專利名稱：圖案形成方法及圖案形成裝置、以及元件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于圖案形成方法及圖案形成裝置、以及元件制造方法，進(jìn)一步詳言之，有關(guān)于在物體形成圖案的圖案形成方法及圖案形成裝置、以及使用該圖案形成方法及圖案形成裝置的元件制造方法。
背景技術(shù)：
用以制造半導(dǎo)體元件、液晶顯示元件等微元件(電子元件)的光刻工藝，是使用將形成于光掩膜或標(biāo)線片(以下，統(tǒng)稱為“標(biāo)線片”)的圖案通過投影光學(xué)系統(tǒng)，轉(zhuǎn)印至涂有光刻膠的基板、例如晶片或玻璃板等感光物體(以下，統(tǒng)稱為“晶片”)上的曝光裝置。半導(dǎo)體元件等，是于晶片上重迭復(fù)數(shù)層圖案而形成。因此，曝光裝置必須有將已形 成于晶片上的圖案、與形成于標(biāo)線片的圖案調(diào)整至最佳相對位置關(guān)系的操作(對準(zhǔn))。此對準(zhǔn)方式，主要使用EGA (Enhanced Global Alignment,增強(qiáng)型全晶片對準(zhǔn))方式。此EGA方式，是事先選擇晶片內(nèi)特定的復(fù)數(shù)個照射區(qū)域(也稱為取樣照射區(qū)域或?qū)?zhǔn)照射區(qū)域)，并依序測量設(shè)于這些取樣照射區(qū)域的對準(zhǔn)標(biāo)記(取樣標(biāo)記)的位置信息。然后，使用此測量結(jié)果與照射區(qū)域的設(shè)計上排列信息，進(jìn)行最小平方法等的統(tǒng)計運(yùn)算，求取晶片上照射區(qū)域的排列坐標(biāo)。因此，使用EGA方式能以高處理量、較高精度求得各照射區(qū)域的排列坐標(biāo)(例如，參考專利文獻(xiàn)I)。上述對準(zhǔn)，由于是測量設(shè)于復(fù)數(shù)個取樣照射區(qū)域的對準(zhǔn)標(biāo)記。因此，必須沿著復(fù)數(shù)個對準(zhǔn)標(biāo)記能依序位于標(biāo)記檢測系統(tǒng)(對準(zhǔn)標(biāo)記檢測系統(tǒng))的檢測區(qū)域(檢測視野)內(nèi)的路徑移動晶片?，F(xiàn)有的晶片對準(zhǔn)動作(取樣標(biāo)記的測量動作)是在晶片曝光開始前先進(jìn)行，因此，當(dāng)取樣照射區(qū)域數(shù)量增加時，會有測量耗費大量時間而引起曝光裝置整體的處理量降低的憂慮。因此，最近，開發(fā)出所謂雙載臺方式的載臺裝置并逐漸采用于曝光裝置，其準(zhǔn)備兩個晶片載臺，在以一晶片載臺進(jìn)行曝光時另一晶片側(cè)載臺進(jìn)行對準(zhǔn)的并行處理，來提升曝光工藝整體的處理量。然而，由于雙載臺非常昂貴，因此希望出現(xiàn)一種不使用雙載臺，能抑制對準(zhǔn)動作造成的處理量降低的技術(shù)。專利文獻(xiàn)I :日本特開昭61-44429號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是在上述情形下完成，其第I圖案形成方法，于物體上形成圖案，其特征在于，包含第I步驟，在移動物體的期間，一邊移動標(biāo)記檢測系統(tǒng)的至少一部分、一邊檢測該物體上的標(biāo)記；以及第2步驟，使用該標(biāo)記的檢測結(jié)果于該物體形成圖案。據(jù)此，于移動物體的期間，一邊移動標(biāo)記檢測系統(tǒng)的一部分、一邊檢測物體上的標(biāo)記。因此，能提升含第I步驟及第2步驟的全工藝的處理量。此時，標(biāo)記的檢測，可至少在該移動體從將該物體保持于該移動體的裝載位置、移動至對該物體的圖案形成開始位置為止的期間進(jìn)行，也可在至少在對物體的圖案形成開始后(至少在圖案形成處理中(例如曝光處理中))進(jìn)行。本發(fā)明的第2圖案形成方法，于物體形成圖案，其包含第I步驟，在該物體移動的期間，一邊使標(biāo)記檢測系統(tǒng)的檢測區(qū)域移動、一邊檢測該物體上的標(biāo)記；以及第2步驟，使用該標(biāo)記的檢測結(jié)果于該物體形成圖案。據(jù)此，由于是在物體移動中，一邊使標(biāo)記檢測系統(tǒng)的檢測區(qū)域移動、一邊檢測物體上的標(biāo)記，因此能通過在物體移動中進(jìn)行標(biāo)記檢測，而縮短標(biāo)記檢測所需時間，進(jìn)而謀求全工藝處理量的提升。本發(fā)明的第3圖案形成方法，是于物體上形成圖案，其特征在于以標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測該物體上的標(biāo)記，使用該檢測結(jié)果開始對該物體的圖案形成；且該圖案形成開始后也以該標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測該物體上的標(biāo)記，于該圖案形成使用該檢測結(jié)果。據(jù)此，由于在使用物體上標(biāo)記的檢測結(jié)果開始對該物體的圖案形成開始后，與該 圖案形成并行進(jìn)行物體上標(biāo)記的檢測，于圖案形成使用其檢測結(jié)果，因此能在維持處理量的狀態(tài)下，增加所檢測的標(biāo)記數(shù)量。如此，即能在維持處理量的狀態(tài)下實現(xiàn)高精度的圖案形成。本發(fā)明的第4圖案形成方法，于物體形成圖案，其特征在于使該物體移動于第I方向，通過在與該第I方向正交的第2方向具有不同位置的檢測區(qū)域的復(fù)數(shù)個標(biāo)記檢測系統(tǒng)，來分別檢測該物體上于該第I方向不同位置的復(fù)數(shù)個標(biāo)記，且通過與該標(biāo)記檢測系統(tǒng)不同的檢測系統(tǒng)檢測與該物體面形狀相關(guān)的信息；使用該二個檢測結(jié)果于該物體形成圖案。據(jù)此，由于是一邊使物體移動于第I方向、一邊通過在與該第I方向正交的第2方向具有不同位置的檢測區(qū)域的復(fù)數(shù)個標(biāo)記檢測系統(tǒng)，來分別檢測物體上于第I方向不同位置的復(fù)數(shù)個標(biāo)記，因此能謀求標(biāo)記檢測所需時間的縮短。此外，由于是使用標(biāo)記檢測結(jié)果與關(guān)于物體面形狀的信息于物體形成圖案，因此能進(jìn)行高精度的圖案形成。本發(fā)明的第I圖案形成裝置，是用以在移動體所保持的物體形成圖案，其具備標(biāo)記檢測系統(tǒng)，其至少一部分能移動；以及控制裝置，于該移動體的移動中移動該標(biāo)記檢測系統(tǒng)的至少一部分，以通過該標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測該物體上的標(biāo)記。據(jù)此，控制裝置于移動體的移動中，一邊移動標(biāo)記檢測系統(tǒng)的至少一部分、一邊以標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測物體上的標(biāo)記。因此，能提升圖案形成工藝整體的處理量。此時，該控制裝置，可控制標(biāo)記檢測系統(tǒng)至少一部分的移動，以使標(biāo)記的檢測，至少在移動體從將物體保持于移動體的裝載位置起，移動至對物體的圖案形成開始位置的期間進(jìn)行，也可控制標(biāo)記檢測系統(tǒng)至少一部分的移動，以使標(biāo)記的檢測，至少在對物體的圖案形成開始后(至少在圖案形成處理中(例如曝光處理中))進(jìn)行。本發(fā)明的第2圖案形成裝置，用以在移動體所保持的物體形成圖案，其具備標(biāo)記檢測系統(tǒng)，其至少一部分能移動；以及控制裝置，于該移動體的移動中控制該標(biāo)記檢測系統(tǒng)的檢測區(qū)域的移動，以通過該標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測該物體上的標(biāo)記。據(jù)此，由于控制裝置在移動體的移動中移動標(biāo)記檢測系統(tǒng)的檢測區(qū)域，以該標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測物體上的標(biāo)記，因此能通過在物體移動中進(jìn)行標(biāo)記檢測，而縮短標(biāo)記檢測所需時間，進(jìn)而謀求圖案形成工藝整體的處理量的提升。本發(fā)明的第3圖案形成裝置，用以在移動體所保持的物體形成圖案，其具備標(biāo)記檢測系統(tǒng)，用以檢測該物體上的標(biāo)記；以及控制裝置，控制使用該標(biāo)記檢測系統(tǒng)的該物體上標(biāo)記的檢測、及對該物體的圖案形成；該控制裝置，以標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測該物體上的標(biāo)記，使用該檢測結(jié)果開始對該物體的圖案形成，且在該圖案形成開始后也以該標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測該物體上的標(biāo)記，于該圖案形成使用該檢測結(jié)果。據(jù)此，由于控制裝置是在使用物體上標(biāo)記的檢測結(jié)果進(jìn)行對物體的圖案形成開始后，也與圖案形成并行進(jìn)行物體上標(biāo)記的檢測，使用此檢測結(jié)果進(jìn)行圖案形成，因此能在維持處理量的狀態(tài)下，增加所檢測的標(biāo)記數(shù)量。如此，即能在維持處理量的狀態(tài)下實現(xiàn)高精度的圖案形成。本發(fā)明的第4圖案形成裝置，用以在移動體所保持的物體形成圖案，其具備復(fù)數(shù)個標(biāo)記檢測系統(tǒng)，具有在與第I方向正交的第2方向位置不同的檢測區(qū)域；檢測裝置，用以檢測與該物體面形狀相關(guān)的信息；以及控制裝置，一邊于該第I方向移動該移動體、一邊分別使用該復(fù)數(shù)個標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測該物體上于該第I方向位置不同的復(fù)數(shù)個標(biāo)記，且使用該檢測裝置檢測與該物體面形狀相關(guān)的信息，使用此二個檢測結(jié)果于該物體形成圖案。 據(jù)此，由于控制裝置系一邊于第I方向移動物體、一邊分別使用復(fù)數(shù)個標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測物體上于第I方向位置不同的復(fù)數(shù)個標(biāo)記，因此能謀求標(biāo)記檢測所需時間的縮短。此外，由于使用標(biāo)記檢測結(jié)果與關(guān)于物體面形狀的信息于物體形成圖案，因此能進(jìn)行高精度的圖案形成。又，使用本發(fā)明的第I 第4圖案形成方法、本發(fā)明的第I 第4圖案形成裝置于感應(yīng)物體上轉(zhuǎn)印圖案，能提升高積體度微元件的生產(chǎn)性。因此，本發(fā)明的另一觀點，是一種元件制造方法，其包含使用本發(fā)明的第I 第4圖案形成方法、本發(fā)明的第I 第4圖案形成裝置于感應(yīng)物體上形成圖案的轉(zhuǎn)印步驟。


圖I是顯示第I實施方式的曝光裝置的概略圖。圖2是顯示圖I的載臺裝置的俯視圖。圖3是顯示對準(zhǔn)系統(tǒng)載臺裝置的構(gòu)成的圖。圖4是用以說明對準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)的構(gòu)成的圖。圖5是放大顯示對準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)的一部分的圖。圖6是顯示第I實施方式的曝光裝置的控制的方塊圖。圖7(A)、(B)是用以說明使用晶片載臺與測量載臺的并行處理動作的圖(其I)。圖8(A)、(B)是用以說明使用晶片載臺與測量載臺的并行處理動作的圖(其2)。圖9(A)、(B)是用以說明使用晶片載臺與測量載臺的并行處理動作的圖(其3)。圖10(A)、(B)是用以說明使用晶片載臺與測量載臺的并行處理動作的圖(其4)。圖11是顯示晶片載臺與對準(zhǔn)系統(tǒng)的移動速度的圖。圖12(A)、(B)是用以說明第2實施方式的使用晶片載臺與測量載臺的并行處理動作的圖(其I)。圖13(A)、(B)是用以說明第2實施方式的使用晶片載臺與測量載臺的并行處理動作的圖(其2)。方式圖14(A)、(B)，系用以說明第2實施方式的使用晶片載臺與測量載臺的并行處理動作的圖(其3)。
具體實施例方式《第I實施方式》以下，根據(jù)圖I 圖11說明本發(fā)明的第I實施方式。圖I中，概略顯示第I實施方式的曝光裝置100的構(gòu)成。此曝光裝置100，是步進(jìn)掃描(step & scan)方式的掃描型曝光裝置，也即所謂掃描機(jī)。曝光裝置100，包含將曝光用照明光(以下，稱照明光或曝光用光)IL照射于標(biāo)線片R上的照明區(qū)域IAR的照明系統(tǒng)ILS、保持標(biāo)線片R的標(biāo)線片載臺RST、包含將從標(biāo)線片R射出的照明光IL投射至晶片W上的投影光學(xué)系統(tǒng)的投影單元PU、包含裝載晶片的晶片載臺WST及用于為進(jìn)行曝光的測量的測量載臺MST的載臺裝置150、對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2(關(guān) 于對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2請參照圖3)、作為在2維面(XY平面)內(nèi)移動該對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的致動器的驅(qū)動裝置(以下，稱“對準(zhǔn)系載臺裝置”)160、及統(tǒng)籌控制曝光裝置全體動作的主控制裝置50(圖I未圖示，參照圖6)等。以下說明中，以和投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX平行的方向(圖I中紙面內(nèi)的上下方向)為Z軸，在與Z軸垂直的平面內(nèi)、于掃描曝光時標(biāo)線片R與晶片W同步移動的既定掃描方向(在圖I中為紙面內(nèi)的左右方向)為Y軸，與該掃描方向正交的非掃描方向(在圖I中為與紙面垂直的方向)為X軸。又，繞X軸、Y軸、Z軸旋轉(zhuǎn)(傾斜)的方向分別定為9 x、0 y、Qz方向。又，曝光裝置100，通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL與液體Lq以照明光IL使晶片W曝光的液浸曝光裝置。