一種形成光刻膠圖案的方法及裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種形成光刻膠圖案的方法及裝置，涉及光刻【技術(shù)領(lǐng)域】。該形成光刻膠圖案的方法包括：步驟S201：提供形成有待構(gòu)圖薄膜的襯底，在所述待構(gòu)圖薄膜上涂布一層光刻膠；步驟S202：對所述光刻膠進(jìn)行曝光處理；步驟S203：對所述光刻膠進(jìn)行顯影處理；步驟S204：對所述顯影后的光刻膠進(jìn)行清洗處理；步驟S205：對所述清洗后的光刻膠進(jìn)行低速旋轉(zhuǎn)干燥處理；步驟S206：將所述光刻膠送入蒸發(fā)室進(jìn)行干燥處理。該形成光刻膠圖案的裝置包括：腔體，設(shè)置于所述腔體上的密封結(jié)構(gòu)和排氣系統(tǒng)，還包括設(shè)置于該腔體內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)和加熱板。本發(fā)明提供的形成光刻膠圖案的方法及裝置，可以防止光刻膠圖案發(fā)生坍塌，能夠?qū)崿F(xiàn)更好的光刻膠圖案。
【專利說明】一種形成光刻膠圖案的方法及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光刻【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言涉及一種形成光刻膠圖案的方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]光刻技術(shù)是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù),一般包括形成光刻膠(Photo Resist,簡稱PR)圖案和進(jìn)行刻蝕處理兩個步驟。如何形成符合制程要求的沒有缺陷的光刻膠圖案，是保證最終制造的半導(dǎo)體器件的良率的關(guān)鍵因素之一。
[0003]傳統(tǒng)的形成光刻膠圖案的方法，一般包括涂膠(PR coating)、前烘(PAB)、曝光(Exposure)、后烘(PEB)、顯影(Develop)、去離子水清洗(DIW rinse)、旋轉(zhuǎn)干燥(spindry)等步驟，其中，旋轉(zhuǎn)干燥的目的是為了去除清洗用的去離子水(DIW,即DeionizedWater),現(xiàn)有技術(shù)中采用的方法為高速旋轉(zhuǎn)干燥(DIW high speed spin dry)。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中，對光刻膠進(jìn)行顯影后，在進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥的過程中，很容易出現(xiàn)光刻膠圖案的坍塌現(xiàn)象。以下結(jié)合圖1對該現(xiàn)象及原因進(jìn)行說明，如圖1所示，對顯影后的光刻膠進(jìn)行清洗的過程中，相鄰的不同光刻膠圖案11、12等之間的狹窄空間13內(nèi)的清洗液會形成一個毛細(xì)彎液面(capillary meniscus) 14,毛細(xì)彎液面14具有表面張力(surfacetension)。在清洗液高速旋轉(zhuǎn)干燥(即去除清洗液)的過程中，毛細(xì)彎液面14本身會產(chǎn)生毛細(xì)力(capillary force)，于是，毛細(xì)彎液面14的表面張力和毛細(xì)力同時作用在光刻膠圖案(比如圖案11、12)之上，將很容易造成尺寸較小的光刻膠圖案(比如圖案12)的坍塌(collapse)，如圖1所示。器件上對應(yīng)光刻膠圖案坍塌的位置，將無法形成預(yù)定的圖形，于是，就造成了器件不良的產(chǎn)生。
[0005]一般而言，旋轉(zhuǎn)干燥的旋轉(zhuǎn)速度越高，坍塌會越嚴(yán)重；光刻膠圖案的尺寸越小，其發(fā)生坍塌的概率就越大而且坍塌也會相對更嚴(yán)重。隨著半導(dǎo)體制造工藝中器件關(guān)鍵尺寸(CD)的減小，尤其當(dāng)半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展到32納米節(jié)點及以下，為制造相應(yīng)器件需要形成的光刻膠圖案的尺寸也越來越小，因而光刻膠圖案發(fā)生坍塌的概率也就越來越大。
