專利名稱：顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示器基板和基于該基板的顯示面板。具體地，本發(fā)明涉及一種在垂直配向液晶顯示(LCD)裝置中用作上基板的顯示器基板，以及包括該基板的顯示面板。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示(LCD)裝置是最廣泛使用的平板顯示裝置類型。LCD裝置包括形成在兩個基板上的電場發(fā)生電極以及插設(shè)在兩個基板之間的液晶層。給電極施加電壓來使液晶層中的液晶分子重新排列，由此控制光通過液晶層的透射率。最廣泛使用的LCD裝置是具有兩個其上形成有電場發(fā)生電極的基板的LCD裝置。 通常，IXD裝置包括形成在第一基板上的像素電極和覆蓋第二基板整個表面的公共電極。通過給每個像素電極施加合適的電壓而顯示圖像。薄膜晶體管(TFT)連接到每個像素電極， 用于切換施加到像素電極的電壓。每條柵極線傳輸控制TFT的信號，并且每條數(shù)據(jù)線給像素電極傳輸電壓。柵極線和數(shù)據(jù)線形成在基板上。然而，IXD裝置的一個缺點是視角窄。因此，已經(jīng)開發(fā)了各種技術(shù)來加寬視角。這些技術(shù)之一是這樣的方法，該方法將像素分成包括相對于第一基板和第二基板垂直配向液晶分子的多域(multi-domain)結(jié)構(gòu)，并且在像素電極和公共電極上形成狹長切口圖案(也稱為突出圖案)。頻繁發(fā)生的問題是在狹長切口圖案中產(chǎn)生殘像和斑點(spot)，或者在摩擦屏幕后還殘存斑點。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，顯示器基板包括基礎(chǔ)基板，該基礎(chǔ)基板具有沿著水平方向和垂直方向定義的像素區(qū)域。顯示器基板還包括在基礎(chǔ)基板上的透明電極。透明電極包括在像素區(qū)域中具有狹長切口的狹長切口圖案。沿著狹長切口交替地排列成對的凸起和成對的凹槽。凹槽可以實質(zhì)上鄰近相鄰狹長切口彼此相接的叉開點設(shè)置，并且成對的凸起可以實質(zhì)上鄰近像素區(qū)域的邊緣設(shè)置。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，第一顯不面板包括第一基板、第二基板以及第一基板與第二基板之間的液晶層。第一基板包括公共電極和上基板，上基板上定義了沿水平方向和垂直方向延伸的像素區(qū)域。公共電極包括具有在像素區(qū)域中的狹長切口、凸起對和凹槽對的第一狹長切口圖案，其中凸起對和凹槽對沿著狹長切口交替設(shè)置。凹槽基本上鄰近相鄰狹長切口彼此相接的叉開點，并且凸起對基本上鄰近狹長切口在垂直側(cè)上的一個邊緣。第二基板包括下基板；開關(guān)元件，形成在下基板上；保護(hù)層，具有接觸孔，暴露開關(guān)元件的輸出電極的一部分，并且對應(yīng)于凸起對；以及像素電極，具有第二狹長切口圖案，與第一狹長切口圖案設(shè)置成交錯圖案。像素電極設(shè)在保護(hù)層上，并且通過接觸孔連接到輸出電極。根據(jù)本發(fā)明的再一個實施例，第二顯示面板包括第一基板、第二基板和在第一基板與第二基板之間的液晶層。第一基板包括上基板，具有像素區(qū)域，該像素區(qū)域具有水平方向和垂直方向；多個突出，在像素區(qū)域中分別形成在上基板上；以及公共電極，包括第一突出圖案，第一突出圖案具有在突出上的凸起對和凹槽對。凸起對和凹槽對沿著突出交替設(shè)置，凹槽實質(zhì)上鄰近相鄰?fù)怀霰舜讼嘟拥牟骈_點，而凸起對實質(zhì)上鄰近突出設(shè)置在垂直側(cè)中的切開部分。第二基板包括下基板；開關(guān)元件，形成在下基板上；保護(hù)層，具有暴露開關(guān)元件的輸出電極的一部分且對應(yīng)于凸起對的接觸孔；以及像素電極。在像素電極上，第二突出圖案具有與第一突出圖案交錯的圖案。像素電極形成在保護(hù)層上，并且通過接觸孔連接到輸出電極。根據(jù)本發(fā)明的顯示基板和顯示面板，通過控制液晶異常點的產(chǎn)生位置，可以防止殘像的產(chǎn)生。因此，可以提高顯示面板的顯示質(zhì)量。


參考附圖，結(jié)合具體的示范性實施例會更好地理解本發(fā)明。圖I是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示面板的平面圖；圖2是圖解沿著圖I中的1-1’線剖取的顯示面板的截面圖；圖3是圖解圖I中第一基板的平面圖；圖4是圖解圖3中鄰近狹長切口彼此相接的叉開點的第一狹長切口圖案的放大圖；圖5A是圖解圖3中連接到第一傾斜狹長切口的第一周邊狹長切口的放大圖；圖5B是圖解形成在傾斜狹長切口與周邊狹長切口相接的拐角處的凹槽的另一個不例的平面圖；圖6是圖解圖I中的第二基板的平面圖；圖7至9是圖解圖I中的顯示基板的制造方法的工藝圖；圖10是圖解根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示面板的截面圖；和圖11是圖解根據(jù)本發(fā)明第三實施例的顯示面板的平面圖。
