專利名稱：一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示
裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。其中，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced SuperDimension Switch,簡(jiǎn)稱ADS),通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。ADS模式TFT-IXD是利用公共電極和像素電極之間的邊緣場(chǎng)效應(yīng)驅(qū)動(dòng)液晶，根據(jù)其電極設(shè)計(jì)及層間結(jié)構(gòu)，液晶透過率及特性大有變化。圖I為現(xiàn)有技術(shù)的ADS模式液晶顯示器的陣列基板的截面圖。如圖I所示，在所述陣列基板中，柵電極2形成在基板I上，柵電極2上形成有柵絕緣層4，柵絕緣層4上形成有半導(dǎo)體層5，源電極6和漏電極7形成在半導(dǎo)體層5上且相互分開著，像素電極12與漏電極7電連接后形成在柵絕緣層4上，公共電極16形成在保護(hù)膜13上，柵線(圖未示)和數(shù)據(jù)線8限定像素區(qū)域，柵焊盤3形成在基板I上，數(shù)據(jù)焊盤9形成在柵絕緣層4上。為了防止漏光，在數(shù)據(jù)線8上方形成一部分公共電極162。在上述陣列基板中，公共電極162和數(shù)據(jù)8之間存在寄生電容(Cdp_data toVcom),像素電極12和數(shù)據(jù)線8之間也存在寄生電容(Cdp_data to pixel)。在結(jié)構(gòu)上,像素電極12和數(shù)據(jù)線8之間的距離較小時(shí)，寄生電容會(huì)比較大，這給像素電極12的充電特性帶來影響，隨之會(huì)影響到顯示的質(zhì)量，導(dǎo)致畫面上出現(xiàn)污潰、殘像或者閃爍現(xiàn)象。為此，需要增加像素電極12和數(shù)據(jù)線8之間的距離來減小寄生電容，但這卻會(huì)導(dǎo)致像素的開口率降低。另外，公共電極162和數(shù)據(jù)線8之間的寄生電容較大時(shí)，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)線8上的信號(hào)發(fā)生延遲。液晶顯示器的分辨率越高、面積越大時(shí)，信號(hào)延遲會(huì)越嚴(yán)重。在現(xiàn)有的改善信號(hào)延遲的方法中，主要是通過提高數(shù)據(jù)線8和公共電極162間的保護(hù)膜13的厚度來降低寄生電容，但這會(huì)造成制造時(shí)間以及制造成本的急劇增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置，以降低陣列基板中數(shù)據(jù)線上的信號(hào)延遲，并防止高溫下TFT中漏電流的產(chǎn)生。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供技術(shù)方案如下一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域包括柵線、數(shù)據(jù)線以及位于柵線和數(shù)據(jù)線之間的多個(gè)像素單元，所述非顯示區(qū)域包括柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極和公共電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極相連接；所述公共電極包括位于像素電極上方的第一公共電極和位于數(shù)據(jù)線上方的第二公共電極；所述公共電極所在的層與所述像素電極所在的層之間設(shè)置有保護(hù)膜；所述像素電極和所述數(shù)據(jù)線之間、以及所述薄膜晶體管與所述保護(hù)膜之間設(shè)置有無機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜，所述無機(jī)絕緣膜形成在所述數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管的源極、漏極和溝道區(qū)域的半導(dǎo) 體層的上方，所述有機(jī)絕緣膜位于所述無機(jī)絕緣膜的上方。上述的陣列基板，其中，所述陣列基板的具體結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的柵電極和柵線；形成在柵電極和柵線上的柵絕緣層；形成在柵絕緣層上的半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線；形成在半導(dǎo)體層上的源電極和漏電極；形成在源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層上的無機(jī)絕緣膜；形成在無機(jī)絕緣膜上的有機(jī)絕緣膜，無機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜上形成有第一接觸孔；形成在有機(jī)絕緣膜上的像素電極，像素電極通過第一接觸孔與漏電極電連接；形成在像素電極和有機(jī)絕緣膜上的保護(hù)膜；形成在保護(hù)膜上的公共電極，公共電極包括位于像素電極上方的第一公共電極和位于數(shù)據(jù)線上方的第二公共電極。上述的陣列基板，其中，所述數(shù)據(jù)線下方保留有半導(dǎo)體層材料，或者所述數(shù)據(jù)線下方與柵絕緣層直接接觸。上述的陣列基板，其中，還包括與所述柵線位于同一層的柵焊盤；與所述數(shù)據(jù)線位于同一層的數(shù)據(jù)焊盤；在所述柵焊盤上方形成的第二接觸孔和柵焊盤電極，所述柵焊盤電極通過所述第二接觸孔與所述柵焊盤電連接；在所述數(shù)據(jù)焊盤上方形成的第三接觸孔和數(shù)據(jù)焊盤電極，所述數(shù)據(jù)焊盤電極通過所述第三接觸孔與所述數(shù)據(jù)焊盤電連接。上述的陣列基板，其中所述像素電極與所述數(shù)據(jù)線在沿平行于所述基板的方向之間的距離為O Ιμπι。上述的陣列基板，其中所述無機(jī)絕緣膜的厚度為1000 2000Α。上述的陣列基板，其中所述有機(jī)絕緣膜的材料為聚丙烯酸。