[0006]為了解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中一般采用使用性能更好的光刻膠、或者通過額外增加工藝使得曝光后的光刻膠圖案的底部發(fā)生類似環(huán)氧交聯(lián)的改變、或者使用表面活性清洗劑(如FIRM或CO2)進(jìn)行清洗等方案，但這些技術(shù)方案要么效果不理想，要不成本太高，均不是非常理想。因此，有必要提出一種新的方案，來解決上述的光刻膠圖案坍塌問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的光刻膠坍塌問題，本發(fā)明提供了一種形成光刻膠圖案的方法及裝置。具體如下:
[0008]本發(fā)明一方面提供一種形成光刻膠圖案的方法，所述方法包括如下步驟:
[0009]步驟S201:提供形成有待構(gòu)圖薄膜的襯底，在所述待構(gòu)圖薄膜上涂布一層光刻膠；
[0010]步驟S202:對所述光刻膠進(jìn)行曝光處理；[0011]步驟S203:對所述光刻膠進(jìn)行顯影處理；
[0012]步驟S204:對所述顯影后的光刻膠進(jìn)行清洗處理；
[0013]步驟S205:對所述清洗后的光刻膠進(jìn)行低速旋轉(zhuǎn)干燥處理；
[0014]步驟S206:將所述光刻膠送入蒸發(fā)室進(jìn)行干燥處理。
[0015]進(jìn)一步的，在所述步驟S204中，對所述顯影后的光刻膠進(jìn)行清洗處理采用的清洗液為去離子水。
[0016]進(jìn)一步的，在所述步驟S205中，對所述清洗后的光刻膠進(jìn)行低速旋轉(zhuǎn)干燥處理時，所采用的轉(zhuǎn)速為100-1000rpm。
[0017]進(jìn)一步的，在所述步驟S201和步驟S202之間，還包括對所述光刻膠進(jìn)行前烘處理的步驟。
[0018]進(jìn)一步的，所述對所述光刻膠進(jìn)行前烘處理的步驟，包括:利用真空熱板在85?120°C的溫度下對所述光刻膠烘烤30?60秒。
[0019]進(jìn)一步的，在所述步驟S202和步驟S203之間，還包括對所述曝光后的光刻膠進(jìn)行后烘處理的步驟。
[0020]進(jìn)一步的，所述對所述曝光后的光刻膠進(jìn)行后烘處理的步驟，包括:利用熱板，在HO?130°C的溫度下，對所述曝光后的光刻膠烘烤I分鐘。
[0021]進(jìn)一步的，其特征在于，所述蒸發(fā)室為真空蒸發(fā)室。
[0022]進(jìn)一步的，在所述步驟S206中，所述蒸發(fā)室內(nèi)的氣壓為l_20Pa，溫度為1(T40°C。
[0023]進(jìn)一步的，在所述步驟S206中，所述蒸發(fā)室內(nèi)被充入少量的不與所述襯底、所述待構(gòu)圖薄膜以及所述光刻膠反應(yīng)的氣體。
[0024]本發(fā)明另一方面提供一種形成光刻膠圖案的裝置，用于對清洗后的光刻膠進(jìn)行干燥處理，該裝置包括腔體，設(shè)置于所述腔體上的密封結(jié)構(gòu)和排氣系統(tǒng)，還包括設(shè)置于該腔體內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)和加熱板；
[0025]其中，所述密封結(jié)構(gòu)用于在待干燥的的光刻膠進(jìn)入所述腔體后實現(xiàn)對所述腔體的密封；所述排氣系統(tǒng)用于排出所述腔體內(nèi)的氣體；所述支撐結(jié)構(gòu)用于支撐形成有待干燥的光刻膠的襯底；所述加熱板用于對所述待干燥的光刻膠進(jìn)行加熱。
[0026]進(jìn)一步的，所述支撐結(jié)構(gòu)為由三個支撐針組成的支撐結(jié)構(gòu)。
[0027]進(jìn)一步的，所述裝置還包括設(shè)置于所述腔體上的進(jìn)氣裝置。
[0028]本發(fā)明提供的形成光刻膠圖案的方法，通過低速旋轉(zhuǎn)干燥結(jié)合蒸發(fā)室干燥處理的方式去除光刻膠清洗液，尤其是去離子水，由于襯底的轉(zhuǎn)速較小，因而光刻膠圖案間的毛細(xì)彎液面產(chǎn)生的毛細(xì)力(capillary force)會比較小，不容易造成光刻膠圖案的坍塌現(xiàn)象發(fā)生，保證了形成的圖案符合實際工藝要求。因此，也在一定程度上保證了利用該光刻膠圖案形成的器件圖形的良率。本發(fā)明實施例提供的形成光刻膠圖案的裝置，可以對光刻膠進(jìn)行干燥處理，防止光刻膠圖案的坍塌現(xiàn)象，實現(xiàn)更好的光刻膠圖案。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0030]附圖中:[0031]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中形成光刻膠圖案的方法形成的光刻膠圖案的示意性圖；
