專利名稱：用于控制euv曝光劑量的方法和euv光刻方法及使用這樣的方法的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于控制包括EUV輻射源的光刻設(shè)備的EUV曝光劑量的方法、系統(tǒng)以及設(shè)備。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻設(shè)備可用于例如IC制造過程中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，通過將圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。通常，單一襯底將包括相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)，所述相鄰目標(biāo)部分被連續(xù)地圖案化。
光刻術(shù)被廣泛地看作制造IC和其他器件和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。然而，隨著通過使用光刻術(shù)制造的特征的尺寸變得越來越小，光刻術(shù)正變成允許制造微型IC或其他器件和/或結(jié)構(gòu)的更加關(guān)鍵的因素。
圖案印刷的極限的理論估計可以由用于分辨率的瑞利法則給出，如等式⑴所示
Cl) = k'*(I)
其中λ是所用輻射的波長，NAps是用以印刷圖案的投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，Ic1是依賴于工藝的調(diào)節(jié)因子，也稱為瑞利常數(shù)，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或臨界尺寸)。由等式(I)知道，特征的最小可印刷尺寸的減小可以由三種途徑實(shí)現(xiàn)通過縮短曝光波長入、 通過增大數(shù)值孔徑NAps或通過減小Ic1的值。
為了縮短曝光波長并因此減小最小可印刷尺寸，已經(jīng)提出使用極紫外(EUV)輻射源。EUV輻射是波長在5-20nm范圍內(nèi)的電磁輻射，例如波長在13-14nm范圍內(nèi)。還已經(jīng)提出可以使用波長小于IOnm的EUV輻射，例如波長在5-lOnm范圍內(nèi)，例如6. 7nm或6. 8nm的波長。這樣的輻射被用術(shù)語極紫外輻射或軟X-射線輻射表示?？捎玫脑窗ɡ缂す猱a(chǎn)生的等離子體源和放電等離子體源。
可以通過使用等離子體產(chǎn)生EUV輻射。用于產(chǎn)生EUV輻射的輻射系統(tǒng)可以包括用于激發(fā)燃料以提供等離子體的激光器和用于容納等離子體的源收集器設(shè)備。等離子體可以例如通過引導(dǎo)激光束至燃料來產(chǎn)生，燃料例如可以是合適的材料(例如錫)的顆粒，或合適的氣體或蒸汽的流，例如氙氣或鋰蒸汽。所形成的等離子體輻射輸出輻射，例如EUV輻射， 其通過使用輻射收集器收集。輻射收集器可以是反射鏡式正入射輻射收集器，其接收輻射并將輻射聚焦成束。
源收集器設(shè)備可以包括布置成提供支持等離子體的真空環(huán)境的包封結(jié)構(gòu)或源腔。 這樣的系統(tǒng)典型地被稱作激光產(chǎn)生等離子體(LPP)源。
在投影光刻術(shù)中，期望在將圖案成像到設(shè)置在襯底上的抗蝕劑層上期間將有效的 曝光劑量保持在公差范圍內(nèi)。光刻設(shè)備的對應(yīng)的功能被在下文稱作劑量控制或簡單地稱為 DC，其意味著將每秒發(fā)射的EUV輻射能量保持在特定的恒定值。通常，曝光劑量涉及光強(qiáng) 度、狹縫寬度以及晶片掃描的速度。利用CO2激光器的LPP源，通過控制驅(qū)動CO2激光器的 RF泵浦能量以及隨后控制每個激光輻射脈沖中的能量來提供劑量控制。LPP源將典型地將 以每秒幾千或幾萬的速率產(chǎn)生燃料液滴以及激光脈沖。通過改變RF泵浦能量的已知機(jī)制 的劑量控制通常不足夠快速以校正可能在脈沖至脈沖的時間標(biāo)度上發(fā)生的被發(fā)射的輻射 的變化。發(fā)明內(nèi)容
為了優(yōu)選可以每單位時間曝光的管芯的數(shù)量，期望提供可代替的劑量控制的方 法，尤其是提供響應(yīng)更快速以及足夠快速地例如用于校正EUV輻射劑量的脈沖至脈沖變化 的劑量控制。
根據(jù)本發(fā)明的至少一個實(shí)施例的一個方面，提供了一種控制具有EUV輻射源的光 刻設(shè)備的EUV曝光劑量的方法，所述方法包括步驟從脈沖至脈沖控制轉(zhuǎn)換效率，利用該 轉(zhuǎn)換效率通過設(shè)定低于最大可實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)換效率但是足以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)EUV曝光劑量的目標(biāo)轉(zhuǎn) 換效率，由對應(yīng)的激勵的激光輻射脈沖激勵燃料材料來產(chǎn)生EUV輻射脈沖，使得正的和負(fù) 的劑量校正兩者可以通過改變所述轉(zhuǎn)換效率高于和低于所述目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率而被施加在脈 沖之間。
本發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識到，改變轉(zhuǎn)換效率的機(jī)制可以被使得比改變LPP源中的激光的 主脈沖能量的機(jī)制大得多的響應(yīng)性。因此，改變轉(zhuǎn)換效率提供了一種在短得多的時間尺度 上以及從脈沖至脈沖(如果期望的話)控制EUV輻射劑量的方式。
目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率可以被有意設(shè)定成低于最大可實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)換效率。這給出了從名義值 向上和向下改變轉(zhuǎn)換效率的選擇，使得能夠在目標(biāo)值的附近實(shí)施簡單的反饋控制。
在一些實(shí)施例中，膨脹的燃料材料的位置和激光輻射的橫截面之間的空間重疊被 改變以改變轉(zhuǎn)換效率。例如，這可以被實(shí)現(xiàn)，但是改變激光能量的脈沖的時序(timing)，同 時其它的方法是可利用的。
在一些實(shí)施例中，所述方法改變預(yù)先脈沖的時序和/或能量，其被用于加熱和膨 脹燃料材料。
在一些實(shí)施例中，改變轉(zhuǎn)換效率的方法導(dǎo)致EUV輻射分布變化。這些變化可以以 各種方式補(bǔ)償，例如用于操作使分布返回至期望的位置，或?qū)崿F(xiàn)在幾個脈沖上的期望的平 均分布。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種器件制造方法，包括步驟控制具有EUV輻射 源類型的光刻設(shè)備的EUV曝光劑量，其中借助于從脈沖至脈沖控制轉(zhuǎn)換效率通過由對應(yīng)的 激勵激光輻射的脈沖激勵膨脹的被加熱的燃料材料的部分來產(chǎn)生EUV輻射脈沖，利用該轉(zhuǎn) 換效率通過設(shè)定低于最大可實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)換效率但是足以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)EUV曝光劑量的目標(biāo)轉(zhuǎn)換 效率將所述激光輻射轉(zhuǎn)換成所述EUV輻射，使得正的和負(fù)的劑量校正兩者能夠通過改變所 述轉(zhuǎn)換效率高于和低于所述目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率而被施加在脈沖之間；將所述EUV輻射圖案化以 形成圖案化的輻射束；和將圖案化的輻射束投影到襯底上。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種光刻設(shè)備，包括EUV輻射源；照射系統(tǒng)，配置成調(diào)節(jié)從所述EUV輻射源接收的輻射束；支撐結(jié)構(gòu)，構(gòu)造成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠在輻射束的橫截面中賦予輻射束圖案以形成圖案化的輻射束；襯底臺，構(gòu)造成保持襯底；投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上；和控制器，配置成借助于從脈沖至脈沖控制轉(zhuǎn)換效率來控制由所述EUV輻射源產(chǎn)生的曝光劑量，利用該轉(zhuǎn)換效率通過設(shè)定低于最大可實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)換效率但是足以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)EUV曝光劑量的目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率，借助于對膨脹的被加熱的燃料材料部分而將所述激勵激光輻射轉(zhuǎn)換成所述EUV輻射，使得正的和負(fù)的劑量校正兩者可以通過改變所述轉(zhuǎn)換效率高于和低于所述目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率而被施加在脈沖之間。
