專利名稱：陣列基板及其制造方法以及包括該陣列基板的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制造方法以及包括該陣列基板的顯示裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在平板顯示器市場占據(jù)了主導地位。隨著技術(shù)的進步，消費者對移動性產(chǎn)品的顯示效果提出了更高的要求，普通的TNCTwistedNematic，扭曲向列)型液晶顯示器的顯示效果已經(jīng)不能滿足市場的需求。目前，各大廠商正逐漸將顯示效果更優(yōu)良的各種廣視角技術(shù)應(yīng)用于移動性產(chǎn) 品中，比如IPS(In-PlaneSwitching,共面轉(zhuǎn)換)、VA(Vertical Alignment,垂直配向)、AD-SDS(Advanced-SuperDimensional Switching,高級超維場開關(guān),簡稱為ADS)等廣視角技術(shù)。在ADS模式下,通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。由此，ADS技術(shù)可以提高TFT-IXD畫面品質(zhì)，具有高透過率、寬視角、高開口率、低色差、低響應(yīng)時間、無擠壓水波紋(Push Mura)等優(yōu)點。同時，近幾年來，液晶顯示器在手機、PDA (Personal Digital Assistant,個人數(shù)字助理)、平板電腦市場的應(yīng)用逐步擴大，液晶顯示器件被越來越多地應(yīng)用在戶外的移動性產(chǎn)品上。但是普通的液晶顯示器件在戶外太陽光下使用時，對比度較差，使得屏幕的可讀性不佳，而半反半透式液晶顯示器通過增加面板的反光率，增加顯示器件在室外顯示時的對比度，使得顯示器在室外也可以保持優(yōu)良的可讀性能。所以，具備優(yōu)秀顯示效果、并且能在戶外保持良好可讀性能的廣視角半透半反式TFT-LCD液晶顯示器是移動性產(chǎn)品的發(fā)展方向。如圖I所示，為現(xiàn)有的ADS模式下的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其中，最底層為基板1，然后至基板I向上依次為柵極2、絕緣層3、有源層4，在有源層4上方形成有漏極5和源極6，在光線傳播的方向上，該漏極5和源極6的相關(guān)區(qū)域構(gòu)成像素區(qū)域中的薄膜晶體管區(qū)域，而與之相對應(yīng)的用作顯示的區(qū)域部分形成有像素電極7 (可視為板狀電極)與漏極6相接觸，在漏極5、源極6及像素電極7上覆蓋有鈍化層9，在鈍化層9上沉積公共電極8 (可視為狹縫電極)，由此在光線傳播的方向上，像素電極7與公共電極8的相關(guān)區(qū)域則構(gòu)成了像素電極圖形區(qū)域(也可以稱之為顯示區(qū)域)。該結(jié)構(gòu)為一般的液晶顯示裝置，除了 TFT-LCD陣列基板之外，還設(shè)有彩膜基板和背光源。通常情況下，TFT-LCD陣列基板和彩膜基板分開制備，然后通過對盒(Cell)工藝將陣列基板和彩膜基板對合在一起形成顯示面板，最終通過模組(Moulde)工藝形成顯示裝置。為了降低成本，減少工藝步驟，各大廠商正逐漸采用將彩膜制備在陣列基板上的工藝(Color Filter On Array, C0A)。但是，由于在目前的像素結(jié)構(gòu)中，TFT區(qū)域厚度不同(圖I中鈍化層9在TFT處有明顯凸起)影響了對盒后液晶分子填充的均勻度，液晶分子在反射區(qū)域存在不規(guī)則排列的情況；且由于像素結(jié)構(gòu)內(nèi)部像素電極距離數(shù)據(jù)線較近，受數(shù)據(jù)線電壓的影響，像素區(qū)域在各層之間存在段差，這樣的構(gòu)造并不利于ADS模式的水平驅(qū)動，非常容易因非正常性的液晶驅(qū)動(Disclination)使得液晶分子偏轉(zhuǎn)角度不足而導致漏光，由于漏光使得背光源發(fā)出的光未能在顯示區(qū)域得到充分利用，從而導致面板的對比度過低，影響正常使用。