上述的陣列基板，其中所述有機(jī)絕緣膜的厚度為10000 40000Α。上述的陣列基板，其中所述保護(hù)膜采用無機(jī)絕緣材料，其厚度為2000 4000Α。一種陣列基板的制造方法，包括在基板上形成柵電極、柵線和柵焊盤；在形成有柵電極、柵線和柵焊盤的基板上形成柵絕緣層；在形成有柵絕緣層的基板上形成半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤；在形成有半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤的基板上形成無機(jī)絕緣膜；在形成有無機(jī)絕緣膜的基板上形成有機(jī)絕緣膜，對(duì)有機(jī)絕緣膜和無機(jī)絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖，以形成第一接觸孔，并暴露柵焊盤區(qū)域的柵絕緣層和數(shù)據(jù)焊盤；在形成有有機(jī)絕緣膜的基板上形成像素電極，像素電極通過第一接觸孔與漏電極電連接；在形成有像素電極的基板上形成保護(hù)膜，并對(duì)保護(hù)膜進(jìn)行構(gòu)圖，以形成第二接觸孔和第三接觸孔；在形成有保護(hù)膜的基板上形成公共電極、柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極，公共電極 包括位于像素電極上方的第一公共電極和位于數(shù)據(jù)線上方的第二公共電極，柵焊盤電極通過第二接觸孔與柵焊盤電連接，數(shù)據(jù)焊盤電極通過第三接觸孔與數(shù)據(jù)焊盤電連接。上述的制造方法，其中，所述在形成有柵絕緣層的基板上形成半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤，包括在形成有柵絕緣層的基板上形成半導(dǎo)體材料層；對(duì)半導(dǎo)體材料層進(jìn)行構(gòu)圖，形成半導(dǎo)體層；在形成有半導(dǎo)體層的基板上形成金屬層；對(duì)金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤，并在源電極和漏電極之間的半導(dǎo)體層上形成溝道。上述的制造方法，其中，所述在形成有柵絕緣層的基板上形成半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤，包括在形成有柵絕緣層的基板上依次形成半導(dǎo)體材料層和金屬層；在金屬層上形成光刻膠層；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域；刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的金屬層和半導(dǎo)體材料層；通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的金屬層及半導(dǎo)體材料層的一部分。上述的制造方法，其中，對(duì)有機(jī)絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖之后，還包括對(duì)所述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行固化處理，所述固化處理的溫度為230 260°C，時(shí)間為30 60分鐘。上述的制造方法，其中所述像素電極與所述數(shù)據(jù)線在沿平行于所述基板的方向之間的距離為O Ιμπι。上述的制造方法，其中所述無機(jī)絕緣膜的厚度為1000 2000Α。上述的制造方法，其中所述有機(jī)絕緣膜的材料為聚丙烯酸。上述的制造方法，其中所述有機(jī)絕緣膜的厚度為10000 40000Α。上述的制造方法，其中所述保護(hù)膜采用無極絕緣材料，其厚度為2000 4000Α。一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。本發(fā)明的技術(shù)方案通過將低介電常數(shù)的有機(jī)絕緣膜應(yīng)用于陣列基板，來降低公共電極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，從而能夠降低數(shù)據(jù)線上的信號(hào)延遲，改善顯示質(zhì)量。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中通過增加保護(hù)膜的厚度來降低寄生電容，本發(fā)明的技術(shù)方案還能夠減少工藝時(shí)間和降低制造成本。另外，本發(fā)明的技術(shù)方案還在有機(jī)絕緣膜和半導(dǎo)體層之間形成無機(jī)絕緣膜作為緩沖層，所述緩沖層能夠阻止有機(jī)絕緣膜中的離子異物滲透到半導(dǎo)體層，從而防止在高溫下TFT中漏電流的產(chǎn)生。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)的ADS模式液晶顯示器的陣列基板的截面圖；圖2 圖15為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制造方法中陣列基板的截面圖；圖16為本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板的截面圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域包括柵線、數(shù)據(jù)線以及位于柵線和數(shù)據(jù)線之間的多個(gè)像素單元，所述非顯示區(qū)域包括柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管(TFT)、像素電極和公共電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極相連接，其中，所述公共電極包括位于像素電極上方的第一公共電極和位于數(shù)據(jù)線上方的第二公共電極；所述公共電極所在的層與所述像素電極所在的層之間設(shè)置有保護(hù)膜；所述像素電極和所述數(shù)據(jù)線之間、以及所述薄膜晶體管與所述保護(hù)膜之間設(shè)置有無機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜，所述無機(jī)絕緣膜形成在所述數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管的源極、漏極和溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層的上方，所述有機(jī)絕緣膜位于所述無機(jī)絕緣膜的上方。