從對下文描述的示例和隨附的權(quán)利要求的考慮，本領(lǐng)域讀者將明白本發(fā)明的這些和其它方面。


現(xiàn)在將參考隨附的示意性附圖僅通過舉例的方式描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中相應(yīng)的參考標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備；
圖2是圖1中的光刻設(shè)備的實(shí)施例的更詳細(xì)的示意圖3示意性示出在最大轉(zhuǎn)換效率CE的情形中圖1中的光刻設(shè)備中的目標(biāo)材料預(yù)處理位置和等離子體形成位置；
圖4示意性示出導(dǎo)致了減小的CE的液滴云和主脈沖激光束之間的不匹配；
圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在控制CE時主激光脈沖和沿著軌跡TR 行進(jìn)的液滴云之間的相互作用的變化程度；
圖6是在圖5的實(shí)施例的操作中的CE對不匹配距離δ的示意圖7(a)、(b)和(C)示意性地顯示圖5的實(shí)施例中的在三種不同的CE設(shè)定下的主脈沖和燃料云之間的相互作用區(qū)域；
圖8(a)、(b)和(C)示意性地顯示本發(fā)明的實(shí)施例中的在三種不同的CE設(shè)定下的兩個主激光脈沖和各自的燃料云之間的相互作用區(qū)域；
圖9(a)和(b)示意性地顯示出在本發(fā)明的實(shí)施例中的在三種不同的CE設(shè)定下的所述云和主激光脈沖之間的相互作用區(qū)域；
圖10示意性地顯示在光刻設(shè)備的操作中的晶片(襯底)上的曝光狹縫的掃描方向；
圖11示意性地示出通過改變預(yù)脈沖能量控制CE的本發(fā)明的實(shí)施例；
圖12是在圖11的實(shí)施例的操作中CE對燃料云的尺寸的示意圖13示意性地示出通過改變預(yù)脈沖能量控制CE的本發(fā)明的實(shí)施例；和
圖14是在圖13的實(shí)施例的操作中CE對燃料云的尺寸的示意圖。
具體實(shí)施方式
圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的包括源收集器設(shè)備42的光刻設(shè)備 100。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置成調(diào)節(jié)輻射束B (例如EUV輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模或掩模版)MA，并與配置 用于精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造 用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于精確地定位襯底的第二定位裝 置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如反射式投影系統(tǒng))PS,其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦 予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。
照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜 電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。
所述支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成 裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用 機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或 臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位 于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。
術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截 面上賦予輻射束、以便在襯底W的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。被賦予輻射束的圖案 將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。
圖案形成裝置可以是透射式或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程 反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二 元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模 類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨(dú)立地傾 斜，以便沿不同的方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡 矩陣反射的輻射束。
與照射系統(tǒng)類似，投影系統(tǒng)可以包括多種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、 磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)部件、或其它類型的光學(xué)部件，或其任意組合，如對于所使用 的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用真空之類的其他因素所適合的?？梢云谕麑⒄婵窄h(huán) 境用于EUV輻射，因?yàn)槠渌鼩怏w可能會吸收太多的輻射。因此借助真空壁和真空泵可以在 整個束路徑上提供真空環(huán)境。
如此處所示，所述設(shè)備是反射型的(例如采用反射式掩模)。
光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙平臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的掩模 臺)的類型。在這種“多平臺”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個 臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。
參照圖1，所述照射器IL接收從源收集器設(shè)備42發(fā)出的極紫外輻射束。用于產(chǎn)生 EUV光的方法包括但不必限于將材料轉(zhuǎn)換為等離子體狀態(tài)，該材料具有至少一種元素(例 如氙、鋰或錫)，其中在EUV范圍內(nèi)具有一個或更多個發(fā)射線。在一種這樣的方法中，通常稱 為激光產(chǎn)生等離子體(“LPP”)，所需的等離子體可以通過以激光束照射燃料來產(chǎn)生，燃料 例如是具有所需線發(fā)射元素的材料的液滴、流或簇團(tuán)。源收集器設(shè)備42可以是包括用于提 供激發(fā)燃料的激光束的激光器(圖1中未示出)的EUV輻射系統(tǒng)的一部分。所形成的等離 子體發(fā)射輸出輻射，例如EUV輻射，其通過使用設(shè)置在源收集器設(shè)備內(nèi)的輻射收集器收集。 激光器和源收集器設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)使用CO2激光器提供用于燃料激發(fā)的激 光束時)。
在這種情況下，不會將激光器考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的引導(dǎo)反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)的幫助，將所述輻射束從激光器傳到源收集器設(shè)備。在其它情況下，所述源可以是源收集器設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是放電產(chǎn)生的等離子體EUV產(chǎn)生器(通常稱為DPP源)時)。