本實施方式，采用在與晶片W對向配置且射出照明光IL的光學(xué)構(gòu)件，即投影光學(xué)系統(tǒng)PL中配置于最接近像面的光學(xué)元件(以下，稱終端光學(xué)元件、或最下端光學(xué)元件)與晶片W之間、含照明光IL光路的液浸空間充滿液體Lq的局部液浸方式,具備一部分(例如，嘴(nozzle)單元)設(shè)于機(jī)體BD的液浸裝置132。液浸裝置132，包含通過嘴單元對液浸空間供應(yīng)液體Lq的液體供應(yīng)裝置138、以及通過嘴單元回收液浸空間的液體Lq的液體回收裝置139(圖I中都未圖示，參照圖6)，以主控制裝置50加以控制。嘴單元可以是圍繞投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下端部、內(nèi)部具有液體流路的環(huán)狀構(gòu)件，但本實施方式中，是以液體供應(yīng)嘴131A、及液體回收嘴131B構(gòu)成。又，在晶片W上排列成矩陣狀的復(fù)數(shù)個照射區(qū)域分別形成有圖案，且于各照射區(qū)域、以和該圖案的既定位置關(guān)系形成有對準(zhǔn)標(biāo)記。本實施方式中，對準(zhǔn)標(biāo)記是2維標(biāo)記，包含例如在X軸及Y軸方向上分別周期性排列的2個I維圖案，且在晶片W上形成有區(qū)分復(fù)數(shù)個照射區(qū)域的分隔線(劃線)。又，晶片W上的照射區(qū)域(含對準(zhǔn)標(biāo)記)的排列信息是作為照射地圖數(shù)據(jù)儲存于主控制裝置50的存儲器。由于本實施方式采用前述EGA方式，故晶片W上復(fù)數(shù)個照射區(qū)域中，待檢測的對準(zhǔn)標(biāo)記的照射區(qū)域的位置及數(shù)量等相關(guān)信息(對準(zhǔn)照射數(shù)據(jù))也已輸入至主控制裝置50。此外，晶片載臺WST上的晶片W，其正交的分隔線分別與X軸及Y軸方向大致一致，于其表面形成有感光層(光刻膠層)。本實施方式中，可使用具有疏液性的感光材料，或者也可于感光層上形成保護(hù)用的表涂層膜。照明系統(tǒng)ILS包含光源及照明光學(xué)系統(tǒng)。該光源是使用例如ArF準(zhǔn)分子激光光源(輸出波長193nm)。又，照明光學(xué)系統(tǒng)，包含例如以既定位置關(guān)系配置的光束整形光學(xué)系統(tǒng)、能量粗調(diào)器、光學(xué)積分器(均衡器或均質(zhì)器)、照明系統(tǒng)孔徑光闌、分束器、中繼透鏡、標(biāo)線片遮簾、光路彎折用反射鏡及聚光透鏡等(都未圖示)。又，照明系統(tǒng)ILS的構(gòu)成、各光學(xué)構(gòu)件的功能等，已揭露于例如國際公開第2002/103766號小冊子(及對應(yīng)美國公開第2003/0098959 號)。前述標(biāo)線片載臺RST上，以例如真空吸附等方式固定有在圖案面(圖I的下面)形成有電路圖案等的標(biāo)線片R。標(biāo)線片載臺RST，通過包含例如線性馬達(dá)等的標(biāo)線片載臺驅(qū)動系統(tǒng)55，而至少能在XY平面內(nèi)微驅(qū)動，且在掃描方向(Y軸方向)以指定掃描速度驅(qū)動。標(biāo)線片載臺RST的位置信息(至少包含X軸方向、Y軸方向、0 z方向的位置信息)是由標(biāo)線片激光干涉儀(以下，稱標(biāo)線片干涉儀)53通過移動鏡65 (實際上，設(shè)有具有與Y軸方向正交的反射面的Y透鏡、與具有與X軸方向正交的反射面的X透鏡)，以例如0. 5至Inm程度的分解能力隨時加以檢測。該標(biāo)線片干涉儀53的量測值傳送至主控制裝置50。主控制裝置50根據(jù)該標(biāo)線片干涉儀53的量測值，以標(biāo)線片載臺驅(qū)動系統(tǒng)55控制標(biāo)線片載臺RST的位置(及速度)。又，移動鏡65除平面鏡外，也可是包含角隅型反射鏡(倒反射器)者，或者，也可取代將移動鏡固設(shè)于標(biāo)線片載臺RST，而使用例如將標(biāo)線片載臺RST的端面 (側(cè)面)施以鏡面加工所形成的反射面。前述投影單元W，是配置于圖I的標(biāo)線片載臺RST下方。該投影單元受設(shè)置于地面(或底板)上的機(jī)體(例如，包含以3個或4個分別設(shè)有防振單元的支柱來支撐基座構(gòu)件的保持機(jī)構(gòu))所支撐。投影單元PU插入于機(jī)體BD上所形成的開口 BDa，通過凸緣FLG受機(jī)體BD支撐。投影單元包含鏡筒140、具有以既定位置關(guān)系保持于該鏡筒140內(nèi)的復(fù)數(shù)個光學(xué)元件的投影光學(xué)系統(tǒng)PL。投影光學(xué)系統(tǒng)PL，是使用由例如沿光軸AX排列的復(fù)數(shù)個透鏡(透鏡元件)所構(gòu)成的折射光學(xué)系統(tǒng)。該投影光學(xué)系統(tǒng)PL例如是兩側(cè)遠(yuǎn)心、具有既定的投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或1/8倍)。因此，當(dāng)照明系統(tǒng)ILS的照明光IL照明標(biāo)線片R上的照明區(qū)域IAR時，利用該通過標(biāo)線片R的照明光IL，通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL (投影單元PU)，將該照明區(qū)域IAR內(nèi)標(biāo)線片R的電路圖案縮小像(電路圖案一部分的縮小像)形成于表面涂布光刻膠的晶片Wl (或W2)上的該照明區(qū)域IAR的共軛區(qū)域(以下，也稱“曝光區(qū)域”或“投影區(qū)域”)IA。又，本實施方式雖是將投影單元裝載于機(jī)體BD，但也可如例如國際公開第2006/038952號小冊子所揭示，將投影單元PU懸吊支撐于圖I中配置在機(jī)體BD上方(+Z側(cè))的主框架。本實施方式的曝光裝置100，至少在掃描曝光中，以液浸裝置132通過投影單元PU在包含照明光IL照射的曝光區(qū)域IA的晶片W上的一部分，局部的形成較曝光區(qū)域IA大且較晶片W小的液浸區(qū)域。于投影單元PU的下端部附近，設(shè)有構(gòu)成液浸裝置132的一部分的嘴單元，即設(shè)有液體供應(yīng)嘴131A、以及液體回收嘴131B。于前述液體供應(yīng)嘴131A，連接有其一端連接于液體供應(yīng)裝置138 (參照圖6)的未圖示的供應(yīng)管的另一端。于前述液體回收嘴131B，連接有其一端連接于液體回收裝置139 (參照圖6)的未圖示的回收管的另一端。主控制裝置50，通過液體供應(yīng)嘴131A將液體(例如純水)Lq供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL最下端的光學(xué)元件(透鏡等)與晶片W之間，并通過液體回收嘴131B回收液體Lq。此時，主控制裝置50控制體供應(yīng)裝置138及液體回收裝置139，以使液體供應(yīng)嘴131A所供應(yīng)的液體Lq的量、與通過液體回收嘴131B所回收的液體Lq的量相等。因此，于晶片W上保持一定量的液體Lq (參照圖I)。此時，晶片W上所保持的液體Lq隨時更換。
又，在投影單元下方配置測量載臺MST的情形時，也能與上述同樣的，在測量臺MTB與投影單元之間充滿液體Lq，即形成液浸區(qū)域。此外，本實施方式，雖至少將液浸裝置132的嘴單元設(shè)于機(jī)體BD，但若如前所述，曝光裝置100的構(gòu)成是將投影單元懸吊支撐于主框架的情形時，也可將嘴單元設(shè)在例如與投影單元PU分開獨立懸吊支撐于該主框架的框架。前述載臺裝置150，如圖I及載臺裝置150的俯視圖的圖2所示，包含配置于基臺112上的晶片載臺WST、以及例如日本特開平11-135400號公報(對應(yīng)國際公開第1999/23692號小冊子)、特開2000-164504號公報(對應(yīng)美國專利第6，897，963號)等所揭示的具有測量用構(gòu)件(基準(zhǔn)標(biāo)記、傳感器等)的測量載臺MST，用以測量這些載臺WST (晶片W) ,MST的位置(位置信息)的干涉儀系統(tǒng)118 (參照圖6)，用以驅(qū)動載臺WST，MST的載臺驅(qū)動系統(tǒng)124(參考圖6)。雖未圖示，但基臺112系通過例如4個防振單元配置于地面(或底板等)上。在晶片載臺WST及測量載臺MST的底面，于復(fù)數(shù)個位置設(shè)有未圖標(biāo)的非接觸軸承、例如空氣軸承(也稱為氣墊)。晶片載臺WST、測量載臺MST是這些空氣軸承、通過數(shù)U m程度的間隙支撐于基臺112的上面。又，各載臺WST，MST是通過載臺驅(qū)動系統(tǒng)124，在XY平 面內(nèi)彼此被獨立驅(qū)動(含0 z旋轉(zhuǎn))。詳言之，晶片載臺WST1，如圖I所示，包含于底面設(shè)有上述空氣軸承的晶片載臺本體91，以及通過未圖示的Z傾斜機(jī)構(gòu)(包含例如音圈馬達(dá)等致動器)搭載于該晶片載臺本體91上,能相對晶片載臺本體91微驅(qū)動于Z軸方向、0 X方向及0 y方向的晶片臺WTB。于晶片臺WTB上，設(shè)有大致矩形、其中央部形成有內(nèi)徑略大于晶片W的圓形開口的輔助板(疏液板)128。又，于圓形開口內(nèi)部，設(shè)有以真空吸附等方式保持晶片W的晶片保持具(未圖示)。前述輔助板128具有經(jīng)疏液(對液體Lq)化處理的表面(疏液面)，其表面被設(shè)定為與晶片保持具所吸附保持的晶片W大致同一面高。此外，輔助板128以低熱膨脹率的材料、例如以璃或陶瓷(SH0TT (首德公司)制Zerodur (零膨脹陶瓷玻璃)、A1203或TiC等)形成，其表面以例如氟樹脂材料、四氟乙烯等(鐵氟龍(注冊商標(biāo)))等氟系樹脂材料、丙烯系樹脂材料或硅系樹脂材料等形成的疏液膜。前述測量載臺MST，包含上述空氣軸承設(shè)于其底面的測量載臺本體本體92，以及通過未圖示的Z傾斜機(jī)構(gòu)搭載于該測量載臺本體92上的測量臺MTB。于前述測量臺MTB (及測量載臺本體92)設(shè)有各種測量用構(gòu)件。此測量構(gòu)件，包含例如特開平5-21314號公報(對應(yīng)美國專利第5，243，195號)等所揭示的形成有復(fù)數(shù)個基準(zhǔn)標(biāo)記的基準(zhǔn)標(biāo)記構(gòu)件、以及通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL接受照明光IL的傳感器等。本實施方式中，作為此傳感器，采用例如特開平11-16816號公報(對應(yīng)美國公開2002/0061469號)等所揭示的照度監(jiān)測器、例如特開昭57-117238號公報(對應(yīng)美國專利第4，465，368號)等所揭示的照度不均傳感器、例如特開2002-14005號公報(對應(yīng)美國公開2002/0041377號)等所揭示的空間像測量器、以及例如國際公開第2003/065428號小冊子等所揭示的謝克-哈特曼(Shack-Hartman)方式的波面像差測量器的至少一者。本實施方式中，對應(yīng)于進(jìn)行通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL與液體Lq以照明光IL使晶片W曝光的液浸曝光，以照明光IL進(jìn)行的測量所使用的上述傳感器，可以是例如僅將光學(xué)系統(tǒng)等的一部分搭載于測量臺MTB(及測量載臺本體92)，也可將傳感器全體配置于測量臺MTB (及測量載臺本體92)。又，本實施方式中，測量臺MTB (可包含前述測量用構(gòu)件)表面以覆有疏液膜(疏水膜)。其次，說明載臺驅(qū)動系統(tǒng)124。如圖2的俯視圖所示，于基臺112的+X側(cè)、-X側(cè)分別配置有往Y方向延伸的一對Y軸固定件86，87。這些Y軸固定件86，87由具有在其內(nèi)部沿例如Y軸方向以既定間隔配置的復(fù)數(shù)個線圈的電樞單元所構(gòu)成。這些Y軸固定件86，87分別卡合于沿X軸延伸的X軸固定件80的長邊方向方向一端與另一端分別設(shè)有的Y軸可動件82，83。又，Y軸固定件86，87也分別卡合于沿X軸延伸的X軸固定件81的長邊方向方向一端與另一端分別設(shè)有的Y軸可動件84，85。Y軸可動件82 85分別由具有沿例如Y軸方向以既定間隔配置的復(fù)數(shù)個永久磁鐵的磁極單元所構(gòu)成。S卩，通過Y軸固定件86與Y軸可動件82、Y軸固定件87與Y軸可動件83、Y軸固定件86與Y軸可動件84、Y軸固定件87與Y軸可動件85，分別構(gòu)成于Y軸方向驅(qū)動Y軸可動件82 85的4個可動磁鐵型Y軸線性馬達(dá)。以下，該4個Y軸線性馬達(dá)分別用與Y軸可動件相同符號，適當(dāng)?shù)姆Q為Y軸線性馬達(dá)82 85。另外，Y軸線性馬達(dá)也可采用可動線 圈型線性馬達(dá)。該4個Y軸線性馬達(dá)中，以2個Y軸線性馬達(dá)82，83將晶片載臺WSTl與X軸固定件80 —體驅(qū)動于Y軸方向，以其余2個Y軸線性馬達(dá)84，85，將晶片載臺WST2與X軸固定件81—體驅(qū)動于Y軸方向。又，晶片載臺WST1，WST2分別受2個Y軸線性馬達(dá)驅(qū)動而在0 z方向微動。前述各X軸固定件80，81，例如是由內(nèi)藏沿X軸方向以既定間隔配置的電樞線圈的電樞單元所構(gòu)成。X軸固定件81，插入于構(gòu)成晶片載臺WST的晶片載臺本體91 (參考圖I)所形成的未圖示開口。在晶片載臺本體91的該開口部內(nèi)部，設(shè)有由例如磁極單元構(gòu)成的未圖標(biāo)X軸可動件。即，由X軸固定件81與X軸可動件構(gòu)成于X軸方向驅(qū)動晶片載臺WST的可動磁鐵型X軸線性馬達(dá)。以下，使于與其固定件的X軸固定件81相同的符號，適當(dāng)?shù)膶⒋薠軸線性馬達(dá)稱為X軸線性馬達(dá)81。又，X軸固定件80插入于構(gòu)成測量載臺MST的測量載臺本體92(參考圖I)所形成的未圖示開口。在測量載臺本體92的該開口部內(nèi)部,設(shè)有由例如磁極單元構(gòu)成的未圖標(biāo)X軸可動件。即，由X軸固定件80與X軸可動件構(gòu)成于X軸方向驅(qū)動測量載臺MST的可動磁鐵型X軸線性馬達(dá)。以下，使于與其固定件的X軸固定件80相同的符號，適當(dāng)?shù)膶⒋薠軸線性馬達(dá)稱為X軸線性馬達(dá)80。又，另外，X軸線性馬達(dá)80，81也可采用可動線圈型線性馬達(dá)。本實施方式，由Y軸線性馬達(dá)82 85及X軸線性馬達(dá)80，81，以及晶片載臺WST、測量載臺MST所分別具有的Z傾斜機(jī)構(gòu)，來構(gòu)成如圖6所示的載臺驅(qū)動系統(tǒng)124。構(gòu)成此載臺驅(qū)動系統(tǒng)124的上述各線性馬達(dá)，受圖6所示主控制裝置50所控制。