專利名稱：有機(jī)薄膜晶體管陣列基板及其制備方法以及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)薄膜晶體管陣列及其制備方法以及顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)薄膜晶體管(Organic Thin Film Transistor,以下簡稱0TFT)因適用于大面積的加工和柔性基板，并且具有工藝成本較低等優(yōu)點(diǎn)，在平板顯示領(lǐng)域擁有很好的發(fā)展前景。通常在OTFT陣列基板的制作中需要多次構(gòu)圖工藝，以形成圖案化的層結(jié)構(gòu)，在此過程中消耗大量柵極、柵絕緣層以及有機(jī)半導(dǎo)體材料，而且制作效率較低。ADSDS (高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)，ADvanced Super Dimension Switch,簡稱 ADS)型液晶顯示器是現(xiàn)有的一種寬視角顯示器，其通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正·上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。在ADS模式的液晶顯示屏中，有機(jī)薄膜晶體管陣列基板的制備，即形成柵極、柵絕緣、有機(jī)半導(dǎo)體層源漏電極、信號線以及像素電極時(shí)，一般通過多次構(gòu)圖工藝完成，即多次進(jìn)行沉積、曝光和刻蝕，從而導(dǎo)致有機(jī)薄膜晶體管陣列基板的制備的工藝繁瑣，效率較低，材料浪費(fèi)嚴(yán)重。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種有OTFT陣列基板及其制備方法以及顯示裝置。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種OTFT陣列基板，包括在透明基板上形成的像素結(jié)構(gòu)；所述像素結(jié)構(gòu)包括柵線、數(shù)據(jù)線、0TFT、像素電極、公共電極線和公共電極；所述OTFT包括柵極、柵絕緣層、有機(jī)半導(dǎo)體層、源極和漏極；所述數(shù)據(jù)線、所述源極、所述漏極和所述像素電極上自下而上依次設(shè)置有第一堤絕緣層和第二堤絕緣層；其中，在所述第一堤絕緣層上設(shè)置有第一通孔、第一開口和第二開口 ；所述第一開口中形成所述柵線，所述第二開口中形成所述公共電極線；所述第一通孔中自下而上依次形成所述有機(jī)半導(dǎo)體層、所述柵絕緣層和所述柵極，所述柵極連接所述柵線；所述有機(jī)半導(dǎo)體層連接所述源極和漏極。一種OTFT陣列基板的制備方法,包括SI:在基板上形成像素電極、數(shù)據(jù)線、源極和漏極；S2:在經(jīng)過步驟SI的基板上依次形成有機(jī)半導(dǎo)體層、柵絕緣層、柵極、柵線和公共電極線的圖形；
S3 :在經(jīng)過步驟S2的基板上形成公共電極和公共電極的圖形；。一種顯示裝置，包括上述有機(jī)薄膜晶體管陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種OTFT陣列基板及其制備方法以及顯示裝置，通過光敏樹脂所分別形成的第一堤絕緣層和第二堤絕緣層，并且在第一堤絕緣層和第二堤絕緣層上的通孔和開口中通過噴墨打印形成有機(jī)半導(dǎo)體層，柵絕緣層、柵極、柵線、公共電極和公共電極線，從而快速高效的形成OTFT陣列基板中的有機(jī)半導(dǎo)體層，柵絕緣層、柵極、柵線、公共電極和公共電極線等結(jié)構(gòu)，節(jié)省了形成有機(jī)半導(dǎo)體層，柵絕緣層、柵極、柵線、公共電極和公共電極線等結(jié)構(gòu)的材料，并且更好的控制了有機(jī)半導(dǎo)體層，柵絕緣層、柵極、柵線、公共電極和公共電極線等結(jié)構(gòu)的精確度。