具體實施例方式下面，參考附圖更加全面地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示范性實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，并且不應(yīng)當(dāng)解釋為限于在此揭示的示范性實施例。 相反，提供這些示范性實施例是為了使該揭示透徹和完整，并且對本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見，可能會夸大層和區(qū)的尺寸和相對尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)稱元件或?qū)印霸凇绷硪辉驅(qū)印吧稀薄ⅰ斑B接到”另一元件或?qū)踊蛘摺榜罱拥健绷硪辉驅(qū)訒r，它可以直接在其它元件或?qū)由稀⒅苯舆B接到其它元件或?qū)踊蛘咧苯玉罱拥狡渌驅(qū)?，或者它們之間可以存在插入元件或?qū)?。相反，?dāng)稱元件“直接在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接到”另一元件或?qū)踊蛘摺爸苯玉罱拥健绷硪辉驅(qū)訒r，
4則它們之間不存在插入元件或?qū)?。相同的附圖標(biāo)記通篇指代相同的元件。正如這里所使用的，詞語“和/或”包括一個或者多個相關(guān)所列項目的任何或所有組合。應(yīng)當(dāng)理解的是，盡管詞語第一、第二、第三等可以在此用于描述各種元件、組分、區(qū)域、層和/部分，但是這些元件、組分、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)受限于這些詞語。這些詞語僅用于區(qū)別一個元件、組分、區(qū)域、層或者部分與另一個區(qū)域、層或部分。因此，下面討論的第一元件、組分、區(qū)域、層或部分可以稱為第二元件、組分、區(qū)域、層或部分，而不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)。空間相對詞語，例如“在...下方”、“在...之下”、“下面”、“在...上方”和“上
面”等，在此可用于方便描述，來描述如圖所示的一個元件或者特征相對于另一個元件(多個元件)或者特征(多個特征)的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，除了圖中所示的取向之外，空間相對詞語旨在涵蓋器件在使用或者操作中的不同取向。例如，如果圖中的器件被倒置，則被描述為“在”其它元件或者特征“之下”或者“下方”的元件會取向為“在”其它元件或者特征的“上方”。因此，示范性詞語“在...之下”就能夠包含之上和之下兩種取向。器件還可以采取其他取向(旋轉(zhuǎn)90度或者其他取向)，此處所用的空間相對性描述符做相應(yīng)解釋。這里采用的術(shù)語僅為了描述特定的示范性實施例，并非要限制本發(fā)明。正如這里所使用的，除非上下文另有明確表述，否則單數(shù)形式“一(a、an)”和“該(the)”均同時旨在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)當(dāng)理解的是，詞語“包含(comprises) ”和/或“包括(comprising) ”, 當(dāng)在本說明書中使用時，是指所述特征、數(shù)量、步驟、操作、元件和/或組分的存在，但并不排除一個或者多個其它特征、數(shù)量、步驟、操作、元件、組分和/或其組合的存在或增加。這里，參考截面圖來描述本發(fā)明的示范性實施例，這些截面圖為本發(fā)明理想化示范性實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因而，例如，由制造技術(shù)和/或公差引起的圖形形狀的變化是可能發(fā)生的。因此，本發(fā)明的示范性實施例不應(yīng)解釋為限于在此所示區(qū)域的特定形狀，而是包括由例如制造引起的形狀偏差在內(nèi)。例如，圖示為矩形的注入?yún)^(qū)域典型地將具有圓形或者彎曲的特征和/或在其邊緣上的注入濃度梯度，而非從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元改變。同樣，通過注入形成的埋入?yún)^(qū)域會導(dǎo)致在埋入?yún)^(qū)域與進(jìn)行注入的表面之間的區(qū)域中的某些注入。因此，圖中所示區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，并且它們的形狀不旨在示出器件區(qū)域的實際形狀，并且不旨在限制本發(fā)明的范圍。