所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如琢面場反射鏡裝置和琢面光瞳反射鏡裝置(或稱為多小平面反射鏡裝置和多小平面光瞳反射鏡裝置)?？梢詫⑺稣丈淦饔糜谡{(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。
所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)ΜΤ上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模)ΜΑ上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經(jīng)被圖案形成裝置(例如，掩模)ΜΑ反射后，所述輻射束B穿過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)將輻射束B聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器PS2 (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器PSl用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置(例如，掩模)ΜΑ?？梢允褂醚谀?zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來對準(zhǔn)圖案形成裝置(例如，掩模)MA和襯底W。
示出的設(shè)備可以用于下列模式中的至少一種
1.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標(biāo)部分C曝光。
2.在掃描模式中，在對支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和襯底臺WT同步地進(jìn)行掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(B卩，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT 相對于支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。
3.在另一模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT 保持為基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進(jìn)行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通?？梢圆捎妹}沖輻射源，并且在所述襯底臺WT 的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。
也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。
圖2更詳細(xì)地示出設(shè)備100，包括 源收集器設(shè)備42、照射系統(tǒng)IL以及投影系統(tǒng)PS。 源收集器設(shè)備42被構(gòu)造和布置成使得真空環(huán)境可以保持在源收集器設(shè)備42的包封結(jié)構(gòu)47 中。用于發(fā)射EUV輻射的等離子體210可以通過放電產(chǎn)生等離子體源形成。EUV輻射可以通過例如Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽的氣體或蒸汽來產(chǎn)生，其中溫度非常高的等離子體210 被產(chǎn)生以發(fā)射在電磁光譜的EUV范圍內(nèi)的輻射。溫度非常高的等離子體210例如由光學(xué)激勵來生成，該光學(xué)激勵使用導(dǎo)致至少部分電離的等離子體的CO2激光器。例如分壓為1OPa 的Xe，Li，Sn的蒸汽或任何其它的適合的氣體或蒸汽可能對于有效地產(chǎn)生輻射來說是需要的。在實(shí)施例中，被激勵的錫(Sn)的等離子體被提供以產(chǎn)生EUV輻射。
源收集器設(shè)備42包括源腔47，在本實(shí)施例中不僅基本上包封EUV輻射源，而且還包封收集器反射鏡50，其在圖2的實(shí)施例中是正入射收集器，例如多層反射鏡。
作為LPP EUV輻射源的一部分，激光系統(tǒng)61 (在下文中更詳細(xì)地描述的)被構(gòu)造和布置成提供激光束63，該激光束63由束傳遞系統(tǒng)65傳輸通過設(shè)置在收集器反射鏡50中的孔67。另外，源收集器設(shè)備包括諸如Sn或Xe等目標(biāo)材料69，其由目標(biāo)材料供給裝置71 供給。在本實(shí)施例中，束傳遞系統(tǒng)65被布置成建立與預(yù)定的等離子體形成位置73 —致的束路徑。等離子體形成位置可以布置成與收集器反射鏡50的第一焦點(diǎn)大致重合。
在操作中，還可以稱作為燃料的目標(biāo)材料69由目標(biāo)材料供給裝置71以液滴的形式供給。在這樣的目標(biāo)材料69的液滴到達(dá)預(yù)定的等離子體形成位置73時，激光束63撞擊液滴，用于發(fā)射EUV輻射的等離子體210在源腔47內(nèi)部形成。在脈沖式激光器的情況下， 這涉及對激光輻射脈沖的時序，以與液滴通過位置73相一致。在圖2的實(shí)施例中，在位置 73處由等離子體發(fā)射的EUV輻射通過正入射收集器反射鏡50聚焦，且可選地通過光譜純度濾光片SPF聚焦到收集器反射鏡50的第二焦點(diǎn)上。
從源腔47射出的輻射束經(jīng)由所謂的正入射反射器53、54橫穿照射系統(tǒng)IL，如由輻射束56在圖2中所顯示的。正入射反射器將束56引導(dǎo)到定位在支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模版或掩模臺)MT上的圖案形成裝置(例如掩模版或掩模)上。形成了圖案化的束57，其經(jīng)由反射元件58、59通過投影系統(tǒng)PS成像到由晶片平臺或襯底臺WT承載的襯底上。比圖示出的元件更多的元件可以通常設(shè)置在照射系統(tǒng)IL中和在投影系統(tǒng)PS中。例如，在投影系統(tǒng)PS 中，除了圖2中顯示的兩個元件58和59之外，可以設(shè)置一個、兩個、三個、四個或甚至更多的反射元件。
如在圖2中示意性地顯示的，可以應(yīng)用透射式光學(xué)光譜純度濾光片SPF。對于EUV 是透射的以及對于UV輻射或紅外輻射是較不透射的或甚至是基本上吸收UV輻射或紅外輻射的光譜濾光片在本領(lǐng)域中是已知的，并包括光柵或透射式濾光片。
參考圖2，源收集器設(shè)備42布置成將激光束63沉積到燃料(諸如氙(Xe)、錫(Sn) 或鋰(Li))中，從而產(chǎn)生具有幾十eV的電子溫度的高度電離的等離子體210。更高能量的 EUV輻射可以用其它燃料材料產(chǎn)生，例如Tb和Gd。在這些離子的去激勵和再結(jié)合期間產(chǎn)生的高能輻射從等離子體發(fā)射出，通過近正入射收集器50收集并聚焦到孔52上。等離子體 210和孔52分別定位在收集器50的第一和第二焦點(diǎn)。
為了傳輸燃料(其例如是液態(tài)錫)，液滴生成器或目標(biāo)材料供給裝置71被布置在源腔47中，用于朝向等離子體210的期望的位置73發(fā)射液滴流。在操作中，激光束63可以在目標(biāo)材料供給裝置71的操作的同時被傳輸，以傳輸輻射脈沖用于將每個燃料液滴轉(zhuǎn)換成等離子體210。液滴的傳輸頻率可以是幾千赫茲，或甚至幾十或幾百千赫茲。在實(shí)踐中，激光束63可以通過激光器系統(tǒng)61以至少兩個脈沖傳輸具有有限能量的預(yù)先脈沖PP 被在其到達(dá)等離子體位置73之前傳輸至液滴，用于將燃料材料蒸發(fā)成小的云，且之后激光能量的主脈沖MP被傳輸至期望位置73處的云，用于生成等離子體210。在典型的例子中， 等離子體210的直徑是大約200-300 μ m。阱72設(shè)置在包封結(jié)構(gòu)47的相對側(cè)上，用于捕獲由于任何原因未轉(zhuǎn)換成等離子體的燃料。
更詳細(xì)地參考激光器系統(tǒng)61，在所示出的例子中激光器是MOPA(主控振蕩器的功率放大器)類型的。激光器系統(tǒng)61包括“主”激光器或“種子”激光器，在圖中標(biāo)識為MO， 它的后面是功率放大器系統(tǒng)PA，用于朝向膨脹的液滴云發(fā)射激光能量的主脈沖；以及用于朝向液滴發(fā)射激光能量的預(yù)先脈沖的預(yù)先脈沖激光器。束傳遞系統(tǒng)65被提供以將激光能量63傳輸?shù)皆辞?7中。在實(shí)踐中，激光能量的預(yù)先脈沖單元可以通過獨(dú)立的激光器進(jìn)行傳輸。激光器系統(tǒng)61、目標(biāo)材料供給裝置71和其它部件可以通過控制模塊20進(jìn)行控制。 控制模塊20可以執(zhí)行許多控制功能，和具有用于系統(tǒng)的各種元件的許多傳感器輸入和控制輸出。傳感器可以定位在源收集器設(shè)備42的元件中和其周圍，以及可選地在光刻設(shè)備中的其它地方。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，主脈沖和預(yù)先脈沖源自同一激光器。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，主脈沖和預(yù)先脈沖源自彼此獨(dú)立的不同的激光器。
