專利名稱：輻射源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及輻射源，所述輻射源適合于結(jié)合光刻設(shè)備使用或形成光刻設(shè)備的一部分，且尤其涉及流體流生成器。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻設(shè)備可用于例如IC制造過(guò)程中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，通過(guò)將圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。通常，單一襯底將包括相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)，所述相鄰目標(biāo)部分被連續(xù)地圖案化。光刻術(shù)被廣泛地看作制造IC和其他器件和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。然而，隨著通過(guò)使用光刻術(shù)制造的特征的尺寸變得越來(lái)越小，光刻術(shù)正變成允許制造微型IC或其他器件和/或結(jié)構(gòu)的更加關(guān)鍵的因素。圖案印刷的極限的理論估計(jì)可以由用于分辨率的瑞利法則給出，如等式⑴所示
權(quán)利要求
1.一種福射源，包括 貯存器，配置成保持一體積的燃料； 噴嘴，與貯存器流體連接，配置成沿著朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料的流；激光輻射組件，配置成將激光輻射引導(dǎo)到在等離子體形成位置處的所述燃料的流上，以產(chǎn)生用于產(chǎn)生輻射的等離子體；和 污染物過(guò)濾器組件，定位在輻射源的燃料流路中且在噴嘴出口的上游，污染物過(guò)濾器組件的過(guò)濾介質(zhì)被通過(guò)由至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體提供的夾持力保持在污染物過(guò)濾器組件內(nèi)的適合位置上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射源,其中過(guò)濾介質(zhì)通過(guò)已經(jīng)被收縮配合成圍繞過(guò)濾介質(zhì)且將夾持力施加至過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體保持在適合的位置上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的輻射源，其中一個(gè)或更多的圍繞物體包括下述中的一個(gè)或更多個(gè) 污染物過(guò)濾器組件的部件； 污染物過(guò)濾器組件的進(jìn)口； 污染物過(guò)濾器組件的出口； 污染物過(guò)濾器組件的過(guò)濾介質(zhì)外殼；或 用于運(yùn)送燃料的導(dǎo)管。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源，其中所述過(guò)濾介質(zhì)包括下述中的一個(gè)或更多個(gè) 陶瓷材料； 包括氧化鋯的陶瓷材料； 包括氧化鋁的陶瓷材料； 包括碳化娃的陶瓷材料；或 包括氮化硅的陶瓷材料。
5.一種流體流生成器，包括 貯存器，配置成保持一體積的流體； 噴嘴，與貯存器流體連接，且配置成沿著一軌跡引導(dǎo)流體的流； 污染物過(guò)濾器組件，定位在流體流生成器的流體流路中且在噴嘴出口的上游，污染物過(guò)濾器組件包括過(guò)濾介質(zhì)，其中所述過(guò)濾介質(zhì)被配置成通過(guò)由至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體提供的夾持力保持在污染物過(guò)濾器組件內(nèi)的適合位置上。
6.一種方法，包括 將過(guò)濾介質(zhì)包含到流體流生成器的污染物過(guò)濾器組件中；和 利用在污染物過(guò)濾器組件的使用期間將至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)且保持夾持力的一個(gè)或更多的物體將過(guò)濾介質(zhì)夾持在一位置上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述方法還包括 對(duì)在污染物過(guò)濾器組件的使用期間將至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的所述一個(gè)或更多的物體進(jìn)行加熱，用于使得所述一個(gè)或更多的物體膨脹至允許過(guò)濾介質(zhì)定位在一位置上的程度，由此所述一個(gè)或更多的物體圍繞過(guò)濾介質(zhì)； 將過(guò)濾介質(zhì)定位在所述位置上；和冷卻或允許冷卻圍繞過(guò)濾介質(zhì)的所述一個(gè)或更多的物體，使得至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的所述一個(gè)或更多的物體將夾持力施加到過(guò)濾介質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述加熱步驟是加熱至超過(guò)過(guò)濾器的操作溫度的溫度，使得在過(guò)濾器的操作期間保持夾持力。
9.一種方法，包括步驟 從流體流生成器過(guò)濾器的污染物過(guò)濾器組件移除過(guò)濾介質(zhì)，所述過(guò)濾介質(zhì)通過(guò)至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體被夾持在過(guò)濾器組件內(nèi)的合適位置上； 移除通過(guò)至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的所述一個(gè)或更多的物體所提供的夾持力；和 移除未被夾持的過(guò)濾介質(zhì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其中所述方法還包括步驟 對(duì)至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的所述一個(gè)或更多的物體進(jìn)行加熱，用于使得所述一個(gè)或更多的物體膨脹至允許移除過(guò)濾介質(zhì)的程度；和移除過(guò)濾介質(zhì)。