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些·實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實(shí)施例所述的一種OTFT陣列結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例所述的一種OTFT陣列結(jié)構(gòu)沿A-A’的剖視圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例所述的另一種OTFT陣列結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例所述的另一種OTFT陣列結(jié)構(gòu)沿C-C’的剖視圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例所述的一種OTFT陣列基板的制備方法的流程圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例所述的一種OTFT陣列基板的制備方法中沉積透明導(dǎo)電薄膜和光刻I父后的結(jié)構(gòu)不意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例所述的一種OTFT陣列基板的制備方法中刻蝕透明導(dǎo)電薄膜后的俯視圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例所述的一種OTFT陣列基板的制備方法形成第一堤絕緣層及其包裹的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例所述的另一種OTFT陣列基板的制備方法中第一次構(gòu)圖工藝的具體流程圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例所述的另一種OTFT陣列基板的制備方法中沉積透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜后的剖視圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例所述的另一種OTFT陣列基板的制備方法對光刻膠進(jìn)行圖像化后的剖視圖；圖12為本發(fā)明實(shí)施例所述的另一種OTFT陣列基板的制備方法中第一次刻蝕后的首丨J視圖;圖13為本發(fā)明實(shí)施例所述的另一種OTFT陣列基板的制備方法中第二次刻蝕后的剖視圖。附圖標(biāo)記說明I一透明基板；2—透明導(dǎo)電薄膜； 2a—像素電極；2b一數(shù)據(jù)線； 2c—源極；2d—漏極；
3-金屬薄膜； 4-第一堤絕緣層； 4a_第一通孔；4b—第一開口 ； 4c一第二開口 ；5—有機(jī)半導(dǎo)體層；6-柵絕緣層； 7a_柵極；7b_柵線；7c—公共電極線；8—第二堤絕緣層； 8a—第二開口 ；8b一第二通孔；9—公共電極；10—光刻月父；IOa—完全保留區(qū)域；IOb—部分保留區(qū)域；IOc—完全去除區(qū)域。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施例一種OTFT陣列基板及其制備方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
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應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。一種OTFT陣列基板，如圖I和圖2所示(其中圖2為圖I沿A_A’的剖面圖)，包括在透明基板I上形成的像素結(jié)構(gòu)；所述像素結(jié)構(gòu)包括柵線7b、數(shù)據(jù)線2b、0TFT、像素電極2a、公共電極9和公共電極線7c ；所述OTFT包括柵極7a、柵絕緣層6、有機(jī)半導(dǎo)體層5、源極2c和漏極2d ；所述數(shù)據(jù)線2b、所述源極2c、所述漏極2d和所述像素電極2a上自下而上依次設(shè)
置有第一堤絕緣層4和第二堤絕緣層8 ；其中，在所述第一堤絕緣層4上設(shè)置有第一通孔4a、第一開口 4b和第二開口 4c ；進(jìn)一步的，在堤絕緣層上形成通孔和開口是指所謂通孔貫穿整個(gè)堤絕緣層，所謂開口則是在堤絕緣層上形成凹槽，凹槽的底部還存留有部分堤絕緣層。所述第一開口 4b中打印形成所述柵線7b，所述第二開口 4c中打印形成所述公共電極線7c ；所述第一通孔4a中自下而上依次打印形成所述有機(jī)半導(dǎo)體層5、所述柵絕緣層6和所述柵極7a，所述柵極7a連接所述柵線7b ;所述有機(jī)半導(dǎo)體層5連接所述源極2c和所述漏極2d。