又，本實施方式中，相對投影光學(xué)系統(tǒng)PL在測量載臺MST的相反側(cè)(+Y側(cè))，設(shè)定以未圖標(biāo)的搬送裝置(晶片裝載器)移送晶片W的裝載位置WEP。晶片載臺WST在移動至此裝載位置WEP裝載晶片W后，即朝向液體LQ正下方(前述曝光區(qū)域)移動。在晶片W的曝光處理結(jié)束后，晶片載臺WST移動至卸載位置(本實施方式與裝載位置為相同位置)，進(jìn)行曝光處理后晶片W的卸載、以及次一待處理晶片的裝載(晶片更換)。晶片載臺WST (晶片W)及測量載臺MST的位置信息，由圖6的干涉儀系統(tǒng)118通過晶片臺WTB及測量臺MTB的側(cè)面(經(jīng)鏡面加工的反射面)，以例如0. 5 Inm程度的分解能力隨時檢測。干涉儀系統(tǒng)118，包含圖2所示用來檢測晶片載臺WST的Y軸方向位置(含9 z方向的位置)的Y干涉儀16、用來檢測測量載臺MST的Y軸方向位置(含0z方向的位置)的Y干涉儀18、用來檢測各載臺的X軸方向位置的X干涉儀24，26、以及用來檢測晶片臺WTB的Z軸方向位置(含9X方向的位置及0y方向的位置)的Z干涉儀(未圖示)等。干涉儀系統(tǒng)118的測量值被傳送至主控制裝置50，主控制裝置50根據(jù)此干涉儀系統(tǒng)118的測量值通過載臺驅(qū)動系統(tǒng)124控制各載臺WST，MST(及各晶片臺WTB，MTB)的位置。又，也可取代對各臺側(cè)面施以鏡面加工，而于各臺設(shè)置移動鏡。此外，以例如線性編碼器等與干涉儀系統(tǒng)118并用或取代之，來檢測各載臺位置也可。此外，于本實施方式的曝光裝置100設(shè)有離軸方式的對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2，這些對準(zhǔn)系統(tǒng)在前述裝載位置WEP與晶片W的曝光開始位置之間分別具有檢測區(qū)域，能在與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX垂直的既定面(XY平面)內(nèi)獨立的變化其檢測區(qū)域的位置。此對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2，為了在上述既定面內(nèi)移動檢測區(qū)域，可通過對準(zhǔn)系載臺裝置160使至少一部分、例如除光源外的一部分(含接物光學(xué)系統(tǒng)及受光元件等)可動。因此，通過在晶片載臺WST移動中分別移動對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的一部分，即能使其檢測區(qū)域與晶片載臺WST 上的標(biāo)記(晶片W的對準(zhǔn)標(biāo)記等)以既定位置關(guān)系移動，據(jù)此而能在晶片載臺WST移動中進(jìn)行標(biāo)記檢測。又，本實施方式中，由于對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2為影像處理方式，因此為避免晶片載臺WST移動中標(biāo)記脫離檢測區(qū)域而移動對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的一部分。因此，最好是能以至少在進(jìn)行標(biāo)記檢測(拍攝)的既定時間中標(biāo)記與檢測區(qū)域的相對速度為零的方式來移動對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的至少一部分。又，本實施方式中，至少在晶片載臺WST從前述裝載位置WEP移動至晶片W的曝光開始位置的期間，以對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2分別進(jìn)行晶片W上復(fù)數(shù)個對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測，并對晶片W上待曝光處理的M個照射區(qū)域的全部、或一部分(例如，第n個(為In M-I的整數(shù)))進(jìn)行掃描曝光，而使用所檢測的復(fù)數(shù)個標(biāo)記的位置信息。此處，本實施方式的晶片W曝光開始位置，是將晶片W上最先待曝光處理的第I個照射區(qū)域設(shè)定于掃描開始位置(加速)時的晶片W(晶片載臺WST)的位置。此外，本實施方式中，在晶片W的曝光開始后也使用對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的至少一方進(jìn)行標(biāo)記檢測，并將所檢測的標(biāo)記信息，用于第2以后的照射區(qū)全部或其一部分的掃描曝光。又，本實施方式的曝光裝置100，也可于保持投影單元PU的機(jī)體BD裝備面形狀檢測裝置125(參照圖6)。此面形狀檢測裝置125，包含例如將較晶片W的直徑長的線狀光束斜入射至晶片載臺WST上的晶片W的照射系統(tǒng)，以及具有接收該照射系統(tǒng)所照射光束的反射光的檢測器、例如I維CCD傳感器或線狀傳感器等的受光系統(tǒng)。此處，從照射系統(tǒng)照射的線狀光束，實際上，是由復(fù)數(shù)個點狀(或狹縫狀)激光光如例在前述裝載位置WEP與曝光開始位置之間、于X軸方向分開排列所形成的光束，照射區(qū)域?qū)嶋H上是復(fù)數(shù)個點狀光束的照射區(qū)域的集合。因此，能與周知多點AF系的檢測原理相同的原理，以復(fù)數(shù)個點狀照射區(qū)域為測量點，來檢測晶片W在測量點的Z位置(與晶片W移動的既定面(XY平面)垂直的Z軸方向相關(guān)的位置信息)。主控制裝置50，根據(jù)此測量結(jié)果能檢測與晶片W的曝光對象面面形狀相關(guān)的信息。因此，于曝光開始前(例如，從前述裝載位置WEP移動至曝光開始位置之時)相對此面形狀檢測裝置125的照射區(qū)域移動晶片W，主控制裝置50根據(jù)干涉儀系統(tǒng)118的測量值(晶片的位置)與該檢測裝置125的檢測結(jié)果，算出晶片表面的Z位置信息的分布。之后，主控制裝置50于曝光動作時，根據(jù)前述算出結(jié)果，控制晶片臺WTB于Z軸方向的位置、姿勢。本實施方式中，由于以面形狀檢測裝置125進(jìn)行的晶片Z位置信息的檢測動作中至少一部分，與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的標(biāo)記檢測動作(后述)并行，因此能抑制因曝光開始前的Z位置信息檢測所造成的處理量降低。此外，最好是能將面形狀檢測裝置125的照射區(qū)域，例如于Y軸方向在曝光區(qū)域IA (液體Lq的液浸區(qū)域)與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測區(qū)域之間，配置成與X軸方向大致平行。此時，由于是在將晶片載臺WST從裝載位置WEP移動至曝光開始位置的期間進(jìn)行所有Z位置信息的檢測動作，因此能提升曝光精度及處理量的雙方。又，若如前所述，曝光裝置100是將投影單元PU懸吊支撐于主框架的情形時，例如可將面形狀檢測裝置125的至少一部分設(shè)于與投影單元分開獨立懸吊的量測框架。前述對準(zhǔn)系統(tǒng)載臺裝置160，如圖I所示，包含設(shè)置成與前述機(jī)體BD振動分離的框架FR，以非接觸方式設(shè)于該框架FR下面?zhèn)鹊钠脚_BSl，BS2(圖I中未顯示平臺BS2參照圖3)，以及支撐對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2、以各平臺BS1，BS2的下面為移動基準(zhǔn)面于X軸及Y軸 方向移動的對準(zhǔn)系載臺ASTl，AST2(關(guān)于對準(zhǔn)系載臺AST2參照圖3)。前述框架FR，雖未圖示，但在其四個角落，被從地面(或底板等)立設(shè)的復(fù)數(shù)根(例如4根)支撐柱所支撐。此框架FR，由YZ截面呈倒U字形的構(gòu)件所構(gòu)成，于其+Y側(cè)端部及-Y側(cè)端部固定有用以驅(qū)動后述對準(zhǔn)系載臺AST1，AST2線性馬達(dá)的固定件。前述各平臺BS1，BS2,由下面(-Z側(cè)的面)被加工成極高平坦度的板狀構(gòu)件所構(gòu)成，通過復(fù)數(shù)個(例如3個)防振機(jī)構(gòu)162懸吊支撐于框架FR。此防振機(jī)構(gòu)162，包含支撐裝置與音圈馬達(dá)，支撐裝置例如具有活塞與汽缸，可利用活塞與汽缸間所形成的氣體室內(nèi)的氣體壓力來支撐平臺BSl (或BS2)本身的重量，音圈馬達(dá)用以驅(qū)動該支撐裝置的活塞。前述對準(zhǔn)系載臺AST1，如圖3所示，包含可移動于Y軸方向的Y載臺42，與相對嘎Y載臺42能移動于X軸方向的X載臺40。前述Y載臺42，具有俯視呈大致矩形的形狀，通過Y線性馬達(dá)YLMl (包含固定于框架FR的Y軸固定件46、與固定于Y載臺42的+X側(cè)端部的Y軸可動件48)沿Y軸驅(qū)動。前述X載臺40，由包含固定于Y載臺42下面(-Z側(cè)面)且以Y軸方向為長邊方向的一對X軸固定件52A，52B與固定于X載臺40的+Y側(cè)端部及-Y側(cè)端部的一對X軸可動件54A，54B的一對X線性馬達(dá)XLMl，XLM2，沿X軸驅(qū)動。又，于一 X線性馬達(dá)XLM2內(nèi)，一并設(shè)有對X載臺40施以Y軸方向驅(qū)動力的音圈馬達(dá)，可將X載臺40微驅(qū)動于Y軸方向。又，通過改變X線性馬達(dá)XLMl，XLM2沿X軸的驅(qū)動力，能使X載臺40旋轉(zhuǎn)驅(qū)動于Q z方向。前述對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，包含含有物鏡等光學(xué)系統(tǒng)及攝影元件(例如(XD)等。構(gòu)成對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl的一部分的CCD周邊設(shè)有液體流動的管線，通過該管線內(nèi)流動的液體使CCD液冷。由此，由于能將包含物鏡等的光學(xué)系統(tǒng)配置于CXD近處，故可使對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl小型化。此處，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl的光源并非以對準(zhǔn)系載臺移動，而是設(shè)于對準(zhǔn)系載臺的外部，以光纖等連接。又，不僅如此，也可使用將設(shè)于外部的光源所發(fā)出的光束傳送至對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl的光學(xué)系統(tǒng)、含反射鏡等的中繼光學(xué)系統(tǒng)。又，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl并不限于影像處理方式，除此之外，也可使用其它各種方式的傳感器。例如，也可使用檢測同調(diào)激光束的照射而從對準(zhǔn)標(biāo)記產(chǎn)生的繞射光的傳感器。又，CCD的冷卻方式也不限于液冷，也可使用氣冷。如圖3所示，于Y載臺42與X載臺40的下面(_Z側(cè)面)配置有對準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)69 (僅顯示于圖6)的各種光學(xué)構(gòu)件。本實施方式的干涉儀系統(tǒng)69采用雙通方式，以測量對準(zhǔn)系統(tǒng)載臺ASTl (也即對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1)的X軸及Y軸方向的位置信息、與0 x、0y及
0z方向的旋轉(zhuǎn)信息。以下，根據(jù)圖4說明對準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)69。此干涉儀系統(tǒng)69，包含圖4所示的感測頭部68，設(shè)于Y載臺42的第I、第2彎折鏡部72，73，設(shè)于X載臺40的二個光學(xué)單元74，75，以及X固定鏡70X、Y固定鏡70Y1。X固定鏡70X的+X側(cè)及-X側(cè)的側(cè)面分別被鏡面加工而形成反射面，Y固定鏡70Y1則是-Y側(cè)的側(cè)面被鏡面加工而形成反射面。感測頭部68、X固定鏡70X、及Y固定鏡70Y1是固定于支撐投影單元I3U的機(jī)體BD。又，X固定鏡70X懸吊支撐于支撐構(gòu)件77 (通過形成于框架FR的一部分的開口連接于機(jī)體BD)。

