專利名稱：一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和顯示裝置。
背景技術(shù)：
目前，在薄膜晶體管(TFT)陣列基板上使用傳統(tǒng)的氮化硅工藝(SiNxPA)制作絕緣層，不會出現(xiàn)接觸孔的問題，如圖I所示。但是，在TFT陣列基板上使用樹脂工藝(ResinPA)制作絕緣層，如圖2所示，就會出現(xiàn)許多像像素點(diǎn)一樣的接觸孔1，在后續(xù)的取向液例如PI液2涂覆時，PI液2會流到這些接觸孔中，引起固化后的取向膜厚度減少。一般地，接觸孔容量的大小以及數(shù)量的多少和PI膜厚度的減少成正比，S卩，接觸孔越多，接觸孔越大，PI膜厚度減少的越多，而接觸孔的數(shù)量正比于像素的數(shù)量，在60-120PPI的普通分辨率下，接觸孔引起的PI膜厚度的減少還不明顯，不會造成明顯的缺點(diǎn)；但是，在大于1700PPI的高分辨率下，例如I. 5 iim深的接觸孔會引起PI膜厚度較大的減少，如從.800A減少到450A,過薄的PIP膜會引起液晶器件顯示的圖像出現(xiàn)殘像，以及圖像對比度減少問題。為了避免PI膜厚度減少的問題，現(xiàn)有技術(shù)中的方法一般為增加PI液中PI的比例，例如在FFS TFT基板中涂覆的PI液中PI的比例一般在5% -6. 5%，稍高于在TN TFT基板中涂覆的PI液中的比例，但是，一般PI液的比例很難高于6. 5%，如果PI液中PI的比例太高，PI液過于粘稠，會引起PI液涂覆不均勻的問題。因此，現(xiàn)有的這種做法對于高分辨率的TFT基板，并不能有效地避免PI層厚度的減少而帶來的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中接觸孔引起取向膜厚度減少，引起圖像出現(xiàn)殘像以及圖像對比度減少的問題。本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，包括在形成有薄膜晶體管陣列的基板上形成樹脂層；利用構(gòu)圖工藝對所述樹脂層進(jìn)行構(gòu)圖，形成隔墊物和接觸孔填充層；所述接觸孔填充層用于填充所述薄膜晶體管陣列基板上的接觸孔；在形成有所述隔墊物和所述接觸孔填充層的基板上形成取向膜。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管陣列基板，包括薄膜晶體管陣列和取向膜，還包括位于所述薄膜晶體管陣列上的隔墊物；以及填充在所述薄膜晶體管陣列基板上的接觸孔內(nèi)的接觸孔填充層；所述取向膜形成在所述接觸孔填充層和所述薄膜晶體管陣列上。 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施提供的薄膜晶體管陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和顯示裝置，在形成有薄膜晶體管陣列的基板上形成樹脂層；利用構(gòu)圖工藝對樹脂層進(jìn)行構(gòu)圖，形成隔墊物和接觸孔填充層；該接觸孔填充層用于填充薄膜晶體管陣列基板上的接觸孔；在形成有隔墊物和接觸孔填充層的基板上形成取向膜。由于使用接觸孔填充層填平陣列基板上的接觸孔，在后續(xù)取向液涂覆時，取向液就不會流到接觸孔內(nèi)，而引起生成的取向膜厚度的減少，避免了圖像出現(xiàn)殘像以及圖像對比度減少的問題。
圖I為現(xiàn)有技術(shù)中在TFT陣列基板上使用SiNx PA制作絕緣層時形成取向膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中在TFT陣列基板上使用Resin PA制作絕緣層時形成取向膜后的結(jié)構(gòu)不意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的制造方法的流程圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板上形成樹脂層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的使用雙色調(diào)掩膜板對樹脂層進(jìn)行曝光處理的示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯影后的TFT陣列基板的的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和顯示裝置的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)地說明。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，如圖3所示，具體包括以下幾個步驟步驟S301、在形成有薄膜晶體管陣列的基板上形成樹脂層。