除非另有定義，此處使用的所有詞語(包括技術(shù)和科學(xué)詞語)都具有本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所通常理解的相同的含義。還應(yīng)當(dāng)理解的是，除非在此加以明確定義，否則諸如通用字典中所定義的詞語應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的語境中的含義相一致的含義，而不應(yīng)被解釋為理想化或者過度形式化的意義。下面，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。圖I是圖解根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的顯示面板的平面圖，圖2是示出沿圖 I中的i-r線剖取的顯示面板的截面圖。參考圖I和圖2，顯示面板100包括第一基板101、第二基板105和液晶層107。第一基板101和第二基板105彼此面對地放置在液晶層107的相反側(cè)上。液晶層 107中的液晶分子109可以沿基本垂直于第一基板101和第二基板105的方向取向。液晶分子109可以設(shè)置在上配向?qū)?02和下配向?qū)又g。上偏光板(未不出)和下偏光板(未示出)可以分別附著到第一基板101和第二基板105的外側(cè)。
在示范性實施例中，顯示基板可以對應(yīng)于第一基板101。第一基板101包括上基板200、形成在上基板200上的擋光圖案210、濾色器圖案230、覆蓋層250和公共電極270。 第一基板101可以稱為濾色器基板101。上基板200具有用于透光的像素區(qū)域(PA)和圍繞像素區(qū)域(PA)以擋光的不透明區(qū)域(SA)。像素區(qū)域(PA)具有水平(horizontal)側(cè)和垂直(vertical)側(cè)。像素區(qū)域 (PA)基本上為矩形。濾色器圖案230設(shè)置在像素區(qū)域(PA)中。濾色器圖案230包括紅、綠和藍(lán)濾光器。基本相同的濾色器可以設(shè)置在沿水平方向排列的多個像素區(qū)域(PA)中，不同的濾色器可以設(shè)置在沿垂直方向排列的多個像素區(qū)域(PA)中。擋光圖案210設(shè)置在不透明區(qū)域(SA)中，以圍繞紅、綠和藍(lán)濾光器。覆蓋層250覆蓋擋光圖案210和濾色器圖案230。圖3是圖解圖I中的第一基板101的平面圖。參考圖I、2和3，公共電極270設(shè)置在覆蓋層250上。第一狹長切口圖案272形成在公共電極270中。第一狹長切口圖案272可以對應(yīng)于貫穿公共電極270形成的開口。第一狹長切口圖案272可以包括多個狹長切口、凸起對和凹槽對。在示范性實施例中，狹長切口可以將像素區(qū)域(PA)分成多個域。凸起對和凹槽對可以防止在多個域中被配向的液晶層107中產(chǎn)生異常點SP的斑點。異常點SP可以被定義為因為液晶的取向相對于周邊液晶分子109的方向會突然改變而形成的沒有特定方向的特定點。。在相對于其周圍電場實質(zhì)上較強(qiáng)或者較弱的位置處會產(chǎn)生異常點SP。正異常點會產(chǎn)生在電場實質(zhì)上大于周圍電場的位置處。另外，負(fù)異常點會產(chǎn)生在電場實質(zhì)上小于周圍電場的位置處。在正異常點處液晶的方向會匯聚，而在負(fù)異常點處液晶的方向會散開。正異常點和負(fù)異常點可以交替產(chǎn)生。在傳統(tǒng)LCD中，在異常點SP處液晶會失去光閥(optical shutter)功能，并且在異常點SP位置處顯示面板100上會無規(guī)律地顯示殘像或者斑點。在本發(fā)明的顯示裝置中， 異常點SP的位置被控制為不變，從而可以防止殘像和斑點的產(chǎn)生。在公共電極270的邊緣上可以形成彼此相對的三角形凸起，它們由狹長切口定義且彼此相對，并且三角形凸起被定義為凸起對。在彼此相對的邊緣上可以形成彼此相對的凹槽，并且彼此相對的凹槽被定義為凹槽對。在電場實質(zhì)上小于周邊電場的凸起對處會產(chǎn)生負(fù)異常點。在電場實質(zhì)上大于周邊電場的凹槽對處會產(chǎn)生正異常點。因為液晶的異常點SP產(chǎn)生的位置是一致且不變的，并且感覺不到像素區(qū)域(PA)之間的差別，所以不產(chǎn)生殘像和斑點。狹長切口形成在對應(yīng)于每個像素區(qū)域(PA)的公共電極270上。在示范性實施例中，第一狹長切口圖案272包括水平狹長切口 271、第一傾斜狹長切口 273、第一周邊狹長切口 277、第二傾斜狹長切口 275和第二周邊狹長切口 279。圖4是圖解圖3中狹長切口彼此相接的叉開點附近的第一狹長切口圖案272的放大圖。參考圖3和4，水平狹長切口 271、第一傾斜狹長切口 273和第二傾斜狹長切口 275 彼此相接在一點。該點可以稱為叉開點(DP, divergence point)。在控制液晶的異常點SP 方面，狹長切口彼此相接的叉開點(DP)具有與凸起對基本相同的功能。