[0032]圖2為本發(fā)明提出的形成光刻膠圖案的方法的流程圖；
[0033]圖3為根據(jù)本發(fā)明提出的形成光刻膠圖案的方法形成的光刻膠圖案的示意圖；
[0034]圖4為本發(fā)明提出的形成光刻膠圖案的裝置的示意圖。
【具體實施方式】
[0035]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0036]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的形成光刻膠圖案的方法及裝置。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0037]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0038]實施例1
[0039]下面，參照圖2和圖3來描述本發(fā)明提出的形成光刻膠圖案的方法一個示例性方法的詳細(xì)步驟。其中，圖2為本發(fā)明提出的形成光刻膠圖案的方法的流程圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明提出的形成光刻膠圖案的方法形成的光刻膠圖案的示意圖。本發(fā)明實施例的內(nèi)容具體如下:
[0040]步驟SlOl:提供形成有待構(gòu)圖薄膜的襯底，在所述待構(gòu)圖的薄膜上涂布一層光刻膠。
[0041]具體地,提供形成有待構(gòu)圖薄膜(film to pattern)的襯底(比如半導(dǎo)體沉底),在待構(gòu)圖薄膜上涂布一層光刻膠。具體的涂布光刻膠的方法，可以采用旋轉(zhuǎn)涂膠(Spin-on PRCoating)等方式。上述涂布光刻膠的工藝已經(jīng)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習(xí)，在此不再詳細(xì)加以描述。
[0042]步驟S102:對所述光刻膠進(jìn)行前烘。
[0043]具體地，在形成光刻膠后，對所述光刻膠進(jìn)行前烘處理(PAB)。前烘的方式可以為:利用真空熱板在85?120°C的溫度下對所述光刻膠烘烤30?60秒。進(jìn)行前烘的目的在于:除去光刻膠中的溶劑，增強(qiáng)黏附性和釋放光刻膠內(nèi)的應(yīng)力。
[0044]步驟S103:對所述光刻膠進(jìn)行曝光處理。
[0045]對光刻膠進(jìn)行曝光處理，所采用的曝光方法可以為、接觸式曝光(ContactPrinting)、接近式曝光(Proximity Printing)和投影式曝光(Pro jection Printing)等，具體工藝方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，此處不再贅述。
[0046]步驟S104:對曝光后的光刻膠進(jìn)行后烘處理。
[0047]在對光刻膠曝光后，可以對光刻膠進(jìn)行后烘(PEB, Post Exposure Baking)處理，具體的處理方法可以為:利用熱板，在Iio?130°C的溫度下對所述曝光后的光刻膠烘烤I分鐘。進(jìn)行后烘的可以實現(xiàn)如下技術(shù)效果:a、減少駐波效應(yīng)；b、激發(fā)化學(xué)增強(qiáng)光刻膠的PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護(hù)基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)并移除基團(tuán)使之能溶解于顯影液。
[0048]步驟S105:對所述光刻膠進(jìn)行顯影(development)處理。