前述感測頭部68，其內(nèi)部設(shè)有光源、光學(xué)系統(tǒng)、以及復(fù)數(shù)個檢光件(偏振器)及復(fù)數(shù)個光電轉(zhuǎn)換元件，彎折鏡等。前述第I彎折鏡部72及第2彎折鏡部73分別包含棱鏡(或反射鏡)。棱鏡(或反射鏡)，具有相對XZ面及YZ面呈45度角的反射面。第I彎折鏡部72是反射從感測頭部68輸出的光束BMl (實際上，光束BMl由上下方向(Z方向)分離的二條光束構(gòu)成，但為了避免說明過于繁雜，在以下的說明中假設(shè)為一條)，使其入射至前述光學(xué)單元74。又，第2彎折鏡部73是反射另一光束BM2 (實際上，光束BM2系由上下方向(Z方向)分離的二條光束構(gòu)成)，使其入射至光學(xué)單兀75。前述光束BMl入射的光學(xué)單元74，包含反射鏡74a、以及于該反射鏡74a+Y側(cè)相距既定間隔設(shè)置的光學(xué)構(gòu)件74b。光學(xué)構(gòu)件74b，如圖5中放大所示，由偏振分束器(PBS)49a、角隅型反射鏡(倒反射器)49b、4分的I波長板(X /4板)49c，49d、以及參照鏡49e等所一體構(gòu)成。通過此光學(xué)構(gòu)件74b，被反射鏡74a反射的光束BMl入射至偏振分束器49a。入射至此偏振分束器49a的光束BM1，即分離為由透射過分離面(由分束器內(nèi)部的多層膜等構(gòu)成)P偏振成分構(gòu)成的參照光束RBX、與由被分離面反射的S偏振成分構(gòu)成的測定光束MBX。被上述分離面反射的測定光束MBX，透射過X/4板49c轉(zhuǎn)換成圓偏振被固定鏡70X反射。被上述固定鏡70X反射的測定光束再度透射過\ /4板49c成為P偏振后，透射過上述分離面經(jīng)角隅型反射鏡49b折返。此折返的測定光束MBX透射過上述分離面及入/4板49c，成為圓偏振再度被固定鏡70X反射，此反射的測定光束透射過\ /4板49c成為S偏振經(jīng)上述分離面反射，經(jīng)反射鏡74a、第I彎折鏡部72而回到感測頭部68。另一方面，透射過上述分離面的參照光束(P偏振成分)透射過入/4板49(1成為圓偏振，經(jīng)反射鏡49e的反射面反射而再度透射過\ /4板49d，成為S偏振被上述分離面反射，經(jīng)角隅型反射鏡49b折返。此折返的參照光束被上述分離面再度反射而透射過X/4板49d，成為圓偏振被板射鏡49e反射，被反射的參照光束透射過\ /4板49d成為P偏振而透射過上述分離面，與前述測定光束的折返光(S偏振)合成為同軸，經(jīng)反射鏡74a、及第I彎折鏡部72反射而通過感測頭部68內(nèi)檢測單元的檢光件。據(jù)此，從該檢光件輸出測定光束MBX與參照光束RBX的干涉光，此干涉光被光電轉(zhuǎn)換元件接收，而將以固定鏡70X為基準(zhǔn)的對準(zhǔn)系載臺ASTl的X軸方向位置信息傳送至主控制裝置50。如前所述，由于光束BMl于Z軸方向分離的二條光束所構(gòu)成，因此主控制裝置50能從該二條光束分別得到的X軸方向位置信息，不僅是對準(zhǔn)系載臺ASTl (對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1)的X軸方向位置信息，也能檢測出0y方向的旋轉(zhuǎn)信息(rolling)。前述光學(xué)單元75，如圖5中放大所示，包含光學(xué)構(gòu)件75a，75b、與彎折鏡75c，75d。光學(xué)構(gòu)件75a,包含偏振分束器51a、設(shè)于該偏振分束器51a的+Y側(cè)端面的入/4板51c、以及半反射鏡51b及反射鏡51d。光學(xué)構(gòu)件75b,包含偏振分束器52a、設(shè)于該偏振分束器52a的入/4板52c、以及反射鏡52d。于光學(xué)構(gòu)件75a，被反射鏡73反射的光束BM2入射至半反射鏡51b，而分離為被該半反射鏡51b反射的第I光束BM2a、與持續(xù)行進(jìn)的第2光束BM2b。第I光束BM2a，分離為由透射過偏振分束器51a的分離面的P偏振成分構(gòu)成的測 定光束、與由被分離面反射的S偏振成分構(gòu)成的參照光束。透射過上述分離面的測定光束,透射過\ /4板51c成為圓偏振被固定鏡70n反射后，透射過X/4板51c成為S偏振后，被上述分離面及反射鏡51d反射。此反射的測定光束透射過X/4板51c成為圓偏振再度被固定鏡70n反射后,透射過X/4板51c而成為P偏振，經(jīng)反射鏡51d透射過上述分離面，再經(jīng)圖4的第2彎折鏡部73回到感測頭部68。另一方面，經(jīng)上述分離面反射的參照光束被偏振分束器51a反射后，經(jīng)第2彎折鏡部73回到感測頭部68。此參照光束與測定光束的折返光(P偏振)合成為同軸，通過感測頭部68內(nèi)檢測單元的檢光件。據(jù)此，從該檢光件輸出參照光束與測定光束的干涉光，此干涉光被光電轉(zhuǎn)換元件接收，而將以固定鏡70Y1為基準(zhǔn)的對準(zhǔn)系載臺ASTl的Y軸方向位置信息傳送至主控制裝置50。另一方面，透射過半反射鏡51b的第2光束BM2b被反射鏡52b反射，而分離為由透射過偏振分束器52a分尚面的P偏振成分構(gòu)成的測定光束、與由被分尚面反射的S偏振成分構(gòu)成的參照光束。透射過上述偏振分束器52a的測定光束,透射過入/4板52c成為圓偏振被固定鏡70Y1反射后，透射過X/4板52c成為S偏振后，被上述分離面及反射鏡52d反射。此反射的測定光束透射過、/4板52c成為圓偏振再度被固定鏡70Y1反射后，透射過\ /4板52c而成為P偏振，經(jīng)反射鏡52d透射過上述分離面，再經(jīng)反射鏡75c，75d及圖4的第2彎折鏡部73回到感測頭部68。另一方面，經(jīng)上述偏振分束器52a反射的參照光束經(jīng)反射鏡75c，75d及第2彎折鏡部73回到感測頭部68。此參照光束與測定光束的折返光(P偏振)合成為同軸，通過感測頭部68內(nèi)檢測單元的檢光件。據(jù)此，從該檢光件輸出參照光束與測定光束的干涉光，此干涉光被光電轉(zhuǎn)換元件接收，而將以固定鏡70Y1為基準(zhǔn)的對準(zhǔn)系載臺ASTl的Y軸方向位置信息傳送至主控制裝置50。如前所述，由于光束BM2a，BM2b分別由于Z軸方向分離的二條光束所構(gòu)成，因此主控制裝置50能從該四條光束分別得到的Y軸方向位置信息，不僅是對準(zhǔn)系載臺ASTl (對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1)的Y軸方向位置信息，也能檢測出0 z方向的旋轉(zhuǎn)信息(yawing)、以及0 x方向的旋轉(zhuǎn)信息(pitching)?；氐綀D3，用來移動另一對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2的對準(zhǔn)系載臺AST2也為左右對稱，與對準(zhǔn)系載臺ASTl為相同的構(gòu)成。
S卩，對準(zhǔn)系載臺AST2包含能移動于Y軸方向的Y載臺142、與能相對該Y載臺142移動于X軸方向的X載臺140。前述Y載臺142被Y線性馬達(dá)YLM2 (包含固定于框架FR的Y軸固定件146、與固定在Y載臺142的-X側(cè)端部的Y軸可動148)驅(qū)動于Y軸方向，前述X載臺140則被一對X線性馬達(dá)XLM3，XLM4(包含固定在Y載臺142下面(-Z側(cè)面)以X軸方向為長邊方向的對X軸固定件152A，152B、與固定在X載臺140的-Y側(cè)及+Y側(cè)端面的一對X軸可動件154A，154B)驅(qū)動于X軸方向及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動于0z方向。又，于X線性馬達(dá)XLM4與前述X載臺40同樣的并設(shè)有音圈馬達(dá)，能于Y軸方向微驅(qū)動X載臺140。前述對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2，由于與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl完全相同構(gòu)成的影響處理方式的對準(zhǔn)系統(tǒng)，因此。此處省略其說明。又，于Y載臺142與X載臺140的下面(-Z側(cè)面)，配置有構(gòu)成對準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)169 (僅顯不于圖6)的各種光學(xué)構(gòu)件。

前述對準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)169為左右對稱，具有于前述對準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)69相同的構(gòu)成與功能，此處省略詳細(xì)說明，但其包含感測頭部168、以及設(shè)于X載臺140、Y載臺142上的各種光學(xué)構(gòu)件。本實施方式的干涉儀系統(tǒng)169，能以設(shè)于機(jī)體BD的固定鏡70X(-側(cè)的反射面)及固定鏡70Y2 (-側(cè)的反射面)為基準(zhǔn)，檢測對準(zhǔn)系載臺AST2 (對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2)的X軸及Y軸方向的位置信息、以及0x，0 y, 0 z方向的旋轉(zhuǎn)信息。又，本實施方式中，平臺BS1，BS2雖是分別通過防振機(jī)構(gòu)162支撐于框架FR，但也可例如在地面(或底板等)上通過防振機(jī)構(gòu)162設(shè)置框架FR，而僅將平臺BS1，BS2固定于框架FR。又，本實施方式中，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2及載臺裝置160是設(shè)于框架FR，但如前述曝光裝置100般將投影單元懸吊支撐于主框架情況時，可將對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2及載臺裝置160與投影單元—體懸吊，也可將對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2及載臺裝置160設(shè)于與投影單元PU分開獨立懸吊的量測框架。再者，也可將對準(zhǔn)系統(tǒng)干涉儀系統(tǒng)69，169的至少一部分與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2 一起設(shè)于量測框架。此外，可將對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2與前述嘴單元設(shè)于同一測量框架，或者設(shè)于不同框架也可。圖6是顯示本實施方式的曝光裝置100的控制系統(tǒng)主要構(gòu)成的方塊圖。圖6的控制系統(tǒng)，包含由CPU (中央運(yùn)算處理裝置)、R0M(只讀存儲器)、RAM(隨機(jī)存取存儲器)等所構(gòu)成的所謂微電腦(或工作站)，以統(tǒng)籌控制裝置全體的主控制裝置50為中心。其次，根據(jù)圖7(A) 圖11，詳細(xì)說明曝光裝置100使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作。又，各部分雖是由主控制裝置50加以控制，但為了避免說明過于繁雜，除特別必要的部分以外省略其說明。又，以下動作中，以主控制裝置50控制液浸裝置132的液體供應(yīng)動作及回收動作，于投影光學(xué)系統(tǒng)PL最下端光學(xué)元件的下側(cè)，隨時形成有液體Lq的液浸區(qū)域。又，量測對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的位置的對準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)69的坐標(biāo)系、與量測晶片載臺WST的位置的干涉儀系統(tǒng)118的坐標(biāo)系間的關(guān)系，使用測量載臺MST上的基準(zhǔn)標(biāo)記等于事前測量。即，以對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2進(jìn)行測量載臺MST的基準(zhǔn)標(biāo)記檢測時，根據(jù)從干涉儀系統(tǒng)69，169所得的對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的位置、與從干涉儀系統(tǒng)118所得的測量載臺MST的位置，求出其關(guān)系(換言之，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2在干涉儀系統(tǒng)118的坐標(biāo)系上的檢測中心位置)。本實施方式中，根據(jù)上述關(guān)系、前述照射地圖數(shù)據(jù)(含對準(zhǔn)照射數(shù)據(jù))、及干涉儀系統(tǒng)69，169，118的測量值移動對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2，，以進(jìn)行晶片上對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測。又，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的基線(投影光學(xué)系統(tǒng)PL的標(biāo)線片圖案投影位置與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl, ALG2的檢測中心的位置關(guān)系、或距離)的測量也已進(jìn)行，主控制裝置50對該測量時的對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的位置賦予對應(yīng)關(guān)系，將其儲存于存儲器。此基線測量，例如是使用特開平7-176468號公報(對應(yīng)美國專利第5，646413號)等所揭示的未圖示的標(biāo)線片對準(zhǔn)系統(tǒng)、以及測量載臺MST的基準(zhǔn)標(biāo)記等。圖7 (A)，顯示于前述裝載位置進(jìn)行晶片載臺WST上的晶片更換時，載臺裝置150的狀態(tài)。此時，晶片載臺WST的位置，由X干涉儀24與Y干涉儀16所量測。不過，于晶片載臺WST，則Y干涉儀16的二條光束中僅一條光束照射的狀態(tài)。又，在此晶片更換期間，測量載臺MST取代晶片載臺WST配置在投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方，適當(dāng)?shù)倪M(jìn)行空間像測量、波面像差測量等的各種測量。在此狀態(tài)下，當(dāng)晶片載臺WST上的晶片W以未圖示的晶片更換機(jī)構(gòu)進(jìn)行更換后，晶片載臺WST便向+X方向移動。于此移動期間，由于Y干涉儀16的二條光束照射于晶片載 臺WST，因此進(jìn)行干涉儀連接(Y干涉儀16的二個測量值的對應(yīng)關(guān)系)。之后，晶片載臺WST進(jìn)一步移動于+X方向，在定位于圖7(B)所示位置時，進(jìn)行晶片W上所形成的對準(zhǔn)標(biāo)記的第I次檢測動作。此時，如顯示晶片載臺WST于Y軸方向速度的圖11所示，于第I次檢測動作(以EGAl所示部分)時，晶片載臺WST停止(速度0)，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2也被定位于既定位置而靜止(速度0)。據(jù)此，晶片W上第I組對準(zhǔn)標(biāo)記分別被設(shè)定在對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測區(qū)域內(nèi)，根據(jù)以干涉儀16，24測量的晶片載臺WST的位置信息、以對準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)69，169測量的對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2的位置信息、以及以對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2檢測的對準(zhǔn)標(biāo)記偏離檢測中心的偏移量，分別檢測該第I組對準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息(坐標(biāo)值)。又，在上述第I次對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測動作前，也可進(jìn)行使用搜尋對準(zhǔn)標(biāo)記的搜尋對準(zhǔn)。接著，在上述第I次檢測動作結(jié)束的階段，晶片載臺WST即開始往-Y方向的加速。