水平狹長切口 271從叉開點(DP)平行于像素區(qū)域(PA)的水平側(cè)形成。從像素區(qū)域(PA)的左垂直側(cè)的中心到叉開點(DP)形成水平狹長切口 271。第一傾斜狹長切口 273可以沿從像素區(qū)域(PA)的水平側(cè)向下傾斜約45°的方向從叉開點(DP)延伸到像素區(qū)域(PA)的右垂直側(cè)。第一周邊狹長切口 277從第一傾斜狹長切口 273的末端延伸到像素區(qū)域(PA)的垂直方向。第一周邊狹長切口 277的一部分可以布置在像素區(qū)域(PA)中，而其余部分可以布置在不透明區(qū)域(SA)中。凸起對和凹槽對向遠(yuǎn)離叉開點(DP)的方向交替形成在第一傾斜狹長切口 273上。 凸起對和凹槽對之間的間隔可為約30 m至45 m。凸起對和凹槽對的數(shù)量可視像素區(qū)域 (PA)的大小而不同。在示范性實施例中，第一凸起對284、第二凹槽對286和第二凸起對288可以從靠近叉開點(DP)布置的第一凹槽對282開始依次在傾斜方向上形成在第一傾斜狹長切口 273 上。位于輪廓中的第二凸起對288可以與不透明區(qū)域(SA)隔開小于30 Pm。第二傾斜狹長切口 275和第二周邊狹長切口 279形成為相對于第一傾斜狹長切口 273和第一周邊狹長切口 277關(guān)于水平狹長切口 271鏡像對稱。因此，凸起對和凹槽對可以交替產(chǎn)生在對應(yīng)于第一傾斜狹長切口 273的第二傾斜狹長切口 275中。第一狹長切口圖案272還包括第三傾斜狹長切口 274和第四傾斜狹長切口 276，第三傾斜狹長切口 274與第一傾斜狹長切口 273隔開且與第一傾斜狹長切口 273平行，第四傾斜狹長切口 276與第二傾斜狹長切口 275隔開且與第二傾斜狹長切口 275平行。第一狹長切口圖案272還包括第三周邊狹長切口 278a和第四周邊狹長切口 278b， 第三周邊狹長切口 278a從第三傾斜狹長切口 274的一個側(cè)端延伸到水平方向11，第四周邊狹長切口 278b從第四傾斜狹長切口 276的一個側(cè)端延伸到水平方向11。第一狹長切口圖案272還包括第五周邊狹長切口 278c和第六周邊狹長切口 278d， 第五周邊狹長切口 278c從第三傾斜狹長切口 274的另一個側(cè)端延伸到垂直方向15，第六周邊狹長切口 278d從第四傾斜狹長切口 276的另一個側(cè)端延伸到垂直方向15。第三傾斜狹長切口 274和第四傾斜狹長切口 276關(guān)于水平狹長切口 271彼此鏡像對稱，凸起對和凹槽對可以交替產(chǎn)生。圖5A是圖解圖3中第一周邊狹長切口 277結(jié)合第一傾斜狹長切口 273的放大圖。參考圖3和5A，第一周邊狹長切口 277平行于右垂直側(cè)，并且結(jié)合到第一傾斜狹長切口 273的端部。在第一周邊狹長切口 277的末端處引起負(fù)異常點。在引起液晶的異常點SP方面， 第一周邊狹長切口 277的末端具有與凸起對基本相同的功能。最靠近第一周邊狹長切口 277末端的第二凸起對288引起負(fù)異常點。因此，在第二凸起對288和第一周邊狹長切口 277的末端處可以同樣地引起負(fù)異常點。可能難以預(yù)知在相同極性的連續(xù)異常點SP中其它極性的異常點SP的位置，并且其它極性的異常點SP的位置總會改變。因此，圖5A中描述的凹槽對或者凹槽289可以形成在第二凸起對288與第一周邊狹長切口 277的末端之間，以使正異常點產(chǎn)生在規(guī)則的位置處。第一周邊狹長切口 277的外邊緣和第一傾斜狹長切口 273的外邊緣成鈍角，例如 135°，并且可以形成拐角。最靠近拐角的凸起對為第二凸起對288。
參考圖3和5A，凹槽289還可以形成在拐角的頂點上，從而在拐角的頂點和第二對凸起288之間的距離大于15 iim時，交替地排列正異常點和負(fù)異常點。凹槽289從第一傾斜狹長切口 273的外邊緣開始平行于水平方向形成，并且平行地與第一周邊狹長切口 277的外邊緣連接。因此，凹槽289為L形狀。當(dāng)從拐角的頂點到第二凸起對288的距離小于15pm時，因為正負(fù)間的間隙變窄不利于控制異常點SP，所以在該拐角的頂點上可不形成凹槽。。第二傾斜狹長切口 275和第二周邊狹長切口 279分別與第一傾斜狹長切口 273和第一周邊狹長切口 277關(guān)于橫過水平狹長切口 271的水平線鏡像對稱。因此，第一和第二凸起對與第一和第二凹槽對可以形成在第二傾斜狹長切口 275上，凹槽289可以形成在第二傾斜狹長切口 275與第二周邊狹長切口 279相接的拐角中。同樣，參考圖3和5A，凹槽289可以形成在第三傾斜狹長切口 274與第三周邊狹長切口 278a相接、第四傾斜狹長切口 276與第四周邊狹長切口 278b相接的拐角中。第一傾斜狹長切口 273和第二傾斜狹長切口 275可以彼此垂直設(shè)置。因此，多域結(jié)構(gòu)中液晶的方向可以均勻地分布在四個方向上。