專利名稱：一種母板取向膜的制作方法及轉(zhuǎn)印版、取向液的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD, Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display)的制造工藝領域,尤其涉及一種母板取向膜的制作方法及轉(zhuǎn)印版、取向液。
背景技術(shù)：
目前，TFT-IXD已成為信息顯示的主流產(chǎn)品，主要由彩膜基板和陣列基板對盒組成，彩膜基板和陣列基板中間充滿液晶，為了使液晶分子能夠正確地取向，在陣列基板和彩膜基板的表面各涂上一層取向液，取向液在陣列基板和彩膜基板上形成一層取向膜，然后用摩擦布摩擦陣列基板和彩膜基板上的取向膜，通過摩擦，在取向膜表面形成溝槽，使得液晶分子沿溝槽方向有規(guī)律排列。 一般的陣列基板和彩膜基板加工過程，通常都是對一塊母板上的兩塊以上基板(陣列基板或彩膜基板)同時進行涂覆取向液操作，最后再將分割母板得到陣列基板或彩膜基板。涂布取向液的裝置如圖I所示，首先將取向液101通過噴嘴(Dispenser) 102滴加到勻膠輥(Anilox Roll) 103與刮刀(Blade Roll) 104的接觸位置，刮刀104把勻膠輥103上的取向液101涂布均勻，勻膠輥103與帶有預先形成圖形的轉(zhuǎn)印版105接觸，將取向液101轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印版105上，最后通過轉(zhuǎn)印版105把取向液101印刷到基臺106上的母板107表面形成取向膜108 ;其中,現(xiàn)有的轉(zhuǎn)印版的側(cè)面示意圖如圖2所示,平面示意圖如圖3所示，轉(zhuǎn)印版105包括基膜109和轉(zhuǎn)印層110，轉(zhuǎn)印層110上有兩個以上分別與母板上的一基板對應的凸起狀的轉(zhuǎn)印區(qū)111和位于轉(zhuǎn)印區(qū)111之間的非轉(zhuǎn)印區(qū)112。上述涂布取向液的裝置，由于各轉(zhuǎn)印區(qū)111分別與母板107上的一基板對應，由于各轉(zhuǎn)印區(qū)111邊緣的取向液101容易積聚，這些邊緣積聚的取向液101進一步會轉(zhuǎn)印到基板的顯示區(qū)域，從而導致基板上取向膜108的膜質(zhì)不均勻，產(chǎn)生取向膜108不均勻或取向膜108過厚的邊緣(Haro)區(qū)，使得邊緣區(qū)的液晶分子不能正常取向，進而會導致基板能夠正常工作的顯示區(qū)域的面積縮小。另一方面，上述轉(zhuǎn)印版105還容易出現(xiàn)取向膜108印偏的問題，從而進一步導致基板能夠正常工作的顯示區(qū)域的面積縮小。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種母板取向膜的制作方法及轉(zhuǎn)印版、取向液，解決目前存在取向膜過厚的邊緣區(qū)，以及取向膜過厚的邊緣區(qū)與封框膠區(qū)域重疊引起的顯示不良問題。為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的本發(fā)明提供一種母板取向膜的制作方法，包括利用轉(zhuǎn)印版在具有兩個以上基板的母板上涂布取向液，使取向液在母板上形成取向膜，所述轉(zhuǎn)印版具有對應覆蓋兩個以上基板的轉(zhuǎn)印區(qū)；
將所述母板上位于基板的顯示區(qū)域以外且不需保留取向膜的區(qū)域的取向膜去除。上述方法中，所述取向膜由光加工材料組成；去除所述取向膜時，先利用掩膜版進行曝光エ序，再進行顯影エ序。上述方法中，所述取向液由液晶分子取向材料、感光材料、光敏劑和溶劑組成。上述方法中，所述液晶分子取向材料占取向液的重量比為25-35%，所述感光材料占取向液的重量比為3. 5-6%，所述光敏劑占取向液的重量比為0. 8-2. 5%。