[0049]對光刻膠進(jìn)行顯影(development)處理，以形成預(yù)定的光刻膠圖案。具體選用的顯影方式，可以為:整盒娃片浸沒式顯影(Batch Development)、連續(xù)噴霧顯影(ContinuousSpray Development)、水坑(旋覆浸沒)式顯影(Puddle Development)等。
[0050]步驟S106:對所述襯底進(jìn)行清洗(rinse)處理。
[0051]在光刻膠顯影后，對襯底進(jìn)行清洗處理，以去除襯底上的包括顯影液在內(nèi)的可能影響后續(xù)工藝制程的無關(guān)的化學(xué)品。
[0052]進(jìn)行清洗的方法，可以為使用去離子水(Deionized Water ;即DIW)進(jìn)行清洗，或者使用表面活性劑進(jìn)行清洗等。本發(fā)明實施例優(yōu)選為使用去離子水清洗。
[0053]步驟S107:對所述清洗后的光刻膠進(jìn)行低速旋轉(zhuǎn)干燥處理。
[0054]完成清洗后，對所述顯影后的光刻膠進(jìn)行低速旋轉(zhuǎn)干燥處理，以去除清洗液，獲得干燥的光刻膠圖案。其中，低速旋轉(zhuǎn)干燥處理，是相對于現(xiàn)有技術(shù)中的高速旋轉(zhuǎn)干燥處理而言，在本發(fā)明實施例中，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥處理時，固定襯底的機(jī)臺的轉(zhuǎn)速低于現(xiàn)有技術(shù)中的高速旋轉(zhuǎn)干燥處理的轉(zhuǎn)速。即，所述低速，是指轉(zhuǎn)速低于現(xiàn)有技術(shù)中的高速旋轉(zhuǎn)干燥處理的轉(zhuǎn)速。
[0055]具體而言，本發(fā)明實施優(yōu)選采用的轉(zhuǎn)速為100-1000rpm。而現(xiàn)有技術(shù)中，進(jìn)行高速旋轉(zhuǎn)干燥處理，一般選用的轉(zhuǎn)速為2500-4500rpm。
[0056]如圖3所示，使用本發(fā)明實施例的低速旋轉(zhuǎn)干燥的方式去除清洗液時，由于襯底的轉(zhuǎn)速較小，因而光刻膠圖案(比如圖案21、22)間的狹窄空間23內(nèi)的毛細(xì)彎液面24產(chǎn)生的毛細(xì)力(capillary force)會比較小，于是,不容易造成光刻膠圖案(比如圖案21、22等)的坍塌(collapse)現(xiàn)象，形成的圖案比較符合工藝要求。因此，也在一定程度上保證了利用該光刻膠圖案形成的器件圖形的良率。
[0057]步驟S108:將所述光刻膠送入蒸發(fā)室進(jìn)行干燥處理。
[0058]為了取得更好的干燥效果，可以進(jìn)一步的，將完成步驟S 107的光刻膠(連同襯底)送入蒸發(fā)室(evaporate chamber)繼續(xù)進(jìn)行干燥處理，因為在完成步驟S 107之后清洗光刻膠所使用的去離子水(Deionized Water ;即DIW)可能有殘留。并且，蒸發(fā)室對于殘留的少量的去離子水的干燥效果，要優(yōu)于低速旋轉(zhuǎn)干燥的效果。
[0059]其中，本發(fā)明實施例的蒸發(fā)室，是指可以進(jìn)行液體蒸發(fā)的一個密封腔體。
[0060]優(yōu)選的，所述蒸發(fā)室的環(huán)境為真空或接近真空的環(huán)境。實際工業(yè)生產(chǎn)中，實現(xiàn)純真空環(huán)境有一定難度且成本較高。故優(yōu)選的，所述蒸發(fā)室的氣壓被設(shè)定為l_20Pa，即接近真空環(huán)境。
[0061]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述蒸發(fā)室的溫度為1(T40°C。因為在該溫度范圍內(nèi)，可以使殘留的清洗光刻膠所使用的去離子水(Deionized Water ;即DIW)被較快地干燥去除,但不會發(fā)生沸騰現(xiàn)象。
[0062]優(yōu)選的，在本發(fā)明實施例中，可以在所述蒸發(fā)室中充入一定的(少量的)不與光刻膠、襯底及待構(gòu)圖薄膜發(fā)生反應(yīng)的氣體，如氮氣或惰性氣體，來增強(qiáng)殘留的清洗光刻膠所使用的去離子水(DIW)的布朗運動，達(dá)到快速去除去離子水的目的。進(jìn)一步優(yōu)選的，嚴(yán)格控制氣體的充入量，仍將蒸發(fā)室內(nèi)的氣壓控制在接近真空的狀態(tài)。