本發(fā)明的技術(shù)方案通過將低介電常數(shù)的有機(jī)絕緣膜應(yīng)用于陣列基板，來降低公共電極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，從而能夠降低數(shù)據(jù)線上的信號(hào)延遲，改善顯示質(zhì)量。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中通過增加保護(hù)膜的厚度來降低寄生電容，本發(fā)明的技術(shù)方案還能夠減少工藝時(shí)間和降低制造成本。另外，本發(fā)明的技術(shù)方案還在有機(jī)絕緣膜和半導(dǎo)體層之間形成無機(jī)絕緣膜作為緩沖層，所述緩沖層能夠阻止有機(jī)絕緣膜中的離子異物滲透到半導(dǎo)體層，從而防止在高溫下TFT中漏電流的產(chǎn)生。在本發(fā)明實(shí)施例中，除了上述結(jié)構(gòu)之外，陣列基板的基板結(jié)構(gòu)可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，比如薄膜晶體管可以為頂柵結(jié)構(gòu)，也可以為底柵結(jié)構(gòu)；像素電極與漏電極的連接方式可以為搭接，也可以為通過過孔連接等等，在此不做限定。下面示例性的以一種陣列基板為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行說明。圖16為本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板的截面圖。參照?qǐng)D16,所述陣列基板可以包括基板I ;形成在基板I上的柵電極2、柵線(圖未示)和柵焊盤3 ；形成在柵電極2和柵線上的柵絕緣層4 ；形成在柵絕緣層4上的半導(dǎo)體層5、數(shù)據(jù)線8和數(shù)據(jù)焊盤9 ；
形成在半導(dǎo)體層5上的源電極6和漏電極7 ；形成在源電極6、漏電極7、數(shù)據(jù)線8和半導(dǎo)體層5上的無機(jī)絕緣膜21 ；形成在無機(jī)絕緣膜21上的有機(jī)絕緣膜10，無機(jī)絕緣膜21和有機(jī)絕緣膜 10上形成有第一接觸孔11;形成在有機(jī)絕緣膜10上的像素電極12，像素電極12通過第一接觸孔11與漏電極7電連接；形成在像素電極12和有機(jī)絕緣膜10上的保護(hù)膜13 ；形成在保護(hù)膜13上的公共電極16，公共電極16包括位于像素電極12上方的第一公共電極161和位于數(shù)據(jù)線8上方的第二公共電極162 ；在所述柵焊盤3上方形成的第二接觸孔14和柵焊盤電極17，所述柵焊盤電極17通過所述第二接觸孔14與所述柵焊盤3電連接；在所述數(shù)據(jù)焊盤9上方形成的第三接觸孔15和數(shù)據(jù)焊盤電極18，所述數(shù)據(jù)焊盤電極18通過所述第三接觸孔15與所述數(shù)據(jù)焊盤9電連接。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，通過將低介電常數(shù)(2.0 4.0)的有機(jī)絕緣膜10應(yīng)用于陣列基板，來降低公共電極162和數(shù)據(jù)線8之間的寄生電容，從而能夠降低數(shù)據(jù)線8上的信號(hào)延遲，改善顯示質(zhì)量。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中通過增加保護(hù)膜13的厚度來降低寄生電容，本發(fā)明實(shí)施例還能夠減少工藝時(shí)間和降低制造成本。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于采用了低介電常數(shù)的有機(jī)絕緣膜10，還可以通過減小像素電極12和數(shù)據(jù)線8之間的距離，來增加像素的開口率，其中，所述像素電極12與所述數(shù)據(jù)線8在沿平行于基板I的方向之間的距離可以減小到O I μ m。另外，如果有機(jī)絕緣膜10和半導(dǎo)體層5接觸，則在高溫環(huán)境下，有機(jī)絕緣膜中10的離子異物會(huì)滲透到半導(dǎo)體層5，帶來TFT中漏電流的增加。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在有機(jī)絕緣膜10和半導(dǎo)體層5之間形成無機(jī)絕緣膜21作為緩沖層，所述緩沖層能夠阻止有機(jī)絕緣膜10中的離子異物滲透到半導(dǎo)體層5，從而防止在高溫下TFT中漏電流的產(chǎn)生。其中，所述有機(jī)絕緣膜10的材料可以采用聚丙烯酸，所述有機(jī)絕緣膜10的厚度為10000 40000A。所述保護(hù)膜13可以采用無機(jī)絕緣材料，其厚度為2000 4000A。所述無機(jī)絕緣膜21可以采用氧化物(例如SiOx)或者氮化物(例如SiNx)等材料，其厚度為
1000 2000A。本發(fā)明實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線下方可以保留半導(dǎo)體層(如圖13所示)，也可以不保留半導(dǎo)體層(如圖14所示)；源電極和/或漏電極可以完全位于半導(dǎo)體層的上方(如圖13所示)，也可以延伸至半導(dǎo)體層之外的區(qū)域(如圖14所示)。當(dāng)源電極和/或漏電極延伸至半導(dǎo)體層之外的區(qū)域時(shí)，具有更好的接觸效果。本發(fā)明實(shí)施例中，半導(dǎo)體層5可以為普通硅半導(dǎo)體(本征半導(dǎo)體+摻雜半導(dǎo)體)，也可以為有機(jī)半導(dǎo)體，還可以為氧化物半導(dǎo)體。本發(fā)明實(shí)施例中，公共電極16為狹縫狀，像素電極12可以為板狀，也可以為狹縫狀。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置可以包括上述的任一種陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
