專利名稱：一種液晶陣列基板及其制造方法、修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種液晶陣列基板及其制造方法、修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
目前，薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-IXD)已經(jīng)成為顯示領(lǐng)域的最主要顯示終端。TFT-IXD的關(guān)鍵組件是由陣列基板和彩膜基板貼合而成的液晶面板。液晶面板的材料成本以及在生產(chǎn)過(guò)程中的合格率直接影響到TFT-LCD的售價(jià)?，F(xiàn)有陣列基板在結(jié)構(gòu)，在數(shù)據(jù)線下方直接放置遮光線，如果發(fā)生數(shù)據(jù)線與遮光線發(fā)生短路，專利CN202196781U揭示了一種陣列基板的修復(fù)所需的顯示單元結(jié)構(gòu)(如圖I所示)以及相應(yīng)的修復(fù)方法(如圖2所示)。在圖I中，相互平行的掃描線10和公共電極線12水平分布，數(shù)據(jù)線20垂直分布，縱橫交錯(cuò)的掃描線10、公共電極線12和數(shù)據(jù)線20所形成的最小重復(fù)單元作為一個(gè)像素。像素內(nèi)還包括一個(gè)連接數(shù)據(jù)線20和透明像素電極40的晶體管30。在數(shù)據(jù)線20的下方設(shè)計(jì)一段遮光線11，遮光線11與公共電極線12相連，在遮光線11、公共電極線12、以及透明像素電極40之間具有缺口 60。遮光線11之間的透過(guò)區(qū)就是像素開(kāi)口區(qū)的橫方向?qū)挾?，通過(guò)遮光線11放置在數(shù)據(jù)線20下方可以增大像素開(kāi)口區(qū)60的橫方向?qū)挾?，提高像素開(kāi)口率。如圖3所示，這種高開(kāi)口率像素的數(shù)據(jù)線20與遮光線11之間出現(xiàn)短路70時(shí)，利用遮光線11與像素電極40不重疊處81、82處切斷即可修補(bǔ)線不良。但現(xiàn)有的修復(fù)方法具有如下問(wèn)題I、為了在如圖2所示的地方進(jìn)行切斷處理，就不能把透明像素電極覆蓋這個(gè)區(qū)域的遮光線和公共電極線，需要形成一個(gè)用作切斷的漏光區(qū)域60，犧牲了一部分像素開(kāi)口率。2、通過(guò)遮光線與像素電極不重疊處的兩次切斷處理，遮光線的電位由原來(lái)的公共電極電位變?yōu)楦≈秒娢?，使得兩?cè)的像素電容效應(yīng)發(fā)生變化，引起兩側(cè)的像素顯示效果不太正常。3、如果在斷路81、82處用激光切割時(shí)，切割到邊上的像素電極，造成像素電極與遮光線短路或者像素電極與公共電極線短路，將導(dǎo)致像素顯示異常。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種高開(kāi)口率的液晶陣列基板、及其制造方法和液晶顯示器。本發(fā)明又提供一種具有高開(kāi)口率，且保證在數(shù)據(jù)線與下方的遮光線發(fā)生短路時(shí)，修復(fù)結(jié)果不會(huì)影響左右兩側(cè)的像素顯示效果的修復(fù)方法。本發(fā)明提供一種液晶陣列基板，包括由多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線交叉限定的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元內(nèi)包括薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的柵極與掃描線連接，、薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線連接，薄膜晶體管的漏極與像素電極連接，每個(gè)像素單元還包括位于相鄰兩掃描線之間且與掃描線平行的公共電極線、以及與公共電極線連接且位于相鄰兩掃描線之間的遮光線，所述遮光線位于所述數(shù)據(jù)線的下方，所述像素電極覆蓋所述遮光線與公共電極線。本發(fā)明又提供陣列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟步驟I :在玻璃基板上形成掃描線、柵極、遮光線和公共電極線，公共電極線與遮光線連接；步驟2 :在形成步驟I的基板上，形成 柵極絕緣層；步驟3 :在形成步驟2的基板上，形成有源層；步驟4 :在形成步驟3的基板上，形成位于遮光線上方的數(shù)據(jù)線、以及源漏極；步驟5 :在形成步驟4的基板上，形成保護(hù)層及接觸孔；步驟6 :在形成步驟4的基板上，形成與接觸孔連接且覆蓋所述遮光線與公共電極線的像素電極。