又，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2也以小于晶片載臺WST的加速度，同時開始往-Y方向的加速，且對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl開始往+X方向、對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2往-X方向移動。在晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的速度分別到達(dá)既定速度(約為600mm/s (參照圖11))的階段即開始等速移動。又，在這些速移動階段，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2往X軸方向的移動已結(jié)束，且如圖8 (A)所示，晶片W上第2組對準(zhǔn)標(biāo)記已分別被定位在對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測區(qū)域內(nèi)。上述移動中，由于晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的加速度相異，因此晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2于Y軸方向的相對位置關(guān)系，與圖7(B)的情形相較，會變化既定距離(相當(dāng)于圖11的面積S的距離)。又，于Y軸方向開始等速移后，在持續(xù)這些速移動的狀態(tài)下進(jìn)行第2次的對準(zhǔn)標(biāo)記檢測動作(圖11的EGA狀態(tài))。此時，由于晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的速度一致，因此相對速度為O。因此，能以晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2停止時相同的條件進(jìn)行標(biāo)記檢測。之后，在上述第2次檢測動作結(jié)束的階段，開始對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的減速，經(jīng)既定時間后，開始晶片載臺WST的減速。并如圖8(B)所示，在晶片載臺WST與測量載臺MST最接近(或接觸)的階段，使晶片載臺WST的速度為O。又，上述減速中，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl往+X方向移動、對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2往-X方向移動，將對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGI，ALG2定位成晶片W上第3組對準(zhǔn)標(biāo)記分別被設(shè)定在對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2的檢測區(qū)域內(nèi)。然后，在晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2停止的狀態(tài)下進(jìn)行第3次對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測動作(圖11的EGA3)。當(dāng)?shù)?次檢測動作結(jié)束時，即和第I次檢測動作與第2次檢測動作之間同樣的，開始晶片載臺WST及對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的加速。此時，晶片載臺WST與測量載臺MST以接觸(或維持微小間隔)狀態(tài)被驅(qū)動于-Y方向(即，測量載臺MST也與晶片載臺WST相同的加速度來加速)。又，與此同時對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2也分別被微驅(qū)動于+X、_X方向，將晶片W上第4組對準(zhǔn)標(biāo)記分別設(shè)定在對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測區(qū)域內(nèi)(圖9(A))。并在晶片載臺WST (及測量載臺MST)與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2成為相同速度時，進(jìn)行第4次對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測動作(圖11的EGA4)。此時，由于晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的相對速度也為0，因此，能以晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2停止時相同的精度進(jìn)行對準(zhǔn)。之后，在上述第4次檢測動作結(jié)束的階段，開始對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的減速，之后， 開始晶片載臺WST的減速。又，此減速中，由于X干涉儀24，26雙方的光束會照射于晶片載臺WST，因此在晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的速度成為0時進(jìn)行干涉儀連接(Y干涉儀24，26的測量值的對應(yīng)關(guān)系)。又，如圖9 (B)所示，于減速動作中，液體Lq移至晶片載臺WST上，并將晶片W上第5組對準(zhǔn)標(biāo)記分別設(shè)定在對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測區(qū)域內(nèi)。然后，在晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的速度為0的階段，進(jìn)行第5次對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測動作(圖11的EGA5)。采用以上方式，以對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2檢測晶片W上的10個對準(zhǔn)標(biāo)記。之后，如圖10(A)所示，由于晶片載臺WST移動至對晶片W上第I個照射區(qū)域進(jìn)行曝光的曝光開始位置，因此在該移動結(jié)束時、或該移動中，使用對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2檢測晶片W中央的對準(zhǔn)標(biāo)記。以上述方式檢測合計11個的對準(zhǔn)標(biāo)記后，本實施方式，采用例如日本特開昭61-44429號公報(及對應(yīng)美國專利第4780617號)所揭示的EGA (Enhanced GlobalAlignment)方式，由主控制裝置50使用該對準(zhǔn)標(biāo)記檢測結(jié)果(在以干涉儀系118所規(guī)定的正交坐標(biāo)系統(tǒng)XY上的坐標(biāo)值)與照射區(qū)域設(shè)計上的排列信息，進(jìn)行最小自乘法等統(tǒng)計演算，算出晶片Wl上應(yīng)進(jìn)行曝光處理的照射區(qū)域的全部或一部分(本實施方式中，為晶片W的-Y側(cè)一半(上半部)的照射區(qū)域)的排列坐標(biāo)。然后，根據(jù)此算出的排列坐標(biāo)移動晶片載臺WST，即能據(jù)以進(jìn)行對晶片W的-Y側(cè)一半的曝光動作。又，由于此曝光進(jìn)行與現(xiàn)有相同的步進(jìn)掃描方式的曝光，因此省略詳細(xì)的說明。在此-Y側(cè)一半的照射區(qū)域的曝光動作中，與前述同樣的一邊移動對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2、一邊檢測在晶片W+Y側(cè)一半(下半部)的對準(zhǔn)標(biāo)記。此時，在進(jìn)行-Y側(cè)一半的照射區(qū)域的曝光中，例如檢測8個對準(zhǔn)標(biāo)記。主控制裝置50，使用所檢測的對準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息(坐標(biāo)值)，以EGA方式算出晶片W+Y側(cè)一半(下半部)的照射區(qū)域排列信息。之后，在結(jié)束-Y側(cè)一半的照射區(qū)域的曝光的階段，即結(jié)束+Y側(cè)一半的照射區(qū)域的以EGA方式進(jìn)行的對準(zhǔn)(照射區(qū)域排列信息的算出)，因在對-Y側(cè)一半的照射區(qū)域的曝光動作全部結(jié)束后，即開始對+Y側(cè)一半的照射區(qū)域的曝光動作。以上述方式，在結(jié)束對晶片W全體的曝光結(jié)束的階段，晶片載臺WST移動至前述裝載位置WEP，且測量載臺MST追隨晶片載臺WST的移動而承街液體Lq。然后，進(jìn)行晶片W的更換，在裝載次一待處理晶片的晶片載臺WST移動至圖7(B)中的位置前，使對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2回到圖7(B)的初始位置，進(jìn)行對次一晶片的處理。如以上的詳細(xì)說明，根據(jù)本第I實施方式，在晶片載臺WST從裝載位置(圖7(A)所示位置)移動至曝光開始位置(圖10(A)所示位置)的期間，一邊移動對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的一部分、一邊使用該對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2檢測晶片上的標(biāo)記。因此，不需如現(xiàn)有般，設(shè)置與晶片載臺WST從裝載位置移動至曝光開始位置的時間不同的標(biāo)記檢測時間。因此，能縮短晶片曝光處理所需時間，提升曝光工藝全體的處理量。此外，與現(xiàn)有相較，由于能測量(檢測)更多的對準(zhǔn)標(biāo)記，因此能進(jìn)行高精度的對準(zhǔn)、高精度的曝光。又，根據(jù)本發(fā)明的第I實施方式，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的至少一部分以追隨晶片載臺WST的狀態(tài)(前述檢測區(qū)域與標(biāo)記的相對速度大致為零的狀態(tài))，檢測晶片W上的標(biāo)記。因此，即使是在晶片載臺WST的移動中，也能使用對準(zhǔn)系統(tǒng)以良好精度檢測標(biāo)記。如此，即能在不降低標(biāo)記檢測精度的情形下，縮短標(biāo)記檢測時間，進(jìn)而提升曝光工藝全體的處理量。 又，本第I實施方式中，由于是使用二個對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2來檢測晶片W上的對準(zhǔn)標(biāo)記，因此與使用一個對準(zhǔn)系統(tǒng)的情形相較，能在既定時間內(nèi)檢測更多的標(biāo)記。又，本第I實施方式中，由于使對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2也移動于X軸方向，因此即使使晶片載臺WST移動于Y軸方向，也能檢測晶片W上的任意的對準(zhǔn)標(biāo)記。因此，即使是在同時進(jìn)行晶片載臺的移動與對準(zhǔn)動作的情形下，也無須限制晶片載臺的移動。又，本第I實施方式中，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2以平臺BSl，BS2 (支撐于與機(jī)體BD振動上分離的框架FR)的下面為基準(zhǔn)面進(jìn)行移動。因此，能避免對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2的移動造成的振動對曝光精度的影響。另一方面，由于構(gòu)成干涉儀系統(tǒng)(用來測量對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2的位置)的顧客鏡70X，70YL70Y2固定于機(jī)體BD側(cè)，因此能將對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的位置以機(jī)體BD基準(zhǔn)加以檢測。又，上述第I實施方式，雖檢測共19個對準(zhǔn)標(biāo)記，但本發(fā)明并不受此限，檢測20個以上或18個以下對準(zhǔn)標(biāo)記也可。特別是在進(jìn)行晶片W-Y側(cè)一半的曝光期間，通過對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的移動，可檢測晶片W+Y側(cè)一半的大致所有對準(zhǔn)標(biāo)記，因此即使增加欲測量的對準(zhǔn)標(biāo)記的數(shù)量，也不致對處理量產(chǎn)生影響等。又，上述第I實施方式中，作為對準(zhǔn)系載臺裝置160，雖采用圖3所示的構(gòu)成，但不限于此，也可采用具備移動于Y軸方向的一個Y載臺、與沿該Y載臺移動于X軸方向的二個X載臺的構(gòu)成。簡言之，只要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的至少一部分、即檢測區(qū)域能2維移動的話，可采用其它各種構(gòu)成。又，上述第I實施方式中，雖使用在曝光動作開始前檢測的上述11個對準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息來算出晶片W-Y側(cè)一半的照射區(qū)域位置，使用在曝光動作開始后檢測的上述8個對準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息來算出晶片W+Y側(cè)一半的照射區(qū)域位置，但例如，也可使用在曝光動作開始前檢測的至少I個對準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息來算出晶片W+Y側(cè)一半的照射區(qū)域位置。再者，上述第I實施方式中，雖僅使用在曝光動作開始前檢測的對準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息來算出晶片W-Y側(cè)一半的照射區(qū)域位置，但例如，晶片W-Y側(cè)一半的照射區(qū)域中，第2個以后的照射區(qū)域，則可也使用在曝光動作開始后檢測的至少I個對準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息來算出其位置。