以下給出上述陣列基板的制造方法。方法實(shí)施例I步驟S11，提供一基板，在基板上形成柵線、柵電極和柵焊盤；首先，可以采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在玻璃基板或其他類型的透明基板上面形成柵金屬層，柵金屬層可以采用鉻(Cr)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、釹(Nd)及其合金，并且，柵金屬層可以為一層或多層；然后，在柵金屬層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)柵金屬層進(jìn)行刻蝕，形成柵線、柵電極和柵焊盤的圖形；最后，剝離剩余的光刻膠。需要說明的是，本步驟中，在形成柵線、柵電極和柵焊盤的圖形的同時(shí)，還可以形成公共電極線。 步驟S12，在完成步驟Sll的基板上形成柵絕緣層；如圖2所示，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)等方法，在所述基板I上沉積厚度為2000 8000A的柵絕緣層4。其中，柵絕緣層4可以選用氧化物(例如SiOx)或者氮化物(例如SiNx)等材料。步驟S13，在完成步驟S12的基板上形成半導(dǎo)體層；如圖3所示，首先，可以采用PECVD等方法，在所述基板I上形成厚度為1000 4000A的半導(dǎo)體材料層；然后，在半導(dǎo)體材料層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)半導(dǎo)體材料層進(jìn)行刻蝕，形成半導(dǎo)體層5的圖形；最后，剝離剩余的光刻膠。步驟S14，在完成步驟S13的基板上形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤；如圖4所示，首先，可以采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板I上面形成厚度為1000 6000A的源漏金屬層，源漏金屬層可以采用鉻(Cr)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、釹(Nd)及其合金，并且，源漏金屬層可以為一層或多層；然后，在源漏金屬層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，形成源電極6、漏電極7、數(shù)據(jù)線8和數(shù)據(jù)焊盤9的圖形；最后，刻蝕掉源電極6和漏電極7之間的半導(dǎo)體層5的一部分，并剝離剩余的光刻膠，以此完成薄膜晶體管的溝道。其中，刻蝕掉源電極6和漏電極7之間的半導(dǎo)體層5的一部分，主要是指當(dāng)半導(dǎo)體層5為本征半導(dǎo)體和摻雜半導(dǎo)體(歐姆接觸層)構(gòu)成的硅半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)時(shí)，應(yīng)刻蝕掉源電極6和漏電極7之間的歐姆接觸層；而當(dāng)半導(dǎo)體層5為有機(jī)半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體時(shí)，刻蝕掉半導(dǎo)體層5的一部分是主要是由于刻蝕源漏金屬層時(shí)的過刻所致，而不需刻意去刻蝕掉半導(dǎo)體層5的一部分，只需保證溝道區(qū)域的源漏金屬層完全刻蝕掉即可。步驟S15，在完成步驟S14的基板上形成無機(jī)絕緣膜；如圖5所示，可以采用PECVD等方法，在所述基板I上沉積厚度為1000 2000A的無機(jī)絕緣膜21。其中，無機(jī)絕緣膜21可以選用氧化物(例如SiOx)或者氮化物(例如SiNx)等材料。步驟S16，在完成步驟S15的基板上形成有機(jī)絕緣膜，并對(duì)有機(jī)絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖；如圖6所示，首先，在所述基板I上形成厚度為10000 40000A的有機(jī)絕緣膜10，所述有機(jī)絕緣膜10可以采用聚丙烯酸等有機(jī)感光材料；然后，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)有機(jī)絕緣膜進(jìn)行曝光和顯影，暴露出漏電極7、數(shù)據(jù)焊盤9和柵焊盤3區(qū)域的無機(jī)絕緣膜21 ;最后，對(duì)有機(jī)絕緣膜10進(jìn)行固化(Cure)處理。
在本步驟中，如果有機(jī)絕緣膜10的厚度過小，則后續(xù)公共電極與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容的減小效果(相對(duì)于無機(jī)絕緣膜)不明顯；如果有機(jī)絕緣膜10的厚度過高，則層間段差部的坡度會(huì)增加，可能會(huì)帶來像素電極斷開等不良。在本步驟中，固化處理的溫度可以為230 260°C，時(shí)間可以為30 60分鐘。固化溫度如果低于230°C，進(jìn)行后續(xù)工藝時(shí)由于保護(hù)膜的微固化，會(huì)產(chǎn)生污染以及膜翹起等不良；固化溫度如果高于260°C，則可能造成有機(jī)絕緣膜10的變性，從而使得透過率低下。步驟S17，刻蝕掉暴露的無機(jī)絕緣膜；如圖7所示，以有機(jī)絕緣膜10作為掩膜，對(duì)暴露的無機(jī)絕緣膜21進(jìn)行刻蝕，形成第一接觸孔11，并暴露柵焊盤3區(qū)域的柵絕緣層4和數(shù)據(jù)焊盤9。步驟S18，在完成步驟S17的基板上形成像素電極，所述像素電極通過所述第一接觸孔與漏電極電連接；如圖8所示，首先，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板I上形成厚度為100 1000A的透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料；然后，在透明導(dǎo)電層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，形成像素電極12的圖形，所述像素電極12通過所述第一接觸孔11與漏電極7電連接；再次，采用光刻膠掩膜刻蝕掉暴露的柵絕緣層4，以暴露出柵焊盤3 ;最后，剝離剩余的光刻膠。