本發(fā)明又提供一種液晶陣列基板的修復(fù)方法，當(dāng)數(shù)據(jù)線與下方的遮光線之間具有短路點(diǎn)時(shí)，其特征在于，修復(fù)方法包括如下步驟將短路點(diǎn)上方的遮光線與上一個(gè)像素的掃描線之間空置區(qū)域的數(shù)據(jù)線切斷、以及將短路點(diǎn)下方的公共電極線與掃描線之間空置區(qū)域的數(shù)據(jù)線切斷；通過(guò)修復(fù)線對(duì)切斷后的數(shù)據(jù)線進(jìn)行修復(fù)處理。本發(fā)明液晶陣列基板通過(guò)在數(shù)據(jù)線和遮光線之間沒(méi)有多余的空置漏光區(qū)域，從而使像素電極的面積增大，從而可以提高像素的開(kāi)口率，降低背光源的材料成本，同時(shí)可以降低產(chǎn)品的功耗。在提高像素的開(kāi)口率的同時(shí)，保證在數(shù)據(jù)線與下方的遮光線發(fā)生短路時(shí)，通過(guò)切斷短路點(diǎn)所在數(shù)據(jù)線的上下兩端，并用修復(fù)線修復(fù)短路點(diǎn)下方的數(shù)據(jù)線，保證短路點(diǎn)下方的像素都能正常顯示。且本發(fā)明的思想不受液晶顯示模式的顯示，只要是采用遮光線放置在數(shù)據(jù)線下方的結(jié)構(gòu)都可以采用本發(fā)明的修復(fù)方法。


圖I是現(xiàn)有具有缺陷的液晶顯示像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖I所示具有缺陷的液晶顯示像素單元的修復(fù)方法示意圖；圖3是本發(fā)明液晶陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖3在A-A’方向的剖視圖；圖5是圖4所不具有缺陷的液晶陣列基板的修復(fù)方法不意圖；圖6是圖5所示修復(fù)方法的修復(fù)過(guò)程示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。本發(fā)明提供一種液晶陣列基板，圖3為本液晶陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖，圖4為圖3在A-A’方向的剖視圖，本液晶陣列基板的制造過(guò)程如下第一步在玻璃基板I上形成掃描線10、與掃描線10連接的柵極、遮光線11和公共電極線12，公共電極線12與遮光線11垂直連接；第二步接著形成柵極絕緣層13，；第三步在絕緣層13上形成有源層14 ;第四步形成數(shù)據(jù)線20、和源漏極(圖未示，且圖3所示標(biāo)號(hào)為“30”區(qū)域是一個(gè)薄膜晶體管);第五步形成保護(hù)層15 ;第六步形成接觸孔16(圖4和圖5的接觸孔16原本是看不到的，但為了能顯示接觸孔16，故將接觸孔畫在像素電極40的上方)；第七步形成與接觸孔16連接且覆蓋遮光線11和公共電極線12的像素電極40。根據(jù)上述液晶陣列基板的制造方法，本發(fā)明液晶陣列基板的結(jié)構(gòu)為其包括由多個(gè)掃描線10和多個(gè)數(shù)據(jù)線20交叉限定的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括公共電極線11、遮光線12、薄膜晶體管30和像素電極40，薄膜晶體管的柵極與掃描線10連接，薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線20連接，薄膜晶體管的漏極與像素電極40連接，公共電極線11位于相鄰兩掃描線10之間且與掃描線10平行，遮光線12與公共電極線12垂直連接且位于相鄰兩掃描線10，且所述遮光線11位于所述數(shù)據(jù)線20的下方，且像素電極40、數(shù)據(jù)線20及遮光線11三者位于不同層，數(shù)據(jù)線20與遮光線11具有絕緣層13。遮光線12在數(shù)據(jù)線20兩側(cè)伸出數(shù)據(jù)線至少2um的距離，所述像素電極40覆蓋所述遮光線11與公共電極線12，且所述像素電極40與遮光線11在數(shù)據(jù)線20兩側(cè)具有重疊 區(qū)域，該重疊區(qū)域距離數(shù)據(jù)線20至少Ium的距離。由于像素電極40將遮光線11和公共電極線12覆蓋，故本液晶陣列基板的，從而 使數(shù)據(jù)線20和遮光線12之間沒(méi)有多余的空置漏光區(qū)域，使得原像素電極40下方左右兩個(gè)角落原本漏光的區(qū)域能夠進(jìn)行有效控光，從而使像素電極40的有效開(kāi)口面積增大，從而可以提高像素的開(kāi)口率，降低背光源的材料成本，同時(shí)可以降低產(chǎn)品的功耗。本發(fā)明液晶陣列基板在液晶面板的制造過(guò)程中，由于設(shè)計(jì)或者工藝的原因，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線發(fā)生短路或者斷路之類的線缺陷而產(chǎn)生的顯示不良有很多，占到了總體不良的很大比重。為了提高生產(chǎn)的良品率，通常是對(duì)線缺陷進(jìn)行修復(fù)。