[0063]通過增加步驟S108，可以進(jìn)一步干燥光刻膠，且不會發(fā)生光刻膠坍塌的現(xiàn)象。完成步驟S108后，形成的光刻膠的圖案如圖4所示。
[0064]至此，完成了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的方法實施的全部工藝步驟。其中，步驟S102和步驟S104，可以省略。
[0065]本發(fā)明實施例的形成光刻膠圖案的方法，通過低速旋轉(zhuǎn)干燥的方式去除光刻膠清洗液，尤其是去離子水，由于襯底的轉(zhuǎn)速較小，因而光刻膠圖案間的毛細(xì)彎液面產(chǎn)生的毛細(xì)力(capillary force)會比較小,不容易造成光刻膠圖案的坍塌現(xiàn)象發(fā)生,保證了形成的圖案符合實際工藝要求。因此，也在一定程度上保證了利用該光刻膠圖案形成的器件圖形的良率。
[0066]圖3示出了本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖，用于簡要示出整個制造工藝的流程。
[0067]在步驟S201中，提供形成有待構(gòu)圖薄膜的襯底，在所述待構(gòu)圖薄膜上涂布一層光刻膠;
[0068]在步驟S202中，對所述光刻膠進(jìn)行曝光處理；
[0069]在步驟S203中，對所述光刻膠進(jìn)行顯影處理；
[0070]在步驟S204中，對所述顯影后的光刻膠進(jìn)行清洗處理；
[0071]在步驟S205中，對所述清洗后的光刻膠進(jìn)行低速旋轉(zhuǎn)干燥處理；
[0072]在步驟S206中，將所述光刻膠送入蒸發(fā)室進(jìn)行干燥處理。
[0073]實施例2
[0074]本發(fā)明實施例提供一種形成光刻膠圖案的裝置40，該裝置40用于完成本發(fā)明實施例I中的步驟S108，即用于對清洗后的光刻膠進(jìn)行干燥處理。如圖4所示，該裝置40包括:腔體41，設(shè)置于該腔體41上的密封結(jié)構(gòu)42和排氣系統(tǒng)43，設(shè)置于該腔體41內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)44和加熱板45。其中，所述密封結(jié)構(gòu)42用于在形成有待干燥的光刻膠的襯底400(比如晶圓)進(jìn)入腔體40后實現(xiàn)對腔體40的密封；所述排氣系統(tǒng)43用于排出所述腔體41內(nèi)的氣體；所述支撐結(jié)構(gòu)44用于支撐待干燥的物體400 ;所述加熱板45用于對所述待干燥的光刻膠進(jìn)行加熱。
[0075]其中，所述支撐結(jié)構(gòu)優(yōu)選為采用支撐針結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，該支撐針結(jié)構(gòu)優(yōu)選為采用三個支撐針的結(jié)構(gòu)，該三個支撐針構(gòu)成三角形以實現(xiàn)平穩(wěn)支撐。
[0076]其中，加熱板可以位于支撐結(jié)構(gòu)的上方或下方以及側(cè)面。
[0077]其中，排氣系統(tǒng)可以位于腔體的上方、下方或側(cè)面。
[0078]進(jìn)一步優(yōu)選的，本發(fā)明實施例的形成光刻膠圖案的裝置，還可以包括一個設(shè)置于所述腔體上的進(jìn)氣裝置(圖4中未示出)，用于充入氮氣或其他惰性氣體。更進(jìn)一步的，該進(jìn)氣裝置可以與排氣系統(tǒng)合二為一，即既可以實現(xiàn)進(jìn)氣也可以實現(xiàn)排氣。
[0079]本發(fā)明實施例的形成光刻膠圖案的裝置，可以實現(xiàn)實施例1中步驟S108中的蒸發(fā)室的功能。通過該裝置，可以進(jìn)一步對光刻膠進(jìn)行干燥處理，且不會發(fā)生光刻膠坍塌的現(xiàn)象。該裝置可以與現(xiàn)有技術(shù)中實現(xiàn)涂膠、曝光、顯影等的裝置配合使用，以防止光刻膠圖案的坍塌現(xiàn)象，實現(xiàn)更好的光刻膠圖案。
[0080]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種形成光刻膠圖案的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟: 步驟S201:提供形成有待構(gòu)圖薄膜的襯底，在所述待構(gòu)圖薄膜上涂布一層光刻膠； 步驟S202:對所述光刻膠進(jìn)行曝光處理； 步驟S203:對所述光刻膠進(jìn)行顯影處理； 步驟S204:對所述顯影后的光刻膠進(jìn)行清洗處理； 步驟S205:對所述清洗后的光刻膠進(jìn)行低速旋轉(zhuǎn)干燥處理； 步驟S206:將所述光刻膠送入蒸發(fā)室進(jìn)行干燥處理。
