一種新的led光刻顯影工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種新的LED光刻顯影工藝，其特征在于，所述方法步驟如下：首先在顯影槽中放滿顯影液，0.8％氫氧化鈉溶液與2.38％四甲基氫氧化銨水溶液各兩份，設定好顯影機參數(shù)，讓顯影機擺臂上下擺動；片子放置在花籃上，然后將裝滿片子的花籃放在顯影機的擺臂上，在顯影液中晃動；用0.8％氫氧化鈉溶液對N電極顯影；用0.8％氫氧化鈉溶液對ITO顯影；用2.38％四甲基氫氧化銨水溶液對P、N電極顯影；從顯影槽中提出用清洗槽去離子水清洗干凈，使其水阻值達到5MΩ·cm；最后用熱氮烘干機吹干。本發(fā)明操作簡單，更精確的控制顯影過程，能有效減少顯影不徹底或過顯影現(xiàn)象。
【專利說明】—種新的LED光刻顯影工藝
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種新的LED光刻顯影工藝，屬于LED生產(chǎn)領域。
【背景技術】
[0002]LED行業(yè)是當今高新技術中領域非常重要的微電子領域之一，而LED制程中需要利用光刻顯影，以往的技術，由于工藝缺陷，在顯影過程中無法精確控制，導致顯影不徹底或者出現(xiàn)過顯影現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明針對不足，提供一種新的LED光刻顯影工藝。
[0004]本發(fā)明解決上述技術問題的技術方案如下:一種新的LED光刻顯影工藝，其特征在于，所述方法步驟如下:
[0005](I)首先在顯影槽中放滿顯影液，0.8%氫氧化鈉溶液與2.38%四甲基氫氧化銨水溶液各兩份，設定好顯影機參數(shù)，讓顯影機擺臂上下擺動；
[0006](2)片子放置在花籃上，然后將裝滿片子的花籃放在顯影機的擺臂上，在顯影液中晃動；
[0007](3)用0.8%氫氧化鈉溶液對N電極顯影:先在第一個顯影槽中顯影30秒，使光刻膠與顯影液充分反應，然后取出放入第二個顯影槽內(nèi)顯影20秒讓反應物從晶片表面完全掉落后取出沖水；
[0008](4)用0.8%氫氧化鈉溶液對ITO顯影:先在第一個顯影槽中顯影20秒，使光刻膠與顯影液充分反應，然后取出放入第二個顯影槽內(nèi)顯影15秒讓反應物從晶片表面完全掉落后取出沖水；
[0009](5)用2.38%四甲基氫氧化銨水溶液對P、N電極顯影:先在第一個顯影槽中顯影20秒，使光刻膠與顯影液充分反應，然后取出放入第二個顯影槽內(nèi)顯影20秒讓反應物從晶片表面完全掉落后取出沖水；
[0010](6)從顯影槽中提出用清洗槽去離子水清洗干凈，使其水阻值達到5ΜΩ.Cm ；
[0011](7)最后用熱氮烘干機吹干。
[0012]進一步，所述熱氮烘干機吹風時間為:大臺、小臺大流量吹300秒，電極大流量吹600 秒。
[0013]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明操作簡單，能更精確的控制顯影過程，有效減少顯影不徹底或過顯影現(xiàn)象。
【具體實施方式】
[0014]以下對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0015]一種新的LED光刻顯影工藝，其特征在于，所述方法步驟如下:[0016](I)首先在顯影槽中放滿顯影液，0.8%氫氧化鈉溶液與2.38%四甲基氫氧化銨水溶液各兩份，設定好顯影機參數(shù)，讓顯影機擺臂上下擺動；
[0017](2)片子放置在花籃上，然后將裝滿片子的花籃放在顯影機的擺臂上，在顯影液中晃動；
[0018](3)用0.8%氫氧化鈉溶液對N電極顯影:先在第一個顯影槽中顯影30秒，使光刻膠與顯影液充分反應，然后取出放入第二個顯影槽內(nèi)顯影20秒讓反應物從晶片表面完全掉落后取出沖水；
[0019](4)用0.8%氫氧化鈉溶液對ITO顯影:先在第一個顯影槽中顯影20秒，使光刻膠與顯影液充分反應，然后取出放入第二個顯影槽內(nèi)顯影15秒讓反應物從晶片表面完全掉落后取出沖水；
[0020](5)用2.38%四甲基氫氧化銨水溶液對P、N電極顯影:先在第一個顯影槽中顯影20秒，使光刻膠與顯影液充分反應，然后取出放入第二個顯影槽內(nèi)顯影20秒讓反應物從晶片表面完全掉落后取出沖水；
[0021](6)從顯影槽中提出用清洗槽去離子水清洗干凈，使其水阻值達到5ΜΩ.cm ；
[0022](8)最后用熱氮烘干機吹干。
[0023]所述熱氮烘干機吹風時間為:大臺、小臺大流量吹300秒，電極大流量吹600秒。
[0024]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種新的LED光刻顯影工藝，其特征在于，所述方法步驟如下: (1)首先在顯影槽中放滿顯影液，0.8%氫氧化鈉溶液與2.38%四甲基氫氧化銨水溶液各兩份，設定好顯影機參數(shù)，讓顯影機擺臂上下擺動； (2)片子放置在花籃上，然后將裝滿片子的花籃放在顯影機的擺臂上，在顯影液中晃動； (3)用0.8%氫氧化鈉溶液對N電極顯影:先在第一個顯影槽中顯影30秒，使光刻膠與顯影液充分反應，然后取出放入第二個顯影槽內(nèi)顯影20秒讓反應物從晶片表面完全掉落后取出沖水； (4)用0.8%氫氧化鈉溶液對ITO顯影:先在第一個顯影槽中顯影20秒，使光刻膠與顯影液充分反應，然后取出放入第二個顯影槽內(nèi)顯影15秒讓反應物從晶片表面完全掉落后取出沖水； (5)用2.38%四甲基氫氧化銨水溶液對P、N電極顯影:先在第一個顯影槽中顯影20秒，使光刻膠與顯影液充分反應，然后取出放入第二個顯影槽內(nèi)顯影20秒讓反應物從晶片表面完全掉落后取出沖水； (6)從顯影槽中提出用清洗槽去離子水清洗干凈，使其水阻值達到5ΜΩ- cm； (7)最后用熱氮烘干機吹干。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種新的LED光刻顯影方法，其特征在于，所述熱氮烘干機吹風時間為:大臺、小臺大流量吹300秒，電極大流量吹600秒。
【文檔編號】G03F7/32GK103792799SQ201210447726
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2012年10月29日 優(yōu)先權日:2012年10月29日
【發(fā)明者】馬閣華 申請人:馬閣華