在所述第二堤絕緣層8上設(shè)置有相連通的第三開口 8a和第二通孔Sb，所述第三開口 8a板狀覆蓋或梳狀覆蓋所述像素電極2a上方；所述第二通孔8b與所述第二開口 4c連通；在所述第三開口 8a和所述第二通孔8b中打印形成公共電極9，其中所述公共電極9與所述公共電極線7c通過在所述第二通孔Sb連接中相接觸。其中源極2c、漏極2d、像素電極2a和數(shù)據(jù)線2b，分別通過對透明導(dǎo)電薄膜2刻蝕后形成。柵極7a、柵線7b和公共電極線7c分別通過打印形成。所述透明基板I可為塑料基板或玻璃基板?？蛇x的，在所述源極2c、所述漏極2d和所述數(shù)據(jù)線2b表面設(shè)置有金屬薄膜3。可選的，所述源極2c和所述漏極2d延伸至所述第一通孔4a中，所述源極2c和所述漏極2d不連接，且所述源極2c和所述漏極2d之間的距離小于所述第一通孔4a兩側(cè)的所述金屬薄膜3之間的距離。
可選的,所述有機(jī)半導(dǎo)體層5的厚度大于所述源極2c和所述漏極2d的厚度?？蛇x的，所述有機(jī)半導(dǎo)體層5與所述第一通孔4a兩側(cè)的所述源極2c和所述漏極2d的側(cè)壁連接?？蛇x的，所述第一堤絕緣層4和所述第二堤絕緣層8為光敏樹脂材料。可選的，所述數(shù)據(jù)線2b、所述源極2c、漏極2d像素電極2a和所述公共電極9的材料為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。可選的，所述有機(jī)半導(dǎo)體層5的材料為噻吩化合物或酞菁化合物?？蛇x的，所述柵絕緣層6的材料為聚乙烯醇?？蛇x的，所述柵極7a為導(dǎo)電聚噻吩化合物、銅或銀中一種。
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可選的，設(shè)置在所述第一開口 4b中的所述柵線7b、設(shè)置在所述第二開口 4c中的所述公共電極線7c和設(shè)置在所述第一通孔4a中的所述柵極7a的上表面與所述第一堤絕緣層4的上表面齊平。為增強(qiáng)上述的OTFT陣列基板的數(shù)據(jù)線2b、源極2c、漏極2d的導(dǎo)電性能，加快像素電極2a的充電速度，可選的，如圖3和圖4所示(其中圖4為圖3中沿C-C’的剖面圖)，所述源極2c、所述漏極2d和所述數(shù)據(jù)線2b表面設(shè)置有金屬薄膜3。所述金屬薄膜3的材料為招、鶴、絡(luò)、組、鑰或銅中一種。因所述有機(jī)半導(dǎo)體層5在連接源極2c和漏極2d時(shí)，只連接了源極2c和漏極2d的側(cè)壁，易出現(xiàn)虛接的情況。故為擴(kuò)大有機(jī)半導(dǎo)體層5和源極2c和漏極2d的連接面積，避免虛接的情況，可選的，所述源極2c和所述漏極2d延伸至第一通孔4a中，所述源極2c和所述漏極2d不連接，且所述源極2c和所述漏極2d之間的距離小于所述第一通孔4a兩側(cè)的所述金屬薄膜3之間的距離。與上述一種OTFT陣列基板相對應(yīng)，本發(fā)明還提供了一種OTFT陣列基板的制備方法,如圖4所示,包括SI:在基板上形成像素電極、數(shù)據(jù)線、源極和漏極。首先，如圖6所示在基板上連續(xù)形成透明導(dǎo)電薄膜。在透明基板I上通過磁控濺射或熱蒸發(fā)等方法形成透明導(dǎo)電薄膜2，該透明導(dǎo)電薄膜2為銦錫氧化物或銦鋅氧化物，所述透明基板I可為玻璃基板或塑料基板。如圖6所示，在透明導(dǎo)電薄膜2上旋涂光刻膠10，通過第一次構(gòu)圖工藝，并對透明導(dǎo)電薄膜2進(jìn)行刻蝕后，如圖7所示，形成像素電極2a、數(shù)據(jù)線2b、源極2c和漏極2d ;刻蝕完成后，通過剝離液將剩余的光刻膠10剝離。S2:在經(jīng)過步驟SI的基板上依次形成有機(jī)半導(dǎo)體層、柵絕緣層、柵極、柵線和公共電極線的圖形。具體的，在形成有像素電極2a、數(shù)據(jù)線2b、源極2c和漏極2d的基板上涂覆光敏樹月旨，固化形成第一堤絕緣層4，在所述第一堤絕緣層4上通過雙色調(diào)掩模板(半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板)進(jìn)行曝光顯影，形成第一通孔4a、第一開口 4b和第二開口 4c，在所述第一通孔4a中打印形成有機(jī)半導(dǎo)體層5，在所述有機(jī)半導(dǎo)體層5上打印所述柵絕緣層6，并在所述柵絕緣層6上、所述第一開口 4b和所述第二開口 4c中打印形成所述柵極7a、所述柵線7a和所述公共電極線7c，其中，所述有機(jī)半導(dǎo)體層5連接所述源極2c和所述漏極2d。