如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，可以為測量和描述設(shè)備的幾何構(gòu)型和行為、其各種部件以及輻射束55、56、57而定義參考軸X、Y和Ζ。在設(shè)備的每一部分處，可以定義Χ、Υ和Z軸的局部參考框架。局部參考系統(tǒng)的Z軸可以例如與系統(tǒng)中的給定點(diǎn)處的光軸O的方向重合, 或可以垂直于圖案形成裝置(掩模版)MA的平面并垂直于襯底W的平面。在源收集器設(shè)備 42中，X軸基本上與下文描述的燃料流69的方向重合，而Y軸垂直于燃料流69的方向，Y 軸從圖3中顯示的頁面指向外。另一方面，在保持掩模版MA的支撐結(jié)構(gòu)MT的附近，X軸大致橫向于與Y軸對準(zhǔn)的掃描方向。為了簡便，在示意圖2的區(qū)域中，X軸從頁面指向外，也如標(biāo)記所示。這些表示方式在本領(lǐng)域中是常規(guī)的，且在此處為了簡便而被采用。原則上，可以選擇任何參考系以描述所述設(shè)備和其的行為。
許多措施可以應(yīng)用于控制器20中。這樣的措施包括監(jiān)控用于發(fā)射EUV輻射的等離子體210的像的位置；該像也被稱作虛源點(diǎn)或中間焦點(diǎn)IF，定位在收集器反射鏡50的第二焦點(diǎn)處或附近。所述措施尤其是包括核對中間焦點(diǎn)IF是否關(guān)于在源腔47的出口處的孔 52居中。在基于LPP源的系統(tǒng)中，對準(zhǔn)的控制通常通過控制等離子體210的位置而不是通過移動收集器光學(xué)裝置50來實(shí)現(xiàn)。收集器光學(xué)裝置、出射孔52以及照射器IL在建立過程期間被精確地對準(zhǔn)，使得孔52定位在收集器光學(xué)裝置的第二焦點(diǎn)。然而，由EUV輻射在源光學(xué)裝置的出口處形成的虛源點(diǎn)IF的精確位置依賴于等離子體210相對于收集器光學(xué)裝置的第一焦點(diǎn)的精確位置。足夠精確地固定該位置用于保持足夠的對準(zhǔn)通常需要主動監(jiān)控和控制。
為此目的，在該示例中的控制器20可以通過控制燃料的注射以及還例如通過賦予來自激光器系統(tǒng)61的脈沖能量的時序來控制等離子體210 (EUV輻射源)的位置。在典型的例子中，賦予激光輻射63的脈沖能量被以50kHz (周期20 μ s)的速率傳輸，且以例如 20ms至20秒的任何持續(xù)時間連續(xù)發(fā)射(in burst)。每一主激光脈沖的持續(xù)時間可以是約 I μ s，而所形成的EUV輻射脈沖可以持續(xù)約2 μ S。通過適合的控制，可以保持EUV輻射束55 被通過收集器光學(xué)裝置50精確地聚焦到孔52上，且相對于孔52居中。如果其未被實(shí)現(xiàn)， 那么束的全部或一部分將撞擊包封結(jié)構(gòu)的周圍材料。在該情形中，散熱機(jī)制可以用于吸收入射到包封結(jié)構(gòu)上的EUV輻射。
根據(jù)當(dāng)前的實(shí)踐， 控制模塊20被供給來自一個或更多的傳感器陣列(未顯示)的監(jiān)控數(shù)據(jù)，其提供用于等離子體的位置的信息的第一反饋路徑。所述傳感器可以是各種類型的傳感器，例如如在美國專利申請公開No. 2005/0274897A1中所描述的。傳感器可以定 位在沿著輻射束路徑的多于一個的位置處。在一實(shí)施例中，傳感器可以例如定位在場反射 鏡裝置53的周圍和/或后面。剛剛描述的傳感器信號可以用于對照射器IL和投影系統(tǒng)PS 的光學(xué)系統(tǒng)的控制。它們還可以被用于經(jīng)由反饋路徑來幫助源收集器設(shè)備42的控制模塊 20，用于調(diào)整EUV等離子體源73的強(qiáng)度和位置。傳感器信號可以被處理例如用于確定虛源 IF的被觀察的位置，這被外推以間接地確定EUV源的位置。如果虛源位置出現(xiàn)漂移(如由 傳感器信號顯示)，那么可以通過控制模塊20來施加校正以使得束在孔52中重新居中。 另外，束傳遞系統(tǒng)65可以包括反射鏡。由激光器系統(tǒng)61發(fā)射的激光的主脈沖可以入射到 反射鏡上，并通過反射鏡朝向目標(biāo)材料69的液滴引導(dǎo)。傳感器可以放置成靠近這樣的用于 監(jiān)控反射鏡的傾斜角度的反射鏡，與傾斜角度相關(guān)的相關(guān)監(jiān)控數(shù)據(jù)被反饋至控制模塊20。 控制模塊20可以使用來自傳感器的相關(guān)的監(jiān)控數(shù)據(jù)，用于觸發(fā)致動器AC來調(diào)整反射鏡的 傾斜角度。
不是完全依賴于來自照射器傳感器的信號，附加的傳感器和反饋路徑將通常設(shè)置 在源收集器設(shè)備42自身內(nèi)，用于提供對輻射源的更加迅速的、直接的和/或獨(dú)立的控制。這 樣的傳感器可以包括一個或更多的照相機(jī)，例如監(jiān)控等離子體的位置。通過裝置的這種組 合，束55的位置可以保持在孔52中，對設(shè)備的損壞被避免，輻射的有效使用被保持。
除了監(jiān)控等離子體210的位置之外，在照射系統(tǒng)處的傳感器和在掩模版高度水平 處的傳感器監(jiān)控EUV輻射的強(qiáng)度，并提供反饋給控制模塊20。傳統(tǒng)地，例如通過調(diào)整激光脈 沖的能量來控制強(qiáng)度。
穿過收集器光學(xué)裝置50的輻射在本示例中穿過定位在中間焦點(diǎn)IF附近的透射式 光譜純度濾光片SPF。
在美國專利申請公開出版物No. 2011/0013166中描述了一種LPPEUV光源，其包括 用激光的預(yù)先脈沖和激光的主脈沖依次輻射目標(biāo)材料的布置。激光的預(yù)先脈沖用于在其到 達(dá)目標(biāo)材料被激光的主脈沖撞擊的位置之前，加熱目標(biāo)材料和使目標(biāo)材料膨脹。在這樣的 布置中，可以實(shí)現(xiàn)改善的轉(zhuǎn)換效率。目標(biāo)材料的被加熱的和膨脹的液滴在下文也被稱為液 滴云或云。
圖3示意性地示出目標(biāo)材料69的液滴到達(dá)預(yù)定的預(yù)處理位置73’的布置，該預(yù)處 理位置73’定位在相對于另外的預(yù)定的等離子體形成位置73的液滴軌跡的上游。在使用 中，目標(biāo)材料69(例如Sn或Xe)的液滴沿著軌跡移動,在圖2中通過從高于預(yù)定的預(yù)處理 位置73’和預(yù)定的等離子體形成位置73的位置使液滴滴落或發(fā)射液滴。在這樣的液滴到 達(dá)預(yù)定的預(yù)處理位置73’時，預(yù)先脈沖的激光束路徑83’被建立，沿著該激光束路徑83’定 位光學(xué)增益介質(zhì)的至少一部分。光學(xué)增益介質(zhì)產(chǎn)生沿著主脈沖的另外的束路徑83的另外 的放大的光子束，用于在預(yù)定的等離子體形成位置73與目標(biāo)材料69的預(yù)先被處理的液滴 相互作用。如已知的，激光輻射束將具有有限的橫截面面積，其逐漸變細(xì)至稱為“束腰”的 位置，且之后重新變寬。示出了剛好在等離子體位置73之前的激光束83的束腰，盡管所述 變細(xì)被在這些圖中極大地夸大。因此，激光束83的束腰相對于預(yù)定的等離子體形成位置73 的位置的位置被布置成使得主激光脈沖首先穿過激光束83的束腰且之后穿過預(yù)定的等離 子體形成位置73。
在預(yù)定的預(yù)先處理位置73’處的相互作用使得在目標(biāo)材料69的液滴到達(dá)預(yù)定的等離子體形成位置73之前加熱并膨脹目標(biāo)材料69的液滴。這在EUV輻射被從液滴產(chǎn)生時對于轉(zhuǎn)換效率可能是有利的。因此，利用預(yù)先處理的液滴或云的EUV輻射系統(tǒng)期望提供更多的EUV輻射，由此改善了任何采用其的光刻設(shè)備的生產(chǎn)率。
隨著增加轉(zhuǎn)換效率、適合于通過使圖案成像到設(shè)置在襯底上的抗蝕劑層上而圖案化管芯的曝光時間，用于提供適合的有效曝光劑量的時間變得更短。因此，期望提供相應(yīng)地足夠快速的劑量控制。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，LPP源的脈沖激光器在40_400kHz下操作。在該實(shí)施例中， 通過在脈沖至脈沖的基礎(chǔ)(因此，對于單個激光脈沖或?qū)τ趲讉€脈沖)上控制轉(zhuǎn)換效率提供了一種控制EUV曝光劑量的方法，利用該方法，EUV輻射的脈沖被通過激勵激光輻射的脈沖從Sn燃料的膨脹的被加熱的部分產(chǎn)生。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，提供劑量控制的現(xiàn)有技術(shù)方法由改變和/或控制用于驅(qū)動CO2激光器的RF能量構(gòu)成。改變CO2激光的RF能量是緩慢的機(jī)制， 其中從增加RF能量直到增加了 CO2激光器的脈沖功率花費(fèi)至少100 μ S。該現(xiàn)有技術(shù)的DC 具有例如100 μ s的時間常數(shù)，而小一個或更多數(shù)量級的時間常數(shù)對于足夠快速的DC是期望的。另外，應(yīng)當(dāng)理解，利用現(xiàn)有技術(shù)的DC，改變種子激光器的功率不是有效的，這是因?yàn)?0)2激光器的最后一個腔通常被完全耗盡，因此改變種子功率不被轉(zhuǎn)換成輸出功率的改變。