圖5B是圖解傾斜狹長切口和周邊狹長切口相接的拐角中形成的另一個示例凹槽的平面圖。圖5B所示的狹長切口與圖5A所示的狹長切口除了凹槽289b的形狀外基本相同。 因此，相同的元件采用相同的附圖標(biāo)記，并且因此可以省略相同元件的描述。參考圖5A和5B，凹槽289b形成在第一至第四傾斜狹長切口 273、275、274和276 與第一至第四周邊狹長切口 277、279、278a和278b分別相接的拐角處。圖5B中描述的凹槽289b與圖5A中描述的凹槽289除了凹槽289b具有三角形凸起形狀外基本相同。凹槽289b平行于第一傾斜狹長切口 273的外邊緣延伸，并且約成135°與第一周邊狹長切口 277的外邊緣連接。因此，凹槽289b具有三角形的角形狀。圖6是圖解圖I所示第二基板105的平面圖。參考圖1、2、3和6，第二基板105包括下基板300、形成在下基板300上的柵極線 311、數(shù)據(jù)線321、存儲電極331、存儲線333、開關(guān)元件350、鈍化層360和像素電極370。第二基板105也可稱為陣列基板105。柵極線311將柵極信號從外部傳輸給開關(guān)元件。形成在下基板300上的柵極線311 沿著像素區(qū)域PA的水平側(cè)排列。每條柵極線311的一部分形成多個柵極電極。施加?xùn)艠O信號的接觸焊墊(contact pad)可以形成在柵極線311的切開部分中。與此相反，柵極線 311的切開部分可以直接連接到產(chǎn)生電路部分(generating circuit part)布置在下基板 300上的輸出級。存儲電極331和存儲線333形成在下基板300上且與柵極線311在相同的層中。 存儲電極331布置為與濾色器基板101中狹長切口圖案272的叉開點DP相對應(yīng)，并且布置在彼此相鄰的柵極線311當(dāng)中。存儲線333包括從存儲電極331延伸到水平方向11的第一存儲線、從第一存儲線延伸到像素區(qū)域PA的垂直側(cè)的第二存儲線。存儲電極331和存儲線333的形成方法可以不同地改變。
柵極絕緣層319覆蓋柵極線311、存儲電極331和存儲線333。沿垂直側(cè)排列的多條數(shù)據(jù)線321形成在柵極絕緣層319上。漏極電極345形成在柵極絕緣層319上。漏極電極345的切開部分布置在第一凸起對284的正下方，該第一凸起對284形成在濾色器基板101的第一傾斜狹長切口 273處。在數(shù)據(jù)線321中，源極電極341朝著漏極電極345突出。線性半導(dǎo)體層342沿著數(shù)據(jù)線321在垂直方向15上排列在數(shù)據(jù)線321和漏極電極345下方。線性半導(dǎo)體層342 具有與源極電極341和漏極電極345交疊的溝道層。溝道層對應(yīng)于柵極電極312。開關(guān)元件350包括柵極電極312、柵極絕緣層319、溝道層、源極電極341和半導(dǎo)體層 342。鈍化層360覆蓋開關(guān)元件350和數(shù)據(jù)線321。接觸孔381形成在鈍化層360中，該接觸孔381暴露漏極電極345的部分切開部分。因此，接觸孔381對應(yīng)于形成在濾色器基板101第一傾斜狹長切口 273處的第一凸起對284。形成在鈍化層360中的臺階凹陷與凸起對類似，具有指定負(fù)異常點的功能。鈍化層360在接觸孔381中凹陷，并且形成第一臺階凹陷。因此，由于第一凸起對布置為對應(yīng)于接觸孔381上鈍化層360的第一臺階凹陷，所以第一和第二凹槽對布置在第一臺階凹陷的周邊。因此，第一臺階凹陷指定了負(fù)異常點，第一和第二凹槽對指定了負(fù)異常點周邊的正異常點。因此，異常點SP可以可靠地在規(guī)則點處形成。像素電極370形成在鈍化層360上，并且通過接觸孔381連接到漏極電極345。第二狹長切口圖案形成在像素電極370中。第二狹長切口圖案的狹長切口部分與第一狹長切口圖案的狹長切口部分交替布置。因此，像素區(qū)域PA被分成多個域。第二狹長切口圖案372可以包括第五傾斜狹長切口 371和第六傾斜狹長切口 373。第五傾斜狹長切口 371布置為對應(yīng)于第一傾斜狹長切口 273和第三傾斜狹長切口 274之間的間隔，并且平行于第一傾斜狹長切口 273形成。第六傾斜狹長切口 373布置為對應(yīng)于第二傾斜狹長切口 275和第四傾斜狹長切口 276之間的間隔，并且與第二傾斜狹長切口 275平行形成。對應(yīng)于形成在第一傾斜狹長切口 273和第二傾斜狹長切口 275中的第一凸起對 284和第二凸起對288及第一凹槽對282和第二凹槽對286，在第五傾斜狹長切口 371和第六傾斜狹長切口 373中分別形成基本相同的凸起對和凹槽對。第二狹長切口圖案372還可以包括水平狹長切口 375。水平狹長切口 375具有從像素電極370的右垂直側(cè)到像素電極370的左垂直側(cè)的纟產(chǎn)形(scooped-out shape),進(jìn)口對稱延伸開。