一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，其中陣列基板的制作方法包括：在用于制作陣列基板的玻璃基板上形成有源層后，在該玻璃基板上沉積氧化銦錫(ITO)，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成第一透明導(dǎo)電層，第一透明導(dǎo)電層作為像素電極，且第一透明導(dǎo)電層還搭接在有源層上作為薄膜晶體管(TFT)的漏極；在形成有第一透明導(dǎo)電層的玻璃基板上沉積金屬薄膜，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成TFT的源極。通過(guò)本發(fā)明，能夠進(jìn)一步提高基于高開口率邊緣電場(chǎng)切換(H-ADS)的陣列基板的像素(Pixel)開口率；并能提高溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比(W/L)，從而提高開啟電流(Ion)。
【專利說(shuō)明】一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)方向，薄膜晶體管液晶顯示裝置(TFT-1XD，Thin Fi ImTransistor Liquid Crystal Display)分為垂直電場(chǎng)型和水平電場(chǎng)型。其中，垂直電場(chǎng)型TFT-LCD包括:扭曲向列(TN，Twist Nematic)型TFT-LCD ;水平電場(chǎng)型TFT-LCD包括:高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(ADvanced Super Dimension Switch, AD-SDS,簡(jiǎn)稱 ADS)型 TFT-LCD,平面切換(IPS, In Plane Switching)型 TFT-LCD。
[0003]ADS技術(shù)是通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。
[0004]針對(duì)不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進(jìn)技術(shù)有高透過(guò)率1-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。
[0005]其中，基于H-ADS的陣列基板結(jié)構(gòu)如圖1所示，由玻璃基板11、柵線和柵極(Gate)層12、柵絕緣(Gate Insulator)層13、第一透明導(dǎo)電層(也稱IstITO層)14、有源(Active)層15、源極(Source) 16、漏極(Drain) 17、鈍化層18和第二透明導(dǎo)電層(也稱2nd ITO層)19構(gòu)成。其中，1st ITO(氧化銦錫，Indium Tin Oxides)層14是作為像素(Pixel)電極層，2nd ITO層是作為公共電極層；Source 16和Drain 17 —起構(gòu)成S/D (源極/漏極,Source/Drain)層。
[0006]目前基于H-ADS的陣列基板，其Pixel開口率已經(jīng)能夠達(dá)到比較高的程度，然而如何進(jìn)一步提高Pixel開口率來(lái)增大透過(guò)率成為目前的一個(gè)技術(shù)瓶頸。所謂Pixel開口率，是指Pixel的可透光區(qū)域占Pixel的總顯示區(qū)域的比例；所謂透過(guò)率，是指光通過(guò)陣列基板后的光強(qiáng)與入射前的光強(qiáng)之比。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以進(jìn)一步提高基于H-ADS的陣列基板的Pixel開口率。
[0008]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0009]本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，該方法包括:
[0010]在用于制作陣列基板的玻璃基板上形成有源層后，在所述玻璃基板上沉積氧化銦錫ΙΤ0，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成第一透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層作為像素電極，且所述第一透明導(dǎo)電層還搭接在所述有源層上作為薄膜晶體管TFT的漏極；
[0011]在形成有所述第一透明導(dǎo)電層的玻璃基板上沉積金屬薄膜，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成TFT的源極。
[0012]其中，在玻璃基板上形成有源層之前，該方法還包括:
[0013]在用于制作陣列基板的玻璃基板上沉積金屬薄膜，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成柵線和柵極層；
[0014]在形成有柵線和柵極層的玻璃基板上沉積柵絕緣層薄膜，形成柵絕緣層。
[0015]其中，在玻璃基板上形成有源層，具體為:
[0016]在形成有柵絕緣層的玻璃基板上沉積半導(dǎo)體層薄膜，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成有源層。
[0017]其中，在形成TFT的源極之后，該方法還包括:
[0018]在形成有TFT的源極的玻璃基板上，通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成鈍化層；
[0019]在形成鈍化層的玻璃基板上沉積ΙΤ0，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成第二透明導(dǎo)電層，所述第二透明導(dǎo)電層作為公共電極。
[0020]本發(fā)明還提供一種陣列基板，在玻璃基板上形成有柵線和柵極層，柵線和柵極層上形成有柵絕緣層，柵絕緣層上形成有有源層、第一透明導(dǎo)電層和源極，在源極上形成有鈍化層，在鈍化層上形成有第二透明導(dǎo)電層；其中，所述陣列基板的第一透明導(dǎo)電層搭接在有源層上，既作為像素電極，也作為薄膜晶體管TFT的漏極。
[0021]其中，所述第一透明導(dǎo)電層為氧化銦錫ΙΤ0。
[0022]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明的陣列基板。
[0023]本發(fā)明所提供的一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，通過(guò)將1st ITO層直接搭接在有源層上作為TFT的漏極，由于1st ITO是透明電極，因此可以有效提高陣列基板的Pixel開口率，進(jìn)而增大陣列基板的透過(guò)率；另外，由于TFT的源極和1st ITO層不屬于同一層，因此無(wú)需考慮曝光精度，可以將溝道區(qū)的長(zhǎng)度L做得比較小，這樣在保持溝道區(qū)寬度W不變的情況下可以有效的提高開啟電流(1n)，以保證對(duì)陣列基板的Pixel充電充足。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中H-ADS的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板的制作方法的流程圖一；
[0026]圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板的制作方法的流程圖二 ；
[0027]圖4為本發(fā)明實(shí)施例的H-ADS的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5為現(xiàn)有技術(shù)中H-ADS的陣列基板的Pixel的BM邊緣的示意圖；
[0029]圖6為本發(fā)明實(shí)施例中H-ADS的陣列基板的Pixel的BM邊緣的示意圖。
[0030]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0031]11 玻璃基板
[0032]12 Gate 層
[0033]13 Gate Insulator 層
[0034]14 1st ITO 層
[0035]15 Active 層
[0036]16 源極
[0037]17 漏極[0038]18 鈍化層
[0039]19 2nd ITO 層
【具體實(shí)施方式】
[0040]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)一步詳細(xì)闡述。
[0041]本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種H-ADS的陣列基板的制作方法，如圖2所示，主要包括:
[0042]步驟201，在用于制作陣列基板的玻璃基板上形成Active層后，在玻璃基板上沉積ΙΤ0，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序(即用于形成第一透明導(dǎo)電層的掩膜工序或構(gòu)圖工序)形成第一透明導(dǎo)電層(或稱1st ITO層)，該第一透明導(dǎo)電層作為像素電極，且該第一透明導(dǎo)電層還搭接在Active層上作為TFT的漏極。
[0043]步驟202，在形成有第一透明導(dǎo)電層的玻璃基板上沉積金屬薄膜，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序(即用于形成TFT的源極的掩膜工序或構(gòu)圖工序)形成TFT的源極。
[0044]其中，在玻璃基板上形成Active層之前，該方法還包括:
[0045]在用于制作陣列基板的玻璃基板上沉積金屬薄膜，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序(即用于形成柵線和柵極層的掩膜工序或構(gòu)圖工序)形成柵線和柵極層；
[0046]在形成有柵線和柵極層的玻璃基板上沉積柵絕緣層薄膜，形成柵絕緣層。
[0047]在玻璃基板上形成Active層，具體為:在形成有柵絕緣層的玻璃基板上沉積半導(dǎo)體層薄膜，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序(即用于形成Active層的掩膜工序或構(gòu)圖工序)形成Active 層。
[0048]在形成TFT的源極之后，該方法還包括:
[0049]在形成有TFT的源極的玻璃基板上，通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序(即用于形成鈍化層的掩膜工序或構(gòu)圖工序)形成鈍化層；
[0050]在形成鈍化層后的玻璃基板上沉積ΙΤ0，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序(即用于形成第二透明導(dǎo)電層的掩膜工序或構(gòu)圖工序)形成第二透明導(dǎo)電層(或稱2ndIT0層)，該第二透明導(dǎo)電層作為公共電極。
[0051]基于此，本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種較佳的H-ADS的陣列基板的制作方法，如圖3所示，主要包括:
[0052]步驟301，在用于制作陣列基板的玻璃基板上沉積金屬薄膜，并通過(guò)第一次掩膜工序(即用于形成柵線和柵極層的掩膜工序或構(gòu)圖工序)形成柵線和柵極層。
[0053]步驟302，在形成有柵線和柵極層的玻璃基板上沉積柵絕緣層薄膜，形成柵絕緣層。
[0054]步驟303，在形成有柵絕緣層的玻璃基板上沉積半導(dǎo)體層薄膜，并通過(guò)第二次掩膜工序(即用于形成Active層的掩膜工序或構(gòu)圖工序)形成Active層。
[0055]步驟304，在形成有Active層的玻璃基板上沉積ΙΤ0，并通過(guò)第三次掩膜工序(即用于形成第一透明導(dǎo)電層的掩膜工序或構(gòu)圖工序)形成第一透明導(dǎo)電層，該第一透明導(dǎo)電層作為像素電極，且該第一透明導(dǎo)電層還搭接在Active層上作為TFT的漏極。
[0056]步驟305，在形成有第一透明導(dǎo)電層的玻璃基板上沉積金屬薄膜，并通過(guò)第四次掩膜工序(即用于形成TFT的源極的掩膜工序或構(gòu)圖工序)形成TFT的源極。[0057]步驟306，在形成有TFT的源極的玻璃基板上，通過(guò)第五次掩膜工序(即用于形成鈍化層的掩膜工序或構(gòu)圖工序)形成鈍化層。
[0058]步驟307，在形成鈍化層后的玻璃基板上沉積ΙΤ0，并通過(guò)第六次掩膜工序(即用于形成第二透明導(dǎo)電層的掩膜工序或構(gòu)圖工序)形成第二透明導(dǎo)電層，該第二透明導(dǎo)電層作為公共電極。
[0059]經(jīng)過(guò)上述制作方法即能得到本發(fā)明實(shí)施例的H-ADS的陣列基板，該陣列基板的具體結(jié)構(gòu)如圖4所示。在圖4所示陣列基板結(jié)構(gòu)中，玻璃基板11上有通過(guò)第一次掩膜工序形成的 Gate 層 12, Gate 層 12 上形成有 Gate Insulator 層 13,在 Gate Insulator 層 13 上有通過(guò)第二次掩膜工序形成的Active層15、通過(guò)第三次掩膜工序形成的1st ITO層14、通過(guò)第四次掩膜工序形成的Source 16,在Source 16上形成有通過(guò)第五次掩膜工序形成的鈍化層18，在鈍化層18上形成有通過(guò)第六次掩膜工序形成的2nd ITO層19。其中，1st ITO層14直接搭接在Active層15上，既作為像素電極，也作為TFT的漏極；2nd ITO層19作為公共電極。優(yōu)選的，1st ITO層14可以使用ΙΤ0。
[0060]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將1st ITO層直接搭接在Active層上作為TFT的漏極，由于1st ITO是透明電極，因此可以有效提高陣列基板的Pixel開口率，進(jìn)而增大陣列基板的透過(guò)率。
[0061]另外，由于H-ADS的陣列基板，其公共電極是由2nd ITO構(gòu)成，因此公共電極和數(shù)據(jù)(Date)線的耦合電容較大，存儲(chǔ)電容(cst)和液晶電容(clc)也比較大，從而使得基板功耗(Panel Load)較大，因此必須要保證較大的開啟電流(1n)才能保證對(duì)陣列基板的Pixel充電充足。
[0062]本發(fā)明實(shí)施例的H-ADS的陣列基板相比現(xiàn)有技術(shù)，由于TFT的Source和1st ITO層不屬于同一層，因此不用考慮曝光精度，可以將溝道區(qū)的長(zhǎng)度L做得比較小(對(duì)比圖1和圖4所示的陣列基板結(jié)構(gòu)，圖3所示的陣列基板中，溝道區(qū)的長(zhǎng)度L可以做到相對(duì)更小)，現(xiàn)有技術(shù)中的L在4微米(um)，而本發(fā)明實(shí)施例的L可以做到2um ;這樣在保持溝道區(qū)寬度W不變的情況下可以有效的提高開啟電流(1n)，以保證對(duì)陣列基板的Pixel充電充足。
[0063]具體的，對(duì)比圖5所示現(xiàn)有技術(shù)中H-ADS的陣列基板的Pixel的黑矩陣(BM)邊緣，和圖6所示本發(fā)明實(shí)施例中H-ADS的陣列基板的Pixel的BM邊緣，由于現(xiàn)有H-ADS的陣列基板在制作過(guò)程中，其形成的S/D層由同層金屬構(gòu)成，因此受限于曝光精度，溝道區(qū)的長(zhǎng)度L通常要保證有一定的寬度(如4um以上)；而本發(fā)明實(shí)施例的H-ADS的陣列基板，由于采用1st ITO作為TFT的漏極，Source和1st ITO層不屬于同一層，因此無(wú)需考慮曝光精度，可以將溝道區(qū)的長(zhǎng)度L做得比較小，這樣在保持溝道區(qū)寬度W不變的情況下，能提高溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比(W/L)，可以有效的提高開啟電流(1n)，以保證對(duì)陣列基板的Pixel充電充足。