根據(jù)實(shí)施例的一個方面，預(yù)先脈沖傳輸相對于對應(yīng)的主脈沖傳輸?shù)臅r序被控制和 /或調(diào)整，由此改變了 EUV產(chǎn)生過程的轉(zhuǎn)換效率CE。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，這可以被實(shí)現(xiàn)而不改變主脈沖的能量，盡管主脈沖的能量可以在更長的時間尺度上被調(diào)整(如果期望的話)。通過圖3和4的比較，示意性地顯示出改變預(yù)先脈沖和主秒沖的相對時序的效應(yīng)。例如，由圖3 和4中的箭頭TR顯示的液滴云的軌跡未受到主脈沖的時序的影響。然而，液滴云被主脈沖撞擊的部分受到該時序的影響。圖4顯示主脈沖相對于預(yù)先脈沖的延遲的效應(yīng)。在脈沖到達(dá)的時刻，燃料材料的一部分已經(jīng)在束路徑83的外面穿過，并將不被轉(zhuǎn)換成用于發(fā)射EUV 的等離子體。因此，在如圖4示出的情形中的轉(zhuǎn)換效率低于如圖3中顯示的情形中的轉(zhuǎn)換效率。類似地，如果主脈沖的時序被提前，那么燃 料材料的一部分將還沒有進(jìn)入束路徑，與可實(shí)現(xiàn)的最大值相比較，將再次減小轉(zhuǎn)換效率。
圖5示意性地示出沿著軌跡TR的液滴云與主激光脈沖之間的對準(zhǔn)程度的詳細(xì)視圖。根據(jù)圖5，在從目標(biāo)材料供給裝置71產(chǎn)生目標(biāo)材料69的液滴流之后，形成激光束83’ 的激光的預(yù)先脈沖可以通過預(yù)先脈沖激光器在時刻to發(fā)出，以便于將相應(yīng)的液滴的每一燃料液滴轉(zhuǎn)換成燃料云，燃料云之后沿著軌跡TR行進(jìn)。軌跡TR以角度φ偏離原始液滴的軌跡，該角度Φ依賴于預(yù)先脈沖的能量Ρ1。可以定義，發(fā)射預(yù)先脈沖或主脈沖的時刻是相對于通過目標(biāo)材料供給裝置71產(chǎn)生液滴的時刻的值。云的尺寸可以隨著其沿著軌跡TR行進(jìn)穿過位置100、102、104而進(jìn)一步膨脹。傳統(tǒng)地，在云沿著軌跡行進(jìn)以橫穿光軸O時，期望在時刻t2發(fā)射主脈沖83，使得云可以完全匹配主脈沖束路徑83。然而，在本發(fā)明的實(shí)施例中，傳輸主脈沖至云的時刻被有意地通過在時刻t2減去偏移offset的時刻發(fā)射主脈沖而偏移量dt，如下式所示
t2- (offset) = t2_dt (2)。
在等式⑵中，dt是時間的正量，因此偏移時間dt等于在比時刻t2更早的時刻發(fā)射主脈沖激光。結(jié)果，替代主束路徑83和云之間的完全匹配，在束路徑83和在指定的名義位置102處的云之間存在部分對準(zhǔn)的區(qū)域。由于從與云相互作用的主脈沖83的激光能量的一部分產(chǎn)生EUV輻射能量，可以通過控制部分對準(zhǔn)來實(shí)現(xiàn)曝光劑量的控制，因此實(shí)現(xiàn)束路徑83和目標(biāo)材料69之間的相互作用程度。與主脈沖83和云之間的完全匹配相比，可以控制在主脈沖83和云之間的相互作用程度，以便通過主脈沖83控制從云中的燃料的激勵產(chǎn)生的EUV輻射的量。因此，快速的曝光劑量控制通過改變在主脈沖83和目標(biāo)材料69的液滴之間的相互作用程度而變得可行。這通過在偏移dt的基礎(chǔ)上將脈沖間的額外的偏移 δ施加至發(fā)射時刻t2來實(shí)現(xiàn)。例如，額外的偏移δ = 6 1(6 1是正的時間量)導(dǎo)致了減小的相互作用，額外的偏移δ = δ2(δ2是負(fù)的時間量)導(dǎo)致了增加的相互作用?？梢?， 通過將時刻t2以量dt偏移至名義的時刻t2-dt，其中轉(zhuǎn)換效率低于可實(shí)現(xiàn)的最大值，可以從名義值向上或向下改變轉(zhuǎn)換效率，從而極大地便于在反饋控制回路中使用該現(xiàn)象。由于云沿著X方向的速度分量不受預(yù)先脈沖能量Pl的影響，所以從燃料云的中心至光軸O的在 X方向上的距離d僅通過對發(fā)射主脈沖83的時序來確定。在圖5中，雙箭頭顯示對于主脈沖的不同的時序的距離d ;每個雙箭頭表示相關(guān)的主脈沖時序。如在圖5中所示，燃料云與主脈沖激光束的部分對準(zhǔn)以及因此云與主脈沖83之間的相互作用程度可以通過控制朝向云發(fā)射主脈沖83的時序而被改變。
圖6是顯示主脈沖時序調(diào)整δ (額外的偏移)的轉(zhuǎn)換效率CE的效應(yīng)的圖表，其影響了云相對于名義位置102的X軸距離。參考圖6，在δ為零時，CE的值是名義值CEm。 CE值在時序調(diào)整量δ為-dt時處于最大值CEmax，這意味著如圖5中顯示的發(fā)射主脈沖83 的時刻被延遲，直到云到達(dá)光軸O以與激光束完全匹配為止?？梢姡瑘D6中的CE的圖表提供了操作區(qū)域R，其中CE與時序調(diào)整量δ具有大致線性關(guān)系。在實(shí)踐中，當(dāng)然線性關(guān)系將僅是近似的，所示出的圖表是純粹示意性的。為了具有小于CE值，調(diào)整量δ應(yīng)當(dāng)是大于零或小于_2dt。這意味著發(fā)射主脈沖83的時刻應(yīng)當(dāng)是在如顯示的t1 = t2-(dt+ δ 1) 或在t3，其中t3 > t2-(dt+5 2)且δ2 < -2dt(未在圖5中示出)。
根據(jù)僅描述的實(shí)施例，可見控制轉(zhuǎn)換效率的方法包括設(shè)定目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率，該目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率小于最大可實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)換效率，但是足以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)EUV曝光劑量，使得正的和負(fù)的劑量校正兩者可以通過改變轉(zhuǎn)換效率高于和低于所述目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率而被施加在脈沖之間。
轉(zhuǎn)換效率被通過主脈沖激光輻射束的橫截面面積和膨脹的燃料材料云的橫截面面積之間的共有橫截面(重疊程度)而改變。可以通過提前或推遲每一激光輻射脈沖的時序至少部分地改變所述共有橫截面(mutual cross-section),同時所述燃料材料橫穿所述激光輻射的橫截面，使得所述材料的更大或更小的比例在脈沖時刻處在激光輻射橫截面內(nèi)。
基于對于管芯的曝光做出貢獻(xiàn)的一個或更多的EUV脈沖的EUV脈沖能量，下一脈沖的新的EUV能量設(shè)定點(diǎn)可以通過向上或向下改變下一主脈沖或下一組脈沖的時序調(diào)整量S而被導(dǎo)出和控制。通過具有更長的時間常數(shù)的反饋，在時序調(diào)整中觀察到的任何偏置可以借助通過傳統(tǒng)的反饋控制調(diào)整激光能量而被消除。
圖7(a)、(b) (C)示意性地顯示在沿著軌跡TR的不同的位置100、102、102c處主脈沖激光束83和燃料云之間的相互作用程度的更加詳細(xì)的X-Z平面橫截面視圖，如在圖5中針對于δ 1= δ 2 = dt的情形所顯示的。圖7(a)顯示了發(fā)射主脈沖的時刻處于t2-dt時的情形，由此在燃料云和光軸O之間的X軸上的對應(yīng)的距離是d。圖7(b)顯示了發(fā)射主脈沖的時刻是在t1= t2-2dt，使得云和光軸O之間的X軸線上的距離大于d。圖7 (c)顯示了發(fā)射主脈沖83的時刻在t2，使得在云和主脈沖83之間具有完全的匹配。常規(guī)地，云位 置102c將被選擇為云的目標(biāo)位置或名義位置，但是在所述情形中，其將不可以通過簡單地 改變主脈沖83和云之間的相互作用程度來向上調(diào)整曝光劑量；替代地，僅向下調(diào)整曝光劑 量是可行的。如果云的名義位置被設(shè)定為位置102(圖7(a))，那么云和主脈沖83之間的相 互作用程度可以是在脈沖至脈沖的基礎(chǔ)上被向下(圖7(b))或向上(圖7(c))改變，由此 實(shí)現(xiàn)了快速的劑量控制。