此時，于第2個以后的不同照射區(qū)域，也可使該位置算出所使用的在曝光動作開始后檢測的對準(zhǔn)標(biāo)記位置信息的數(shù)量。例如，將曝光動作開始后檢測的對準(zhǔn)標(biāo)記位置信息，依序追加至曝光動作開始前所檢測的對準(zhǔn)標(biāo)記位置信息，來算出第2個照射區(qū)域的位置。又，也可不在曝光動作開始前算出晶片W-Y側(cè)一半的所有照射區(qū)域位置，也可至少在算出第I個照射區(qū)域位置時開始曝光動作。此外，在曝光動作開始前算出位置的照射區(qū)域的數(shù)量、與曝光動作開始后算出位置的照射區(qū)域的數(shù)量可以不同，例如，可使曝光動作開始前算出位置的照射區(qū)域的數(shù)量少于曝光動作開始后算出位置的照射區(qū)域的數(shù)量。此時，與上述第I實施方式相較，能減少曝光動作開始前檢測的對準(zhǔn)標(biāo)記的數(shù)量來提升處理量。再者，曝光動作開始前的照射區(qū)域檢測動作中，可使晶片載臺WST不僅移動于Y軸方向也移動于X軸方向。又，本發(fā)明并不限于上述第I實施方式所說明的順序，例如，也可采用以下說明的第2實施方式般的順序。 《第2實施方式》其次，說明本發(fā)明的第2實施方式。本第2實施方式中，曝光裝置的構(gòu)成等與上述第I實施方式相同，僅晶片載臺WST上的對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測順序不同。以下，為避免重復(fù)說明，與第I實施方式相同部分系賦予同一符號，省略其說明。圖12 (A)中，與第I實施方式同樣的，顯示正在進(jìn)行第I組對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測的狀態(tài)(與第I實施方式的圖7(B)對應(yīng))。在此圖12 (A)所示狀態(tài)(此處，晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2都為停止?fàn)顟B(tài))下結(jié)束第I組對準(zhǔn)標(biāo)記檢測(第I次檢測動作)時，晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2即開始往+Y方向的移動。此時，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2也開始于X軸方向的移動。在使晶片W于Y軸方向移動較第I實施方式更長的距離后(且系等速移動的狀態(tài))，如圖12⑶所示，進(jìn)行第2組對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(第2次檢測動作)。由此圖12⑶可知，于Y軸方向該第2組對準(zhǔn)標(biāo)記與第I組對準(zhǔn)標(biāo)記的間隔，較第I實施方式(圖8(A))更大。之后，當(dāng)?shù)?次檢測動作結(jié)束時，晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2即與第I實施方式同樣的開始減速，且對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2于X軸方向也開始移動。然后，如圖13(A)所示，在晶片載臺WST與測量載臺MST接觸(或接近)的狀態(tài)下，晶片載臺WST停止。又，此狀態(tài)下，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2也停止，以對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2進(jìn)行第3組對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(第3次檢測動作)。之后，當(dāng)?shù)?次檢測動作結(jié)束時，即與第I實施方式同樣的，開始晶片載臺WST及對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2等的加速(移動)，在達(dá)既定速度且等速移動的階段，如圖13⑶所示，進(jìn)行第4組對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(第4次檢測動作)。在該第4次檢測動作結(jié)束后，進(jìn)行晶片載臺WST及對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2等的減速，當(dāng)速度成為0時，如圖14(A)所示，進(jìn)行第5組對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(第5次檢測動作)。然后，當(dāng)?shù)?次檢測動作結(jié)束時，晶片載臺WST會移動至圖14(B)所示的曝光開始位置，因此，在此狀態(tài)下，使用對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2檢測位于晶片W的大致中心的對準(zhǔn)標(biāo)記。以上，由于是在晶片載臺WST從晶片更換位置移動至曝光開始位置的期間，檢測出11個對準(zhǔn)標(biāo)記的位置，因此，于主控制裝置50對該11個對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計運(yùn)算，進(jìn)行EGA方式的對準(zhǔn)(也即，算出晶片上待曝光處理的所有照射區(qū)域的排列信息)。之后，根據(jù)上述對準(zhǔn)結(jié)果，進(jìn)行步進(jìn)掃描方式的晶片W的曝光動作。如以上的說明，根據(jù)本第2實施方式，與第I實施方式同樣的，在晶片載臺WST從裝載位置移動至曝光開始位置的期間，一邊移動對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的一部分、一邊使用該對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2檢測晶片上的標(biāo)記。因此，不需如現(xiàn)有般，設(shè)置與晶片載臺WST從裝載位置移動至曝光開始位置的時間不同的標(biāo)記檢測時間，因此，能提升曝光工藝全體的處理量。又，上述第2實施方式，雖說明例如進(jìn)行11個對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測的情形，但也可進(jìn)行10個以下、或12個以上的對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測。又，上述各實施方式中，雖是在第I次、第3次、第5次的檢測動作時，以及以對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2進(jìn)行的第11個對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測動作時，使晶片載臺WST停止，但這些檢測動作也 可在晶片載臺WST的移動中進(jìn)行。此時，可以X軸及Y軸方向的速度會同時成為0的方式移動晶片載臺WST，于此移動中進(jìn)行上述11個對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測。此外，以等速移動晶片載臺WST時，可通過例如以減速一加速一等速的順序控制對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2，一邊變化晶片W與對準(zhǔn)系統(tǒng)檢測區(qū)域于Y軸方向的相對位置、一邊進(jìn)行晶片上至少于Y軸方向位置不同的復(fù)數(shù)個對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測。再者，上述實施方式，在對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測動作中，雖于Y軸方向使對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測區(qū)域位置相同，但對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2的檢測區(qū)域于Y軸方向的位置也可不同。又，上述各實施方式中，雖是針對晶片載臺WST沿Y軸方向移動的情形作了說明，但不限于此，也可使晶片載臺WST移動于與X軸及Y軸交叉的方向。此時，只要使對準(zhǔn)系統(tǒng)也追隨晶片載臺WST的移動，而移動于與X軸及Y軸交叉的方向即可。同樣的，也可使晶片載臺WST僅移動于X軸方向。此時，最好是能使復(fù)數(shù)個對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測區(qū)域于Y軸方向的位置不同。又，上述各實施方式，在復(fù)數(shù)對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測動作中，雖是使各對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測區(qū)域不僅移動于Y軸方向也移動于X軸方向，但也可使各對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測區(qū)域僅移動于Y軸方向。此時，以各對準(zhǔn)系統(tǒng)檢測晶片上于X軸方向位置相同、即僅檢測于Y軸方向位置相異的復(fù)數(shù)個對準(zhǔn)標(biāo)記。此外，可通過使各對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測區(qū)域僅移動于Y軸方向，例如使晶片載臺WST不僅于Y軸方向也移動于X軸方向，或設(shè)置3個以上的對準(zhǔn)系統(tǒng)，即能與上述各實施方式同樣的，任意的設(shè)定晶片上待檢測的對準(zhǔn)標(biāo)記的位置及/或數(shù)量。又，上述各實施方式中，在晶片載臺WST移動中進(jìn)行晶片W上標(biāo)記的檢測的情形時，使晶片載臺WST及對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2等速移動，但標(biāo)記檢測時不一定須等速移動。即，也可在晶片載臺WST及對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2加速中或減速中進(jìn)行標(biāo)記檢測。簡言之，只要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測區(qū)域與標(biāo)記的相對速度大致為0即可。又，在I個標(biāo)記的檢測中只要該標(biāo)記不偏離對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測區(qū)域的話，檢測區(qū)域與標(biāo)記的相對速度也可不是O。此夕卜，上述各實施方式中，雖是在I個標(biāo)記的檢測中，移動晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)的測區(qū)域的雙方，但例如視不同的對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測方式等,于該標(biāo)記的檢測中可至少不移動對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測區(qū)域。再者，上述各實施方式，在I個標(biāo)記的檢測中，也可不移動晶片載臺WST與對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測區(qū)域的雙方，而為了分別檢測復(fù)數(shù)個標(biāo)記使晶片載臺WST于y軸方向步進(jìn)。此時，為了通過I個對準(zhǔn)系統(tǒng)檢測晶片上于X軸方向位置相異的復(fù)數(shù)個標(biāo)記，可在晶片載臺WST往Y軸方向的步進(jìn)時，將該對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測區(qū)域及/或晶片載臺WST移動于X軸方向。進(jìn)一步的，上述各實施方式中，雖是在使晶片載臺WST從裝載位置與X軸平行移動后，沿Y軸移動而移動至晶片的曝光開始位置，但晶片載臺WST從裝載位置至曝光開始位置的移動路徑并不限于此，例如可以從裝載位置至曝光開始位置的移動時間最短的路徑移動晶片載臺WST，于此移動中以對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2檢測晶片上的標(biāo)記。又，上述第I實施方式中是在從裝載位置至曝光開始位置的移動中、以及晶片的曝光動作中的雙方，而上述第2實施方式僅在從裝載位置至曝光開始位置的移動中，以對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2檢測晶片上的標(biāo)記，但也可例如僅在晶片的曝光動作中進(jìn)行標(biāo)記檢測。又，上述各實施方式中，可使用對準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)69，169來測量對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的旋轉(zhuǎn)信息，于曝光時，使用此對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2的旋轉(zhuǎn)信息。此時，可根據(jù)例如對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的位置信息及旋轉(zhuǎn)信息、與晶片W的位置信息，來檢測標(biāo)記的位置信息。 又，上述各實施方式，雖是針對具備2個對準(zhǔn)系統(tǒng)的情形作了說明，但也可具備I個或3個以上。又，上述各實施方式中，雖是通過以對準(zhǔn)系載臺AST1，AST2進(jìn)行的對準(zhǔn)系統(tǒng)ALGLALG2的移動來移動其檢測區(qū)域，但也可取代對準(zhǔn)系載臺AST1，AST2或與其組合，使用以光學(xué)方式移動檢測區(qū)域的機(jī)構(gòu)。又，上述各實施方式中，雖是使用分別設(shè)置的框架FR，但也可例如相對對準(zhǔn)系載臺AST I, AST2使用平衡配重方式。