在本步驟中，如果像素電極12的厚度過低，則會(huì)使得其電阻過高；如果像素電極12的厚度過高，則會(huì)造成透過率低下。圖9的左半部分是現(xiàn)有技術(shù)完成像素電極后的陣列基板的截面圖，右半部分為本發(fā)明實(shí)施例完成像素電極后的陣列基板的截面圖。如圖9所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，為避免像素電極12和數(shù)據(jù)線8之間的寄生電容給像素電極12的充電特性帶來的影響，像素電極12與數(shù)據(jù)線8之間的距離dl需要做的較大，一般為2 μ m左右，這導(dǎo)致像素的開口率降低；而在本發(fā)明實(shí)施例中，由于采用了有機(jī)絕緣模10，則像素電極12和數(shù)據(jù)線8之間的距離d2做的較小時(shí)，像素電極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容也不會(huì)太大，因此，可以將所述d2減小到O I μ m,來增加像素的開口率。步驟S19，在完成步驟S18的基板上形成保護(hù)膜，并對(duì)保護(hù)膜進(jìn)行構(gòu)圖；如圖10所示，首先，可以采用PECVD等方法，在所述基板I上形成厚度為2000 4000A的保護(hù)膜13，保護(hù)模13可以采用SiNx或SiOx等材料；然后，在保護(hù)膜13上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)保護(hù)膜13進(jìn)行刻蝕，以暴露出柵焊盤3和數(shù)據(jù)焊盤9，形成第二接觸孔14和第三接觸孔15 ;最后，剝離剩余的光刻膠。在本步驟中，保護(hù)膜13的厚度低于2000 A時(shí)，存儲(chǔ)電容(Cst)上升，會(huì)造成信號(hào)延遲增加；保護(hù)膜13的厚度高于4000A時(shí)，會(huì)造成工藝時(shí)間及制造成本過高。步驟S20，在完成步驟S19的基板上形成公共電極、柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極。如圖16所示，首先，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板I上形成厚度為100 1000A的透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料；然后，在透明導(dǎo)電層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，形成公共電極16、柵焊盤電極17和數(shù)據(jù)焊盤電極18的圖形；最后，剝離剩余的光刻膠
其中，所述公共電極16包括位于像素電極12上方的第一公共電極161和位于數(shù)據(jù)線8上方的第二公共電極162，所述公共電極16為狹縫狀。所述柵焊盤電極17通過所述第二接觸孔14與所述柵焊盤3電連接，所述數(shù)據(jù)焊盤電極18通過所述第三接觸孔15與所述數(shù)據(jù)焊盤9電連接在本步驟中，如果公共電極16的厚度過低，則會(huì)使得其電阻過高；如果公共電極16的厚度過高，則會(huì)造成透過率低下。在本實(shí)施例中，第二公共電極162位于數(shù)據(jù)線8的上方，能夠屏蔽像素電極12和數(shù)據(jù)線8之間的電磁場(chǎng)，以此能夠減小彩色濾光片上黑矩陣的寬度，從而能夠增加像素的
開口率。方法實(shí)施例2步驟S21，提供一基板，在基板上形成柵線、柵電極和柵焊盤；首先，可以采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在玻璃基板或其他類型的透明基板上面形成柵金屬層，柵金屬層可以采用鉻(Cr)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、釹(Nd)及其合金，并且，柵金屬層可以為一層或多層；然后，在柵金屬層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)柵金屬層進(jìn)行刻蝕，形成柵線、柵電極和柵焊盤的圖形；最后，剝離剩余的光刻膠。需要說明的是，本步驟中，在形成柵線、柵電極和柵焊盤的圖形的同時(shí)，還可以形成公共電極線。步驟S22，在完成步驟S21的基板上形成柵絕緣層；如圖2所示，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)等方法，在所述基板I上沉積厚度為2000 8000A的柵絕緣層4。其中，柵絕緣層4可以選用氧化物(例如SiOx)或者氮化物(例如SiNx)等材料。步驟S23，在完成步驟S22的基板上形成半導(dǎo)體材料層；如圖11所示，可以采用PECVD等方法，在所述基板I上形成厚度為1000 4000A的半導(dǎo)體材料層20。步驟S24，在完成步驟S23的基板上形成源漏金屬層；可以采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板I上面形成厚度為1000 6000A的源漏金屬層，源漏金屬層可以采用鉻(Cr)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、釹(Nd)及其合金，并且，源漏金屬層可以為一層或多層。步驟S25，在完成步驟S24的基板上形成光刻膠掩膜；如圖12所示，首先，在源漏金屬層上形成光刻膠層19 ;其次，采用刻畫有圖形的灰色調(diào)或半色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠層19進(jìn)行曝光和顯影，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠掩膜。步驟S26，形成數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤的圖形；如圖13所示，采用光刻膠掩膜對(duì)光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，形成數(shù)據(jù)線8和數(shù)據(jù)焊盤9的圖形。
