jù)點(diǎn)，所述第一數(shù)量大于所述第二數(shù)量。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法， 其中，所述多個(gè)組包括四個(gè)組；以及 其中，所述第一數(shù)量的CD數(shù)據(jù)點(diǎn)包括約60個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，并且所述第二數(shù)量的CD數(shù)據(jù)點(diǎn)包括約16個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)。
9.ー種方法，包括 選擇在處理未處理的芯片設(shè)計(jì)時(shí)要使用的光刻工具和蝕刻工具； 從歷史エ藝數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)庫(kù)中選擇關(guān)鍵尺寸CD數(shù)據(jù)的集合，所述關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)是從先前通過(guò)所述光刻工具和所述蝕刻工具所處理的晶圓中提取的，經(jīng)先前處理的晶圓的芯片設(shè)計(jì)與未處理的芯片設(shè)計(jì)基本相似； 選擇所述CD數(shù)據(jù)的集合的子集，所述子集包括來(lái)自經(jīng)先前處理的晶圓上的多個(gè)區(qū)域的⑶測(cè)量值； 通過(guò)多項(xiàng)式函數(shù)建立所述⑶測(cè)量值的區(qū)域間模型； 創(chuàng)建未處理的芯片設(shè)計(jì)的區(qū)域布局； 創(chuàng)建曝光劑量圖，從而在未處理的芯片設(shè)計(jì)的試點(diǎn)試驗(yàn)的第一周期期間控制所述光刻工具，該創(chuàng)建步驟包括 通過(guò)所述區(qū)域布局創(chuàng)建基線曝光劑量圖； 使用所述區(qū)域間模型進(jìn)行所述區(qū)域布局內(nèi)的每個(gè)區(qū)域的劑量調(diào)節(jié)；以及通過(guò)相應(yīng)的劑量調(diào)節(jié)更新所述基線曝光劑量圖的每個(gè)區(qū)域；以及使用所述光刻工具和所述蝕刻工具通過(guò)所述未處理的芯片設(shè)計(jì)將所設(shè)置的晶圓圖案化，通過(guò)所述曝光劑量圖控制所述光刻工具。
10.ー種用于控制半導(dǎo)體エ藝工具的高級(jí)エ藝控制APC系統(tǒng)，包括 數(shù)據(jù)庫(kù)，可操作地存儲(chǔ)關(guān)于經(jīng)處理的晶圓的歷史數(shù)據(jù)；以及 控制器，可操作地基于存儲(chǔ)在非臨時(shí)的、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中的指令控制所述半導(dǎo)體エ藝工具，所述指令用干 從所述歷史數(shù)據(jù)中選擇具有前芯片設(shè)計(jì)的經(jīng)處理的晶圓； 選擇多個(gè)關(guān)鍵尺寸CD數(shù)據(jù)點(diǎn)，所述多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)是在蝕刻經(jīng)處理的晶圓以后從經(jīng)處理的晶圓中提取的； 通過(guò)將CD與經(jīng)處理的晶圓的位置相關(guān)的多項(xiàng)式函數(shù)對(duì)所述多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行建模； 創(chuàng)建用于新芯片設(shè)計(jì)的區(qū)域布局；以及 使用所述函數(shù)和所述區(qū)域布局創(chuàng)建用于所述新芯片設(shè)計(jì)的初始曝光劑量圖。
全文摘要
一種用于前饋先進(jìn)工藝控制的方法包括提供通過(guò)光刻工具處理的現(xiàn)有晶圓；從多個(gè)處理的晶圓選擇具有過(guò)去的芯片設(shè)計(jì)的處理的晶圓，先前通過(guò)光刻工具處理該處理的晶圓，選擇從在處理的晶圓上的多個(gè)區(qū)域所提取的多個(gè)關(guān)鍵尺寸(CD)數(shù)據(jù)點(diǎn)；通過(guò)CD與未處理的晶圓上的位置相關(guān)的函數(shù)對(duì)多個(gè)CD數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行建模；在用于新芯片設(shè)計(jì)的現(xiàn)有晶圓上創(chuàng)建區(qū)域布局；使用函數(shù)和區(qū)域布局創(chuàng)建用于新芯片設(shè)計(jì)的初始曝光劑量圖；以及根據(jù)初始曝光劑量圖控制光刻工具的曝光，從而在現(xiàn)有晶圓上形成新芯片設(shè)計(jì)。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102737960SQ20121003201
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月14日
發(fā)明者張克文, 林俊宏, 游智任, 滕立功, 鐘學(xué)易 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司