發(fā)明內(nèi)容
(一 )要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何提高液晶面板對比度的問題。( 二 )技術(shù)方案為解決上述問題，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括限定了像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，所述像素區(qū)域包括薄膜晶體管區(qū)域以及像素電極圖形區(qū)域，所述薄 膜晶體管區(qū)域中形成有柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極以及鈍化層；所述像素電極圖形區(qū)域中形成所述柵絕緣層、像素電極、所述鈍化層以及公共電極，其中，所述公共電極和像素電極構(gòu)成了多維電場；在所述柵絕緣層與像素電極之間形成有彩色樹脂層。其中，在基板上像素電極圖形區(qū)域?qū)?yīng)的位置處設(shè)置有以柵金屬材料形成的反射區(qū)域圖案，所述柵絕緣層形成于所述反射區(qū)域圖案上；在所述柵絕緣層上對應(yīng)所述反射區(qū)域圖案的位置處設(shè)置有以源/漏金屬材料形成的反射區(qū)域金屬電極層。其中，在所述像素電極圖形區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有以柵金屬材料形成的存貯電容底電極，所述存貯電容底電極上方形成有絕緣層過孔，所述公共電極通過所述絕緣層過孔與存貯電容底電極相連。其中，在源極、漏極以及柵絕緣層的上方還形成有絕緣材料的保護層，在所述保護層上對應(yīng)薄膜晶體管區(qū)域的位置形成黑矩陣層。此外，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制造方法，包括形成像素區(qū)域的過程，所述像素區(qū)域包括薄膜晶體管區(qū)域以及像素電極圖形區(qū)域，在所述薄膜晶體管區(qū)域中形成柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極以及鈍化層；在所述像素電極圖形區(qū)域中形成所述柵絕緣層、像素電極、所述鈍化層以及公共電極，所述公共電極和像素電極構(gòu)成了多維電場；其中，在形成柵絕緣層之后、形成像素電極之前，在柵絕緣層上方形成彩色樹脂層。其中，在形成柵極的過程中，還在基板上像素電極圖形區(qū)域?qū)?yīng)的位置處設(shè)置以柵金屬材料形成的反射區(qū)域圖案；在形成源極、漏極的過程中，還在所述柵絕緣層上對應(yīng)所述反射區(qū)域圖案的位置處設(shè)置以源/漏金屬材料形成的反射區(qū)域金屬電極層。其中，在形成柵極的過程中，還在所述像素電極圖形區(qū)域內(nèi)設(shè)置以柵金屬材料形成的存貯電容底電極；在形成像素電極之前，先在所述存貯電容底電極上方形成絕緣層過孔，以使在形成像素電極之后，所述公共電極通過所述絕緣層過孔與存貯電容底電極相連。其中，在形成了源極、漏極之后的基板上，形成絕緣材料的保護層，然后在所述保護層上對應(yīng)薄膜晶體管區(qū)域的位置形成黑矩陣層。此外，本發(fā)明還提供一種包括所述陣列基板的顯示裝置。(三)有益效果本發(fā)明技術(shù)方案對比現(xiàn)有技術(shù)，存在如下幾點特征(I)由于在薄膜晶體管的柵絕緣層上方形成彩色樹脂層，增大了像素電極與數(shù)據(jù)線、柵線間的距離(即增大了層間厚度)，這有利于使像素區(qū)域內(nèi)部的結(jié)構(gòu)平坦化，避免像素電極受數(shù)據(jù)線、柵線電壓的影響，可以防止液晶在反射區(qū)域的不規(guī)則排列，有利于水平驅(qū)動的ADS模式，保證了液晶分子的適度偏轉(zhuǎn)，可以防止漏光并提高對比度。