如圖5，當(dāng)數(shù)據(jù)線20和下方的遮光線11發(fā)生短路、并具有短路點(diǎn)70時(shí)，由于遮光線11及公共電極線12與兩側(cè)的掃描線之間具有空置區(qū)域，故本修復(fù)方法如下將短路點(diǎn)70上方的遮光線11與上一個(gè)像素的掃描線10之間的空置區(qū)域的數(shù)據(jù)線用激光切斷，并具有第一斷路81 ;將短路點(diǎn)70下方的公共電極線12與掃描線10之間的空置區(qū)域的數(shù)據(jù)線用激光切斷，并具有第二斷路82。通過(guò)切斷處理使得數(shù)據(jù)線20在第一斷路81下方無(wú)法提供正常的像素電壓，然后通過(guò)修復(fù)線對(duì)切斷后第二斷路82下方的數(shù)據(jù)線進(jìn)行修復(fù)處理，即在第一斷路81、第二斷路82下方采用修復(fù)線輸入正常數(shù)據(jù)電壓V，從而可保證數(shù)據(jù)線20的短路點(diǎn)70兩側(cè)的像素都能像其他正常像素一樣進(jìn)行正常的顯示。為了保證短路點(diǎn)能夠正常顯示，采用圖6所示的修復(fù)線對(duì)切斷后的數(shù)據(jù)線進(jìn)行斷線修復(fù)處理，確保短路點(diǎn)下方的像素都能正常顯示。通過(guò)短路點(diǎn)70上側(cè)的第一斷路81處提供第一電壓LI、下側(cè)的第二斷路82提供第二電壓L2，再將第一電壓LI和第二電壓L2連接，從而可保證數(shù)據(jù)線20的短路點(diǎn)70兩側(cè)的像素都能像其他正常像素一樣進(jìn)行正常的顯
/Jn ο圖6所示為如何進(jìn)行修復(fù)兩條數(shù)據(jù)線斷線的示意圖，首先假定在液晶面板中2條數(shù)據(jù)線LI和L2分別具有第一斷路點(diǎn)71和第二斷路點(diǎn)72，該第一斷路點(diǎn)71通過(guò)第一修復(fù)線Rl來(lái)修復(fù)，第二斷路點(diǎn)72通過(guò)第二修復(fù)線R2來(lái)修復(fù)。
假定電路板PCB上有十個(gè)芯片IC-I至IC-10，其中與奇數(shù)IC連接的數(shù)據(jù)線LI和下方的遮光線發(fā)生短路，并經(jīng)過(guò)圖5所示的切斷處理后具有第一斷路點(diǎn)71，與偶數(shù)芯片IC連接的數(shù)據(jù)線L2和下方的遮光線發(fā)生短路，并經(jīng)過(guò)圖5所示的切斷處理后具有第二斷路點(diǎn)72，第一短斷路點(diǎn)71通過(guò)第一修復(fù)線Rl來(lái)修復(fù)，第二斷點(diǎn)72通過(guò)第二修復(fù)線R2來(lái)修復(fù)。第一修復(fù)線Rl和第二修復(fù)線R2在顯示屏上側(cè)各分成5段，彼此之間不相連。數(shù)據(jù)線由10顆驅(qū)動(dòng)IC控制，第一修復(fù)線Rl和奇數(shù)IC相連，第二修復(fù)線R2和偶數(shù)IC相連。5段分離的第一修復(fù)線Rl經(jīng)過(guò)PCB后匯集成一條第一修復(fù)線Rl，5段分離的第二修復(fù)線R2經(jīng)過(guò)PCB后匯集成一條第二修復(fù)線R2。修復(fù)其中某一條斷線需要激光焊接3個(gè)點(diǎn) 第I點(diǎn)01在上側(cè)修復(fù)線和斷線的交差處，第2點(diǎn)02在連接IC的修復(fù)線段與橫向修復(fù)線斷的交差處，第3點(diǎn)03在下側(cè)修復(fù)線和斷線的交差處。需要焊接的地方都是由不同層的兩段金屬線重疊構(gòu)成。圖I是從TFT側(cè)的玻璃觀察修復(fù)線的示意圖，因?yàn)閿嗑€修復(fù)是在TFT基板側(cè)進(jìn)行激光操作的。
本發(fā)明液晶陣列基板通過(guò)在數(shù)據(jù)線和遮光線之間沒(méi)有多余的空置漏光區(qū)域，可以大大提升像素的開(kāi)口率；當(dāng)數(shù)據(jù)線和下方的遮光線發(fā)生短路時(shí)，通過(guò)切斷短路點(diǎn)所在數(shù)據(jù)線的上下兩端，并用修復(fù)線修復(fù)短路點(diǎn)下方的數(shù)據(jù)線，保證短路點(diǎn)下方的像素都能正常顯示，所以，本發(fā)明的思想不受液晶顯示模式的顯示，只要是采用遮光線放置在數(shù)據(jù)線下方的結(jié)構(gòu)都可以采用本發(fā)明的修復(fù)方法。
權(quán)利要求