步驟S27，刻蝕光刻膠未保留區(qū)域的半導(dǎo)體材料層，并進(jìn)行灰化工藝；如圖14所示，首先，采用光刻膠掩膜對(duì)光刻膠未保留區(qū)域的半導(dǎo)體材料層20進(jìn)行刻蝕，形成半導(dǎo)體層5的圖形；然后，通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠變薄，形成新的光刻膠掩膜。步驟S28，形成源電極和漏電極的圖形；如圖15所示，首先，采用光刻膠掩膜刻蝕暴露的源漏金屬層，形成源電極6和漏電極7的圖形；然后，刻蝕掉源電極6和漏電極7之間的半導(dǎo)體層5的一部分，并剝離剩余的光刻膠，以此完成薄膜晶體管的溝道。其中，刻蝕掉源電極6和漏電極7之間的半導(dǎo)體層5的一部分，主要是指當(dāng)半導(dǎo)體層5為本征半導(dǎo)體和摻雜半導(dǎo)體(歐姆接觸層)構(gòu)成的硅半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)時(shí)，應(yīng)刻蝕掉源電極6和漏電極7之間的歐姆接觸層；而當(dāng)半導(dǎo)體層5為有機(jī)半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體時(shí)，刻蝕掉半導(dǎo)體層5的一部分是主要是由于刻蝕源漏金屬層時(shí)的過刻 所致，而不需刻意去刻蝕掉半導(dǎo)體層5的一部分，只需保證溝道區(qū)域的源漏金屬層完全刻蝕掉即可。在以下步驟中，雖然圖中未示出，但是可以理解的是，在數(shù)據(jù)線8和數(shù)據(jù)焊盤9下方仍然保留了未刻蝕掉的半導(dǎo)體材料。步驟S29，在完成步驟S28的基板上形成無機(jī)絕緣膜；如圖5所示，可以采用PECVD等方法，在所述基板I上沉積厚度為1000 2000A的無機(jī)絕緣膜21。其中，無機(jī)絕緣膜21可以選用氧化物(例如SiOx)或者氮化物(例如SiNx)等材料。步驟S30，在完成步驟S29的基板上形成有機(jī)絕緣膜，并對(duì)有機(jī)絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖；如圖6所示，首先，在所述基板I上形成厚度為10000 40000A的有機(jī)絕緣膜10，所述有機(jī)絕緣膜10可以采用聚丙烯酸等有機(jī)感光材料；然后，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)有機(jī)絕緣膜進(jìn)行曝光和顯影，暴露出漏電極、數(shù)據(jù)焊盤9和柵焊盤3區(qū)域的無機(jī)絕緣膜21 ；最后，對(duì)有機(jī)絕緣膜10進(jìn)行固化(Cure)處理。在本步驟中，如果有機(jī)絕緣膜10的厚度過小，則后續(xù)公共電極與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容的減小效果(相對(duì)于無機(jī)絕緣膜)不明顯；如果有機(jī)絕緣膜10的厚度過高，則層間段差部的坡度會(huì)增加，可能會(huì)帶來像素電極斷開等不良。在本步驟中，固化處理的溫度可以為230 260°C，時(shí)間可以為30 60分鐘。固化溫度如果低于230°C，進(jìn)行后續(xù)工藝時(shí)由于保護(hù)膜的微固化，會(huì)產(chǎn)生污染以及膜翹起等不良；固化溫度如果高于260°C，則可能造成有機(jī)絕緣膜10的變性，從而使得透過率低下。步驟S31，刻蝕掉暴露的無機(jī)絕緣膜；如圖7所示，以有機(jī)絕緣膜10作為掩膜，對(duì)暴露的無機(jī)絕緣膜21進(jìn)行刻蝕，形成第一接觸孔11，并暴露柵焊盤3區(qū)域的柵絕緣層4和數(shù)據(jù)焊盤9。步驟S32，在完成步驟S31的基板上形成像素電極，所述像素電極通過所述第一接觸孔與漏電極電連接；如圖8所示，首先，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板I上形成厚度為100 1000A的透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料；然后，在透明導(dǎo)電層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，形成像素電極12的圖形，所述像素電極12通過所述第一接觸孔11與漏電極7電連接；再次，采用光刻膠掩膜刻蝕掉暴露的柵絕緣層4，以暴露出柵焊盤3 ;最后，剝離剩余的光刻膠。在每個(gè)像素單元中，所述像素電極可以為板狀，也可以為狹縫狀。在本步驟中，如果像素電極12的厚度過低，則會(huì)使得其電阻過高；如果像素電極12的厚度過高，則會(huì)造成透過率低下。圖9的左半部分是現(xiàn)有技術(shù)完成像素電極后的陣列基板的截面圖，右半部分為本發(fā)明實(shí)施例完成像素電極后的陣列基板的截面圖。如圖9所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，為避免像素電極12和數(shù)據(jù)線8之間的寄生電容給像素電極12的充電特性帶來的影響，像素電極12與數(shù)據(jù)線8之間的距離dl需要做的較大，一般為2μπι左右，這導(dǎo)致像素的開口率降低；而在本發(fā)明實(shí)施例中，由于采用了有機(jī)絕緣模10，則像素電極12和數(shù)據(jù)線8之間的距離d2做的較小時(shí)，像素電極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容也不會(huì)太大，因此，可以將所述d2減小到O I μ m,來增加像素的開口率。步驟S33，在完成步驟S32的基板上形成保護(hù)膜，并對(duì)保護(hù)膜進(jìn)行構(gòu)圖；如圖10所示，首先，可以采用PECVD等方法，在所述基板I上形成厚度為2000 4000A的保護(hù)膜13，保護(hù)模13可以采用SiNx或SiOx等材料；然后，在保護(hù)膜13上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)保護(hù)膜13進(jìn)行刻蝕，以暴露出柵焊盤3和數(shù)據(jù)焊盤9，形成第二接觸孔14和第三接觸孔15 ;最后，剝離剩余的光刻膠。在本步驟中，保護(hù)膜13的厚度低于2000 A時(shí)，存儲(chǔ)電容(Cst)上升，會(huì)造成信號(hào)延遲增加；保護(hù)膜13的厚度高于4000A時(shí)，會(huì)造成工藝時(shí)間及制造成本過高。