上述方法中，所述液晶分子取向材料為主鏈型聚酰亞胺和支鏈型聚酰亞胺中的一種或兩種。上述方法中，所述感光材料為2，3，4，4'-四羥基ニ苯甲酮1，2_ ニ疊氮基萘醌-5-磺酸酷。上述方法中，所述光敏劑為重氮萘醌磺酰氯。上述方法中，所述利用曝光和顯影方法去除所述取向膜時，曝光設備發(fā)出的紫外光的波長為340nm 460nm,曝光時長為60s 100s。本發(fā)明還提供一種轉(zhuǎn)印版，所述轉(zhuǎn)印板具有對應覆蓋兩個以上基板的轉(zhuǎn)印區(qū)。 本發(fā)明還提供ー種取向液，所述取向液由液晶分子取向材料、感光材料、光敏劑和溶劑組成。上述取向液中，所述液晶分子取向材料占取向液的重量比為25-35%，所述感光材料占取向液的重量比為3. 5-6%，所述光敏劑占取向液的重量比為0. 8-2. 5%。上述取向液中，所述液晶分子取向材料為主鏈型聚酰亞胺和支鏈型聚酰亞胺中的ー種或兩種。上述取向液中，所述感光材料為2，3，4，4'-四羥基ニ苯甲酮1，2_ ニ疊氮基萘醌-5-磺酸酷。上述取向液中，所述光敏劑為重氮萘醌磺酰氯。本發(fā)明提供的母板取向膜的制作方法及轉(zhuǎn)印版、取向液，利用轉(zhuǎn)印版在具有兩個以上基板的母板上涂布取向液，使取向液在母板上形成取向膜，所述轉(zhuǎn)印版具有對應覆蓋兩個以上基板的轉(zhuǎn)印區(qū)；將所述母板上位于基板的顯示區(qū)域以外且不需保留取向膜的區(qū)域的取向膜去除，如此，能夠解決目前存在取向膜過厚的邊緣區(qū)，以及取向膜過厚的邊緣區(qū)與封框膠區(qū)域重疊引起的顯示不良問題。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)中涂布取向劑的裝置示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中轉(zhuǎn)印版的側(cè)面示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)中轉(zhuǎn)印版的平面示意圖；圖4是本發(fā)明中轉(zhuǎn)印版的側(cè)面示意圖；圖5是本發(fā)明中轉(zhuǎn)印版的平面示意6是本發(fā)明實現(xiàn)母板取向膜的制作方法的流程示意圖；圖7是本發(fā)明中涂布取向液后的得到的母板的平面示意圖；圖8是本發(fā)明掩膜曝光后母板的平面示意圖。
附圖標記說明101 :取向液102 :噴嘴103 :勻膠輥104 :刮刀105 :轉(zhuǎn)印版106 :基臺107 :母板108:取向膜109:基膜110:轉(zhuǎn)印層111 :轉(zhuǎn)印區(qū)112:非轉(zhuǎn)印區(qū)113:顯示區(qū)域114:非顯示區(qū)域 115:封框膠區(qū)域116:其他區(qū)域
具體實施例方式下面通過附圖及具體實施例對本發(fā)明再做進ー步的詳細說明。本發(fā)明提供一種轉(zhuǎn)印版，圖4和圖5分別是本發(fā)明中轉(zhuǎn)印版的側(cè)面示意圖和平面示意圖，如圖4和圖5所示，轉(zhuǎn)印版105包括基膜109和轉(zhuǎn)印層110，所述轉(zhuǎn)印層110上具有一個能夠?qū)采w兩個以上基板的轉(zhuǎn)印區(qū)111。利用上述轉(zhuǎn)印版，本發(fā)明還提供一種母板取向膜的制作方法，圖6是本發(fā)明實現(xiàn)母板取向膜的制作方法的流程示意圖，如圖6所示，該方法包括以下步驟步驟602，利用轉(zhuǎn)印版在具有兩個以上基板的母板上涂布取向液，使取向液在母板上形成取向膜，所述轉(zhuǎn)印版具有對應覆蓋兩個以上基板的轉(zhuǎn)印區(qū)。