[0064]另外，由于1st ITO是透明的金屬氧化物，在用1st ITO來(lái)代替非透明金屬作為TFT的漏極材料后，可以將BM(位于彩膜基板上)的邊緣向Gate線靠近，只要保持兩者之間的距離滿足對(duì)盒精度(Assy Margin)即可,這樣可以進(jìn)一步提高Pixel開口率。對(duì)比圖5和圖6可以看出，圖5中所示的非透明金屬作的TFT漏極被圖6所示的1st ITO代替后，圖6中所示的BM的邊緣相比圖5，其可以離Gate線更近，只要保持BM的邊緣和Gate線之間的距離滿足Assy Margin (如5.5um以上)即可,這樣可以進(jìn)一步提高Pixel開口率。
[0065]本發(fā)明的實(shí)施例，不僅可以適用于H-ADS類型的陣列基板，也適用于其他類型的陣列基板，如TN、ADS等。
[0066]需要說(shuō)明的是，由于本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板通常應(yīng)用于顯示裝置中，因此，采用了具有本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的顯示裝置，應(yīng)當(dāng)也屬于本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0067]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,該方法包括: 在用于制作陣列基板的玻璃基板上形成有源層后，在所述玻璃基板上沉積氧化銦錫ITO，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成第一透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層作為像素電極，且所述第一透明導(dǎo)電層還搭接在所述有源層上作為薄膜晶體管TFT的漏極； 在形成有所述第一透明導(dǎo)電層的玻璃基板上沉積金屬薄膜，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成TFT的源極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述陣列基板的制作方法，其特征在于，在玻璃基板上形成有源層之前，該方法還包括: 在用于制作陣列基板的玻璃基板上沉積金屬薄膜，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成柵線和柵極層； 在形成有柵線和柵極層的玻璃基板上沉積柵絕緣層薄膜，形成柵絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述陣列基板的制作方法，其特征在于，在玻璃基板上形成有源層，具體為: 在形成有柵絕緣層的玻璃基板上沉積半導(dǎo)體層薄膜，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成有源層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述陣列基板的制作方法，其特征在于，在形成TFT的源極之后，該方法還包括: 在形成有TFT的源極的玻璃基板上，通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成鈍化層； 在形成鈍化層的玻璃基板上沉積ITO，并通過(guò)相應(yīng)的掩膜工序形成第二透明導(dǎo)電層，所述第二透明導(dǎo)電層作為公共電極。
5.一種陣列基板，其特征在于，在玻璃基板上形成有柵線和柵極層，柵線和柵極層上形成有柵絕緣層，柵絕緣層上形成有有源層、第一透明導(dǎo)電層和源極，在源極上形成有鈍化層，在鈍化層上形成有第二透明導(dǎo)電層；其中，所述陣列基板的第一透明導(dǎo)電層搭接在有源層上，既作為像素電極，也作為薄膜晶體管TFT的漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述陣列基板，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層為氧化銦錫ITO。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求5或6所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK103681481SQ201210343109
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月14日
【發(fā)明者】王世君, 陳小川, 薛海林, 徐宇博 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司