在圖7中示出的名義位置102的偏移的不被期望的負(fù)面效應(yīng)是與主脈沖激光輻射 相互作用的燃料云的部分的位置的不對稱性。因此，作為EUV輻射源的所產(chǎn)生的等離子體 被以一改變量從光軸O偏移。這樣的偏移引入不對稱性，以及進(jìn)入照射系統(tǒng)IL的EUV輻射 的強(qiáng)度分布上的潛在的其他改變，其可能對投影系統(tǒng)PS中的成像品質(zhì)產(chǎn)生不利影響。另外 的實(shí)施例以及實(shí)施例的修改現(xiàn)在將被描述，其消除或平均化了所述不對稱性。對此的第一 方案是在“相反”的方向上偏移下一主脈沖，如參考圖8在下文進(jìn)一步說明的。另一方案是 調(diào)整云和激光束路徑的主脈沖兩者，如參考圖9在下文進(jìn)一步說明的。
圖8示意性地顯示了在上文的實(shí)施例的第一修改例中的兩個燃料云與兩個激光 輻射主脈沖之間的相互作用程度的更詳細(xì)的X-Z平面橫截面示意圖。圖8(a)顯示第一主脈 沖被在相對于預(yù)先脈沖時刻的時刻t2-dt發(fā)射，與圖7相同。然而，第二主脈沖被在t2+dt 發(fā)射，其具有與在第一脈沖中使用的偏移相反的偏移。在第一主脈沖和其燃料云之間的相 互作用區(qū)域被用陰影表示成122，在第二主脈沖和其燃料云之間的相互作用區(qū)域被用陰影 顯示為124。對于發(fā)射第一主脈沖和第二主脈沖具有偏移-dt和+dt的效應(yīng)是用于偏移相 互作用區(qū)域，因此以在X方向上的相等且相反的量偏移所產(chǎn)生的等離子體。因此，與圖7(a) 相比，在被在兩個脈沖上平均時EUV輻射的強(qiáng)度分布是圍繞光軸O更加對稱的。該平均對 稱性可以在改變時序調(diào)整量用于向上和向下控制轉(zhuǎn)換效率的同時被保持。圖8(b)顯示在 圖7(b)中顯示的情形的對稱形式，其中分別將減小的相互作用區(qū)域表示成132和134。圖 8(c)顯示相互作用區(qū)域增加至最大值的在圖7(c)中顯示的情形的對稱形式。
圖9示意性地顯示了在第一實(shí)施例的另一修改例中的在兩種不同的情形中的云 和主脈沖之間的相互作用程度的更詳細(xì)的橫截面視圖。該視圖的平面是X-Y平面，使得光 軸O的方向是指向頁面內(nèi)(或從頁面指向外)。在該修改例中，激光輻射的橫截面面積的位 置被偏移，并隨著激光脈沖的時序變化而被從脈沖至脈沖改變，以便于在轉(zhuǎn)換效率改變時 減小所述強(qiáng)度分布相對于光刻設(shè)備的光軸的變化。
圖9(a)顯示在名義轉(zhuǎn)換效率的燃料云位置IOOa和激光束路徑83a的橫截面視 圖。偏移dt被施加，使得激光脈沖被定時以略微在燃料云69被在光軸O上居中之前(略 微在其之后)發(fā)生。然而，為了避免在圖7(a)中看到的等離子體位置的非對稱性，在該修 改例中，激光束路徑83也被在相反的方向上偏移至位置83a。燃料云的偏移被標(biāo)記為dt， 激光束的偏移被標(biāo)記為dL。由于在相反方向上的所述兩個偏移,云和激光脈沖的相互作用 區(qū)域202保持至少大致在光軸O上是居中的。
通過移動或傾斜反射鏡或其它光學(xué)裝置65可以施加激光偏移dL，所述反射鏡或 其它光學(xué)裝置65將激光輻射傳輸至等離子體位置73。這樣的激光偏移dL可以以固定的 或緩慢變化的方式施加，僅是用于減小由與名義的轉(zhuǎn)換效率值相關(guān)的偏移所引起的非對稱 性?？商娲?，如果光學(xué)裝置可以足夠快地移動，那么它可以被應(yīng)用為脈沖至脈沖變化的一部分。圖11(b)示出了用于調(diào)整云位置和激光束位置兩者以減小從脈沖至脈沖的轉(zhuǎn)換效 率的另一選擇，同時保持相互作用區(qū)域200被精確地在光軸上居中。不是僅調(diào)整激光脈沖 的時序(調(diào)整S t)，激光束路徑83的位置還被從脈沖至脈沖地調(diào)整(調(diào)整SL)至新的位 置83b。在相反方向(未顯示)上的調(diào)整可以被施加，以將轉(zhuǎn)換效率增加至高于名義值。
圖10顯示在橫向于光軸的平面中并在圖案形成裝置MA和襯底W的附近區(qū)域中掃 描方向和非掃描方向之間的差別。圖案化的照射的條帶或狹縫ST沿著掃描方向橫穿襯底 的目標(biāo)部分，該掃描方向是按照慣例是Y方向。在掃描移動期間在掃描(Y)方向上的照射 的非對稱性和其他的變形趨于被平均化。然而，沿著非掃描(X)方向，EUV強(qiáng)度分布的任何 非對稱性或其他變化將導(dǎo)致在襯底上所形成的圖像中的系統(tǒng)性的非均勻性。雖然照射系統(tǒng) IL被設(shè)計成極大地減小這樣的變化，但是它不能完全消除這樣的變化。為此原因，尤其有用 的是能夠最小化在等離子體位置處在X方向上的非對稱性。
上文的實(shí)施例和修改例中的不同的元件可以被組合以實(shí)現(xiàn)期望的性能。還理解的 是，產(chǎn)生液滴的時刻還可以被控制以具有控制發(fā)射主脈沖的時刻的類似效應(yīng)。然而，控制激 光脈沖時序可能在脈沖至脈沖的時間尺度上是較容易的。
圖11示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例的操作。在此，云和主脈沖83之間的減小的 相互作用通過減小預(yù)先脈沖的能量來實(shí)現(xiàn)，預(yù)先脈沖的能量之后被改變，用于從脈沖至脈 沖地改變轉(zhuǎn)換效率。發(fā)明人證明了甚至對于具有激光束和燃料云之間的完美匹配的情形， 轉(zhuǎn)換效率隨著云的尺寸而變化。如所理解到的，即使在整個液滴處在激光束內(nèi)時，燃料材料 和激光輻射之間的相互作用的品質(zhì)也可能受許多因素的影響。
根據(jù)圖11，在預(yù)先脈沖被在束路徑83’中發(fā)射并具有能量Pla時，云在發(fā)射主脈沖 的時刻T2處于大的膨脹尺寸L內(nèi)。在發(fā)射具有較低能量Plb的預(yù)先脈沖時，在時刻T2所 述云在小的膨脹尺寸S內(nèi)。在沒有發(fā)射預(yù)先脈沖時，在時刻T2沒有云，主脈沖將在時刻T2 朝向未膨脹的液滴NC發(fā)射。如果預(yù)先脈沖能量可以獨(dú)立于主脈沖能量被控制，那么在主脈 沖的能量是恒定的時，云的減小的尺寸可以導(dǎo)致較低的CE，如圖12所示。在圖12中，轉(zhuǎn)換 效率CE被繪制成預(yù)先脈沖能量Pl的函數(shù)，并在恒定的主脈沖能量P2。沿著水平的軸線，預(yù) 先脈沖能量(Pl = O, Pla, Plb, Plc)和對應(yīng)的尺寸膨脹的程度(NC，S，L，XL)被顯示出。
因此，根據(jù)上述的本發(fā)明的一個方面，新EUV能量設(shè)定點(diǎn)還可以轉(zhuǎn)換成預(yù)先脈沖 能量的變化。在從同一腔發(fā)射的預(yù)先脈沖作為主脈沖時的CO2激光器的情形中，這可以通 過減小種子功率來實(shí)現(xiàn)，因?yàn)轭A(yù)先脈沖不會耗盡所述腔。應(yīng)當(dāng)理解，不需要從同一激光器獲 得預(yù)先脈沖和主脈沖。還可以例如通過分立的YAG激光器來傳輸預(yù)先脈沖，在該情形中，可 以獨(dú)立地改變預(yù)先脈沖的功率而不會變得復(fù)雜。
在根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實(shí)施例中，在上述的第二實(shí)施例中并如圖11顯示的 預(yù)先脈沖激光束83’和主脈沖激光束83的束腰的布置使得預(yù)先脈沖能量的不被期望的脈 沖至脈沖的變化不會導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率的實(shí)質(zhì)的變化。這可以通過將名義的預(yù)先脈沖能量Pl 設(shè)定在轉(zhuǎn)換效率大致恒定時的值來實(shí)現(xiàn)，例如在轉(zhuǎn)換效率具有其最大值CEmax時。在圖12 中，這樣的名義預(yù)先脈沖能量被由值Pl =Pld示出。因此，在圖11的實(shí)施例的配置中，這 樣，可以在存在預(yù)先脈沖能量Pl的脈沖至脈沖變化的情況下提供本征的曝光劑量穩(wěn)定性。 能夠?qū)崿F(xiàn)本征的曝光劑量穩(wěn)定性的預(yù)先脈沖激光束83’和主脈沖激光束83的束腰的布置 的特點(diǎn)在于，預(yù)先脈沖和主脈沖激光束基本上是平行的以及主脈沖激光束83的束腰的位置被沿著激光的遠(yuǎn)離預(yù)先脈沖激光束83’的束腰傳播的方向移位，后者的束腰大致與預(yù)定 的預(yù)先處理的位置73’的位置重合。
在圖11和12中，在整個燃料云處于激光束的橫截面內(nèi)的同時實(shí)現(xiàn)了 CE的變化。 圖13示出了基于預(yù)先脈沖能量的變化的實(shí)施例，其中與激光束相互作用的云的比例發(fā)生 變化，而不僅是相互作用的品質(zhì)。參照圖13，在發(fā)射具有能量Plc的預(yù)先脈沖時，在發(fā)射主 脈沖時，所述云在時刻T2處于完全膨脹的尺寸L。在發(fā)射具有較高的能量Pld的預(yù)先脈沖 時，在時刻T2，所述云處于過度膨脹的尺寸XL，使得其尺寸太大以致于不能有效地裝配在 主束路徑83內(nèi)。在獨(dú)立于主脈沖能量控制預(yù)先脈沖能量時，預(yù)先脈沖能量的增加不一定與 主脈沖能量的增加相關(guān)聯(lián)。如果預(yù)先脈沖能量被增加至膨脹的云的尺寸大于主激光脈沖 的橫截面面積的程度，那么CE的值將降低，如圖14所示。