(2)進一步地，通過采用柵極金屬材料形成反射區(qū)域的圖案，采用源、漏極金屬材料形成反射區(qū)域金屬電極層，且彩色樹脂層制備在反射區(qū)域金屬電極層之上，同樣增大了像素電極與反射區(qū)域電極間的距離，這樣也可以避免液晶分子在反射區(qū)域的不規(guī)則排列所導致的漏光；此外，反射區(qū)域的設(shè)置(即半透半反方式)使得液晶面板可以利用外界光線增強在強光下的顯示，提高產(chǎn)品品質(zhì)，并且可以節(jié)約材料投入，降低制造成本。(3)更進一步地，由于無需將陣列基板與另外的彩膜基板進行對盒，直接將液晶填充在陣列基板與一層玻璃基板之間即可，減少了對盒控制，同時由于公共電極通過絕緣層過孔與存貯電容底電極相連，形成高開口率的結(jié)構(gòu)，可以有效提高透過率。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中ADS模式下陣列基板的側(cè)視示意圖；圖2為本發(fā)明實施例I的陣列基板的側(cè)視示意圖；圖3a及圖3b為本發(fā)明實施例I的陣列基板的制作流程圖；圖4為本發(fā)明實施例2在陣列基板的側(cè)視示意圖；其中，I :基板、2 :柵極、3 :柵絕緣層、4 :有源層、5 :源極、6 :漏極、7 :像素電極、8 公共電極、9 :鈍化層、10 :黑矩陣層、11 :彩色樹脂層、12 :保護層、13 :存貯電容底電極、14 反射區(qū)域圖案、15 :反射區(qū)域金屬電極層。
具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、內(nèi)容、和優(yōu)點更加清楚，下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細描述。實施例I本實施例具體提供一種陣列基板，其可以應(yīng)用于ADS驅(qū)動模式下，如圖2所示，其包括限定了像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，所述像素區(qū)域包括薄膜晶體管區(qū)域以及像素電極圖形區(qū)域，所述薄膜晶體管區(qū)域中形成有柵極2、柵絕緣層3、有源層4、源極5、漏極6以及鈍化層9 ;所述像素電極圖形區(qū)域中形成所述柵絕緣層3、像素電極7、所述鈍化層9以及公共電極8，其中，所述公共電極8和像素電極7構(gòu)成了多維電場；在所述柵絕緣層3和源極/漏極上方可以選擇覆蓋保護層12然后在源極/漏極和TFT溝道上方形成黑矩陣層10，或者無需覆蓋保護層12而直接在源極/漏極和TFT溝道上方形成黑矩陣層10。當選擇覆蓋保護層12時，在所述保護層12上對應(yīng)薄膜晶體管的位置處形成黑矩陣層10，在所述保護層12及黑矩陣層10所形成的表面與像素電極7之間形成有彩色樹脂層11 ;當選擇直接在柵絕緣層3上對應(yīng)薄膜晶體管的位置處形成黑矩陣層10時，則在所述柵絕緣層3及黑矩陣層10所形成的表面與像素電極7之間形成彩色樹脂層11。所述保護層12的形成有利于像素區(qū)域內(nèi)部的結(jié)構(gòu)更加平坦化。其中，在所述像素電極圖形區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有以柵金屬材料形成的存貯電容底電極13，所述存貯電容底電極13上方形成有絕緣層過孔，該絕緣層過孔貫穿鈍化層9、彩色樹脂層11、保護層12和柵絕緣層3，所述公共電極8通過所述絕緣層過孔與存貯電容底電極13相連。在本實施例中，上述存貯電容底電極13可以是為公共電極8提供恒定電壓的公共電極線(Cst on common),也可以是柵線的一部分(Cst on Gate)。此外，本實施例還提供一種陣列基板的制造方法，如圖3a及圖3b所示，該工藝可以概括為首先形成包括柵線、柵極2、柵絕緣層3、有源層4、源極5、漏極6、數(shù)據(jù)線的圖形，從而構(gòu)成出薄膜晶體管區(qū)域；然后形成包括彩色樹脂層11的圖形；最后形成包括像素電極7、鈍化層9、公共電極8的圖形，構(gòu)成像素電極圖形區(qū)域。其具備如下步驟步驟SI :首先在基板I上形成包括柵線、柵極2、柵絕緣層3、有源層4、源極5、漏極6、數(shù)據(jù)線的圖形，從而構(gòu)成出薄膜晶體管區(qū)域，然后在所形成的基板上形成絕緣材料的保護層12 ;該步驟對應(yīng)于步驟S101、S102及S103，具體為