步驟S34，在完成步驟S33的基板上形成公共電極、柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極。如圖16所示，首先，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板I上形成厚度為100 1000A的透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料；然后，在透明導(dǎo)電層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，形成公共電極16、柵焊盤電極17和數(shù)據(jù)焊盤電極18的圖形；最后，剝離剩余的光刻膠其中，所述公共電極16包括位于像素電極12上方的第一公共電極161和位于數(shù)據(jù)線8上方的第二公共電極162，所述柵焊盤電極17通過所述第二接觸孔14與所述柵焊盤3電連接，所述數(shù)據(jù)焊盤電極18通過所述第三接觸孔15與所述數(shù)據(jù)焊盤9電連接在本步驟中，如果公共電極16的厚度過低，則會(huì)使得其電阻過高；如果公共電極16的厚度過高，則會(huì)造成透過率低下。在本實(shí)施例中，第二公共電極162位于數(shù)據(jù)線8的上方，能夠屏蔽像素電極12和數(shù)據(jù)線8之間的電磁場(chǎng)，以此能夠減小彩色濾光片上黑矩陣的寬度，從而能夠增加像素的開口率。另外，在形成半導(dǎo)體層5、源電極6和漏電極7時(shí)，由于采用了灰化工藝，還可以減少掩膜板數(shù)量，從而降低制造成本。最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域包括柵線、數(shù)據(jù)線以及位于柵線和數(shù)據(jù)線之間的多個(gè)像素單元，所述非顯示區(qū)域包括柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極和公共電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極相連接，其特征在于， 所述公共電極包括位于像素電極上方的第一公共電極和位于數(shù)據(jù)線上方的第二公共電極；所述公共電極所在的層與所述像素電極所在的層之間設(shè)置有保護(hù)膜； 所述像素電極和所述數(shù)據(jù)線之間、以及所述薄膜晶體管與所述保護(hù)膜之間設(shè)置有無機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜，所述無機(jī)絕緣膜形成在所述數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管的源極、漏極和溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層的上方，所述有機(jī)絕緣膜位于所述無機(jī)絕緣膜的上方。
2.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的具體結(jié)構(gòu)包括 形成在基板上的柵電極和柵線； 形成在柵電極和柵線上的柵絕緣層； 形成在柵絕緣層上的半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線； 形成在半導(dǎo)體層上的源電極和漏電極； 形成在源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層上的無機(jī)絕緣膜； 形成在無機(jī)絕緣膜上的有機(jī)絕緣膜，無機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜上形成有第一接觸孔； 形成在有機(jī)絕緣膜上的像素電極，像素電極通過第一接觸孔與漏電極電連接； 形成在像素電極和有機(jī)絕緣膜上的保護(hù)膜； 形成在保護(hù)膜上的公共電極，公共電極包括位于像素電極上方的第一公共電極和位于數(shù)據(jù)線上方的第二公共電極。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線下方保留有半導(dǎo)體層材料，或者所述數(shù)據(jù)線下方與柵絕緣層直接接觸。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括 與所述柵線位于同一層的柵焊盤； 與所述數(shù)據(jù)線位于同一層的數(shù)據(jù)焊盤； 在所述柵焊盤上方形成的第二接觸孔和柵焊盤電極，所述柵焊盤電極通過所述第二接觸孔與所述柵焊盤電連接； 在所述數(shù)據(jù)焊盤上方形成的第三接觸孔和數(shù)據(jù)焊盤電極，所述數(shù)據(jù)焊盤電極通過所述第三接觸孔與所述數(shù)據(jù)焊盤電連接。
5.如權(quán)利要求2 4任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于 所述像素電極與所述數(shù)據(jù)線在沿平行于所述基板的方向之間的距離為O I μ m。
6.如權(quán)利要求2 4任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于 物所述無機(jī)絕緣膜的厚度為IOOO 2000A。
7.如權(quán)利要求2 4任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于 所述有機(jī)絕緣膜的材料為聚丙烯酸。
8.如權(quán)利要求2 4任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于 所述有機(jī)絕緣膜的厚度為10000-40000A。
9.如權(quán)利要求2 4任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于 所述保護(hù)膜采用無機(jī)絕緣材料，其厚度為2000 4000A。
