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      偏振光膜、圓偏振光板及它們的制造方法

      文檔序號:2816670閱讀:469來源:國知局
      專利名稱:偏振光膜、圓偏振光板及它們的制造方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及偏振光膜、圓偏振光板及它們的制造方法等。
      背景技術(shù)
      被用于液晶顯示裝置中的起偏器,通常使用由碘染色后的聚乙烯醇構(gòu)成的膜。另一方面,伴隨著近來的強(qiáng)烈要求液晶顯示裝置薄膜化的趨勢,起偏器也被要求進(jìn)一步地薄型化。對于薄型起偏器所具有的薄型偏振光膜,例如專利文獻(xiàn)I中記載有由含有聚合性向列液晶化合物和二色性色素的組合物形成的膜。此外,對于該二色性色素,例如在專利文獻(xiàn)2中記載有作為通過蒸鍍形成偏振光膜用的特定的多偶氮系色素。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I日本專利特表2007-510946號公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本專利特開平8-278409號公報(bào)

      發(fā)明內(nèi)容
      被要求進(jìn)一步薄膜化的偏振光膜,期待其偏振光性能高,尤其是二色性比高。本發(fā)明包含以下的發(fā)明。〔I〕一種偏振光膜,由含有在400 SOOnm的波長范圍有吸收的、下述通式⑴所示的多偶氮系色素的至少I種、和聚合性近晶狀液晶化合物的組合物形成。
      權(quán)利要求
      1.一種偏振光膜,由含有在400 800nm的波長范圍有吸收的、下述通式(I)所示的多偶氮系色素的至少I種、和 聚合性近晶狀液晶化合物的組合物形成;
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振光膜,其厚度為Ium以上、5 以下。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的偏振光膜,其在X射線衍射測定中獲得布拉格峰。
      4.一種起偏器,依次具有權(quán)利要求1 3任意一項(xiàng)所述的偏振光膜、取向膜及透明基材。
      5.一種起偏器的制造方法,該起偏器依次具備權(quán)利要求1 3任意一項(xiàng)所述的偏振光膜、取向膜及透明基材,其制造方法具有以下エ序 準(zhǔn)備好在所述透明基材上具備所述取向膜的層積體的エ序, 在所述層積體的所述取向膜上,形成含有聚合性近晶狀液晶化合物、在400 SOOnm的波長范圍有吸收的上述通式(I)所示的多偶氮系色素、聚合引發(fā)劑及溶劑的膜的エ序,從所述膜中除去所述溶劑的エ序, 使除去了所述溶劑的膜中含有的所述聚合性近晶狀液晶化合物成為近晶狀液晶狀態(tài)的エ序, 通過所述聚合性近晶狀液晶化合物在保持所述近晶狀液晶狀態(tài)的形態(tài)下,使所述聚合性近晶狀液晶化合物聚合,于所述取向膜上形成偏振光膜的工序。
      6.一種液晶顯示裝置,具備權(quán)利要求1 3任意一項(xiàng)所述的偏振光膜。
      7.—種圓偏振光板,具有權(quán)利要求1 3的任意一項(xiàng)所述的偏振光膜和λ /4層,并滿足以下的要件(Al)及(Α2)(Al)所述偏振光膜的吸收軸與所述λ /4層的慢軸所成的角度大致為45° ;(Α2)在波長550nm的光下測定的所述λ /4層的正面延遲值在100 150nm的范圍。
      8.—種圓偏振光板,依次具有權(quán)利要求1 3的任意一項(xiàng)所述的偏振光膜、λ /2層和 λ/4層,并滿足以下的要件(BI)、(Β2)、(Β3)及(Β4)(BI)所述偏振光膜的吸收軸與所述λ /2層的慢軸所成的角度大致為15° ;(Β2)所述λ /2層的慢軸與所述λ /4層的慢軸所成的角度大致為60° ;(Β3)所述λ /2層在波長550nm的光下測定的、所述λ /4層的正面延遲值在200 300nm的范圍;(B4)所述λ /4層在波長550nm的光下測定的、所述λ /4層的正面延遲值在100 150nm的范圍。
      9.一種有機(jī)EL顯示裝置,具備權(quán)利要求7或8所述的圓偏振光板和有機(jī)EL元件。
      全文摘要
      提供一種能用于顯示裝置用構(gòu)件的、薄膜且高偏振光性能的偏振光膜等。提供一種由組合物形成的偏振光膜、具備該偏振光膜的液晶顯示裝置等,該組合物含有在400~800nm的波長范圍有吸收的、下述通式(1)所示的多偶氮系色素的至少1種、和聚合性近晶狀液晶化合物。[式(1)中,Ar2選自下示基團(tuán)。上述聚合性近晶狀液晶化合物優(yōu)選為呈現(xiàn)高級近晶相液晶狀態(tài)的化合物。
      文檔編號G02B5/30GK103048721SQ20121042200
      公開日2013年4月17日 申請日期2012年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月12日
      發(fā)明者幡中伸行, 大川春樹 申請人:住友化學(xué)株式會社
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