如圖4所示，形成的樹脂層3的厚度會大于薄膜晶體管陣列基板上的接觸孔4的孔深，即樹脂層3將會填滿接觸孔4 ；具體地，在形成有薄膜晶體管的陣列基板上形成的樹脂層3為負(fù)性感光材料層。其中，樹脂層3的具體材料可以是正性感光材料，也可是負(fù)性感光材料，樹脂層3的形成屬于現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。以下步驟，以負(fù)性感光材料為例進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不局限于負(fù)性感光材料。步驟S302、利用構(gòu)圖工藝對樹脂層進(jìn)行構(gòu)圖，形成隔墊物和接觸孔填充層；所述接觸孔填充層用于填充薄膜晶體管陣列基板上的接觸孔；較佳地，形成的接觸孔填充層的厚度和接觸孔的深度一致。較佳地，步驟S302利用構(gòu)圖工藝對樹脂層進(jìn)行構(gòu)圖，形成隔墊物和接觸孔填充層的具體過程為在形成有樹脂層3的陣列基板上，利用雙色調(diào)掩模板5對樹脂層3進(jìn)行曝光處理，如圖5所示；其中，雙色調(diào)掩模板5的完全透光區(qū)域?qū)?yīng)樹脂層3用于形成隔墊物的區(qū)域6，雙色調(diào)掩模板5的部分透光區(qū)域?qū)?yīng)樹脂層3用于形成接觸孔填充層的區(qū)域7，雙色調(diào)掩模板5的完全不透光區(qū)域?qū)?yīng)樹脂層5除用于形成隔墊物和接觸孔填充層以外的區(qū)域；進(jìn)一步的，雙色調(diào)掩模板5可以是半色調(diào)掩模板(Half Tone Mask),也可以是灰色調(diào)掩模板(Gray Tone Mask)。由于樹脂層3為負(fù)性感光材料層，因此，在經(jīng)過光照射(圖5中的箭頭所示)即曝光后，雙色調(diào)掩模板5的完全透光區(qū)域?qū)?yīng)的樹脂層3用于形成隔墊物的區(qū)域6會產(chǎn)生光化學(xué)反應(yīng)，形成所需的隔墊物(PS);雙色調(diào)掩模板5的部分透光區(qū)域?qū)?yīng)的樹脂層3用于形成接觸孔填充層的區(qū)域7會有部分樹脂發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，形成接觸孔填充層，填平薄膜晶體管陣列基板上的接觸孔；而雙色調(diào)掩模板的完全不透光區(qū)域?qū)?yīng)的樹脂層3的區(qū)域沒有發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，在后續(xù)操作中會被去除掉。曝光處理后，對樹脂層進(jìn)行顯影處理，去除掉沒有發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)的樹脂層，形成隔墊物8和接觸孔填充層9，如圖6所示，形成的隔墊物8在薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板的對合過程中將會起到液晶間隙的作用。 較佳地，在曝光過程中，對于樹脂層3用于形成隔墊物的區(qū)域6的曝光量可以為100% ;對于樹脂層3用于形成接觸孔填充層的區(qū)域7的曝光量可以為小于50%。并且，曝光時間一般控制在3-8秒，這樣能夠防止過度曝光，以確保形成在接觸孔內(nèi)的接觸孔填充層9的高度與接觸孔的深度一致，這樣使得接觸孔的表面與其他區(qū)域齊平。S303、在形成有隔墊物8和接觸孔填充層9的基板上形成取向膜10。例如取向膜(PI膜)，如圖7所示，在圖中可以看出，由于接觸孔已經(jīng)被接觸孔填充層9填平，因此，形成在薄膜晶體管陣列基板上的取向液不會因為流到接觸孔中而引起不均勻的情況，均勻的取向液固化后形成厚度均勻的取向膜10，從而防止了因厚度減少弓I起的殘像及對比度不均的情況，由于取向膜10的形成工藝為現(xiàn)有技術(shù)，可以是印刷工藝或涂覆工藝，在此不再贅述。較佳地，在具體實(shí)施時，形成的取向膜10的厚度一般在0. 6-0. 8 Um0較佳地，還可以采用多次印刷取向液的工藝，來保證形成的取向膜的厚度。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管陣列基板，如圖7所示，包括薄膜晶體管陣列11和取向膜10,還包括位于薄膜晶體管陣列11上的隔墊物8 ；以及填充在薄膜晶體管陣列11基板上的接觸孔內(nèi)的接觸孔填充層9 ；其中，取向膜10形成在接觸孔填充層9和薄膜晶體管陣列11上。較佳地，上述薄膜晶體管陣列基板中的隔墊物8和接觸孔填充層9的材料為樹脂材料，具體可以為負(fù)性感光材料和正性感光材料。較佳地，上述薄膜晶體管陣列基板中的接觸孔填充層9的厚度與接觸孔的深度一致。