步驟SlOl :在基板I上沉積導電性好的第一金屬層，利用第一掩膜工藝刻蝕出柵線、柵極2及像素電極圖形區(qū)域內(nèi)的存貯電容底電極13 ；步驟S102 :在所形成的基板上依次沉積采用SiNx或SiON等材料的柵絕緣層3、采用a-Si等材料的半導體有源層4 ;在所形成的基板上沉積導電性好的第二金屬層，利用半色調(diào)掩膜(Halftone Mask)的第二掩膜工藝描繪出源極5、漏極6以及薄膜晶體管溝道部的圖案，然后利用連續(xù)刻蝕工藝和灰化工藝刻蝕出源極5、漏極6，從而構(gòu)成薄膜晶體管區(qū)域；并刻蝕掉包含上述溝道部不純物質(zhì)的半導體層；步驟S103 :為了保護上述基板的薄膜晶體管部分以及像素部分，在所形成的基板上形成SiNx等絕緣材料的保護層12 ；步驟S2 :在步驟SI形成的基板上方沉積不透明樹脂層，并利用第三掩膜工藝在薄膜晶體管區(qū)域?qū)?yīng)的位置上刻蝕出黑矩陣層10 ；步驟S3 :形成包括彩色樹脂層11的圖形；該步驟對應(yīng)步驟S301及S302，具體為步驟S301 :在步驟2形成的基板上首先沉積R(Red，紅色)樹脂層，同時利用第四掩膜工藝進行刻蝕，再在刻蝕完成的基板上以與R樹脂層相似的方式來沉積并利用第五、第六刻蝕工藝來刻蝕G (Green，綠色)樹脂層以及B (Blue，藍色)樹脂層，從而形成出彩色樹脂層11，最后，刻蝕掉存貯電容底電極13上方的彩色樹脂層11，使存貯電容底電極13暴露出來；步驟S302 :利用第七掩膜工藝刻蝕掉存貯電容底電極13上方的柵絕緣層3及保護層12，使存貯電容底電極13暴露出來，形成開口朝上的絕緣層過孔；在接下來的步驟S4及S5中將形成包括像素電極7、鈍化層9、公共電極8的圖形，具體為步驟S4 :在步驟S3形成的基板上沉積第一透明導電層，利用第八掩膜工藝刻蝕出像素電極7 ；步驟S5 :形成鈍化層9及公共電極8，其中，公共電極8通過上述步驟S302中形成的絕緣層過孔與存貯電容底電極13相連；其對應(yīng)于步驟S501及S502，具體為步驟S501 :在步驟S4形成的基板上沉積透明樹脂材料層，并利用第九掩膜工藝刻蝕出鈍化層9 ；步驟S502 :在步驟S501形成的基板上沉積第二透明導電層，利用第十掩膜工藝刻蝕出公共電極8。其中，所述不透明樹脂層所采用的材料優(yōu)選為面電阻大于1012Q/sq，厚度為
0.5 u m ~ 2 u m,光密度(Optical density, OP)為 4 以上的材料。其中，所述RGB樹脂層的材料，優(yōu)選為其介電常數(shù)范圍為3 5F/m，厚度為I y m
4 u m0其中，所述第一透明導電層及第二透明導電層所采用的材料優(yōu)選為可與布線金屬(比如Mo、Al、Ti、Cu等導電性好的金屬或其合金)進行選擇性濕法刻蝕(Wet Etch)的材料，比如ITOdndium Tin Oxide,納米銦錫金屬氧化物),IZO (Indium Zinc Oxide,氧化銦鋅)等,這樣的材料經(jīng)過TCO(Transparent Conducting Oxide,透明引導氧化)處理成為透明性良好的材料。其中，所述構(gòu)成鈍化層9的透明樹脂材料層材料優(yōu)選為樹脂介電常數(shù)在3 5F/m之間，厚度為I U m 4 ii m的材料。實施例2本實施例提供另一種陣列基板，鑒于上述實施例I已給出了詳細說明，因此某些重復(fù)的內(nèi)容將在本實施例中給予省略，在此僅主要對區(qū)別之處進行詳細說明。本實施例所提供的陣列基板，其可以應(yīng)用于ADS驅(qū)動模式下，如圖4所示，其包括限定了像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，所述像素區(qū)域包括薄膜晶體管區(qū)域以及像素電極圖形區(qū)域，所述薄膜晶體管區(qū)域中形成有柵極2、柵絕緣層3、有源層4、源極5、漏極6以及鈍化層9 ;所述像素電極圖形區(qū)域中形成所述柵絕緣層3、像素電極7、所述鈍化層9以及公共電極8，其中，所述公共電極8和像素電極7構(gòu)成了多維電場。