10.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成柵電極、柵線和柵焊盤； 在形成有柵電極、柵線和柵焊盤的基板上形成柵絕緣層； 在形成有柵絕緣層的基板上形成半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤； 在形成有半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤的基板上形成無機(jī)絕緣膜；在形成有無機(jī)絕緣膜的基板上形成有機(jī)絕緣膜，對(duì)有機(jī)絕緣膜和無機(jī)絕緣膜進(jìn)行構(gòu) 圖，以形成第一接觸孔，并暴露柵焊盤區(qū)域的柵絕緣層和數(shù)據(jù)焊盤； 在形成有有機(jī)絕緣膜的基板上形成像素電極，像素電極通過第一接觸孔與漏電極電連接; 在形成有像素電極的基板上形成保護(hù)膜，并對(duì)保護(hù)膜進(jìn)行構(gòu)圖，以形成第二接觸孔和第三接觸孔； 在形成有保護(hù)膜的基板上形成公共電極、柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極，公共電極包括位于像素電極上方的第一公共電極和位于數(shù)據(jù)線上方的第二公共電極，柵焊盤電極通過第二接觸孔與柵焊盤電連接，數(shù)據(jù)焊盤電極通過第三接觸孔與數(shù)據(jù)焊盤電連接。
11.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述在形成有柵絕緣層的基板上形成半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤，包括 在形成有柵絕緣層的基板上形成半導(dǎo)體材料層； 對(duì)半導(dǎo)體材料層進(jìn)行構(gòu)圖，形成半導(dǎo)體層； 在形成有半導(dǎo)體層的基板上形成金屬層； 對(duì)金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤，并在源電極和漏電極之間的半導(dǎo)體層上形成溝道。
12.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述在形成有柵絕緣層的基板上形成半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤，包括 在形成有柵絕緣層的基板上依次形成半導(dǎo)體材料層和金屬層； 在金屬層上形成光刻膠層； 采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域； 刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的金屬層和半導(dǎo)體材料層； 通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠； 刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的金屬層及半導(dǎo)體材料層的一部分。
13.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于，對(duì)有機(jī)絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖之后，還包括 對(duì)所述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行固化處理，所述固化處理的溫度為230 260°C，時(shí)間為30 60分鐘。
14.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于 所述像素電極與所述數(shù)據(jù)線在沿平行于所述基板的方向之間的距離為O I μ m。
15.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于 所述無機(jī)絕緣膜的厚度為1000 2000A。
16.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于所述有機(jī)絕緣膜的材料為聚丙烯酸。
17.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于所述有機(jī)絕緣膜的厚度為10000-40000A。
18.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于所述保護(hù)膜采用無極絕緣材料，其厚度為2000 4000A。
19.一種顯示裝置，其特征在于， 包括權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置。陣列基板的顯示區(qū)域包括柵線、數(shù)據(jù)線以及多個(gè)像素單元，非顯示區(qū)域包括柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤，像素單元包括薄膜晶體管、像素電極和公共電極，像素電極與薄膜晶體管的漏電極相連接；公共電極包括位于像素電極上方的第一公共電極和位于數(shù)據(jù)線上方的第二公共電極；公共電極所在的層與像素電極所在的層之間設(shè)置有保護(hù)膜；像素電極和數(shù)據(jù)線之間、薄膜晶體管與保護(hù)膜之間設(shè)置有無機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜，無機(jī)絕緣膜形成在數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極、漏極和溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層的上方，有機(jī)絕緣膜位于無機(jī)絕緣膜的上方。本發(fā)明能夠降低數(shù)據(jù)線上的信號(hào)延遲，并能夠防止高溫下TFT中漏電流的產(chǎn)生。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK102645808SQ201210119008
公開日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2012年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月20日
發(fā)明者周紀(jì)登, 鄧立赟, 金玟秀 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司