專(zhuān)利名稱(chēng)：一種刻蝕后去膠的溶液和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種刻蝕后去膠的溶液和方法。
背景技術(shù)：
刻蝕是半導(dǎo)體發(fā)光器制造工藝中的一個(gè)相當(dāng)重要的步驟。所謂刻蝕，實(shí)際上就是將涂光刻膠前沉積的薄膜中沒(méi)有被光刻膠覆蓋的部分給去除掉。然而，光刻膠在刻蝕后的去除成為比較大的難題，原因在于光刻膠在經(jīng)過(guò)刻蝕后變得比較堅(jiān)硬，使得普通的去膠液
難以保證將其完全除凈，若采用干法去膠則會(huì)對(duì)晶片表面的氧化銦錫薄膜產(chǎn)生損傷，因此最好采用全濕法來(lái)去除光刻膠?，F(xiàn)有技術(shù)中，常見(jiàn)的全濕法去膠采用有機(jī)溶液去膠，如丙酮或者N-甲基吡咯烷酮
坐寸ο在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)存在以下問(wèn)題僅僅使用純的有機(jī)溶液無(wú)法保證去膠的效果，總會(huì)有殘留的光刻膠無(wú)法去除，從而影響半導(dǎo)體發(fā)光器件的質(zhì)量。使用有機(jī)溶劑還會(huì)帶來(lái)操作危險(xiǎn)和環(huán)境污染。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)溶液無(wú)法完全將刻蝕后的光刻膠去除和環(huán)境污染的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種刻蝕后去膠的溶液和方法。所述技術(shù)方案如下—方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種刻蝕后去膠的溶液，所述溶液由堿、醇和蒸餾水組成；其中所述堿的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%至25%，所述醇的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%至20%，所述蒸餾水的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為60%至70%。其中，所述堿為KOH、NaOH, Ca(OH)2其中任一種。其中，所述的醇為甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇其中任一種。另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種刻蝕后去膠的方法，所述方法包括將刻蝕后的晶片放入混合后的溶液中，浸泡后取出沖水并甩干。其中，浸泡時(shí)間為15分鐘至30分鐘。其中，所述方法還包括在浸泡前將溶液溫度調(diào)節(jié)到50°C -70°C。進(jìn)一步地，所述方法還包括在浸泡過(guò)程中向溶液中加入超聲波。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是通過(guò)組成成分為堿、醇和蒸餾水的溶液，將刻蝕后的晶片放入其中浸泡，然后取出沖水并甩干；能夠有效去除刻蝕后的光刻膠。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
實(shí)施例一本發(fā)明實(shí)施例提供了一種刻蝕后去膠的溶液，該溶液由20wt%K0H、15wt%乙醇和65wt%蒸懼水組成。該溶液在配置時(shí)，先將KOH加入蒸餾水中，配置堿性溶液；然后向上述溶液中加入乙醇。上述溶液使用時(shí)，將溫度 調(diào)至50°C，將晶片放入其中浸泡30min，取出沖水甩干。優(yōu)選地，在浸泡過(guò)程中向溶液中加入超聲波。使用該溶液對(duì)刻蝕后的晶片進(jìn)行去膠時(shí)，去膠速度快，去膠效果可以達(dá)到正常生產(chǎn)要求，同時(shí)不使用有機(jī)溶劑，對(duì)環(huán)境無(wú)污染，揮發(fā)物無(wú)毒無(wú)害。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例提供了一種刻蝕后去膠的溶液，該溶液由20wt%Na0H、20wt%甲醇和60wt%蒸懼水組成。該溶液在配置時(shí)，先將NaOH加入蒸餾水中，配置堿性溶液；然后向上述溶液中加入甲醇。上述溶液使用時(shí)，將溫度調(diào)至70°C，將晶片放入其中浸泡15min，取出沖水甩干。優(yōu)選地，在浸泡過(guò)程中向溶液中加入超聲波。使用該溶液對(duì)刻蝕后的晶片進(jìn)行去膠時(shí)，去膠速度快，效果好，溶劑對(duì)環(huán)境無(wú)污染，揮發(fā)物無(wú)毒無(wú)害。實(shí)施例三 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種刻蝕后去膠的溶液，該溶液由10wt%Ca (OH) 2、20wt%丙醇和70wt%蒸餾水組成。該溶液在配置時(shí)，先將Ca(OH)2加入蒸餾水中，配置堿性溶液；然后向上述溶液中加入丙醇。上述溶液使用時(shí)，將溫度調(diào)至60°C，將晶片放入其中浸泡20min，取出沖水甩干。優(yōu)選地，在浸泡過(guò)程中向溶液中加入超聲波。使用該溶液對(duì)刻蝕后的晶片進(jìn)行去膠時(shí)，去膠速度快，效果好，溶劑對(duì)環(huán)境無(wú)污染，揮發(fā)物無(wú)毒無(wú)害。實(shí)施例四本發(fā)明實(shí)施例提供了一種刻蝕后去膠的溶液，該溶液由25wt%K0H、5wt%異丙醇和70wt%蒸懼水組成。該溶液在配置時(shí)，先將KOH加入蒸餾水中，配置堿性溶液；然后向上述溶液中加入
異丙醇。上述溶液使用時(shí)，將溫度調(diào)至70°C，將晶片放入其中浸泡30min，取出沖水甩干。優(yōu)選地，在浸泡過(guò)程中向溶液中加入超聲波。使用該溶液對(duì)刻蝕后的晶片進(jìn)行去膠時(shí)，去膠速度快，效果好，溶劑對(duì)環(huán)境無(wú)污染，揮發(fā)物無(wú)毒無(wú)害。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種刻蝕后去膠的溶液，其特征在于，所述溶液由堿、醇和蒸餾水組成；其中所述堿的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%至25%,所述醇的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%至20%,所述蒸懼水的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為60%至70%。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的溶液，其特征在于，所述堿為KOH、NaOH、Ca(OH)2其中任一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的溶液，其特征在于，所述的醇為甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇其中任一種。
4.一種刻蝕后去膠的方法，其特征在于，所述方法包括 將刻蝕后的晶片放入混合后的溶液中，浸泡后取出沖水并甩干。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，浸泡時(shí)間為15分鐘至30分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在浸泡前將溶液溫度調(diào)節(jié)到 50 0C -70 0C ο
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在浸泡過(guò)程中向溶液中加入超聲波。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種刻蝕后去膠的溶液和方法，屬于半導(dǎo)體發(fā)光器件制造技術(shù)領(lǐng)域。所述溶液由堿、醇和蒸餾水組成；其中所述堿的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%至25%，所述醇的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%至20%，所述蒸餾水的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為60%至70%。所述方法包括將刻蝕后的晶片放入混合后的溶液中，浸泡后取出沖水并甩干。本發(fā)明通過(guò)組成成分為堿、醇和蒸餾水的溶液，將刻蝕后的晶片放入其中浸泡，然后取出沖水并甩干；能夠有效去除刻蝕后的光刻膠。
文檔編號(hào)G03F7/42GK102854761SQ20121028093
公開(kāi)日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月8日
發(fā)明者宋超, 劉榕, 王江波 申請(qǐng)人:華燦光電股份有限公司