因此，像素電極370基本關(guān)于水平線鏡像對稱。 鈍化層360可以包括鈍化層和有機(jī)絕緣層。鈍化層覆蓋開關(guān)元件350。有機(jī)絕緣層形成在鈍化層上。對應(yīng)于存儲電極331的第二臺階凹陷385可以形成在有機(jī)絕緣層中，以通過減少存儲電極331和像素電極370之間的距離來增加存儲容量。存儲電極331布置為與濾色器基板101的第一狹長切口圖案272的叉開點DP相對應(yīng)。第二臺階凹陷385引起負(fù)異常點。具有凸起對功能的叉開點DP引起負(fù)異常點。因此，在叉開點DP上加強(qiáng)了負(fù)異常點。引起正異常點的第一凹槽對282設(shè)置在叉開點DP的周邊中。因此，交替形成正負(fù)異常點。異常點SP穩(wěn)定地形成在規(guī)則位置處。液晶層107在濾色器基板101和陣列基板105之間垂直配向。液晶層107包括液晶LC。液晶LC通過形成在像素電極370和公共電極270之間的電場改變排列角度。形成在公共電極中的第一狹長切口圖案272通過扭曲電場的方向來重新排列液晶LC的方向。形成在像素電極中的第二狹長切口圖案372通過扭曲電場的方向引起液晶LC的方向重新排列。因此，液晶LC的不同方向提高了多個域中的側(cè)可見性。每個像素區(qū)域PA中液晶的異常點總是在凸起對和凹槽對處產(chǎn)生，因此像素中的間隙會不可見。因此，提高了顯示質(zhì)量。濾色器基板101和顯示面板100可應(yīng)用于所有類型的垂直配向模式液晶面板。本發(fā)明可應(yīng)用于控制液晶的電極被圖案化且液晶在垂直方向取向的所有液晶顯示(LCD)面板，而與像素電極370的產(chǎn)生方法、濾色器基板的位置或者形成在第二基板105上的有機(jī)絕緣層無關(guān)。因此，省略了上述示例的圖解。圖7至9是圖解圖I所不顯不基板的制造方法的工藝圖。圖7和9所不的顯不基板可以與圖I和6所示的濾色器基板基本相同地設(shè)置。因此，相同的元件采用相同的附圖標(biāo)記，并且因此省略對這些相同元件的描述。為了制造顯不基板101,擋光材料層沉積在基礎(chǔ)基板(base substrate) 200上,并且在基礎(chǔ)基板200上被圖案化。因此，不透明圖案210在不透明區(qū)域SA中形成。彩色光致抗蝕劑層沉積在不透明圖案210定義的像素區(qū)域PA處。通過重復(fù)圖案化工藝形成濾色器圖案230。通過涂敷樹脂覆蓋擋光圖案210和濾色器圖案230來形成覆蓋層250。圖8示出通過在覆蓋層250上沉積諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料形成公共電極層 261。參考圖3和9，通過制作利用圖案化公共電極層261形成的第一狹長切口圖案272 來形成公共電極270。用于制作第一狹長切口圖案272的蝕刻掩模具有對應(yīng)于凸起對和凹槽對形狀的圖案。最后，通過形成覆蓋公共電極270的上配向?qū)?02完成顯示基板101。圖10是圖解根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示面板的截面圖。參考圖10，除了第一狹長切口圖案被第一突出圖案672所取代之外，濾色器基板 501可以設(shè)置為與圖1、3和5所示的濾色器基板基本相同，在第一突出圖案672上凸起對和凹槽對交替形成。因此，相同的元件采用相同的附圖標(biāo)記，并且因此省略了對這些相同元件的描述。包括圖9所示濾色器基板501的顯示面板500與圖I和6所示的顯示面板100基本相同，除了第二狹長切口圖案被陣列基板中的第二突出圖案772所取代之外。因此，相同的元件采用相同的附圖標(biāo)記，并且因此而省略了重復(fù)的描述。參考圖10，可以提供與圖7至9所示的制造顯示基板的方法基本相同的制造濾色器基板501的方法，除了形成公共電極層之后在公共電極上形成有機(jī)層，并且通過圖案化該有機(jī)層形成具有狹長切口形狀的突出而形成第一突出圖案672之外。因此，相同的元件采用相同的附圖標(biāo)記，并且因此省略對這些相同元件的描述。圖11是圖解根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示面板的平面圖。參考圖11，顯示面板800包括濾色器基板、陣列基板和液晶層。9/10 頁參考圖11，濾色器基板可以設(shè)置為與圖I所示的濾色器基板101基本相同，除了形成在公共電極上的第一狹長切口圖案972的形狀之外。因此，濾色器基板包括上基板、形成在上基板上的不透明圖案、濾色器圖案、覆蓋層和公共電極。因此，對相同的元件采用相同的附圖標(biāo)記，并且因此而省略對這些相同元件的描述。在像素區(qū)域PA中形成兩組第一狹長切口圖案972。兩組第一狹長切口圖案972的大小可以不同，但是兩組第一狹長切口圖案972的形狀基本相同。第一狹長切口圖案972 沿垂直方向15排列。