1.一種液晶陣列基板，包括由多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線交叉限定的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元內(nèi)包括薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的柵極與掃描線連接，薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線連接，薄膜晶體管的漏極與像素電極連接，其特征在于每個(gè)像素單元還包括位于相鄰兩掃描線之間且與掃描線平行的公共電極線、以及與公共電極線連接且位于相鄰兩掃描線之間的遮光線，所述遮光線位于所述數(shù)據(jù)線的下方，所述像素電極覆蓋所述遮光線與公共電極線。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶陣列基板，其特征在于數(shù)據(jù)線和遮光線之間沒(méi)有設(shè)置漏光區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶陣列基板，其特征在于所述像素電極覆蓋遮光線與公共電極線的區(qū)域有像素電極與遮光線在數(shù)據(jù)線兩側(cè)具有重疊區(qū)域、以及像素電極與遮光線及公共電極線具有重疊區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶陣列基板，其特征在于遮光線在數(shù)據(jù)線兩側(cè)伸出數(shù)據(jù)線至少2um的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶陣列基板，其特征在于所述掃描線、公共電極線及遮光線位于陣列基板的同一層。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶陣列基板，其特征在于所述數(shù)據(jù)線、像素電極、以及遮光線三者均在不同層，且遮光線與數(shù)據(jù)線之間有絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述陣列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟 步驟I :在玻璃基板上形成掃描線、柵極、遮光線和公共電極線，公共電極線與遮光線連接； 步驟2 :在形成步驟I的基板上，形成柵極絕緣層； 步驟3 :在形成步驟2的基板上，形成有源層； 步驟4 :在形成步驟3的基板上，形成位于遮光線上方的數(shù)據(jù)線、以及源漏極； 步驟5 :在形成步驟4的基板上，形成保護(hù)層及形成接觸孔； 步驟6 :在形成步驟4的基板上，形成與接觸孔連接且覆蓋所述遮光線與公共電極線的像素電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述陣列基板的制造方法，其特征在于，在步驟6中，所述像素電極與遮光線在數(shù)據(jù)線兩側(cè)具有重疊區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述陣列基板的修復(fù)方法，當(dāng)數(shù)據(jù)線與下方的遮光線之間具有短路點(diǎn)時(shí)，其特征在于，修復(fù)方法包括如下步驟 將短路點(diǎn)上方的遮光線與上一個(gè)像素的掃描線之間空置區(qū)域的數(shù)據(jù)線切斷、以及將短路點(diǎn)下方的公共電極線與掃描線之間空置區(qū)域的數(shù)據(jù)線切斷； 通過(guò)修復(fù)線對(duì)切斷后的數(shù)據(jù)線進(jìn)行修復(fù)處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述陣列基板的修復(fù)方法，其特征在于所述切斷是用激光切斷的。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶陣列基板及其制造方法、修復(fù)方法，包括由掃描線與數(shù)據(jù)線交叉限定的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元還包括公共電極線、遮光線、以及連接數(shù)據(jù)線和像素電極的薄膜晶體管，所述遮光線位于所述數(shù)據(jù)線的下方并與公共電極線連接，所述像素電極覆蓋所述遮光線與公共電極線。當(dāng)數(shù)據(jù)線與下方的遮光線短路時(shí)，將短路點(diǎn)上方的遮光線與上一個(gè)像素的掃描線之間空置區(qū)域的數(shù)據(jù)線切斷、以及將短路點(diǎn)下方的公共電極線與掃描線之間空置區(qū)域的數(shù)據(jù)線切斷；通過(guò)修復(fù)線對(duì)切斷后的數(shù)據(jù)線進(jìn)行修復(fù)處理。本發(fā)明通過(guò)在像素電極與遮光線及公共電極線之間不設(shè)計(jì)缺口，從而使像素電極的面積增大，在提高像素的開(kāi)口率的同時(shí)，保證短路點(diǎn)下方的像素都能正常顯示。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK102722058SQ201210199070
公開(kāi)日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2012年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月15日
發(fā)明者馬群剛 申請(qǐng)人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司