2.如權(quán)利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于，在所述步驟S204中，對所述顯影后的光刻膠進(jìn)行清洗處理采用的清洗液為去離子水。
3.如權(quán)利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于，在所述步驟S205中，對所述清洗后的光刻膠進(jìn)行低速旋轉(zhuǎn)干燥處理時，所采用的轉(zhuǎn)速為100-1000rpm。
4.如權(quán)利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于，在所述步驟S201和步驟S202之間，還包括對所述光刻膠進(jìn)行前烘處理的步驟。
5.如權(quán)利要求4所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于，所述對所述光刻膠進(jìn)行前烘處理的步驟，包括:利用真空熱板在85?120°C的溫度下對所述光刻膠烘烤30?60秒。
6.如權(quán)利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于，在所述步驟S202和步驟S203之間，還包括對所述曝光后的光刻膠進(jìn)行后烘處理的步驟。
7.如權(quán)利要求6所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于，所述對所述曝光后的光刻膠進(jìn)行后烘處理的步驟，包括:利用熱板，在110?130°C的溫度下，對所述曝光后的光刻膠烘烤I分鐘。
8.如權(quán)利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于，所述蒸發(fā)室為真空蒸發(fā)室。
9.如權(quán)利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于，在所述步驟S206中，所述蒸發(fā)室內(nèi)的氣壓為l_20Pa，溫度為1(T40°C。
10.如權(quán)利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于，在所述步驟S206中，所述蒸發(fā)室內(nèi)被充入少量的不與所述襯底、所述待構(gòu)圖薄膜以及所述光刻膠反應(yīng)的氣體。
11.一種形成光刻膠圖案的裝置，用于對清洗后的光刻膠進(jìn)行干燥處理，其特征在于，該裝置包括腔體，設(shè)置于所述腔體上的密封結(jié)構(gòu)和排氣系統(tǒng)，還包括設(shè)置于該腔體內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)和加熱板； 其中，所述密封結(jié)構(gòu)用于在待干燥的的光刻膠進(jìn)入所述腔體后實現(xiàn)對所述腔體的密封；所述排氣系統(tǒng)用于排出所述腔體內(nèi)的氣體；所述支撐結(jié)構(gòu)用于支撐形成有待干燥的光刻膠的襯底；所述加熱板用于對所述待干燥的光刻膠進(jìn)行加熱。
12.如權(quán)利要求11所述的形成光刻膠圖案的裝置，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)為由三個支撐針組成的支撐結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求11所述的形成光刻膠圖案的裝置，其特征在于，所述裝置還包括設(shè)置于所述腔體上的進(jìn)氣裝置。
【文檔編號】G03F7/00GK103676470SQ201210337284
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月12日
【發(fā)明者】丁麗華, 林益世, 胡華勇 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司