參考圖11，每個第一狹長切口圖案972可以設(shè)置為與圖I和3所示的第一狹長切口圖案272基本相同，除了刪除了第三傾斜狹長切口 274和第四傾斜狹長切口 276、刪除了第三到第六周邊狹長切口 278a、278b、278c和278d，以及將第一傾斜狹長切口 273和第二傾斜狹長切口 275及水平狹長切口 271的左側(cè)和右側(cè)互換之外。在第一傾斜狹長切口 973和第二傾斜狹長切口 975中，從水平狹長切口 971與第一傾斜狹長切口 973和第二傾斜狹長切口 975相接的叉開點開始交替布置凸起對和凹槽對。而且,在第一傾斜狹長切口 973和第二傾斜狹長切口 975與第一和第二周邊狹長切口連接的拐角處形成凹槽。在像素區(qū)域PA中的垂直方向15上排列兩個第一狹長切口圖案972。因此，在垂直方向15上交替排列第一傾斜狹長切口 973和第二傾斜狹長切口 975，從而可以形成Z字形形狀。陣列基板包括下基板、形成在下基板上的柵極線1011、數(shù)據(jù)線1021、存儲電極 1031、存儲線1033、開關(guān)元件1050、保護(hù)層和像素電極。陣列基板可以設(shè)置為與圖I所示的陣列基板105基本相同，除了像素區(qū)域PA是通過對應(yīng)于兩個第一狹長切口圖案972將像素區(qū)域PA分成兩個區(qū)域而生成之外。因此，對相同的元件采用相同的附圖標(biāo)記，并且因此而省略對這些相同元件的描述。兩條柵極線1011包含在像素區(qū)域PA。例如，第一柵極線GLl沿水平方向11延伸， 且對應(yīng)于濾色器基板的兩個第一狹長切口圖案972之間的間隔。第二柵極線GL2沿水平方向11延伸，且對應(yīng)于像素區(qū)域PA的邊緣。數(shù)據(jù)線1021沿垂直方向15延伸。像素電極被圖案化以在像素區(qū)域PA中被電分隔。像素電極相對于像素PA中的第一柵極線GLl在垂直方向上被電分隔為主像素電極和子像素電極。開關(guān)元件1050電連接第一柵極線GLl和子像素電極SPE。其它開關(guān)元件1050電連接第二柵極線GL2和主像素電極MPE。開關(guān)元件1050的漏極電極從柵極電極上方延伸到第一狹長切口圖案972中的第二傾斜狹長切口 975的第一凸起對的下方。主像素電極MPE 和子像素電極SPE通過接觸孔1083彼此電連接到漏極電極。在覆蓋開關(guān)元件1050的保護(hù)層上通過接觸孔1083形成臺階。該臺階與凸起對類似在液晶中引起負(fù)異常點。由于接觸孔1083形成在凸起對的正下方，所以在該凸起對處可靠地形成負(fù)異常點。存儲電極1031和存儲線1033各個地布置在主像素電極MPE和子像素電極SPE下方，并且在一幀期間存儲主像素和子像素的電壓。在存儲電極1031所形成處的保護(hù)層上形
11成臺階以增加存儲容量，并且該臺階在液晶中引起負(fù)異常點。存儲電極1031布置為對應(yīng)于圖11中的第一狹長切口圖案972的叉開點。叉開點以凸起對在液晶中引起負(fù)異常點。因為存儲電極1031形成在叉開點的正下方，所以以凸起對可靠地形成負(fù)異常點。分別連接到主像素電極MPE和子像素電極SPE的開關(guān)元件1050可以連接到相同的數(shù)據(jù)線1021。在將像素電壓施加給沿水平方向11排列的第一線的像素電極的水平掃描周期期間，以分時法(time division method)通過數(shù)據(jù)線1021給主像素電極MPE和子像素電極SPE施加不同的像素電壓。第二狹長切口圖案1072分別形成在對應(yīng)于第一狹長切口圖案972的主像素電極 MPE和子像素電極SPE中。第二狹長切口圖案包括第五傾斜狹長切口 1071、第六傾斜狹長切口 1073和不均勻圖案狹長切口 1074。第五傾斜狹長切口 1071與第一傾斜狹長切口 973平行地形成，并且第一傾斜狹長切口 973對應(yīng)于兩個第五傾斜狹長切口 1071之間的間隔布置。第六傾斜狹長切口 1073與第二傾斜狹長切口 975平行地形成，并且第二傾斜狹長切口 975對應(yīng)于兩個第六傾斜狹長切口 1073之間的間隔布置。第五傾斜狹長切口 1071和第六傾斜狹長切口 1073彼此連接， 并且大致形成V形。因此，第一傾斜狹長切口 973和第二傾斜狹長切口 975從主像素電極 MPE和子像素電極SPE在垂直方向15上交替排列成Z字形。多個不均勻圖案狹長切口 1074從第五傾斜狹長切口 1071和第六傾斜狹長切口 1073的邊緣朝著第一傾斜狹長切口 973和第二傾斜狹長切口 975以規(guī)則的節(jié)距形成。因此，像素區(qū)域PA由形成在公共電極上的第一狹長切口圖案972和分別形成在主像素電極MPE和子像素電極SPE上的第二狹長切口圖案1072分成多個域。因此，在每個域中液晶的配向方向不同，并且因此顯示面板800可以在各種視角處具有優(yōu)秀的顯示質(zhì)量。參考圖11，可以提供與圖7至9所示的濾色器基板的制造方法基本相同的制造濾色器基板的方法，除了第一狹長切口圖案972的形狀不同。因此將省略重復(fù)描述。