如圖8所示，在所述基板I上涂覆光敏樹脂的溶液，所述光敏樹脂可為聚甲基丙烯酸酯的溶液；光敏樹脂覆蓋透明基板I表面后，在約110攝氏度的條件下進(jìn)行1-30分鐘的前烘，以使揮發(fā)光敏樹脂中的溶劑；利用雙色調(diào)掩模板進(jìn)行曝光顯影后，形成第一通孔4a、第一開口 4b和第二開口 4c,具體為將雙色調(diào)掩模板覆蓋于光敏樹脂上方,其中該掩模板為半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板，半色調(diào)或灰色調(diào)部分所對應(yīng)的光敏樹脂形成較淺的該掩膜版的部分透光區(qū)域?qū)?yīng)第一開口 4b和第二開口 4c處；掩模板的完全不透光區(qū)域?qū)?yīng)光敏樹脂的完全保留區(qū)域；掩模板上完全透光區(qū)域?qū)?yīng)光敏樹脂的完全去除區(qū)域，形成第一通孔4a,在第一通孔4a中，源極2c和漏極2d的側(cè)壁露出；曝光顯影完成后,在約130攝氏度的條件下，進(jìn)行1-30分鐘的后烘，使包含第一通孔4a、第一開口 4b和第二開口 4c的光敏樹脂固化，形成第一堤絕緣層4。形成第一堤絕緣層4后，通過控制打印機(jī)打印設(shè)備在第一通孔4a、第一開口 4b和第二開口 4c進(jìn)行打?。皇紫仍诘谝煌?a中打印形成有機(jī)半導(dǎo)體層5的有機(jī)半導(dǎo)體溶液；蒸發(fā)有機(jī)半導(dǎo)體溶劑，形成有機(jī)半導(dǎo)體層5，其中在蒸發(fā)有機(jī)半導(dǎo)體溶劑的過程中，實(shí)現(xiàn)退火，以使有機(jī)半導(dǎo)體溶液中的成分均勻化；該有機(jī)半導(dǎo)體層5的厚度大于源極2c和漏極2d，以使有機(jī)半導(dǎo)體層5和兩側(cè)的源極2c和漏極2d的側(cè)壁充分接觸；在有機(jī)半導(dǎo)體層5的表面打印形成柵極絕緣層6的溶液，該柵絕緣層可為聚乙烯醇；蒸發(fā)溶液，形成柵極絕緣層6 ;形成柵極絕緣層6后，在柵極絕緣層6表面、第一開口 4b和第二開口 4c中分別打印柵極·材料，所述柵極材料溶液或液體可為導(dǎo)電聚噻吩溶液、銅漿或銀漿，蒸發(fā)溶劑或凝固該液體后，分別形成柵極7a，柵線7b和公共電極線7c。在光敏樹脂上通過曝光顯影形成包含第一通孔4a、第一開口 4b和第二開口 4c的第一堤絕緣層4 ;在該第一通孔4a、第一開口 4b和第二開口 4c的第一堤絕緣層4進(jìn)行打印，以限制打印的溶液或液體的范圍，在堤絕緣層中設(shè)置開口和通孔，可以確保噴墨打印的精確度，以保證形成的有機(jī)半導(dǎo)體層5、柵絕緣層6、柵極7a、柵線7b和公共電極7c的精確度，確保有機(jī)半導(dǎo)體層5與源極2c和漏極2d的接觸面積，從而保證了形成的OTFT的性能。S3 :在經(jīng)過步驟S2的基板上形成公共電極和公共電極的圖形。在經(jīng)過步驟S2的基板上再次涂覆光敏樹脂，固化形成第二堤絕緣層8，在所述第二堤絕緣層8上通過曝光顯影形成相連通的第三開口 8a和第二通孔Sb，所述第三開口 8a梳狀覆蓋于所述像素電極2a上方，并在所述第二通孔Sb和所述第三開口 8a中打印形成公共電極9。如圖2所示，在第一堤絕緣層4上再次涂覆光敏樹脂，光敏樹脂覆蓋第一堤絕緣層4后，在約110攝氏度的條件下進(jìn)行1-30分鐘的前烘，以使揮發(fā)光敏樹脂的溶劑；進(jìn)行第曝光顯影，形成相連通的第三開口 8a和第二通孔Sb和第三開口 8a ;其中所述第二通孔Sb與第二開口 4c相連通,所述第三開口 8a板狀覆蓋或梳狀覆蓋于所述像素電極2a上方；在約110攝氏度的條件下進(jìn)行1-30分鐘的后烘，固化形成第二堤絕緣層8 ;在所述第二通孔Sb和第三開口 8a中打印形成公共電極9的溶液，蒸發(fā)溶劑，形成公共電極9。因在第二堤絕緣層8的第二通孔Sb和第三開口 8a打印形成公共電極9的溶液，限制了形成公共電極9的溶液的擴(kuò)散，確保了像素結(jié)構(gòu)的精確度，從而保證了像素的顯示性能。噴墨打印工藝是，將制作圖案所用墨滴，即形成柵極7a、柵絕緣層6、有機(jī)半導(dǎo)體層5、柵線7b、公共電極線7c和公共電極9的材料，打印在需要制作圖案的區(qū)域，以形成所需圖案的工藝。