具體的，利用本發(fā)明圖4和圖5所示的轉(zhuǎn)印版，在清洗后的母板107上涂布加取向液101，使取向液101在母板107上形成取向膜108 ;所述轉(zhuǎn)印版具有對應覆蓋兩個以上基板的轉(zhuǎn)印區(qū)；所述取向膜由光加工材料組成，該光加工材料可利用能夠使用曝光和顯影エ藝去除加工的材料；在去除該取向膜時，可以先利用掩膜版進行曝光エ序，再進行顯影エ序；所述取向液主要由液晶分子取向材料、感光材料、光敏劑和溶劑組成，該取向液固化后可形成上述光加工材料。上述液晶分子取向材料占取向液的重量比為25-35%，所述感光材料占取向液的重量比為3. 5-6%，所述光敏劑占取向液的重量比為0. 8-2. 5%。上述液晶分子取向材料為主鏈型聚酰亞胺和支鏈型聚酰亞胺中的ー種或兩種。所述感光材料為2，3，4，4'-四羥基ニ苯甲酮1，2_ ニ疊氮基萘醌_5_磺酸酷。所述光敏劑可以是重氮萘醌磺酰氯。主鏈型聚酰亞胺的由PMDA和MDA組成，支鏈型聚酰亞胺由PMDA、MDA和TBCA組成；其中，PMDA為均苯四酸ニ酐，MDA為4，4' -ニ胺基ニ苯甲烷，TBCA為4-(4-(三氟甲氧基)苯甲酞基)環(huán)己基-3，5_ ニ胺基苯甲酸酷。圖7是本發(fā)明中涂布取向液后的得到的母板的平面示意圖，如圖7所示，利用本發(fā)明圖4和圖5所示的轉(zhuǎn)印版105，該轉(zhuǎn)印版105具有對應覆蓋兩個以上基板的轉(zhuǎn)印區(qū)111，因此，在母板107的兩個以上基板上轉(zhuǎn)印取向膜108時，在母板107上每個基板的顯示區(qū)域113、非顯示區(qū)域114、封框膠區(qū)域115及母板107上的其他區(qū)域116，都形成有取向膜108 ；其中，非顯示區(qū)域114包含封框膠區(qū)域115。
步驟603，將所述母板上位于基板的顯示區(qū)域以外且不需保留取向膜的區(qū)域的取向膜去除。具體的，在步驟602形成的母板107上，由于利用圖4和圖5所示的轉(zhuǎn)印版105在母板107上形成取向膜108，母板107的非顯示區(qū)域114、封框膠區(qū)域115及母板107上的其他區(qū)域116也被取向膜108覆蓋，將影響上下基板的導電，因此本步驟中，利用掩膜板將母板107上顯示區(qū)域114或需要保留取向膜的區(qū)域遮擋，曝光設備發(fā)出紫外光，紫外光經(jīng)過掩膜板后照射到母板107上加有光敏材料的取向膜108上，即利用曝光和顯影方法去除母板107上位于基板的顯示區(qū)域113以外且不需保留取向膜的區(qū)域的取向膜108 ;這里，也可以利用光刻法等方式將母板107上位于基板的顯示區(qū)域113以外且不需保留取向膜的區(qū)域的取向膜108去除，得到圖8所示的母板107 ；這里，曝光設備發(fā)出的紫外光的波長可以為340nm 460nm,曝光時長為60s IOOs0
本發(fā)明提供的母板取向膜的制作方法及轉(zhuǎn)印版中，通過對現(xiàn)有轉(zhuǎn)印版的改進和處理，在將取向膜轉(zhuǎn)印到母板上的基板上時，與現(xiàn)有的具有活性區(qū)和非活性區(qū)的轉(zhuǎn)印版相比，涂布取向液時均一性更好，更容易形成厚度一致的取向膜，即使顯示區(qū)域外邊緣存在較多的取向液，或即使存在取向膜印偏現(xiàn)象，也可以利用曝光和顯影法或光刻法將多余的取向膜去除，從而解決目前存在取向膜過厚的邊緣區(qū)，以及取向膜過厚的邊緣區(qū)與封框膠區(qū)域重疊引起的顯示不良問題。此外，可以不用每個型號都制作相應的轉(zhuǎn)印版，只要母板107上基板的尺寸相同就可以用同一個轉(zhuǎn)印版。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種母板取向膜的制作方法，其特征在于，該方法包括 利用轉(zhuǎn)印版在具有兩個以上基板的母板上涂布取向液，使取向液在母板上形成取向膜，所述轉(zhuǎn)印版具有對應覆蓋兩個以上基板的轉(zhuǎn)印區(qū)； 將所述母板上位于基板的顯示區(qū)域以外且不需保留取向膜的區(qū)域的取向膜去除。