11.一種福射源，包括 貯存器，配置成保持一體積的燃料； 噴嘴，與貯存器流體連接，配置成沿著朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料的流；激光輻射組件，配置成將激光輻射引導(dǎo)到在等離子體形成位置處的所述燃料的流上，以產(chǎn)生用于產(chǎn)生輻射的等離子體；和 污染物過(guò)濾器組件，定位在輻射源的燃料流路中且在噴嘴出口的上游，污染物過(guò)濾器組件的過(guò)濾介質(zhì)包括陶瓷材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的輻射源，其中所述過(guò)濾介質(zhì)定位在污染物過(guò)濾器組件的過(guò)濾介質(zhì)外殼中，其中所述外殼的一個(gè)或更多的內(nèi)表面包括陶瓷材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的輻射源，其中所述過(guò)濾介質(zhì)包括下述中的一個(gè)或更多個(gè) 包括氧化鋯的陶瓷材料； 包括氧化鋁的陶瓷材料； 包括碳化娃的陶瓷材料；或 包括氮化硅的陶瓷材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求11-13中任一項(xiàng)所述的輻射源，其中所述過(guò)濾介質(zhì)被配置成通過(guò)由至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體提供的夾持力保持在污染物過(guò)濾器組件內(nèi)的適合位置上。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的輻射源，其中過(guò)濾介質(zhì)被配置成通過(guò)已經(jīng)被收縮配合成圍繞過(guò)濾介質(zhì)且將夾持力施加至過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體保持在適合的位置上。
16.一種流體流生成器，包括 貯存器，配置成保持一體積的流體； 噴嘴，與貯存器流體連接，且配置成沿著一軌跡引導(dǎo)流體的流； 污染物過(guò)濾器組件，定位在流體流生成器的流體流路中且在噴嘴出口的上游，污染物過(guò)濾器組件包括過(guò)濾介質(zhì),其中所述過(guò)濾介質(zhì)包括陶瓷材料。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源、流體流生成器或方法，其中燃料或流體是熔融的金屬。
18.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源、流體流生成器或方法，其中所述過(guò)濾器組件定位在貯存器和噴嘴出口之間。
19.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源、流體流生成器或方法，其中過(guò)濾介質(zhì)至少部分地沿著基本上平行于燃料或流體流的方向的方向延伸。
20.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源、流體流生成器或方法，其中陶瓷漿或聚酰亞胺密封定位在過(guò)濾介質(zhì)和一個(gè)或更多的圍繞物體中間。
21.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源、流體流生成器或方法，其中過(guò)濾介質(zhì)的平均孔尺寸小于或等于20 μ m、小于或等于5 μ m、或小于或等于I μ m。
22.—種光刻設(shè)備,包括 照射系統(tǒng)，用于提供輻射束； 圖案形成裝置，用于將圖案在輻射束的橫截面中賦予輻射束； 襯底保持裝置，用于保持襯底； 投影系統(tǒng)，用于將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，和 其中光刻設(shè)備還包括根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)或權(quán)利要求11-21中任一項(xiàng)所述的福射源或流體流生成器，或與根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)或權(quán)利要求11-21中任一項(xiàng)所述的輻射源或流體流生成器相連接。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種輻射源，包括貯存器，配置成保持一體積的燃料；噴嘴，與貯存器流體連接，配置成沿著朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料的流；激光器，配置成將激光輻射引導(dǎo)到在等離子體形成位置處的所述流上，以在使用中產(chǎn)生用于產(chǎn)生輻射的等離子體；和污染物過(guò)濾器組件，定位在輻射源的燃料流路中且在噴嘴出口的上游，污染物過(guò)濾器組件的過(guò)濾介質(zhì)被通過(guò)由至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體提供的夾持力保持在污染物過(guò)濾器組件內(nèi)的適合位置上。
文檔編號(hào)G03F7/20GK103019037SQ201210342390
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月23日
發(fā)明者J·范德?？? A·T·W·凱姆彭, A·C·庫(kù)普爾斯 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司