其中，在基板I上像素電極圖形區(qū)域?qū)?yīng)的位置處設(shè)置有以柵金屬材料形成的反射區(qū)域圖案14，所述柵絕緣層3形成于所述反射區(qū)域圖案14上。在所述柵絕緣層3上對應(yīng)所述反射區(qū)域圖案14的位置處設(shè)置有以源/漏金屬材料形成的反射區(qū)域金屬電極層15。由此，形成了一種半透半反式的陣列基板結(jié)構(gòu)，可以適用于在戶外等強光環(huán)境下的閱讀顯示。關(guān)于該陣列基板的制造方法，說明如下該方法具體包括步驟I :利用第一金屬材料來制備柵線、柵極2及存貯電容底電極(未圖示)，并在像素電極圖形區(qū)域?qū)?yīng)的位置保留部分柵金屬材料的圖案，從而利用柵金屬形成一些凹凸圖案，用來形成反射區(qū)域圖案14，所使用的第一金屬材料優(yōu)選為Al、AlNcUM0等；在本實施例中，上述存貯電容底電極可以是為公共電極提供恒定電壓的公共電極線(Cst on common),也可以是柵線的一部分(Cst on Gate)。步驟2 :形成柵絕緣層3，并利用半導體材料制備半導體硅島層，形成有源層4，材料優(yōu)選為a-si、p_Si、IGZO等；步驟3 :利用第二金屬材料來制備數(shù)據(jù)線和源極5、漏極6，并在柵金屬凹凸的反射區(qū)域圖案14對應(yīng)的柵絕緣層3上部保留部分源、漏極金屬材料，形成反射區(qū)域金屬電極層15，用來實現(xiàn)金屬反射層的功能，第二金屬材料優(yōu)選為Al、AINd、Mo等；步驟4 6 :首先沉積R樹脂層，同時利用掩膜工藝進行刻蝕，再在刻蝕完成的基板上以與R樹脂層相似的方式來沉積并刻蝕G樹脂層以及B樹脂層，從而形成出彩色樹脂層11 ;
步驟7 :利用透明導電材料來制備與漏極6相連的像素電極7，透明導電材料優(yōu)選為 ITO、IZO 等；步驟8 :通過無機絕緣材料來制備鈍化層9,無機絕緣材料優(yōu)選為SiNx、SiOx等；步驟9 :利用透明導電材料來制備公共電極8，公共電極8通過過孔與所述存貯電容底電極相連(未圖示)，透明導電材料優(yōu)選為ITO、IZO等；進一步地，之后在所形成的基板的薄膜晶體管區(qū)域可以再利用不透明樹脂層來形成黑矩陣層。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該可以理 解，像素電極可以為板狀或者狹縫狀，公共電極也是如此，像素電極和公共電極的上下順序可顛倒，但是在上的電極必須是狹縫狀的，在下的電極是板狀的。同時，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述實施例中任一種的陣列基板，所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和變形，這些改進和變形也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括限定了像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，所述像素區(qū)域包括薄膜晶體管區(qū)域以及像素電極圖形區(qū)域，所述薄膜晶體管區(qū)域中形成有柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極以及鈍化層；所述像素電極圖形區(qū)域中形成所述柵絕緣層、像素電極、所述鈍化層以及公共電極，其中，所述公共電極和像素電極構(gòu)成了多維電場； 其特征在于，在所述柵絕緣層與像素電極之間形成有彩色樹脂層。
2.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在干， 在基板上像素電極圖形區(qū)域?qū)?yīng)的位置處設(shè)置有以柵金屬材料形成的反射區(qū)域圖案，所述柵絕緣層形成于所述反射區(qū)域圖案上； 在所述柵絕緣層上對應(yīng)所述反射區(qū)域圖案的位置處設(shè)置有以源/漏金屬材料形成的反射區(qū)域金屬電極層。