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于， 所述取向膜由光加工材料組成； 去除所述取向膜時，先利用掩膜版進行曝光工序，再進行顯影工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述取向液由液晶分子取向材料、感光材料、光敏劑和溶劑組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述液晶分子取向材料占取向液的重量比為25-35%，所述感光材料占取向液的重量比為3. 5-6%，所述光敏劑占取向液的重量比為 0. 8-2. 5%。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述液晶分子取向材料為主鏈型聚酰亞胺和支鏈型聚酰亞胺中的一種或兩種。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述感光材料為2，3，4，4'-四羥基二苯甲酮I，2- 二疊氮基萘醌-5-磺酸酯。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述光敏劑為重氮萘醌磺酰氯。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用曝光和顯影方法去除所述取向膜時，曝光設備發(fā)出的紫外光的波長為340nm 460nm,曝光時長為60s 100s。
9.一種轉(zhuǎn)印版，其特征在于，所述轉(zhuǎn)印板具有對應覆蓋兩個以上基板的轉(zhuǎn)印區(qū)。
10.一種取向液，其特征在于，所述取向液由液晶分子取向材料、感光材料、光敏劑和溶劑組成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的取向液，其特征在于，所述液晶分子取向材料占取向液的重量比為25-35%，所述感光材料占取向液的重量比為3. 5-6%，所述光敏劑占取向液的重量比為0. 8-2. 5%。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的取向液，其特征在于，所述液晶分子取向材料為主鏈型聚酰亞胺和支鏈型聚酰亞胺中的一種或兩種。
13.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的取向液，其特征在于，所述感光材料為2，3，4，4'-四羥基二苯甲酮I，2- 二疊氮基萘醌-5-磺酸酯。
14.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的取向液，其特征在于，所述光敏劑為重氮萘醌磺酰氯。
全文摘要
本發(fā)明公開一種母板取向膜的制作方法及轉(zhuǎn)印版、取向液，該方法包括利用轉(zhuǎn)印版在具有兩個以上基板的母板上涂布取向液，使取向液在母板上形成取向膜，所述轉(zhuǎn)印版具有對應覆蓋兩個以上基板的轉(zhuǎn)印區(qū)；將所述母板上位于基板的顯示區(qū)域以外且不需保留取向膜的區(qū)域的取向膜去除。根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，能夠解決目前存在取向膜過厚的邊緣區(qū)，以及取向膜過厚的邊緣區(qū)與封框膠區(qū)域重疊引起的顯示不良問題。
文檔編號G03F7/42GK102768439SQ20121019922
公開日2012年11月7日 申請日期2012年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月14日
發(fā)明者李京鵬, 李輝, 林海云, 趙承潭 申請人:北京京東方光電科技有限公司