由于這種工藝是一種直接形成圖案化層結(jié)構(gòu)的方法，因此采用打印的方式制備有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，可簡化工藝、節(jié)省材料、降低成本和提高生產(chǎn)效率，并且確保了有機(jī)半導(dǎo)體層5與源極2c和漏極2d的接觸面積，及其圖案精度有利于提高薄膜晶體管的性能，同時(shí)利用噴墨打印工藝制備公共電極線7c可以精確梳妝公共電極9的圖案，從而確保該其顯示質(zhì)量。在OTFT陣列基板中，對于像素電極的充電速度影響了液晶顯示屏的顯示效果，為加快數(shù)據(jù)線2b對于公共電極2a的充電速度，可選的，在所述S I步驟在基板上形成像素電極、數(shù)據(jù)線、源極和、漏極，還包括200、在基板上依次形成透明導(dǎo)電層薄膜和金屬層薄膜。在基板I上沉積透明導(dǎo)電薄膜2后，如圖10所示，在透明導(dǎo)電薄膜2表面沉積金屬模板3 ;沉積在濺射設(shè)備中進(jìn)行，通過加速惰性氣體的等離子撞擊靶材；撞擊出靶材的原子顆粒，在電場和磁場的作用下，均勻附著于透明導(dǎo)電薄膜2上，形成金屬薄膜3;該金屬薄月吳3的材料可為招、鶴、絡(luò)、組、鑰或銅中一種。
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201、在形成有所述透明導(dǎo)電層薄膜和所述金屬層薄膜的基板上旋涂光刻膠，通過雙色調(diào)掩模板進(jìn)行曝光顯影，在所述光刻膠上形成完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全去除區(qū)域。如圖9所示，在在形成有所述透明導(dǎo)電層模板和所述金屬層薄膜的基板上旋涂光刻膠，通過掩模板進(jìn)行構(gòu)圖工藝，在所述光刻膠上形成完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全去除區(qū)域。在所述金屬薄膜3上旋涂光刻膠，通過雙色調(diào)掩模板進(jìn)行構(gòu)圖工藝；曝光顯影后，使光刻膠上形成如圖11所示的結(jié)構(gòu)，即在所述光刻膠上形成光刻膠完全保留區(qū)域10a、部分保留區(qū)域IOb和完全去除區(qū)域10c，其中完全保留區(qū)域IOa對應(yīng)掩模板上的完全不透光遮蔽部分區(qū)域，部分保留區(qū)域IOb對應(yīng)掩模板上的半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版的部分透光部分區(qū)域以及完全去除區(qū)域IOc對應(yīng)掩模板上的完全透光區(qū)域。202、刻蝕形成數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極，保留所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極表面的所述金屬薄膜。將所述透明基板I放置于刻蝕腔內(nèi)進(jìn)行刻蝕；首先將光刻膠10完全去除區(qū)域IOc下方的金屬薄膜3和透明導(dǎo)電薄膜2刻蝕掉，如圖12所示，形成由透明導(dǎo)電薄膜2形成的數(shù)據(jù)線2b、源極2c、漏極2d和像素電極2a，并保留在數(shù)據(jù)線2b、源極2c、漏極2d和像素電極2a上的金屬薄膜3。203、對所述光刻膠進(jìn)行灰化，去除所述部分保留區(qū)域的光刻膠，并通過刻蝕去除所述像素電極表面的金屬薄膜。如圖13所示，對光刻膠10進(jìn)行灰化，以去除所述部分保留區(qū)域IOb的光刻膠，使部分保留區(qū)域IOb下方的金屬薄膜3露出；進(jìn)行刻蝕，去除對應(yīng)像素電極2a表面的金屬薄膜3，露出下層的像素電極2a。在刻蝕金屬薄膜3的過程中，可選擇只刻蝕金屬的刻蝕液或刻蝕氣體進(jìn)行刻蝕，或通過控制刻蝕的時(shí)間，從而刻蝕掉部分保留區(qū)域IOb的金屬薄膜3保留透明導(dǎo)電薄膜2。最后形成后的OTFT陣列如圖3和圖4所示，在數(shù)據(jù)線2b、源極2c和漏極2d表面附著有金屬薄膜3，并通過金屬薄膜3較好的導(dǎo)電性能增強(qiáng)透明導(dǎo)電薄膜2所形成的數(shù)據(jù)線2b、源極2c和漏極2d的導(dǎo)電性能，從而提高了數(shù)據(jù)線2b通過源極2c和漏極2d對像素電極2a的充電速度。