又，上述各實施方式，雖是針對于具有載臺裝置(具備晶片載臺WST與測量載臺MST)的曝光裝置采用本發(fā)明的情形作了說明，但并不限于此，也可采用例如日本特開平10-163099號公報及特開平10-214783號公報(對應(yīng)美國專利第6，590，634號)、日本特表2000-505958號公報(對應(yīng)美國專利第5，969，441號)、美國專利第6，208, 407號等所揭示的曝光裝置，其具有雙載臺(具備2個晶片載臺)式的載臺裝置。此時，由于能與對一晶片載臺上的晶片的曝光動作并行，對另一晶片載臺上的晶片進(jìn)行標(biāo)記檢測，因此不限于僅使晶片載臺移動于一方向來進(jìn)行標(biāo)記檢測的情形，例如，可一邊沿一軸方向反復(fù)移動一班進(jìn)行標(biāo)記檢測，也可使晶片載臺一邊沿一軸方向及與此交叉的方向移動、一邊進(jìn)行標(biāo)記檢測。此時，分別移動晶片載臺與對準(zhǔn)系統(tǒng)，能縮短從檢測對象標(biāo)記在對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測視野(檢測區(qū)域)內(nèi)的狀態(tài)，到次一檢測對象標(biāo)記在對準(zhǔn)系統(tǒng)進(jìn)入對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測視野的狀態(tài)為止的時間。據(jù)此，由于能增加既定時間內(nèi)可檢測標(biāo)記的數(shù)量，因此能謀求曝光精度的提升。又，上述各實施方式中為簡化說明，液浸裝置132的嘴單元分別各設(shè)有一個液體供應(yīng)嘴與液體回收嘴，但不限于此，也可采用例如國際公開第1999/49504號小冊子所揭示的具有多數(shù)嘴部的構(gòu)成。再者，液浸裝置132，例如也可以是具有例如將最下端光學(xué)元件與和其相鄰接的光學(xué)元件之間以液體充滿的機(jī)構(gòu)。簡言之，只要是能至少對構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最下端光學(xué)元件與晶片W間的空間供應(yīng)液體的話，其構(gòu)成無論為何種皆可。例如，可使用歐洲專利公開第1420298號公報、國際公開第2004/055803號小冊子、國際公開第2005/029559小冊子(對應(yīng)美國公開第2006/0231206號)等所記載的液浸裝置。又，上述各實施方式中，作為液體雖使用純水(水)，但本發(fā)明當(dāng)然不限于此。作為此液體，可使用化學(xué)上安定、且照明光的透射率高、安全的液體，例如氟系惰性液體。此氟系惰性液體，例如可使用氟羅麗那(美國3M公司的商品名)。此氟系惰性液體的冷卻效果也佳。此外，作為液體，可使用對照明光IL的透射率高于純水(折射率約為I. 44)、例如I. 5以上的液體。作為此液體，例如有折射率約I. 50的異丙醇(Isopropanol)、折射率約I. 61的丙三醇(Glycerol)等具有C-H鍵、O-H鍵的既定液體，己烷、庚烷、癸烷等的既定液體(有機(jī)溶劑)、折射率約I. 60的十氫奈(Decalin Decahydronaphthalene)等。或者,也可以是這些既定液體中任意2種類以上液體的混合物，或于純水中添加(混合)上述液體也可。作為液體，也可以是于純水中添加(混合)肝、(^+、1(+、(1+、5042-、？042-等堿或酸者。進(jìn)一步的，也可以是于純水中添加(混合)Al氧化物等的微粒子者。這些液體能使ArF準(zhǔn)分子激光透射。又，作為液體，以光的吸收系數(shù)小、溫度依存性少、且對投影光學(xué)系統(tǒng)(前端的光學(xué)構(gòu)件)及/或晶片表面所涂的感光材(或保護(hù)膜(表層膜)或反射防止膜等)安定者較佳。此外，以F2激光為光源時，選擇潤滑油(fomblin oil)即可。又，上述各實施方式中，可再利用回收的液體，此時，最好是能將從瑣回收的液體中除去雜質(zhì)的過濾器設(shè)置于液體回收裝置、或回收管等。再者，上述各實施方式中，曝光裝置具有前述液浸裝置132的全部，但液浸裝置132的一部分(例如液體供應(yīng)裝置及/或液體回收裝置等)不須由曝光裝置來具備，例如可代的以曝光裝置設(shè)置工廠等的設(shè)備。又，上述各實施方式中，雖是以具備投影光學(xué)系統(tǒng)的曝光裝置為例作了說明，但本發(fā)明也能適用 于不具備投影光學(xué)系統(tǒng)的曝光裝置。即使是不具備投影光學(xué)系統(tǒng)的曝光裝置，照明光是經(jīng)由透鏡等的光學(xué)構(gòu)件照射于晶片，于該光學(xué)構(gòu)件與晶片間的空間形成液浸區(qū)域。又，上述各實施方式中，雖是說明本發(fā)明適用于液浸曝光裝置的情形，但不限于此，除液浸曝光裝置外，也能適用于例如不通過液體進(jìn)行晶片的曝光的干式等曝光裝置。又，上述各實施方式中，雖是說明具有載臺裝置(具備晶片載臺WST與測量載臺MST)的曝光裝置采用本發(fā)明的情形，但不限于此，具有裝備單一晶片載臺的載臺裝置的曝光裝置也可采用本發(fā)明。此時，由于并無晶片載臺WST與測量載臺MST在接近狀態(tài)下移動的順序，因此在圖11的EGA2與EGA4之間晶片載臺WST不減速，而僅對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2進(jìn)行減速、加速，據(jù)此來調(diào)整晶片W與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的相對位置關(guān)系即可。又，上述各實施方式中，測量對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的位置的傳感器，雖是使用干涉儀，但也可使用例如編碼器等、或其它傳感器。此外，上述實施方式中，雖是使用干涉儀系統(tǒng)來測量標(biāo)線片載臺及晶片載臺的位置信息，但不限于此，也可使用例如用以檢測晶片載臺上面所設(shè)刻度(繞射光柵)的編碼器系統(tǒng)。此時，以具備干涉儀系統(tǒng)與編碼器系統(tǒng)的混合系統(tǒng)，使用干涉儀系統(tǒng)的測量結(jié)果來進(jìn)行編碼器系統(tǒng)測量的校正(calibration)較佳。又，也可切換使用干涉儀系統(tǒng)與編碼器系統(tǒng)，或者也可使用該兩方來進(jìn)行晶片載臺的位置控制。又，上述各實施方式中，雖說明在晶片載臺從晶片更換位置移動至曝光開始位置的期間，使用面形狀檢測裝置125來測量晶片W表面的高度方向位置的情形，但不限于此，也可與現(xiàn)有同樣的使用斜入射方式的焦點位置檢測裝置。又，上述實施方式的曝光裝置的投影光學(xué)系統(tǒng)并非僅限縮小系統(tǒng)，也可是等倍系統(tǒng)及放大系統(tǒng)的任一者，而投影光學(xué)系統(tǒng)也非僅限于折射系統(tǒng)，也可是反射系統(tǒng)及折反射系統(tǒng)的任一者，其投影像為倒像及正像皆可。又，通過投影光學(xué)系統(tǒng)照射照明光的曝光區(qū)域雖為在投影光學(xué)系統(tǒng)視野內(nèi)包含光軸的同軸區(qū)域，也可如國際公開第2004/107011號小冊子(對應(yīng)美國公開第2006/0121364號)所揭示同樣的，其一部分設(shè)有具復(fù)數(shù)個反射面且至少形成一次中間像的光學(xué)系統(tǒng)(反射系或折反射系)，具有單一光軸的所謂的成行(inline)型折反射系統(tǒng)等，不具有光軸AX的離軸區(qū)域。
又，照明光IL不限于ArF準(zhǔn)分子激光(波長193nm)，也可以是KrF準(zhǔn)分子激光(波長248nm)等的紫外光、F2激光(波長157nm)等的真空紫外光。也可如國際公開第1999/46835號說明書(對應(yīng)美國專利7，023，610號)所揭示，使用將真空紫外光的DFB半導(dǎo)體激光或光纖激光縮射出的紅外區(qū)或可視區(qū)的單一波長激光，以例如摻鉺(或鉺與鐿兩者)光纖放大器加以放大，并使用非線性光學(xué)結(jié)晶將其波長變換為紫外區(qū)的高諧波。又，上述實施方式，照明光IL并不限定于波長IOOnm以上的光，使用波長未滿IOOnm的光也可。例如，近年來為了將70nm以下的圖案曝光，以SOR或電漿激光作為光源，使軟X射線區(qū)內(nèi)(例如5 15nm的波長帶)的極紫外線(Extreme Ultraviolet)產(chǎn)生,并持續(xù)進(jìn)行使用在此曝光波長(例如13. 5nm)下設(shè)計的全反射縮小光學(xué)系統(tǒng)、及反射型光掩膜的極紫外線曝光裝置的開發(fā)。此裝置，由于可考慮使用圓弧照明，對光掩膜與晶片同時掃描曝光的構(gòu)成，因此此裝置也非常適合使用本發(fā)明。除此之外，使用電子束或離子束的帶電粒子線的曝光裝置也能適用本發(fā)明。又，上述實施方式，雖說明了本發(fā)明適用于步進(jìn)掃描(step & scan)方式的等的掃 描型曝光裝置，但不限于此，本發(fā)明也可適用于步進(jìn)機(jī)等的靜止型曝光裝置。此外，本發(fā)明也能適于將照射區(qū)域與照射區(qū)域加以合成的步進(jìn)接合(step & stitch)方式的曝光裝置。又，上述各實施方式中，雖使用于透光性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)的光透射型光掩膜(標(biāo)線片)，但也可取代此標(biāo)線片，使用例如美國專利第6，778，257號說明書所揭示，根據(jù)待曝光圖案的電子數(shù)據(jù)，形成透射圖案或反射圖案或者是發(fā)光圖案的電子光掩膜或可變成形光掩膜、例如非發(fā)光型影像顯示元件(也稱為空間光變調(diào)器)的一種的數(shù)字微鏡面裝置(Digital Micro-mirror Device)。使用此可變成形光掩膜時，也可考慮前述對準(zhǔn)系統(tǒng)標(biāo)記的檢測結(jié)果，在晶片上復(fù)數(shù)個照射區(qū)域中，在對準(zhǔn)標(biāo)記檢測時已曝光照射區(qū)域之后才進(jìn)行曝光的至少另I個照射區(qū)域曝光時，變化待根據(jù)電子數(shù)據(jù)形成的透射圖案或反射圖案，來進(jìn)行晶片與圖案像的相對位置控制。又，例如國際公開2001/035168號小冊子所揭示，本發(fā)明也可適用于通過在晶片上形成干涉條紋圖形，在晶片上形成線與間隙圖案的曝光裝置(光刻系統(tǒng))。又，例如日本特表2004/519850號公報(對應(yīng)美國專利第6，611，316號)所揭示，本發(fā)明也可適用于將2個標(biāo)線片圖案通過投影光學(xué)系統(tǒng)在晶片上合成，以I次掃描曝光在晶片上的I個照射區(qū)域大致同時雙重曝光的曝光裝置。又，引用上述實施方式所引用的曝光裝置等相關(guān)所有公報、國際公開小冊子、美國專利申請公開說明書、以及美國專利說明書的揭示，作為本說明書記載的一部份。又，于物體上形成圖案的裝置，并非限定于前述曝光裝置(光刻系統(tǒng))，本發(fā)明也可適用于例如以噴墨方式于物體上形成圖案的裝置。又，上述實施方式中待形成圖案的物體(受能量束照射的曝光對象物體)不限于晶片，也可以是玻璃板、陶瓷基板、光掩膜遮、或其它薄膜構(gòu)件等其它物體也可。又該物體形狀不限為圓形，矩形或其它形狀也可。曝光裝置的用途也非限定于半導(dǎo)體制造，例如，也可適用于將液晶顯示元件圖案轉(zhuǎn)印形成于方型玻璃基板的液晶用曝光裝置、用來制造有機(jī)EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微機(jī)器及DNA芯片等的曝光裝置。又，除半導(dǎo)體元件等微元件外，為了制造用于光曝光裝置、極紫外線曝光裝置、X射線曝光裝置、及電子射線曝光裝置等的標(biāo)線片或光掩膜，將電路圖案轉(zhuǎn)印至玻璃基板或硅晶片等的曝光裝置也為本發(fā)明適用對象。另外，半導(dǎo)體元件是經(jīng)過元件功能性能設(shè)計步驟、根據(jù)設(shè)計步驟制作標(biāo)線片的步驟、由硅材料制作晶片的步驟、上述實施方式的曝光裝置以前述調(diào)整方法調(diào)整圖案轉(zhuǎn)印特性后將形成于光掩膜的圖案轉(zhuǎn)印至感光物體上的光刻步驟、元件組裝步驟(包含切割、接合、封裝)、檢查步驟等所制成。此時，在光刻步驟中，由于進(jìn)行上述各實施方式的曝光方法，于物體上形成圖案，因此可提升高積體度元件的生產(chǎn)性。又，上述實施方式的曝光裝置，是將本申請的申請專利范圍所列舉包含各構(gòu)成要件的子系統(tǒng)組裝為能保持既定機(jī)械、電子、光學(xué)精度。為了確保這些精度，在組裝前后，對各種光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行為了達(dá)成光學(xué)精度的調(diào)整、對各種機(jī)械系統(tǒng)進(jìn)行為了達(dá)成機(jī)械精度的調(diào)整、對各種電子系統(tǒng)進(jìn)行為了達(dá)成電子精度的調(diào)整。由各子系統(tǒng)組裝至曝光裝置的步驟，包含各子系統(tǒng)間機(jī)械性連接、電路配線連接、氣壓線路管線連接等。在各子系統(tǒng)組裝置曝光裝置前，當(dāng)然需先經(jīng)過各子系統(tǒng)個別組裝步驟。各子系統(tǒng)組裝步驟完成后，進(jìn)行綜合調(diào)整，確保曝光裝置整體的各種精度。另外，曝光裝置的制造以在溫度與潔凈度受到管理的無塵室 進(jìn)行較佳。如以上說明，本發(fā)明的圖案形成方法及圖案形成裝置，適于在移動體所保持的物體形成圖案。又，本發(fā)明的元件制造方法，適于微元件的制造。
權(quán)利要求
1.一種圖案形成方法，于物體上形成圖案，其特征在于，所述方法以標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測所述物體上的標(biāo)記，使用所述檢測結(jié)果開始對所述物體的圖案形成； 且所述圖案形成開始后也以所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測所述物體上的標(biāo)記，于所述圖案形成使用所述檢測結(jié)果。
2.如權(quán)利要求I所述的圖案形成方法，其特征在于，于所述物體上的復(fù)數(shù)個區(qū)劃區(qū)域分別形成圖案，所述復(fù)數(shù)個區(qū)劃區(qū)域中包含最初形成所述圖案的區(qū)劃區(qū)域的第I群區(qū)劃區(qū)域，使用所述圖案形成開始前的所述標(biāo)記的檢測結(jié)果，與所述第I群區(qū)劃區(qū)域不同的第2群區(qū)劃區(qū)域，使用所述圖案形成開始后的所述標(biāo)記的檢測結(jié)果。