較佳地，上述薄膜晶體管陣列基板中的取向膜10的厚度為0. 6 0. 8 ii m。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和顯示裝置，在形成有薄膜晶體管陣列的基板上形成樹脂層；利用構(gòu)圖工藝對樹脂層進(jìn)行構(gòu)圖，形成隔墊物和接觸孔填充層；該接觸孔填充層用于填充薄膜晶體管陣列基板上的接觸孔；在形成有隔墊物和接觸孔填充層的基板上形成取向膜。由于使用接觸孔填充層填平陣列基板上的接觸孔，在后續(xù)取向液涂覆時，取向液就不會流到接觸孔內(nèi)，而引起生成的取向膜厚度的減少，避免了圖像出現(xiàn)殘像以及圖像對比度減少的問題。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括 在形成有薄膜晶體管陣列的基板上形成樹脂層； 利用構(gòu)圖エ藝對所述樹脂層進(jìn)行構(gòu)圖，形成隔墊物和接觸孔填充層；所述接觸孔填充層用于填充所述薄膜晶體管陣列基板上的接觸孔； 在形成有所述隔墊物和所述接觸孔填充層的基板上形成取向膜。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在形成有薄膜晶體管陣列的基板上形成的樹脂層為負(fù)性感光材料層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用構(gòu)圖エ藝對所述樹脂層進(jìn)行構(gòu)圖，形成隔墊物和接觸孔填充層，具體包括 在形成有所述樹脂層的陣列基板上，利用雙色調(diào)掩模板對所述樹脂層進(jìn)行曝光處理，其中，所述雙色調(diào)掩模板的完全透光區(qū)域?qū)?yīng)所述樹脂層用于形成所述隔墊物的區(qū)域，所述雙色調(diào)掩模板的部分透光區(qū)域?qū)?yīng)所述樹脂層用于形成所述接觸孔填充層的區(qū)域，所述雙色調(diào)掩模板的完全不透光區(qū)域?qū)?yīng)所述樹脂層除用于形成所述隔墊物和所述接觸孔填充層以外的區(qū)域； 曝光處理后對所述樹脂層進(jìn)行顯影處理，形成所述隔墊物和所述接觸孔填充層。
4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，形成的所述接觸孔填充層的厚度和所述接觸孔的深度一致。
5.如權(quán)利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述取向膜的厚度為0.6 0. 8 u m0
6.ー種薄膜晶體管陣列基板，包括薄膜晶體管陣列和取向膜，其特征在于，還包括 位于所述薄膜晶體管陣列上的隔墊物；以及 填充在所述薄膜晶體管陣列基板上的接觸孔內(nèi)的接觸孔填充層； 所述取向膜形成在所述接觸孔填充層和所述薄膜晶體管陣列上。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述隔墊物和所述接觸孔填充層的材料為樹脂材料。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述隔墊物和所述接觸孔填充層的材料為負(fù)性感光材料。
9.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述接觸孔填充層的厚度與所述接觸孔的深度一致。
10.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述取向膜的厚度為0.6 0. 8 y m。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求6-10任一項所述的薄膜晶體管陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和顯示裝置，在形成有薄膜晶體管陣列的基板上形成樹脂層；利用構(gòu)圖工藝對樹脂層進(jìn)行構(gòu)圖，形成隔墊物和接觸孔填充層；該接觸孔填充層用于填充薄膜晶體管陣列基板上的接觸孔；在形成有隔墊物和接觸孔填充層的基板上形成取向膜。由于使用接觸孔填充層填平陣列基板上的接觸孔，在后續(xù)取向液涂覆時，取向液就不會流到接觸孔內(nèi)，而引起取向液固化后形成的取向膜厚度減少，避免了圖像出現(xiàn)殘像以及圖像對比度減少的問題。
文檔編號G02F1/1362GK102650786SQ20121012999
公開日2012年8月29日 申請日期2012年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月27日
發(fā)明者崔賢植, 徐智強(qiáng), 李會 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司