與上述一種OTFT陣列基板的制備方法相對應(yīng)，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，本發(fā)明施例提供的顯示裝置，包括如上所述的頂柵型TFT陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種OTFT陣列基板及其制備方法以及顯示裝置，通過光敏樹脂所分別形成的第一堤絕緣層和第二堤絕緣層，并且在第一堤絕緣層和第二堤絕緣層上的通孔和開口中通過噴墨打印形成有機(jī)半導(dǎo)體層，柵絕緣層、柵極、柵線、公共電極和公共電極線，從而快速高效的形成OTFT陣列基板中的有機(jī)半導(dǎo)體層，柵絕緣層、柵極、柵線、公共電極和公共電極線等結(jié)構(gòu)，節(jié)省了形成有機(jī)半導(dǎo)體層，柵絕緣層、柵極、柵線、公共電極和公共電極線等結(jié)構(gòu)的材料，并且更好的控制了有機(jī)半導(dǎo)體層，柵絕緣層、柵極、柵線、公共電極和公共電極線等結(jié)構(gòu)的精確度。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何·熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，包括在透明基板上形成的像素結(jié)構(gòu)； 所述像素結(jié)構(gòu)包括柵線、數(shù)據(jù)線、有機(jī)薄膜晶體管、像素電極、公共電極線和公共電極； 所述有機(jī)薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有機(jī)半導(dǎo)體層、源極和漏極；其特征在于 所述數(shù)據(jù)線、所述源極、所述漏極和所述像素電極上自下而上依次設(shè)置有第一堤絕緣層和第二堤絕緣層； 其中，在所述第一堤絕緣層上設(shè)置有第一通孔、第一開口和第二開口 ；所述源極和漏極位于所述第一通孔的兩側(cè)； 所述第一開口中形成所述柵線，所述第二開口中形成所述公共電極線； 所述第一通孔中自下而上依次形成所述有機(jī)半導(dǎo)體層、所述柵絕緣層和所述柵極，所述柵極連接所述柵線；所述有機(jī)半導(dǎo)體層連接所述源極和漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 在所述第二堤絕緣層上設(shè)置有相連通的第三開口和第二通孔，所述第二通孔與所述第二開口連通； 在所述第三開口和所述第二通孔中打印形成公共電極，其中所述公共電極與所述公共電極線通過所述第二通孔連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述源極、所述漏極和所述數(shù)據(jù)線表面設(shè)置有金屬薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述源極和所述漏極延伸至所述第一通孔中，所述源極和所述漏極不連接，且所述源極和所述漏極之間的距離小于所述第一通孔兩側(cè)的所述金屬薄膜之間的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)半導(dǎo)體層的厚度大于所述源極和所述漏極的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)半導(dǎo)體層與所述第一通孔兩側(cè)的所述源極和所述漏極的側(cè)壁連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一堤絕緣層和所述第二堤絕緣層為光敏樹脂材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線、所述源極、所述漏極、所述像素電極和所述公共電極的材料為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)半導(dǎo)體層的材料為噻吩化合物或酞菁化合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層的材料為聚乙烯醇。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述柵極為導(dǎo)電聚噻吩化合物、銅或銀中一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，設(shè)置在所述第一開口中的所述柵線、設(shè)置在所述第二開口中的所述公共電極線和設(shè)置在所述第一通孔中的所述柵極的上表面與所述第一堤絕緣層的上表面齊平。