3.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，在所述像素電極圖形區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有以柵金屬材料形成的存貯電容底電極，所述存貯電容底電極上方形成有絕緣層過孔，所述公共電極通過所述絕緣層過孔與存貯電容底電極相連。
4.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，在源極、漏極以及柵絕緣層的上方還形成有絕緣材料的保護層，在所述保護層上對應(yīng)薄膜晶體管區(qū)域的位置形成黑矩陣層。
5.一種陣列基板的制造方法，包括形成像素區(qū)域的過程，所述像素區(qū)域包括薄膜晶體管區(qū)域以及像素電極圖形區(qū)域，在所述薄膜晶體管區(qū)域中形成柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極以及鈍化層；在所述像素電極圖形區(qū)域中形成所述柵絕緣層、像素電極、所述鈍化層以及公共電極，所述公共電極和像素電極構(gòu)成了多維電場； 其特征在于，在形成柵絕緣層之后、形成像素電極之前，在柵絕緣層上方形成彩色樹脂層。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在干， 在形成柵極的過程中，還在基板上像素電極圖形區(qū)域?qū)?yīng)的位置處設(shè)置以柵金屬材料形成的反射區(qū)域圖案； 在形成源極、漏極的過程中，還在所述柵絕緣層上對應(yīng)所述反射區(qū)域圖案的位置處設(shè)置以源/漏金屬材料形成的反射區(qū)域金屬電極層。
7.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在干， 在形成柵極的過程中，還在所述像素電極圖形區(qū)域內(nèi)設(shè)置以柵金屬材料形成的存貯電容底電極； 在形成像素電極之前，先在所述存貯電容底電極上方形成絕緣層過孔，以使在形成像素電極之后，所述公共電極通過所述絕緣層過孔與存貯電容底電極相連。
8.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成了源極、漏極之后的基板上，形成絕緣材料的保護層，然后在所述保護層上對應(yīng)薄膜晶體管區(qū)域的位置形成黑矩陣層。
9.ー種包括如權(quán)利要求1-4任ー項所述陣列基板的顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及陣列基板及其制造方法以及包括該陣列基板的顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。為克服目前液晶面板對比度過低的問題，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括限定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，像素區(qū)域包括薄膜晶體管區(qū)域及像素電極圖形區(qū)域，薄膜晶體管區(qū)域形成有柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極及鈍化層；像素電極圖形區(qū)域中形成柵絕緣層、像素電極、鈍化層及公共電極，公共電極和像素電極構(gòu)成了多維電場；其中，在柵絕緣層與像素電極之間形成有彩色樹脂層。該技術(shù)方案在薄膜晶體管的柵絕緣層上方形成彩色樹脂層，有利于使像素區(qū)域內(nèi)部的結(jié)構(gòu)平坦化，可以防止液晶在反射區(qū)域的不規(guī)則排列，可以防止漏光并提高對比度。
文檔編號G02F1/1343GK102681276SQ20121004884
公開日2012年9月19日 申請日期2012年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月28日
發(fā)明者劉圣烈, 宋泳錫, 崔承鎮(zhèn), 張鋒, 惠官寶 申請人:京東方科技集團股份有限公司