3.如權(quán)利要求2所述的圖案形成方法，其特征在于，所述第2群區(qū)劃區(qū)域，也使用所述圖案形成開始前的所述標(biāo)記的檢測結(jié)果。
4.如權(quán)利要求2或3所述的圖案形成方法，其特征在于，所述第2群區(qū)劃區(qū)域，是在所述第I群區(qū)劃區(qū)域后進(jìn)行所述圖案形成。
5.如權(quán)利要求I至4中任一項所述的圖案形成方法，其特征在于，在所述圖案形成開始前，使所述物體移動于第I方向，并檢測在所述物體上于所述第I方向上位置不同的復(fù)數(shù)個
6.如權(quán)利要求I至5中任一項所述的圖案形成方法，其特征在于，在所述圖案形成開始前，使所述物體在待在所述物體上形成圖案的復(fù)數(shù)個區(qū)劃區(qū)域所排列的第I方向移動，并檢測在所述物體上于所述第I方向上位置不同的復(fù)數(shù)個標(biāo)記。
7.如權(quán)利要求5或6所述的圖案形成方法，其特征在于，所述方法通過具有在與所述第I方向正交的第2方向上位置不同的檢測區(qū)域的復(fù)數(shù)個標(biāo)記檢測系統(tǒng)，檢測所述物體上的標(biāo)記。
8.如權(quán)利要求7所述的圖案形成方法，其特征在于，所述方法改變所述復(fù)數(shù)個檢測區(qū)域在所述第2方向的間隔，并檢測在所述物體上于所述第2方向上位置不同的標(biāo)記。
9.如權(quán)利要求I至8中任一項所述的圖案形成方法，其特征在于，所述標(biāo)記的檢測是于所 述物體的移動中一邊移動所述檢測區(qū)域一邊進(jìn)行。
10.如權(quán)利要求5至9中任一項所述的圖案形成方法，其特征在于，所述方法通過與所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)不同的檢測系統(tǒng)，檢測在所述移動中與所述物體的面形狀相關(guān)的信息，并在所述圖案形成中使用其檢測結(jié)果。
11.一種圖案形成方法，于物體形成圖案，其特征在于，所述方法使所述物體移動于第I方向，通過在與所述第I方向正交的第2方向具有不同位置的檢測區(qū)域的復(fù)數(shù)個標(biāo)記檢測系統(tǒng)，來分別檢測所述物體上于所述第I方向不同位置的復(fù)數(shù)個標(biāo)記，且通過與所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)不同的檢測系統(tǒng)檢測與所述物體面形狀相關(guān)的信息； 使用所述兩個檢測結(jié)果于所述物體形成圖案。
12.如權(quán)利要求11所述的圖案形成方法，其特征在于，所述復(fù)數(shù)個標(biāo)記，包含在所述第2方向上位置不同的標(biāo)記，所述復(fù)數(shù)個標(biāo)記檢測系統(tǒng)是使其檢測區(qū)域移動于所述第2方向。
13.如權(quán)利要求11或12所述的圖案形成方法，其特征在于，所述各標(biāo)記的檢測，是于所述物體的移動中一邊移動所述檢測區(qū)域一邊進(jìn)行。
14.如權(quán)利要求11至13中任一項所述的圖案形成方法，其特征在于，所述不同檢測系 的檢測區(qū)域，是在所述第I方向配置于進(jìn)行所述圖案形成的位置與所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)的檢測區(qū)域之間。
15.如權(quán)利要求10至14中任一項所述的圖案形成方法，其特征在于，與所述面形狀相關(guān)的信息的檢測動作的至少一部分是與所述標(biāo)記檢測動作同時進(jìn)行。
16.如權(quán)利要求I至15中任一項所述的圖案形成方法，其特征在于，所述方法使所述物體曝光以形成圖案。
17.如權(quán)利要求16所述的圖案形成方法，其特征在于，所述物體被進(jìn)行液浸曝光。
18.—種元件制造方法，包含使用權(quán)利要求I至17中任一項所述的圖案形成方法將圖案形成于感應(yīng)物體上的步驟。
19.一種圖案形成裝置，用以在移動體所保持的物體形成圖案，其特征在于，所述圖案形成裝置具備 標(biāo)記檢測系統(tǒng)，用以檢測所述物體上的標(biāo)記；以及 控制裝置，控制使用所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)的所述物體上標(biāo)記的檢測、及對所述物體的圖案形成； 所述控制裝置，以標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測所述物體上的標(biāo)記，使用其檢測結(jié)果開始對所述物體的圖案形成，且在所述圖案形成開始后也以所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測所述物體上的標(biāo)記，于所述圖案形成使用其檢測結(jié)果。
20.如權(quán)利要求19所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述物體，具有用以形成圖案的復(fù)數(shù)個區(qū)劃區(qū)域； 所述控制裝置，在對所述復(fù)數(shù)個區(qū)劃區(qū)域中包含最初形成所述圖案的區(qū)劃區(qū)域的第I群區(qū)劃區(qū)域形成圖案時，使用所述圖案形成開始前的所述標(biāo)記的檢測結(jié)果； 在對與所述第I群區(qū)劃區(qū)域不同的第2群區(qū)劃區(qū)域形成圖案時，使用所述圖案形成開始后的所述標(biāo)記的檢測結(jié)果。
21.如權(quán)利要求20所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，在對所述第2群區(qū)劃區(qū)域形成圖案時，也使用所述圖案形成開始前的所述標(biāo)記的檢測結(jié)果。
22.如權(quán)利要求20或21所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，在對所述第I群區(qū)劃區(qū)域形成圖案后進(jìn)行對所述第2群區(qū)劃區(qū)域的圖案形成。
23.如權(quán)利要求19至22中任一項所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，在所述圖案形成開始前，使所述移動體移動于第I方向，并檢測在所述物體上于所述第I方向上位置不同的復(fù)數(shù)個標(biāo)記。
24.如權(quán)利要求19至23中任一項所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，在所述圖案形成開始前，使所述移動體在待在所述物體上形成圖案的復(fù)數(shù)個區(qū)劃區(qū)域所排列的第I方向移動，并檢測在所述物體上于所述第I方向上位置不同的復(fù)數(shù)個標(biāo)記。
25.如權(quán)利要求23或24所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置具備復(fù)數(shù)個所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)； 所述各標(biāo)記檢測系統(tǒng)的檢測區(qū)域，在與所述第I方向正交的第2方向上不同。
26.如權(quán)利要求25所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，改變所述復(fù)數(shù)個檢測區(qū)域在所述第2方向的間隔，并檢測在所述物體上于所述第2方向上位置不同的標(biāo)記。
27.如權(quán)利要求19至26中任一項所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，于所述物體的移動中一邊移動所述檢測區(qū)域一邊進(jìn)行所述標(biāo)記的檢測。
28.如權(quán)利要求19至27中任一項所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置進(jìn)一步具備檢測裝置，以配置于將所述物體保持于所述移動體的裝載位置與對所述物體的圖案形成開始位置的間的復(fù)數(shù)個測量點，檢測所述物體在所述物體所移動的既定面的垂直方向的位置信息。
29.如權(quán)利要求28所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，根據(jù)所述檢測裝置的檢測結(jié)果算出與所述物體面形狀相關(guān)的信息。
30.一種圖案形成裝置，用以在移動體所保持的物體形成圖案，其特征在于，所述圖案形成裝置具備 復(fù)數(shù)個標(biāo)記檢測系統(tǒng)，具有在與第I方向正交的第2方向位置不同的檢測區(qū)域； 檢測裝置，用以檢測與所述物體面形狀相關(guān)的信息；以及 控制裝置，一邊于所述第I方向移動所述移動體、一邊分別使用所述復(fù)數(shù)個標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測所述物體上于所述第I方向位置不同的復(fù)數(shù)個標(biāo)記，且使用所述檢測裝置檢測與所述物體面形狀相關(guān)的信息，使用所述兩個檢測結(jié)果于所述物體形成圖案。
31.如權(quán)利要求30所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述復(fù)數(shù)個標(biāo)記，包含在所述第.2方向上位置不同的標(biāo)記； 所述控制裝置，在檢測所述標(biāo)記時，使所述復(fù)數(shù)個標(biāo)記檢測系統(tǒng)各自的檢測區(qū)域移動于所述第2方向。
32.如權(quán)利要求30或31所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，在檢測所述標(biāo)記時，在所述移動體的移動中移動所述檢測區(qū)域。
33.如權(quán)利要求30至32中任一項所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述檢測裝置的檢測區(qū)域，在所述第I方向配置于進(jìn)行所述圖案形成的位置與所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)的檢測區(qū)域之間。
34.如權(quán)利要求27至33中任一項所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，使所述檢測裝置的檢測動作的至少一部分與所述標(biāo)記檢測動作同時進(jìn)行。
35.如權(quán)利要求19至34中任一項所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置進(jìn)一步具備測量用移動體，其能與所述移動體獨立移動，在更換所述移動體上的物體的期間進(jìn)行形成所述圖案所需的測量。
36.如權(quán)利要求19至35中任一項所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置進(jìn)一步具備另一移動體，其能與所述移動體獨立移動，在對所述移動體所保持的物體形成圖案的期間，保持以所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)進(jìn)行標(biāo)記的檢測的物體。
37.如權(quán)利要求19至36中任一項所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置進(jìn)一步具備對所述物體照射照明光的光學(xué)系統(tǒng)，以所述照明光使所述物體曝光以形成圖案。
38.如權(quán)利要求37所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)，與支撐所述光學(xué)系統(tǒng)的機(jī)體在振動上分離。
39.如權(quán)利要求37所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述光學(xué)系統(tǒng)，包含對所述物體上投影圖案的投影光學(xué)系統(tǒng)，至少以所述機(jī)體支撐所述投影光學(xué)系統(tǒng)。
40.如權(quán)利要求38或39所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置進(jìn)一步具備以所述機(jī)體為基準(zhǔn)檢測所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)的位置信息的傳感器。
41.如權(quán)利要求40所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述傳感器包含干涉儀； 所述干涉儀中至少分歧成參照光束與測量光束的分歧光學(xué)系統(tǒng)是與所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)的至少一部分一起移動，供所述測量光束射入的反射面系設(shè)于所述機(jī)體。
42.如權(quán)利要求37至41中任一項所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置進(jìn)一步具備將液體供應(yīng)至所述光學(xué)系統(tǒng)與所述物體之間的液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)，通過所述光學(xué)系統(tǒng)及所述液體以所述照明光使所述物體曝光。
43.一種元件制造方法，其特征在于，所述方法包含使用權(quán)利要求19至42中任一項所述的圖案形成裝置將圖案形成于感應(yīng)物體上的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開一種圖案形成方法及圖案形成裝置、以及元件制造方法，本發(fā)明是在晶片載臺(WST)從將晶片(W)搬入晶片載臺(WST)的裝載位置、移動至對晶片(W)開始曝光的曝光開始位置的期間，一邊使對準(zhǔn)系統(tǒng)(ALG1,ALG2)的至少一部分移動、一邊使用該對準(zhǔn)系統(tǒng)(ALG1,ALG2)檢測晶片(W)上的標(biāo)記。如此，即能提升曝光工藝整體的處理量。
文檔編號G03F7/20GK102681368SQ201210039778
公開日2012年9月19日 申請日期2006年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月28日
發(fā)明者柴崎佑一 申請人:株式會社尼康