13.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述金屬薄膜的材料為招、鶴、絡(luò)、組、鑰或銅中一種。
14.一種有機(jī)薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，包括步驟 SI:在基板上形成像素電極、數(shù)據(jù)線、源極和、漏極； S2:在經(jīng)過步驟SI的基板上依次形成有機(jī)半導(dǎo)體層、柵絕緣層、柵極、柵線和公共電極線的圖形； S3 :在經(jīng)過步驟S2的基板上形成公共電極的圖形。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括； 在經(jīng)過步驟SI的基板上涂覆光敏樹脂，固化形成第一堤絕緣層，在所述第一堤絕緣層上通過雙色調(diào)掩模板進(jìn)行曝光顯影，形成第一通孔、第一開口和第二開口，在所述第一通孔中打印形成有機(jī)半導(dǎo)體層，在所述有機(jī)半導(dǎo)體層上打印柵絕緣層，并在所述柵絕緣層上、所述第一開口和所述第二開口中打印形成柵極、柵線和公共電極線，其中，所述有機(jī)半導(dǎo)體層連接所述源極和所述漏極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述步驟S3具體包括 在經(jīng)過步驟S2的基板上涂覆光敏樹酯樹脂，固化形成第二堤絕緣層，在所述第二堤絕緣層上通過曝光顯影形成相連通的第三開口和第二通孔，所述第三開口位于所述像素電極上方且呈梳狀排布，并在所述第二通孔和所述第三開口中打印形成公共電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述步驟SI還包括 在基板依次形成透明導(dǎo)電層薄膜和金屬層薄膜； 在形成有所述透明導(dǎo)電層模板和所述金屬層薄膜的基板上旋涂光刻膠，通過雙色調(diào)掩模板進(jìn)行曝光顯影，在所述光刻膠上形成完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全去除區(qū)域； 刻蝕形成數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極，保留所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極表面的所述金屬薄膜； 對所述光刻膠進(jìn)行灰化，去除所述部分保留區(qū)域，并通過刻蝕去除所述像素電極表面的金屬薄膜，并剝離剩余的所述光刻膠。
18.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括上述權(quán)利要求f 13中任意一項(xiàng)有機(jī)薄膜晶體管陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)半導(dǎo)體陣列基板及其制備方法以及顯示裝置，屬于液晶顯示領(lǐng)域，為解決現(xiàn)有技術(shù)中制作有機(jī)半導(dǎo)體陣列基板時(shí)，制備過程繁瑣，且消耗大量材料的問題而設(shè)計(jì)。一種有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，包括在透明基板上形成的像素結(jié)構(gòu)；所述像素結(jié)構(gòu)包括柵線、數(shù)據(jù)線、有機(jī)薄膜晶體管、像素電極、公共電極線和公共電極；所述有機(jī)薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有機(jī)半導(dǎo)體層、源極和漏極；所述數(shù)據(jù)線、所述源極、所述漏極和所述像素電極上自下而上依次設(shè)置有第一堤絕緣層和第二堤絕緣層；在所述第一堤絕緣層和所述第二堤絕緣層的開口和通孔處打印所述像素結(jié)構(gòu)。
文檔編號G02F1/1368GK102789106SQ201210269320
公開日2012年11月21日 申請日期2012年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月24日
發(fā)明者張學(xué)輝 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司