根據(jù)本發(fā)明的實施例，顯示基板和顯示面板總被應(yīng)用在控制液晶的電極被圖案化以及液晶被配向為垂直方向的情況中。因此，可以應(yīng)用本發(fā)明以便提高IXD裝置的顯示質(zhì)量。如上所述，本發(fā)明的實施例包括具有有利特征的顯示基板和/或顯示面板。通過適當(dāng)?shù)膽?yīng)用，這些特征可以通過控制在液晶中產(chǎn)生異常點的位置來減少或者防止殘像的產(chǎn)生。因此，可以提聞顯不質(zhì)量。前述是為了說明本發(fā)明，而不應(yīng)被解釋為對本發(fā)明的限制。盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的幾個示范性實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員易于理解的是，可以在實質(zhì)上沒有脫離本發(fā)明的新穎的教導(dǎo)和優(yōu)點的前提下對示范性實施例中進(jìn)行各種修改。因此，所有這樣的修改旨在被包括在權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的范圍內(nèi)。因此，應(yīng)當(dāng)理解的是，前述的是對本發(fā)明的說明而不應(yīng)被解釋為限于所揭示的具體示范性實施例，并且對所揭示的示范性實施例以及其它示范性實施例的修改旨在被包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。本發(fā)明由所附的權(quán)利要求以及其中應(yīng)包括的權(quán)利要求的等同技術(shù)方案定義。
權(quán)利要求
1.一種顯不面板，包括基礎(chǔ)基板，具有水平方向和垂直方向的像素區(qū)域定義在該基礎(chǔ)基板上；以及在該基礎(chǔ)基板上的透明電極，其中所述透明電極包括域劃分件，該域劃分件包括傾斜部分和從該傾斜部分沿與像素區(qū)域的垂直側(cè)基本平行的方向延伸的周邊部分，且該域劃分件還包括第一凹槽，該第一凹槽設(shè)置在所述傾斜部分和所述周邊部分彼此連接的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求I所述的顯示面板，其中所述域劃分件還包括鄰近所述第一凹槽在所述傾斜部分中的凸起對。
3.如權(quán)利要求I所述的顯示面板，還包括第二基礎(chǔ)基板、在該第二基礎(chǔ)基板上的開關(guān)元件、在該第二基礎(chǔ)基板上的像素電極以及暴露所述開關(guān)元件的輸出電極的一部分以將所述像素電極連接到所述輸出電極的接觸孔，其中所述域劃分件還包括與所述接觸孔對應(yīng)的凸起對。
4.如權(quán)利要求I所述的顯示面板，其中所述域劃分件還包括凸起對和凹槽對，所述凸起對和所述凹槽對沿所述域劃分件交替設(shè)置，所述凹槽對鄰近所述傾斜部分中的叉開點。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示面板，其中所述像素電極具有多個凹凸圖案。
6.如權(quán)利要求I所述的顯示面板，其中所述域劃分件還包括從叉開點沿水平方向延伸的水平部分。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示面板，其中所述域劃分件還包括在該水平部分中的凹槽對。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示面板，其中所述域劃分件還包括在該水平部分中的凸起對。
9.如權(quán)利要求I所述的顯示面板，其中所述第一凹槽的角度基本是直角。
10.如權(quán)利要求I所述的顯示面板，其中所述域劃分件具有突出圖案。
11.如權(quán)利要求I所述的顯示面板，其中所述域劃分件具有狹長切口圖案。
12.如權(quán)利要求I所述的顯示面板，其中所述周邊部分的寬度隨著所述周邊部分從所述傾斜部分延伸而變窄。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示面板。該顯示面板可以包括基礎(chǔ)基板，具有水平方向和垂直方向的像素區(qū)域定義在該基礎(chǔ)基板上；以及在該基礎(chǔ)基板上的透明電極，其中所述透明電極包括域劃分件，該域劃分件包括傾斜部分和從該傾斜部分沿與像素區(qū)域的垂直側(cè)基本平行的方向延伸的周邊部分，且該域劃分件還包括第一凹槽，該第一凹槽設(shè)置在所述傾斜部分和所述周邊部分彼此連接的區(qū)域。
文檔編號G02F1/1343GK102591059SQ20121007916
公開日2012年7月18日 申請日期2009年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月22日
發(fā)明者權(quán)知炫, 權(quán)鎬均, 李元熙, 羅惠錫, 羅柄善 申請人:三星電子株式會社