如在之前的實(shí)施例中，預(yù)先脈沖可以來自同一激光器系統(tǒng)或分立的激光器。在圖 11至14的實(shí)施例中，在等離子體被產(chǎn)生時相互作用區(qū)域保持在光軸上居中。因此，用于校 正如上文所述的非對稱性的措施可能不是必須的。應(yīng)當(dāng)理解，上述的方法可以被組合以實(shí) 現(xiàn)控制曝光劑量。
除了上述的方法之外，可以通過相對于收集器光學(xué)裝置CO使等離子體離焦來控 制曝光劑量，使得僅一部分輻射能量穿過IF孔，剩余的輻射能量入射到包封結(jié)構(gòu)上。然而， 使等離子體離焦在入射到包封結(jié)構(gòu)上的輻射能量帶來熱量時通常是不被期望的，并可能損 壞包封結(jié)構(gòu)。因此，如果通過使等離子體離焦來控制曝光劑量，那么必須在所述情形中具有 吸收熱量的散熱機(jī)制。
在還一實(shí)施例(未示出的)中，可以通過在Y方向上而不是在X方向上，或者除在 X方向上之外還在Y方向上，使液滴和/或激光束移位，來改變轉(zhuǎn)換效率。在Y方向上的位 移可能是更加難以實(shí)現(xiàn)，但是可以具有在掃描方向上引入非對稱性而沒有這樣的對成像性 能的負(fù)面作用的優(yōu)點(diǎn)。
在未顯示的還一實(shí)施例中，可以沿著Z方向而不是X和/或Y方向，或除X和/或 Y方向之外還沿著Z方向移動激光束(束腰)的焦點(diǎn)來改變轉(zhuǎn)換效率。這可以是對于預(yù)先 脈沖和/或?qū)τ谥髅}沖的。其影響轉(zhuǎn)換效率的機(jī)制可以是通過改變激光輻射和燃料材料之 間的相互作用的品質(zhì)，和/或是通過減小與束相互作用的云的比例。在所有的這樣的實(shí)施 例中，設(shè)計控制器以設(shè)定低于可實(shí)現(xiàn)的最大值的名義轉(zhuǎn)換效率的原理可以被采用，以允許 容易地從名義值向上和向下調(diào)整。
雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用于制造IC(集成電路)，但是應(yīng)該理解到這里所 述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、 平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。
雖然已經(jīng)在上文對在光學(xué)光刻術(shù)的情形中使用本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了具體參考， 但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可以用在其它應(yīng)用中。另外的實(shí)施例可以通過下述的標(biāo)有序號的方 面來提供
1. 一種控制具有所述類型的EUV輻射源的光刻設(shè)備的EUV曝光劑量的方法，其中 通過由對應(yīng)的激勵激光輻射束的脈沖來激勵膨脹的被加熱的燃料材料的部分以產(chǎn)生EUV 輻射脈沖，所述方法包括從脈沖至脈沖控制所述激光輻射被轉(zhuǎn)換成所述EUV輻射的轉(zhuǎn)換效 率，其中所述燃料材料被首先作為燃料液滴傳輸，并之后燃料液滴在預(yù)先預(yù)處理的位置在激勵位置遇到所述激勵激光輻射束之前被預(yù)先脈沖激光束加熱和膨脹，并其中所述控制轉(zhuǎn) 換效率的步驟包括
布置所述預(yù)先脈沖激光束，使得預(yù)先脈沖激光束的束腰的位置基本上與預(yù)定的預(yù) 先處理的位置重合；和
布置所述激勵激光輻射束，使得激勵激光輻射束的束腰的位置被沿著激光傳播遠(yuǎn) 離激勵位置的方向移位。
2.根據(jù)方面I所述的方法，其中控制轉(zhuǎn)換效率的步驟包括設(shè)定目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率，所 述目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率低于最大可實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)換效率但是足以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的EUV曝光劑量，使得正和 負(fù)的劑量校正兩者能夠被通過改變轉(zhuǎn)換效率高于和低于所述目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率而施加到脈沖 之間。
3.根據(jù)方面2或3所述的方法，其中所述控制轉(zhuǎn)換效率的步驟包括相對于激勵激 光輻射脈沖改變預(yù)先脈沖的能量，由此用于改變?nèi)剂喜牧系呐蛎洺潭取?br> 盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例，但是應(yīng)該理解的是本發(fā)明可以以與 上述不同的形式實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的一個 或更多個機(jī)器可讀指令序列的計算機(jī)程序的形式，或具有存儲其中的所述計算機(jī)程序的數(shù) 據(jù)存儲介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)的形式。
上文的描述的意圖是說明性的，不是限制性的。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白可以 在不背離所附權(quán)利要求的范圍的情況下，可以對所述的本發(fā)明進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1.一種控制具有EUV輻射源類型的光刻設(shè)備的EUV曝光劑量的方法，其中通過由對應(yīng)的激勵激光輻射的脈沖來激勵膨脹的被加熱的燃料材料的部分來產(chǎn)生EUV輻射脈沖，所述方法包括步驟從脈沖至脈沖地控制將所述激光輻射轉(zhuǎn)換成所述EUV輻射的轉(zhuǎn)換效率，其通過設(shè)定低于最大可實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)換效率但是足以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)EUV曝光劑量的目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率，使得能夠通過改變所述轉(zhuǎn)換效率高于和低于所述目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率而將正的和負(fù)的劑量校正兩者施加在脈沖之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述控制轉(zhuǎn)換效率的步驟包括控制膨脹的燃料材料的比例，該燃料材料被通過改變在激勵激光輻射的橫截面面積和膨脹的燃料材料的橫截面面積之間的共有橫截面而由每一激光脈沖激勵。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述共有橫截面至少部分地通過提前或推遲激勵激光輻射的每一脈沖在所述燃料材料橫穿所述激光輻射的橫截面時的時序來改變，使得更大或更小比例的所述材料在所述脈沖的時刻處于激光輻射的橫截面內(nèi)。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中所述燃料材料首先被作為燃料液滴傳輸，并之后在遇到所述激勵激光輻射脈沖之前通過激光輻射的預(yù)先脈沖加熱和膨脹，其中所述控制轉(zhuǎn)換效率的步驟包括相對于所述激勵激光輻射脈沖改變預(yù)先脈沖的傳輸?shù)臅r序，由此在激勵激光輻射脈沖的時刻改變?nèi)剂喜牧系奈恢谩?br> 5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中所述燃料材料首先被作為燃料液滴傳輸，并之后在遇到所述激勵激光輻射脈沖之前通過激光輻射的預(yù)先脈沖加熱和膨脹，其中所述控制轉(zhuǎn)換效率的步驟包括相對于所述激勵激光輻射脈沖改變預(yù)先脈沖的能量，由此改變?nèi)剂喜牧系呐蛎洺潭取?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中目標(biāo)的預(yù)先脈沖能量被設(shè)定成所述燃料材料被膨脹成小于對應(yīng)于最大可實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)換效率但是足以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的EUV曝光劑量的尺寸所在的水平，使得能夠通過改變預(yù)先脈沖能量高于和低于所述目標(biāo)預(yù)先脈沖的能量而將正的劑量校正和負(fù)的劑量校正兩者施加在脈沖之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中目標(biāo)的預(yù)先脈沖能量被設(shè)定成所述燃料材料被膨脹成大于對應(yīng)于最大可實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)換效率但是足以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的EUV曝光劑量的尺寸所在的水平，使得能夠通過改變預(yù)先脈沖能量高于和低于所述目標(biāo)預(yù)先脈沖的能量而將正的劑量校正和負(fù)的劑量校正兩者施加在脈沖之間。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中轉(zhuǎn)換效率的變化還導(dǎo)致EUV輻射相對于光刻設(shè)備的光軸的強(qiáng)度分布的變化，其中所述轉(zhuǎn)換效率被通過用于不同的脈沖的不同的動作改變，以便保持被在不同的脈沖上平均的更加均勻的強(qiáng)度分布。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中轉(zhuǎn)換效率的變化還導(dǎo)致EUV輻射相對于激勵激光輻射的橫截面面積的強(qiáng)度分布的變化,其中在轉(zhuǎn)換效率被改變時激勵激光輻射的橫截面面積的位置被從脈沖至脈沖地改變，以便相對于光刻設(shè)備的光軸減小所述強(qiáng)度分布的變化。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中使用一個或更多的可移動的光學(xué)元件執(zhí)行所述激光輻射的橫截面面積的位置的改變。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述燃料材料首先被作為燃料液滴傳輸，并之后在預(yù)定的預(yù)先處理的位置，燃料液滴在遇到所述激勵激光輻射脈沖之前被通過激光輻射的預(yù)先脈沖加熱和膨脹，其中所述控制轉(zhuǎn)換效率的步驟包括 布置預(yù)先脈沖激光束和主脈沖激光束大致平行；和 將主脈沖激光束的束腰的位置布置成沿著激光傳播遠(yuǎn)離預(yù)先脈沖激光束的束腰的方向移位，預(yù)先脈沖激光束的束腰大致與預(yù)定的預(yù)先處理的位置重合。
12.—種器件制造方法，包括 將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中所述輻射是具有通過如在前述權(quán)利要求中任一項所述的方法控制的劑量的EUV輻射。
13.—種光刻設(shè)備,包括 EUV輻射源； 照射系統(tǒng)，配置成調(diào)節(jié)從所述EUV輻射源接收的輻射束； 支撐結(jié)構(gòu)，構(gòu)造成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠在輻射束的橫截面中賦予輻射束圖案以形成圖案化的輻射束； 襯底臺，構(gòu)造成保持襯底； 投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上；和控制器，配置成通過權(quán)利要求1-10中任一項所述的方法控制由所述EUV輻射源產(chǎn)生的曝光劑量。
14.一種器件制造方法，包括步驟 控制具有EUV輻射源類型的光刻設(shè)備的EUV曝光劑量，其中借助于從脈沖至脈沖地控制所述激光輻射轉(zhuǎn)換成所述EUV輻射的轉(zhuǎn)換效率通過由對應(yīng)的激勵激光輻射的脈沖來激勵膨脹的被加熱的燃料材料的部分以產(chǎn)生EUV輻射脈沖，其通過設(shè)定低于最大可實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)換效率但是足以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)EUV曝光劑量的目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率，使得能夠通過改變所述轉(zhuǎn)換效率高于和低于所述目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率而將正的和負(fù)的劑量校正兩者施加在脈沖之間； 將所述EUV輻射圖案化以形成圖案化的輻射束；和 將圖案化的輻射束投影到襯底上。
15.—種光刻設(shè)備,包括 EUV輻射源； 照射系統(tǒng)，配置成調(diào)節(jié)從所述EUV輻射源接收的輻射束； 支撐結(jié)構(gòu)，構(gòu)造成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠在輻射束的橫截面中賦予輻射束圖案以形成圖案化的輻射束； 襯底臺，構(gòu)造成保持襯底； 投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上；和控制器，配置成借助于從脈沖至脈沖地控制激勵激光輻射通過激勵膨脹的被加熱的燃料材料的部分被轉(zhuǎn)換成所述EUV輻射的轉(zhuǎn)換效率來控制由所述EUV輻射源產(chǎn)生的曝光劑量，其通過設(shè)定低于最大可實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)換效率但是足以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)EUV曝光劑量的目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率，使得能夠通過改變所述轉(zhuǎn)換效率高于和低于所述目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率而將正的和負(fù)的劑量校正兩者施加在脈沖之間。
16.一種控制具有EUV輻射源類型的光刻設(shè)備的EUV曝光劑量的方法，其中通過由激勵激光輻射束的對應(yīng)的脈沖激勵膨脹的被加熱的燃料材料的部分來產(chǎn)生EUV輻射脈沖，所述方法包括從脈沖至脈沖地控制將所述激光輻射轉(zhuǎn)換成所述EUV輻射的轉(zhuǎn)換效率，其中所述燃料材料首先被作為燃料液滴傳輸，并之后在所述燃料液滴在激勵位置遇到所述激勵的激光輻射束之前，所述燃料液滴在預(yù)定的預(yù)處理位置被預(yù)先脈沖激光束加熱和膨脹，其中所述控制轉(zhuǎn)換效率的步驟包括 布置預(yù)先脈沖激光束，使得預(yù)先脈沖激光束的束腰的位置大致與預(yù)定的預(yù)處理位置重合；和 布置激勵激光輻射束，使得激勵激光輻射束的束腰的位置被沿著激光傳播遠(yuǎn)離激勵位置的方向移位。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中控制轉(zhuǎn)換效率的步驟包括設(shè)定目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率，該目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率小于最大可實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)換效率但是足以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的EUV曝光劑量，使得能夠通過改變轉(zhuǎn)換效率高于和低于所述目標(biāo)轉(zhuǎn)換效率而將正的劑量校正和負(fù)的劑量校正兩者施加在脈沖之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的方法，其中所述控制轉(zhuǎn)換效率的步驟包括相對于激勵的激光輻射束脈沖改變預(yù)先脈沖的激光束的能量，由此改變?nèi)剂喜牧系呐蛎洺潭取?br> 全文摘要
本發(fā)明公開了用于控制EUV曝光劑量的方法和EUV光刻方法及使用這樣的方法的設(shè)備。光刻設(shè)備中的EUV曝光劑量通過改變轉(zhuǎn)換效率而被從脈沖至脈沖控制，以該轉(zhuǎn)換效率通過對應(yīng)的激勵激光輻射脈沖激勵燃料材料產(chǎn)生EUV輻射脈沖。轉(zhuǎn)換效率可以以幾種不同的方式改變，通過改變與激光束相交的燃料材料的比例，和/或通過改變相互作用的品質(zhì)。改變轉(zhuǎn)換效率的機(jī)制可以基于激光脈沖時序的變化、預(yù)先脈沖能量的變化、和/或在一個或更多的方向上的主激光束的可變化的位移?？梢园ū３炙a(chǎn)生的EUV輻射的對稱性的步驟。
文檔編號G03F7/20GK103034066SQ20121035791
公開日2013年4月10日 申請日期2012年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者簡·伯納德·普萊徹爾墨斯·范斯庫特, 亨瑞克斯·羅伯特斯·瑪麗·范格瑞文波奧克, V·V·伊萬諾夫, A·M·雅庫尼恩, H·J·M·柯魯維爾 申請人:Asml荷蘭有限公司